半导体二极管最重要的特性是单向导电性．即当外加正向电压时，它呈现的电阻（正向电阻）比较小，通过的电流比较大；当外加反向电

首先,纠正一下你的说法,不是“二极管具有单向导电性”,应该说是“PN结具有单向导电性”.由于通常情况下的二极管具有一个PN结所以可以简单地理解为它具有单向导电的性能,但这不是他作为二极管后具有的特性.
具体理由要从PN结开始说起：
采用不同的掺杂工艺,将P型半导体与N型半导体制作在同一块硅片上,在它们的交界面就形成空间电荷区称PN结.PN结具有单向导电性.
PN结：一块单晶半导体中,一部分掺有受主杂质是P型半导体,另一部分掺有施主杂质是N型半导体时,P型半导体和N型半导体的交界面附近的过渡区称.PN结有同质结和异质结两种.用同一种半导体材料制成的PN结叫同质结,由禁带宽度不同的两种半导体材料制成的PN结叫异质结.制造PN结的方法有合金法、扩散法、离子注入法和外延生长法等.制造异质结通常采用外延生长法.
在P型半导体中有许多带正电荷的空穴和带负电荷的电离杂质.在电场的作用下,空穴是可以移动的,而电离杂质（离子）是固定不动的.N型半导体中有许多可动的负电子和固定的正离子.当P型和N型半导体接触时,在界面附近空穴从P型半导体向N型半导体扩散,电子从N型半导体向P型半导体扩散.空穴和电子相遇而复合,载流子消失.因此在界面附近的结区中有一段距离缺少载流子,却有分布在空间的带电的固定离子,称为空间电荷区.P型半导体一边的空间电荷是负离子,N型半导体一边的空间电荷是正离子.正负离子在界面附近产生电场,这电场阻止载流子进一步扩散,达到平衡.
在PN结上外加一电压,如果P型一边接正极,N型一边接负极,电流便从P型一边流向N型一边,空穴和电子都向界面运动,使空间电荷区变窄,甚至消失,电流可以顺利通过.如果N型一边接外加电压的正极,P型一边接负极,则空穴和电子都向远离界面的方向运动,使空间电荷区变宽,电流不能流过.这就是PN结的单向导性.
PN结加反向电压时,空间电荷区变宽,区中电场增强.反向电压增大到一定程度时,反向电流将突然增大.如果外电路不能限制电流,则电流会大到将PN结烧毁.反向电流突然增大时的电压称击穿电压.基本的击穿机构有两种,即隧道击穿和雪崩击穿.
PN结加反向电压时,空间电荷区中的正负电荷构成一个电容性的器件.它的电容量随外加电压改变.
根据PN结的材料、掺杂分布、几何结构和偏置条件的不同,利用其基本特性可以制造多种功能的晶体二极管.如利用PN结单向导电性可以制作整流二极管、检波二极管和开关二极管,利用击穿特性制作稳压二极管和雪崩二极管；利用高掺杂PN结隧道效应制作隧道二极管；利用结电容随外电压变化效应制作变容二极管.使半导体的光电效应与PN结相结合还可以制作多种光电器件.如利用前向偏置异质结的载流子注入与复合可以制造半导体激光二极管与半导体发光二极管；利用光辐射对PN结反向电流的调制作用可以制成光电探测器；利用光生伏特效应可制成太阳电池.此外,利用两个PN结之间的相互作用可以产生放大,振荡等多种电子功能.PN结是构成双极型晶体管和场效应晶体管的核心,是现代电子技术的基础.

解题思路：（1）由二极管的单向导电特点就可分析出灯泡不亮的原因；
（2）由二极管的单向导电特点和电流方向判断开关的连接情况．

（1）半导体二极管（发光二极管）中，电流只能从它的一端流向另一端，不能反向流动即单向导电性能，由图可知当S₁接1，S₂接4时，二极管的右端接在正极上，电流不通；又知二极管与灯泡串联，所以灯泡不亮；
故答案是：二极管具有单向导电性；
（2）二极管与灯泡串联且二极管上电流只能从左侧流向右侧，即二极管的左侧接电源的正极，所以开关应S₁接2，S₂接3；
故答案是：S₁接2，S₂接3．

点评：
本题考点： 导体的特点．

考点点评： 此题主要考查二极管的导电特点及对电流图的识别，属于中档题．

解题思路：半导体二极管有两根引线，一根为正极，另一根为负极，它只允许电流从它的正极流向负极，不允许从负极流向正极．
（1）分析图中两个电灯的连接方式判断发光的灯泡，根据电压表测量的电路元件判断其示数的大小；
（2）根据单向导电性分析图中二极管②反接后能发光的灯泡，额定电压下灯泡的电功率和实际功率相等，根据P=UI求出电流表的示数，根据电压表测量的电路元件判断其示数；
（3）在（2）的基础上，若再将电压表V和二极管①对调（保持二极管接法不变）后，分析电流的路径判断电路的连接方式．

半导体二极管（发光二极管）中，电流只能从它的一端流向另一端，不能反向流动即单向导电性能；
（1）图中所示的电路中，电流有两条路径，分别经过两盏灯，因此两盏灯并联，电压表测电源的电压，
即两灯泡均能发光，电压表的示数为9V；
（2）若仅把图中二极管②反接后，该支路没有电流通过，电路为L₁的简单电路，电流表测电路中的电流，电压表被短路，
则发光的灯泡是L₁，电压表的示数为0V，
由P=UI可得，电流表的示数：
I=I₁=
P1
U1=[4.5W/9V]=0.5A；
（3）在（2）的基础上，若再将电压表V和二极管①对调（保持二极管接法不变）后，电流只有一条路径，因此两灯串联．
故答案为：单向；L₁、L₂；9；L₁；0.5；0；串．

点评：
本题考点： 电功率的计算；串联电路和并联电路的辨别．

考点点评： 本题主要考查二极管的导电特点、电路图的识别以及电功率公式的应用，综合性较强，有一定的难度．

具有导电性

可以这么认为,研究二极管时分为理想模型,分压模型,折线模型.理想模型是正向导通时无电阻(误差较大).分压模型是二极管正向导通时一直分0.7(硅)伏的压,还有最精确的折线模型,认为正向导通时二极管电阻恒定(实际还是有一点变化的).

1）直流等效电阻RD RD=UD/ID 直流电阻定义为加在二极管两端的直流电压UD与流过二极管的直流电流ID 之比.RD的大小与二极管的工作点有关.通常用万用表测出来的二极管电阻即直流电阻.不过应注意的是,使用不同的欧姆档...

单向导电性

二极管的主要参数
半导体二极管的参数包括最大整流电流IF、反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、反向电流IR、最高工作频率fmax和结电容Cj等.几个主要的参数介绍如下：
1、最大整流电流IF：是指管子长期运行时,允许通过的最大正向平均电流.因为电流通过PN结要引起管子发热,电流太大,发热量超过限度,就会使PN结烧坏.例如2APl最大整流电流为16mA.
2、反向击穿电压VBR：指管子反向击穿时的电压值.击穿时,反向电流剧增,二极管的单向导电性被破坏,甚至因过热而烧坏.一般手册上给出的最高反向工作电压约为击穿电压的一半,以确保管子安全运行.例如2APl最高反向工作电压规定为2OV,而反向击穿电压实际上大于40V.
3、反向电流IR：指管子末击穿时的反向电流,其值愈小,则管子的单向导电性愈好.由于温度增加,反向电流会急剧增加,所以在使用二极管时要注意温度的影响.
4、正向压降VD：在规定的正向电流下,二极管的正向电压降.小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下,约0.0.8V；锗二极管约0.0.3V.
5、动态电阻rd：反映了二极管正向特性曲线斜率的倒数.显然,rd与工作电流的大小有关,即：rd=△VD/△ID.
6、极间电容CJ：二极管的极间电容包括势垒电容和扩散电容,在高频运用时必须考虑结电容的影响.二极管不同的工作状态,其极间电容产生的影响效果也不同.
二极管的参数是正确使用二极管的依据,一般半导体器件手册中都给出不同型号管子参数.使用时,应特别注意不要超过最大整流电流和最高反向工作电压,否则将容易损坏管子.

解题思路：要解本题需掌握：电磁波的传播、半导体的特点以及原子弹爆炸的原理．

A、各种电磁波在真空中传播速度都相同，都等于光速．故A不符合题意
B、材料按导电性能分为：导体、半导体和绝缘体三种．故B符合题意
C、半导体二极管具有单向导电性．故C不符合题意．
D、原子弹爆炸是核裂变，故D不符合题意．
故选B．

点评：
本题考点： 电磁波的传播；半导体的特点；核裂变．

考点点评： 本题是一道综合题，主要考查学生对电磁波的传播、半导体的特点以及原子弹爆炸的原理的理解和掌握，是中招的热点．

解题思路：二极管具有单向导电性，三极管可以放大电信号．

半导体二极管具有单向导电性，它只允许电流从它的正极流向负极，不允许从负极流向正极．
晶体三极管的作用主要是电流放大，这是三极管最基本的和最重要的特性．
故答案为：单向导电，放大电信号．

点评：
本题考点： 半导体的特点．

考点点评： 本题考查了对二极管和三极管特性的了解，属于常识性的基础知识．