霍尔系数是什么说的简单（难道霍尔系数k是1/ne么?）

不变 跟长宽高无关

设：d为薄片厚度,k为霍尔系数,a为极板长度,
Bqv=Uq/a
I=nqdav
U=BI/nqd=kBI/d
所以,k=1/nq

我设想了一种测量方法,当然我不知道实验室中是不是也用这种方法：
量子霍尔效应：U/I=B/(nqd),其中的参数我就不解释了,而霍尔系数Rh=1/(nq);
那么我们只要改变B的大小,尽量多测几组数据就可以在R-B曲线上计算得十分精确地Rh值；
那么首先我们考虑R-B曲线,经典电磁学认为应该是一条通过坐标原点的直线,事实上由于霍尔量子效应图像呈现的是类似振荡衰减的曲线,而且随着B的增大,曲线振荡偏离的越远.曲线和拟合直线（经典理论中的理论直线）的交点的纵坐标为h/(k*e^2),h为普朗克常数,k取正整数.
以上是我的看法,仅供参考!

量子霍尔效应：U/I=B/(nqd),其中的参数我就不解释了,而霍尔系数Rh=1/(nq);
那么我们只要改变B的大小,尽量多测几组数据就可以在R-B曲线上计算得十分精确地Rh值；
那么首先我们考虑R-B曲线,经典电磁学认为应该是一条通过坐标原点的直线,事实上由于霍尔量子效应图像呈现的是类似振荡衰减的曲线,而且随着B的增大,曲线振荡偏离的越远.曲线和拟合直线（经典理论中的理论直线）的交点的纵坐标为h/(k*e^2),h为普朗克常数,k取正整数.

霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应.霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应.UH称为霍尔电势,其大小可表示为：
UH=RH/d*IC*B （1）
式中,RH称为霍尔系数,由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度.
设RH/d=K,则式（1）可写为：
UH=K*IC*B (2)
可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称为乘积灵敏度.K值越大,灵敏度就越高；元件厚度越小,输出电压也越大.
在式（2）中,若控制电流IC,为常数,磁感应强度B与被测电流成正比,就可以做成霍尔电流传感器；另外,若仍固定IC为常数,B与被测电压成正比,又可制成霍尔电压传感器.
主要是因为实验测量的物理量的单位和国际单位不一致,所以通过变换就需要*10^8

一般是10^（-3）

霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应.霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应.UH称为霍尔电势,其大小可表示为：
UH=RH/d*IC*B （1）
式中,RH称为霍尔系数,由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度.
设RH/d=K,则式（1）可写为：
UH=K*IC*B (2)
可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称为乘积灵敏度.K值越大,灵敏度就越高；元件厚度越小,输出电压也越大.
在式（2）中,若控制电流IC,为常数,磁感应强度B与被测电流成正比,就可以做成霍尔电流传感器；另外,若仍固定IC为常数,B与被测电压成正比,又可制成霍尔电压传感器.

P型半导体 空穴导电 霍尔系数R=1/pq>0
N型半导体 电子导电 霍尔系数R=-1/nq

解题思路：稳定时，电子所受的洛伦兹力和电场力平衡，测量地磁场强弱时，让地磁场垂直通过元件的工作面，通过地磁场的方向确定工作面的位置．

A、电子最终在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，evB=
eUH
L得：U_H=vBL，则将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面时，B增大，则U_H将变大．故A正确．
B、C、地球赤道上方的地磁场方向水平，两极上方的磁场方向竖直；在测地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持竖直，在测量两极磁场强弱时，霍尔元件的工作面应水平．故B错误，C错误．
D、改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角，需将磁场进行分解，在垂直于工作面方向上的磁感应强度小于原磁场磁感应强度的大小，则U_H将发生变化．故D正确．
故选：AD．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键知道霍尔效应的原理，知道电子受到电场力和洛伦兹力平衡．

UH=RH/d*IC*B （1）式中,RH称为霍尔系数,它的单位是米的三次方每库仑,由半导体材料的性质决定；d为半导体材料的厚度.设RH/d=K,则式（1）可写为：UH=K*IC*B (2)可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称为乘积灵敏度.K值越大,灵敏度就越高；元件厚度越小,输出电压也越大.在式（2）中,若控制电流IC,为常数,磁感应强度B与被测电流成正比,就可以做成霍尔电流传感器；另外,若仍固定IC为常数,B与被测电压成正比,又可制成霍尔电压传感器.怎么换算,不明白 查看原帖