场效应管如何用数字万用表判断G、D、S

场效应管分为N沟道和P沟道,它的导通条件分别是什么?

薇美1年前1

想去流浪了 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

都是靠在G极上加一个触发电压,使N极与D极导通.对N沟道G极电压为+极性.对P沟道的G极电压为-极性.

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场效应管问题. 电路如上图： 2N3819 为结型N沟道,书本上说,当开关打向 A

场效应管问题.

电路如上图：
2N3819 为结型N沟道,书本上说,当开关打向 A 时,场效应管导通,当开关打向 B 时,场效应管不通.


但结型N沟道场效应管在 G 极不加电压时,D ,S本来就是导通的吗?如果要继电器工作,把开关打在 C 处不就可以了吗?为什么要打向 A 而且当开关在 A 时,场效应管 S 极电压比 G 极大（因为有1M欧电阻）,那么 场效应管 D 极与 S 极导通能力下降,继电器上电流下降,不是起到相反的作用了吗?

ygyygy1211年前1

迷糊喵喵 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%

1、2N3819是N沟道耗尽型的管子,G不加电压时,DS之间会形成一个粗略的恒流源,这个电压是在10V时,电压全部加载DS两级也才只有约6.7ma,这么小的电流就无法驱动继电器工作.因此要在G上加电压,提高导通程度,继电器才能工作.
2、开关在A处时G的电位是高于S的,在图上的条件下,DS上电压降是要大于IM电阻上的电压降的,所以G的电位是更接近10V的,要高于S

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电晶体管（场效应管）的电阻能不能计算出来?

电晶体管（场效应管）的电阻能不能计算出来?
例：知道一只场效应管的电压和电流,能不能在不需要万用表的情况下计算出它的电阻来?知道的请回下．谢谢!

不会弹琴1年前1

sinolube_zzj 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%

显然不能测出来的.
普通的电阻,符合欧姆定律,他的阻值是线性的,他的U-I图像是一条直线,U=kI.而二极管、三极管、场效应管等都是非线性的,他的U-I图像时非线性的f（I）=U.

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模电.耗尽型场效应管要使源漏极导通、应该使（）（）（） 第一个括号 vds 或vgs 第

模电.耗尽型场效应管要使源漏极导通、应该使（）（）（） 第一个括号 vds 或vgs 第
模电.耗尽型场效应管要使源漏极导通、应该使（）（）（）
第一个括号 vds 或vgs
第二个括号 小于 大于
第三个括号 预夹断电压 开启电压
请教一下这三个括号分别填什么?

haveguxiao1年前1

三十九度半 共回答了17个问题 | 采纳率82.4%

VGS大于开启电压

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电路理论与制作顶尖高手出场!“用测电阻法判别场效应管的好坏测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与

电路理论与制作顶尖高手出场!
“用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏.具体方法：首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的）,如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极.然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的.要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测.”此为百度知道电路理论高手之回答!但我非常希望知道：测量结型场效应管源极S与漏极D之间的电阻,通常在“几十欧”到几千欧范围（在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的）,请电子电路理论高手高调举出一只源极S与漏极D之间电阻在“几十欧”的管子型号?

牙疼睡不着1年前1

肥皂花 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%

源极S与漏极D之间 在没有导通之前是没有电阻的!
一定是你在测量的时候红笔点到了栅极,栅极和源极会结电容,所以会导通,所以你测得才会是几十欧.你再次测量时应该把栅极和源极短路再测.

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【模电问题】场效应管的一道基础题,

saibeifeng1年前1

milu158 共回答了22个问题 | 采纳率95.5%

1、NMOSFET,UGS=6V>UGS(th),说明肯定导通,不在截止区（其实应该叫夹断区）.UDS=8V>UGS-UGS(th),说明在恒流区.
2、PMOSFET,UGS=0V,绝对值小于UGS（th）,截止.这个可以参考输出特性曲线.
3、PMOSFET,UGS=-6V,绝对值大于UGS(th),导通.UDS的-1V,UGS-UGS（th）=-2V,前者小于后者,属于可变电阻区.
关于每个区怎么判断,看一下童诗白或者华成英的《模拟电子技术》第四版的46页,图下面有标准.

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晶体三极管比场效应管的制造工艺为什么简单?场效应管可以代替三极管使用吗?

晶体三极管比场效应管的制造工艺为什么简单?场效应管可以代替三极管使用吗?
是不是场效应管可以任意代替晶体三极管用来做放大功能,其效果质量就会提高啊?我不清楚场效应管是用来做什么用的啊?

随酆沉默1年前4

hana1217 共回答了19个问题 | 采纳率100%

场效应管的原件要比晶体管小得多.晶体管就是一个小硅片.但是场效应管的结构要比晶体管的要复杂.场效应管的沟道一般是几个纳米,也就是说场效应管的“硅片”的制作更加复杂而且体积要比晶体管小的多.但是话又说回来.工业制造场效应管的集成电路要比晶体管的要简单得多.而且集成密度要比晶体管的要大得多.场效应管是电压控制电流的晶体管是电流控制电流型的.一般不可以直接代换的.除非稍微改变一下电路结构.至于结构可以找图片在百度上.哦还有MOSFET就是场效应管的意思,简称MOS.而双结型晶体管简称为BJT.结型场效应管简称为JFET.希望你可以用上.

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电子电路求知在IGMOS中 场效应管的输出特性曲线表达式是iD=f1(uGS,uDS),其中后一项uDS是参变量.转移特

电子电路求知
在IGMOS中 场效应管的输出特性曲线表达式是iD=f1(uGS,uDS),其中后一项uDS是参变量.转移特性曲线表达式是iD=f2(uGS,uDS),参变量uGS在前,为什么相同的表达式,参变量却一个在前,一个在后,哪位先知、大侠帮我整明白,
ICMOS指绝缘栅场效应管,iD指漏极电流,uDS指漏源电压,uGS指栅源电压.我是一个求学者,我的浅薄使我的学习过程举步维艰,这是一个在西安电子科技大学的《模拟电子线路基础》中遇到的疑问,还请饱学者不吝赐教,
我的猜想是：其中两个对应法则一个f1,一个f2.这个1、2是不是指明哪个是参变量的,比如说1是指前一个量为自变量,而2就是指第二个量为自变量.请从原理上给予解释,

lech1年前1

rhizomys 共回答了19个问题 | 采纳率84.2%

呵呵,这个问题很简单.这个表达式的意思是：
当Uds取到某个定值的条件下,iD的大小与Ugs的大小成比例.
场效应管确实比较麻烦,不过要是你仔细反复领会,应该可以看出来.
如果身边有个multisim之类的顺便仿真一下,效果会更好.

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怎样判别场效应管的引脚一堆元器件：三极管、三端稳压管、晶闸管、场效应管等很多都是三个引脚,怎样区分?

crystal90001年前1

鸟也不鸟你 共回答了16个问题 | 采纳率81.3%

用测电阻法判别结型场效应管的电极
　　根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象,可以判别出结型场效应管的三个 场效应管
电极.具体方法：将万用表拨在R×1k档上,任选两个电极,分别测出其正、反向电阻值.当某两个电极的正、反向电阻值相等,且为几千欧姆时,则该两个电极分别是漏极D和源极S.因为对结型场效应管而言,漏极和源极可互换,剩下的电极肯定是栅极G.也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极,另一只表笔依次去接触其余的两个电极,测其电阻值.当出现两次测得的电阻值近似相等时,则黑表笔所接触的电极为栅极,其余两电极分别为漏极和源极.若两次测出的电阻值均很大,说明是PN结的反向,即都是反向电阻,可以判定是N沟道场效应管,且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小,说明是正向PN结,即是正向电阻,判定为P沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极.若不出现上述情况,可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试,直到判别出栅极为止.

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铃木雅臣的场效应管电路设计中,刚开始在选择电源的时候,说“为使场效应管工作预先流过电流,希望在源极电阻RE上加1-2V电

铃木雅臣的场效应管电路设计中,刚开始在选择电源的时候,说“为使场效应管工作预先流过电流,希望在源极电阻RE上加1-2V电压"是什么意思,x09大神们帮帮忙

zhongteng1年前1

ohooo 共回答了17个问题 | 采纳率100%

这个意思是说要先给场效应管加上适当的偏置电压,相当于三极管功放中给三极管加偏置电压预置偏流.

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场效应管电路未画完的场效应管放大电路如图：所示,试将合适的场效应管接入电路,使之能够正常放大.要求给出两种方案.

场效应管电路
未画完的场效应管放大电路如图：



所示,试将合适的场效应管接入电路,使之能够正常放大.要求给出两种方案.

jy012247181年前1

轩0005 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

根据电路接法,可分别采用耗尽型N沟道和P沟道MOS管,如图：

所示.
其中第一个电路是漏极输出电路,第二个电路是源极输出电路.耗尽型管可以使用零偏置.

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关于晶体管二极管三极管的符号都很容易理解,箭头都是p到n,觉得MOS型场效应管很诡异,还有耗尽型中间是一条实线,而增强型

关于晶体管
二极管三极管的符号都很容易理解,箭头都是p到n,觉得MOS型场效应管很诡异,
还有耗尽型中间是一条实线,而增强型又是一条虚线,这又是为什么
一个被大家所公认的符号应该是很好记忆的,可能是我缺少哪方面的知识吧,知道的请指教,复制粘贴的就算了哈.
还有就是如何区分三极管的共射,共集,共基
我也知道一个输入一个输出,剩下的那个就是共的；接地的是共的
可是有时候看不出来那个输入哪个输出,有时候也没接地,是很多三极管连在一起的那种,怎么样去判断中间的三极管的连接方式?

jack1211251年前1

wawj438 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%

你的这个问题是基于对晶体管,MOS管的领悟,有的时候,我们无法通过课本知识来了解一种器件,课本知识太抽象.我是学机电的,课本的知识无一能用在工作中,只能知道有这个东西而已,二极管容易理解,通与断,0.3/0.7V的压降,高低频率等区分,三极管是电流控制型器件,可控硅是电压控制型器件,MOS管正在研究.
这些东西呢,都是放大的器件,要想从深层次的了解这些东西,要挨个挨个做实验,通过对器件的控制来了解这些东西.二极管比较简单,三极管相对多些,但基本上是2N3904/2N3906,8050/8550等,可控硅可用BAT16等,MOS我现在正在弄IRF630,N沟通道的.
这东西写起来太费劲,如果楼主想慢慢了解,可以加我飞信,565562183,QQ上班的时候不能用,SKYPE ：kerrwang1982

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请帮忙分析一下这个场效应管开关电路~场效应管采用的是IRFR5305.P型的场效应管

请帮忙分析一下这个场效应管开关电路~场效应管采用的是IRFR5305.P型的场效应管
这是一个场效应管的开关电路,我想用它连接一个单片机,作为开关,或者成为sleep/wakeup 模式.所用电阻的意义 还有 如何运行工作的

jklda1年前1

gnfe 共回答了14个问题 | 采纳率100%

这是一个P型场效应管,电阻R1的作用是为栅极提供一个管子关断后极间电容放电回路同时牵制栅极电位不会在没有栅极信号的条件下自行导通.R2作用是提供栅极电压的通路.当电阻R2的下端出现一个负的电压,场效应管Q1就可以导通.

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简单电路问题,求解.一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 V

简单电路问题,求解.
一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs －－－－－－书上说的.
对于上面这句话,有两个疑问：
1：所谓的 负电压加在栅极（相对于源极）……此时 Vg > Vs,那么假如在一个电路中,场效应管栅极电压为 -1V, 源极为0V,那么流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs ＝ -1V > 0V ? 此时不是应该 V s > Vg 吗?
2：所谓的 负电压加在栅极（相对于源极）,假如输入电压为栅极 -1 V,源极 0V,电路正常工作,那么把输入电压改为 栅极 0V , 源极 1V,就是颠个倒,两者压差不变,这个电路是不是还可以正常工作?
3：所谓的 当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,如果流经漏极到源极的电流减小,那么 漏极的电压不是要升高,源极的电压不是要减小?假如一个负载接在源极与地之间,是不是就不会工作了?假如负载串接在漏极上面,当加在栅极的负电压负得更多时,是不是负载上的电压越高?

garfieldmm231年前3

常光照 共回答了20个问题 | 采纳率90%

"一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极（相对于源极）时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs －－－－－－书上说的."这句话是错误的,应该是VG

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求问场效应管的放大原理晶体管的放大原理我是这样理解的,b极的电流变化,使到b极与e极间pn结的电压变化.这个电压的变化使

求问场效应管的放大原理
晶体管的放大原理我是这样理解的,b极的电流变化,使到b极与e极间pn结的电压变化.这个电压的变化使到e极发射载流子的数量按b极电流的变化,根据放大系数来变化,但是b极掺杂低,厚度低,c极电压高,大多数载流子都给c极收集.场效应管跟晶体管同属三极管,那场效应管的放大原理是什么呢?结型管g极电压越高,内阻越大,d极电流越小,不是跟放大相反吗?场效应管是按什么规律放大?书上的图都把电压变大的pn结画成梯形（就是靠s极的大,靠d极的小）,原因是什么?
为什么导电沟道形成后有电流通过就不会消失?

海南飞猫1年前1

发个ACE球 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%

三极管放大可以那样理解
场效应管是电压放大器件,理解方式相反,控制极电压加大吸引更多的载流子,使得漏源极之间载流子减少,电阻加大,相当电压加大

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场效应管的微变等效电路图为什么左图中的Rg可以在微变等效电路图中变成那样子,Rg两端不是被短路了么,怎么在微变等效中串联

场效应管的微变等效电路图
为什么左图中的Rg可以在微变等效电路图中变成那样子,Rg两端不是被短路了么,怎么在微变等效中串联到了电路中?

xiao197131年前1

mjw76 共回答了14个问题 | 采纳率78.6%

图画的有点问题,那个是交叉线,没有结点.

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场效应管工作在可调电阻时,等效电阻怎样计算?

场效应管工作在可调电阻时,等效电阻怎样计算?
也就是说场效应管的Uds

pkfmtv43 1年前 已收到1个回答 举报

pkfmtv431年前1

Kancyeri 共回答了26个问题 | 采纳率88.5%

问题似乎有错···
不必算电阻的啊··
一直以来都是PDF里面有的··
过的电流和压降··算消耗功率··

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NMOS场效应管工作在可变电阻区的条件

天际来风1年前1

人鱼s天使 共回答了30个问题 | 采纳率93.3%

NMOS管的uGS>UTN且uDS值较小,工作在可变电阻区.

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怎么判断场效应管的类型

rbid1b6fk0c42_1年前1

金陵王二 共回答了30个问题 | 采纳率96.7%

场效应管分为N沟道和P沟道,主要以N沟道增强型为主,也比较容易辨别N沟道和P沟道,各个品牌的命名方式就可以看出,比方说仙童的：FQPF5N60,N就代表N沟道,FQP27P06,P就代表P沟道.

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双极性三极管和场效应管的异同点 双极性三极管和场效应管的异同点

扫尘1年前1

amdk8004 共回答了14个问题 | 采纳率100%

双极型三极管是电流控制器件,通过控制基极电流到达控制输出电流的目的.因此,基极总有一定的电流,故三极管的输人电阻较低；
场效应管是电压控制器件,其输出电流决定于栅源极之间的电压,栅极基本上不取电流,因此,它的输入电阻很高,可达10^9～10^14Ω.高输入电阻是场效应管的突出优点；
场效应管的漏极和源极可以互换,耗尽型绝缘栅管的栅极电压可正可负,灵活性比双极型三极管强；
场效应管和三极管都可以用于放大或作可控开关.但场效应管还可以作为压控电阻使用,可以在微电流、低电压条件下工作.且便于集成.在大规模和超大规模集成电路中应用极为广泛.

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12v3a电源通电烧保险和场效应管一脚贴片电阻r23,r24r25,r26阻值看不清了,用多大电阻

bluewindli1年前1

尘旌 共回答了27个问题 | 采纳率88.9%

与电阻没有关系,通电烧主要看那条对应的电路元件肯定有击穿损坏. 查一查哪个地方对地短路,慢慢分析查找,应该不难的.看看IC有没有击穿.

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测量场效应管的输入电阻Ri时,应考虑哪些因素?为什么?

梦里想飞1年前1

yansuoyoufeng 共回答了24个问题 | 采纳率83.3%

当然要考虑管自身的性质,还有漏极电压对其的影响.

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N沟道场效应管的Id电流是由沟道中（ )在漏源之间电场作用下运动形成的.

N沟道场效应管的Id电流是由沟道中（ )在漏源之间电场作用下运动形成的.
A电子 B空穴 C电子和空穴. D不能确定

hxj19671年前1

huna2008 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%

答案是：电子

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4只场效应管的自动极性转换板 是什麼原理? 求电路图 板上有4只贴片SOP8场效应管 和两只贴片0805电阻

847152001年前1

狗不理123 共回答了17个问题 | 采纳率82.4%

参考桥式整流电路,把交流输入段用直流电压进行电路电流分析.你就明白了,

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关于MOSFET场效应管工作原理的问题

关于MOSFET场效应管工作原理的问题
对于N沟道增强型MOSFET，书上这样描述：“当正的栅源电压到达一定数值时,这些电子在栅极附近的P型硅表面形成了一个N型薄层,称为反型层或感生沟道。”我想知道原本是P型的区域是如何存在N型的，P型和N型的杂质离子是不同的，应该不能转变吧？

3955135811年前1

一叶晨风 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

P型的是空穴 和N型的不同 和电子相比 空穴的活动性比较差 通常P沟道的FET性能较差 具有较高的门限电压 较高的Ron以及较低的饱和电流

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怎么判断场效应管是不是坏了.如题所说,绝缘栅型跟结型场效应管怎么判断它是不是坏了,是短路还是击穿.分不多.

一天一色1年前1

cherrypie203 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%

1、先将数字万用表置于电阻测试档（低阻挡）；
2、用红笔接G端,黑笔接S端；
3、用数字万用表测S-D端,看是否导通,如不导通则已坏,如导通则继续下面步骤；
4、将G-S端短接,再测S-D端的电阻,如导通则已坏（击穿）,不通则未坏.

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场效应管所有符号,我不常用mos,到底是N型和P型的我分不开.

糖醋鲤鱼1年前1

dvky 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%

mos管分四种,N沟道增强型和耗尽型,P沟道增强型和耗尽型.箭头指向g的且带虚线的为N增强,没有虚线的为N耗尽.箭头背向g端的且带虚线的为P增强,不带虚线则为P耗尽.希望说的你能明白,小妹新手,多多关照!有没说清楚的继续,

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模拟电路模拟题求助1. UGS＝0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( ). A. 结型管 B. 增强型MOS管 C.

模拟电路模拟题求助
1. UGS＝0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( ).
A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 满分：4 分
2. 要求输入电阻大于10MΩ,电压放大倍数大于300,第一级应采用( ),二级应采用( ). A. 共源电路 B. 共集电路 C. 共基电路 D. 共射电路 满分：4 分
3. 为了避免50Hz电网电压的干扰进入放大器,应选用( )滤波电路；为了使滤波电路的输出电阻足够小,保证负载电阻变化时滤波特性不变,应选用( )滤波电路 .
A. 带阻 B. 带通 C. 低通 D. 有源 满分：4 分
4. 直接耦合放大电路存在零点漂移的原因是( )
A. 电阻阻值有误差 B. 晶体管参数的分散性 C. 晶体管参数受温度影响 D. 电源电压不稳定 满分：4 分
5. 功率放大电路与电压放大电路的区别是( ).
A. 前者比后者电源电压高 B. 前者比后者电压放大倍数数值大 C. 前者比后者效率高 D. 在电源电压相同的情况下,前者比后者的最大不失真输出电 压大 满分：4 分

USERS-1年前1

橄榄78 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%

1、A,C
2、A,D
3、A,D
4、C
5、C

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