半导体材料究竟是介于金属和非金属之间还是导体和绝缘体之间?

Iceo：基极开路,集电极和发射极正向漏电流.
晶体管工作在截止区,由于晶体管由半导体材料制成,ce 间就只存在极微的”漏“电流,晶体管在截止区时它的be极是反偏的,基极并未开路,所以ce间的漏电流小于Iceo.
饱和区ic

导体
书上都这么说

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思.
RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液：
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O.用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除.
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成.因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物.用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀.
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透.由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的.在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜.
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污.在室温下HPM就能除去Fe和Zn.
清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化.

既降低了半导体的电阻的方法是没有本质的不同,增加载流子的数目,但
1.混入杂质,如果它是一个三价元素,是形成一个P-型半导体时,只的空穴载流子的数量增加,如果它是一个五价元素,是N-型半导体的形成,只是增加电子载流子的数量.
2.提高温度和增加的电子载流子的数量的数量和空穴载流子,电子和空穴成对.

解题思路：导电性能介于导体与绝缘体间的物体是半导体，半导体中有能够自由移动的电荷．

半导体材料中有可以自由移动的电荷，半导体材料能够导电，但导电性能介于导体与绝缘体之间；
故选D．

点评：
本题考点： 半导体的特点．

考点点评： 半导体材料的导电性能受：半导体材料的纯度、温度、光照情况等的影响比较大，半导体材料在电子工业，信息技术产业中有重要的应用

限流,保护电路.

半导体材料很多,按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类.锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括Ⅲ-Ⅴ 族化合物（砷化镓、磷化镓等）、Ⅱ-Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体（镓铝砷、镓砷磷等）.除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等.http://baike.baidu.com/view/19928.htm

导体:铜丝 盐水 稀硫酸
绝缘体:塑料 纯净水 玻璃
半导体:木材(干燥的不导电湿润的导电)

空穴：电子挣脱共价键的束缚,成为自由电子后留下的空位.
我做一个比喻：你可以把共价键想象成一个教室的桌椅和学生（每个位置都有学生）,此时是一个稳定状态（没有运动的学生,也没有空桌椅,相当于不导电）.突然有一个学生离开了位置（把学生看做自由电子,此时有自由电子）,这时候就有一个位置空出来（空位置相当于空穴）.为了把这个空位置填上,空位后面的人自动向前作（其实是后面的人前移,但是从前面观察,好像空位后移的效果）,如此这样类推,就形成了空位移动.
空穴移动,是共价键中束缚电子（离开后面的座位,坐到前面空椅子的人）移动的后果.

解题思路：根据导电性的不同，材料可分为导体，半导体，绝缘体三大类，容易导电的物体叫导体，不容易导电的物体叫绝缘体，导电性能介于导体与绝缘体之间的叫半导体．半导体材料有许多独特的功能，根据半导体材料的特殊性质制成了特殊的元件．要根据超导材料的定义来回答此题第二空．

半导体材料有许多独特的功能，根据半导体材料的特殊性质制成了特殊的元件．如：集成电路
超导材料的定义就是：有些材料在温度降到足够低的时候，它的电阻变为0．
故答案为：半导体；电阻为0．

点评：
本题考点： 半导体的特点；超导体的特点．

考点点评： 超导材料的应用是社会热点问题，也是中考的热点，需要注意．

半导体PN结,其P区多数载流子为空穴,N区多数载流子是电子,当P区与N区相接触的时候,P区空穴就会向N区扩散,N区电子就会向P区扩散,所以就会在接触面上形成PN结,使得P区与N区之间形成势垒,如此,PN结就具有了“单向导电性”.金属中只有电子木有空穴,两种金属接触当然就不能产生PN结了~
当然,金属直接与半导体接触,能形成MIS结（金半结）,这种结具有与PN结相似的性质,亦可用于半导体制造业.

导致半导体性能温度稳定性差的主要原因有二：（1）禁带宽度与温度有关（一般,随着温度的升高而变窄）；（2）少数载流子浓度与温度有关（随着温度的升高而指数式增加）.注：多数载流子浓度基本上等于掺杂浓度,在室温...

不可能,根据电阻率关于温度系数的变化公式,并根据实验结果,这个降低是有一定界限的.超过界限就不能降低了.

咳咳.
简单题嘛.
是霍尔效应的题
电子载流子流动过程中,除了沿电流方向存在电场E平行的分量外,在沿C边方向存在平衡洛伦兹力的电场E垂直分量.电场方向与电流负方向的夹角为θ,并偏向夹C边两侧面的正电势一面,利用I=nev*bc 和 v=μE 可得E平行的表达式
再利用洛伦兹力evB与横向电场力eE 平衡得 E垂直
综上 算出总电场 （矢量）

因为导电的原理不同,金属是自由电子在金属晶格间运动,温度变化会影响晶格的形状；半导体导电是因为晶体中因为温度或杂质出现了临时性的电子空位,随温度变化,空穴数量变化影响导电性能的

核磁共振,已经广泛医疗器械应用
托卡马克,最有希望完成可控核聚变的装置,超导体用于产生持续巨大的磁场约束高温等离子体,合肥有
磁悬浮列车,研制中

晶体硅是灰黑色,有金属光泽,它的导电性介于导体和绝缘体之间,是良好的半导体

气敏元件的小黑块是微孔的!(最怕潮湿)为了在一个干燥切恒温的条件下灵敏的工作!最好的就是带一个加热器!

半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间,不同材料的半导体性能不尽相同,甚至有很大差异,因为受温度,光照,杂质等外界因素的影响,可以制成光敏、热敏等半导体元件.答案为BCD

（3）对.
这个道理就如同一段普通金属导体,它是不带电的,但它主要是有自由电子来导电的.

把寄生的拿掉之后看看是不是断路?如果是,就是串联,如果不是,就是并联.
或者也可以根据分压情况判断.

稳压管的测试,需要一个电压源提供电压值和一个台式万用表检测电流,就能测试出特定电流下稳压二极管的稳压值.
三极管的放大能力,需要给基极提供特定需要的电流值,CE间施加特定电压,测试IC此时的电流,hfe=IC/IB就能得出放大倍数.

就是在金属能带理论中,金属禁带宽度最小,半导体其次,绝缘体最大. 宽度大说明电子不能或者不易跃迁,小则相反,所以半导体一般就位于之间喽,不过也不是一定如此,如果s与p轨道相距很近也是可以导电的.

1.the faster,the better
2.as soon as possible
3.the sooner the bette

半导体器件的特征尺寸,本意是指体貌特征,物体大概轮廓,现代电脑知识引申为集成度和特征尺寸.特征尺寸通常是指集成电路中半导体器件的最小尺度,如MOS晶体管的栅极长度.特征尺寸是衡量集成电路制造和设计水平的重要尺度,特征尺寸越小,那么芯片的集成度越高

大意如下：

第一句：有题意可得

第二句：由此

第三句：可得

C

经典物理学理论所研究的是具有相当直观性，全都看得见、摸得着的物体，排除A项；相对论描绘的是一个崭新的宏观宇宙世界，排除B项；生物进化论是用来解释生物在世代之间具有变异现象的一套理论，排除D项。半导体是随着量子理论的创立而带来的划时代的技术创新之一，它描绘的是微观粒子世界，只有C项符合题意。

D

对于本征半导体,本征激发起决定性因素,T升高时电阻下降；
对于杂质半导体,在温度很低时,本征电离可忽略,T升高,杂质电离的载流子越来越多,电阻下降
进入室温区,杂质已经全部电离,而本征激发还不重要,T升高,晶格震动散射加剧,电阻升高.
高温区,本征激发起主要作用,T升高,本征激发明显,电阻下降.
总的趋势是先降再升最后降
如果说是普通电阻,那才说是一般随温度升高变大

这个影响不大不过看你是接触怎么个半导体材料了,是工厂?在工厂的话就影响就大了,因为半导体大部分是晶体硅,我们都知道硅是一种很特殊的东西,它不溶于各种强酸和各种弱酸,就只能溶于氢氟酸,这也就造成了一个现象,当人体吸入硅粉尘的时候,那就很容易就得了尘肺,而且怎么也治不好.不过现在的操作车间都是无尘化,自动化了,不让人去操作了,但还是有很多的间接车间能受到危害,比如说那些检查芯片的,这也是为什么电视上的芯片工人都带着口罩.而不是在工厂的话,就没什么影响了有辐射的是电器,你不通电就没事.而且危害最大的辐射是微波污染,和半导体没什么关系.

350/500000000=0.0000007平方毫米

导体
导体:导体是能导电的物体,金属导体里面有自由运动的电子,导电的原因是自由电子.半导体随温度其电阻率逐渐变小,导电性能大大提高,导电原因是半导体内的空穴和电子对.
物质存在的形式多种多样,固体、液体、气体、等离子体等等.
我们通常把导电性和导电导热性差或不好的材料,如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷,橡胶等等,称为绝缘体.而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体.可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体.在金属中,部分电子可以脱离原子核的束缚,而在金属内部自由移动,这种电子叫做自由电子.金属导电,靠的就是自由电子.
与金属和绝缘体相比,半导体材料的发现是最晚的,直到20世纪30年代,当材料的提纯技术改进以后,半导体的存在才真正被学术界认可.
绝缘体
不善于传导电流的物质称为绝缘体,绝缘体又称为电介质.它们的电阻率极高.
绝缘体的种类很多,固体的如塑料、橡胶、玻璃,陶瓷等；液体的如各种天然矿物油、硅油、三氯联苯等；气体的如空气、二氧化碳、六氟化硫等.
绝缘体在某些外界条件,如加热、加高压等影响下,会被“击穿”,而转化为导体.在未被击穿之前,绝缘体也不是绝对不导电的物体.如果在绝缘材料两端施加电压,材料中将会出现微弱的电流.
绝缘材料中通常只有微量的自由电子,在未被击穿前参加导电的带电粒子主要是由热运动而离解出来的本征离子和杂质粒子.绝缘体的电学性质反映在电导、极化、损耗和击穿等过程中.
导体和绝缘体没有绝对的区分
通常根据生活经验
一般几十万欧姆的认为是绝缘体
几万以下的是导体
半导体介于二者间
但并不绝对......

这个和电子能带之间的能量差异有关
假如某种原子两个电子轨道的能量差刚好是E而这个光谱的能量hV正好和E相等那么这个光谱就能被该原子吸收
电子吸收光谱hV的能量后就脱离原子核的束缚跑到其他的轨道上.

解题思路：由题知，当传感器R₂所在处出现火情时，R₂减小，分析外电路总电阻如何变化，根据欧姆定律分析干路电流的变化情况和路端电压U的变化情况，根据R₂、R₃并联电压的变化情况，分析通过R₃电流的变化情况，即可知电流表示数变化情况．

由题知，当传感器R₂所在处出现火情时，R₂减小，R₂、R₃并联电阻减小，外电路总电阻减小，根据闭合电路欧姆定律得知，干路电流I增大，路端电压减小，即a、b两端电压U变小；R₂、R₃并联电压U_并=E-I（R₁+r），I增大，E、R₁、r均不变，则U_并减小，通过R₃电流减小，由于干路电流增大，则知电流表示数I变大．故B正确，ACD错误．
故选B

点评：
本题考点： 闭合电路的欧姆定律．

考点点评： 本题是信息题，首先要抓住传感器R2电阻与温度的关系，其次按“部分→整体→部分”的顺序进行分析．

（1）根据左手定则，电子向N端偏转，则M点电势高 ①
（2）设前后两个表面相距为L，电子所受的电场力等于洛仑兹力
e
U H
L =evB ②
设材料单位体积内电子的个数为n，材料截面积为s
I=nesv ③
s=dL　　　　　　　　　　　　　　 　④
由②③④得：
U H =
BI
ned ⑤

令 k=
1
ne ，则 U H =k
BI
d ⑥

（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
答：（1）M点电势高．
（2）证明如上所示．
（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度

红线和蓝线就是种不同材料的导体(A和B),前面的测量端(t)就是测温点,也是焊接点 --------------------------------------------------------------------这个问题简单嘞,直接拿个万用表,打一下,通断与否,不通就...

形成PN结以后,在PN结区存在一个动态平衡,以N区的多数载流子电子为例：电子由于浓度差的关系要向P区扩散,同时,由于内建电场下的关系进入P区的电子又要向N区漂移,最后达到一个动态平衡----扩散数量=漂移数量,此时没有电流.
当PN结加上正向电压后,正向电压使N区中的电子具有更大的能量,能够克服内建电场而移向P区,产生了净电流.这些电子进入P区后,由于能级较高处于不平衡状态,很容易降低能级与P区的空穴复合.复合之后的电子变成普通电子,从P区流向外电路,后再回到N区,而在P区重新留下了空穴.以此不断循环,建立新的平衡.

弱电解质加热之后电离度加大,导电能力增加
强电解质加热没有变化
金属加热后电阻增加,导电能力下降
绝缘体在某些外界条件,如加热、加高压等影响下,会被“击穿”,而转化为导体.在未被击穿之前,绝缘体也不是绝对不导电的物体.如果在绝缘材料两端施加电压,材料中将会出现微弱的电流.
固体的如塑料、橡胶、玻璃,陶瓷等；液体的如各种天然矿物油、硅油、三氯联苯等；气体的如空气、二氧化碳、六氟化硫等.
半导体的导电性能介于导体和绝缘体之间.
有磁性半导体、压电半导体、铁电半导体、有机半导体、玻璃半导体、气敏半导体等.
目前广泛应用的半导体材料有锗、硅、硒、砷化镓、磷化镓、锑化铟等．其中以锗、硅材料的生产技术较成熟,用的也较多.

当一个电子被杂质或缺陷的缺陷中心的束缚态俘获后,该束缚态或陷阱能级就消失了.也就是说,对于第二个电子看来这些能级是不存在的,所以第二个电子不可能被俘获.

半导体物理课后习题,自己看看

红色--AM振荡线圈(统调时才能动)
黄白绿--AM中频变压器,俗称中周,谐振于465kHz中频.
其它颜色--FM中频变压器,俗称中周谐振于10.7MHz中频.
调中周要不能乱调,否刚越调越乱

根据半导体理论,一般半导体材料的电阻率 和绝对温度 之间的关系为
（1—1）
式中a与b对于同一种半导体材料为常量,其数值与材料的物理性质有关.因而热敏电阻的电阻值 可以根据电阻定律写为
（1—2）
式中 为两电极间距离,为热敏电阻的横截面,.
对某一特定电阻而言,与b均为常数,用实验方法可以测定.为了便于数据处理,将上式两边取对数,则有
（1—3）
上式表明 与 呈线性关系,在实验中只要测得各个温度 以及对应的电阻 的值,
以 为横坐标,为纵坐标作图,则得到的图线应为直线,可用图解法、计算法或最小二乘法求出参数 a、b的值.
热敏电阻的电阻温度系数 下式给出
（1—4）
从上述方法求得的b值和室温代入式（1—4）,就可以算出室温时的电阻温度系数.
热敏电阻 在不同温度时的电阻值,可由非平衡直流电桥测得.非平衡直流电桥原理图如右图所示,B、D之间为一负载电阻 ,只要测出 ,就可以得到 值.
当负载电阻 → ,即电桥输出处于开
路状态时,=0,仅有电压输出,用 表示,当 时,电桥输出 =0,即电桥处于平衡状态.为了测量的准确性,在测量之前,电桥必须预调平衡,这样可使输出电压只与某一臂的电阻变化有关.
若R1、R2、R3固定,R4为待测电阻,R4 = RX,则当R4→R4+△R时,因电桥不平衡而产生的电压输出为：
（1—5）
在测量MF51型热敏电阻时,非平衡直流电桥所采用的是立式电桥 ,,且 ,则
（1—6）
式中R和 均为预调平衡后的电阻值,测得电压输出后,通过式（1—6）运算可得△R,从而求的 =R4+△R.
3、热敏电阻的电阻温度特性研究
根据表一中MF51型半导体热敏电阻（2.7kΩ）之电阻~温度特性研究桥式电路,并设计各臂电阻R和 的值,以确保电压输出不会溢出（本实验 =1000.0Ω,=4323.0Ω）.
根据桥式,预调平衡,将“功能转换”开关旋至“电压“位置,按下G、B开关,打开实验加热装置升温,每隔2℃测1个值,并将测量数据列表（表二）.
表一 MF51型半导体热敏电阻（2.7kΩ）之电阻～温度特性
温度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65
电阻Ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748
表二 非平衡电桥电压输出形式（立式）测量MF51型热敏电阻的数据
i 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
温度t℃ 10.4 12.4 14.4 16.4 18.4 20.4 22.4 24.4 26.4 28.4
热力学T K 283.4 285.4 287.4 289.4 291.4 293.4 295.4 297.4 299.4 301.4
0.0 -12.5 -27.0 -42.5 -58.4 -74.8 -91.6 -107.8 -126.4 -144.4
0.0 -259.2 -529.9 -789 -1027.2 -124.8 -1451.9 -1630.1 -1815.4 -1977.9
4323.0 4063.8 3793.1 3534.0 3295.8 3074.9 2871.1 2692.9 2507.6 2345.1
根据表二所得的数据作出 图,如右图所示.运用最小二乘法计算所得的线性方程为 ,即MF51型半导体热敏电阻（2.7kΩ）的电阻～温度特性的数学表达式为 .
4、实验结果误差
通过实验所得的MF51型半导体热敏电阻的电阻—温度特性的数学表达式为 .根据所得表达式计算出热敏电阻的电阻～温度特性的测量值,与表一所给出的参考值有较好的一致性,如下表所示：
表三 实验结果比较
温度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65
参考值RT Ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748
测量值RT Ω 2720 2238 1900 1587 1408 1232 1074 939 823
相对误差 % 0.74 0.58 1.60 0.89 4.99 6.20 7.40 8.18 10.00
从上述结果来看,基本在实验误差范围之内.但我们可以清楚的发现,随着温度的升高,电阻值变小,但是相对误差却在变大,这主要是由内热效应而引起的.

光敏电阻器是利用半导体的光电效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器；入射光强,电阻减小,入射光弱,电阻增大.光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）.
所以最佳答案应该是：A

扩散电流,

解题思路：发光盘边缘发出的光与AB垂直时，入射角最大，若这条光线不发生全反射，则所有光线都不发生全反射，结合几何关系和折射定律求出R的最小值．

由三角形知识可知，当由发光盘边缘A发出光与AB垂直时，入射角i最大．
如果这条光线不发生全反射，则其它所有光线均不会发生全反射，由折射定律得，
n=[sinγ/sini] ①
不发生全反射的条件是入射角小于全反射的临界角，即sini＜sinC=[1/n] ②
由几何关系知，sini=[r/R] ③
联立①②③得，R=[r/sini]＞nr=2.5mm．故C正确．
故选：C

点评：
本题考点： 光的折射定律．

考点点评： 对于几何光学问题，关键作出光路图，确定临界情况，结合折射定律和几何关系求解．

你说的高低掺杂应当是简并与非简并的问题,在非简并情况下,即低掺杂下,分布函数可以简化为玻尔兹曼分布,此时多子浓度随温度的变化主要分三个区域,低温弱电离区,常温全电离区和高温本征激发区,第一个区域多子浓度随温度的升高而增大,主要是由于杂质随温度的升高开始电离,常温下杂质全电离,此时多子浓度随温度的升高不再剧烈变化,到高温时,半导体内的本征电离产生的本征载流子浓度已经超过了杂质电离浓度,此时半导体的多子浓度又会急剧增大.
简并态（高掺杂）下半导体杂质无法全电离,高掺杂实际上是费米能级很接近甚至进入导带或价带中,此时杂质能级与导带和价带中的能级发生简并,其结果就是导致禁带宽度变小,此时多子浓度随温度的变化与本征半导体类似,随温度的升高而增大.

半导体中掺杂的不是离子,而是原子.半导体主体是硅,掺杂少量的3价镓原子之类或者少量5价锑原子之类,成为N型半导体或者P型半导体.这里说的3价和5价是指其能够提供出游离或者共价的电子数（最外层电子）,而不是化学中通常所说的化合价.

电介质是绝缘物体,不能导电,所以不能做存储器.磁存储,光存储,半导体存储是常见的存储材料,半导体集成电路都可以做内存,干嘛不能做外存呢?