磁阻效应是什么意思是不是某种金属或半导体的电阻值,随外加磁场增强而变大,变弱而变小是不是某种金属或半导体的电阻值，随外加

（1）
（2）1500，0.90
（3）在0～0.2T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度非线性变化（或不均匀变化）；在0.4～1.0T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度线性变化（或均匀变化）
（4）磁场反向，磁敏电阻的阻值不变

磁阻效应
磁阻效应是指某些金属或半导体的电阻值随外加磁场变化而变化的现象.同霍尔效应一样,磁阻效应也是由于载流子在磁场中受到洛伦兹力而产生的.在达到稳态时,某—速度的载流子所受到的电场力与洛伦兹力相等,载流子在两端聚集产生霍尔电场,比该速度慢的载流子将向电场力方向偏转,比该速度快的载流子则向洛伦兹力方向偏转.这种偏转导致载流子的漂移路径增加.或者说,沿外加电场方向运动的载流子数减少,从而使电阻增加.这种现象称为磁阻效应.若外加磁场与外加电场垂直,称为横向磁阻效应；若外加磁场与外加电场平行,称为纵向磁阻效应.一般情况下,载流子的有效质量的驰豫时时间与方向无关,则纵向磁感强度不引起载流子偏移,因而无纵向磁阻效应.
目前,磁阻效应广泛用于磁传感、磁力计、电子罗盘、位置和角度传感器、车辆探测、GPS导航、仪器仪表、磁存储(磁卡、硬盘)等领域.

解题思路：（1）首先要根据表格中数据判断出磁场增强时，电阻的变化情况．从而根据欧姆定律的内容进行分析．
要掌握串分压的特点，因为在串联电路中，电流相等，所以U₁：U₂=

IR1

IR2

=R₁：R₂．串联的电阻越大，它两端的电压越大．
（2）当滑动变阻器的阻值变化时，R_B两端的电压就会发生变化，所以可以先计算出滑动变阻器的阻值最大和最小时电压表的示数，从而确定出电压表的示数变化范围．
（3）首先计算出当电压表的示数是6V时，R_B的阻值，对照表格中数据从而可以得知此时磁场的强度．

（1）由表格中数据知，当磁场增强时，R_B的阻值增大，电路中的总电阻增大，根据公式I=[U/R]，电压不变，所以电路中的电流减小．
根据串分压的规律，由于RB的阻值增大，所以R_B两端的电压也增大，为使它两端的电压不变，应增大滑动变阻器的阻值，所以滑片应向b端移动．
故答案为：变小；b．
（2）当滑片P位于b端时，滑动变阻器的阻值最大，为100Ω．
则I₁=[U
R总=
U
RB+ R′=
9V/150Ω+100Ω]=0.036A
U_B=I₁R_B=0.036A×150Ω=5.4V
当滑片P位于a端时，滑动变阻器的阻值为O，所以R_B两端的电压为电源电压9V．
即电压表示数变化范围为5.4V～9V．
答：电压表示数变化范围为5.4V～9V．
（3）当滑动变阻器的滑片位于b端时，滑动变阻器的阻值为100Ω．
电压表的示数是6V，所以滑动变阻器两端的电压为U′=9V-6V=3V．
所以电路中的电流为I=[U′/R′]=[3V/100Ω]=0.03A
则R_B的阻值为R_B=
UB
I=[6V/0.03A]=200Ω
根据表格中数据可知，磁场的磁感应强度为0.08T．
故答案为：0.08．

点评：
本题考点： 欧姆定律的应用；影响电阻大小的因素；滑动变阻器的使用．

考点点评： 此题是一道信息给予题，主要考查了学生接受新信息的能力，同时考查了学生对欧姆定律的应用能力．首先要熟练掌握欧姆定律的基本公式及变形公式，同时在解决题目时，要注意将电路简化成一般的串联电路．

（1）见解析图
（2）1500；0.90
（3）在0～0.2T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度非线性变化（或不均匀变化）；在
0. 4～1.0T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度线性变化（或均匀变化）
（4）磁场反向，磁敏电阻的阻值不变。

（1）当 B ＝0.6T时，磁敏电阻阻值约为6×150Ω＝900Ω，当 B ＝1.0T时，磁敏电阻阻值约为11×150Ω＝1650Ω．由于滑动变阻器全电阻20Ω比磁敏电阻的阻值小得多，故滑动变阻器选择分压式接法；由于 ，所以电流表应内接．电路图如图所示．

（2）方法一：根据

（1）采用伏安法测量电阻，由于待测电阻较大，采用电流表内接法，滑动变阻器采用分压式接法，如下图所示



（2）采用多次测量取平均的方法，求出R _B 的值
R _B =

0.45
0.30 +
0.92
0.60 +
1.50
1.00 +
1.79
1.20 +
2.71
1.80
5 Ω≈1500Ω

R 0
R B =
1500Ω
150Ω =10
由图1可知待测磁场的磁感应强度B为0.90T；
故答案为：1500Ω，0.90．
（3）在0～0.2T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度非线性变化（或不均匀变化）；
在0.4～1.0T磁敏电阻的阻值随磁感应强度线性变化（或均匀变化）．
（4）图中磁场反向时，电阻值不变；
故由图线可以得到磁场反向时磁敏电阻的阻值不变．

（1）
（2）1500，0.85～0.90
（3）阻值随B的增大非线性增大，阻值与B的方向无关

（1）
（2）1500，0.90
（3）在0～0.2T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度非线性变化（或不均匀变化）；在0.4～1.0T范围内，磁敏电阻的阻值随磁感应强度线性变化（或均匀变化）
（4）磁场反向，磁敏电阻的阻值不变

（1）变小；b．
（2）当滑片P位于b端时，滑动变阻器的阻值最大，为100Ω．
则I ₁ = = = =0.036A
U _B =I ₁ R _B =0.036A×150Ω=5.4V
当滑片P位于a端时，滑动变阻器的阻值为0，所以R _B 两端的电压为电源电压9V．
即电压表示数变化范围为5.4V～9V．
（3）0.08．

解题思路：（1）用数学描点法，描出外加磁场B和磁敏电阻RB的对应点，然后用光滑的曲线连接起来；（2）①根据表格中数据判断出磁场增强时，电阻的变化情况，根据欧姆定律可知电路中电流的变化和滑动变阻器两端的电压变化，根据串联电路的电压特点可知此时电压表示数的变化，利用串联电路的分压特点判断电压表的示数不变时滑片移动的方向；②滑动变阻器R′滑片P位于b端时接入电路中的电阻为100Ω，根据串联电路的电压特点求出滑动变阻器两端的电压，利用欧姆定律和串联电路的电流特点建立等式即可求出磁敏电阻的阻值，由表格可知位置“1”处的磁感应强度．

（1）用描点法描出（0，140）（0.04，170）（0.08，200）（0.12，230）（0.16，260）（0.20，280）各点，并且用光滑的曲线连接起来，如下图所示：（2）①由表格中数据知，当磁场增强时，RB的阻值增大，电路中的总电...

点评：
本题考点： 欧姆定律的应用；串联电路的电流规律；串联电路的电压规律．

考点点评： 本题问题较多，但只要能将其拆分为几个小题来处理即可简单化解：如（1）描点法作图，（2）考查表格数据的分析，（3）考查电路知识，（4）考查串联电路的特点和欧姆定律．

测量微小磁场比较有效的方法是利用霍尔效应测.
霍尔效应磁强计是用利用霍尔效应测量磁感应强度的仪器.原理说明如下：
一块导体高为l,厚为d,分别接有a、b、c、d四个电极,将导体放在匀强磁场中,当a、b间通过电流I时,在电极c、d接上灵敏度极高的电压表,可测得两极间的电势差U,由此利用霍尔效应即可求匀强磁场的磁感应强度B.
其灵敏度高的原因在于有灵敏度极高的电压表.
你说“传感器都是一个方向进的.这样误差比较大”,问怎样克服.
这个需要知道具体情景,比如说装置可否移动?磁场的情景也要知道,很难笼统的回答.

一定条件下,导电材料的电阻值R随磁感应强度B的变化而变化的现象称为磁阻效应.当半导体处于磁场中时,它的载流子将受洛仑兹力的作用,发生偏转,在两端产生积聚电荷并产生霍尔电场.如果霍耳电场作用和某一速度的载流子的洛仑兹力作用刚好抵消,那么小于或大于该速度的载流子将发生偏转,因而沿外加电场方向运动的载流子数量将减少,电阻增大,表现出横向磁阻效应.如果将图1中a端和b端短路,磁阻效应更明显.通常以电阻率的相对改变量来表示磁阻的大小,即用 Δρ/ρ(0)表示,其中ρ(0)为零磁场时的电阻率,Δρ＝ρ(B)-ρ(0).由于磁阻传感器电阻的相对变化率ΔR/R(0)正比于Δρ/ρ(0),这里ΔR＝R(B)-R(0).因此,也可以用磁阻传感器电阻的相对改变量ΔR/R(0)来表示磁阻效应的大小.
实验证明,当金属或半导体处于较弱磁场中时,一般磁阻传感器电阻相对变化率ΔR/R(0)正比于磁感应强度B的二次方,而在强磁场中ΔR/R(0)与磁感应强度B呈线性函数关系. 磁阻传感器的上述特性在物理学和电子学方面有着重要应用.
如果半导体材料磁阻传感器若处于角频率为的弱正弦波交流磁场中,由于磁电阻相对变化量ΔR/R(0)正比于B2,那么磁阻传感器的电阻R将随角频率ω2作周期性变化.这就是在弱正弦波交流磁场中磁阻传感器具有交流电倍频性能.