半导体材料和光导纤维?半导体材料和光导纤维的材料成分各是什么 好像我老师说是Si的一类物 我不怎么懂 给下解析

解题思路：（1）分析表中的数据可知：光强与电阻的乘积是一定的为：36．
（2）要求出光敏电阻所在处的光强是多大，根据光强与电阻的关系，只要知道电阻，就可以知道光强了．由图可知，光敏电阻与滑动变阻器是串联，由题中的电源电压和电压表的示数，先计算出光敏电阻两端的电压，然后除以电流，就可以算出此时的光敏电阻了，最后查表就可以知道光强了．
（3）根据光照强度的变化判断光敏电阻阻值如何变化，然后根据欧姆定律和U=IR即可判断电流表和电压表示数的变化；
（4）白天，路灯不需要发光，只有到了晚上路灯才会发光．
由于白天光强大，光敏电阻小，此时低压控制电路的电流大，电磁铁的磁性强，会把衔铁吸下来，衔铁应与M、N触点分离，使得工作电路成为断路，灯泡不发光；到了晚上，光强减小，光敏电阻变大，此时低压控制电路的电流变小，电磁铁的磁性变弱，衔铁会在弹簧的作用下向上弹起，这时衔铁就应与M、N触点相接触，使得工作电路接通，灯泡发光．

（1）分析表中的6组数据，发现每一组的光强与电阻的乘积是一定的，都是36，所以电阻R与光强E的关系式为：R=[36/E]；
第四次，光强是4.0cd，那么光敏电阻的阻值是9.0Ω．
（2）光敏电阻两端电压：U_R=U-U₀=6V-3.6V=2.4V，
光敏电阻的阻值：R=
UR
I=[2.4V/0.4A]=6Ω．
查表知，光强为E=6.0cd．
（3）根据表中数据可知，光敏电阻的阻值随光照强度的增大而减小，因此保持滑动变阻器位置不变，逐渐增大光敏电阻的光照强度，电路中的总电阻减小，由I=[U/R]可得，电路中的电流变大，即电流表示数变大；
电压表测量滑动变阻器两端电压，而滑动变阻器接入电路的阻值不变，由U=IR可知，滑动变阻器两端电压变大，即电压表示数变大；
故选①．
（4）晚上当光强减弱时，光敏电阻的阻值会变大，此时低压控制电路的电流会减小，电磁铁磁性减弱，
不再吸引衔铁，为了能使工作电路接通，所以M、N触点应安装在衔铁的上方．
故答案为：（1）[36/E]；9.0；
（2）光敏电阻所在处的光强为6.0cd；
（3）①；
（4）上方．

点评：
本题考点： 控制变量法与探究性实验方案．

考点点评： 本题主要考查了学生的分析能力．有对数据的分析能力，有计算题的分析能力，有解决实际问题的能力．

7×10 ^－7

绝对值小于1的正数也可以利用科学记数法表示，一般形式为a×10 ^-n ，与较大数的科学记数法不同的是其所使用的是负指数幂，指数由原数左边起第一个不为零的数字前面的0的个数所决定．
0.000 000 7=7×10 ^-7 ．
故答案为：7×10 ^-7

1年前

AD

从图象看出，通电后，随着温度的升高，电阻率先减小后增大，PTC元件的电阻先减小后增大，由功率公式P=U ² /R可知，功率是先增大后减小，在图象中反映在T ₁ —T ₂ 段；温度T ₁ 以后，随着温度的升高，电阻将增大，若发热功率大于散失的热功率，温度将继续升高，直到发热与散热平衡，若发热量小于散热量，电阻将减小，发热功率因此而增大，直到发热与散热平衡，所以温度将保持在T ₁ 、T ₂ 之间某一温度上.

解题思路：（1）由表格可得40℃时半导体的电阻值R，然后根据串联电路的特点和欧姆定律求出电源电压．
（2）由欧姆定律求出电流为0.2A时定值电阻的电压，根据串联电路的电压特点求出此时半导体电阻两端的电压，再由欧姆定律求出半导体电阻的阻值，最后由表格得出环境温度．

（1）由表中数据知：
当t=40℃时，半导体材料电阻R=20.0Ω，
∵串联电路的总电压等于各分电压之和，
∴根据欧姆定律可得：
电源的电压U=IR+IR₀=0.4A×20.0Ω+0.4A×10Ω=12V；
（2）当电流表的读数为0.2A时：
R₀两端的电压U₀=I′R₀=0.2A×10Ω=2V，
半导体材料电阻两端的电压U_R=U-U₀=12V-2V=10V，
半导体电阻的阻值是R=
UR
I=[10V/0.2A]=50Ω，
由表中数据知：环境温度是20℃．
答：（1）电源的电压为12V；
（2）当电流表的读数为0.2A时，环境温度为20℃．

点评：
本题考点： 欧姆定律的应用；串联电路的电流规律；串联电路的电压规律．

考点点评： 本题考查了串联电路的特点和欧姆定律的计算，能根据表格获取某温度下的电阻值是解题的前提与关键．

Cu失电子,为阳极,石墨为阴极,A对.Cu失电子氧化反应,B错.Cu为阳极,与正极相连,C错.0.1mol电子转移,即0.05molCu反应,应生成0.025molCu2O

解题思路：（1）有图象数据变化即可得出：温度升高时，电阻的阻值减小；
（2）根据图象找出热敏电阻在100℃时对应的电阻值；
（3）由R-t图象可知100℃时的电阻值；根据电压表的量程和此时电压表的示数达到最大值确定R₀两端的电压，根据欧姆定律求出电路中的电流，再根据串联电路的电阻特点和欧姆定律求出电源的电压．

（1）有图象数据变化即可得出：温度升高时，电阻的阻值减小；
（2）由R-t图象可知：当温度t=100℃时，热敏电阻的阻值为：R_热=100Ω；
（3）由于此时电压表的示数达到最大值，故U₀=3V；
因为R热与R₀串联，
所以电路中的电流I=I₀=
U0
R0=[3V/100Ω]=0.03A，
电源电压为U=I（R₀+R_热）=0.0.3A×（100Ω+100Ω）=6V．
故答案为：（1）这种电阻的温度升高时，电阻的阻值是减小；
（2）热敏电阻在100℃时的电阻值为100Ω；
（3）；电源电压应是6V．

点评：
本题考点： 欧姆定律的应用．

考点点评： 本题考查了串联电路电流、电阻特点和欧姆定律的应用，侧重考查了学生的读图能力，关键是能从图象中读出当温度t=100℃时热敏电阻的阻值．

解题思路：（1）根据含SiO₂96%的石英石的质量，计算出含二氧化硅的质量即可．
（2）根据25t含SiO₂96%的石英石中SiO₂的质量，由反应的化学方程式计算出生产出含Si80%的粗硅的质量即可．

（1）25t含SiO₂96%的石英石中SiO₂的质量25t×96%=24t．
（2）设理论上可生产出含Si80%的粗硅的质量为x
SiO₂+2C

高温
.
Si+2C0↑
60 28
24t80%x
[60/28＝
24t
80%x] x=14t
答：（1）25t含SiO₂96%的石英石中SiO₂的质量为24t；（2）理论上可生产出含Si80%的粗硅的质量为14t．

点评：
本题考点： 含杂质物质的化学反应的有关计算．

考点点评： 本题难度不大，考查含杂质物质的化学方程式的计算，注意代入方程式计算的必须是纯物质的质量是正确解答此类题的关键．

（1）由图甲所示图象可知，温度为100℃时，热敏电阻阻值R=100Ω，
此时电路电流：I=
UR0
R0=[3V/100Ω]=0.03A，
由I=[U/R]可知，电源电压：U=I（R+R₀）=0.03A×（100Ω+100Ω）=6V；
（2）当水温达到100℃时，电路消耗的总功率：
P=UI=6V×0.03A=0.18W；
（3）由图甲所示图象可知，温度为0℃时热敏电阻阻值为400Ω，
此时电路电流I′=[U
R+R0=
6V/400Ω+100Ω]=0.012A，
电压表示数：U_V=I′R₀=0.012A×100Ω=1.2V；
答：（1）电源电压为6V；
（2）当水温达到100℃时，电路消耗的总功率是0.18W；
（3）水温表刻度盘上的0℃应该与电压表的1.2V相对应．

解题思路：含A元素的一种单质是一种重要的半导体材料，则A为Si，含A元素的一种化合物C可用于制造高性能的现代通讯材料--光导纤维，则C为SiO2，C与烧碱反应生成含A元素的化合物D为Na2SiO3，（1）B元素的原子最外层电子数与Si相同，二者最外层电子数相同；（2）二氧化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅与水；（3）B元素的原子最外层电子数与Si相同，二者最外层电子数相同，相对原子质量比A小的元素，则B为C，①由题目信息可知，二氧化碳与碳酸钠在高温条件下反应生成硅酸钠与二氧化碳；②普通玻璃坩埚、石英玻璃坩埚、瓷坩埚都含有二氧化硅，高温下能与碳酸钠反应．

含A元素的一种单质是一种重要的半导体材料，则A为Si，含A元素的一种化合物C可用于制造高性能的现代通讯材料--光导纤维，则C为SiO₂，C与烧碱反应生成含A元素的化合物D为Na₂SiO₃，
（1）B元素的原子最外层电子数与Si相同，二者最外层电子数相同，均有4个电子，
故答案为：最外层均有4个电子；
（2）二氧化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅与水，反应方程式为：SiO₂+4HF═SiF₄↑+2H₂O，
故答案为：SiO₂+4HF═SiF₄↑+2H₂O；
（3）B元素的原子最外层电子数与Si相同，二者最外层电子数相同，相对原子质量比A小的元素，则B为C，①由题目信息可知，二氧化碳与碳酸钠在高温条件下反应生成硅酸钠与二氧化碳，反应方程式为：SiO₂+Na₂CO₃

高温
.
Na₂SiO₃+CO₂↑，
故答案为：SiO₂+Na₂CO₃

高温
.
Na₂SiO₃+CO₂↑；
②普通玻璃坩埚、石英玻璃坩埚、瓷坩埚都含有二氧化硅，高温下能与碳酸钠反应，故选C，
故答案为：C．

点评：
本题考点： 无机物的推断；硅和二氧化硅．

考点点评： 本题考查无机物推断、元素化合物性质，难度不大，注意对基础知识的掌握．

解题思路：A．硅和锗在周期表中位于金属非金属分界线附近；
B．二氧化硅不溶于水，与水不反应；
C．C、Si和Ge都是第四主族元素；
D．非金属元素间形成的是共价键．

A．硅和锗在周期表中位于金属非金属分界线附近，是良好的半导体，故A正确；
B．因SiO₂是酸性氧化物，具有酸性氧化物的通性：与碱反应、与碱性氧化物反应，但SiO₂不能与水反应，故B错误；
C．C、Si和Ge都是第四主族元素，最外层电子数都是4，故C正确；
D．共价化合物中非金属元素之间以共价键结合，故D正确．
故选：B．

点评：
本题考点： 硅和二氧化硅．

考点点评： 本题考查硅和二氧化硅的在周期表中的位置、元素及其化合物的性质，比较基础，注意基础知识的全面掌握．

解题思路：（1）分析表中的数据可知：光强与电阻的乘积为36．即可得出电阻R与光强E的关系式，然后可求出表格空格处的电阻．
（2）要求出光敏电阻所在处的光强是多大，根据光强与电阻的关系，只要知道电阻，就可以知道光强了．由图可知，光敏电阻与滑动变阻器是串联，由题中的电源电压和电压表的示数，先计算出光敏电阻两端的电压，然后除以电流，就可以算出此时的光敏电阻了，最后查表就可以知道光强了．
（3）变阻器的阻值变化会引起电路中的电流和部分电路两端的电压发生变化．
为了保护电流表，电路中的电流不能超过0.6A，最大只能是0.6A，用电源电压除以最大电流，算出最小总电阻，然后减去光敏电阻（利用光强与电阻的关系求出），从而算出滑动变阻器的最小阻值．
为了保护电压表（电压表测的是滑动变阻器电压），滑动变阻器两端的最大电压只能是3V．先利用光强与电阻的关系求出光敏电阻的阻值（这样它就是题中的已知数据了），再用电源电压减去滑动变阻器两端的最大电压3V，算出光敏电阻两端的电压，这样就可以算出电路中的电流了，最后就可以算出滑动变阻器的最大阻值了．

（1）分析表中的3组数据，发现每一组的光强与电阻的乘积是一定的，都是36，所以电阻R与光强E的关系式为：R=[36/E]；
第三次，光强是3.0cd，那么光敏电阻的阻值R=[36/E]=[36.0/3]=12.0Ω．
故答案为：12.0．如下表所示：

实验次数 1 2 3 4 5 6
光强E/cd 1.0 2.0 3.0 4.0 5.0 6.0
光敏电阻R/Ω 36.0 18.0 12.0 9.0 7.2 6.0（2）光敏电阻两端的电压U=U_总-U₀=6V-2.4V=3.6V
光敏电阻的阻值R=[U/I]=[3.6V/0.4A]=9Ω
查表可知，光强为E=4.0cd
答：此时，光敏电阻所在处的光强为4.0cd．
（3）当E=2.0cd时，查表得 R=18Ω． 当R₀=OΩ时，电路中的最大电流I=[U/R]=[6V/18Ω]=0.3A，电流表不会超过量程．
为保护电压表，R₀两端的最大电压为3V，由串联电路电压规律得：U_R=U-U₀=6V-3V=3V，
电流I=
UR
R=[3V/18Ω]=[1/6]A，滑动变阻器的最大阻值R₀=
U0
I=[3V

1/6A]=18Ω．
则R₀≤18Ω．
当E=4.5cd时，根据R=[36/E]得R=8Ω，
为了保护电流表，电路中的最大电流为0.6A，
最小总电阻R_总=[U/I]=[6V/0.6A]=10Ω，则R₀的最小阻值是10Ω-8Ω=2Ω，
为了保护电压表，R₀两端的最大电压为3V，由串联电路电压规律得：U_R=U-U₀=6V-3V=3V，
电流I=
UR
R=[3V/8Ω]=[3/8]A，滑动变阻器的最大阻值R₀=
U0
I=[3V

3/8A]=8Ω，
则滑动变阻器允许接入的阻值范围为 2Ω～8Ω．

点评：
本题考点： 串联电路的电压规律；电压表的使用；欧姆定律的应用．

考点点评： 本题为信息给予题，应注意从图中找到所用到的信息．本题主要考查了学生的分析能力．有对数据的分析能力，有计算题的分析能力，有解决实际问题的能力．

解题思路：A．硅是一种重要的半导体材料；B．二氧化硅是制光导纤维的主要原料；C．二氧化硅不溶于水，与水也不反应；D．硅在地壳中的含量居第二位．

A．硅（元素符号为Si）的原子结构示意图为，最外层为4个电子，单质硅是一种良好的半导体材料，故A正确；
B．纯净的二氧化硅是现代光学及光纤制品的基本原料，二氧化硅是光导纤维的主要成分，故B正确；
C．二氧化硅是H₂SiO₃的酸酐，但不溶于水，也与水不反应，故C错误；
D．地壳中元素含量的顺序由多到少的顺序为：氧、硅、铝、铁、钙、钠、钾、镁、氢等，故D正确；
故选C．

点评：
本题考点： 硅和二氧化硅．

考点点评： 本题难度不大，掌握硅、二氧化硅的性质即可正确解答本题，平时注意基础知识的掌握．

解题思路：根据地壳中各元素含量的排序（前四位是氧、硅、铝、铁）进行分析判断即可．

地壳含量较多的元素（前四种）按含量从高到低的排序为：氧、硅、铝、铁，其中地壳中含量居第二位的元素是硅元素，其单质硅是优良的半导体材料．
故选A．

点评：
本题考点： 地壳中元素的分布与含量．

考点点评： 本题很简单，熟记地壳里各元素的含量（前四位是氧、硅、铝、铁）是正确解答本题的关键．

解题思路：（1）根据环境温度，由图求出电阻R的大小，根据欧姆定律求出电路电流．
（2）依据电路电流大小，求出电阻R₀的电压，由串联电路特点求出R的电压，
由欧姆定律求出R的阻值，最后由图象求出电阻R所对应的环境温度．
（3）由图象求出环境温度为100℃时，电阻R的阻值，由欧姆定律求出电路电流，
由功率公式求出半导体电阻的电功率．

（1）由图象可知当t=20℃时，R=50Ω，
电阻R与R₀为串联，由欧姆定律得：I=[U
R+R0=
12V/50Ω+10Ω]═0.2A．
（2）当I=0.4A时，定值电阻R₀的电压U₀=IR₀=0.4A×10Ω=4V，
电阻R的电压U_R=U-U₀=12V-4V=8V，
电阻R阻值为R=
UR
I=[8V/0.4A]=20Ω，查图象可知当R=20Ω，t=40℃．
（3）由图象可知当t=100℃时，R=10Ω．
电路电流I=[U
R+R0=
12V/10Ω+10Ω]=0.6A，
半导体电阻的电功率P=I²R=（0.6A）²×10Ω=3.6W．
答：（1）当环境温度为20℃时，电流表的示数是0.2A，
（2）电流表的读数为0.4A时，当时环境温度是40℃，
（3）当环境温度为100℃时，电路中半导体电阻的电功率是3.6W．

点评：
本题考点： 电功率的计算；欧姆定律的应用．

考点点评： 本题考查了串联电路的特点、利用欧姆定律和电功率的公式进行分析和计算，培养了学生分析图象的能力，看懂图象和电路图后才能准确作答．

解题思路：（1）分析表中的数据可知：光强与电阻的乘积是一定的为：36．
（2）要求出光敏电阻所在处的光强是多大，根据光强与电阻的关系，只要知道电阻，就可以知道光强了．由图可知，光敏电阻与滑动变阻器是串联，由题中的电源电压和电压表的示数，先计算出光敏电阻两端的电压，然后除以电流，就可以算出此时的光敏电阻了，最后查表就可以知道光强了．
（3）变阻器的阻值变化会引起电路中的电流和部分电路两端的电压发生变化．
为了保护电流表，电路中的电流不能超过0.6A，最大只能是0.6A，用电源电压除以最大电流，算出最小总电阻，然后减去光敏电阻（利用光强与电阻的关系求出），从而算出滑动变阻器的最小阻值．
为了保护电压表（电压表测的是滑动变阻器电压），滑动变阻器两端的最大电压只能是3V．先利用光强与电阻的关系求出光敏电阻的阻值（这样它就是题中的已知数据了），再用电源电压减去滑动变阻器两端的最大电压3V，算出光敏电阻两端的电压，这样就可以算出电路中的电流了，最后就可以算出滑动变阻器的最大阻值了．

（1）分析表中的6组数据，发现每一组的光强与电阻的乘积是一定的，都是36，所以电阻R与光强E的关系式为：R=[36/E]；
第四次，光强是4.0cd，那么光敏电阻的阻值是9.0Ω．
（2）光敏电阻两端电压：U_R=U-U₀=6V-3.6V=2.4V，
光敏电阻的阻值：R=
UR
I=[2.4V/0.4A]=6Ω．
查表知，光强为E=6.0cd．
（3）当E=2.0cd时，查表得 R=18Ω． 当R₀=OΩ时，电路中的最大电流I=[U/R]=[6V/18Ω]=0.3A，
电流表不会超过量程．
为保护电压表，R0两端的最大电压为3V，由串联电路电压规律得：U_R=U-U₀=6V-3V=3V，
电流I=
UR
R=[3V/18Ω]=[1/6]A，滑动变阻器的最大阻值R₀=
U0
I=[3V

1/6A]=18Ω．
则R₀≤18Ω．
当E=4.5cd时，根据R=[36/E]可得，R=8Ω，
为了保护电流表，电路中的最大电流为0.6A，
最小总电阻R_总=[U/I]=[6V/0.6A]=10Ω，则R₀的最小阻值是10Ω-8Ω=2Ω，
为了保护电压表，R₀两端的最大电压为3V，由串联电路电压规律得：U_R=U-U₀=6V-3V=3V，
电流I=
UR
R=[3V/8Ω]=[3/8]A，滑动变阻器的最大阻值R₀=
U0
I=[3V

3/8A]=8Ω，
则滑动变阻器允许接入的阻值范围为 2Ω～8Ω．
故答案为：（1）9.0；[36/E]；
（2）光敏电阻所在处的光强为6.0cd；
（3）滑动变阻器允许接入的阻值范围为 2Ω～8Ω．

点评：
本题考点： 欧姆定律的应用．

考点点评： 本题为信息给予题，应注意从图中找到所用到的信息．本题主要考查了学生的分析能力．有对数据的分析能力，有计算题的分析能力，有解决实际问题的能力．

解题思路：短周期主族元素A、B、C、D，原子半径依次减小，其中A的单质是一种重要的半导体材料，则A是Si元素；
B的单质常用于自来水消毒，则B是Cl元素；
C是金属，其密度是所有金属中最小，则C是Li元素；
D的一种气态氢化物能使湿润的红色石蕊试纸变蓝，则D是N元素，
结合物质的性质分析解答．

短周期主族元素A、B、C、D，原子半径依次减小，其中A的单质是一种重要的半导体材料，则A是Si元素；
B的单质常用于自来水消毒，则B是Cl元素；
C是金属，其密度是所有金属中最小，则C是Li元素；
D的一种气态氢化物能使湿润的红色石蕊试纸变蓝，则D是N元素，
A．N元素有多种价态，可以形成N₂O、NO、N₂O₃、NO₂、N₂0₄、N₂O₅，故A正确；
B．A的常见氧化物是SiO₂，二氧化硅是一种酸性氧化物，不能与水反应，但能和强碱反应生成盐和水，故B错误；
C．B是Cl元素，酸性最强的含氧酸是HClO₄，故C正确；
D．Li常温下能与水反应生成氢氧化锂和氢气，故D正确；
故选：B．

点评：
本题考点： 无机物的推断；原子结构与元素的性质．

考点点评： 本题考查了物质的性质，正确推断元素是解本题关键，结合物质的性质来分析解答，易错选项是A，很多同学往往漏掉四氧化二氮而导致错误，为易错点．

解题思路：（1）容易导电的物体是导体，不容易导电的物体是绝缘体，导体和绝缘体没有绝对的界限，导体性能介于二者之间的是半导体．二极管的特点就是单向导电性，利用的主要材料就是半导体．
（2）当降到一定温度时，导体的电阻能够变为零；

（1）在铝、铜、硅、塑料等材料中，铝、铜属于导体；塑料属于绝缘体；硅是半导体．由半导体材料制成的二极管具有单向导电性．
（2）铝在-271.76℃以下时，它的阻值会变为零，发生超导现象；
故答案为：硅；单向；超导．

点评：
本题考点： 半导体的特点；超导体的特点．

考点点评： 此题考查了半导体材料和半导体元件的特性，超导现象的理解和掌握，是一道基础题．

解题思路：（1）从图象中可以看出，热敏电阻的阻值随温度的升高而减小；
（2）根据热敏电阻的阻值随温度的变化而变化，因此使电路形成通路，温度变化时电阻变化，电路中的电流变化．

让热敏电阻和定值电阻（阻值不随温度的变化而变化）和电流表组成串联电路，当温度变化时，热敏电阻的阻值变化，电路中的电流也随之变化．
（1）电路图如下：

（2）所需电路元件：电源、开关、热敏电阻R₁、定值电阻R₂、电流表；
（3）温度报警器的工作原理．
①当温度升高时，热敏电阻R₁阻值减小，电路中总电阻也减小，电流就会增大，电流表示数也会变大，所以电流表示数变大，表示温度升高了；
②当温度降低时，热敏电阻R₁阻值增大，电路中总电阻也增大，电流就会减小，电流表示数也会变小，所以电流表示数变小，表示温度降低了．

点评：
本题考点： 电路图设计；影响电阻大小的因素；欧姆定律的应用．

考点点评： （1）热敏电阻阻值的变化的类似于滑动变阻器，电阻的变化导致电流的变化；
（2）本题也可以去掉电流表，把一个电压表并联在R1或R2上，观察电压表示数的变化判断温度的变化；
（3）本设计中的电阻R2，为保护电阻，目的是防止电源短路损坏电源．

解题思路：（1）根据表中实验数据，应用欧姆定律求出Z的阻值，根据Z阻值的变化情况判断Z是由什么材料制造的．
（2）由表中实验数据找出电流为1.8A时用电器件Z的电压，由串联电路特点求出电阻R两端电压，由P=UI求出电阻电功率．
（3）把表中实验数据代入I=kUⁿ，然后求出系数k和n．

（1）根据表中实验数据，由欧姆定律可知，随电压增加，Z的阻值减小，随电压U与电流I的增加，Z的功率P=UI变大，Z的温度升高，阻值减小，由此可知，Z是由半导体材料制作的．
（2）由表中实验数据可知，当电流为1.8A时，电器元件Z两端的电压是1.2V；
由电路图2可知，电阻R与Z串联，电阻R两端的电压U_R=U-U_Z=3V-1.2V=1.8V；
电阻R的电功率P_R=U_RI=1.8V×1.8A=3.24W；
（3）把U₁=0.4V，I₁=0.2A，代入I=kUⁿ得：0.2=k×0.4ⁿ ①
把U₁=1.6V，I₁=3.2A，代入I=kUⁿ得：3.2=k×1.6ⁿ②
由①②解得：n=2，k=1.25；
故I=1.25U²
故答案为：（1）半导体；（2）3.24W；（3）I=1.25U²．

点评：
本题考点： 测定金属的电阻率．

考点点评： 本题考查了实验数据分析，要能够从表格数据得到电阻的变化情况，第三问可以用数据代入求解；熟练应用欧姆定律、串联电路特点是正确解题的关键．

解题思路：（1）根据环境温度，由图求出电阻R的大小，根据欧姆定律求出电路电流．
（2）依据电路电流大小，求出电阻R₀的电压，由串联电路特点求出R的电压，
由欧姆定律求出R的阻值，最后由图象求出电阻R所对应的环境温度．
（3）由图象求出环境温度为100℃时，电阻R的阻值，由欧姆定律求出电路电流，
由功率公式求出半导体电阻的电功率．

（1）由图象可知当t=20℃时，R=50Ω，
电阻R与R₀为串联，由欧姆定律得：I=[U
R+R0=
12V/50Ω+10Ω]═0.2A．
（2）当I=0.4A时，定值电阻R₀的电压U₀=IR₀=0.4A×10Ω=4V，
电阻R的电压U_R=U-U₀=12V-4V=8V，
电阻R阻值为R=
UR
I=[8V/0.4A]=20Ω，查图象可知当R=20Ω，t=40℃．
（3）由图象可知当t=100℃时，R=10Ω．
电路电流I=[U
R+R0=
12V/10Ω+10Ω]=0.6A，
半导体电阻的电功率P=I²R=（0.6A）²×10Ω=3.6W．
答：（1）当环境温度为20℃时，电流表的示数是0.2A，
（2）电流表的读数为0.4A时，当时环境温度是40℃，
（3）当环境温度为100℃时，电路中半导体电阻的电功率是3.6W．

点评：
本题考点： 电功率的计算；欧姆定律的应用．

考点点评： 本题考查了串联电路的特点、利用欧姆定律和电功率的公式进行分析和计算，培养了学生分析图象的能力，看懂图象和电路图后才能准确作答．

图像是不是大概为反比例图像的样子?——是的
温度越大,电阻越小

应在T1－T2段保温.
在0－T1段,温度T升高时ρ变小,R也应变小,则功率变大,故此段无法保温.
而T1～T2段,T升高时,ρ变大,R变大,功率变小,此段才有可能使产生的热量与散发的热量相等.
忽略电动机内阻的热损耗,电动机的输入功率和输出功率相等.即空载时维持扶梯运行的电功率为 P0＝UI＝380×5＝1900WW
故可用于载送乘客的多余功率为P＝Pm－P0＝4.9－1.9＝3kWkW
扶梯斜向上作匀速运动,故每位乘客受重力mg和支持力F作用,且F =mg.
电动机通过扶梯支持力对人做功,其功率为P′,
P′＝Fvcosa＝mgcos（90°－30°）=120W,
故同时乘载的最多人数为N=P/P'=3000/120=25人

解题思路：根据半导体的定义和特性去半导体是指在常温下，导电性能介于导体和绝缘体之间．它有五大特性，其中有一个是导电特性．

A、二极管是由半导体做成的器件，它具有单向导电性．二极管是由P型半导体和N型半导体组成的，这两种半导体相互接触时，其交接区域称为PN结，PN结具有单向导电性．
B、滑动变阻器是由电阻率较大的电阻丝做成的．
C、电路开关是用金属制成的，是导体．
D、电容器是由两片接近并且相互绝缘的导体组成的储存电荷和电能的器件．
故选 A．

点评：
本题考点： 半导体的特点．

考点点评： 半导体的应用非常广泛，初中物理只简单的介绍了半导体的定义，课外应多了解一下．

(1)减小
1、答:应该用酒精灯分别把R1和R2加热
2、当加热某个电阻时,电流表示数减小,那么被加热的电阻是热敏电阻.

解题思路：（1）由R-t图象可知100℃时的电阻值；
（2）由图象可得电阻随温度的变化并非正比关系，用公式表示出电压表的示数，即可判断刻度盘的刻度特点；
（3）当温度为100℃时，电压表的示数达到最大值为3V，已知定值电阻R₀的阻值，进而能求出电路的总电阻；然后根据串联电路的电压之比等于电阻之比，列出关于电源电压的等量关系式，即可解得电源电压．
当温度为0℃时，从图中读出此时热敏电阻的阻值为500Ω，定值电阻R₀的阻值已知，电源电压已经求出，参照上面的思路，利用串联分压的原理，即可求出定值电阻R₀两端的电压，即电压表的示数．

（1）由图可知，当温度100℃时电阻为100Ω；
（2）由图可知，电阻随温度的变化越来越慢，即电阻不与温度成正比，则变化相同温度时，电阻的变化值不同，那么干路电流的变化值也不同；故定值电阻两端电压的变化值不是定值，因此所改表盘的刻度不均匀．
（3）当温度t=100℃时，由图知热敏电阻的阻值为：R_热=100Ω；
由于此时电压表的示数达到最大值，故U₀=3V；
因为R_热与R₀串联，根据串联分压的原理（串联电路中，电阻两端的电压之比等于电阻之比），得：

U0
U＝
R0
R0+R热
则电源电压：U=
(R0+R热)U0
R0 ＝
(100Ω+100Ω)×3V
100Ω=6V；
当温度t′=0℃时，R_热′与R₀串联，根据串联电路的电压规律，可得：

U′0
U＝
R0
R0+R′热
U₀′=
R0U
R0+R′热＝
100Ω×6V
100Ω+500Ω=1V；
此时电压表示数为1V
即改画的水温度表刻度盘上的0℃应对应在电压表刻度表上1V的位置．
答：（1）100℃时电阻为100Ω；（2）刻度盘上的刻度不均匀；（3）0℃所对应的电压表刻度在电压表刻度的1V位置．

点评：
本题考点： 欧姆定律的应用；串联电路的电压规律；电阻的串联．

考点点评： 此题中，第（1）（2）小题较为简单，直接从图中就能判断出答案．难点在于第三问，由于电源电压没有告诉，所以要通过题干给出的相关条件来间接求得，解答过程不仅要能正确的从图中找到合理的数据，还用到了欧姆定律、串联分压原理等重点知识，难度较大．

　　硅是电子工业中常用的半导体材料.
　　　　二氧化硅是基本的建筑材料,是现代光学及光钎制品的基本原料.

这里却说D是对的

译为 “本体氧化锌”.

A Si；B C； 甲：SiO2;
粘土的主要成分是硅酸钠 Na2SiO3
Si+4HF=SiF4+2H2
SiO2+Na2CO3(熔融)=CO2+Na2SiO3
CO2+Na2SiO3+H2O=Na2CO3+H2SiO3

解题思路：（1）分析表格中的数据可知：温度与电阻的乘积为1000．即可得出半导体材料的电阻与温度的关系式，进一步求出环境温度为60℃时半导体电阻的阻值；
（2）根据半导体材料的电阻与温度的关系式求出环境温度为20℃时对应的电阻，根据电阻的串联特点和欧姆定律求出电源的电压．

（1）分析表格中的数据可知，温度与电阻的乘积为1000，
所以当环境温度为60℃时，半导体电阻的阻值R=[1000/60]Ω≈16.7Ω；
（2）当环境温度为20℃时，半导体的电阻R=[1000/20]Ω=50Ω，
电源的电压U=I（R+R₀）=0.2A×（50Ω+10Ω）=12V．
故答案为：16.7；12．

点评：
本题考点： 欧姆定律的应用．

考点点评： 本题考查了串联电路的特点和欧姆定律的灵活运用，关键是根据表格中的数据得出温度和电阻之间的表达式．

A

解题思路：当光照增强时，光敏电阻的阻值减小；再分析总电阻的变化，由欧姆定律即可得出电路中电流及路端电压的变化；再分析并联部分电路，可得出R2的电流变化；由功率公式可得出功率的变化．

A、当光照增大时，光敏电阻的阻值减小，总电阻减小；则由闭合电路欧姆定律可得，电路中总电流增大；则由U=E-Ir可知，路端电压减小，因干路电流增大，则R₁两端的电压增大，故电压表示数增大，故A正确，D错误；
B、因路端电压减小，电压表示数增大，则并联部分电压减小，故R₂中的电流减小，故B正确；
C、由以上分析可知，通过L的电流增大，由P=I²R可知灯泡功率增大；故C错误；
故选：AB．

点评：
本题考点： 闭合电路的欧姆定律．

考点点评： 本题为闭合电路欧姆定律的动态分析问题，要注意明确此类问题的解题思路一般为：局部-整体-局部．

三个空分别是100、2、3.

根据图可以看到,100℃时,此时电阻值（竖轴数值）为100Ω.【见图中红色箭头所指.】
热敏电阻两端电压是6÷（100+200）×100=2（V）.
【电压除以总电阻,得到电流,然后乘热敏电阻的阻值,得到其两端电压.】
当热敏电阻在35°C时,根据图中蓝色线所指的点,电阻为200欧姆（实际上是约210欧姆）,
串联电阻总值是200+200=400（欧姆）,电流是6÷400,R0两端电压是6÷400×200=3（V）,电压表的示数为3V.

A．在金属元素与非金属元素的分界线附近的元素既有一定的金属性又有一定的非金属性，可以寻找在该区域制备制造半导体材料的元素，故A正确；
B．能量越低越不容易脱离原子核的束缚，能量越高越容易脱离原子核的束缚，故能量低的电子在离原子核越近的区域运动，能量高的电子在离原子核远的区域运动，故B正确；
C．1869年俄国化学家门捷列夫最先发现元素周期律并绘制第一张元素周期表，故C正确；
D．金刚石晶体中每个每个碳原子都与另外4个碳原子形成共价键，构成正四面体，向空间形成立体网状结构，故D错误；
故选D．

(1)ⅣA 最外层均有4个电子，最内层均有2个电子
(2)氢氟酸　SiO ₂ ＋4HF=SiF ₄ ↑＋2H ₂ O
(3)①SiO ₂ ＋Na ₂ CO ₃ Na ₂ SiO ₃ ＋CO ₂ ↑，
Na ₂ SiO ₃ ＋CO ₂ ＋H ₂ O=Na ₂ CO ₃ ＋H ₂ SiO ₃ ↓
②D　(4)50%

(1)A元素单质可作半导体材料，含A元素的某化合物是制造光导纤维的原料，可知A为硅元素，C为SiO ₂ ，D为Na ₂ SiO ₃ 。比硅相对原子质量小的同族元素B为碳。
(2)C为SiO ₂ ，能与SiO ₂ 反应的酸只有氢氟酸。
(3)SiO ₂ 与Na ₂ CO ₃ 高温下反应生成Na ₂ SiO ₃ 和CO ₂ ，含SiO ₂ 的材料(普通玻璃、石英玻璃)以及Al ₂ O ₃ 等都能与Na ₂ CO ₃ 在高温下反应，故不能用以上材质的坩埚熔融Na ₂ CO ₃ 。
(4)若SiO ₂ 恰好完全反应或过量，与CaCO ₃ 反应的化学方程式只有一个，即CaCO ₃ ＋SiO ₂ CaSiO ₃ ＋CO ₂ ↑。若CaCO ₃ 过量，除发生上述反应外，还会发生反应：
CaCO ₃ CaO＋CO ₂ ↑。总之，CaCO ₃ 的多少决定了CO ₂ 的产量，可通过以下关系列式求
CaCO ₃ 　～　CO ₂
100 g 22.4 L
m(CaCO ₃ ) 11.2 L
m(CaCO ₃ )＝50 g
混合物中CaCO ₃ 的质量分数： ×100%＝50%。

B

A、传感器材料分半导体材料、陶瓷材料、金属材料和有机材料，所以A错误；
B、金属材料也可以制成传感器，所以B正确；
C、干簧管是一种磁控制的开关，所以C错误；
D、现代高层建筑所用的升降式电梯中还用到红外线传感器，所以D错误；
本题选错误的，故选：ACD

有一半导体,受热后电阻随温度的升高而迅速减小,利用这种半导体材料可制成体积很小的（热敏）电阻.
是否可以解决您的问题?

（1）热敏电阻电阻值随温度上升而逐渐减小的,在100℃时的电阻值为100Ω.
（2）
100℃时R0的电压是3V,
设电池电压是E,E=（R100+R0）*U/R0=2U=6V
设电压表示数为2V时,热敏电阻电阻值为Rx
U1=E*R0/（Rx+R0）
Rx=E*R0/U1-R0=2R0=200Ω
查曲线可知温度为35℃
（3）
0℃时电阻为R=500Ω
U0=E*R0/(R+R0)=1V
水温表刻度盘上的0℃应该与电压表刻度盘的1V刻度对应

比较通用和便利的是接触式的四点探针测试法,可以测试半导体材料的电阻率和方块电阻.还有无接触的测试方法.具体方法的采用,要根据实际情况来选择.

解题思路：先根据有理数除法法则进行计算，再用科学记数法表示．

350÷（5×10⁸）=7×10^-7（mm²）．
答：一个元件大约占7×10^-7mm²．

点评：
本题考点： 科学记数法—表示较小的数．

考点点评： 此题很简单，解答此题的关键是把5亿化成5×108的形式再进行计算．

火情时,R4减小,总电阻减小,根据I=E/R+r,总电流变大
E=I.r+U外外电压也叫路端电压变小,报警器端电压就是路端电压
3. E=I.r+I.R1+U并(并联电压同） 所以U并变小 U并=I3.R3 I3变小
4.总电流增大,R3的电流I3减小 ,所以A的示数变大 选A

D

A、B、当开关接1时，R ₁ 、R ₂ 串联时，电阻两端的电压相等，均为
1
2 U ₀ ，
当开关接2时，R ₁ 与D并联，电阻减小，R ₁ 的电压减小，小于
1
2 U ₀ ，R ₂ 的电压增大，大于
1
2 U ₀ ，根据R=
U 2
P 可知，P ₁ ＜P，P ₁ ＜P ₂ ，故A、B错误．
C、当开关接2时，假如R _D 电阻不变，P _D =
U 2
R D =
U 2
4 R 1
而P ₁ =
U 2
R 1 =4P _D
由1图可知可知，电压增大，电流增大，但电流的变化量比电压的变化量大，根据欧姆定律可知R _D 的电阻减小，所以当电压变小时，R _D 的电阻应变大
故R _D ＞4R ₁ ；则 P ₁ ＞4P _D
故C正确．
D、当开关接1时，总电阻R _总 =
4
3 R 1 ，3P=
U 0 2
R 总
假如R _D 电阻不变，当开关接2时，总电阻R′ _总 =1.8R ₁ ，P _D +P ₁ +P ₂ =
U 0 2
R ′ 总 ，
而 R _D 增大，R′ _总 增大，R′ _总 ＜R _总 ，故P _D +P ₁ +P ₂ ＜3P
故选CD．

解题思路：当温度上升时，电阻R的阻值减小，电路中的电流增大，电磁铁的磁性增强，将衔铁吸下，电热丝电路断开，停止加热．过一段时间后，温度下降，电阻R的阻值增大，电路中的电流减小，电磁铁的磁性减弱，衔铁被弹簧拉起，电热丝电路接通，电热丝又开始工作加热，温度上升．当电流等于20mA时，求出总电阻，然后计算得到R，对应图象找出温度数值．

当I=20mA=0.02A时，继电器衔铁被线圈吸合，发热电路断开，
根据欧姆定律可得，电路中的电阻：
R=[U/I]=[6V/0.02A]=300Ω，
∵串联电路中总电阻等于各分电阻之和，
∴此时热敏电阻：
R_热=R-R₀=300Ω-50Ω=250Ω，对应图象找出温度数值为50℃，
故能将温度控制在50℃．
答：此温度自动控制装置安放在温箱中能将温度控制在50℃．

点评：
本题考点： 欧姆定律的应用；电阻的串联．

考点点评： 本题考查了串联电路的特点和欧姆定律的应用，关键是从题干中获取有用的信息和明白电磁继电器的原理．

解题思路：含A元素的一种单质是一种重要的半导体材料，则A为Si，含A元素的一种化合物C可用于制造高性能的现代通讯材料--光导纤维，则C为SiO₂，C与烧碱反应生成含A元素的化合物D为Na₂SiO₃．
（1）C为SiO₂，D为Na₂SiO₃，根据Na₂SiO₃的性质进行解答；
（2）C为SiO₂，沙子、玛瑙的主要成分为SiO₂，水玻璃、黏土主要成分为硅酸盐；
（3）将SiO₂与纯碱混合，高温熔融时生成DNa₂SiO₃，同时还生成E为CO₂；将E物质CO₂通入足量DNa₂SiO₃的水溶液中，碳酸比硅酸强，二氧化碳和硅酸钠反应生成硅酸和碳酸氢钠；生成含A元素的化合物H₂SiO₃，
①C为SiO₂，与纯碱混合高温熔融时生成硅酸钠和二氧化碳；
②E为CO₂，通入足量DNa₂SiO₃的水溶液中，生成硅酸沉淀；

含A元素的一种单质是一种重要的半导体材料，则A为Si，含A元素的一种化合物C可用于制造高性能的现代通讯材料：光导纤维，则C为SiO₂，C与烧碱反应生成含A元素的化合物D为Na₂SiO₃，
（1）C为SiO₂，与烧碱反应SiO₂+2NaOH=Na₂SiO₃+H₂O，生成含A元素的化合物D，D为Na₂SiO₃，
Na₂SiO₃（硅酸钠）俗称水玻璃具有广泛的用途，是建筑水泥快干等工业的粘合剂，也是一种溶雪剂的成分之一，也可制备硅胶、木材防火剂，
故答案为：制备硅胶、木材防火剂；
（2）a．沙子主要成分为二氧化硅；b．水玻璃是硅酸钠的水溶液；c．黏土主要成分为硅酸盐；d．玛瑙主要成分为二氧化硅，C为SiO₂，所以a、d符合，
故答案为：a、d；
（3）将SiO₂与纯碱混合，高温熔融时SiO₂+Na₂CO₃

高温
.
Na₂SiO₃+CO₂↑，生成DNa₂SiO₃，同时还生成E为CO₂；将E物质CO₂通入足量DNa₂SiO₃的水溶液中，碳酸比硅酸强，二氧化碳和硅酸钠反应生成硅酸和碳酸氢钠；反应为：2CO₂+Na₂SiO₃+2H₂O═2NaHCO₃+H₂SiO₃↓，生成含A元素的化合物H₂SiO₃，
①C为SiO₂，与纯碱混合高温：SiO₂+Na₂CO₃

高温
.
Na₂SiO₃+CO₂↑，
故答案为：SiO₂+Na₂CO₃

高温
.
Na₂SiO₃+CO₂↑；
②E为CO₂，通入足量DNa₂SiO₃的水溶液中2CO₂+Na₂SiO₃+2H₂O═2NaHCO₃+H₂SiO₃↓，离子反应为：2CO₂+SiO₃^2-+2H₂O═2HCO₃^-+H₂SiO₃↓，
故答案为：2CO₂+SiO₃^2-+2H₂O═2HCO₃^-+H₂SiO₃↓；

点评：
本题考点： 硅和二氧化硅．

考点点评： 本题考查无机物的推断，题目难度中等，本题中侧重于物质的应用为考查点，注意把握Si的单质及化合物的性质和用途，为高频考点．

根据半导体理论,一般半导体材料的电阻率 和绝对温度 之间的关系为
（1—1）
式中a与b对于同一种半导体材料为常量,其数值与材料的物理性质有关.因而热敏电阻的电阻值 可以根据电阻定律写为
（1—2）
式中 为两电极间距离,为热敏电阻的横截面,.
对某一特定电阻而言,与b均为常数,用实验方法可以测定.为了便于数据处理,将上式两边取对数,则有
（1—3）
上式表明 与 呈线性关系,在实验中只要测得各个温度 以及对应的电阻 的值,
以 为横坐标,为纵坐标作图,则得到的图线应为直线,可用图解法、计算法或最小二乘法求出参数 a、b的值.
热敏电阻的电阻温度系数 下式给出
（1—4）
从上述方法求得的b值和室温代入式（1—4）,就可以算出室温时的电阻温度系数.
热敏电阻 在不同温度时的电阻值,可由非平衡直流电桥测得.非平衡直流电桥原理图如右图所示,B、D之间为一负载电阻 ,只要测出 ,就可以得到 值.
当负载电阻 → ,即电桥输出处于开
路状态时,=0,仅有电压输出,用 表示,当 时,电桥输出 =0,即电桥处于平衡状态.为了测量的准确性,在测量之前,电桥必须预调平衡,这样可使输出电压只与某一臂的电阻变化有关.
若R1、R2、R3固定,R4为待测电阻,R4 = RX,则当R4→R4+△R时,因电桥不平衡而产生的电压输出为：
（1—5）
在测量MF51型热敏电阻时,非平衡直流电桥所采用的是立式电桥 ,,且 ,则
（1—6）
式中R和 均为预调平衡后的电阻值,测得电压输出后,通过式（1—6）运算可得△R,从而求的 =R4+△R.
3、热敏电阻的电阻温度特性研究
根据表一中MF51型半导体热敏电阻（2.7kΩ）之电阻~温度特性研究桥式电路,并设计各臂电阻R和 的值,以确保电压输出不会溢出（本实验 =1000.0Ω,=4323.0Ω）.
根据桥式,预调平衡,将“功能转换”开关旋至“电压“位置,按下G、B开关,打开实验加热装置升温,每隔2℃测1个值,并将测量数据列表（表二）.
表一 MF51型半导体热敏电阻（2.7kΩ）之电阻～温度特性
温度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65
电阻Ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748
表二 非平衡电桥电压输出形式（立式）测量MF51型热敏电阻的数据
i 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
温度t℃ 10.4 12.4 14.4 16.4 18.4 20.4 22.4 24.4 26.4 28.4
热力学T K 283.4 285.4 287.4 289.4 291.4 293.4 295.4 297.4 299.4 301.4
0.0 -12.5 -27.0 -42.5 -58.4 -74.8 -91.6 -107.8 -126.4 -144.4
0.0 -259.2 -529.9 -789 -1027.2 -124.8 -1451.9 -1630.1 -1815.4 -1977.9
4323.0 4063.8 3793.1 3534.0 3295.8 3074.9 2871.1 2692.9 2507.6 2345.1
根据表二所得的数据作出 图,如右图所示.运用最小二乘法计算所得的线性方程为 ,即MF51型半导体热敏电阻（2.7kΩ）的电阻～温度特性的数学表达式为 .
4、实验结果误差
通过实验所得的MF51型半导体热敏电阻的电阻—温度特性的数学表达式为 .根据所得表达式计算出热敏电阻的电阻～温度特性的测量值,与表一所给出的参考值有较好的一致性,如下表所示：
表三 实验结果比较
温度℃ 25 30 35 40 45 50 55 60 65
参考值RT Ω 2700 2225 1870 1573 1341 1160 1000 868 748
测量值RT Ω 2720 2238 1900 1587 1408 1232 1074 939 823
相对误差 % 0.74 0.58 1.60 0.89 4.99 6.20 7.40 8.18 10.00
从上述结果来看,基本在实验误差范围之内.但我们可以清楚的发现,随着温度的升高,电阻值变小,但是相对误差却在变大,这主要是由内热效应而引起的.