有一半导体热敏电阻,现要测量该热敏电阻的热敏特性,实验装置如图1所示

3211732022-10-04 11:39:541条回答

有一半导体热敏电阻,现要测量该热敏电阻的热敏特性,实验装置如图1所示
(1)本实验中,由于热敏电阻在温度的影响下阻值变化比较大,涉及多次调整欧姆表倍率,每次更换倍率后都要先进行______
(2)通过添加冷水、热水或酒精灯加热的方式达到各点温度,观测得到热敏电阻随温度变化数据如下表,画出电阻随温度变化的曲线(如图2所示).
次数 1 2 3 4 5 6 7 8
温度t/℃ 10 15 20 30 40 50 60 80
电阻R/Ω 600 400 300 200 140 120 100 80

(3)结果分析:______
(4)某学生小组将该热敏电阻接在如图3所示的电路中测量水温,已知电源电动势E=8V,内阻不计;G为灵敏电流表,其内阻为R g 保持不变;R为热敏电阻.当水温为15℃时,电流表示数为10mA;当电流表示数为14mA时,水温是______
(5)关于传感器下列说法正确的是______
A.热双金属片传感器和干簧管在电路中起到开关的作用
B.电子秤是把力转换为电压这个电学量
C.光电鼠标器和火灾报警器应用的是光敏传感器
D.话筒是一种常用的声波传感器,其作用是将电信号转换为声信号.

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nail520 共回答了11个问题 | 采纳率100%
(1)调整欧姆表倍率,每次更换倍率后都要先进行欧姆调零.
(2)根据表中实验数据在坐标系内描出对应点,然后作出图象,图象如图所示.
(3)由热敏电阻的R-t图象可知:热敏电阻的阻值随温度的升高而降低.
(4)由R-t图象可知,温度为15℃时,热敏电阻阻值为40Ω,电流表内阻R g =
U
I -R=
8V
0.01 -400=400Ω,
电路电流为14mA=0.014A时,热敏电阻阻值R=
U
I -R g =
8
0.014 -400≈171Ω,由图象可知,此时温度为34℃.
(5)A、热双金属片传感器和干簧管在电路中相当于开关,可以控制电路的通断,故A正确;
B、电子称的主要部件是压力传感器,电子秤是把力转换为电压这个电学量,故B正确;
C、光电鼠标器和火灾报警器应用的是光敏传感器,故C正确;
D、话筒是一种常用的声波传感器,其作用是声信号转换为电信号,故D错误;故选ABC.
故答案为:(1)欧姆调零;(2)如图所示;(3)热敏电阻的阻值随温度的升高而降低;(4)34℃;(5)ABC.
1年前

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花妖狐魅1年前1
KuShao_hnsj 共回答了18个问题 | 采纳率100%
由题知,当传感器R 2 所在处出现火情时,R 2 减小,R 2 、R 3 并联电阻减小,外电路总电阻减小,根据闭合电路欧姆定律得知,干路电流I增大,路端电压减小,即a、b两端电压U变小;R 2 、R 3 并联电压U =E-I(R 1 +r),I增大,E、R 1 、r均不变,则U 减小,通过R 3 电流减小,由于干路电流增大,则知电流表示数I变大.
故答案为:变小,变大
下列说法中正确的是(  )A.当温度升高时,半导体热敏电阻的阻值增加得非常迅速B.超导现象是指当某些金属的温度降低到某一
下列说法中正确的是(  )
A.当温度升高时,半导体热敏电阻的阻值增加得非常迅速
B.超导现象是指当某些金属的温度降低到某一数值时,它的电阻突然将为零的现象
C.在光的照射下,半导体光敏电阻的阻值将大大增加
D.半导体的导电性能与金属的导电性能相同
的渴1年前1
fbbyy 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%
解题思路:光敏电阻的阻值随着光照而减小,而热敏电阻的阻值随着温度的升高而降低,超导现象是指当某些金属的温度降低到某一数值时,它的电阻突然将为零的现象.

A、因为热敏电阻为半导体,所以表现的性能与金属导体很大差异,根据常识金属导体的电阻随温度变高而增大,而一般热敏电阻和金属导体相反.所以热敏电阻的阻值随着温度的升高而降低,故A错误;
B、超导现象是指当某些金属的温度降低到某一数值时,它的电阻突然将为零的现象,故B正确;
C、光照射到光敏电阻上时,光敏电阻是半导体的,收到光的激发,会产生更多的自由电子,导电性增加,电阻变小,故C错误;
D、由上分析可知,半导体的导电性能与金属的导电性能不相同,故D错误.
故选:B.

点评:
本题考点: 电阻率与温度的关系.

考点点评: 对于半导体的热敏电阻的阻值随着温度升高而降低,光敏电阻的阻值随着光照而减小.而金属导体随着温度升高而增加.

在如图所示的电路中,R t 为半导体热敏电阻,闭合开关,灯泡L 1 、L 2 、L 3 的亮度相同.当R t 处的温度升
在如图所示的电路中,R t 为半导体热敏电阻,闭合开关,灯泡L 1 、L 2 、L 3 的亮度相同.当R t 处的温度升高时,小灯泡的亮度变化情况是
A.L 1 变亮,L 2 变暗,L 3 变亮
B.L 1 变暗,L 2 变亮,L 3 变暗
C.L 1 、L 2 变亮, L 3 变暗
D.L 1 、L 2 变暗, L 3 变亮
再来碗菜饭1年前1
酷帅神迷 共回答了13个问题 | 采纳率76.9%
A

当R t 处的温度升高时,半导体热敏电阻降低,总电阻减小,总电流变大,灯L 1 变亮,外电压减小,灯L 1 两端电压变大,则L 2 两端电压减小,流过灯L 2 的电流减小,灯L 2 变暗,由于总电流变大,则灯L 3 的电流变大,灯L 3 变亮,A正确。
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A.I变大,U变大
B.I变小,U变小
C.I变小,U变大
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老生_dd1年前1
yuyu198648 共回答了20个问题 | 采纳率95%
解题思路:当R2所在处出现火情时,温度升高,电阻变小,分析总电阻的变化,判断干路电流的变化和路端电压的变化,确定U的变化.根据并联部分的电压变化,分析通过R3的电流变化,再分析I的变化.

当R2所在处出现火情时,温度升高,R2变小,R2与R3并联的电阻变小,外电路总电阻变小,则干路电流I变大,路端电压U变小.R2与R3并联的电压变小,通过R3的电流变小,则通过电流表的电流I变大.所以I变大,U变小.
故选D

点评:
本题考点: 闭合电路的欧姆定律.

考点点评: 本题是电路中动态变化分析问题,采用这样的程序进行分析:“局部→整体→局部”.

当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值___(填“变大”“不变”或“变小”);半导体热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随_
当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值___(填“变大”“不变”或“变小”);半导体热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随____变化而改变的特性制成的。
bxxr01年前1
zjlshhh 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
变小,温度
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(2013•牡丹江一模)如图所示,带有活塞的气缸中,封闭一定质量的理想气体,将一个半导体热敏电阻R置于气缸中,热敏电阻R与容器外的电源E和电流表A组成闭合回路,气缸和活塞具有良好的绝热性能.若发现电流表A的读数增大时,以下判断正确的是(  )
A.气体压强一定增大
B.气体体积一定增大
C.气体一定对外做功
D.气体内能一定增大
花开陌陌21年前1
qiao665608 共回答了22个问题 | 采纳率81.8%
解题思路:根据闭合电路欧姆定律可得出电路中电阻的变化,再由半导体电阻的性质可得出气缸内温度的变化,由气体的性质可判断内能的变化;由理想气体状态方程可得出体积的变化.

气体用活塞封闭,故气体的压强不变.电流表示数增大,则由闭合电路欧姆定律可知,电路中电阻R减小;根据半导体热敏电阻的性质可知,气缸内温度升高,内能增大,由气体状态方程[PV/T]=c可得,气体体积一定增大,气体对外界做功;
故选:BCD.

点评:
本题考点: 热力学第一定律;理想气体的状态方程.

考点点评: 本题综合了热学与电学相关知识,要求掌握闭合电路欧姆定律及气体的内能只与温度有关,温度越高,则气体的内能越大.

(2012•昆明模拟)在如图甲所示的电路中,RT是半导体热敏电阻,其电阻RT随温度T变化的关系图线如图乙所示.当RT所在
(2012•昆明模拟)在如图甲所示的电路中,RT是半导体热敏电阻,其电阻RT随温度T变化的关系图线如图乙所示.当RT所在处温度升高时,下列关于通过电流表的电流I和a、b间电压U的说法正确的是(  )
A.I变大,U变小
B.I变小,U变小
C.I变小,U变大
D.I变大,U变大
咕-嘟1年前1
江洲游民 共回答了21个问题 | 采纳率95.2%
解题思路:当RT所在处温度升高时,RT减小,并联部分电阻减小,总电阻减小,根据闭合电路欧姆定律分析路端电压和总电流的变化,再分析R2电压的变化,确定通过R2的电流变化,根据总电流和通过R2的变化,确定电流表示数的变化.

当RT所在处温度升高时,RT减小,并联部分电阻减小,总电阻减小,根据闭合电路欧姆定律可知:干路电流I增大,路端电压U变小.RT和R2并联的电压U=E-I(R1+r),I增大,E、R1、r均不变,则U减小,通过R2的电流I2减小,通过电流表的电流I=I-I2,I增大,I2减小,则I变大.所以I变大,U变小.
故选A

点评:
本题考点: 闭合电路的欧姆定律.

考点点评: 本题首先要读懂图象,明确热敏电阻与温度的关系,其次按“分部→整体→分部”的顺序进行动态分析.

(2008•海南)当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值______(填“变大”、“不变”或“变小”).半导体热敏电阻是
(2008•海南)当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值______(填“变大”、“不变”或“变小”).半导体热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随______变化而改变的特性制成的.
Jarod_bunny1年前1
不相信爱情ing 共回答了20个问题 | 采纳率90%
光照射到光敏电阻上时,光敏电阻是半导体的,收到光的激发,会产生更多的自由电子,导电性增加,电阻变小;因为热敏电阻为半导体,所以表现的性能与金属导体很大差异,根据常识金属导体的电阻随温度变高而增大,而一般热敏电阻和金属导体相反.所以热敏电阻的阻值随着温度的升高而降低.
故答案为:变小温度
半导体热敏电阻温度特性的研究实验中,测量电阻阻值及校准半导体温度计时惠斯通电桥各处于什么时候状态?
zhyxj1171年前2
片羽只光 共回答了22个问题 | 采纳率95.5%
兄弟.测量电阻阻值处于平衡状态.校准半导体温度计处于非平衡状态.
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如图所示,电源内阻不可忽略,已知 R 1 为半导体热敏电阻, R 2 为锰铜合金制成的可变电阻,若发现灯泡L的亮度变暗,可能的原因是(  )
A. R 1 的温度逐渐降低
B. R 1 受到可见光的照射
C. R 2 的阻值逐渐增大
D. R 2 的阻值逐渐减小
小保姆阿宝1年前1
yangcatzi 共回答了24个问题 | 采纳率100%
解题思路:

R1为半导体热敏电阻,若R1的温度逐渐降低,则R1的阻值逐渐增大,则电路的总电阻增大,由闭合电路的欧姆定律知电路的总电流减小,由知路端电压增大,即R2两端的电压U2增大,电流I2增大,由知通过灯泡L的电流变小,功率变小,灯泡L的亮度变暗,A对;当R1受到可见光的照射时,其阻值不变,即电流不变,灯泡L的亮度不变,B错;当R2的阻值逐渐减小时,则电路的总电阻减小,由闭合电路的欧姆定律知电路的总电流增大,由知路端电压减小,即灯泡LR1的总电压减小,因阻值都不变,所以灯泡L两端的电压变小,功率变小,灯泡L的亮度变暗,D对,C错。

AD


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(2013•浦东新区三模)某同学设计的散热排风控制电路如图所示,M为排风扇,R0是半导体热敏电阻,其阻值随温度升高而减小,R是可变电阻.下列说法中正确的是(  )
A.环境温度升高时,A点电势升高
B.可变电阻R阻值调大时,A点电势降低
C.可变电阻R阻值调大时,排风扇开始工作的临界温度升高
D.若用金属热电阻代替半导体热敏电阻,电路仍能正常工作
bill_281_hf1年前1
smallyar 共回答了17个问题 | 采纳率88.2%
A、当环境温度升高时,热敏电阻R0的阻值减小.则电路中的电流增大,R的电压增大,则A点的电势升高,故A正确,
B、可变电阻R阻值调大时,导致电路的电流减小,R0的电压减小,则A点电势升高,故B错误;
C、可变电阻R阻值调大时,则A点电势升高,根据非门电路的逻辑关系可知排风扇的电压增大,可提前工作,则排风扇开始工作的临界温度会降低.故C错误;
D、若用金属热电阻代替半导体热敏电阻,当温度升高时,其阻值增大,导致A点电势降低,则开关会处于断开状态,所以起不到散热排风的作用,故D错误;
故选:A
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(2013•南通二模)某同学设计的散热排风控制电路如图所示,M为排风扇,R是可变电阻,R0是半导体热敏电阻,其阻值随温度升高而减小.控制开关电路具有下列特性:当A点电势φA<φ0时,控制开关处于断路状态;当φA≥φ0时,控制开关接通电路,M开始运转.下列说法中正确的是(  )
A.环境温度升高时,A点电势升高
B.可变电阻R阻值调大时,A点电势降低
C.可变电阻R阻值调大时,排风扇开始工作的临界温度升高
D.若用金属热电阻代替半导体热敏电阻,电路仍能正常工作
冰之恋舞1年前1
litian8568 共回答了9个问题 | 采纳率88.9%
解题思路:由热敏电阻的温度变化,导致电阻变化,根据电路的电流变化,来确定A点的电势如何变化,则来控制开关,使其开始运转.

A、当环境温度升高时,半导体热敏电阻R0,其阻值随温度升高而减小.则电路中的电流增大,所以A点的电势升高,故A正确,
B、可变电阻R阻值调大时,导致电路的电流减小,则A点电势升高,故B错误;
C、可变电阻R阻值调大时,导致电路的电流减小,则A点电势升高,由于当A点电势φA<φ0时,控制开关处于断路状态;当φA≥φ0时,控制开关接通电路,M开始运转.工作临界温度没变,而是提前被接通,故C错误;
D、若用金属热电阻代替半导体热敏电阻,当温度升高时,其阻值增大,导致A点电势降低,则开关会处于断开状态,所以起不到散热排风的作用,故D错误;
故选A

点评:
本题考点: 常见传感器的工作原理;闭合电路的欧姆定律.

考点点评: 解决本题的关键掌握因热敏电阻的阻值变化,从而导致电路中电流、电压变化.

如图所示,带有活塞的气缸中,封闭一定质量的理想气体,将一个半导体热敏电阻R置于气缸中,热敏电阻与容器外的电源E和电流表A
如图所示,带有活塞的气缸中,封闭一定质量的理想气体,将一个半导体热敏电阻R置于气缸中,热敏电阻与容器外的电源E和电流表A组成闭合回路,气缸和活塞是绝热的,热敏电阻产生的热量可忽略.若发现电流表的读数增大时,以下判断正确的是
A.气体压强一定增大
B.气体的内能一定增大
C.气体体积一定增大
D.单位时间内气体分子对器壁单位面积的碰撞次数一定增大
求求学士们讲一下
xiangcaoyuan1年前1
有谁共鸣我 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%
由于热敏电阻随温度升高 电阻减小,所以温度升高
温度升高 内部气体内能增大
由△U=W+Q知 热敏电阻产生的热量可忽略 Q=0 所以W>0 体积减小
由PV/T=恒量 可以知道必p增大
单位时间内气体分子对器壁单位面积的碰撞次数 与p 有关
半导体热敏电阻随温度的变化怎大还是减小?
虚拟的天堂1年前1
ilovis 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%
如果考试你就填减小,是负温度系数,其实不一定的.
如图所示,电源内阻不可忽略,R 1 为半导体热敏电阻,它的电阻随温度的升高而减小,R 2 为锰铜合金制成的可变电阻.当发
如图所示,电源内阻不可忽略,R 1 为半导体热敏电阻,它的电阻随温度的升高而减小,R 2 为锰铜合金制成的可变电阻.当发现灯泡L的亮度逐渐变暗时,可能的原因是(  )
A.R 1 的温度逐渐降低 B.R 1 的温度逐渐升高
C.R 2 的阻值逐渐增大 D.R 2 的阻值逐渐减小
刘姥姥近大观园1年前1
天牙旅行社 共回答了20个问题 | 采纳率95%
A、当R 1 的温度逐渐降低时,电阻增大,所以总电阻增大,总电流就减小,电源内阻所占电压减小,并联部分电压增大,所以通过R 2 的电流变大,而总电流就减小,所以通过灯泡的电流减小,故A正确,B错误;
C、当R 2 的阻值逐渐增大时,总电阻增大,总电流就减小,电源内阻所占电压减小,并联部分电压增大,所以通过灯泡L的电流就增大,反之,若R 2 的阻值逐渐减小,则通过灯泡L的电流减小,故C错误,D正确.
故选AD
在如图甲所示的电路中,RT是半导体热敏电阻,其电阻RT随温度T变化的关系图象如图乙所示,当RT所在处温度升高时,下列关于
在如图甲所示的电路中,RT是半导体热敏电阻,其电阻RT随温度T变化的关系图象如图乙所示,当RT所在处温度升高时,下列关于通过理想电流表的电流I,ab间电压U和电容器电量q的说法正确的是(  )

A.I变大,U变大
B.I变大,U变小
C.U变小,q变小
D.U变大,q变大
今生只爱你9281年前1
tianxiaguangli 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%
解题思路:当RT所在处温度升高时,其电阻变小,分析总电阻的变化,判断干路电流的变化和路端电压的变化,确定U的变化.根据并联部分的电压变化,判断电容器带电量的变化.

当RT所在处温度升高时,RT变小,RT与R2并联的电阻变小,外电路总电阻变小,则干路电流I变大,路端电压U变小.
R1与内电压变大,则RT与R2并联的电压变小,电容器板间电压变小,由Q=CU知:电容器的带电量q变小.
RT与R2并联的电压变小,通过R2的电流变小,而干路电流变大,则通过电流表的电流I变大.故AD错误,BC正确.
故选:BC.

点评:
本题考点: 闭合电路的欧姆定律.

考点点评: 本题是电路中动态变化分析问题,采用这样的程序进行分析:“局部→整体→局部”.

当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值___________(填“变大”、“不变”或“变小”);半导体热敏电阻是利用半导
当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值___________(填“变大”、“不变”或“变小”);半导体热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随___________变化而改变的特性制成的。
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变小,温度
如图所示,电源内阻不可忽略,R1为半导体热敏电阻(温度升高时,阻值减小),R2为锰铜合金制成的可变电阻.当发现灯泡L的亮
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A. R1的温度逐渐降低
B. R1的温度逐渐升高
C. R2的阻值逐渐减小
D. R2的阻值逐渐增大
libinzb1年前1
20061021_L 共回答了11个问题 | 采纳率81.8%
解题思路:由图可知,灯泡与R1串联后与R2并联;灯泡变暗,说明流过灯泡的电流减小,可分别由闭合电路欧姆定律分析各项,可得出正确答案.

A、B、若R1的温度逐渐降低时,其电阻增大,外电路总电阻增大,总电流就减小,电源的内电压减小,路端电压增大,所以通过R2的电流增大,而总电流减小,所以通过灯泡的电流减小,灯泡L的亮度逐渐变暗;相反,R1的温度逐渐升高时,灯泡L的亮度逐渐变亮,故A正确,B错误;
C、D、当R2的阻值逐渐减小时,总电阻减小,总电流增大,电源内电压增大,并联部分电压减小,所以通过灯泡L的电流减小,灯泡L的亮度逐渐变暗,相反,R2的阻值逐渐增大时,灯泡L的亮度逐渐变亮,故C正确,D错误.
故选:AC.

点评:
本题考点: 闭合电路的欧姆定律.

考点点评: 在电路中,若部分电阻发生了变化,对该部分的处理不能直接根据欧姆定律分析,应灵活应用串并联电路的性质进行分析判断.

当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值______(填“变大”、“不变”或“变小”).半导体热敏电阻是利用半导体材料的电
当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值______(填“变大”、“不变”或“变小”).半导体热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随______变化而改变的特性制成的.
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DF醉清风 共回答了16个问题 | 采纳率93.8%
解题思路:光敏电阻的阻值随着光照而减小,而热敏电阻的阻值随着温度的升高而降低.

光照射到光敏电阻上时,光敏电阻是半导体的,收到光的激发,会产生更多的自由电子,导电性增加,电阻变小;因为热敏电阻为半导体,所以表现的性能与金属导体很大差异,根据常识金属导体的电阻随温度变高而增大,而一般热敏电阻和金属导体相反.所以热敏电阻的阻值随着温度的升高而降低.
故答案为:变小温度

点评:
本题考点: 电阻率与温度的关系.

考点点评: 对于半导体的热敏电阻的阻值随着温度升高而降低,光敏电阻的阻值随着光照而减小.而金属导体随着温度升高而增加.

当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值_________(填“变大”、“不变”或“变小”)。半导体热敏电阻是利用半导体材

当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值_________(填“变大”、“不变”或“变小”)。半导体热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随_________变化而改变的特性制成的。

素心偌雪1年前1
fog7217 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
变小;温度
当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值___(填“变大”“不变”或“变小”);半导体热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随_
当光照射到光敏电阻上时,光敏电阻的阻值___(填“变大”“不变”或“变小”);半导体热敏电阻是利用半导体材料的电阻率随____变化而改变的特性制成的。
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gigibos 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%
变小,温度
某兴趣小组对一火灾报警装置的部分电路进行探究,其电路如图所示,其中R2是半导体热敏电阻,它的电阻R随温度t变化关系如图乙
某兴趣小组对一火灾报警装置的部分电路进行探究,其电路如图所示,其中R2是半导体热敏电阻,它的电阻R随温度t变化关系如图乙所示.当R2所在处出现火情时,通过电流表的电流I和a、b两端电压U与出现火情前相比(  )
A. I变大,U变大
B. I变小,U变小
C. I变小,U变大
D. I变大,U变小
ninjabob1年前1
kuangjunjie1994 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
解题思路:当R2所在处出现火情时,温度升高,电阻变小,分析总电阻的变化,判断干路电流的变化和路端电压的变化,确定U的变化.根据并联部分的电压变化,分析通过R3的电流变化,再分析I的变化.

当R2所在处出现火情时,温度升高,R2变小,R2与R3并联的电阻变小,外电路总电阻变小,则干路电流I变大,路端电压U变小.R2与R3并联的电压变小,通过R3的电流变小,则通过电流表的电流I变大.所以I变大,U变小.
故选D

点评:
本题考点: 闭合电路的欧姆定律.

考点点评: 本题是电路中动态变化分析问题,采用这样的程序进行分析:“局部→整体→局部”.

如图所示电源内阻不可忽略,R 1 为半导体热敏电阻,它的阻值随温度的升高而减小,R 2 为锰铜合金制成的可变电阻,它的阻
如图所示电源内阻不可忽略,R 1 为半导体热敏电阻,它的阻值随温度的升高而减小,R 2 为锰铜合金制成的可变电阻,它的阻值几乎不随温度变化,当发现灯泡L的亮度逐渐变暗时,可能的原因是
A.R 1 的温度逐渐降低
B.R 1 受到强光的照射
C.R 2 的阻值逐渐增大
D.R 2 的阻值逐渐减小
何乐而不韦1年前1
繁星1111 共回答了22个问题 | 采纳率95.5%
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半导体热敏电阻常用作温度传感器,因为温度越高,它的电阻值越大?是不是错的》》?...
半导体热敏电阻常用作温度传感器,因为温度越高,它的电阻值越大?是不是错的》》?...
大家好像都没说到 半导体 的概念上....没关系的吗?
寻4川M_kk1年前3
一个鼠标 共回答了17个问题 | 采纳率88.2%
错了,通常作为温度传感器使用的热敏电阻器都是NTC类的.电阻值随温度升高而下降,但不是线性的,电阻值取对数与温度基本上可以为线性.