emmc

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eMMC的技术演进 [什么是eMMC] eMMC全称为embeded MultiMedia Card。eMMC为MMC协会所订立的内嵌式存储器标准规格，主要是针对手机和移动嵌入式产品为主。eMMC是一种嵌入式非易失性存储器系统，由闪存和闪存控制器两部组成。eMMC的一个明显优势是在封装中集成了一个闪存控制器，它采用JEDEC标准BGA封装，并采用统一闪存接口管理闪存。 [eMMC的结构] eMMC 结构由一个嵌入式存储解决方案组成，带有MMC （多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器——所有在一个小型的BGA 封装。同时其接口电压可以是1.8v 或者是3.3v。接口速度高达每秒50MB甚至100MB以上。由于采用标准封装，eMMC也很容易升级，并不用改变硬件结构。 [eMMC的优势] 闪存Flash的制程和技术变化很快，特别是TLC技术和制程下降到20nm阶段后，对Flash的管理是个巨大挑战，使用eMMC产品，主芯片厂商和客户就无需关注Flash内部的制成和产品变化，只要通过eMMC的标准接口来管理闪存就可以了。这样可以大大的降低产品开发的难度和加快产品上市时间。eMMC可以很好的解决对MLC和TLC的管理，ECC除错机制(Error Correcting Code)、区块管理(Block Management)、平均抹写储存区块技术(Wear Leveling)、区块管理（Command Management），低功耗管理等。 　　eMMC核心优点在于生产厂商可节省许多管理NAND Flash芯片的时间，不必关心NAND Flash芯片的制程技术演变和产品更新换代，也不必考虑到底是采用哪家的NAND Flash闪存芯片，如此，eMMC可以加速产品上市的时间，保证产品的稳定性和一致性。 [eMMC技术演进趋势] eMMC规格的标准逐渐从eMMC V4.3发展到V4.4，V4.41，eMMC V4.5也即将问世，据称eMMC下一个时代将会由三星电子(Samsung Electronics)主导的UFS(Universal Flash Storage)规格接棒。但在eMMC使用技术方面，似乎Toshiba和SanDisk技术更胜一筹，后者已经大规模量产TLC技术的eMMC产品。目前最通行的eMMC V4.41在原标准4.3基础上做了很多改进，包括两倍于前代产品的存储器接口性能、灵活的分区管理和完善的安全备选方案，高级终断接口（HPI）等。 eMMC厂商动态 [上游eMMC模块厂] 目前可以提供eMMC内存完整解决方案的主要还集中在闪存芯片原厂。主要供应商有三星电子(Samsung)的moviNAND，闪迪(SanDisk)的iNAND，美光的eMMC等。其设计其实都是大同小异，把NAND Flash芯片和1颗闪存控制芯片包裹在一起，利用eMMC标准接口与处理器(CPU)做沟通。 　　三星除使用自身闪存控制器外，也和台湾擎泰（skymedi）等公司合作，闪迪（SanDisk）则使用自己的控制芯片为主，并且可以支持到TLC的NAND Flash，为业界最先进，其合作伙伴东芝也有投资群联，在技术上合作紧密。美光也找上擎泰和群联合作eMMC产品，将eMMC视为2011年重点攻略产品，美光预计2014年应用端采用eMMC比重将会大幅超越其他解决方案。 　　金士顿对于eMMC也非常上心，与群联成立合资公司专攻eMMC市场，由金士顿负责NAND Flash芯片采购、后段营销、业务，力成负责封装测试、群联供应NAND Flash控制芯片和技术服务等。据金士顿表示，eMMC使用的NAND Flash芯片单月已达200万颗，预计第3季NAND Flash芯片消耗量上看250万颗 。 　　国内闪存大厂江波龙电子（Netcom）也于2011年8月初与三星和慧荣（SMI）联合召开新产品发布会，正式发布了其2-64GB全系列eMMC产品，主要针对手机和平板，工业等嵌入式存储市场。随着eMMC市场的快速发展，相信还会有更多供应厂商加入进来。 [eMMC拷贝机厂商] 面对大容量的eMMC，用老式的闪存卡拷贝机已经不能很好的满足emmc卡快速、稳定的拷贝需求及检验需求，目前市场上出现了专门拷贝eMMC卡的拷贝机，可以达到一拖八、一拖十六的水平。国内IC烧录行业的领头羊浦洛电子刚推出的PRO808 eMMC卡拷贝机是为满足eMMC/SD卡内容复制和校验的生产需求而设计的。PRO808具备高性能，独立操作的eMMC/SD卡槽设计，单母口和8个目标槽，支持主流多种样式的eMMC/SD卡。PRO808 提供分区（ Partition）, 自动（Auto）, 镜像（Mirror）, 文件（File）和用户定义(User)模式的拷贝与校验操作，适合各种应用场合。 [eMMC使用厂商] 目前针对全球主要手机大厂如诺基亚(Nokia)、三星电子(Samsung Electronics)、摩托罗拉(Motorola)、黑莓（RIM）和乐金电子(LG Electronics)等均已在智能手机或者3G手机等高端产品全面采用eMMC产品。对于苹果（Apple），其ipad，iphone等产品使用的16GB，32GB等高容量存储，其实规格上也和eMMC类似，内部采用苹果自己的闪存控制器，外加闪存BGA封装片。其后继产品也很有可能直接用eMMC芯片。由于高端智能手机使用eMMC的容量至少在8GB以上，主流16GB，32GB容量更是对市场需求的拉动非常巨大。2011年第一季度，更是一度传出eMMC缺货或供不应求的新闻。 eMMC市场发展趋势 [eMMC的市场应用] 在手机市场，从2009年开始，智能型手机内嵌风潮涌起，到2011年智能型手机需求仍然持续发烧，随着智能手机的普及，eMMC的使用将更加广泛。目前已经支持eMMC的手机芯片如高通的3G平台7000,8000系列，nVidia tegra2，Freescale iMAX，Marvell，TI OMAP等高端平台均已全面支持eMMC技术。 　　除了手机市场，eMMC也开始广泛渗透入更多的嵌入式应用领域，特别是那些对闪存性能要求较高，使用环境复杂的领域。 　　在MID，eBook等市场，由于高端平台采用的也是多媒体AP架构，因此采用Freescale，Marvell，nVidia，Telechips，Samsung等平台的部分MID高端客户已经开始设计或在使用eMMC产品。eMMC也有逐渐渗透中低端平板电脑市场的趋势，而其高端市场，则依然被SSD等占领。 　　在游戏机领域，任天堂和Sony已经全面采用eMMC产品，而在卫星定位系统领域，Garmin的很多产品也已经开始支持eMMC。 　　车载前装后装市场也在快速成长，包括卫星导航系统、无线电卫星广播、汽车音响、DVD影音系统、语音识别、远端资讯处理和多媒体系统等都将成为汽车的标准配备，因而带动记忆体解决方案的需求不断提升。车载市场对温度的要求也很严格，很多需要支持-40°C~+85°C的温度范围，eMMC都能很好的支持。此外由于体积很小，eMMC有很好的抗震性能，功耗很低，在成本不是特别敏感的情况下，eMMC和SSD产品正在车载行业迅速取代传统的机械式硬盘市场。 [eMMC市场的未来发展] 　　据iSuppli公司，2010年用于手机的嵌入式多媒体卡(eMMC) NAND闪存已出现爆炸性增长，预计出货量增长224%。iSuppli曾预测，2010年eMMC出货量将增长到7000万个，占总体NAND闪存出货量的10%。未来五年将继续强劲增长，保持86.4%的复合年度增长率。到2014年，eMMC出货量将达到4.8亿个，占总体NAND闪存出货量的40%左右。这个预测如今看来，可能过于乐观了，但eMMC的增长速度无疑是非常迅速的。 　　酒香不怕巷子深，其实eMMC的推广已经有些年头，近3,4年在消费类市场，则往往是雷声大，雨点小。真正使用的厂商还是以手机等国际一线大厂为主。之所以如此，除了eMMC技术还在逐步完善外，更重要的是其价格与传统的闪存卡或者闪存芯片的价格还有不小的差距。这些都阻碍了其在大众消费类电子领域的迅速普及。 　　但今非昔比，随着eMMC控制器厂商越来越多，技术支持也越来越成熟，而经过几年的历练，eMMC大厂如三星（Samsung），闪迪（Sandisk），美光（Micron）等eMMC生产的良率都大为改善。eMMC市场是否可以厚积薄发，则主要取决于这些核心上游厂商的产品报价和技术支持的力度。 　　随着电子产品核心芯片功能的日益加强，所以电子设备都有走向“智能化”的趋势，在电子产品“智能化”普及的大趋势下，eMMC作为闪存产品中质量最优异的家族成员，必将发挥更大的作用。在现阶段USB3.0由于主机Host端还没有全面支持，SSD由于尺寸原因，在小型化的电子产品中还无法使用的情况下，eMMC是否能够肩负起闪存市场救市的最后一棵稻草？让我们拭目以待。

UFS和eMMC两种闪存之间的区别。 我们所说的eMMC，全称为“embedded Multi Media Card”，即嵌入式的多媒体存储卡。对于eMMC，我们其实可以按照它名字的字面意思进行理解，实际上就是将Flash存储器和控制芯片封装到了一起。eMMC的起源要比UFS更早。早在2011年，Plam Pre等手机产品就已经用上eMMC了。 作为我们能够接触到的集成度最高的电子设备，手机对闪存的应用几乎每年都会迎来一个升级，2014年之前的设备都会才会用低于eMMC4.5的闪存芯片，2013年7月，三星正式量产了eMMC5.0闪存之后，次年手机闪存进入到了eMMC5.0时代。直到2015年末，所有的手机设备仍采用eMMC5.1之类的eMMC芯片。 而从去年开始，随着UFS2.0实现量产以及手机处理器逐渐加入对UFS2.0的支持，主流的旗舰手机都开始转投UFS2.0闪存。而今年，UFS2.1也开始出现在一众的旗舰手机当中，成了一种新的潮流。 这里需要提一下，事实上，UFS2.0的前身UFS1.0标准在2011年就已经制定完成，不过由于UFS1.0相较于eMMC并没有实质上的优势，所以并没有得到大规模的使用。而如今的UFS2.0，理论带宽已经可以达到1.5GB/s，理论上比eMMC5.1的两倍还要快。 除了速度之外，UFS2.0还支持全双工运行，可以实现串行读写，也就是在读取的时候仍然可以写入；而半双工的eMMC则只能并行读写，想要读取就无法进行写入操作。 如果把UFS2.0和eMMC5.1比作车道的话，eMMC就是单向车道，车辆只能朝一个方向行驶，逆向车辆必须等待正在行驶的车辆全部跑完才能上路。而UFS不仅是双向车道，道路的宽度也比eMMC宽不止一倍，这样带来的效率提升可想而知。

下载androbench 闪存测试工具：运行一下androbench就知道了，如果读取速度在200MB/S左右就是EMMC5.1，如果读取速度在600MB/S以上就是ufs2.0。800左右是ufs 2.1。举例：

eMMC是IC芯片；MMC是一个接口协定（一种卡式），能符合这接口的内存器都可称作mmc储存体（mmc卡）。简单的说eMMC是MMC卡的IC芯片（但不一定是，一般mmc卡独有的包装方式会不同于emmc)。NAND Flash 是一种存储介质，要在上面读写数据，外部要加主控和电路设计。eMMC是NAND flash+主控IC ，对外的接口协议与SD、TF卡类似；对厂家而言简化了电路设计，降低了成本。使用emmc的好处是，除了得到大容量的空间（这一点，只用NAND FLASH多堆叠也可以做到），还有就是emmc可以管理NAND （坏块处理，ECC)等。

说道NAND flash，首先提一下发明时间比较早的Nor-flash，Nor-flash相对于Nand-flash的特点是提供地址和数据引脚，可以像内存一样进行数据访问。 两种flash的主要差别： 从上图的比较可以看出，nand可以做更大的容量，同时擦写速度高于nor,随着nand的可靠性增加，越来越大的容量，后面的flash存储都是以nand为主。Nor-flash由于可以像内存一样读，可以将相关地址映射到CPU的地址空间进行XIP，由于物理特性Nor-flash存储程序比nand-flash更可靠，所以早期的嵌入式设备大部分使用Nor-flash作为程序存储和执行开启点。 从外部引脚看，主要差异emmc使用并行接口，ufs使用高效的串行接口，并且可以同时支持读和写。 从两者的读写速度看，ufs更快。 由于nand flash的特点，块擦写，page读，有循环回收算法，因此早期的nand flash驱动上面有MTD层，向上提供的是raw flash不带flash管理的，因此在上面挂在的文件系统需要进行坏块管理以及循环使用算法等，比较常见的有yaffs2 jffs2 ubifs等。 FTL原名“Flash Translation Layer”，工作在nand-flash和文件系统中间，模拟nand-flash为普通的块设备，文件系统挂在同硬盘一样，无需担心底层是什么硬件介质。因此，对于FTL一般集成了坏块管理，动态均衡算法，线性地址映射等算法。FTL一般作为software运行在cpu侧，随着mmc emmc ufs SD等标准的出现，硬件存储设备集成FTL算法，因此操作系统可以直接挂在ext4 ext3 FAT32等PC的文件系统。 像ext3 ext4 fat32等是给硬盘设计的文件系统，对flash的特性没有考虑。f2fs就是基于给nand-flash特性设计的，减少ftl的负担，对于nand-falsh来说优先选择。

影响手机速度的因素有很多，而闪存则是其中之一，不同规格的闪存之间有着倍数的差距。例如普通手机使用的eMMC 5.1和旗舰手机使用的UFS 2.1差距就非常大。1.某位开发者在PlayStore上传了这个容量非常小但很实用的app，利用这个app我们能够快速地查询自己手机的闪存类型究竟是eMMC的还是UFS的。2.软件AndroBench，开启软件后点击Run All Benchmarks，然后Yes，等待一分钟左右测试（可能时间更长）。再点击Submit，即可查看写入与读取成绩，当然还有其他测试成绩，这里以读取以写入为主。一般来说，若是速度超过600MB/s，应该就是顶级的UFS 。eMMC：网页链接eMMC (Embedded Multi Media Card)是MMC协会订立、主要针对手机或平板电脑等产品的内嵌式存储器标准规格。eMMC在封装中集成了一个控制器，提供标准接口并管理闪存，使得手机厂商就能专注于产品开发的其它部分，并缩短向市场推出产品的时间。UFS：网页链接UFS是UNIX文件系统的简称，它来源于4.3Tahoe发行版中提供的BSD Fat Fast File System（FFS）系统，属于FFS的演化版本。UFS几乎是大部分UNIX类操作系统默认的基于磁盘的文件系统，包括Solaris、Free BSD、Open BSD、Net BSD、HP-UX等，甚至Apple的OS X也能支持UFS文件系统。

　　关系为：它们都是单片机系统的存储器　　　　区别主要是他们的用途不同：现在的单片机,RAM主要是做运行时数据存储器,FLASH主要是程序存储器,EEPROM主要是用以在程序运行保存一些需要掉电不丢失的数据.　　详细介绍：　　1、RAM-RamdomAccessMemory易挥发性随机存取存储器，高速存取，读写时间相等，且与地址无关，如计算机内存等。 　　2、ROM-Read Only Memory只读存储器。断电后信息不丢失，如计算机启动用的BIOS芯片。存取速度很低，（较RAM而言）且不能改写。由于不能改写信息，不能升级，现已很少使用。　　3、EEPROM（带电可擦写可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器EEPROM（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。　　4、Flash存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用（U盘）。

NAND闪存是一种比硬盘驱动器更好的存储设备，在不超过4GB的低容量应用中表现得犹为明显。NAND闪存是一种非易失性存储技术，即断电后仍能保存数据。它的发展目标就是降低每比特存储成本、提高存储容量。 NAND闪存卡的读取速度远大于写入速度 emmc设备上有一个控制器，和嵌入设备的host控制使用emmc协议交互。对于host设备来说，只需了解emmc协议就能驱动emmc进行读写。emmc上的控制器负责具体的对memrory的管理。对于嵌入式设备厂商来说轻松很多。因为不需要了解各个nand产品的不同了。 DDR内存全称是DDR SDRAM(Double Data Rate SDRAM，双倍速率SDRAM)。 前两者是非易失性存储器，即为ROM，DDR属于易失性存储器，即为RAM。

大家都知道决定U盘产品性能最重要的组件就是主控芯片和闪存芯片，在这一点上USB2.0和USB3.0时代都是一样的，而现在主流的方案都是U盘主控加上NAND Flash闪存，主控负责对NAND Flash进行管理，由于NAND Flash器件自身的特性，其每个存储单元的使用寿命是有限的，也就是我们常说的可擦写次数（也叫PE周期），NAND Flash随着其工艺水平的不断演进（40nm->30nm->20nm->1xnm）和闪存类型的变化（SLC->MLC->TLC），其成本是在不断降低的，而PE周期是在持续下降的。所以一方面主控需要使用各种软件算法对NAND Flash进行损耗均衡、垃圾回收、地址映射等操作以提高其使用寿命，另一方面主控内部也包含了用于错误纠正的硬件（ECC），可以自动纠正传输和储存中所产生的错误，这种ECC的能力越强，主控所能支持的闪存工艺和类型越新，U盘的使用寿命就越长。　　我们今天评测的威宝USB3.0高速U盘采用了一种完全创新的架构，其使用了来自天津瑞发科半导体公司的NS1081主控芯片，NS1081主控芯片不同于传统的NAND Flash主控芯片，其可以支持多个eMMC存储芯片并以RAID0的方式进行操作，这样存储容量和读写性能都达到了加倍的效果，充分利用了USB3.0接口的带宽。　　说到这里不得不给大家普及一下关于eMMC的知识，eMMC全称Embedded Multi Media Card（嵌入式多媒体卡），是由JEDEC标准化组织所制定的一种内嵌式存储器标准规格，带有MMC（多媒体卡）接口、快闪存储器设备及主控制器，所有这些组件都在一个小型的BGA 封装内，其版本历经了4.3->4.41->4.51->5.0，每一代的接口速度都有所提高，最常见的4.41和4.51版本接口带宽分别为100MB/s和200MB/s，同时其接口电压可以是1.8V或3.3V。eMMC最初推出的目的是为了简化手机存储器的设计，一方面由于NAND Flash芯片由不同厂商生产制造，使用时需要根据每家公司产品的技术特性来重新设计主控制器，过去并没有技术能够通用所有厂商的NAND Flash芯片。另一方面每次NAND Flash工艺技术改朝换代，包括70nm演进至50nm，再演进至40nm或30nm制程技术，手机客户也都要重新设计，但半导体产品每年制程技术都会推陈出新，存储器问题也拖累手机新机种推出的速度，因此像eMMC这种把NAND Flash存储芯片和控制芯片都包在一颗芯片里的概念，逐渐在市场中流行开来。eMMC的推出大大加速了产品研发速度，手机客户只需要采购eMMC芯片，放进新手机中，不需处理其它繁杂的NAND Flash兼容性和管理问题，最大优点是缩短新产品的上市周期和研发成本，加速产品更新换代速度。　　国际上生产NAND Flash存储芯片的主要厂商包括英特尔、三星、东芝、闪迪、镁光、海力士等，其最高等级的NAND Flash芯片主要供企业级SSD产品和军工产品使用，下一个等级的NAND Flash芯片供eMMC/eMCP产品和消费级SSD产品使用，较差等级的NAND Flash则供Micro-SD存储卡和USB Flash Drive产品使用。从NAND Flash品质上看，eMMC的性能是接近SSD产品的，某些eMMC内部还集成了Cache模块，这样就大大提高了eMMC的随机读写性能，eMMC芯片所包含的主控芯片大部分由NAND Flash原厂开发，可以最大程度发挥其自家器件的性能，而U盘主控芯片通常由独立控制器芯片厂商进行开发，需要考虑不同生产厂商、不同工艺制程、不同闪存类型器件兼容性问题，通常无法最大程度发挥NAND Flash芯片的性能。NAND Flash U盘主控芯片的这种劣势在USB2.0时代并不明显，因为对产品性能的要求不高，进入USB3.0时代后这种劣势就越发凸显　　采用NS1081 USB3.0读卡器主控芯片加eMMC存储芯片的架构可以大大简化U盘主控芯片的设计复杂度并提供稳定高速的性能，由于生产eMMC芯片的厂商都是NAND Flash供货大厂，如三星、镁光、闪迪、海力士等，产品都是几大原厂给智能手机和平板电脑供货的高端产品，其品质和性能都是出类拔萃的，受惠于近年来智能手机和平板电脑出货量的爆发，存储器生产厂商都加大了eMMC产量，拥有很充足的货源保证，且eMMC容量和性能在逐步提高，成本在不断下降。　　在USB2.0时代也曾出现过采用读卡器方案的U盘产品，即用一颗读卡器主控芯片加一颗eMMC或tf卡做成的U盘，但这种方案不具备容量和性能的可扩展性，U盘的性能被限制在一颗eMMC或tf卡的容量和性能，甚至被限制在USB2.0接口的性能。NS1081主控芯片的推出则完全解决了这一问题，其USB3.0接口使主机端不再成为性能的瓶颈，同时其创新性的闪存卡RAID0操作方式，可以给客户提供最大的设计灵活性，U盘生产厂商可以根据目标市场的需求和拥有的eMMC资源来决定U盘最终的设计方案，由于NS1081支持4通道4bit或者双通道8bit闪存卡速度和容量叠加，使客户可以非常灵活的利用手中资源以满足不同目标市场对于U盘容量和性能的要求。　　后记　　在我们的评测中，这款威宝USB3.0高速U盘具有非常不俗的性能，完全达到了中高端USB3.0 U盘的级别，这主要归功于其采用的NS1081主控芯片。　　这颗NS1081主控芯片由天津瑞发科半导体公司设计，这是一家在U盘主控领域的新公司，笔者处于好奇，在百度上搜索了一下，其公司主页上有如下信息“天津瑞发科半导体技术有限公司成立于2009年，由多名归国硅谷半导体技术专家和本土资深半导体营销行家创立，在发展过程中获得了君联资本（原联想投资）、赛富投资基金、联想之星等全球著名产业风险投资基金支持。公司位于天津华苑高新区，并在深圳设有销售和客户支持办公室。”看来这是一家初创不久的芯片设计公司，但投资者却是业内知名的土豪级大VC。除了NS1081 USB3.0 U盘主控芯片外，其产品还包括NS1066/NS1066X和NS1068/NS1068X USB3.0-SATA2/3 桥接控制器芯片，公司的每一款USB3.0芯片都通过了USB-IF官方认证和微软WHQL认证（早在2013年初就拿到了第一个认证，并且目前在大陆半导体公司中还是唯一一家），其USB3.0芯片都已在联想、东芝等品牌大厂量产了。这还真是一个名不见经传的设计公司，行事风格很低调，但其产品和客户却并不低端。　　如前文所述，基于eMMC存储芯片的USB3.0 U盘可以说是U盘中的高大上产品，因其采用的eMMC芯片和其中的NAND Flash芯片均由国际知名大厂生产，性能出众，而在国内这种eMMC芯片资源则掌握在如江波龙（Netcom）、佰维（Biwin）等少数一线模组存储大厂的手中，不过其产品则以外销品牌如威宝（Verbatim）等为主，在国内市场刚刚开始出现，对于终端用户还有一个认识接受的过程。　　其它　　从上文的性能评测中我们可以看到，基于eMMC存储芯片的USB3.0 U盘相较于普通基于NAND Flash芯片的USB3.0 U盘的一个重要优势是其4K随机访问速度明显更快，利用这一特点，U盘玩家可以使用基于eMMC存储芯片的USB3.0 U盘来制作win to go。所谓win to go就是可以在U盘上运行的Windows8系统，并且可以在不同的电脑硬件上运行，相当于用户能够随身携带自己的专属系统到其他的PC上进行工作，这个功能在当今办公移动化、系统个性化和用户数据安全化的大背景下越来越受到欢迎。由于win to go使用的是U盘作为存储媒介，所以性能瓶颈是在U盘的读写速度上，win to go应用强烈建议使用 USB3.0 的设备，并且对U盘的随机访问性能有较高的要求，否则当数据传输速率较大时画面可能会出现停滞和卡机的现象，从而影响用户体验。