二极管

连接示波仪，你会看到二极管的导通过程。

符号好像是D，diode

常规参数：正向压降、反向击穿电压、连续电流、反向漏电等；交流参数有：开关速度、存贮时间、截止频率、阻抗、结电容等；极限参数有：最大耗散功率、工作温度、存贮条件、最大整流电流等。因二极管的种类繁多，不同的二极管有不同的参数。对此，可参考一些专业模拟电子类的书籍。

图六是恒流二极管

二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断 （称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。早期的真空电子二极管；它是一种能够单向传导电流的电子器件。在半导体二极管内部有一个PN结两个引线端子，这种电子器件按照外加电压的方向，具备单向电流的传导性。一般来讲，晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体烧结形成的p-n结界面。在其界面的两侧形成空间电荷层，构成自建电场。当外加电压等于零时，由于p-n 结两边载流子的浓度差引起扩散电流和由自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态，这也是常态下的二极管特性。早期的二极管包含“猫须晶体（"Cat"s Whisker" Crystals）”以及真空管(英国称为“热游离阀（Thermionic Valves）”)。现今最普遍的二极管大多是使用半导体材料如硅或锗。参数符号CT---势垒电容Cj---结（极间）电容， ；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容

二极管部分参数符号：CT---势垒电容Cj---结（极间）电容， ；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比F---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IH---恒定电流、维持电流。Ii--- ；发光二极管起辉电流Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流Ⅳ---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp---反向恢复电流IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流扩展资料：关系：二极管的正负二个端子。正端A称为阳极，负端K ；称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半"是一半的‘半"；而二极管也是只有一‘半"电流流动（这是错误的），所有二极管就是半导体 ；”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。参考资料：二极管--百度百科

31B MMHZ5231BPT131A AAT60131AA7 BAV99供参考，专业查询代码

正向导通电压，锗二极管是0.2~0.3V，普通硅二极管是0.5~0.7V，硅整流管是1~1.2V，肖特基二极管大约是0.3V~1V。

稳压二极管BZT52C16 印字就是这个他是0.5W 16V SOD-123 稳压二极管

汇编是我心中永远的痛啊！可以给一个C的，不过这只是大概的框架，细节问题在没有在实际中用是很难发现的！#include<reg52.h> #define uchar unsigned char#define uint unsigned intsbit p10=P1^0; //定义端口，p10控制四个LED闪烁uchar secshi=0,secge=0,minshi=0,minge=0,hourshi=0,hourge=0;uint num=0,sec=0,min=0,hour=0;uint time=5000;unsigned char code LEDBUF[10]={0x3f,0x06,0x5b,0x4f,0x66,0x6d,0x7d,0x07,0x7f,0x6f}; //定义数码管显示的0-9的代码void delay(unsigned int z){ //延时程序 unsigned int x,y; for(x=z;x>0;x--) for(y=110;y>0;y--);//如果是12MHz晶振，就是110us对应z=1 } void display();void main(){TMOD=0x02;//T0定时器，模式2定时，8位定时 TH0=55; //定时1S的数据设置，定时200个机器周期后中断一次,0.2ms TL0=55; EA=1;ET0=1;TR0=1;//开启总中断，允许T0中断，开启T0中断 while(1) {display();//显示时间 } }void time0() interrupt 1 {num++;//T0中断服务程序，定时中断一次后num加一 time --; If(time <=2500) { P10=0;} else { p10=1;} If(!time) {time=5000; sec++; if(sec==60) {sec=0; min++;//到60s,min加一，sec清零 if(min==60) {min=0; hour++;//到60分，hour加一，分清零 if(hour==24) {hour=0; min=0;//到24小时则所有时间清零，新的一天从零时开始计时 sec=0; } } } }}void display()secge=sec%10;//秒的个位，秒除以10的余数 secshi=sec/10;//十位，秒整除10的商 minge=min%10; minshi=min/10; hourge=hour%10; hourshi=hour/10; P2=0xfe;//1111 1110，0选通一位数码管， P0= LEDBUF [secge];//送秒的各位显示 delay(5);//延时一会儿 P2=0xfd;//选通下一位数码管，1111 1101 P0= LEDBUF [secshi];//送秒的十位显示 delay(5); P2=0xfb;//1111 1011，选通再下一位 P0=0x40;//显示分与秒之间的那个点 delay(5); P2=0xf7;//1111 0111，再下一位 P0= LEDBUF [minge];//分的个位 delay(5); P2=0xef;//1110 1111 P0= LEDBUF [minshi];//分的十位 delay(5); P2=0xdf;//1101 1111 P0=0x40;//分与时间的点 delay(5); P2=0xbf;//1011 1111 P0= LEDBUF [hourge];//小时的个位 delay(5); P2=0x7f;//0111 1111 P0= LEDBUF [hourshi];//小时的十位 delay(5);}

半导体二极管参数符号及其意义　　CT---势垒电容　　Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容　　Cjv---偏压结电容　　Co---零偏压电容　　Cjo---零偏压结电容　　Cjo/Cjn---结电容变化　　Cs---管壳电容或封装电容　　Ct---总电容　　CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比　　CTC---电容温度系数　　Cvn---标称电容　　IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 　　IF（AV）---正向平均电流　　IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。　　IH---恒定电流、维持电流。　　Ii--- 发光二极管起辉电流　　IFRM---正向重复峰值电流　　IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）　　Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流　　IF(ov)---正向过载电流 　　IL---光电流或稳流二极管极限电流　　ID---暗电流　　IB2---单结晶体管中的基极调制电流　　IEM---发射极峰值电流　　IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流　　IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流　　ICM---最大输出平均电流　　IFMP---正向脉冲电流　　IP---峰点电流　　IV---谷点电流　　IGT---晶闸管控制极触发电流　　IGD---晶闸管控制极不触发电流　　IGFM---控制极正向峰值电流　　IR（AV）---反向平均电流　　IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。　　IRM---反向峰值电流　　IRR---晶闸管反向重复平均电流　　IDR---晶闸管断态平均重复电流　　IRRM---反向重复峰值电流　　IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）　　Irp---反向恢复电流　　Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流　　Izk---稳压管膝点电流　　IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流　　IZSM---稳压二极管浪涌电流　　IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流　　iF---正向总瞬时电流　　iR---反向总瞬时电流　　ir---反向恢复电流　　Iop---工作电流　　Is---稳流二极管稳定电流　　f---频率　　n---电容变化指数；电容比　　Q---优值（品质因素）　　δvz---稳压管电压漂移　　di/dt---通态电流临界上升率　　dv/dt---通态电压临界上升率　　PB---承受脉冲烧毁功率　　PFT（AV）---正向导通平均耗散功率　　PFTM---正向峰值耗散功率　　PFT---正向导通总瞬时耗散功率　　Pd---耗散功率　　PG---门极平均功率　　PGM---门极峰值功率　　PC---控制极平均功率或集电极耗散功率　　Pi---输入功率　　PK---最大开关功率　　PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率　　PMP---最大漏过脉冲功率　　PMS---最大承受脉冲功率　　Po---输出功率　　PR---反向浪涌功率　　Ptot---总耗散功率　　Pomax---最大输出功率　　Psc---连续输出功率　　PSM---不重复浪涌功率　　PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率　　RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻　　RBB---双基极晶体管的基极间电阻　　RE---射频电阻　　RL---负载电阻　　Rs(rs)----串联电阻　　Rth----热阻　　R(th)ja----结到环境的热阻　　Rz(ru)---动态电阻　　R(th)jc---结到壳的热阻　　r δ---衰减电阻　　r(th)---瞬态电阻　　Ta---环境温度　　Tc---壳温　　td---延迟时间　　tf---下降时间　　tfr---正向恢复时间　　tg---电路换向关断时间　　tgt---门极控制极开通时间　　Tj---结温　　Tjm---最高结温　　ton---开通时间　　toff---关断时间　　tr---上升时间　　trr---反向恢复时间　　ts---存储时间　　tstg---温度补偿二极管的贮成温度　　a---温度系数　　λp---发光峰值波长　　△ λ---光谱半宽度　　η---单结晶体管分压比或效率　　VB---反向峰值击穿电压　　Vc---整流输入电压　　VB2B1---基极间电压　　VBE10---发射极与第一基极反向电压　　VEB---饱和压降　　VFM---最大正向压降（正向峰值电压）　　VF---正向压降（正向直流电压）　　△VF---正向压降差　　VDRM---断态重复峰值电压　　VGT---门极触发电压　　VGD---门极不触发电压　　VGFM---门极正向峰值电压　　VGRM---门极反向峰值电压　　VF（AV）---正向平均电压　　Vo---交流输入电压　　VOM---最大输出平均电压　　Vop---工作电压　　Vn---中心电压　　Vp---峰点电压　　VR---反向工作电压（反向直流电压）　　VRM---反向峰值电压（最高测试电压）　　V（BR）---击穿电压　　Vth---阀电压（门限电压）　　VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）　　VRWM---反向工作峰值电压　　V v---谷点电压　　Vz---稳定电压　　△Vz---稳压范围电压增量　　Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压　　av---电压温度系数　　Vk---膝点电压（稳流二极管）　　VL ---极限电压 没你说的啊................是不是打错了

IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。其余参数的符号也一并给出吧半导体二极管参数符号及其意义 CT---势垒电容Cj---结（极间）电容， 表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流 IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH---恒定电流、维持电流。Ii--- 发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流 IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流IV---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流IR（In）---反向直流电流（反向漏电流）。在测反向特性时，给定的反向电流；硅堆在正弦半波电阻性负载电路中，加反向电压规定值时，所通过的电流；硅开关二极管两端加反向工作电压VR时所通过的电流；稳压二极管在反向电压下，产生的漏电流；整流管在正弦半波最高反向工作电压下的漏电流。IRM---反向峰值电流IRR---晶闸管反向重复平均电流IDR---晶闸管断态平均重复电流IRRM---反向重复峰值电流IRSM---反向不重复峰值电流（反向浪涌电流）Irp---反向恢复电流Iz---稳定电压电流（反向测试电流）。测试反向电参数时，给定的反向电流Izk---稳压管膝点电流IOM---最大正向（整流）电流。在规定条件下，能承受的正向最大瞬时电流；在电阻性负荷的正弦半波整流电路中允许连续通过锗检波二极管的最大工作电流IZSM---稳压二极管浪涌电流IZM---最大稳压电流。在最大耗散功率下稳压二极管允许通过的电流iF---正向总瞬时电流iR---反向总瞬时电流ir---反向恢复电流Iop---工作电流Is---稳流二极管稳定电流f---频率n---电容变化指数；电容比Q---优值（品质因素）δvz---稳压管电压漂移di/dt---通态电流临界上升率dv/dt---通态电压临界上升率PB---承受脉冲烧毁功率PFT（AV）---正向导通平均耗散功率PFTM---正向峰值耗散功率PFT---正向导通总瞬时耗散功率Pd---耗散功率PG---门极平均功率PGM---门极峰值功率PC---控制极平均功率或集电极耗散功率Pi---输入功率PK---最大开关功率PM---额定功率。硅二极管结温不高于150度所能承受的最大功率PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率PZM---最大耗散功率。在给定使用条件下，稳压二极管允许承受的最大功率RF（r）---正向微分电阻。在正向导通时，电流随电压指数的增加，呈现明显的非线性特性。在某一正向电压下，电压增加微小量△V，正向电流相应增加△I，则△V/△I称微分电阻RBB---双基极晶体管的基极间电阻RE---射频电阻RL---负载电阻Rs(rs)----串联电阻Rth----热阻R(th)ja----结到环境的热阻Rz(ru)---动态电阻R(th)jc---结到壳的热阻r δ---衰减电阻r(th)---瞬态电阻Ta---环境温度Tc---壳温td---延迟时间tf---下降时间tfr---正向恢复时间tg---电路换向关断时间tgt---门极控制极开通时间Tj---结温Tjm---最高结温ton---开通时间toff---关断时间tr---上升时间trr---反向恢复时间ts---存储时间tstg---温度补偿二极管的贮成温度a---温度系数λp---发光峰值波长△ λ---光谱半宽度η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压VF（AV）---正向平均电压Vo---交流输入电压VOM---最大输出平均电压Vop---工作电压Vn---中心电压Vp---峰点电压VR---反向工作电压（反向直流电压）VRM---反向峰值电压（最高测试电压）V（BR）---击穿电压Vth---阀电压（门限电压）VRRM---反向重复峰值电压（反向浪涌电压）VRWM---反向工作峰值电压V v---谷点电压Vz---稳定电压△Vz---稳压范围电压增量Vs---通向电压（信号电压）或稳流管稳定电流电压av---电压温度系数Vk---膝点电压（稳流二极管）VL ---极限电压

很专业，期待高手解答了

05Z6.2Y硅稳压二极管V z=6 ~ 6.35V,P zm=500mW。05Z7.5Y硅稳压二极管V z=7.34 ~7.70V,P zm=500mW。05Z13X硅稳压二极管V z=12.4 ~13.1V,P zm=500mW。05Z15Y硅稳压二极管V z=14.4 ~15.15V,P zm=500mW。05Z18Y硅稳压二极管V z=17.55 ~18.45V,P zm=500mW。1N4001硅整流二极管50V,1A。(I r=5uA,V f=1V,I fs=50A1N4002硅整流二极管100V,1A。1N4003硅整流二极管200V,1A。1N4004硅整流二极管400V,1A。1N4005硅整流二极管600V,1A。1N4006硅整流二极管800V,1A。1N4007硅整流二极管1000V,1A。1N4148开关二极管75V,150 mA,I r=25nA,Vf=1V。1N5391硅整流二极管50V,1.5A。(I r=10uA,Vf=1.4V,I fs=50A 1N5392硅整流二极管100V,1.5A,1N5393硅整流二极管200V,1.5A。1N5394硅整流二极管300V,1.5A。1N5395硅整流二极管400V,1.5A。1N5396硅整流二极管500V,1.5A。1N5397硅整流二极管600V,1.5A。1N5398硅整流二极管800V,1.5A。1N5399硅整流二极管1000V,1.5A。1N5400硅整流二极管50V,3A。(I r=5uA,V f=1V,f s=150A 1N5401硅整流二极管100V,3A。1N5402硅整流二极管200V,3A。1N5403硅整流二极管300V,3A。1N5404硅整流二极管400V,3A。1N5405硅整流二极管500V,3A。1N5406硅整流二极管600V,3A。1N5407硅整流二极管800V,3A。1N5408硅整流二极管1000V,3A。

常规参数：正向压降、反向击穿电压、连续电流、反向漏电等；交流参数有：开关速度、存贮时间、截止频率、阻抗、结电容等；极限参数有：最大耗散功率、工作温度、存贮条件、最大整流电流等。因二极管的种类繁多，不同的二极管有不同的参数。对此，可参考一些专业模拟电子类的书籍。

二极管参数符号：CT---势垒电容Cj---结（极间）电容， ；表示在二极管两端加规定偏压下，锗检波二极管的总电容Cjv---偏压结电容Co---零偏压电容Cjo---零偏压结电容Cjo/Cjn---结电容变化Cs---管壳电容或封装电容Ct---总电容CTV---电压温度系数。在测试电流下，稳定电压的相对变化与环境温度的绝对变化之比CTC---电容温度系数Cvn---标称电容IF---正向直流电流（正向测试电流）。锗检波二极管在规定的正向电压VF下，通过极间的电流；硅整流管、硅堆在规定的使用条件下，在正弦半波中允许连续通过的最大工作电流（平均值），硅开关二极管在额定功率下允许通过的最大正向直流电流；测稳压二极管正向电参数时给定的电流IF（AV）---正向平均电流IFM（IM）---正向峰值电流（正向最大电流）。在额定功率下，允许通过二极管的最大正向脉冲电流。发光二极管极限电流。IH---恒定电流、维持电流。Ii--- ；发光二极管起辉电流IFRM---正向重复峰值电流IFSM---正向不重复峰值电流（浪涌电流）Io---整流电流。在特定线路中规定频率和规定电压条件下所通过的工作电流IF(ov)---正向过载电流IL---光电流或稳流二极管极限电流ID---暗电流IB2---单结晶体管中的基极调制电流IEM---发射极峰值电流IEB10---双基极单结晶体管中发射极与第一基极间反向电流IEB20---双基极单结晶体管中发射极向电流ICM---最大输出平均电流IFMP---正向脉冲电流IP---峰点电流Ⅳ---谷点电流IGT---晶闸管控制极触发电流IGD---晶闸管控制极不触发电流IGFM---控制极正向峰值电流IR（AV）---反向平均电流η---单结晶体管分压比或效率VB---反向峰值击穿电压Vc---整流输入电压VB2B1---基极间电压VBE10---发射极与第一基极反向电压VEB---饱和压降VFM---最大正向压降（正向峰值电压）VF---正向压降（正向直流电压）△VF---正向压降差VDRM---断态重复峰值电压VGT---门极触发电压VGD---门极不触发电压VGFM---门极正向峰值电压VGRM---门极反向峰值电压扩展资料：其他参数：PMP---最大漏过脉冲功率PMS---最大承受脉冲功率Po---输出功率PR---反向浪涌功率Ptot---总耗散功率Pomax---最大输出功率Psc---连续输出功率PSM---不重复浪涌功率二极管的正负二个端子。正端A称为阳极，负端K ；称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。一些初学者容易产生这样一种错误认识：“半导体的一‘半"是一半的‘半"；而二极管也是只有一‘半"电流流动（这是错误的），所有二极管就是半导体 ；”。其实二极管与半导体是完全不同的东西。我们只能说二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。参考资料：二极管-百度百科

　　RBB---双基极晶体管的基极间电阻 　　RE---射频电阻 　　RL---负载电阻 　　Rs(rs)----串联电阻 　　Rth----热阻 　　R(th)ja----结到环境的热阻 　　Rz(ru)---动态电阻 　　R(th)jc---结到壳的热阻 　　r ;u03b4---衰减电阻 　　r(th)---瞬态电阻 　　VB---反向峰值击穿电压 　　Vc---整流输入电压 　　VB2B1---基极间电压 　　VBE10---发射极与第一基极反向电压 　　VEB---饱和压降 　　VFM---最大正向压降(正向峰值电压) 　　VF---正向压降(正向直流电压) 　　△VF---正向压降差 　　VDRM---断态重复峰值电压 　　VGT---门极触发电压 　　VGD---门极不触发电压 　　VGFM---门极正向峰值电压 　　VGRM---门极反向峰值电压 　　VF(AV)---正向平均电压 　　Vo---交流输入电压 　　VOM---最大输出平均电压 　　Vop---工作电压 　　Vn---中心电压 　　Vp---峰点电压 　　VR---反向工作电压(反向直流电压) 　　VRM---反向峰值电压(最高测试电压) 　　V(BR)---击穿电压 　　Vth---阀电压(门限电压、死区电压) 　　VRRM---反向重复峰值电压(反向浪涌电压) 　　VRWM---反向工作峰值电压 　　V v---谷点电压 　　Vz---稳定电压 　　△Vz---稳压范围电压增量 　　Vs---通向电压(信号电压)或稳流管稳定电流电压 　　av---电压温度系数 　　Vk---膝点电压(稳流二极管) 　　VL ---极限电压 　　Ta---环境温度 　　Tc---壳温 　　td---延迟时间 　　tf---下降时间 　　tfr---正向恢复时间 　　tg---电路换向关断时间 　　tgt---门极控制极开通时间 　　Tj---结温 　　Tjm---最高结温 　　ton---开通时间 　　toff---关断时间 　　tr---上升时间 　　trr---反向恢复时间 　　ts---存储时间 　　tstg---温度补偿二极管的贮成温度 　　a---温度系数 　　u03bbp---发光峰值波长 　　△ ;u03bb---光谱半宽度 　　u03b7---单结晶体管分压比或效率

指南针里面没有发光二极管。指南针通常由一个磁针和一个刻度盘组成。通过指示磁针与刻度盘上的方向标记之间的角度来显示方向。虽然指南针可以具备附加的发光功能，但在一般情况下，指南针本身并不包含发光二极管（LED）。

LED显示屏简单来讲，屏幕的像素点就是一个个LED灯，通过控制系统控制LED发光显示文字，图案，视频等画面来满足使用需求。发光二极管，简称为LED，是一种常用的发光器件，通过电子与空穴复合释放能量发光，它在照明领域应用广泛。 发光二极管可高效地将电能转化为光能，在现代社会具有广泛的用途，如照明、平板显示、医疗器件等。 这种电子元件早在1962年出现，早期只能发出低光度的红光，之后发展出其他单色光的版本，能发出的光已遍及可见光、红外线及紫外线，光度也提高到相当的光度。而用途也由初时作为指示灯、显示板等；随着技术的不断进步，发光二极管已被广泛地应用于显示器和照明。

双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。http://www.sst2008.com/118.htm

去翻一下亿光公司的产品型号编辑定义手册就知道了

二极管不用说了吧，单向导通，可以实现整流；可控硅也叫晶闸管，分双向和单向，单向可控硅也是单向导通，可以实现整流，但它通过控制导通角可以实现可控整流程IGBT:绝缘栅场效应晶体管，作用类似三极管，但在这里当开关管用（不能用于放大状态），通过控制G极可以实现C,E两端的通断。一般可用在逆变回路中。

二极管请看http://baike.baidu.com/view/1016.htm可控硅请看http://baike.baidu.com/view/685100.htm?fr=ala0IGBT请看http://baike.baidu.com/view/115175.htm这两去写得非常清楚，如有不懂得请留言，我帮您解决，这两样，我基本上天天都在用

此管比较特殊，并非二极管，建议用原型号，因为基极偏压电阻47kΩ、基极与发射极有反馈电阻22kΩ，SOT-523F封装，PNP三极管管。参数如下图：

aa因为OLC功率放大的输出是一个差分放大，为了消除两个管子的交越失真会在会给两个结类型不一样的管子提供相互有固定差值的偏置电路，这个差值就是为了消除交越失真用的，如果用普通的电阻分压完成就会有较大温漂，于是利用两个二极管的温漂胡抑止来消除温漂。 说白了就是消除温漂用的。

因为OLC功率放大的输出是一个差分放大，为了消除两个管子的交越失真会在会给两个结类型不一样的管子提供相互有固定差值的偏置电路，这个差值就是为了消除交越失真用的，如果用普通的电阻分压完成就会有较大温漂，于是利用两个二极管的温漂胡抑止来消除温漂。说白了就是消除温漂用的。

这个是常用的tvs保护二极管 需要详细的参数介绍可以留个邮箱我发给您确认

可以，做过同步整流的都知道，不懂的人千万别乱说，误导人啊。

MOSFET全称是“金属氧化物半导体场效应管”（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor） 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗，在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点，在 M1 关断，进入续流阶段时，开通 M 2，使续流电流流经 M2，由于 MOSFET 的导通阻抗极低，损耗很小，例如当续流电流为 10A， MOSFET 导通电阻 10mΩ，二极管 D2 压降 0.7v 时，若续流电流流经 D2 时产生损耗为 7W， 而流经 MOSFET 时产生损耗仅为 1W，因此使用这种控制方式可以减少损耗，提高逆变器的效 率，在续流电流大的情况下效果更加明显。这种控制方式亦称为同步整流。　　MOSFET管是FET的一种(另一种是JFET)，可以被制造成增强型或耗尽型，P沟道或N沟道共4种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管，所以通常提到NMOS，或者PMOS指的就是这两种。　　MOSFET 依照其“通道”的极性不同，可分为n-channel与p-channel的MOSFET，通常又称为NMOSFET 与PMOSFET。

只换一粒影响不大。

可以作光耦隔离

led发光二极管电压　　电压范围　　LED(发光二极管)的工作电压随制造材料不同也不同。普通做提醒指示用磷砷化镓材料的在1.55V-----1.85V之间;磷化镓材料的在1.85V-----2.15V之间，这种LED 有红、绿、黄、橙(双色LED)多种发光颜色供选择。一般工作电流很小，约在5-----10mA(0.005A-----0.010A),亮度不是很高，不能用于照明。手电筒中用的LED是一种超高亮度的，它的工作电压较高，通常为3.35V------3.65V,工作电流也相对较大，在30mA-----50mA，亮度很高，目前发光颜色单一，为冷光色。其实LED还有许多种类，在民用、工业、科技、国防、航空和航天等领域得到了广泛的应用。led发光二极管参数　　led发光二极管电光转化效率高(接近60%，绿色环保、寿命长(可达10万小时)、工作电压低(3V左右)、反复开关无损寿命、体积小、发热少、亮度高、坚固耐用、易于调光、色彩多样、光束集中稳定、启动无延时。led发光二极管价格　　Risym 5mm LED发光二极管(红绿黄蓝白 各20只，共100只)　　参考价格：￥5.20　　LED发光二极管1N4007(200个)　　参考价格：4.80　　LED发光二极管 10A10 (20个)　　参考价格：￥5.40led发光二极管厂家　　拓展光电有限公司　　深圳市拓展光电有限公司是一家专业从事各种中、高档LED发光二极管的研发、生产、销售与服务的高新科技型企业。公司的产品种类齐全，主要有各种规格/亮度的(红、黄、绿、橙、蓝、白、紫、粉红色)LED灯珠，双色、全彩、七彩LED灯珠，背光专用LED，显示屏专用LED，红外发射管、红外接收头、光敏管、贴片LED;有直插、贴片、食人鱼、大功率等封装形式，另外还可以根据客户要求开发特殊型号的LED灯珠产品。产品质量和技术指标均达到国际通行标准并通过了ROHS环保检测。广泛应用于各类家电、数码、通信、汽车电子、照明灯饰、电子玩具、交通指示、城市亮化工程等相关生产企业。　　佑泽电子有限公司　　佑泽电子是集研发、生产、销售为一体的，专业生产半导体LED发光二极管的高新技术企业，产品主要包括各类发光二极管，贴片LED有:2835,3014,3020,5730,3528,5050,1206,0805,0603等LED贴片.大功率LED.食人鱼LED.LED照明系列产品，这些产品广泛应用于电子显示屏、指示灯、室内外照明及手机背光源等领域。公司引进世界最为先进的自动化生产线、生产技术及无尘防静电车间并配套性能优越的检测设备，从固晶、焊线、灌胶、分光分色及包装、检查都自动化一步到位。led发光二极管型号　　LED发光二极管型号很多，参照专业生产LED发光二极管的，飞利浦原装LED发光二极管、欧普原装 高亮贴片发光二极管、欧威泰光电LED发光二极管、陈氏光电有插件LED发光二极管和贴片LED发光二极管、美国THORLABS - led发光二极管。土巴兔在线免费为大家提供“各家装修报价、1-4家本地装修公司、3套装修设计方案”，还有装修避坑攻略！点击此链接：【https://www.to8to.com/yezhu/zxbj-cszy.php?to8to_from=seo_zhidao_m_jiare&wb】，就能免费领取哦~

首先这是模电里面的，由于正向偏置的时候P区和N区都形成一个少子对应的扩散电容，当外部偏置电压反偏时，由于电容两端的电压不能突变，此时二极管还是出正偏的，不过会慢慢的减小，直到扩散电容两端存储的电荷消失。以上回答你满意么？

二极管（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过。许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。三极管：全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件·其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号， 也用作无触点开关。晶体三极管，是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。二极管的应用：1.整流：利用二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。 2.开关：二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。 3.限幅：二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 4.续流：续流在开关电源的电感中和继电器等感性负载中起续流作用。 5.检波：在收音机中起检波作用。 6.变容：使用于电视机的高频头中。 7.显示：用于VCD、DVD、计算器等显示器上。 8.稳压：稳压二极管实质上是一个面结型硅二极管，稳压二极管工作在反向击穿状态。在二极管的制造工艺上，使它有低压击穿特性。稳压二极管的反向击穿电压恒定，在稳压电路中串入限流电阻，使稳压管击穿后电流不超过允许值，因此击穿状态可以长期持续并不会损坏。9.触发：触发二极管又称双向触发二极管（DIAC）属三层结构，具有对称性的二端半导体器件。常用来触发双向可控硅 ，在电路中作过压保护等用途。三极管应用：三极管的种类很多，并且不同型号各有不同的用途。三极管大都是塑料封装或金属封装，常见三极管的外观，有一个箭头的电极是发射极，箭头朝外的是NPN型三极管，而箭头朝内的是PNP型。实际上箭头所指的方向是电流的方向。

马云家(淘宝)样样俱全。

pin二极管工作原理PIN二极管是一种常见的半导体器件，全称为p-type和n-type材料交替排列二极管（p-typeintralayern-type）。它的工作原理基于半导体中电子和空穴的运动。在PIN二极管中，p-type半导体是由带正电荷的空穴构成的，而n-type半导体是由带负电荷的电子构成的。这两种材料通过一个共接触层相接，从而形成一个PN结。在PN结中，电子和空穴通过电子-空穴对的漂移和扩散运动来构成电流。当一个正电压被施加到n-type半导体上时，它会吸引更多的电子，从而形成越来越多的空穴在p-type半导体中。这样，在PN结中形成的电动势差会抑制电流的流动，从而使二极管处于关闭状态。当一个负电压被施加到p-type半导体上时，它会吸引更多的空穴，从而形成越来越多的电子在n-type半导体中。这样，在PN结中形成的电动势差会促进电流的流动，从而使二极管处于开启状态。因此，PIN二极管可以用作电流开关，控制电路中电流的流动。它在很多电子电路中都被广泛应用，如放大电路、检波电路、信号分离电路等。总的来说，PIN二极管是一种非常重要且常见的电子元器件，它的工作原理在电子电路中得到了广泛应用。如果您想了解更多关于半导体器件的工作原理和应用，可以考虑阅读相关的书籍和论文。

LED

我还没有用到过这样 的功能

国内LRC，CJ也还行，lrc是ON的代加工，所以质量也还可以，你要是找二极管，北京南电科技就可以，原装

BY500 MR824

图中数量比较多的那种叫“光耦”，就是“光耦合器”，左边的发射二极管通电，则右边的像三极管的那个东西就导通，起隔离开关的作用，就是前级和后级是电隔离的。coil是一个线圈，具体作用要看整个电路图的作用，它可能是一个继电器的线圈，也可能是接触器的线圈。