P型半导体中空穴是怎么扩散的?我的意思是N型半导体的自由电子因为没有共价键的舒服所以能因浓度差在PN结中,但P型半导体中

晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,

晶体管的PN结是如何形成的
初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子
电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接的地方形成PN结“,而不是在两端形成正负极?

又似蓬1年前1

mali666 共回答了19个问题 | 采纳率100%

半导体制造工艺说用两个不同材料的薄皮贴在一起（三价和五价）,会在界面产生电子的扩散运动,随着扩散的进行电子移动,空穴不能移动,空穴失去电子产生拉回电子的力（电场力）,逐渐的扩散力与拉回力平衡之后达到稳定状况,这个时候的界面就是PN结.
在PN相接的地方有一个扩散电场层,这个层叫PN结.PN结通过引线连接出来叫做正负极.

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请问一下各位大神什么才算N型半导体,与P型半导体的区别?

huige5541年前1

骄傲的冬瓜 共回答了24个问题 | 采纳率91.7%

多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体.
反之,多数载子为空穴的半导体叫P型半导体.
P型半导体与N型半导体接合后便会形成P-N结,三极管就是P-N结的典型例子.根据不同的P-N结组合方式,有NPN,PNP型两种三极管.

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在N型半导体中如如果参入足够的三价元素,此时N型半导体会不会改型成P型半导体?

1357abc1年前3

420114481 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

会,注入法做的PN结就是在已经掺杂P（N）型的衬底上注入N(P)材料,注入的区域就会改型.

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在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体.

在本征半导体中加入（ ）元素可形成P型半导体.
A.五价
B.四价
C.三价

DJ阿龙1年前1

illusory 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%

C

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判断：由于P型半导体中的多数载流子是空穴,所以P型半导体带正电.（理由）

sarahbbq1年前1

shenzeyong 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%

P型半导体整体显电中性
你的理解遗漏了很重要的东西,仔细想想P型半导体中多子空穴的产生过程,受主杂质原子 碰原子接受一个电子,然后它周围产生了空穴,常温下,这些空穴都是电离的（即这些空穴脱离了碰原子的束缚,成为能够在整个半导体内移动的空穴）
好了, 您光想到了这些带正电的空穴, 那您就忘了与这些空穴对应的受主杂质原子吗? 它们都接受了一个电子,就成为了固定在晶格中不可移动的带负电的负离子.（这一点很关键）
1. 半导体内的正电荷是空穴,有两部分来源：受主杂质产生的（占绝大多数）和本征激发产生的（占少数）；
2. 负电荷 则是受主负杂质离子（数量很大,等于上面所述的第一部分空穴的数量）和电子（来源于本征激发,只占少数）
正电荷总数（多子空穴）=负电荷总数（少子电子+受主负离子）
半导体整体是电中性的
同样的道理,N型半导体也是如此,里面有大量的不可移动的带正电的施主正离子,负电荷总数（多子电子）=正电荷总数（少子空穴+施主正离子）
整体是电中性的

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简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?

简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?
这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙!
谢谢了!
概念是这一条吗？ (在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。)

wwuujian1年前2

ryowusinn 共回答了22个问题 | 采纳率86.4%

在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.（ 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差.当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小,可形成较大电流；反之当P型接负极,N型接正极,因为P半导体缺壳粒,热运动也难分离出壳粒往正极运动,且阻挡层变厚接触电位差变大,电阻变大,形成较小电流,即具有单向通过电流属性.）
多子与少子是相对概念.
如：在N型半导体中自由电子是多数载流子,简称为“多子”；空穴为小数载流子,称为“少子”.而在P型中则相反.
----考试的话,答概念就可以了,具体的作用过程你就不用记了.

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从化学结构上分析1·普通半导体 2·N型半导体 P型半导体 PN结 的单向导电性

从化学结构上分析1·普通半导体 2·N型半导体 P型半导体 PN结 的单向导电性
化学上一种物质导电 可以解释为π键 离子穿透空隙 等等 现在可以用这些解释上边的问题吗?

xxxggw1年前1

晓兰 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

因为半导体是由许多原子组成的固体,所以不能采用一般化学键的概念来分析半导体的性质.需要采用固态能带理论及其中载流子的特性才能很好地说明；特别是PN结还牵涉到少数载流子扩散等半导体物理问题.

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我在Si中掺杂一些B做成P型半导体,然后再从Si中掺杂P元素造成N型半导体,利用半导体的seebeck效应发电

我在Si中掺杂一些B做成P型半导体,然后再从Si中掺杂P元素造成N型半导体,利用半导体的seebeck效应发电
他们的seebeck系数是多少?能给我讲讲公式是怎样的,重点讲讲公式的每一部分是什么意思.假设两面的温度分别是0‘C和100’C,再代入去公式算一次,尽量讲的浅一点.

胡馒头哥1年前1

韵律飞扬 共回答了25个问题 | 采纳率92%

看看对你有没有用.

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要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的

要得到P型半导体,可在本征半导体硅或锗中掺少量的
三价元素 四价元素 五价元素 六价元素

blueleaf3111年前1

齐天大胜扬 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%

三价元素,形成空穴,缺少电子.

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N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电子,是否N型半导体带负电,P型带正电?

yihinwind1年前1

sheqin5201314 共回答了21个问题 | 采纳率90.5%

对外不显电性,P型半导体 N型半导体 都不带电,都是电中性的,

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判断对错 1 只有单晶体硅或锗才能制作半导体器件（） 2 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体（）

判断对错 1 只有单晶体硅或锗才能制作半导体器件（） 2 在硅或锗晶体中掺入五价元素形成P型半导体（）
3 PN结正向偏置时电阻小,反向偏置电阻大（）
4 一般来说,硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死去电压（）
5 当反向电压小于反向击穿电压时,二极管的反向电流很小,当反向电压大于反向击穿电压后其反向电流迅速增加（）

tiankongsky10121年前2

散落烟飞 共回答了12个问题 | 采纳率100%

X
X
X
O
O
不要再给我发求助
自己看书去

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哪些是常见的N型、及P型半导体材料?

硕果仅存1年前1

熊宝宝Eta 共回答了14个问题 | 采纳率100%

象锗,硅,砷化镓都是半导体材料,
象硅在注入离子时,所注入的离子将决定了他的N型还是P型
以为所注入的离子决定了他是电子导电还是空穴导电

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简单的把一个p型半导体和一个n型半导体接触在一起?形成pn结（能够,不能,不一定）选什么?

PP061年前1

迁浔 共回答了21个问题 | 采纳率81%

通过特殊工艺接触,才能形成PN结

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p型半导体的连续性方程是什么

萧云AI1年前1

luoyl9200 共回答了23个问题 | 采纳率100%

dp/dt=-pμ(dE/dx)-μE(dp/dx)+D[d^2(p)/d(x^2)]+G-(pn-pn0)/τ

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P型-杂质半导体在P型半导体中,空穴上是不是真正的存在正电荷?这个正电荷是怎么出现的?导体中同样会失去电子，正电荷和负电

P型-杂质半导体
在P型半导体中,空穴上是不是真正的存在正电荷?这个正电荷是怎么出现的?
导体中同样会失去电子，正电荷和负电荷同样不相等，为什么在导体中的载流子只是电子？

尹立行1年前1

纳兰十二若 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%

空穴是电子空穴,电子带负电,原子核带正电,电子跑了,正负电荷不再相等.就相当于带了正电.
你指的是金属导体吧?金属根本没有失去电子,只是电子运动范围扩大而已,对于整块金属,正负电荷还是相等的.而且请注意,这里的空穴并非只是指简单的电子流失,而是指形成共价键的电子对中的电子流失.

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金属导线 电源 p型半导体连成测量电路 问当半导体中的空穴到达金属导线时 半导体中的空穴如何 变化?

金属导线 电源 p型半导体连成测量电路 问当半导体中的空穴到达金属导线时 半导体中的空穴如何 变化?
空穴的总数是否会有变化

tortoisewu1年前2

爱人9999 共回答了20个问题 | 采纳率100%

将p型半导体分为A、B两端.
.当半导体中的N个空穴从B端到达金属导线时,立即会有N个空穴从半导体的A端补充进来.在这个过程中,空穴的总数不会有变化.
（供参考）

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N型半导体和P型半导体的问题电流是指电荷的定向移动.在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺

N型半导体和P型半导体的问题
电流是指电荷的定向移动.
在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.
1,说锗晶体本身是电中性的,那掺入三价元素杂质后的P型半导体还是电中性的吗?
2,入三价元素杂质的N形半导体如果还为电中性,为什么电子的数目较多?
3,入五价元素杂质的P型半导体如果还为电中性,为什么空穴的数目较多?空穴在电场力的作用下还可以移动?那空穴到底指的是什么?
4,果P型半导体和N形半导体都符合了电中性,那结合之后电子为什么在没有电场力的作用下还可以移动?
初学者等待中!请指教

beryl-yier1年前1

jackyleheng 共回答了29个问题 | 采纳率93.1%

1 硅或锗晶体本身只电中性的,掺入三价元素杂质后的P型半导体仍然是电中性的.原因是掺入的三价元素本身也是电中性的（最外层三个电子；相应的,原子核的电量为+3）.所以掺杂后仍然是电中性
2 掺入入五价元素后形成N型半导体.所谓电子多是指“自由电子”多.例如掺入了一个磷原子,其原子核电量为+5,外层有5个价电子,电量为-5.本身是电中性的.但由于硅/锗晶体的结构所限,只能和周围的4个硅/锗原子形成共价键.这时,就多余出一个电子,这叫做自由电子,是可以用来导电的.
3 掺入三价元素后形成P型半导体,原理同上.空穴是相对于电子而言的.P型杂质如硼,有3个价电子,与四周4个硅/锗结合时少一个电子,这样留下的空位叫做空穴.有个电子过来填补了空缺,这个电子原来的位置就空出来了,形成了新的空穴,因此电子和空穴的移动方向是正好相反的.实际上说白了就是电子在移动.
4 虽然P型半导体和N型半导体都是中性的,但结合在一起时,在交界处一边空穴多,另一边电子多,所以空穴和电子会产生扩散运动,向浓度低多方向扩散,形成PN结
其实空穴只是电子移动后留下的空位而已.不论什么半导体,之所以呈电中性是因为电子带的总负电荷数与原子核带的总正电荷数始终是相等的
具体可以参考模拟电路的教科书,上面有图,看起来更易理解

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P型半导体中的多数载流子是空穴,少数载流子是自由电子.这句话是正确的么?

loveinreveverie1年前1

qq爱情 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

正确

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1,N型半导体靠什么导电,P型半导体靠什么导电' 2,N型半导体结合形成什么?3二极管特性是什么,符号是,代号是?

lyx7611051年前0

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什么是P型半导体和N型半导体?其多数载流子和少数载流子各是什么?能否说P型半导体带正电、N型半导体带负

oo小病猫1年前1

PUJING19870827 共回答了28个问题 | 采纳率92.9%

1:P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）,使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷）,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.
2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子
P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子
3:P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子.N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子.

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室温下,对于掺入相同属羊杂质的P型半导体和N型半导体,其导电能力哪个更强?

室温下,对于掺入相同属羊杂质的P型半导体和N型半导体,其导电能力哪个更强?
答案给的是N型强.请问为什么?
室温下,对于掺入相同数量杂质的P型半导体和N型半导体,其导电能力哪个更强?

tongtyan1年前1

可达鱼 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%

N的是电子为载流子,迁移率明显要比空穴的高!

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可以将2价元素掺入半导体从而形成p型半导体吗?

可以将2价元素掺入半导体从而形成p型半导体吗?
书中只提到将3价元素掺入'不知2价的可以不?

lp53182061年前1

tylcf 共回答了13个问题 | 采纳率84.6%

从理论上来说没有不可以的,但是实际操作不见得可行,你可以从晶体成键的方面来考虑,而且就算理论成立,在单晶生长过程中可能会因为多空穴而产生晶格错位形成层错等,估计最后拉制出来的应该是高密度位错的晶棒,可以说是多晶棒了吧~
这是我个人的观点,仅供参考~!

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前辈.p型半导体是如何导电的?就是用导线把电源直接连接一块p型半导体、p半导体怎么导

前辈.p型半导体是如何导电的?就是用导线把电源直接连接一块p型半导体、p半导体怎么导
我们都知道p型半导体多子是空穴,但我们知道空穴也是由于共价键中或其他地方的电子填补空穴而产生的,从效果上看来就是空穴在流动,从而形成了空穴电流.那么是不是电源的正极拉走p半导体中的共价j键中的电子产生空穴然后其他共价键中的电子或其他地方的电子不断填补空穴,而产生空穴电流,然后需要的电子是从电源负极不断提供呢?是不是这样子的呢?请给位前辈,

上ii阿飞1年前1

xl2jlfkjasdlkfjl 共回答了17个问题 | 采纳率88.2%

是!你的理解很正确,尤其对空穴电流的理解.
看到P型半导体、空穴电流,就知道你正在学习电子技术的半导体材料这部分知识.
关于你以上的问题,我做点补充,看是否能让你满意.也不说其他的,以免你眼花缭乱.
1.我们都知道,通过在纯净半导体内掺入不同的杂质,得到了P型半导体和N型半导体.对于P型半导体,多数载流子是空穴,在没有电流流过的时候也不断有电子和空穴进行结合和分离,并且结合和分离的速度相等,空穴的密度保持不变.
2..当有电流流过时电子和空穴结合和分离的速度会有所加快,但分离和结合的速度依然相等,空穴的密度也不变,只是从一个端面流入的电子与从另一个端面流出的电子数量相等,这流进流出的电子恰是你说的由电源的负极来提供的,即是流过半导体的电流.
闲言少叙,祝你学习进步,早日成为电子行业的精英!

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为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.

为什么说P型半导体的多数载流子是空穴.
既然掺入了3价硼,空穴是硼和硅原子结合时共价键少一个电子造成的,那么这个空穴应该不带电才是.如果被填补,应该是负离子,那么在填补空穴的时候,空穴在移动,负离子不是也相当于在移动(电子转移使负电荷转移)吗,为什么不把负离子也当做多子呢
P型半导体电流是空穴电流和负离子电流之和吗
如果能给出一个具体的情景描述就好了,比如在电场左右下,电子怎么从某某共价键跃迁至某某空穴形成新的共价键,这个空穴是正电或是负电(应该正负都有吧),在宏观下怎么看成电流（正电流、负电流也都有吗,是否总电流是两者之和呢）?

远水涵秋1年前1

cgsyw841026 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

首先空穴不是真实存在的,是人们虚拟.当一个电子有价带跃迁到导带的同时,价带中就产生了一个空量子态,人们虚拟为空穴.且空穴（空位）也不能移动的,只是因为空位相邻的共价键上的电子很容易跑到这个空位上,这样其相邻的共价键上就形成了一个新的空位,其效果就好像空位在移动.
下面来回答您的问题：
P型半导体之所以空穴为多子的原因是：受主杂质原子（如3价硼）能在价带中产生空穴,但不在导带中产生电子（P表示带正电的空穴）.具体的描述：硼的三个价电子与硅都形成了共价键,而有个共价键是空的.如果有一个电子填充这个“空”位,因为此时的硼原子带负电,它的能量必须比价电子的能量高.但是,占据这个“空”位的电子并不具有足够的能量进入导带,它的能量远小于导带底能量.当硼原子引入的空位被填满时,其他价电子的位置将变空.可以把出来的位置想象成半导体材料中的空穴.空位的不断被填充,不断有新的空位产生,我们可以看出空位在移动,因此多子为空穴.您提到的负离子即填充空位的负离子,仅能使价带电子跃迁到某一能级Ea而非跃迁到导带的电子.整个过程就是这样的,在价带产生了空穴,而不再导带产生电子.
N型半导体之所以电子为多子的原因是：施主杂质原子增加导带电子,但并不产生价带空穴.（N表示带负电的电子）

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一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm（300K）.要制备一个肖特基结（金属半导体整流接触）,有如下

一P型半导体Si样品电阻率为0.4 -cm（300K）.要制备一个肖特基结（金属半导体整流接触）,有如下两种金属,功函数分别为：Al：Wm＝4.20eV,Pt：Wm＝5.4eV.选择合适的金属,给出选择的理由.并计算金属一侧的势垒高度qms和半导体一侧的势垒高度qVD.

一梅1年前1

apple7691160 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%

1.根据电阻率查表得到掺杂浓度NA=2X10^16 CM^(-3)
2.根据掺杂浓度查表得到半导体的功函数Ws=5.00eV
3.为了得到肖特基结,要求P型半导体满足Wm

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1．N型半导体主要靠＿导电,P型半导体主要靠来＿导电．

1．N型半导体主要靠＿导电,P型半导体主要靠来＿导电．
2.晶体三极管的三个电极分别称 极.极和 极．
3.晶体三极管的输出特性可知,它有 .和 区域.

m321231年前1

幸福的脚丫 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%

1．N型半导体主要靠“电子”导电,P型半导体主要靠来“空穴”导电．
2.晶体三极管的三个电极分别称“发射”极、“基极”和 “集电”极．
3.晶体三极管的输出特性可知,它有 “截止”区 和“放大” 区域.

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N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么?

N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么?
分别依靠哪种载流子导电?

初冬231年前1

不神话人 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%

N型半导体的多子是电子,少子是空穴
P型半导体的多子是空穴,少子是电子

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本征半导体掺入三价元素硼为什么会形成P型半导体?+3价为什么还是负离子?

wangxy12201年前1

lisi8888 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%

你看图,在圈里的黑点都是电子,形成了固定的化学键,不能乱动,所以无法作为载流子.
白点空穴,就是那个白点没电子,所以白点没有形成固定的化学键,可以移动,作为载流子形成电流.
空穴是载流子的时候就是p型半导体,positive,因为空穴是带正电的.
+3价是最外层电荷数,和阴离子没关系,因为中性的硼最外层3个电子,现在有4个,比原来多1个,所以是阴离子.
比如食盐NaCl,Cl-也是阴离子,最外层电荷+7,现在形成食盐后,最外层有8个电子,比原来多一个,所以是阴离子.

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PN结问题,P型半导体的空穴问题

PN结问题,P型半导体的空穴问题
P型半导体（P为Positive的字头,由于空穴带正电而得此名）：掺入少量杂质硼元素（或铟元素）的硅晶体（或锗晶体）中,由于半导体原子（如硅原子）被杂质原子取代,硼原子外层的三个外层电子与周围的半导体原子形成共价键的时候,会产生一个“空穴”,这个空穴可能吸引束缚电子来“填充”,使得硼原子成为带负电的离子.这样,这类半导体由于含有较高浓度的“空穴”（“相当于”正电荷）,成为能够导电的物质,来自百度百科.我想知道硼和硅的空穴是怎样形成的,硼的最外层电子是3,硅的最外层电子是4 最外层形成共价键的话是7不能保持8个电子的稳定结构.那一个电子从哪里借,从别的硅和硼原子吗?还是从N型半导体的多余的那一个自由电子,如果是从N借的话,那么这不能叫空穴吧,空穴带正电,

心想你1年前0

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怎样在p型半导体上形成pn结

hfagsj1年前1

duguqiubai 共回答了17个问题 | 采纳率88.2%

必须先有一个P型衬底,然后在通过在P衬底表面氧化,切除一块氧化膜,然后再在切除位置向里面扩散磷（磷的化学式是P,LS说错了）就可以了 大概就是个这,其中的细节还是很多的,这个要牵扯到工艺

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在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体吗

风风三1年前1

lover_tzy 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%

可以.
有一种高阻半导体采用三、五族元素补偿掺杂得到,多掺一点儿三族即显示P型半导体性质.
不过补偿掺杂通常会产生大量缺陷,晶体质量不高.

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N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,

N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,
N型半导体的多数载流子是电子,P型半导体的多数载流子是空穴.所以说N型半导体带负电,P型半导体带正电,

aaawai201年前1

katrina3 共回答了12个问题 | 采纳率83.3%

不对,载流子指可移动的电荷,半导体内还有不可移动的电荷,比如带正电的原子核,这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡,维持电中性条件了
还有空穴是一个概念性的东西,实际是不存在的.

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对半导体言,其正确的说法是?(1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.（2）N型半导体中由于多数载流子为自由

对半导体言,其正确的说法是?
(1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.
（2）N型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.
（3）P型半导体和N型半导体本身都不带电.
以上哪个答案正确?请专家解答.

侯三叔1年前1

vv巨星李公公 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%

（3）对.
这个道理就如同一段普通金属导体,它是不带电的,但它主要是有自由电子来导电的.

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