霍尔式位移传感器的测量原理如图所示，磁场方向沿x轴正方向，磁感应强度B随x的变化关系为B=B 0 +kx（B 0 、k均

BC、最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，
有q[U/c]=qvB，电流的微观表达式为I=nqvS=nqvbc，所以U=[BI/nqb]．I越大，上、下表面的电势差U越大．电流越大，上、下表面的电势差U越大，而沿z轴方向移动时，不影响电势差的变化．故B错误，C正确．
A、k越大，根据磁感应强度B=B₀+kz，知B随z的变化越大，根据U=[BI/nqb]．知，U随z的变化越大，即传感器灵敏度（[△U/△z]）越高．故A正确．
D、霍尔元件中移动的是自由电子，根据左手定则，电子向下表面偏转，所以上表面电势高．故D错误．
故选：AC．

点评：
本题考点： 传感器在生产、生活中的应用．

考点点评： 解决本题的关键知道霍尔元件中移动的是自由电子，最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，上下表面形成稳定的电势差．

最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的上下表面的间距为d，有：
q[U/d]=qvB
电流的微观表达式为：
I=nqvS
联立解得：
U=[BdI/nqS] ①
A、由①式，U∝I；增加电流时，元件上、下表面产生的电势差变化得快；故A正确；
B、C、D、由①式，U∝B；霍尔元件沿x轴正方向以速度v匀速运动，要使元件上、下表面产生的电势差变化得快，则需要磁感应强度变化加快；由于B=B₀+kx，根据可以通过增加k或v来使元件上、下表面产生的电势差变化得快；故B错误，C错误，D错误；
故选：A．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键知道霍尔元件中移动的是自由电子，最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，上下表面形成稳定的电势差．

C、电流向右、磁场向外，根据左手定则，安培力向下；电流是电子的定向移动形成的，故洛伦兹力也向下；故下极板聚集负电荷，上极板带正电荷，故下极板电势较低；故C错误；
A、B、D、设上下表面高度差为h，厚度为d，电子最终达到平衡，有：
evB=e[U/h]
则：U=vBh
电流的微观表达式：
I=nevS=nevhd
则：v=[I/nehd]，代入得：
U=[I/nehd]Bh=[BI/ned]∝[BI/d]
磁感应强度B越大，上、下表面的电势差U越大，故A正确；
上、下表面的电势差与速度无关，故B错误；
D、电流I取值越大，上、下表面的电势差U越大；故D错误；
故选：A．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键知道霍尔元件中移动的是自由电子，最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，上下表面形成稳定的电势差．

A、最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，有q
U
c＝qvB，电流的微观表达式为I=nqvS=nqvbc，所以U=[BI/nqb]．B越大，上、下表面的电势差U越大．电流越大，上、下表面的电势差U越大．故A正确，D错误．
B、k越大，根据磁感应强度B=B₀+kz，知B随z的变化越大，根据U=[BI/nqb]．知，U随z的变化越大，即传感器灵敏度（[△U/△z]）越高．故B正确．
C、霍尔元件中移动的是自由电子，根据左手定则，电子向下表面偏转，所以上表面电势高．故C错误．
故选AB．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键知道霍尔元件中移动的是自由电子，最终电子在电场力和洛伦兹力的作用下处于平衡，上下表面形成稳定的电势差．