试画出N沟道、P沟道增强型和耗尽型MOSFET的代表符号

还有没有别的ID啊2022-10-04 11:39:540条回答

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绝缘栅型场效应管的问题为何在N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间要加一个电压,它有什么作用?把栅极和衬底直接连一个电源而
绝缘栅型场效应管的问题
为何在N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间要加一个电压,它有什么作用?把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连是否可以?为什么?请详细解答
把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连也不是可以出现导电沟道?
khtrre1年前1
bunnya 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
因为如果栅极和源极之间不加电压的话,漏极和源极之间是两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏极和源极之间加电压,也不会产生漏极电流,则MOS管无法正常工作.
补充:衬底对应的是P型硅,源极对应的是N型硅,怎么可能实现一样的工作状态呢.同样的道理,栅-源之间必须有反向电压呈高阻抗,才能使管子正常工作.再细心的看看课本去……
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)
4种MOS管的开启电压(P沟道增强型MOS管,N沟道增强型MOS管,P沟道耗尽型MOS管,N沟道耗尽型MOS管)
如题
天降所罗1年前1
zensai 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
增强型比较清楚:
1、P沟道增强型:当UgsUgs(th)时,开启.这个Ugs(th)是一个正数值,最常见的是在2V 4V之间.
耗尽型的管子比较少见.
1、P沟道耗尽型:当UgsUgs(off)时导通,这个Ugs(off)是一个负数值.
N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?
八卦不是罪1年前1
落落夏天 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%
N沟道增强型比较常用.
嫦娥三号探测器已于2013年12月2日凌晨1:30分在四川省西昌卫星发射中心使用长征三号乙增强型运载火箭发射成功.火箭的
嫦娥三号探测器已于2013年12月2日凌晨1:30分在四川省西昌卫星发射中心使用长征三号乙增强型运载火箭发射成功.火箭的一子级和二子级使用偏二甲肼和N2O4作为推进剂,反应式为(CH32NNH2+2N2O4═2CO2+4H2O+3N2,三子级则使用效能更高的液氢(H2)和液氧(O2).下列说法正确的是(  )
A.N2O4在反应中被氧化
B.(CH32NNH2具有还原性
C.反应中1mol N2O4得到4mol e-
D.液氢与液氧的反应中,液氢与液氧的体积比为 2:1
brad-pit1年前1
dkxcdil 共回答了18个问题 | 采纳率77.8%
解题思路:(CH32NNH2中C为-1价,N为-3价,H为+1价,N2O4中N元素化合价为+4价,在(CH32NNH2+2N2O4═2CO2+4H2O+3N2反应中,C、N元素化合价发生变化,结合元素的化合价的变化以及化学方程式解答该题.

A.N2O4中N元素化合价为+4价,反应后化合价降低为0价,被还原,故A错误;
B.(CH32NNH2中C为-1价,N为-3价,H为+1价,反应后C、N元素化合价升高,被氧化,所以(CH32NNH2具有还原性,故B正确;
C.N2O4中N元素化合价为+4价,反应后化合价降低为0价,则反应中1mol N2O4得到8mole-,故C错误;
D.氢气和氧气反应的物质的量之比为2:1,但液体时,由于密度不同,则体积为2:1时,物质的量之比不等于2:1,故D错误.
故选:B.

点评:
本题考点: 氧化还原反应.

考点点评: 本题考查氧化还原反应,为高考常见题型和高频考点,侧重于学生的分析能力和计算能力的考查,注意把握相关物质的元素化合价的判断,易错点为D,注意液体的体积与气体的体积的差异.

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“嫦娥三号”于2013年12月2日凌晨1时30分从西昌卫星发射中心由长征三号乙增强型运载火箭发射,点火后燃气向后高速喷出,运载火箭腾空而起,燃气的______能转化为火箭的______能;运载火箭选用液态氢做燃料,主要是因为液态氢具有较大的______.在整个发射过程中嫦娥三号是通过______(选填“声波”或“无线电波”)与地面取得联系的.
momoweini12651年前1
YAMAHA华仔 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%
解题思路:(1)火箭在升空时的能量转化关系是:燃料的化学能转化为内能,内能转化为火箭的机械能;
(2)热值是燃料的一种特性,热值越大,完全燃烧相同质量的燃料时,释放出的热量越多.
(3)声波的传播需要介质,而无线电波的传播不需要介质,能在真空中传播.

(1)火箭升空时的能量转化:燃料的化学能先转化为内能,然后通过内燃机把燃气内能转化为火箭的机械能;
(2)运载火箭采用液态氢作为火箭的燃料,原因是液态氢具有较高的热值,完全燃烧相同质量的氢时,可以释放出更多的热量;
(3)声波不能在真空中传播,无线电波能在真空中传播;卫星与地面的联系是通过无线电波实现的.
故答案为:内;机械;热值;无线电波.

点评:
本题考点: 能量的转化和转移;信息与信息传播;燃料的热值.

考点点评: 此题考查知识面广,了解能量的转化,利用热值解释生活中的现象,同时还要知道声波与电磁波在传播过程中对介质的不同要求,属于综合性的题目.

模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中:uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)”?我感觉写反了吧?
模拟电子技术中为什么“N沟道增强型MOS管中:uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)”?我感觉写反了吧?
华成英的《模拟电子技术基础》辅导书《帮你学模拟》第23页
N沟道增强型MOS管工作在恒流区的条件是:
”uGS>uGS(th)
且uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)“
uGD>UGS(th)不是等价于
uGS+uSD>uGS(th)
uSD>-uGS+uGS(th) 两边同乘负号
uDS
吾一生有你1年前1
细雨飞扬 共回答了15个问题 | 采纳率100%
没有看过华成英的《帮你学模拟》.
但三个不等式中:
“uGS>uGS(th),且uGD>UGS(th)即uDS>uGS-UGS(th)”
中间的一个错了!
应为:uGD
关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS
关于在绝缘栅型场效应管中N 沟道增强型 MOS
N 沟道增强型 MOS 场效应管中UDS > UGS – UT,UGD < UT时由于夹断区的沟道电阻很大,UDS 逐渐增大时,为什么导电沟道两端电压基本不变,ID 因而基本不变?
wan361年前1
张拉拉 共回答了15个问题 | 采纳率100%
因为在沟道夹断以后,当UDS 逐渐增大时,所增加的电压将主要降落在夹断区(使夹断区有一定的扩展),而剩余的沟道尺寸基本上不随UDS 的增大而变化,所以通过剩余沟道的电流——也就是输出电流ID基本上不变.注意:沟道夹断不同于不存在沟道!详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.
关于晶体管二极管三极管的符号都很容易理解,箭头都是p到n,觉得MOS型场效应管很诡异,还有耗尽型中间是一条实线,而增强型
关于晶体管
二极管三极管的符号都很容易理解,箭头都是p到n,觉得MOS型场效应管很诡异,
还有耗尽型中间是一条实线,而增强型又是一条虚线,这又是为什么
一个被大家所公认的符号应该是很好记忆的,可能是我缺少哪方面的知识吧,知道的请指教,复制粘贴的就算了哈.
还有就是如何区分三极管的共射,共集,共基
我也知道一个输入一个输出,剩下的那个就是共的;接地的是共的
可是有时候看不出来那个输入哪个输出,有时候也没接地,是很多三极管连在一起的那种,怎么样去判断中间的三极管的连接方式?
jack1211251年前1
wawj438 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
你的这个问题是基于对晶体管,MOS管的领悟,有的时候,我们无法通过课本知识来了解一种器件,课本知识太抽象.我是学机电的,课本的知识无一能用在工作中,只能知道有这个东西而已,二极管容易理解,通与断,0.3/0.7V的压降,高低频率等区分,三极管是电流控制型器件,可控硅是电压控制型器件,MOS管正在研究.
这些东西呢,都是放大的器件,要想从深层次的了解这些东西,要挨个挨个做实验,通过对器件的控制来了解这些东西.二极管比较简单,三极管相对多些,但基本上是2N3904/2N3906,8050/8550等,可控硅可用BAT16等,MOS我现在正在弄IRF630,N沟通道的.
这东西写起来太费劲,如果楼主想慢慢了解,可以加我飞信,565562183,QQ上班的时候不能用,SKYPE :kerrwang1982
为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻
我是银城武的tt1年前1
xwlee1129 共回答了20个问题 | 采纳率85%
同步整流low side mosfet 的作用其实跟非同步整流时的shottky diode是一样的,电流从S到D,不同的是由于MOSFET是双向导通,当电流减小到零是,MOFET可以变成D到S,这种情况就保证电流连续导通的实现,因为电感的电流没有中断,而是变成从负载sink电流.这也是同步整流的一个优点.至于body diode,它只在死区时间导通.一般给low side mosfet并一个shottky diode,这样死区时间里shottky diode取代body diode导通,提高了效率
为什么晶体管(n沟道增强型mos)的vg超过vth,源极与漏极之间的基板就会形成薄导电层
蓼花1年前1
7pippo21 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%
这部分其实在模电书里面写得很清楚了,只是你要反复看书,这部分内容是需要悟出来的.
当UGS从0开始,逐步增大(UGS〉0)的时候,G极会积聚正电荷,而S与衬底B其实是连在一起的,也就是负极,这时候,衬底里面的空穴(带正电)会被G排斥,逐步远离G极,这样在衬底(P区)里面就形成了以不能移动的负离子为主的耗尽层.当UGS增大后,耗尽层会逐步加宽,同时,由于电场力的吸引,衬底P区中的自由电子开始向G极移动,由于G极与衬底之间有SiO2的绝缘层,因此自由电子并不能达到G极,而是积聚在耗尽层与绝缘层之间,形成一个N型的薄层,也就是反型层(反型层与G极合起来看,类似一个平行板电容).
N沟道增强型MOS管与N沟道耗尽型MOS管在开启电压上的差别是什么?
飞雪七柒1年前1
永久空格 共回答了14个问题 | 采纳率85.7%
NMOS增强型,ugs(th)一般是正数,最常见的是在2-4V之间,正常导通时的UGS一定大于Ugs(th),因此也一定是一个正数.
耗尽型的不称为ugs(th),而是ugs(off),也就是夹断电压,这个值通常是一个负数.也就是说,只要UGS>UGS(off)就可以导通,这个数值就不好说了,可以是负数,也可以是0,也可以是正数.
刚学模电,好难!刚学,上课听不懂,自己看书,1、增强型MOS场效应管中,为何U(DS)U(T),漏 源之间有导电沟道,所
刚学模电,好难!
刚学,上课听不懂,自己看书,
1、增强型MOS场效应管中,为何U(DS)U(T),漏 源之间有导电沟道,所以有电流I(d),这两个式子哪儿蹦出来的,为什么?
2、共基极放大电路的输出电阻中,若不计R(c)则输出电阻为r(cb),r(cb)是什么?另外r(ce)又是什么?
3、MOS场效应管的栅极电流为何约等于零?
4、模电真难,就算公式、图都看懂了,公式还是靠背,而自己没有感性认识,该怎么学啊……
一般般71年前1
haibo3580 共回答了17个问题 | 采纳率100%
1.有导电沟道是因为Ugd大于开启电压,有电流是因为栅漏之间有电位差又有导电沟道所以可以通过电流. 2、共基极放大电路的输出电阻中,若不计R(c)则输出电阻为r(cb),r(cb)是什么?另外r(ce)又是什么?
rcb指三极管集电极c与基极b之间的电阻大小,同理rce指集电极c与发射极e之间的电阻3、MOS场效应管的栅极电流为何约等于零?
因为绝缘栅型场效应管它栅极先接到氧化硅再接到半导体N型衬底上,电流流不过氧化硅(电流极小)所以不取电流4、模电真难,就算公式、图都看懂了,公式还是靠背,而自己没有感性认识,该怎么学啊……这个那其实是没看懂,当然,模电是很费时的,不过你只要花时间去理解,肯定会有效果的.像你这样不懂就问慢慢就懂了就不会没有认识了,加油.
求一场效应管型号:N沟道增强型、600伏耐压、1A、Vgs=2~4伏时完全导通、导通电阻极低、TO-252封装
求一场效应管型号:N沟道增强型、600伏耐压、1A、Vgs=2~4伏时完全导通、导通电阻极低、TO-252封装
之前有用过TSM 1N60,Vt电压为2~4V,当Vgs=3V时,导通电阻为200多欧姆,实在太大了.
我用在一个10W、220V的开关电路中因导通电阻过大,1N60严重发热.
2N60、4N60都属同一系列的,估计结果也一样.
是否有当Vgs=2~3V时,能完全导通且导通电阻很小的MOS管呢?
guoyonghong1年前1
mrcat 共回答了10个问题 | 采纳率100%
2N60,4N60都有TO252封装的,前者耐压600V,电流2A,后者耐压600V,电流4A.都符合你的要求.
淘宝上可以买到.
模拟电路模拟题求助1. UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( ). A. 结型管 B. 增强型MOS管 C.
模拟电路模拟题求助
1. UGS=0V时,能够工作在恒流区的场效应管有( ).
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USERS-1年前1
橄榄78 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%
1、A,C
2、A,D
3、A,D
4、C
5、C