非晶二氧化钛可以吸附羟基吗

晶体凝固过程中温度保持不变，这个温度叫做凝固点；同一晶体的熔点和凝固点相同，非晶体在熔化过程中温度不断上升，没有确定的熔点．
故答案为：保持不变；熔点；熔点；凝固点；升高；熔点．

熔点是结晶聚合物链段运动可破坏晶格时的温度,当聚合物分子量很大时,分子链间的缠结严重,分子链间越不容易发生相对位移,所以粘流温度也越大,导致Tf>Tm.当分子量较小时,分子链间的缠结不严重,非晶区分子链间可以发生相对位移,但晶区分子链由于晶格的束缚而不能发生相对位移,所以Tm>Tf.

解题思路：（1）根据构造原理写出其核外电子排布式；
（2）同一周期中元素的第一电离能随着原子序数的增大而呈增大的趋势，但第VA族元素大于其相邻元素；
（3）①根据价层电子对互斥理论确定其杂化方式；
②[B（OH）₄]^-中含有配位键；
（4）①每个碳原子连接4个硅原子，每个硅原子又连接其它3个碳原子，据此判断每个C原子周围最近的C原子数目；
②根据晶体类型判断熔点大小，再根据分子晶体中是否含有氢键判断熔点高低．

（1）铜是29号元素，铜原子失去一个电子变成亚铜离子，所以亚铜离子核外有28个电子，基态铜离子（Cu⁺）的价电子排布式为：3d¹⁰，故答案为：3d¹⁰；
（2）As、Se、Br属于同一周期且原子序数逐渐增大，这三种元素依次属于第IVA族、第VA族、第VIA族，第VA族元素大于其相邻元素的第一电离能，所以3种元素的第一电离能从大到小顺序为Br＞As＞Se，故答案为：Br＞As＞Se；
（3）①[B（OH）₄]^-中B的价层电子对=4+
1
2(3+1−4×1)=4，所以采取sp³杂化，故答案为：sp³；
②B原子是缺电子原子，所以该离子中还含有配位键，其结构为：，
故答案为：；
（4）①每个碳原子连接4个硅原子，每个硅原子又连接其它3个碳原子，所以每个C原子周围最近的C原子数目为3×4=12，故答案为：12；
②原子晶体的熔点大于分子晶体，分子晶体中含有氢键的物质熔点大于不含氢键的物质，二氧化硅是原子晶体，冰属于分子晶体但其含有氢键，干冰属于分子晶体但不含氢键，所以三种晶体的熔点从小到大的顺序是b＜c＜a，故答案为：b＜c＜a．

点评：
本题考点： 原子核外电子排布；晶胞的计算；原子轨道杂化方式及杂化类型判断．

考点点评： 本题涉及核外电子排布、第一电离能大小的比较、杂化方式的判断等知识点，难点是配位数的判断，会根据晶胞结构结合丰富想象力进行分析解答，难度较大．

一般在任何温度下,任何固体的表面都会发生升华现象.

单晶硅转化率高,单成本是三者之中最大的
多晶硅性价比是最高的
非晶硅吸收弱光性好,但转化率是最低的,成本也低,制备能耗少.

碳化硼的资料较少,且很难得到单一碳硼比的碳化硼,我这里没有晶化温度的资料.
但绝不会那么高!因为2450度就已经融解了.
热压烧结碳化硼陶瓷是一般采用1950～2200度.
温度过高时碳化硼会发生分解生成富碳相和硼单质,且硼单质会马上挥发.

解题思路：晶体 与非晶体的区别是晶体有固定的熔点和凝固点，而非晶体则没有，对应在它们的熔化和凝固图象上，晶体有一个水平段，而非晶体则没有．
水平段对应的过程是晶体熔化或凝固过程．此时对应的温度为熔点或凝固点．

该图象中，从第10分钟到第25分钟，物体吸热温度不变，这段时间对应的是物体的熔化过程，所以该物质有固定的熔化温度即熔点，所以是晶体；此时对应的温度为80℃，即该物质的熔点是80℃．到了25分钟以后，该物质熔化完毕，由固态全部变为液态．所以在第30分钟时，该物质是液体．
故答案为：晶体；80；液．

点评：
本题考点： 晶体的熔化和凝固图像．

考点点评： 通过熔化或凝固图象可以获取以下信息：物质是晶体还是非晶体；熔化或凝固用了多长时间；若是晶体，该物质的熔点是多少．

A、单晶体和多晶体有固定的熔点，非晶体没有固定的熔点；故A正确；
B、单晶体物理性质是各向异性的，非晶体和多晶体是各向同性的；故B错误；
C、液晶具有各向异性；故C错误；
D、笔记本电脑的彩色显示器，是因为在液晶中掺入了少量多色性染料，液晶中电场强度不同时，它对不同色光的吸收强度不一样，所以显示出各种颜色；故D正确；
E、失重状态下，气体分子仍然在运动，故气体压强仍然存在；故E正确；
故选：ADE

(1)电源的电动势是电源将其它形式的能转化为电能的本领,上面的定义是它的大小.电动势是表示非静电力把单位正电荷从负极经电源内部移到正极所做的功；而电势差则表示静电力把单位正电荷从电场中的某一点移到另一点所做的功.
注意：一个是非静电力,另一个是静电力.
（2）对于同一电源电动势一般是不变的,它的定义是用比值的方式.

解题思路：太阳能光伏发电系统白天将太阳能转化为电能，一些多余的电能转化为化学能储存在蓄电池，晚上再利用蓄电池供电；
太阳能是一种清洁、无污染、可再生能源．

利用太阳能发电的非晶硅光伏电玻璃可以将太阳能转化为电能，这样可以节约很多不可再生资源；
太阳能的优点是清洁无污染，是未来能源的方向；
故答案为：太阳能转化为电能；清洁无污染．

点评：
本题考点： 太阳能的转化；太阳能的利用．

考点点评： 本题考查用物理学在一些新科技的应用，这类题型出现较多，不但能很好的考查知识，而且可以激发我们学习物理的动力．

非晶硅和晶硅太阳能电池的区别
晶体硅光电池 晶体硅光电池有单晶硅与多晶硅两大类,用P型（或n型）硅衬底,通过磷（或硼）扩散形成Pn结成制作,生产技术成熟,是光伏市场上的主导产品.采用埋层电极、表面钝化、强化陷光、密栅工艺、优化背电极及接触电极等技术,提高材料中的载流子收集效率,优化抗反肘膜、凹凸表面、高反射背电极等方式,光电转换效率有较大提高.单晶硅光电池面积有限,目前比较大的为 ∮10至 20cm的圆片,年产能力46MW/a.目前主要课题是继续扩大产业规模,开发带状硅光电池技术,提高材料利用率.国际公认最高效率在AM1.5条件下为24％,空间用高质量的效率在AMO条件约为13.5—18％地面用大量生产的在AM1条件下多在11—18％之间.以定向凝固法生长的铸造多晶硅锭代替＃晶硅,可降低成本,但效率较低.优化正背电极的银浆和铝浆丝网印刷,磨图抛工艺,千方百计进一步降成本,提高效率,大晶粒多晶硅光电池的转换效率最高达18.6%.
非晶硅光电池 a－Si（非晶硅）光电池一般采用高频辉光放电方法使硅烷气体分解沉积而成.由于外解沉积温度低,可在玻璃、不锈钢板、陶瓷板、柔性塑料片上沉积约1μm厚的薄膜,易于大面积化（05rn×l.0m）,成本较低,多采用p in结构.为提高效率和改善稳定性,有时还制成三层P in等多层叠层式结构,或是插入一些过渡层.其商品化产量连续增长,年产能力45MW／a,10MW生产线已投入生产,全球市场用量每月在1千万片左右,居薄膜电池首位.发展集成型a－Si光电池组件,激光切割的使用有效面积达90％以上,小面积转换效率提高到 14.6％,大面积大量生产的为8－10％,叠层结构的最高效率为21％.研发动向是改善薄膜特性,精确设计光电池结构和控制各层厚度,改善各层之间界面状态,以求得高效率和高稳定性.
多晶硅光电池 P－Si（多晶硅,包括微品）光电池没有光致衰退效应,材料质量有所下降时也不会导致光电池受影响,是国际上正掀起的前沿性研究热点.在单晶硅衬底上用液相外延制备的p－Si光电池转换效率为15.3％,经减薄衬底,加强陷光等加工,可提高到23.7%,用CVD法制备的转换效率约为12.6—l7.3%.采用廉价衬底的p—si薄膜生长方法有PECVD和热丝法,或对a—si：H材料膜进行后退火,达到低温固相晶化,可分别制出效率9.8%和9.2%的无退化电池.微晶硅薄膜生长与a—si工艺相容,光电性能和稳定性很高,研究受到很大重视,但效率仅为7.7％大面积低温p—si膜与—si组成叠层电池结构,是提高比a—S光电池稳定性和转换效率的重要途径,可更充分利用太阳光谱,理论计算表明其效率可在28％以上,将使硅基薄膜光电池性能产生突破性进展.铜烟硒光电池 CIS（铜锁硒）薄膜光电池己成为国际先伏界研究开发的热门课题,它具有转换效率高（已达到17.7％）,性能稳定,制造成本低的特点.CIS光电池一般是在玻璃或其它廉价衬底上分别沉积多层膜而构成的,厚度可做到2－3μrn,吸收层CIS膜对电池性能起着决定性作用.现已开发出反应共蒸法和硒化法（溅射、蒸发、电沉积等）两大类多种制备方法,其它外层通常采用真空蒸发或溅射成膜.阻碍其发展的原风是工艺重复性差,高效电池成品率低,材料组分较复杂,缺乏控制薄膜生长的分析仪器.CIS光电池正受到产业界重视,一些知名公司意识到它在未来能源市场中的前景和所处地位,积极扩人开发规模,着手组建中试线及制造厂.
硅光电池是一种直接把光能转换成电能的半导体器件.它的结构很简单,核心部分是一个大面积的PN结,把一只透明玻璃外壳的点接触型二极管与一块微安表接成闭合回路,当二极管的管芯(PN结)受到光照时,你就会看到微安表的表针发生偏转,显示出回路里有电流,这个现象称为光生伏特效应.硅光电池的PN结面积要比二极管的PN结大得多,所以受到光照时产生的电动势和电流也大得多.

运用
X射线衍射法
电子衍射法
扫描电子显微镜分析法
分析薄膜的结构组成和形貌等
运用
俄歇电子能谱法
X射线光电子能谱法
二次离子质谱法
分析薄膜的表面成分
得出来图啊什么的一分析就知道是什么样的晶体了

1,什么是固溶体非晶?像玻璃这样的物质,内部质点没有固定的排列顺序,没有固定的熔点……
2,SiO2 的熔点（1710）比SiF4(-77)高得多!SiO2 是原子型晶体,SiF4是分子型晶体.

因为高分子化合物其分子链都比较长,可能还存在很多的支链,所以就有了高分子粘度排列的规整性问题,排列规整就是晶态反之就是非晶态

XRD,X-射线衍射可以证明.
对于晶体,XRD图谱为尖锐衍射峰,而非结晶结构只会出现宽化的鼓包.

由图知，该物质从第5分钟到第10分钟温度保持48℃不变，所以该物质是晶体，熔点为48℃．
BC段为熔化过程，所以处于固液共存态．
故答案为：晶体；固液共存；48．