现用四氯化硅和氮气在氢气气氛保护下,加强热发生反应 反应方程式为什么

不建议这样制取氯化氢,因为成本太高,会造成产品价格太高而市场不能打开的结局,再者污染也很大,除非副产物氧化硅作为其他物料的原料,或者说水解四氯化硅制取其它物料的副产品生产氯化氢,这倒还可以.

我只能确定说四氯化碳是一种稳定的化合物,而三氯化硼和四氯化硅不稳定.不过我觉得应该与他们的化学键有关.比如,假设四氯化碳水解,生成碳酸与盐酸,可是碳酸与盐酸的化学键稳定性比不上四氯化碳,而三氯化硼水解产生的硼酸与盐酸的化学键稳定性则比三氯化硼高.众所周知,化学反应的本质是原化学键的断裂与新化学键的形成,而发生的条件就是在反应条件下新产生的化学键比原化学键稳定,所以,这种现象的形成应该与他们化学键的稳定性有关

可用化学气相沉积法，使SiCl4和N2在H2气氛保护下反应，产物Si3N4积在石墨基体上，形成一层致密的Si3N4层。此法得到的氮化硅纯度较高，其反应如下： SiCl4＋2N2＋6H2→Si3N4＋12HCl

（1）某种硅（si）的单质为银灰色晶体，不溶于水，分别描述的是颜色、状态、溶解性；常用作半导体材料，说明硅具有导电性，以上性质不需要通过化学变化表现出来的，属于物理性质；
（2）在450℃时能与氯气（Cl ₂ ）发生反应，需要通过化学反应才能表现出来，属于化学性质．
故答为：（1）银灰色晶体，有导电性，不溶于水；（2）在450℃时能与氯气发生反应．

蒸馏是把液体变成气体,但是蒸馏后紧跟着就要冷凝,得到的依旧是液态的

解题思路：（1）根据反应物、生成物、反应条件及其质量守恒定律可以书写反应的化学方程式；
（2）1个钠离子带1个单位的正电荷，1个水分子由2个氢原子和1个氧原子构成，1个硫酸根离子带2个单位的负电荷．

（1）氢气与四氯化硅在高温条件下反应的化学方程式为：SiCl₄+2H₂

高温
.
Si+4HCl．
故填：SiCl₄+2H₂

高温
.
Si+4HCl．
（2）两个钠离子可以表示为2Na⁺；两个水分子可以表示为2H₂O； 四个硫酸根离子可以表示为4SO₄^2-．
故填：2Na⁺；2H₂O；4SO₄^2-．

点评：
本题考点： 书写化学方程式、文字表达式、电离方程式；化学符号及其周围数字的意义．

考点点评： 本题考查化学用语的意义及书写，解题关键是分清化学用语所表达的对象是分子、原子、离子还是化合价，才能在化学符号前或其它位置加上适当的计量数来完整地表达其意义，并能根据物质化学式的书写规则正确书写物质的化学式．

解题思路：根据物理性质和化学性质的定义进行分析．物质的物理性质是指不需要通过化学变化表现出来的性质；物质的化学性质是指在化学变化中表现出来的性质．

（1）某种硅（si）的单质为银灰色晶体，不溶于水，分别描述的是颜色、状态、溶解性；常用作半导体材料，说明硅具有导电性，以上性质不需要通过化学变化表现出来的，属于物理性质；（2）在450℃时能与氯气（Cl2）发生...

点评：
本题考点： 化学性质与物理性质的差别及应用．

考点点评： 本题难度不大，掌握物理性质与化学性质的区分方法即可解答．

解题思路：（1）在氧化还原反应中，化合价升高的元素发生还原反应；
（2）电解饱和食盐水的方法制备氯气，阳极，溶液中氯离子失电子发生氧化反应生成氯气，阴极，溶液中氢离子得到电子发生还原反应，生成氢气；
（3）①SiCl₄遇水剧烈水解生成SiO₂和一种酸，据此信息找出反应物和生成物，结合质量守恒书写化学方程式；
②水的沸点为100℃，浓硫酸具有吸水性，溶于水放热，据此解答；
（4）①△H＜0表示放热，根据平衡移动的原理解答；
②反应2与反应1比较，反应2产物为固体和气体比反应1更易于分离，反应3与反应2比较，温度高，反应速率更快；
③根据盖斯定律可以计算化学反应的焓变；
（5）氟化氢跟二氧化硅反应生成四氟化硅和水，四氟化硅和氟化氢直接反应生成H₂SiF₆；

（1）在过程Ⅰ中发生反应2C+SiO₂

高温
.
Si+2CO↑中，C从0价变为一氧化碳中的+2价，发生氧化反应是还原剂；
故答案为：还原剂；
（2）电解饱和食盐水的方法制备氯气，阳极，溶液中氯离子失电子发生氧化反应生成氯气，2Cl^--2e=Cl₂↑，阴极，溶液中氢离子得到电子发生还原反应，生成氢气，2H⁺+2e^-═H₂↑，总的反应为2NaCl+2H₂O

通电
.
2NaOH+Cl₂↑+H₂↑，
故答案为：2NaCl+2H₂O

通电
.
2NaOH+Cl₂↑+H₂↑；
（3）①根据SiCl₄遇水剧烈水解生成SiO₂和一种酸信息，反应物是SiCl₄和水，生成物为二氧化硅，根据氧原子守恒，水分子前的系数为2，根据氢原子和氯原子守恒，另一产物为氯化氢，氯化氢前的系数为4，据此即可写出化学反应方程式，
故答案为：SiCl₄+2H₂O═SiO₂+4HCl；
②干燥Cl₂时，从有利于充分干燥和操作安全的角度考虑，需将约90℃的潮湿氯气先冷却至12℃，此时使水蒸气冷凝，然后再通入到浓H₂SO₄中，进入浓硫酸的水量少了，保证浓硫酸的良好吸水性，水和浓硫酸作用放热，所以进入硫酸的水少了，能降低放出的热量，
故答案为：使水蒸气冷凝减少进入浓硫酸的水量保持持续的吸水性并降低放出的热量；
（4）①对于三个反应，反应热都是△H＜0表示放热，
a．升高温度，平衡向吸热的方向移动，所以会降低SiCl₄的转化率，故a错误；
b．Si遇氧气在高温的条件下反应生成二氧化硅，所以还原过程需在无氧的气氛中进行，b正确；
c．有气体参加的反应，增大压强，能加快反应的速率，对于三个反应，都有气体参与，所以增大压强，能提高反应的速率，故c正确；
d．Na、Mg都是还原性比较强的金属，可以代替Zn还原SiCl₄，故d正确；
故答案为：bcd；
②反应2与反应1比较，反应2产物为固体和气体比反应1更易于分离，反应3与反应2比较，反应物都为气态，温度高，反应速率更快，所以实际制备过程选择“反应3”，温度高反应速率快；与前两个反应比较更易于使硅分离使化学平衡向右移动提高转化率，
故答案为：温度高反应速率快；与前两个反应比较更易于使硅分离使化学平衡向右移动提高转化率；
③每投入1mol SiCl₄，有2molZn参加反应，“反应3”与“反应2”比较，反应2中锌为液态，根据Zn（l）═Zn（g）△H=+116KJ/mol，若SiCl₄的转化率均为90%，“反应3”比“反应2”多放出116KJ/mol×2×90%=208.8KJ，
故答案为：208.8；
（5）二氧化硅和氢氟酸：SiO₂+4HF=SiF₄↑+2H₂O；SiF₄+2HF=H₂SiF₆，所以用稀HNO₃和HF的混合液，硅表面首先形成SiO₂，最后转化为H₂SiF₆的化学方程式为SiO₂+6HF═H₂SiF₆+2H₂O，
故答案为：SiO₂+6HF═H₂SiF₆+2H₂O；

点评：
本题考点： 制备实验方案的设计；用盖斯定律进行有关反应热的计算；化学平衡的影响因素．

考点点评： 本题考查锌还原四氯化硅制备硅，涉及化学平衡移动、电解等知识，掌握平衡移动原理的运用，掌握硅及其化合物的性质是解答的关键，题目难度中等．

（1）还原剂（2分）
（2）2NaCl + 2H ₂ O 2NaOH + Cl ₂ ↑+ H ₂ ↑（2分）
（3）① SiCl ₄ + 2H ₂ O = SiO ₂ + 4HCl （2分）
② 使水蒸气冷凝，减少进入浓硫酸的水量，保持持续的吸水性，并降低放出的热量（2分）
（4） ① b c d（1分）
② 温度高，反应速率快；与前两个反应比较，更易于使硅分离，使化学平衡向右移动，提高转化率。（2分）
③ 208.8 （1分）
（5） SiO ₂ +6HF = H ₂ SiF ₆ + 2H ₂ O （2分）

你这属于对离子极化理论的滥用.离子极化理论适用于以离子性为主的同系列的物质性质比较,不能推广到其他物质.
SiF4 和 SiCl4 明显是共价化合物,不能用离子极化理论的.离子化合物和共价化合物的递变性规律是相反的,不可混为一谈.

按你说的,生成的并不是硅酸,而是偏硅酸,如果是偏硅酸就是了.
但是真实的是生成H4SiO4,这样也能生成二氧化硅但是确是脱去了两分子水的.化学式简单的,就不写了.

四氯化硅是分子晶体,碳化硅是原子晶体,所以碳化硅的熔点远远高于四氯化硅.
所谓分子晶体,例如四氯化硅,一个分子就是SiCl4,也就是说这个分子式就确定了这个物质分子的构成,分子间依靠分子间作用力结合；而SiC,理论上每一个颗粒都是一个分子,SiC不是分子式,只是代表了Si和C的配比是1:1；整个结构依靠化学键结合,所以熔点极高

sio2+2c==2co+si
si+2cl2==sicl4

四氯化硅（无色透明状液体）、四氟化硅（气体）、四碘化硅都是分子晶体.成熟红细胞无细胞核,而且也无线粒体、核蛋白体等细胞器,不能进行核酸和蛋白质的生物合成,也不能进行有氧氧化,血糖是其唯一的能源.

不是,四氯化硅易水解生成原硅酸和氯化氢：SiCl4 + 4H2O == H4SiO4↓ + 4HCl
所以四氯化硅和甲苯加水后会得到白色沉淀,得到的液体上层是甲苯,下层是盐酸.

解题思路：根据物理性质和化学性质的定义进行分析．物质的物理性质是指不需要通过化学变化表现出来的性质；物质的化学性质是指在化学变化中表现出来的性质．

（1）某种硅（si）的单质为银灰色晶体，不溶于水，分别描述的是颜色、状态、溶解性；常用作半导体材料，说明硅具有导电性，以上性质不需要通过化学变化表现出来的，属于物理性质；（2）在450℃时能与氯气（Cl2）发生...

点评：
本题考点： 化学性质与物理性质的差别及应用．

考点点评： 本题难度不大，掌握物理性质与化学性质的区分方法即可解答．

在潮湿空气中水解而成硅酸和氯化氢,同时发生白烟.对皮肤有腐蚀性.
SiCl4+3H2O==H2SiO3↓+4HCl

因为硅要和4个氯形成离子键所以四氧化硅中的硅是正4价,以此类推氮化硅中的氮是+3价

这要看生成物中是否有气体,水或沉淀生成,有的话就是复分解反应.（有水生成的也可能是中和反应,但复分解反应包括中和反应,且中和反应不是四大基本反应类型之一）

解题思路：①物质的物理性质是指不需要通过化学变化表现出来的性质，物理性质主要包括：颜色、状态、气味、密度、硬度、熔点、沸点等．
②根据题意，找出反应物、生成物、反应条件，写出反应的化学方程式即可．③
③根据原子中核电荷数=核外电子数和相对原子质量=中子数+质子数分析．

①某种硅（si）的单质为银白色晶体，不溶于水，分别描述的是颜色、状态、溶解性；常用作半导体材料，说明硅具有导电性，故填：银白色晶体，不溶于水．
②由题意，反应物是硅与氯气，生成物是四氯化硅，反应条件是450℃，反应的文字表达式为硅+氯气
450℃
四氯化硅，故填：硅+氯气
450℃
四氯化硅．
③氯原子的核电荷数为17，根据原子中核电荷数=核外电子数可知，氯原子的核外电子数为17；根据原子中相对原子质量=中子数+质子数可知，氯原子的中子数为35-17=18，故填：17；18．

点评：
本题考点： 化学性质与物理性质的差别及应用；原子的有关数量计算；书写化学方程式、文字表达式、电离方程式．

考点点评： 本题难度不大，掌握物理性质与化学性质的区分方法、文字表达式的书写方法等是正确解答本题的关键．

方程式如下
SiCl4 + 4H2O = 4HCl + H4SiO4
确实是生成H4SiO4而不是H2SiO4,你自己做错了

水蒸气,你可以把条件改成高温的,也没有错

祝你学习进步
望采纳O(∩_∩)O谢谢

也可用化学气相沉积法,使SiCl4和N2在H2气氛保护下反应,产物Si3N4积在石墨基体上,形成一层致密的Si3N4层.此法得到的氮化硅纯度较高,其反应如下：
SiCl4＋2N2＋6H2→Si3N4＋12HCl

Mg 2Si+4NH 4 Cl ===SiH 4 +4NH3 +2MgCl2

SiCl4+2H2==高温==Si+4HCl
SiCl4+O2==高温==SiO2+2Cl2

SiCl4水解的过程是：
1,水分子和SiCl4中的Si结合（O的孤对电子占据Si的d轨道）以配位键形成一个中间体
2,一个Cl结合水上的一个H并脱离
3,如此类推,直至到全部的Cl都脱离
这个过程要求Si上有3d空轨道（这样才能和氧的孤电子对形成配位键）,由于C没有d空轨道（因为没有2d）,所以就不能接受氧上的孤电子对,就不能进行水解.

四氯化硅受热或遇水分解放热
在潮湿空气中水解而成硅酸和氯化氢,方程式如下：
SiCl4 + 3H2O == H2SiO3 + 4HCl 或 SiCl4 + 4H2O == H4SiO4 + 4HCl

解题思路：（1）根据反应物、生成物及反应条件书写方程式；
（2）根据Si和氢气之间的关系计算．

（1）反应物是四氯化硅、氢气，生成物是HCl和Si，反应条件是高温，所以反应方程式为SiCl₄+2H₂

高温
.
Si+4HCl，故答案为：SiCl₄+2H₂

高温
.
Si+4HCl；
（2）2.8kg=2800g，n（Si）=[2800g/28g/mol]=100mol，设需要氢气体积为x，
SiCl₄+2H₂

高温
.
Si+4HCl
44.8L1mol
x 100mol
44.8L：1mol=x：100mol
x=[44.8L×100mol/1mol]=4480L，
答：需要消耗氢气体积是4480L．

点评：
本题考点： 硅和二氧化硅；化学方程式的有关计算．

考点点评： 本题以硅为载体考查方程式的书写、根据方程式计算，根据方程式书写规则、方程式中各个物理量的关系即可解答，题目难度不大．

可以对比CCl4和SiCl4来分析.
C位于第二周期,有2个电子层,最外层只有s和p两个亚层.CCl4中C为sp3杂化,C的所有价电子均已成键,因此CCl4不水解.
Si位于第三周期,有3个电子层,最外层有s、p、d三个亚层.SiCl4中Si也为sp3杂化,Si的所有价电子也均已成键.但与C不同的是Si的最外层还有空的d轨道,Si原子可以利用这个空d轨道与OH(-)结合,生成[SiCl4(OH)](-)离子（空间构型为三角双锥）,然后脱去Cl(-),生成SiCl3(OH),以此类推,最后生成Si(OH)4（即H4SiO4,原硅酸）.全过程如下：
SiCl4 ——[+ OH(-)]—→ [SiCl4(OH)](-) ——[- Cl(-)]—→ SiCl3(OH)
——[+ OH(-)]—→ [SiCl3(OH)2](-) ——[- Cl(-)]—→ SiCl2(OH)2
——[+ OH(-)]—→ [SiCl2(OH)3](-) ——[- Cl(-)]—→ SiCl(OH)3
——[+ OH(-)]—→ [SiCl(OH)4](-) ——[- Cl(-)]—→ Si(OH)4（即H4SiO4）

The silicon tetrachloride is produces the polycrystalline silicon the waste material, has the very big destructive effect to the environment, not only can recycle waste to the silicon tetrachloride use, but also can promote the new industrial development.This article according to the silicon tetrachloride and the calcium hydroxide hydrolitic reaction principle, designs the silicon tetrachloride and the calcium hydroxide response prepares the calcium silicate the craft, analyzes in the craft composition comprehensively the silicon tetrachloride hydrolysis system, the ortho-silicic acid dehydration system, the calcium silicate production system characteristic, the research technological process influence factor, through the experiment, the calcium silicate which prepares conforms to the national standards; Has discussed the craft by-product use in this foundation.This article research is helpful to the solution polycrystalline silicon production waste serious contamination concern, also may reduce the polycrystalline silicon production cost large scale, enhances the industrial economic efficiency enormously, to develops our country polycrystalline silicon and the solar energy industry has the extremely vital role.

因为四氟化硅和四氯化硅都是分子晶体
随着物质分子量的增大
分子间作用力加强
熔沸点也随着升高
导致SiF4是气态
SiCl4是液态
祝你新年快乐

SiCl4+4H2O=H4SiO4+4HCl
会有原硅酸和盐酸气雾生成
盐酸的性质楼主知道的

四氯化碳熔点：－22.8度
四氯化硅熔点：－70度
四氯化碳沸点76.8度,
四氯化硅沸点57.6度,常温下液体
在高三的化学书上会有一张比较分子晶体熔点的图,其中四氯化碳和四氯化硅就是特例.并不是所有的熔点都随相对分子质量而增大.只是大多数情况下是那样.

SiCl4+4H2O=H4SiO4+4HCl 四氯化硅和四氯化锡等物质也极易水解SiCl4+4H2O=H4SiO4+4HCl,SnCl4+4H2O=Sn(OH)4+4HCl,也就是它们在空气中合形成HCl酸雾

不反应啊

利用锌和四氯化硅在1000℃反应可以生成太阳能级多晶硅和ZnCl2,ZnCl2熔融电解生成Zn和Cl2,

易水解的离子一般是弱酸跟阴离子（碳酸氢根）,弱碱跟阳离子（铁离子）,硅就属于后者.

因为Si有空轨道

硅 + 氯气 =（一定条件下）= 四氯化硅

因为氯的氧化性很强,把硅氧化成高价态

四氟化硅熔点-90.2℃
四氯化硅熔点-70℃
两种物质都是非极性分子,和氢键没有关系.
但是四氯化硅体积大,范德华力中的色散力大.

（14分）
（1）1．0 mol/（L • min）（2分） （2）（2分）
（3）be （2分）
（4）< （1分） T ₂ 时反应速率快（2分）> （1分）
（5）不合理（1分） SiCl ₄ 遇水完全水解生成硅酸和盐酸（2分）
（6）白色沉淀转化为黑色沉淀（1分）

（1）在T ₁ 时，反应开始的2 min内消耗的SiCl ₄ 的量是0.5mol，所以生成的HCl的量是2.0mol。因此用HCl表示的反应速率为1．0 mol/（L • min）。
（2）平衡常数是指在一定条件下，可逆反应达到平衡是生成物浓度的幂之积和反应物浓度的幂之积的比值。根据方程式可写出该反应的平衡常数表达式，需要注意的是在表达式中不能出现固体或纯液体的。
（3）因为这是一个体积增大的可逆反应，因此将容器的体积扩大一倍，平衡向正反应方向移动，增大反应物的转化率，e正确。充入更多的SiCl ₄ （g），平衡虽然向正反应方向移动，但会降低自身的转化率，而提高氢气的转化率，所以a不正确，b正确。Si（s）是固体不影响平衡，c不正确。催化剂能同等程度改变正逆反应速率，但不会影响平衡，但不正确。故正确的答案是be。
（4）根据表中数据可知在相同时间内温度为T ₂ 反应速率快，因为温度越高，速率越快，故T ₂ 大于T ₁ 。n ₁ >n ₂ 说明前者的转化率低于后者，即温度越高反应物的转化率越大，所以正反应是吸热反应。即ΔH大于0。
（5）由于SiCl ₄ 遇水完全水解生成硅酸和盐酸，所以采用水淋法来吸收生成的HCl是错误的。
（6）平衡后的混合气体溶于水，所得溶液中含有盐酸，滴加AgNO ₃ 溶液将生成AgCl沉淀，过滤后向沉淀中加入Na ₂ S溶液，则沉淀颜色将由白色转化为黑色，这是因为Ag ₂ S比AgCl更难溶，沉淀将向生成更难溶的物质转化。

为了让四氯化硅气体先变为液态与氯气分离

Si(粗硅)十2Cl2=加热=SiCl4
SiCl4十2H2=加热=Si(纯硅)十4HCl

控制温度以及（保持干燥无水）原因是（SiCl4能与水反应）

1,C3O2+H2O=HOOC-CH2-COOH,即得到丙二酸
工业上有这个反应
2,C在第二周期,最外层有4个轨道,1个s,3个p,在CCl4中,4个轨道上都放了电子对,很稳定了.
Si是第三周期,虽然与C很象,3s2,3p2,但其实还存在3d轨道,只是没有电子放,但有这样的空轨道,就有可能接受其它的电子,如接受H2O提供的电子,因此可以水解.
本质,是C的配位数只能是4,且在CCl4中都用上了,而Si的配位数可以更大,如H2[SiF6]中,Si就和6个F结合,配位数达到了6.
第二个问题,不知道你能否理解,决定于你们的结构化学学到什么难度.

你好,反应方程式是：
SiCl4+H2=(高温）Si+4HCl
这是精制单质硅的其中一步的反应方程式

祝你开心
望采纳谢谢

因为氧气是氧化剂,而氯离子也有氧化性,所以氧气会干扰生成物,还有,氢气会先和氧化性强的反应,也就是说如果有样的话回想和氧反应.若反应完氢气有剩余,才会和四氯化硅反应.

高温、去氧环境下进行.利用氢气的还原性.高温无氧,粗硅与氯气反应,生成氯化硅,然后氯化硅高温下与氢气反应,得到纯硅和氯化氢 硅电池高能耗

是还原剂