ddr

是奔腾4 频率为3000Mhz

映泰B75主板原始默认1333的频率!在B0ss里可以改到1600

不行，去买个800的就好，很便宜

个人建议上传俩内存的“清晰照”。单这么“KST4G1333”与“DDR3.4G1333”,同为 DDR3 1333 4G 就“大概率兼容”。不过，万一是一条“台式内存条”而另一条“移动平台内存条”，那就“不兼容”！

不知道你是问什么?是这个么?CL（CASLatency）：“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间” tRCD（RAS-to-CASDelay）“行寻址至列寻址延迟时间” tRP(RASPrechargeTime):“内存行地址控制器预充电时间” tRAS(RASActiveTime):“内存行有效至预充电的最短周期”

比如40meg就是40M的意思。40兆1MEG=1M。MEG读音“梅克”，其中的“克”发轻音。

这是显示你的网卡地址：00-e0-4d-4d-d5-b0 ，每一台电脑都有唯一的网卡（mac）地址。

Dell电脑biso onboard sata hard drive（nor present）意思.我biso设置问题硬件问题谢谢

丽台quadro k2200 4gb ddr5/128-bit/ 80gbps 专业显示卡是独显吗 丽台Quadro k2200专业显示卡当然是独显 。 专业显示卡要求极高的专业图形运算能力，不是任何整合显示卡能够提供的。Quadro是英威达专门为专业显示卡领域开发的显示卡品牌，所有显示卡产品都是独立显示卡。 丽台4gb ddr5/128-bit/ 80gbps 专业显示卡好 技嘉gtx1070 8g 还是 好 一个做设计。一个玩游戏，看你怎么比较， 我这样说吧，做设计需要从0开始，所有的线，条，框，面，到后面的图形影象渲染，相当于需要一个载重货车把这些材料运过来。 游戏卡只是需要把已有的设计好的画面快速的显示出来，相当于需要一辆法拉利非一般的速度。 搞清楚自己的需要是什么。 nvidia quadro k2200 4gb 显示卡是戴尔的还是丽台的 戴尔工作站上搭配的NVIDIA Quadro K2200 4GB 显示卡，其是丽台生产的产品给戴尔工作站上用的，就好像电脑使用英特CPU一样，是再正常不过的事情了。 k2200是款中端效能的专业图形卡，对作图渲染和单精度运算上，比家用级别显示卡有优势 丽台(LEADTEK)Quadro P600 2GB GDDR5/128bit/64GBps/CUDA核心384 Pascal GPU架构显示卡驱动 1、如果显示卡的驱动正常，不影响电脑的正常使用，可以不选择更高版本的显示卡驱动进行更新。 2、因为高版本的驱动不一定完全适合当前使用的显示卡，即使是官方提供的显示卡驱动，也有可能出现更新驱动之后导致电脑蓝屏、宕机等现象。 3、如果显示卡效能比之前下降，或者效能不稳定的话，可以尝试更新显示卡驱动，如果新版本的驱动适合当前显示卡，和系统相容的话，可以更好的发挥显示卡效能。 显示卡是DDR5/1GB，还是DDR3/2GB的好？ 同型号显示卡下 DDR5的比较好 比如同为GTS450显示卡 DDR5 1GB 就比DDR3 2GB的好 因为DDR5的视讯记忆体颗粒的速度基本就是DDR3的一倍左右 本人的CPU是 4790K，显示卡是丽台的Quadro K2200的专业图形显示卡，主机板是华硕的Z9 如果显示卡是正品，其它配件也是正品的话。 那就是设定问题了。 我们是丽台DAILI，有问题HI。 昂达gtx750ti典范4gd5 1085/5400mhz 4gb/128bit ddr5显示卡可以挖矿吗 肯定不可以的。效能太差。这显示卡按现在的挖矿难度，5年也不见得能挖到一个币。 迪兰r9 380 酷能 4g 980/5900mhz 4gb/256bit gddr5显示卡是不是4k显示 4k显示是显示器的事 这显示卡支援4k输出 但是目前显示卡的效能，不足以4K解析度下玩大型单机游戏 4K高清看看够用 华硕（ASUS）猛禽STRIX-GTX960-DC2OC-4GD5 1317MHz/7010MHz 4GB/128bit DDR5 PCI-E 3.0 显示卡 dx12 nvam w5100/4gb/128bit/96gb/ 专业显示卡作图怎么样 支援的技术不同： 游戏显示卡将游戏中不会用到的功能例如线框模式的抗混淆（反锯齿）、双面光照、3D动态剖切（3D Windows Clipping）都去掉了。 而专业显示卡不同，这些功能都支援的。 效能不同： 游戏执行需要足够快的速度，而且游戏的场景往往不太复杂，因此游戏的效能瓶颈大多出现在画素或者纹理处理速度上。 专业应用中，像高阶场景渲染、CAD/CAM、影视用三维动画等应用领域往往会遇上非常大规模的模型和许多光源，因此图形系统的几何与光线处理能力是至关重要的。这两者的区别造成游戏卡与专业卡在硬体设计上各有侧重。 驱动程式不同： 对于游戏卡来说，在驱动程式中只需要对游戏中常用到的部分OpenGL函式能够提供很好支援就可以了。 专业图形卡由于面向范围广泛的专业应用软体，因此它必须要能够对所有OpenGL函式都予以支援。

南亚（NANYA）的内存，使用的是现代的颗粒，DDR333 256M，个人建议你加512M的DDR400，牌子推荐威刚，兼容好假货少，价格180，机器有768的内存以后速度会好很多。

NT5TB128M8DE-37B，NT5TB128M8DE -3C，NT5TB128M8DE -AC，NT5TB128M8DE -AD这些都是二代的内存条NT5CB64M16AP-AC，NT5CB64M16AP-AD，NT5CB64M16AP-BE，NT5CB64M16AP-BF，NT5CB64M16AP-CF，NT5CB64M16AP-CG，NT5CB64M16AP-DG，NT5CB64M16AP-DH，　　NT5CB128M8AN-AC，NT5CB128M8AN -AD，NT5CB128M8AN -BE，NT5CB128M8AN -BF，NT5CB128M8AN -CF，NT5CB128M8AN -CG，NT5CB128M8AN -DG，NT5CB128M8AN –DH，　　NT5CB128M8CN -BE，NT5CB128M8CN –CG，　　NT5CB256M4AN-AC，NT5CB256M4AN -AD，NT5CB256M4AN -BE，NT5CB256M4AN -BF，NT5CB256M4AN -CF，NT5CB256M4AN -CG，NT5CB256M4AN -DG，NT5CB256M4AN –DH这些是三代的内存条

8颗更好，发热小些！

sldprt是solidworks软件的零件文件标准格式，另外装配体是sldasm，工程图是slddrw，这软件很多地方可以下载到，比如电驴。但文件比较大，完整版的都有5G左右，精简版的都差不多3G，而且这个软件有个缺点就是低版本软件打不开高版本的文件，你现在又无法知道这个文件的版本，所以要保证能打开，只有下载现在最高版本2012版。还有就是edrawing软件应该也可以

现在的单条16g容量的ddr4内存应该全是双面的。没有能出单面16g的ddr4内存的。如果有单面的，ddr4内存容量最大就能做到32g了。

反正ddr3的2400狙击者最高只有667的时序，最多到800，上1.65电压就蓝，阶段性蓝。

三个单词都有演讲的意思.lecture还有做动词：给...讲课/授课的意思,然而address做动词是：向...演说.没用教导的意思,lecture有传授的内意.speech就最简单了,他只有名词形式,演讲.

DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限（不考虑PAE等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。DDR3UBDIMM2007进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。1、逻辑Bank数量DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。2、封装（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。3、突发长度（BL，BurstLength）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，BurstLength）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bitBurstChop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。3、寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。4、新增功能——重置（Reset）重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。5、新增功能——ZQ校准ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-DieCalibrationEngine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。6、参考电压分成两个对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-RefreshTemperature）为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，AutomaticSelf-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-RefreshTemperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。8、局部自刷新（RASR，PartialArraySelf-Refresh）这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（MobileDRAM）的设计很相似。9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。10.省电：DDR3Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT（Self-RefreshTemperature）功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率（RASR，PartialArraySelf-Refresh功能），达到省电目的。除了以上9点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了

静态随机存储器 (SRAM)SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAMDDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。百度百科一下就好了。

DDR3的特点是容量高 前段总频率一般为1333和1666

同样频率下ddr是sdram速度的两倍,ddr好,ddr2比ddr在同频率下,性能差,但是频率上限可以做的更高.

DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR SDRAM（双倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者，也是现时流行的存储器产品。由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发。

简单来讲，SDR两个缺口，DDR一个缺口。DDR比SDR速度快一倍，现在入门配置都是DDR，SDR将渐渐退出舞台。

动态随机存取内存 DRAM：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然资料会不见随机存取内存RAM：随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入的内存，我们在写资料到RAM内存时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。内存双通道：双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。 双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。 NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。 普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。 支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。 AMD的64位CPU，由于集成了内存控制器，因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU，只有939接口的才支持内存双通道，754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。 内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。

SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。 人们习惯称DDR SDRAM为DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR SGRAM是从SGRAM发展而来，同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。可以在不增加频率的情况下把数据传输率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要强于DDR SDRAM，但其仍旧在成本上要高于DDR SDRAM，只在较少的产品上得到应用。而且其超频能力较弱，因其结构问题超频容易损坏。

传统的SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。内存从形态上区分，主要有simm内存条和dimm内存条两种。“simm”即单列直插存储模块，它有30线和70线之分，不过目前30线的simm内存条已经十分少见了，它主要使用在早期的486上，现在较多一些的是72线的simm内存条，这种simm在高档486和早期的586上比较常用。“dimm”即双列直插存储模块，它的引脚有168个，所以也叫做168线内存。这两种内存的识别方法十分简单，dimm内存采用了直接插入的边缘连接方式，而且dimm内存比较长，simm内存在尺寸上比dimm短许多，安装时必须倾斜插入内存插槽中，再用力扶正，simm两端有两个孔，当simm安装到位时，插槽两端的簧片会嵌入孔中，以固定内存。

1.SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAMDDR3内存。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。 　　DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。 　　CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engline）用来校准ODT（On Die Termination）内部中断电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。2.DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。 　　从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。这个也缩写为DDR，不过似乎与你问的没啥关系。拨号路由选择dial-on demand routing (ddr)是用公共电话网提供了网络连接。通常的，广域网大多数使用专线连接的，路由器连接到类似MODEM OR ISDNTAS 的数据终端DCE设备上，他们支持同步V.25BITS协议，你可以用SCRIPTS AND DIALER命令设定拨号串。3.RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 　　RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 　　普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

张诚改编自原著同名篇章。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: DDR和SDR有什么区别？ 解析: DDR是Double Data Rate的缩写（双倍数据速率），DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。 传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。 一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。DDR DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。 标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。 同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。 DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。 SDR DRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

两种是不同规格的内存，SDR最多支持到133DDR是从266开始的。830PM是什么板子不知道哦！！~~

SD的内存下面有两个凹槽.DDR和DDR2只有一个DDR SDRAM内存 SDRAM是Synchronous Dynamic Random Access Memory（同步动态随机存储器）的简称，是前几年普遍使用的内存形式。SDRAM采用3.3v工作电压，带宽64位，SDRAM将CPU与RAM通过一个相同的时钟锁在一起，使RAM和CPU能够共享一个时钟周期，以相同的速度同步工作，与 EDO内存相比速度能提高50％。SDRAM基于双存储体结构，内含两个交错的存储阵列，当CPU从一个存储体或阵列访问数据时，另一个就已为读写数据做好了准备，通过这两个存储阵列的紧密切换，读取效率就能得到成倍的提高。SDRAM不仅可用作主存，在显示卡上的显存方面也有广泛应用。SDRAM曾经是长时间使用的主流内存，从430TX芯片组到845芯片组都支持SDRAM。但随着DDR SDRAM的普及，SDRAM也正在慢慢退出主流市场。 DDR SDRAM是Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory（双数据率同步动态随机存储器）的简称，是由VIA等公司为了与RDRAM相抗衡而提出的内存标准。DDR SDRAM是SDRAM的更新换代产品，采用2.5v工作电压，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿传输数据，这样不需要提高时钟的频率就能加倍提高SDRAM的速度，并具有比SDRAM多一倍的传输速率和内存带宽，例如DDR 266与PC 133 SDRAM相比，工作频率同样是133MHz，但内存带宽达到了2.12 GB/s，比PC 133 SDRAM高一倍。目前主流的芯片组都支持DDR SDRAM，是目前最常用的内存类型。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别： 在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题： 从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。 总的来说，DDR2采用了诸多的新技术，改善了DDR的诸多不足，虽然它目前有成本高、延迟慢能诸多不足，但相信随着技术的不断提高和完善，这些问题终将得到解决。

分类: 电子数码 问题描述: 我在内存里看到的，那是什么来的？ 解析: 现在使用的内存一般都是DDR内存了，以前老的系统一般是SD的，象P3级别的内存。这两种内存的插槽和引脚不同，不能够混用的。 下面是我找到的文章： 什么是DDR内存 作者：网络 文章来源：转载 点击数：432 更新时间：2005-4-10 DDR内存现在渐渐成为内存市场中新的宠儿，因其合理的性价比从其诞生以来一直受到人们热烈的期望，希望这一新的内存产品全面提升系统的处理速度和带宽，就连对Rambus抱有无限希望的Intel公司也向外界宣布将以最快的速度生产支持DDR内存的新一代P4系统。不难看出，DDR真的是大势所趋。 近来市场上已闻诸多厂商开始陆续推出自己的DDR内存产品，国际上少数内存生产商之一的金士顿公司（Kingston）其实在去年年底就已完成了批量生产DDR内存的生产线的建设，现在金士顿公司(Kingston)已准备开始向全球接受订单开始大量供货了。 那么究竟什么是DDR内存呢？其技术优势又在何处呢？请让我们先了解一下这样新的事物。 DDR是Double Data Rate SDRAM的缩写（双倍数据速率）。DDR SDRAM内存技术是从主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。这一新技术使新一代的高性能计算机系统成为可能，包括台式机、工作站、服务器、便携式，也包括新的通信产品，如路由器。DDR内存目前被广泛应用于高性能图形适配器。 DDR DIMMs与SDRAM DIMMs的物理元数相同，但两侧的线数不同，DDR应用184pins，而SDRAM则应用168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM，要求专为DDR设计的主板与系统。 DDR内存技术是成熟的PC100和PC133SDRAM技术的革命性进步。DDR内存芯片由半导体制造商用现有的晶圆片，程序及测试设备生产，从而降低了内存芯片的成本。Kingston能够利用其现有的制造与测试设备在全球范围内提供DDR模块。 主要的技术及芯片公司，包括Intel, AMD, Via Technology, Acer Labs (Ali), Silicon Integrated Systems (SiS), nVidia, ATI,及ServerWorks都已宣布支持DDR内存。主板及系统支持DDR内存在2000的Q4中已获引进，在2001年将被大量采用。 DDR DIMM的规范由JEDEC定案。JEDEC是电子行业联盟的半导体工业标准化组织。大约300家会员公司提交行业中每一环节的标准，积极合作来发展符合行业需求的标准体系。Kingston是JEDEC的长期会员，并且是JEDEC的理事会成员。 什么是DDR内存及与SDRAM内存的区别 -------------------------------------------------------------------------------- ue5f1ue5f1DDR SDRAM（Dual date rate SDRSM）又简称DDR，翻译成中文就是“双倍速率SDRAM”的意思。DDR SDRAM也可以说是目前广泛应用的 SDRAM的升级换代版本，在它的催生下，2000年下半年的内存止跌不稳已经彻底摧毁了SDRAM多年营造起来的价格市场。从技术上分析，DDR SDRAM最重要的改变是在界面数据传输上，其在时钟信号上升缘与下降缘时各传输一次数据，这使得DDR的数据传输速率为传统SDRAM的两倍，由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统SDRAM相同，仅在时钟上升缘传输。另一个明显的改变是增加了一个双向的数据控制接脚（Data Strobe，DQS）。当系统中某个控制器发出一个写入命令时，一个DQS信号便会由内存控制器送出至内存。 ue5f1ue5f1此外，传统SDRAM的DQS接脚则用来在写入数据时（单向：内存控制器ue807DRAM）做数据遮罩（Data Mask）用。由于数据、数据控制信号（DQS）与DM同步传输，不会有某个数据传输较快，而另外的数据传输较慢的skew（时间差）以及Flight Time（控制信号从内存控制器出发，到数据传回内存控制器的时间）不相同的问题。此外，DDR的设计可让内存控制器每一组DQ／DQS／DM与DIMM上的颗粒相接时，维持相同的负载，减少对主板的影响。在内存内部架构上，传统SDRAM属于×8组态（anization），表示内存核心中的I／O寄存器有8位数据I／O，不过对于×8组态的DDR SDRAM而言，内存核心中的I／O寄存器却是16位的，一次可传输16位数据，在时钟信号上升缘时输出8位数据，在下降缘再输出8位数据。此外，为了保持较高的数据传输率，电气信号必须要求能较快改变，因此，DDR改为支持电压为2.5V的SSTL2信号标准。 ue5f1ue5f1DDR 内存从型号上看分为两种，一种叫做 PC 1600，每秒钟可传输 1.6GB 的数据，正好是目前100兆赫 SDRAM 内存的两倍；另一种叫做 PC 2600，峰值数据传输率可达每秒2.6GB。与价格昂贵的Rambus 相比，DDR有如下几个优势：一是由于它是在 SDRAM 内存技术的基础上开发的，因此不仅与目前的个人电脑体系架构有着很好的兼容性，而且开发生产成本低廉。二是DDR较少存在许可协议的问题。内存厂商要生产 Rambus 内存条，必须向 Rambus 公司缴纳一笔不菲的费用，以获得生产许可证，这无疑影响到厂家的利润。而DDR内存的规格是免费提供的。三是各大厂商的支持。2001年，包括IBM等在内的诸多IT巨头都宣布将支持 DDR 内存，特别是IBM 还专门设计了两组芯片组，既支持 DDR 内存，也能大幅提高系统总线的速度。而AMD 公司即将全面上市的760芯片组（支持单处理器电脑）和770芯片组（支持双处理器电脑）将全面支持200兆赫和266兆赫系统总线，也是为了满足 DDR 内存技术标准而设计的。 可能解释的不全面，你到网上去找能找到很多这方面的。现在主流的DDR，一般是DDR333、DDR400以及DDRII533。SD基本上属于被淘汰的产品，速度DDR比SD快了很多，而且价格也不错。现在的主板一般都只支持DDR了

SDRAM是DDR的老爸

肯定是不能混插了，虽然有一些古老的主板可以同时拥有两种插槽，但是无法同时使用。SDRAM和DDR的具体区别如下：1、传输速率存在差异：传统的sdram只能在信号的上升沿传输数据，而ddr只能在信号的上升沿和下降沿传输数据,因此，ddr存储器在每个时钟周期内数据传输量是sdram的两倍，这也是ddr双数据率、双数据率的含义。2、外观槽存在差异：ddr在形状和体积上与sdram区别较小，它们有相近的尺寸和针距，标准DDR内存模块是一个184针的DIMM（双面针内存模块）。ddr与标准的168针sdram非常相似，最大的区别是ddr只使用一个槽，而sdram使用两个槽。3、设计存在差异：与sdram相比，ddr采用了更先进的同步电路，使得指定地址和数据的发送和输出的主要步骤不仅独立，而且与cpu完全同步。DDR使用延迟锁定循环技术，当数据有效时，存储控制器可以使用此数据滤波信号精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。

DDR和SDRAM 是两种不同规格的内存

百度文库有相应的介绍：http://wenku.baidu.com/link?url=kG9Rk-E50Ppl9JY6SpK4wD_VLsq0ijsajg7qHGnIcy8ZCF0R9TYUAeX8z2LJkEicq7KY9mL96hTDm4rtLPLz5CrQ9i75eUhODXIdA7lmwEi

分类

SDRAM和DDR的具体区别如下：1、传输速率存在差异：传统的sdram只能在信号的上升沿传输数据，而ddr只能在信号的上升沿和下降沿传输数据,因此，ddr存储器在每个时钟周期内数据传输量是sdram的两倍，这也是ddr双数据率、双数据率的含义。2、外观槽存在差异：ddr在形状和体积上与sdram区别较小，它们有相近的尺寸和针距，标准DDR内存模块是一个184针的DIMM（双面针内存模块）。ddr与标准的168针sdram非常相似，最大的区别是ddr只使用一个槽，而sdram使用两个槽。3、设计存在差异：与sdram相比，ddr采用了更先进的同步电路，使得指定地址和数据的发送和输出的主要步骤不仅独立，而且与cpu完全同步。DDR使用延迟锁定循环技术，当数据有效时，存储控制器可以使用此数据滤波信号精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。参考资料来源：百度百科-SDRAM参考资料来源：百度百科-DDR

品牌型号：华为MateBook D15 系统：Windows 11 sdram只能在信号的上升沿传输数据，而ddr能在信号的上升沿和下降沿传输数据。ddr存储器在每个时钟周期内数据传输量是sdram的两倍。ddr在形状和体积上与sdram区别较小，它们有相近的尺寸和针距，标准DDR内存模块是一个184针的DIMM（双面针内存模块）。 ddr与标准的168针sdram非常相似，最大的区别是ddr只使用一个槽，而sdram使用两个槽。ddr采用了更先进的同步电路，使得指定地址和数据的发送和输出的主要步骤不仅独立，而且与cpu完全同步。DDR使用延迟锁定循环技术，当数据有效时，存储控制器可以使用此数据滤波信号精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同内存模块的数据。

SDRAM:SynchronousDynamicRandomAccessMemory，同步动态随机存储器，同步是指Memory工作需要同步时钟。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDRSDRAM，第二代DDRSDRAM，第三代DDR2SDRAM，第四代DDR3SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。很多人将SDRAM错误的理解为第一代，也就是SDRSDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。DDR即DoubleDataRate双倍速率同步动态随机存储器，严格的说DDR应该叫DDRSDRAM所以，SDRAM从第二代开始就采用了DDR技术，简短的说DDR内存就是SDRAM的一种

目前使用的内存条类型(DIMM)主要有三种：UDIMM、RDIMM和LRDIMM。UDIMM由于并未使用寄存器，无需缓冲，同等频率下延迟较小。此外，UDIMM的另一优点在于价格低廉。其缺点在于容量和频率较低，容量最大支持4GB，频率最大支持2133 MT/s。此外，由于UDIMM只能在Unbuffered 模式工作，不支持服务器内存满配(最大容量)，无法最大程度发挥服务器性能。在应用场景上，UDIMM不仅可用于服务器领域，同样广泛运用于桌面市场。而RDIMM支持Buffered模式和高性能的Registered模式，较UDIMM更为稳定，同时支持服务器内存容量最高容量。此外，RDIMM支持更高的容量和频率，容量支持32GB，频率支持 3200 MT/s 。缺点在于由于寄存器的使用，其延迟较高，同时加大了能耗，此外，价格也比UDIMM昂贵。因此，RDIMM主要用于服务器市场。LRDIMM可以说是RDIMM的替代品，其一方面降低了内存总线的负载和功耗，另一方面又提供了内存的最大支持容量，虽然其最高频率和RDIMM一样，均为3200 MT/s，但在容量上提高到64GB。并且，相比RDIMM，Dual-Rank LRDIMM内存功耗只有其50%。LRDIMM也同样运于服务器领域，但其价格，较RDIMM也更贵些。

Flash存储器：它属于内存器件的一种，是一种非易失性( Non-Volatile )内存。闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异:目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便无法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存;闪存在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其存储特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的存储介质的基础。DDR存储器：DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。RAM存储器：存储单元的内容可按需随意取出或存入，且存取的速度与存储单元的位置无关的存储器。这种存储器在断电时将丢失其存储内容，故主要用于存储短时间使用的程序。 按照存储单元的工作原理，随机存储器又分为静态随机存储器(英文:Static RAM，SRAM)和动态随机存储器(英文Dynamic RAM，DRAM)。SRAM存储器：是Static Random Access Memory的缩写，静态存储器，和动态存储器DRAM相对。由于SRAM工作原理是依靠晶体管组合来锁住电平，并不需要进行刷新，只要不断电，数据就不会丢失，因此称为静态RAM。DRAM存储器：DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即动态随机存取存储器，最为常见的系统内存。DRAM 只能将数据保持很短的时间。为了保持数据，DRAM使用电容存储，所以必须隔一段时间刷新(refresh)一次，如果存储单元没有被刷新，存储的信息就会丢失。 (关机就会丢失数据)

传输数据不同，作用不同。1、传输数据不同：SDRAM只能在频率上升时传输数据，表示一个频率周期只能做一次数据传输，但是DDR开始能够在频率上升及下降皆能够传输资料。2、作用不同：使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输，ddr作为运行内存使用。

不能。

DDR3指第三代的DDR内存（DDR是个内存的技术）,SDRAM是内存的类型，一般说DDR3就代表了DDR3 SDRAM了。SDRAM具体的是指Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAM.(显卡上的DDR已经发展到DDR5)。 很多人将SDRAM错误的理解为第一代，也就是 SDR SDRAM，并且作为名词解释，皆属误导。DDR即Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器，严格的说DDR应该叫DDR SDRAM所以，SDRAM从第二代开始就采用了DDR技术，简短的说DDR内存就是SDRAM的一种

主要是频率不一样 DDR快一倍

SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。　　SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。　　与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。RAMBUS内存就是一种高性能、芯片对芯片接口技术的新一代存储产品，它使得新一代的处理器可以发挥出最佳的功能。目前，RAMBUS 内存可提供600、800和1066MHz三种速度，目前主要有64M，128M，256M，512M四种规格。RAMBUS Inc宣称这种新的技术能够提供十倍于普通DRAM和三倍于PC100 SDRAM的性能。

自己到百度搜索啊很多的

用cpu-z看看就知道了

内存类型是DDR 3内存主频是2400MHZ额定工作电压1.65V还能有啥意思。

ddr3是内存第三代的意思，区分很简单。只要看ddr后面的数字就可以了。比如ddr1是第一代，ddr2是第二代

1、英文地址应该按从小到大的顺序翻译　　中文地址是的排列顺序是由大到小，如：X国X省X市X区X路X号，而英文地址则刚好相反，是由小到大，如上例写成英文就是：X号，X路，X区，X市，X省，X国。2、翻译路名、街道名等，最好用拼音　　用汉语拼音字母拼写中国地名，不仅是中国的统一标准，而且是国际标准，全世界都要遵照使用。所以，同学们在翻译自己的住址的时候，没必要刻意去意译街道名或者是大楼名，直接用拼音即可。当然，如果自己所在地区，街道或者是大楼有自己的官方译名，那就需要写官方译名。　　比如杭州市的蓝海时代国际大厦，按常理应该翻译成“Lanhai Shidai International Mansion”，但是因为该大厦有自己的官方译名——Blue Ocean Times International Mansion，因此在写该大楼的地址时，就要用官方译名。3、完整的地址应由行政区划+街区名+楼房号三部分组成　　在申请表上填写的联系地址必须详细，不能模糊，除了要有城市及街道名称，还必须有更具体的门牌号，这样才能保证及时地收到学校的联系信件，又能避免不必要的麻烦。中文地址翻译成英文的常用词汇　　***室 / 房：Room(可简写成Rm) ***　　***村：*** Vallage　　***号：No. ***　　***号楼：Building ***　　***号宿舍：*** Dormitory　　***楼 / 层：*** Floor(可简写成/F)　　***住宅区/ 小区：*** Residential Quater/Community　　***巷 / 弄：Lane ***　　***单元：Unit ***　　***号楼 / 栋/幢：Building***　　***公司：***Com./*** Crop/***CO.LTD　　***厂：*** Factory　　***酒楼/酒店：*** Hotel　　***路：*** Road　　***花园：*** Garden　　***院：***Yard　　***街：*** Street　　***信箱：Mailbox ***　　***区：*** District　　***县：*** County　　***镇：*** Town　　***市：*** City　　***省：*** Province英文地址中的常用缩写　　Avenue: Ave.　　Road: Rd.　　Square: Sq.　　Province: Prov.　　Street: St.　　District: Dist.　　Floor: /F　　Room: Rm.　　Apartment: Apt.　　Building: Bldg.　　Mountain: Mt.中文地址翻译成英文的实例　　1、虹口区西康南路125弄34号201室　　Room 201,No.34,Lane 125,XiKang Road(South),HongKou District　　2、宝山区南京路12号3号楼201室　　Room 201, Building (No.)3, No.12, Nanjing Road，BaoShan District　　如果地方不够可以将3号楼201室写成：3-201　　3、新城区祥和三区6号楼2单元302号　　Room 302, Unit 2, Building 6，Xianghe Third Community，Xincheng District　　4、西安大路727号中银大厦A座1903室　　Room 1903, Building A, Zhongyin Plaza, No.727 Xian Road　　5、西城区金融大街33号通泰大厦B座5层　　5/F Block B，Tongtai Mansion，No.33 Finance Street，Xicheng District　　6、遵义南路6号虹桥友谊商城4楼　　Floor 4, 6 South Zunyi Rd., Hongqiao Friendship Shopping Mall中文地址翻译成英文时邮编有两种写法　　1、放在地址的最后　　福建省厦门市莲花五村龙昌里34号601室，邮编361012　　Room 601, No. 34 Long Chang Li, Xiamen, Fujian, China 361012　　2、插在地址中间　　浙江省台州市黄椒路102号，邮编：318020　　102 Huangjiao Road, Taizhou, Zhejiang 318020,China。希望能够对你有帮助，你也可以去看看 微信平台的 留学达人

值得换。嘉b660m+power+d4算是中高端主板。技嘉B660M雪雕D4主板是一款M-ATX规格的DDR4内存主板，值得换。和高端的Z690相比，它的售价要亲民不少。

配置较高。技嘉b760mpowerddr4配置较高，其支持第9和第8代IntelCore处理器，配备了双M.2插槽，内置USB3.1Gen2Type-C接口，并具有RGB灯效控制等功能。技嘉b760mpowerddr4分别有DDR4、DDR5版，该主板定位为中端主流MATX主板，拥有纯正的小雕血统。

英伟达刷bios啊。需要Rivatuner ，NIBITor，影驰磨盘，还有GPU-Z。1、Rivatuner（相信不陌生，特别是影驰显卡玩家，对其他品牌的显卡也可以完美支持）2、NiBiTor（对显卡BIOS的编辑软件，现在版本是V5.4）3、GPU-Z4、一些拷机软件，3DMARK06，下点变态的游戏像孤岛危机、生化危机等，用于超频后测试拷机的1、首先用Rivatuner对显卡进行软降频，幅度不要太大 ；2、打开GPU-Z ,备份保存显卡的BIOS3、打开NiBiTor软件对原版的BIOS进行频率的编辑，只要把软降频的数据分别改写一样保存即可。依次是核心-着色器-显存！4、再用影驰磨盘，点击Magic BIOS, 选中你用NiBiTor编辑的BIOS 进行刷入，几秒钟后显示完成 重启电脑！（切忌不可断电，不然刷BIOS中断电你就完了哈哈）5、再次进入系统，用GPU察看显卡默认频率是不是修改后的数据

AABBDDRR表示的不同来源的倍性。二倍体是AA，杂交后AB，加倍AABB，再次杂交ABD，摘加倍AABBDD，再次杂交、加倍得到AABBDDRR。比如八倍体小黑麦。【普通小麦是异源六倍体（AABBDD），其配子中有三个染色体组（ABD），共21个染色体；二倍体黑麦（RR），配子中有一个染色体组（R），7个染色体。普通小麦与黑麦杂交后，子代含四个染色体组（ABDR），由于是异源的，联会紊乱，是高度不育的。若子代染色体加倍为异源八倍体（AABBDDRR），就能形成正常的雌雄配子，具有可育性了。】

感觉像是硬件上的问题，既然你的板在2.5V电压下正常，为啥不查你的FPGA BANK是否有直接连接到电源电压的BANK呢？如果有，那BANK 的I/O电压由2.5V改成了3.3V，数据当然就不对了。

P55本身就支持 双通道3代内存，你这主板参数可没说支持X4这上古老主板也是P55芯片组的，应该没差。

这个你可以去官网问客服的，不过要明天了

DDR3， 说明这个显卡的显存是使用GDDR3内存MICRON是说明这个GDDR3显存是使用的Crucial公司的MICRON（美光）内存

学校地址。。。。那个home address是家庭地址

DDR2与DDR的区别 与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。 DDR2与DDR的区别示意图 与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。 然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。 DDR2的定义： DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。 此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。 DDR2与DDR的区别： 在了解DDR2内存诸多新技术前，先让我们看一组DDR和DDR2技术对比的数据。 1、延迟问题： 从上表可以看出，在同等核心频率下，DDR2的实际工作频率是DDR的两倍。这得益于DDR2内存拥有两倍于标准DDR内存的4BIT预读取能力。换句话说，虽然DDR2和DDR一样，都采用了在时钟的上升延和下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2拥有两倍于DDR的预读取系统命令数据的能力。也就是说，在同样100MHz的工作频率下，DDR的实际频率为200MHz，而DDR2则可以达到400MHz。 这样也就出现了另一个问题：在同等工作频率的DDR和DDR2内存中，后者的内存延时要慢于前者。举例来说，DDR 200和DDR2-400具有相同的延迟，而后者具有高一倍的带宽。实际上，DDR2-400和DDR 400具有相同的带宽，它们都是3.2GB/s，但是DDR400的核心工作频率是200MHz，而DDR2-400的核心工作频率是100MHz，也就是说DDR2-400的延迟要高于DDR400。 2、封装和发热量： DDR2内存技术最大的突破点其实不在于用户们所认为的两倍于DDR的传输能力，而是在采用更低发热量、更低功耗的情况下，DDR2可以获得更快的频率提升，突破标准DDR的400MHZ限制。 DDR内存通常采用TSOP芯片封装形式，这种封装形式可以很好的工作在200MHz上，当频率更高时，它过长的管脚就会产生很高的阻抗和寄生电容，这会影响它的稳定性和频率提升的难度。这也就是DDR的核心频率很难突破275MHZ的原因。而DDR2内存均采用FBGA封装形式。不同于目前广泛应用的TSOP封装形式，FBGA封装提供了更好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了良好的保障。 DDR2内存采用1.8V电压，相对于DDR标准的2.5V，降低了不少，从而提供了明显的更小的功耗与更小的发热量，这一点的变化是意义重大的。 DDR2采用的新技术： 除了以上所说的区别外，DDR2还引入了三项新的技术，它们是OCD、ODT和Post CAS。 OCD（Off-Chip Driver）：也就是所谓的离线驱动调整，DDR II通过OCD可以提高信号的完整性。DDR II通过调整上拉（pull-up）/下拉（pull-down）的电阻值使两者电压相等。使用OCD通过减少DQ-DQS的倾斜来提高信号的完整性；通过控制电压来提高信号品质。 ODT：ODT是内建核心的终结电阻器。我们知道使用DDR SDRAM的主板上面为了防止数据线终端反射信号需要大量的终结电阻。它大大增加了主板的制造成本。实际上，不同的内存模组对终结电路的要求是不一样的，终结电阻的大小决定了数据线的信号比和反射率，终结电阻小则数据线信号反射低但是信噪比也较低；终结电阻高，则数据线的信噪比高，但是信号反射也会增加。因此主板上的终结电阻并不能非常好的匹配内存模组，还会在一定程度上影响信号品质。DDR2可以根据自已的特点内建合适的终结电阻，这样可以保证最佳的信号波形。使用DDR2不但可以降低主板成本，还得到了最佳的信号品质，这是DDR不能比拟的。 Post CAS：它是为了提高DDR II内存的利用效率而设定的。在Post CAS操作中，CAS信号（读写/命令）能够被插到RAS信号后面的一个时钟周期，CAS命令可以在附加延迟（Additive Latency）后面保持有效。原来的tRCD（RAS到CAS和延迟）被AL（Additive Latency）所取代，AL可以在0，1，2，3，4中进行设置。由于CAS信号放在了RAS信号后面一个时钟周期，因此ACT和CAS信号永远也不会产生碰撞冲突。

Use Ship To Address for Bill To Address利用船舶为帐单地址Use Ship To Address for Bill To Address利用船舶为帐单地址

Bill to xxx = xxx 付费（到付）, Ship to xxx = 寄到 xxx （收件地址)BILL/SHIP TO ADDRESS = 寄到 xxx （收件地址)，到付。

Ship To Address收货地址；发运目的地地址；For example, consider what the meaning of the element "address" is to adistribution department. This is likely to be the "ship to" address. 例如，对于配送部门，“地址” 元素可能是指送货地址。请采纳如果你认可我的回答，敬请及时采纳~如果你认可我的回答，请及时点击【采纳为满意回答】按钮~~手机提问的朋友在客户端右上角评价点【满意】即可。~你的采纳是我前进的动力~~O(∩_∩)O，记得好评和采纳，互相帮助

在使用Idea开发Java项目时常常选中Jetty作为我们本地运行项目的Web容器。当我们执行了jetty run后，若Idea被非正常地关闭了，可能出现Idea关闭了但Jetty仍在运行的情况。这时候如果我们重新打开Idea，再次执行jetty run时就会报错： 以下为在Windows系统下的解决方法。只需要执行两个命令即可。 假如我是在80端口启动了jetty，那么打开windwos“命令提示符”窗口，输入以下命令： 解释一下，netstat -ano是列出系统当前所有端口的占用情况。但这个列表往往较长，我们想要找到自己要的并不容易。所以才有了命令的后边部分——findstr "80"。findstr命令搜索符合条件的结果，为我们过滤掉大部分的内容，这样就容易找到我们需要的80端口占用情况。 netstat和findstr命令之间有个“|”，这个竖杠表示将netstat命令的结果作为findstr命令的输入。这种写法在Linux系统中也比较常见。 执行此命令的输出结果示例如下： 我们看到输出结果一共有5列，分别是：协议、本地地址、外部地址、状态、PID。其中本地地址为“127.0.0.1:80”的为我们要找的，其对应的PID是10468。 使用命令一我们拿到了占用端口的进程的PID，10468。再执行以下命令杀死进程即可。 其中PID用于指定进程ID，F选项意思是强制结束进程 拿到进程的PID后，如果想进一步了解其对应的程序名称，可以使用以下命令：如PID是4832 其输出结果为：

这样。不好的自己再去摸索吧

机子是翻新机，国产散热不好，电池和充电器满足不了笔记本需求，买一个新的好

Error: LRDIMM: can"t read "cfg_write_ddr3_lrdimm_table(44)": no such element in array while executing"set generated_cfg_odt_chip ()" ("if" then script line 2) invoked from within"if {} { set generated_cfg_odt_chip () } else { ..." ("if" then script line 2) invoked from within"if {[regexp {^DDR2$} ] == 1 && ([array names cfg_write_ddr2_table ] != "") && } { set generated_cfg_odt_chip $..." (procedure "_compute_odt_chip" line 63) invoked from within"_compute_odt_chip 1" invoked from within"set_parameter_value CFG_WRITE_ODT_CHIP [_compute_odt_chip 1]" ("if" then script line 125) invoked from within"if {[string compare -nocase [get_parameter_value NEXTGEN] "true"] == 0} { if {[regexp {^DDR1$} ] == 1} { set_parameter_value CFG_TYPE 0..." (procedure "_derive_parameters" line 209) invoked from within"_derive_parameters" (procedure "alt_mem_if::gui::ddrx_controller::validate_component" line 5) invoked from within"alt_mem_if::gui::ddrx_controller::validate_component" (procedure "ip_validate" line 11) invoked from within"ip_validate" 因为一个quad-rank (4个rank) LRDIMM不使用4个片选，所以该错误出现。

作者主要是让青少年的家长了解……

打开EXE程序时，提示：access violation at address xxxxxxxxx 后边一大堆，这种情况下应该怎么解决呢?解决方法如下： 1、右击“我的电脑”。单击“属性”。 2、在“系统属性”中单击“高级”。 3、在“性能”中单击“设置”。 4、在“性能选项”中单击“数据执行保护”。 5、单击“添加”。选择要运行的程序。 再打开EXE程序时，提示错误没有出现了。

内存不能为written或read的解决方案 [注意]该内存不能为written或read的解决方案 热 该内存不能为written或read的解决方案 作者：启明 文章来源： 点击数：311 更新时间：2005-8-4 运行某些程序的时候，有时会出现内存错误的提示，然后该程序就关闭。 “0x????????”指令引用的“0x????????”内存。该内存不能为“read”。 “0x????????”指令引用的“0x????????”内存，该内存不能为“written”。 不知你出现过类似这样的故障吗？（0x后面内容有可能不一样。） 一般出现这个现象有方面的，一是硬件，即内存方面有问题，二是软件，这就有多方面的问题了。 1、微软IE缓冲溢出漏洞引起 2、内存或虚拟内存地址使用冲突造成 程序的运行需要分配一定的内存地址给程序使用，当程序结束时释放留出空间让给新的程序使用，win是多任务的系统 有时前程序未结束 又有新的任务开始 到底要多少内存或虚拟内存来保证我们同时运行的工作任务呢?也许win在这个问题上没弄好，所以有此错误常常发生，一般运行大型软件或多媒体后出现这种情况 3、劣质内存条也会出现这个问题 一般来说，内存出现问题的可能性并不大，主要方面是：内存条坏了、内存质量有问题，还有就是2个不同牌子不同容量的内存混插，也比较容易出现不兼容的情况，同时还要注意散热问题，特别是超频后。你可以使用MemTest 这个软件来检测一下内存，它可以彻底的检测出内存的稳定度。 假如你是双内存，而且是不同品牌的内存条混插或者买了二手内存时，出现这个问题，这时，你就要检查是不是内存出问题了或者和其它硬件不兼容。 4、微软WINDOWS系统的漏洞， windows把内存地址0X00000000到0X0000ffff指定为分配null指针的地址范围,如果程序试图访问这一地址，则认为是错误。c/c++编写的程序通常不进行严格的错误检查，当采用malloc来分配内存而可供分配的地址空间不够的情况下返回null指针。但是代码不检查这种错误，认为地址分配已经成功，于是就访问0X00000000的地址，于是就发生内存违规访问，同时该进程被终止。 ASCII字符填充组成的pif文件时会出现以下情况： 一个非法的pif文件（用ascii字符"x"填充）至少要369字节，系统才认为是一个合法的pif文件，才会以pif的图标[pifmgr.dll,0]显示，才会在属性里有程序、 字体、内存、屏幕”等内容。而且仅仅当一个非pif文件的大小是369字节时察看属性的“程序”页时，不会发生程序错误，哪怕是370字节也不行。当对一个大于369字节的非法pif文件察看属性的“程序”页时，Explorer会出错，提示："***"指令引用的"***"内存。该内存不能为"read" ，问题出在pif文件的16进制地址： 0x00000181[0x87]0x00000182[0x01]和 0x00000231[0xC3]0x00000232[0x02] 即使是一个合法pif文件，只要改动这四处的任意一处，也会引起程序错误。而只 要把0x00000181和0x00000182的值改为[0xFF][0xFF]，那么其它地址任意更改 都不会引起错误。 5、可能没有完全正确安装apache服务，且启动了它的原故; 把服务中的 OracleOraHomeXXHTTPServer改成停止 6、应用程序没有检查内存分配失败 程序需要一块内存用以保存数据时，就需要调用操作系统提供的“功能函数”来申请，如果内存分配成功，函数就会将所新开辟的内存区地址返回给应用程序，应用程序就可以通过这个地址使用这块内存。这就是“动态内存分配”，内存地址也就是编程中的“指针”。 内存不是永远都招之即来、用之不尽的，有时候内存分配也会失败。当分配失败时系统函数会返回一个0值，这时返回值“0”已不表示新启用的指针，而是系统向应用程序发出的一个通知，告知出现了错误。作为应用程序，在每一次申请内存后都应该检查返回值是否为0，如果是，则意味着出现了故障，应该采取一些措施挽救，这就增强了程序的“健壮性”。 若应用程序没有检查这个错误，它就会按照“思维惯性”认为这个值是给它分配的可用指针，继续在之后的运行中使用这块内存。真正的0地址内存区保存的是计算机系统中最重要的“中断描述符表”，绝对不允许应用程序使用。在没有保护机制的操作系统下(如DOS)，写数据到这个地址会导致立即死机，而在健壮的操作系统中，如Windows等，这个操作会马上被系统的保护机制捕获，其结果就是由操作系统强行关闭出错的应用程序，以防止其错误扩大。这时候，就会出现上述的“写内存”错误，并指出被引用的内存地址为“0x00000000”。 内存分配失败故障的原因很多，内存不够、系统函数的版本不匹配等都可能有影响。因此，这种分配失败多见于操作系统使用很长时间后，安装了多种应用程序(包括无意中“安装”的病毒程序)，更改了大量的系统参数和系统文件之后。 7、应用程序由于自身BUG引用了不正常的内存指针 在使用动态分配的应用程序中，有时会有这样的情况出现：程序试图读写一块“应该可用”的内存，但不知为什么，这个预料中可用的指针已经失效了。有可能是“忘记了”向操作系统要求分配，也可能是程序自己在某个时候已经注销了这块内存而“没有留意”等等。注销了的内存被系统回收，其访问权已经不属于该应用程序，因此读写操作也同样会触发系统的保护机制，企图“违法”的程序唯一的下场就是被操作终止运行，回收全部资源。计算机世界的法律还是要比人类有效和严厉得多啊！ 像这样的情况都属于程序自身的BUG，你往往可在特定的操作顺序下重现错误。无效指针不一定总是0，因此错误提示中的内存地址也不一定为“0x00000000”，而是其他随机数字。 ---------------------------------------------------------- 如果系统经常有所提到的错误提示，下面的建议可能会有帮助： 1.查看系统中是否有木马或病毒。这类程序为了控制系统往往不负责任地修改系统，从而导致操作系统异常。平常应加强信息安全意识，对来源不明的可执行程序绝不好奇。 2.更新操作系统，让操作系统的安装程序重新拷贝正确版本的系统文件、修正系统参数。有时候操作系统本身也会有BUG，要注意安装官方发行的升级程序。 3.试用新版本的应用程序。 4、删除然后重新创建 Winnt\System32\Wbem\Repository 文件夹中的文件： 在桌面上右击我的电脑，然后单击管理。 在"服务和应用程序"下，单击服务，然后关闭并停止 Windows Management Instrumentation 服务。 删除 Winnt\System32\Wbem\Repository 文件夹中的所有文件。（在删除前请创建这些文件的备份副本。） 打开"服务和应用程序"，单击服务，然后打开并启动 Windows Management Instrumentation 服务。当服务重新启动时，将基于以下注册表项中所提供的信息重新创建这些文件： HKEY_LOCAL_MACHINE\SOFTWARE\Microsoft\WBEM\CIMOM\Autorecover MOFs http://www.55188.com/viewthread.php?tid=627383&fpage=1&highlight= 下面我从几个例子给大家分析： 例一：打开IE浏览器或者没过几分钟就会出现"0x70dcf39f"指令引用的"0x00000000"内存。该内存不能为“read”。要终止程序，请单击“确定”的信息框，单击“确定”后，又出现“发生内部错误，您正在使用的其中一个窗口即将关闭”的信息框，关闭该提示信息后，IE浏览器也被关闭。 解决方法：修复或升级IE浏览器，同时打上补丁。看过其中一个修复方法是，Win2000自升级，也就是Win2000升级到Win2000，其实这种方法也就是把系统还原到系统初始的状态下。比如你的IE升级到了6.0，自升级后，会被IE5.0代替。 例二：在windows xp下双击光盘里面的“AutoRun.exe”文件，显示“0x77f745cc”指令引用的“0x00000078”内存。该内存不能为“written”，要终止程序，请单击“确定”，而在Windows 98里运行却正常。 解决方法：这可能是系统的兼容性问题，winXP的系统，右键“AutoRun.exe”文件，属性，兼容性，把“用兼容模式运行这个程序”项选择上，并选择“Windows 98/Me”。win2000如果打了SP的补丁后，只要开始，运行，输入：regsvr32 c:\winnt\apppatch\slayerui.dll。右键，属性，也会出现兼容性的选项。 例三：RealOne Gold关闭时出现错误，以前一直使用正常，最近却在每次关闭时出现“0xffffffff”指令引用的“0xffffffff”内存。该内存不能为“read” 的提示。 解决方法：当使用的输入法为微软拼音输入法2003，并且隐藏语言栏时（不隐藏时没问题）关闭RealOne就会出现这个问题，因此在关闭RealOne之前可以显示语言栏或者将任意其他输入法作为当前输入法来解决这个问题。 例四：我的豪杰超级解霸自从上网后就不能播放了，每次都提示“0x060692f6”（每次变化）指令引用的“0xff000011”内存不能为“read”，终止程序请按确定。 解决方法：试试重装豪杰超级解霸,如果重装后还会，到官方网站下载相应版本的补丁试试。还不行，只好换就用别的播放器试试了。 例五：双击一个游戏的快捷方式，“0x77f5cd0”指令引用“0xffffffff”内 存，该内存不能为“read” ，并且提示Client.dat程序错误。 解决方法：重装显卡的最新驱动程序，然后下载并且安装DirectX9.0。 例六：一个朋友发信息过来，我的电脑便出现了错误信息:“0x772b548f”指令引用的“0x00303033”内存，该内存不能为“written”,然后QQ自动下线，而再打开QQ，发现了他发过来的十几条的信息。 解决方法：这是对方利用QQ的BUG，发送特殊的代码，做QQ出错，只要打上补丁或升级到最新版本，就没事了。

1.首先，需要找到不需要启用DEP的应用程序的安装位置，在后面添加的时候需要按路径找...2.这样我们就可以看到应用程序的安装位置，如下图我的计算机里OA精灵的安装位置。3.右键单击我的电脑（XP系统）/计算机（win7）/这台电脑（win8），如下图所...

找到不需要启用DEP的应用程序的安装位置，在后面添加的时候需要按路径找到该应用程序。在桌面快捷方式上右键单击，选择“打开文件位置”命令。（如果是XP系统的话，按路径：右键单击快捷方式→属性→快捷方式选项下的查找目标）注意：如果不需要设置不启用DEP的应用程序或服务的话，此步骤可以忽略，而直接从第③步进行设置即可，而在第⑦步中勾选“为除下列程序之外的所有程序和服务启用DEP”后，直接点击“确定”即可，不用添加。而下图中的用OA精灵作为例子，只是讲解找到应用程序安装位置的步骤，在第⑦步中一定不要添加上出现“access violation at address”问题的OA应用程序，否则，此应用程序还是无法执行。右键单击我的电脑（XP系统）/计算机（win7）/这台电脑（win8），如下图所示，选择“属性”命令。在属性界面，选择左侧边栏的“高级系统设置”。单击“高级”选项卡下的“性能”中的“设置”按钮。在性能选项中，勾选“为除下列程序之外的所有程序和服务启用DEP”，如果不需要设置不启用DEP的应用程序或服务的话，直接点击“确定”按钮即可。如果需要设置，点击“添加”按钮按照第①②步中找到的路径添加不需要启用DEP的应用程序。

Access Violation（非法访问），General Protection Fault（一般保护性错误）或者Invalid Page Fault（无效页面错误），虽然说法不一样，但本质上总是由同一种错误引起的。Access Violation常常在计算机用户运行的程序试图存取未被指定使用的存储区时遇到。 Access violadress <> in module <应用程序名f address <> “Access violadress 00000000.Read of adress 00000000．意思是：在地址 00000000 存取违反，禁止对地址00000000的读取 出现access violadress 00000000. read of address 00000000.原因是：没有运行服务端软件，所以客户机会提示"Access violadress 00000000, read of address 0000000"，开启服务端程序或检查网线即可解决。 另外，可能出现这个问题的原因是因为你是在WINRAR的窗口中运行程序，而程序又找不到主要文件引起的。 解决方法：）~~ 尝试用兼容方式运行该程序.右键点击图标——属性——兼容型——选中“以兼容方式运行该程序”——下面的选框中可以选择以95、98、NT4.0或2000模式来运行。推荐选择98试试看。

解决方法：将此应用程序设置为启用DEP。END具体操作首先，需要找到不需要启用DEP的应用程序的安装位置，在后面添加的时候需要按路径找到该应用程序。在桌面快捷方式上右键单击，选择“打开文件位置”命令。（如果是XP系统的话，按路径：右键单击快捷方式→属性→快捷方式选项下的查找目标）注意：如果不需要设置不启用DEP的应用程序或服务的话，此步骤可以忽略，而直接从第③步进行设置即可，而在第⑦步中勾选“为除下列程序之外的所有程序和服务启用DEP”后，直接点击“确定”即可，不用添加。而下图中的用OA精灵作为例子，只是讲解找到应用程序安装位置的步骤，在第⑦步中一定不要添加上出现“access violation at address”问题的OA应用程序，否则，此应用程序还是无法执行。这样我们就可以看到应用程序的安装位置，如下图我的计算机里OA精灵的安装位置。右键单击我的电脑（XP系统）/计算机（win7）/这台电脑（win8），如下图所示，选择“属性”命令。（此处以win8为例，其他系统大同小异）

电脑上有“access violation at address”指的是非法访问，解决步骤如下：1、我们首先需要知道打开应用程序出现access violation at address错误，是应用存取内容没有未被指定使用的存储区问题导致的，需要对应用程序启用DEP，鼠标右键此电脑，选择属性，进去之后，点击高级系统设置。2、进去之后，点击性能的设置。3、在性能设置中，点击数据执行保护。4、进去数据执行保护界面，可以看到默认勾选的是仅为基本windows程序和服务启用DEP。5、勾选“为除为除下列程序之外的所有程序和服务启用DEP”，点击确定之后，就解决了access violation at address错误。

Access Violation（非法访问）， 原句：Access violation at address 00449190 in module 意思是：（非法访问00449190 <十六进制值>应用程序名） Access Violation常常在计算机用户运行的程序试图存取未被指定使用的存储区时遇到。第一个十六进制数oo5919D6是发生Access violation的编译代码（skyvision）的运行期错误的地址。在IDE里选择菜单项“Search|Find Error…”，在对话框里输入错误发生的地址（0043F193）后点击“OK”按钮。Delphi将会重新编译你的工程文件，然后显示发生运行期错误的那一行代码， 遇到Access Violation的一些解决方法可以看这里面：） http://www.wesoho.com/showlog.asp?log_id=1403&cat_id=28

不知道你的是不是这个问题 你可以试试我这个是在网上找到的Access Violation（非法访问），General Protection Fault（一般保护性错误）或者Invalid Page Fault（无效页面错误），虽然说法不一样，但本质上总是由同一种错误引起的。Access Violation常常在计算机用户运行的程序试图存取未被指定使用的存储区时遇到。 Access violation at address <十六进制值> in module <应用程序名> Read of address <十六进制值> “Access violation at address 00000000.Read of adress 00000000．意思是：在地址 00000000 存取违反，禁止对地址00000000的读取 出现access violation at address 00000000. read of address 00000000.原因是：没有运行服务端软件，所以客户机会提示"Access violation at address 00000000, read of address 0000000"，开启服务端程序或检查网线即可解决。 另外，可能出现这个问题的原因是因为你是在WINRAR的窗口中运行程序，而程序又找不到主要文件引起的。 解决方法：）~~ 尝试用兼容方式运行该程序.右键点击图标——属性——兼容型——选中“以兼容方式运行该程序”——下面的选框中可以选择以95、98、NT4.0或2000模式来运行。推荐选择98试试看。估计是跟这个有关系 如果真不行了建议重做系统 也是没有办法的办法 呵呵希望对你有帮助

1.XP系统：点击计算机桌面左下角的“开始”→“运行”，在“运行”界面打开中输入“msconfig”，点击【确定】按钮，弹出“系统配置实用程序”界面，点击“启动”选项卡，再次点击【全部禁用】按钮，勾选启动项目列表中“ctfmon”项前复选框，然后点击【确定】按钮，弹出“系统配置”消息框。2.提示：“你必须重新启动你的计算机以便某些由系统配置所作的更新生效”。首先保存重要文档或退出相关应用程序，再点击【重新启动】按钮重启计算机。3.重新登录系统桌面后会弹出一个“系统配置实用程序已被更改”的消息框，需勾选消息框中“在windows启动时不显示此信息或启动系统配置实用程序”项前复选框，然后点击【确定】按钮，再次登录抵扣联软件即可（如图）。