偏置曲柄滑块机构 滑块行程s=50mm,偏距e=16mm,行程速度变化系数K=1.2求曲柄和连杆长度

漂在异乡的天空2022-10-04 11:39:541条回答

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9501011 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%
成熟地落下,这时老男人们坐着梦见
我们的脚下是狼窝.
忘却某人
我才看见经过一些笑着的亮发姑娘,
但是热烈又丰盈:
频频回首来时路,涩涩泪痕挂唇边.哈哈
1年前

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发射结( )偏置,集电结( )编置,则三极管处在饱和状态
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flower920 共回答了27个问题 | 采纳率92.6%
三极管两个结与三极管状态:
饱和导通:发射结正偏,集电结正偏.
放大导通:发射结正偏,集电结反偏.
截止:发射结反偏,集电结反偏.
不懂的可随时回复我.
希望我的回答能帮助到你.
偏置电阻在电路的什么位子
lhztop1年前3
kqrwq 共回答了20个问题 | 采纳率95%
这是个开关电源,还是电动车充电器的吧?这里边没有单独的偏置电阻.
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要使PNP型BJT具有线性放大作用,其发射结和集电极结的偏置电压应如何连接?
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M川酷子 共回答了20个问题 | 采纳率95%
发射结正向偏置,集电结反向偏置.
如何根据发射结与集电结的偏置状态来判断三极管工作状态
如何根据发射结与集电结的偏置状态来判断三极管工作状态
例如:集电结正偏,发射结反偏;三极管工作状态为?
集电结正偏,发射结正偏;三极管工作状态为?
集电结反偏,发射结正偏;三极管工作状态为?
集电结反偏,发射结反偏;三极管工作状态为?
集电结无电流,发射结正偏;三极管工作状态为?
集电结无电流,发射结反偏;三极管工作状态为?
集电结正偏,发射结无电流;三极管工作状态为?
集电结反偏,发射结无电流;三极管工作状态为?
errrrr11年前1
漫画天使 共回答了20个问题 | 采纳率90%
正正为饱和;正(发射结)反(集电结)为放大;反反、基极电流为零时为截止.
集电结正偏,发射结反偏 ?
---- NPN型三极管接入电路时,集电极接电源正端,即C点电位最高,C>B>E;PNP型三极管接入电路时,发射极接电源正端,即E点电位最高,发射极电位最高,E>B>C;所以:如是NPN管(Uc>Ub>Ue),集电结正偏,发射结反偏,则会Ue>Ub>Uc,那么变成了发射极电位最高了, 所以此种情况是不存在的; 如是PNP管(Ue>Ub>Uc),则成了Uc>Ub>Ue,也不存在.
集电结正偏,发射结正偏 ?
----饱和.Uce小等于Ube,电源电压很低,Ib对Ic没有控制作用,饱和向放大过度必需提升电源电压至超过三极管的饱和压降Uces.(饱和分临界饱和、深度饱和,临界即Uce=Ube,此时C、B点电位相等,C、B偏零;深度饱和即B极电位高于C极,此种状态即真正的集电结正偏.)
集电结反偏,发射结正偏 ?
----放大.
集电结反偏,发射结反偏 ?
----如是NPN管,都反偏,则表示发射极电位高于基极,集电极电位也高于基极,即基极电位最低,基极没有正向偏置,即对集电极电流没有控制作用,且此时CE间有较大的电压,集电极与发射极相当于开路,所以此时三极管截止.PNP管同理.
集电结无电流,发射结正偏 ?
----因Ib=0时,集电极必有穿透电流Iceo,所以此种状态是三极管的集电极开路,B的电位高于E(NPN),或是B的电位低于E(PNP).
集电结无电流,发射结反偏 ?
----因集电极必有穿透电流Iceo,所以此种状态也是三极管的集电极开路,B的电位低于E(NPN)或是B的电位高于E(PNP).
集电结正偏,发射结无电流 ?
----只有E开路才会有此种状态,因集电结正偏时,发射结没理由不导通.
集电结反偏,发射结无电流 ?
----三极管发射结两端电压小于PN结导通电压,基极电流为零,三极管此时失去电流放大作用,所以此时三极管是截止.
偏置电路中,当基极发生变化时,其他两极和上下偏置电阻电容等有什么变化
珈贝1年前1
aibu放 共回答了28个问题 | 采纳率85.7%
当基极电压变化时,基极电压的高低使晶体管从截止状态苏醒,进入导通放大状态!集电极及发射极串联的电阻均发生着通过电流大小的变化!但任何一极与电源如果构不成回路,此时它将只相当一支二极管!发射极与集电极间是不能串接电容的!另外,上偏置电阻不变,基极电压也不会有任何变化!
判断题:PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大.
winslei1年前2
woshihaha 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
这是PN结的单向导电性.当PN结正向偏置时,电阻很小,处于导通状态;当PN结反向偏置时,电阻很大,处于截止状态.所以这句话是对的.
二极管正向偏置,电压不变时,温度变化电流怎样变化?又怎样通过公式 I=Is*(e【u/Ut】-1)去分析?
二极管正向偏置,电压不变时,温度变化电流怎样变化?又怎样通过公式 I=Is*(e【u/Ut】-1)去分析?
【u/Ut】为指数.
海王的金盏花1年前1
么空 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%
这个问题没考虑过,因为温度影响很小,几乎可以忽略.
如果你很想研究这个问题,我可以给你提供几个二极管供你研究.
什么是PN偏置?其中的具体含义是什么?
丑鱼19821年前1
3501629 共回答了20个问题 | 采纳率95%
应该是PN结正向偏置和反向偏置吧!就是当电源正极接到PN结的P端,且电源的负极接到PN结的N端时,称为正向偏置;反之,则为反向偏置
PN结的单向导电性是指:当PN结正向偏置时,电阻(),处于()状态;当PN结反向偏置时,电阻(),处于...
PN结的单向导电性是指:当PN结正向偏置时,电阻(),处于()状态;当PN结反向偏置时,电阻(),处于...
PN结的单向导电性是指:当PN结正向偏置时,电阻(),处于()状态;当PN结反向偏置时,电阻(),处于()状态
ahuscott1年前1
章鱼烧白 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
很小,导通,很大,截止
三极管的各个偏置电阻大小怎样确定,如何计算选取?
shedan1771年前1
w酷透 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%
梦想还在漂泊9级2011-01-08测电阻大小啊!总万用表,电阻大的是开关状态,电阻小是放大状态 追问:我是想要自己设计一个 回答:万用表会用吗?测电阻大小,没有万用表总灯泡导线及电源也可,灯泡更亮就是放大状态,反之开关状态 补充:不早说是设计啊!五伏电源,导线,五伏左右灯泡,亮则放大状态,反之开关状态 追问:那我问你如果给你一个NPN管,你如何设置Rb ,Rc的电阻值,才能使三极管工作在放大区!回答:这么简单的问题,三极管就是个变电阻,想得那么复杂,服了你的脑袋,就是根据电阻的大小设置,你回去好好看书,问了也白问,听你也听不懂,给你回答,没感悟出来还老是问同样一个问题.
1 发射结反向偏置的晶体管一定工作在截止状态 ( )对错 .
1 发射结反向偏置的晶体管一定工作在截止状态 ( )对错 .
2 一般来说,晶体三极管的电流放大系数表示为β值随温度升高而减小()
3.晶体三极管的交流放大系数表示为β=IC/IB,它不随工作点改变而改变()
4 共射级放大电路输出电压相位相反,所以该电路有时被称为反相器()
5 晶体三极管放大电路的静态工作点过高,可减小电源,电压 使直流负载线向下平移()
幽梦依阳1年前1
今天我没吃饭 共回答了20个问题 | 采纳率80%
1一般来说是对的,但工作在震荡状态,可能测出反偏.
2一般来说,晶体三极管的电流放大系数表示为β值不随随温变化而变化,穿透电流会随温度升高而升高
3晶体三极管的交流放大系数表示为β=IC/IB,它不随工作点改变而改变,不一定,具有正向AGC特性的晶体管,随工作点升高而降低,某些却升高.
4 共射级放大电路输出电压相位相反,所以该电路有时被称为反相器.
5 晶体三极管放大电路的静态工作点过高,应减小基极电流,使负载线下移,在某些基极恒流供电情况下,可以提高电源电压.
三极管的偏置电阻大小怎样确定,如何计算选取?
三极管的偏置电阻大小怎样确定,如何计算选取?
是不是没有公式计算三极管的偏置电阻大小的?只能按经验选取,或只能靠做实验来确定吗?如果给你一个知道参数的三极管和一个电源(5V)要让它:1、工作在开关状态:2、放大状态.你如何确定各个状态下的偏置电阻的大小.我想设计一个放大电路和一个驱动电路,但就是不知道应该选取多大的偏置电阻.网上有说用滑动变阻器代替做一个出来,再测量该滑动变阻器.或是估算就用那么大,更有甚者是答非所问.都没有一个敢正面回答的.我相信这个问题是电子领域的一个空缺,是亿万人民共同的心头病,
我真的很感谢你们对我的问题的回答,但是我要的是公式.你们举个例算出来.比如:一个5V的电源和一个9014的三极管来控制一个3V的led发光二极管,求所选的偏置电阻大小.(你们笑我,是因为你们没有真正试过自己去设计然后拿起电烙铁去做过一个出来,都是抄人家的,照搬型号大小、电路图直接焊的.)
gyzls1年前1
mint929 共回答了12个问题 | 采纳率83.3%
模拟电子技术,里面有计算方法啊.呵呵,并非是“电子领域的一个空缺”. ----------------------------按照楼主给出的条件,画出了共射极的电路图,见插图.图中的Ic,楼主应该按照LED的发光电流来选定;根据Ic,再选定Rc,图中标注的是R9;根据饱和的条件,应有:βIb ≥ Ic,或写成:Ib ≥ Ic/β,那么:(VBB-0.7)/R8 ≥ Ic/β,即有:R8 ≤ β(VBB-0.7)/Ic.另外还有射随电路,也可以驱动LED.公式都极其简单,按照欧姆定律,推导两三步即可得出.公式太简单,谁也不用笔算,心算一下,找个电阻焊接上就可以了.
硅二极管正向偏置后,电压加到3V左右,此时二极管两端电压还是0.6V左右吗?
cannyyin1年前1
foxlu1013 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
要看什么类型的硅二极管,并且还要有限流电阻,肖特基管0.3V左右,普通开关管0.6V左右,高反压二极管一般在1V左右.
三极管的基极没有电流偏置电阻可以吗?我看到一个电路图如下所示,没有基极电流偏置电阻,跪求分析
yangweili19751年前1
leslies 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%
你看模电书(童诗白 第四版那本)
P83 图2.2.4和你的电路一样
U1=Ubeq
静态时这时Ur4上电压由Ube决定啊
刚才翻了下书 看晶体管输入特性曲线
Ube基本稳定在一定值
静态:
Ibq=(Vcc-Ube)/R3-Ube/R4
Icq=β*Icq
Ucq=Vcc-Icq*R5
17,晶体三极管工作在饱和区,发射结,集电结的偏置是( ) A:发射结正向偏置,集电结反向偏置 B:发射结反向
17,晶体三极管工作在饱和区,发射结,集电结的偏置是( ) A:发射结正向偏置,集电结反向偏置 B:发射结反向
A:发射结正向偏置,集电结反向偏置
B:发射结反向偏置,集电结正向偏置
C:发射结反向偏置,集电结反向偏置
D:发射结正向偏置,集电结正向偏置
请问选哪一个答案,为什么
kuailewushang1年前1
嗷嗷嗷 共回答了20个问题 | 采纳率90%
选D 三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.
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能说一下角的具体大小是多少吗
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不用运算放大器怎样实现直流电压偏置?运算放大器需要加正负电压,而电路没有提供合适的电压源.
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你说的“直流电压偏置”是什么意思?能否述说得更清楚些?从你的提问以及和shufeng3001的对答中我都看不明白究竟是什么意思.
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fhx132100 共回答了23个问题 | 采纳率91.3%
稳压管是在流过稳压管电流变化很大,其端电压也没多少变化,所以起到吸收电流而稳压的作用,变容二极管是当电压变化时其极间电容变化很大,可实现压控容量,如用于振荡回路中改变振荡频率.
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(√ )1、PN结正向偏置时电阻小,反向偏置时电阻大
( )2、放大器在工作时,同时存在直流分量和交流分量.
( )3、晶体二极管的加反向电压时一定截止.
( )4、晶体三极管由两个PN结,因此它具有单向导电性.
( )5、共发射极放大电路中,输出电压和输入电压同相.
( )6、采用阻容耦合的的放大电路,前后级的静态工作点相互影响.
( )7、射极输出器电压放大倍数小于1而接近于1,所以射极输出器不是放大器.
( )8、偏置电路不属于集成运放的组成部分.
( )9、放大电路的交流负载线比直流负载线陡.
( )10、稳压二极管既可以并联使用也可以串联使用.
( )11、放大电路的交流负载线比直流负载线陡.
( )12、晶体三极管的集电极和发射极可以互换使用.
( )13、晶体二极管的反向饱和电流越大,二极管的质量越好
( )14、发射结正偏的三极管一定工作在放大状态.
( )15、放大器具有能量放大作用.
( )16、负反馈可以提高放大器放大倍数的稳定性.
( )17、集成运放的引出端只有三个.
( )18、单相桥式整流电路的整流二极管承受的最大反向电压为变压器次级电压的2倍.
( )19、整流电路接入滤波电容后,输出直流电压下降.
( )20、晶体三极管有两个PN结,因此它具有单向导电性.
没有人吗
say77181年前1
hh在赢 共回答了25个问题 | 采纳率92%
5 tfft 10 ftftf 11~15 tftff 16~20 tttff
怎样确认该放大器的偏置电阻值?在该放大电路中,已知VCC=6V,管子的放大倍数为150倍,求出:R1、R2、R3、R4的
怎样确认该放大器的偏置电阻值?

在该放大电路中,已知VCC=6V,管子的放大倍数为150倍,求出:R1、R2、R3、R4的阻值.迫切.请明师指导详细说明,并有详细的计算步聚.电路如图1


心情解码1年前1
alpha1981 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%
简单的计算方法是
以下假设Vbe=0.5V(基极电流很小情况下Vbe可选0.5-0.7V,根据三极管参数手册)
1.R1 R2 提供三极管B电位,可选择三分之一至三分之二的电源电压.电阻越小,对基极电流的影响越小.可选择10-50K.这里选2个20K.则Vb=3V.选择Vb越低,输出电压动态范围越大.不过在小信号放大情况下影响不大.
2.影响静态IB的因素主要是R3.
3.静态工作点需要根据输入信号极大值选择.非常小的输入信号可以选择 IC = 1-10mA .我们选择 IC =3mA.
则R3的电压 = (3V-0.5V)/3mA 选择标准电阻 820 欧
4.此时Ib= 3mA/(放大倍数)150 mA.IC=3mA R3电压 = 3-0.5V
5.选择静态Vce =2V.则R4电压= 6-2-(3-0.5)=1.5V
6.R4= 1.5v/3mA= 500欧.选标准电阻510欧.
集电极放大电路中基极的上偏置电阻开路,这个电路会出现什么情况.
怡萦1年前2
行走在天地之间 共回答了14个问题 | 采纳率100%
截至,无放大
模电中关于晶体管的两道题1、固定偏置共射级放大电路VCC=10V,硅晶体管的β=100,RB=100K欧,RC=5K欧,
模电中关于晶体管的两道题
1、固定偏置共射级放大电路VCC=10V,硅晶体管的β=100,RB=100K欧,RC=5K欧,则该电路中晶体管工作在()
A、放大区 B、饱和区 C、截止区 D、无法确定
2、有两个电压放大倍数Au=100的放大电路A和B,分别对同一具有内阻的信号源电压进行放大,在相同的负载电阻RL的情况下,测的uOA=4.5V,uOB=4.6V,则知B放大电路的()
A、输入电阻小 B、输入电阻大 C、输出电阻小 D、输出电阻大
写出选该选项的原因.
武士提着刀1年前2
woowo123456 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%
1)B、饱和区
2)B、输入电阻大
电子电路基础题.第26题 (2.0) 分 \x05在固定偏置放大电路中,调小偏置电阻Rb的数值,容易出现( )失真.\x
电子电路基础题.
第26题 (2.0) 分
x05在固定偏置放大电路中,调小偏置电阻Rb的数值,容易出现( )失真.
x05A、饱和
x05B、截止
x05C、低频
x05D、交越
x05第27题 (2.0) 分
x05为了展宽频带,应在放大电路中引入( ).
x05A、正反馈
x05B、电压负反馈
x05C、直流负反馈
x05D、交流负反馈
x05第28题 (2.0) 分
x05要提高放大电路的负载能力,可采用( )
x05A、串联
x05B、并联
x05C、电流
x05D、电压
x05第29题 (2.0) 分
x05要减小放大电路的输入电阻,可采用( )
x05A、串联
x05B、并联
x05C、电流
x05D、电压
x05第31题 (2.0) 分
x05在桥式整流电路中,若整流桥中有一个二极管开路,则输出( )
x05A、输出电压只有半周波形
x05B、输出电压仍为全波波形
x05C、输出电压无波形,且变压器或整流管可能烧坏
x05D、对电路无实质性影响
x05第32题 (2.0) 分
x05并联型稳压电路通常应用于( )场合.
x05A、电压固定、负载电流小、负载变化不大
x05B、电压固定、负载电流大
x05C、负载变化大
x05D、稳压范围宽
x05第34题 (2.0) 分
x05当PN结外加正向电压时,扩散电流( )漂移电流,耗尽层变窄.
x05A、大于
x05B、小于
x05C、等于
x05D、不确定
x05第35题 (2.0) 分
x05在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于( )
x05A、晶体缺陷
x05B、温度
x05C、杂质浓度
x05D、掺杂工艺
好人冒充vv1年前1
有酒惟浇赵州土 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%
A,D,D,B,A,A,A,D
那个电阻是tl431的偏置电阻?
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yigeiren 共回答了10个问题 | 采纳率80%
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三极管的电压放大倍数要高,就要选择高电压放大倍数的三极管.另外设计的放大电路可以做成:共射放大电路 共基放大电路.
加偏置电阻是为了给三极管提供合适的电流.偏置电阻与电压放大无直接关系.
救命,晶体三极管电流放大的偏置条件是() A.发射结反偏、集电结反偏 B.发射结反偏、集……
救命,晶体三极管电流放大的偏置条件是() a.发射结反偏、集电结反偏 b.发射结反偏、集……
晶体三极管电流放大的偏置条件是()
a.发射结反偏、集电结反偏 b.发射结反偏、集电结正偏
c.发射结正偏、集电结反偏 d.发射结正偏、集电结正偏
三极管具有电流放大作用,表现在()
a.集电极电流受发射极电流控制 b.基极电流受集电极电流控制
c.发射极电流受集电极电流控制 d.集电极电流受基极电流控制
pnp型三极管是()
a.硅三极管 b.锗三极管 c.可能是硅管也可能是锗管 d.场效应管
减小基本放大电路的基极电阻,将使()
a.集电极电流增大 b.集电极电流减小 c.集电极电位升高 d.三极管的输入电阻不变
半导体中的载流子()
a.只有自由电子 b.只有空穴 c.只有价电子 d.有自由电子也有空穴
冬冬冬天1年前1
光脚美人 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%
C.发射结正偏、集电结反偏D.集电极电流受基极电流控制B.锗三极管A.集电极电流增大
A.只有自由电子
三极管 9014 的偏置电阻应该怎么设?
三极管 9014 的偏置电阻应该怎么设?
我的电路要求是 电源12V 三极管9014 的发射极 电流在 13MA到20MA之间 那我的 基极 和 集电极 偏置电阻应该 设多大的阻值?或者说 基极 和集电极各脚的电流各要多大 这个电路注重电流的设置 不讲究电压 讲得通俗一点 因为我对理论知识不太懂
Fatmimi1年前1
jishudiyi 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%
要达到发射极电流为13mA-20mA,偏置电阻的大小有很多种组合,并且与三极管的放大系数β有关.在工厂生产中,为了适应不同β的三极管,在三极管的直流回路中,都会引入负反馈:在发射极中串联一个电阻Re(Re上要并联电容器,仅对直流工作点有效),Re越大,工作点越稳定(除了适应电压变化外,还能适应β不同的三极管),但直流电压降也越大,降低了电源的有效电压;基极采用电阻分压式偏置电路,由Rb1与Rb2对电源分压后接基极,下偏电阻Rb2越小,稳定效果也越好,但降低了输入电阻.上偏置电阻Rb1用来调整工作电流大小. 可以这样来估算:取Re=270Ω,Ie=15mA,则:Ue=4V,Ub=4.7V.设三极管β=100,Ib=Ie/β=0.15mA. 一般取Rb2中电流比Ib大5-10倍,取5倍,为0.75mA.则:Rb2=4.7V/0.75mA=6.4KΩ,取标准化值6.2KΩ,实际Irb2=4.7/6.2=0.76mA. Rb1=(E-Ub)/(Irb2+Ib)=7.3/(0.76+0.15)=8KΩ 由于电阻本身有(5-20)%的误差,以上只要估算就可以,最后调整Rb1(在8.2KΩ左右选择),使工作点合乎要求.
1.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位________________.有急用
1.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位________________.有急用
1.PN结正向偏置时,应该是P区的电位比N区的电位________________.
2.PN结加正偏导通,加反偏截止,称为PN结的________________性能.
3.要让三极管能工作放大状态,必须给发射结加______电压;集电结加______电压.
4.在放大电路中,若负载电阻RL越大,则其电压放大倍数________.
5.三极管放大的实质是______电流对______电流的控制作用.
6.二极管整流电路输出的是___________的直流电压,其极性方向________.
7.在滤波电路中,电容器的接法是___________联在负载电路中.
8.发光二极管接上__________电压才能发光.
9.一个放大器的__________设置是否合适是放大器能工作的重要条件.
10.单相式整流电路中,流过每只整流二极管的半的平均电流是负载平均电流的_____..
深潭印月1年前1
xiongchfui 共回答了19个问题 | 采纳率100%

单向导通性
正向,反向
越大
小,大
脉动,相同

3V
偏置电阻
一半
怎样画凸轮机构的?“偏置直动滚子从动件 盘形凸轮机构”
怎样画凸轮机构的?“偏置直动滚子从动件 盘形凸轮机构”
数据:凸轮回转方向为顺时针(或逆时针),从动件推程以等速运动规律上升,回程以正弦加速度运动规律下降,其中,e偏距10、 rr滚子半径15 、rb基圆半
径55、h从动件最大升程30,ф推程角120、 фs远休止角60、 ф回程角120
‘、 ф近休止角60
tigerqyping1年前1
爱蚊子的牛 共回答了11个问题 | 采纳率100%
把奖赏留给自己吧,《机械设计》里介绍的很清楚.参数设计出来后,绘图的方法你可以采用最原式的方法手工绘图,如果你知道Auto CAD绘图软件,是一件很轻松的事情.所以把自己的施舍给需要的人,胜造七级浮屠!
偏置电路中,当基极发生变化时,其他两极和上下偏置电阻电容等有什么变化
tyf10301年前4
南丑儿 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%
当基极电压变化时,基极电压的高低使晶体管从截止状态苏醒,进入导通放大状态!
集电极及发射极串联的电阻均发生着通过电流大小的变化!
但任何一极与电源如果构不成回路,此时它将只相当一支二极管!
发射极与集电极间是不能串接电容的!
另外,上偏置电阻不变,基极电压也不会有任何变化!
--寂寞大山人
关于偏置曲柄滑块速度加速度的曲线图,
关于偏置曲柄滑块速度加速度的曲线图,
用的课本上的复数矢量法,如图

l1=0.15m,l2=0.37 ,l3=0.2m,老师说可以用matlab绘出,紧急,求热心人帮忙
j14211年前0
共回答了个问题 | 采纳率
怎样选三极管的偏置电阻我想制作一个调频中放电路,有三级中放,电源电压为3V,第一级三极管的集电极、基极、发射极电阻各要多
怎样选三极管的偏置电阻
我想制作一个调频中放电路,有三级中放,电源电压为3V,第一级三极管的集电极、基极、发射极电阻各要多大?第二级、第三级呢?
c超1年前1
zhangweinn_0 共回答了21个问题 | 采纳率90.5%
调整三极管中频放大电路,主要是掌握各级中放管集电极静态电流即可.第一级0.5毫安,第二极0.6毫安,第三极0.7毫安.用半可调电阻串联在基极偏流回路中,调整好电流之后,摘下电阻和半可调电阻用万能表测阻值,再换一个固定电阻焊上(当然串联一个200K的电位器更好).
你问电阻值谁也无法回答.管子特性不同,贝特不同,电阻值就不同.
N型三极管中作开关用时偏置电阻的设置问题
N型三极管中作开关用时偏置电阻的设置问题
具体请见附图,ZTX653作开关管,其基极与发射极的电阻大小如何计算?需满足什么条件,
tengteng19861年前1
tiancail 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%
R2不加也行.
Ib=(控制电压Vc-0.6V)/1.5k
Ic=Ib*beta
加上R2至少满足下列条件:
控制电压Vc*R2/(R1+R2)>0.7V
电子电路懂的进1:三极管有哪三种状态?其外部条件(偏置条件)是什么?2:简述共发射极基本放大器个元件和直电流电源作用.3
电子电路懂的进
1:三极管有哪三种状态?其外部条件(偏置条件)是什么?
2:简述共发射极基本放大器个元件和直电流电源作用.
3:某放大器输入的信号电压是3mV,输入信号电流是1mA,输出电压是3V,
输出电流是0.1A,求电压,增压,电流增益,功率增益.
lantianren1年前1
星之语 共回答了29个问题 | 采纳率82.8%
1、放大状态:发射结正偏、集电结反偏;饱和状态:两个结都正偏;截止状态,两个结都反偏.
2、Rb:结发射结提供正偏;Rc :将放大的集电极电流变成放大的电压输出;
3、电压增益A(v)=输出电压/输入电压=1000倍;
电流增益A (i)=输出电流/输入电流=0.1A/1mA=100倍;
功率增益A(p)=A(v)*A(i)=1000*100=100000倍.
分流、限流、分压、偏置分别是什么意思
分流、限流、分压、偏置分别是什么意思
准确的是、电阻的作用、电路好好的为什么要弄上电阻来减少电流流动啊?
洛阳秋水1年前2
tx99111 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%
首先解释电路里为什么要电阻?电力电路里是不需要电阻的,因为荷载就是电阻,例如电灯、电视等等.
在电子电路里,如果一个电阻都没有,电路岂不是短路了?另外,电池是标准电压的,当电子元件不需要那么大的电压时,不需要那么大的电流时,怎么办?办法就是使用电阻、电容、电感来改变电压、电流,以得到我需要的电压和电流.
你把电路想象成水路:
分流,就是在原有水路旁边再挖一条水路,也就是并联一个电阻.
限流,在原有水路上边加上一个闸门,也就是串联一个电阻.
分压,方式有多种,并联或串联都可以,具体要分析.
偏置的作用也要具体分析.
差分放大电路采用正负电源供电,为何不用基级偏置电阻了,
七月星1年前1
jxxymss 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
三极管导通条件是基极电压大于发射机电压0.7V(Ube),如果是正负电源,那么发射机在导通之前已经是负压了,基极是0V,所以不给基极偏置电阻,也可以导通,
三极管放大电路,射极电阻作用,分压式偏置作用,哪个好?
前途泊程1年前1
windzhoufeng 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%
在不同的电路中,射极电阻的作用也不同:
1、有些是射极输出电路,其目的是提高输入电阻.
2、有些是检测电路,监控整个电路的负载情况.
3、还有是保护电路,当输入变成持续高电平时候,不至于将电源部分劈头盖脑地烧毁.
分压式偏置电路的作用是调整单管放大的静态工作点.防止或减少波形失真.这是两个不同的概念,没所谓的好与不好.
晶体管工作在放大区时的偏置状态为( ).
晶体管工作在放大区时的偏置状态为( ).
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
二极管的伏安特性反映了( ).
A.ID与VD之间的关系 B.单向导电性
C.非线性 D.以上各项都成立
电子电路里常用的双极型三极管是( ).
A.电压控制器件 B.电流控制器件
C.其它物理量控制器件 D.以上各项都不是
晶体管工作在截止区时的偏置状态为( ).
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
晶体管中电流分配关系为( ).
A.IB=IC+IE B.IC=IB+IE
C.IE=IC+IB D.IE≥IC+IB
在杂质半导体中,少数载流子的浓度变化主要取决于( ).
A.搀杂工艺 B.杂质浓度
C.温度 D.晶体缺陷
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于( ).
A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为2V、2.7V、6V,则这只三极管为( ).
A.NPN型硅管 B.NPN型锗管
C.PNP型硅管 D.PNP型锗管
P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了( ).
A.空穴 B.三价元素
C.五价元素 D.正离子
本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是( ).
A.自由电子数目增加,空穴数目不变
B.空穴数目增加,自由电子数目不变
C.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
D.自由电子和空穴数目不变
NPN型和PNP型三极管的区别是( ).
A.由两种不同的材料硅或锗构成
B.掺入的杂质不同
C.P区和N区的位置不同
D.所加的正负电源不同
二极管在反向截止区的反向电流( ).
A.随反向电压升高而升高
B.随反向电压升高而急剧升高
C.基本保持不变
D.随反向电压升高而减小
PN结的宽度稳定后( ).
A.载流子便停止运动
B.只有少数载流子的漂移运动
C.只有多数载流子的扩散运动
D.漂移与扩散运动达到动态平衡
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压( ).
A.正向电压大于PN结的死区电压
B.正向电压等于零
C.必须加反向电压
D.以上各项都不是
jfwulovefamily1年前1
william1066 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%
晶体管工作在放大区时的偏置状态为(C).
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
二极管的伏安特性反映了(D).
A.ID与VD之间的关系 B.单向导电性
C.非线性 D.以上各项都成立
电子电路里常用的双极型三极管是(A).
A.电压控制器件 B.电流控制器件
C.其它物理量控制器件 D.以上各项都不是
晶体管工作在截止区时的偏置状态为(C).
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
晶体管中电流分配关系为(C).
A.IB=IC+IE B.IC=IB+IE
C.IE=IC+IB D.IE≥IC+IB
在杂质半导体中,少数载流子的浓度变化主要取决于(C).
A.搀杂工艺 B.杂质浓度
C.温度 D.晶体缺陷
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于(A).
A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为2V、2.7V、6V,则这只三极管为(A).
A.NPN型硅管 B.NPN型锗管
C.PNP型硅管 D.PNP型锗管
P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了(B).
A.空穴 B.三价元素
C.五价元素 D.正离子
本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是(C).
A.自由电子数目增加,空穴数目不变
B.空穴数目增加,自由电子数目不变
C.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
D.自由电子和空穴数目不变
NPN型和PNP型三极管的区别是(C).
A.由两种不同的材料硅或锗构成
B.掺入的杂质不同
C.P区和N区的位置不同
D.所加的正负电源不同
二极管在反向截止区的反向电流(C).
A.随反向电压升高而升高
B.随反向电压升高而急剧升高
C.基本保持不变
D.随反向电压升高而减小
PN结的宽度稳定后(D).
A.载流子便停止运动
B.只有少数载流子的漂移运动
C.只有多数载流子的扩散运动
D.漂移与扩散运动达到动态平衡
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压(A).
A.正向电压大于PN结的死区电压
B.正向电压等于零
C.必须加反向电压
D.以上各项都不是
一个标称1.5V的电池接一个正向偏置二极管,电压为0.7伏,此时电池的电压是0.但是它两端的压降是1.
剑殇江南1年前1
youngrose 共回答了31个问题 | 采纳率90.3%
此时电池的电压是0.7伏是不错的,按全电路欧姆定律可知:电池的端电压=电动势—电池内阻*电流;可见此时电池的内阻不小了,或者说电流也不小了!1.5V指的是电池的电动势而不是端电压,只有在外电路开路的情况下,端电压=电动势=1.5V.从这例子可以说明二极管在正向偏置时能起到稳定电压的作用,如果此时串一个适当阻值的变阻器,改变阻值大小,看二极管两端电压,效果会更加明显.
晶体管放大电路的图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交
晶体管放大电路的图解法
固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.
但加上射极电阻(射极偏置)后,在射--基回路KVL等式中却假设IE=(Beta+1)*IB,解得IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE).但这样不是就和图解法相违背了吗?假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管工作在放大区,若求出的IB对应的那根特性曲线和负载线相交在饱和区该怎么办?该问题也同样存在于分压偏置中.
可以追加分数
maomaops21年前1
zhzzxc 共回答了21个问题 | 采纳率100%
楼主,我来说一下吧:
根据你的IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)的式子,我大概能想出电路图的样子,一点也不矛盾,当有RE和没有RE时IB是不一样的,
有RE时,我把式子整理一下:VBE=VCC-IB*RB
无RE时,我把式子整理一下:VBE=VCC-IB*{β*RE+RE+RB}
当对于三极管的输入特性曲线是没有变化的,由于有没有RE的关系使得上两式与输入特性曲线交点不一样,当然也确定的特性曲线和负载线相交的点也不一样.及时在饱和区也应该能画的出来.
楼主,有什么问题再联系吧,我再看了一遍,感觉楼主有点表达不明,可能问题我哪里没理解,若是这样,再联系吧...
楼主若懂了,记得采纳,不是赞成,还有记得楼主自己说的追加分数啊
三级管放大电路?三极管放大电路有一个信号源和一个直流偏置电路,直流偏置电路用来提供静态工作点,信号源是叠加在直流分量上的
三级管放大电路?
三极管放大电路有一个信号源和一个直流偏置电路,直流偏置电路用来提供静态工作点,信号源是叠加在直流分量上的吗?比如说直流静态工作点为10V或者10A,信号源是+3到-3之间.那么输出是否在13-7之间波动.我上面的设置数值只是假设便于理解.
nomber0081年前1
为楚是才 共回答了15个问题 | 采纳率100%
你这种理解正确.可是这只是对输入而言.