谁会这道《模拟电子技术基础》的题啊,急.

关于PN结的问题
《模拟电子技术基础》中说PN结中的内建电场是由于P区带有不能自由移动的负电荷，而N区带有不能自由移动的正电荷，所以PN结之间就会产生一个由N指向P的内建电场，但是我想问为什么P区会带不能移动的负电荷，N区会带不能移动的正电荷，因为按我的理解，P区也就是P型半导体，它又叫空穴型半导体，所以它内部有可以移动的带正电的空穴，没有不能移动的负电荷，反之，N型半导体中也只有可以移动的自由电子，但到是有不能移动的正电荷，如果按照网上的一些解释，当P区和N区一接触的时候，那么P区的多子——空穴跑到N区，而N区的多子——自由电子跑到P区，效果应该就是一个复合的结果，也就是说，P区的空穴消失，共用电子对形成，共价键变得完整，而这时P区应该是显正电性，因为P型半导体中掺入的硼元素为最外层电子数3的五价元素，所以它应该显正电，N区也是显正电性。请哪位行内人士解释一下！

模拟电子技术晶体管放大电路?
问题来自课本,《模拟电子技术基础》第四版 华成英 童诗白 主编
1.第96页中图2.3.13（d）中1/h22（即rce）的电流方向如何?请看97页式（2.3.7b）是不是可以判断.
2.再看第103页图2.2.5（a）,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾?
3.再看第194页图4.2.10（b）中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗?如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗?
1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.
请问rce中的电流方向到底如何?
谢谢requis能回答得这么详细,不过对你的回答我有些疑问,以下为疑问和我的理解：
1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13（c）中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13（c）中的负载线上直观的看到ic增大（相当于dic为正）,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明：Ic与rce电流相反.
2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问：如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗?同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.