在霍尔效应实验里,要求磁场方向垂直霍尔元件,否则测出的霍尔电压将如何变化为什么

旧棉衣2022-10-04 11:39:541条回答

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MiGo1221 共回答了26个问题 | 采纳率88.5%
否则测出的霍尔电压将减小,测出的霍尔电压应该是理论值乘以偏离磁场的角度的余弦值.
1年前

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大学物理实验报告最后一项,‘实验体会与收获’怎么写?我做的是霍尔效应实验.额外的,‘根据曲线变化写出验证结论’这个结论怎么写?
iuzzy1年前1
秋月无语 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%
实验表明:霍尔电压 与霍尔元件工作电流 、直螺线管的励磁电流 间成线性的关系.
长直螺旋管轴向磁感应强度:
理论值比较误差为:E=5.3%
十、问题讨论(或思考题):
霍尔效应实验中磁场不均匀对测量的影响
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霍尔效应的研究实验中,磁场不均匀对测量结果有无影响?如何减少其影响?
想找个MM1年前2
冰雪郎君 共回答了14个问题 | 采纳率78.6%
有影响.主要是磁场的B不准.
减小的方法是设计产生高均匀度磁场的磁场发生装置.
霍尔效应实验中.Rh到底要怎么计算.Rh=Uh·d/Is·B 知道了Kh=3.67KGS 怎么求呀、、
心田如蜜1年前1
韩鹤高飞 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%
Rh是霍尔系数么、、、
F=Bqv
Eh=Uh/b
F=Eh*q
Is=nev(bd)
∴Uh=Is*B/ned
∴ Rh=1/ne
又有Kh=1/ned
所以要知道Rh,必须知道厚度d
Rh=Kh*d
霍尔效应实验 如何判断磁场的方向与霍尔片的法线是否一致
豆叮HAPPY1年前1
jimsons 共回答了16个问题 | 采纳率81.3%
朝两个方向偏转霍尔元件的方向,如果电位差都减小,说明B与法线方向一致
关于大学物理霍尔效应实验问题(需要详细点的答案)
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1.如何应用霍尔效应测量磁感应强度?2.如何根据霍尔电压的正负来判别半导体材料的导电类型?3.根据霍尔元件灵敏度选择哪种材料制作霍尔元件为好?
玫瑰俱乐部1191年前1
虫11 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%
1.很复杂 很复杂 很复杂 需要深究.2.若霍尔电压为负值,则N型半导体;若霍尔电压为正值,为P型半导体.3.选择迁移率高电阻率也较高的材料.半导体是制造霍尔元件的理想材料.其迁移率高电阻率适中.而对于金属导体则不行 迁移率和电阻率都很低,而不良导体 电阻率虽高但是迁移率适中,霍尔系数都很小,不能制造霍尔元件.最后:爱球球.
关于霍尔效应实验的问题在霍尔效应实验中,如何观察不等位效应,如何清除不等位效应对测量带来的影响.
fannaohe1年前1
uu别飞了 共回答了17个问题 | 采纳率100%
1)厄廷好森(Etinghausen)效应引起的电势差UE.由于电子实际上并非以同一速度v沿y轴负向运动,速度大的电子回转半径大,能较快地到达接点3的侧面,从而导致3侧面较4侧面集中较多能量高的电子,结果3、4侧面出现温差,产生温差电动势UE.可以证明UE∝IB.容易理解UE的正负与I和B的方向有关.
(2)能斯特(Nernst)效应引起的电势差UN.焊点1、2间接触电阻可能不同,通电发热程度不同,故1、2两点间温度可能不同,于是引起热扩散电流.与霍耳效应类似,该热扩散电流也会在3、4点间形成电势差UN.若只考虑接触电阻的差异,则UN的方向仅与B的方向有关.
(3)里纪-勒杜克(Righi-Leduc)效应产生的电势差UR.上述热扩散电流的载流子由于速度不同,根据厄廷好森效应同样的理由,又会在3、4点间形成温差电动势UR.UR的正负仅与B的方向有关,而与I的方向无关.
(4)不等电势效应引起的电势差U0.由于制造上的困难及材料的不均匀性,3、4两点实际上不可能在同一条等势线上.因而只要有电流,即使没有磁场B,3、4两点间也会出现电势差U0.U0的正负只与电流I的方向有关,而与B的方向无关.
综上所述,在确定的磁场B和电流IS下,实际测出的电压是霍耳效应电压与副效应产生的附加电压的代数和.人们可以通过对称测量方法,即改变IS和磁场B的方向加以消除和减小副效应的影响.在规定了电流IS和磁场B正、反方向后,可以测量出由下列四组不同方向的IS和B组合的电压.即:
+B,+IS:U1= UH+UE+UN+UR+U0
+B,-IS:U2=-UH-UH+UN-UR-U0
-B,-IS:U3= UH+UE-UN-UR-U0
-B,+IS:U4=-UH-UE-UN+UR+U0
然后求U1,U2,U3,U4的代数平均值得:
UH=1/4(U1-U2+U3-U4)-UE
通过上述测量方法,虽然不能消除所有的副效应,但考虑到UE较小,引入的误差不大,可以忽略不计,因此霍耳效应电压UH可近似为
UH=1/4(U1-U2+U3-U4)(19-6)
霍尔效应实验思考题:为什么制备霍尔元件的材料通常是半导体而不是金属?
avanti1年前1
galing 共回答了21个问题 | 采纳率95.2%
要得到大的霍尔电压,关键是要选择霍尔系数大(即迁徙率高,电阻率ρ=1/σ亦较高)的材料,就金属而言,µ和ρ均很低,因而其霍尔系数很小,不能用来制作霍尔元件.半导体µ高,ρ适中,是制作霍尔元件的理想材料.所以霍尔元件的制备材料一般是半导体而不是金属.
大学物理霍尔效应实验若电压表调零不准,会使测的的电压U1~U4有误差,但实验中采用的对称测量法可以消除这些误差,试证明.
大学物理霍尔效应实验
若电压表调零不准,会使测的的电压U1~U4有误差,但实验中采用的对称测量法可以消除这些误差,试证明.大学物理实验王小平版
silkworm_niuniu1年前1
本开户行 共回答了24个问题 | 采纳率79.2%
自己翻书把对称测量法的内容搞清楚你就懂了.
霍尔效应实验中将探头与磁场平行或者直接从磁场拿出来,电压仍然有示数是什么原因?
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仪器是CVM-200霍尔效应测试系统
A200104061年前1
1秦巴子 共回答了17个问题 | 采纳率100%
可能是因为之前操作时仪器没有调零.
霍尔效应实验中,若磁场的法线不是恰好与霍尔元件的法线一致,对测量结果会有何影
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如何用实验的方法判断磁场法线与霍尔元件法线是否一致?
jennyof1年前2
justaring 共回答了20个问题 | 采纳率95%
磁场偏离霍尔元件法向,则霍尔元件测量到的磁场为Bcos(cita),其中B为磁场,cita为法向与磁场之间的夹角.
旋转通电工作的霍尔元件直至其输出电压达到最大值.
霍尔效应实验采用改变IS和改变IM来测定Rh,证明其结果是相同的,为什么?
yanggz1年前3
很ss 共回答了16个问题 | 采纳率100%
由于vh=E*b=rh*i*B/d
所以rh=vh*d/i*b
我也刚做这个实验,数据处理麻烦死啦...
im相当于是B的指标
rh与他们都是一次的关系
在霍尔效应实验中,要求磁场方向垂直于霍尔元件平面,否则测出的霍尔电压将如何变化?为什么?
billyboy841年前1
bb_zz 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
霍尔效应要通过测两板间的电势差!如果不垂直的话,正负电荷不能完全聚于两板,所以两板间的电势差偏小,导致霍尔电压偏小!
霍尔效应实验 如何判断磁场方向和大小
月影晓梦1年前2
景行行 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
先确定霍尔元件载流子是电子还是空穴.然后确定电流方向,霍尔电压方向,再根据左手定则判断磁场方向.有个霍尔系数,跟元件的厚度和载流子密度有关,直接可以用,再用公式算,公式很好推,我就不写了.
霍尔效应实验中不等位电势是如何产生的,如何测量霍尔元件的不等位电势?
lliling1年前4
娃娃and糖 共回答了10个问题 | 采纳率100%
载流子受洛伦茨力作用,向一侧漂移,产生电场,电场力与磁场力相等时导体中载流子运动稳定下来.这时导体侧面就会有电势.
kGs/A是什么单位是霍尔效应实验里的
dash1年前1
六喜 共回答了16个问题 | 采纳率81.3%
1KGS=0.1T,即KGS是磁场强度的单位,又A是电流的单位,则KGS/A是磁场除以电流的单位.
霍尔效应实验中,开机与关机都要将Is,Im调至最小,为什么?
tashizhuba1年前1
小呆平 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%
防止出现过大电流,产生过大热量而致使仪器工作不稳定,或损坏仪器.这实际上是针对学生实验的一项规定,防止上一组同学在不明原理的情况下,将电流调得过大,而结束时没有将电流调小,这样开机存在烧坏仪器或减短寿命的可能性.关机前调小道理同样,防止下一组同学在电流过大状态下直接开机.
霍尔效应实验中Is可否用交流电替代
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不好意思啊,还有,霍尔效应建立时间不是极短吗?为什么读数时还会不稳定?
jhy1231年前1
Jdyjazz 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
若用50Hz,220V的家庭电压,由于Is是载流电流,它的变化将引起霍尔电压方向的改变.家用电压变化速度快,再加上读数需要时间稳定,在学校的实验仪器上不能读数的.
当然通过变压器,使交流电的频率降低,降到可以读数,我们只要改变Im的方向就可以了,这样就省很多麻烦.我没有试过,可以实验验证一下.

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