晶格能方面的问题说晶格能通常为VB=1时放出的能量,单位为kJ/mol.这个VB是什么?（浙江大学 无机及分析化学第二版

高中化学晶格能如何比较大小（1）Na2O K2O(2)KCl MgO(3)NaF CsBr要如何比较呢,我知道是离子键的

高中化学晶格能如何比较大小
（1）Na2O K2O
(2)KCl MgO
(3)NaF CsBr
要如何比较呢,我知道是离子键的强弱决定的,还是不知道如何说明.求救思路.

香草堂1年前1

aya1984 共回答了16个问题 | 采纳率93.8%

1.按照金属性和非金属性比较
K金属性大于Na,所以Na2O＞K2O（化学晶格）
2和3比较复杂,2的话,可以这么说,因为K>Mg,O>Cl,从金属性和非金属性上来看是差不多的,但K,Cl都是1价,而Mg,O都是2价,2价的离子键比1价强,所以
KCl>MgO
3类似

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化学达人来,晶格能大,更稳定,那为什么热分解温度更加低啊

化学达人来,晶格能大,更稳定,那为什么热分解温度更加低啊
比如热分解温度na2co3>mgco3,晶格能不是mgco3>na2co3吗,应该mgco3更稳定啊

singlefox1年前2

sde322 共回答了20个问题 | 采纳率95%

晶格能大,更稳定,容沸点更高,这属于物理性质,
当温度高于常温,或只有在加热升温情况下才能发生的分解反应叫热分解,热分解属于化学反应,与晶格能无关

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英语翻译1.\x05本征及超高组区熔硅单晶（FZ-Silicon）通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美

英语翻译
1.x05本征及超高组区熔硅单晶（fz-silicon）
通过区熔工艺拉制的低杂质含量、低缺陷密度,晶格结构完美的硅单晶,晶体生长过程中不引入任何杂质,起电阻率通常在1000Ω.cm以上,主要用于制作高反压器件和光学电子器件.
本次发布的8英寸区熔硅单晶,又我公司自主研发而成,是***首颗8英寸区熔硅单晶,该项技术达到了国际先进水平.
2.x05中子辐照区熔硅单晶（ntdfz-silicon）
本征区熔硅单晶通过中子辐射可获得高电阻率均匀性的硅单晶,保证了器件制作的成品率和一致性.主要用于制作硅整流器、可控硅、巨型晶体管、晶闸管、静电感应晶闸管、绝缘栅双极晶体管,超高压二极管、智能功率器件、功率集成器件等,是各类变频器、整流器、大功率控制器件、新型电力电子器件的主体功能材料,也是多种探测器、传感器、光电子器件和特殊功率器件等的主体功能材料.

allenchang121年前2

janue0828 共回答了26个问题 | 采纳率88.5%

1.The levy and ultra-high group area determined melting (FZ-Silicon)
Through the area of low melting process control impurity content low,defect density,lattice structure perfect determined,in the process of crystal growth not introducing any impurities,the resistivity usually in 1000 Ω.Cm above,mainly used for making high back pressure device and optical electronic devices.
The release of the 8 inches area determined melting,and my company independent research and development and into,is domestic first single 8 inches melting zone determined,the technology has reached the international advanced level.
2.Neutron irradiation melting zone determined (NTDFZ-Silicon)
The kind of neutron radiation determined through melting zone obtain high resistivity uniformity of the determined to ensure that the device the yield of production and consistency.Mainly used for making silicon rectifier,SCR,giant transistors,thyristor,

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如下图所示的xrd扫面图像，求晶格常数比值

如下图所示的xrd扫面图像，求晶格常数比值

这是（001）方向扫描的两层薄膜分别对应的两个峰，求他们的晶格常数的比值

立方晶系

sszndzh1年前1

07实话实说的我 共回答了17个问题 | 采纳率82.4%

使用JADE导入数据，软件会自动帮你计算，直接读数就可以了。

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一个晶格常数为1的晶格给了Eck和Evk,电子惯性质量怎么求禁带宽度,有效质量和跃迁的准动量变化

狼图腾鹰1年前1

Noentity 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%

1、求Ec(k)对k的一阶偏导,令其等于0,得到动量极值k_min,再将其带入Ec(k),得出Ec_min.同理求出k_max和Ev_max.则禁带宽度Eg=Ec_min-Ev_max.
2、求Ec(k)和Ev(k)对k的二阶偏导,则导带底和价带顶电子有效质量分别为h'^2除以这两个二阶偏导数.（h'=h/2π）
3、跃迁的准动量变化h△k=h(k_min-k_max).

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晶格能与离子键个数有没有关系?离子键的个数影不影响离子晶体的熔沸点?

一个小可人儿1年前2

yj65215282 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%

离子键个数这个讲法本来就不科学
所以也就不能说离子键个数与晶格能的关系
实际是晶格能的大小与二个因素有关吧
一个是离子所带电荷数越多吸力越大晶格能也就大
二就是离子半越小吸引力大晶格能就越大

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纯铁在912℃以下的晶格类型是( ).A、密排六方晶格 B、面心立方晶格 C、简单立方晶格 D、体心立方晶格

一江水sl1年前2

茂茂猫 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%

A 密排六方晶格是正确答案

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碳酸盐熔沸点例如MgCO3,CaCO3,BaCO3的熔沸点的关系.以及碳酸盐的晶格能与熔沸点的普遍规律.

Ж甘鈊情願Ж1年前1

mwh888 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%

同一主族金属离子从上往下形成的碳酸盐熔点增大

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金属晶格的基本类型有哪几种?

小惹1年前2

刘kk知远 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%

体心立方、面心立方、六方

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固体物理中一维单原子晶格振动的特点

玉思南1年前1

dy787mbf 共回答了18个问题 | 采纳率72.2%

我找到了一个参考资料,写的比较仔细：

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晶格能与键能的区别

水滴之舞1年前3

炒作烦不烦 共回答了12个问题 | 采纳率91.7%

晶格能是分子或者原子在形成晶体的时候分子与分子或者原子与原子之间的静电引力和分子间的空间构形引起的.
键能则是原子或者原子团之间电子对偏移或者得失形成的强烈的能量联系.

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一元素的晶格常数为a,摩尔质量为b.求该元素组成的物质的密度,用a,b表示,计算过程最好有!谢啦.

绝对aaoo1年前1

wudi2289 共回答了21个问题 | 采纳率76.2%

晶格常数通常应该有a、b、c三个长度值和α、β、γ三个角度值以确定晶胞形状进而计算.

如果只有一个a,是说这个晶胞是立方晶胞吗? 如果是的话：

①对于面心立方晶胞：一个晶胞中有4个原子,故一个晶胞的质量为4×b/(6.02×10^23) ,体积为a^3,密度为：4×b/(6.02×10^23×a^3)

②同理,对于体心立方晶胞：一个晶胞中有2个原子,故密度：2×b/(6.02×10^23×a^3)

题目中已知量只给了数字,不给单位,所以无法确定密度单位.

仅供参考^_^

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什么是晶格和晶胞?金属中主要有哪三种晶格类型?它们的晶胞各有何特点?金属材料与热处理

风过岚山1年前1

刺客甲 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%

表示 原子在晶体中排列规律的空间格架叫做晶格.
能够完整反映晶体内部原子或离子在三维空间分布之化学-结构特征的平行六面体单元叫晶胞.
金属中主要有三种晶格是体心立方晶格,面心立方晶格,密排六方晶格.

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下列有关说法正确的是（　　） A．含阳离子的化合物一定有阴离子 B．晶格能由大到小：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI

下列有关说法正确的是（　　） A．含阳离子的化合物一定有阴离子 B．晶格能由大到小：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI C．含有共价键的晶体一定具有高的熔、沸点及硬度 D．空间利用率：面心立方＞六方密堆积＞体心立方

sadkjfhdsfgdsf1年前1

szuniword 共回答了19个问题 | 采纳率84.2%

A．含有阳离子的晶体可能含有阴离子或电子，离子化合物一定由阴离子和阳离子构成，故A正确；
B．离子半径：F ^- ＜Cl ^- ＜Br ^- ＜I ^- ，结构相似的离子晶体，离子半径越小，晶格能越大，则晶格能由大到小：NaF＞NaCl＞NaBr＞NaI，故B正确；
C．含有共价键的晶体可能为分子晶体或原子晶体，如为分子晶体，则不一定含有较高的熔沸点和硬度，故C错误；
D．空间利用率：面心立方=六方密堆积，都为74%，故D错误．
故选AB．

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NaF、MgO、AlN、SiC、BP、BeS、LiCl的晶格能大小排行

张rr1年前2

偏予她人 共回答了17个问题 | 采纳率100%

先比较电荷数多的晶格能大,而如果电荷数一样多比较核间距,核间距大的,晶格能小,有大到小顺序为SiC,BP,AlN,BeS,MgO,LiCl,NaF

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固体物理学中晶体结合能是不是就是晶格能

固体物理学中晶体结合能是不是就是晶格能
如果不一样《请问有什么区别？

水20061年前2

默西郡男孩 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%

不是,两回事

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为什么氯化钙的熔点比氯化镁高按影响晶格能的因素,镁离子半径比钙离子小,电荷相同,氯化镁的熔点应该比氯化钙高,查阅数据可知

为什么氯化钙的熔点比氯化镁高
按影响晶格能的因素,镁离子半径比钙离子小,电荷相同,氯化镁的熔点应该比氯化钙高,查阅数据可知,氯化钙的熔点比氯化镁高,这是为什么?

zzxxcc0061年前1

gclzq 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%

阳离子：Ca2+ 半径 >> Mg2+ 半径,阴离子相同. CaCl2 和MgCl2 晶格属于不同的晶系,马德龙常数不一样, 晶格能不一样.

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关于氯化钠的晶胞氯化钠的晶胞,看它属于那种晶格时,将钠离子与氯离子分别单独隔离出来判断,但是如果将氯离子隔离的话,确实应

关于氯化钠的晶胞
氯化钠的晶胞,看它属于那种晶格时,将钠离子与氯离子分别单独隔离出来判断,但是如果将氯离子隔离的话,确实应该属于面心晶胞,而将钠离子隔离的话,却应该属于体心晶胞啊,它的体心有一个钠离子啊,请问这样不产生矛盾了吗,到底应该如何看呢?

whoishi1年前1

鱼菜共生 共回答了14个问题 | 采纳率85.7%

因为晶胞是最小的结构单元,所以应该是体心晶胞,看氯离子的时候就把氯化成钠看就好了,反正挪一格取的话钠和氯就颠倒过来了

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用化学键能与晶格能解释为什么金刚石的熔沸点高于氯化钠?为什么高于氧化镁?

用化学键能与晶格能解释为什么金刚石的熔沸点高于氯化钠?为什么高于氧化镁?
C-C键的键能是357.7 kj/mol ,NaCl晶格能是738 kj/mol 左右

feiwuliugang1年前2

wuyemin 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%

金刚石是原子晶体,氯化钠是离子晶体,氧化镁是离子晶体,钠离子和氯离子带一个电荷,镁离子和氧离子带二个电荷,钠离子和氯离子半径都大于镁离子和氧离子,所以金刚石大于氯化钠大于氧化镁

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密排六方与体心立方的晶格对金属性能有什么影响?

caozhen10031年前3

小饿鱼_战斗鱼 共回答了20个问题 | 采纳率90%

这个问题是个问题.首先不同的金属具有自己特定的晶格,没有具体研究过,所以没听说过一种金属既有密排六方的相,又有体心立方的相.
不同金属所具有的不同堆积方式是由金属元素本身的原子半径和电子云状态决定的.所以“晶格对金属性能有什么影响”这个问题就不好回答了,因为晶格显然不是对金属性能有影响的本质原因.

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分别指出晶格振动谱、半导体电子的有效质量和金属费米面的实验测量方法

分别指出晶格振动谱、半导体电子的有效质量和金属费米面的实验测量方法
固体物理考试里的填空题,三个空

邂逅心莲1年前1

loolookaa_cola 共回答了29个问题 | 采纳率86.2%

有效质量 当然是回旋共振
费米面, 只知道能态密度可以由x射线发射谱测 猜测峰值应该就是费米面位置
晶格振动谱,常常用中子非弹性散射,
能考说明书上就有~慢慢找吧 我学的书上也不是全都讲了 费米面那个不好说

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声子怎样使我们对晶格振动与晶体的热学性质的研究从复杂还原为简单

xiaoling-wu1年前1

云颜思雨_hh 共回答了20个问题 | 采纳率100%

你这种做法是不对的!

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请问什么是晶格应变（lattice strain）?

绿光幽灵1年前1

flyinydreams 共回答了17个问题 | 采纳率100%

晶体由重复的单元组成,可以用晶格来表示它的原子排布.
晶格应变是指晶格与晶格之间产生相对位移（注意是相对,而不是说整个晶体,指的是内部）.
如果还不大清楚,可以查阅《固体物体教程》.

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硅是简晶体吗它的晶格常数是什么

fatnew1年前1

午醉醒时 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%

硅的晶格常数是5.43095A

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室温和1100摄氏度时纯铁晶格有什么不同?

wxyth1年前1

ktj139 共回答了16个问题 | 采纳率93.8%

铁有两种晶体结构.纯铁在912C°以上是面心立方晶格,以下是体心立方晶格.面心立方晶格的铁没有铁磁性.

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纯镍和氢气反应式 有么?我已懂了，其实镍和氢是可以反应的，只不过是聚变反应，在5-30THz下的镍晶格可以和氢发生聚变反

纯镍和氢气反应式 有么?
我已懂了，其实镍和氢是可以反应的，只不过是聚变反应，在5-30THz下的镍晶格可以和氢发生聚变反应 衰变成铜和铁

2799151521年前1

秋来 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%

NI+H2=NIH2

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如何根据晶胞参数求原子的半径?已知晶格常数和密度.

L23021181年前1

张家乖小孩 共回答了15个问题 | 采纳率80%

根据晶格常数和密度算出的是原子的成键半径,不是原子的实际半径,
因为原子结合成分子过程中电子轨道会相互重叠一部分,原子的实际半
径比成键半径要大,并且不同原子之间由于结合强度不同成键半径还有
一定出入.

原子的实际半径是由电离能计算公式的第一项系数决定的,不过"电离能
计算公式"在现有的教科书是找不到的,你到
http://www.***.com/p-414675423.html网址上看看,可能对你有帮助.

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MgO和CaO晶格能谁高

xwge1年前1

涯天ok 共回答了14个问题 | 采纳率85.7%

MgO.

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半导体中载流子的平均自由程与半导体的晶格常数,其相对大小如何?

andrewkoktj1年前1

佬咩 共回答了24个问题 | 采纳率95.8%

半导体中载流子的平均自由程大约为数百埃（晶体中的杂质、缺陷越少,晶格越完整,自由程就越大）,比半导体的晶格常数大得多.
晶格常数是晶体单胞（晶胞）的边长,与原子间距差不多,大约为几埃.
为什么平均自由程远大于晶格常数呢?这是由于完全规则排列的原子并不散射载流子,这些规则排列的原子（产生周期性势场）只是决定载流子的能量状态（能带状态）；散射载流子的因素是破坏晶格周期性势场的那些东西——杂质和缺陷.

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晶体中的晶格能怎么理解

小桥流水的1年前1

娄嘉仪 共回答了9个问题 | 采纳率100%

就类似于一个分子

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晶格常数的定义是什么

sunnytang1101年前1

xiaoy123 共回答了18个问题 | 采纳率100%

在材料科学研究中,为了便于分析晶体中粒子排列,可以从晶体的点阵中取出一个具有代表性的基本单元（通常是最小的平行六面体）作为点阵的组成单元,成为晶胞；晶格常数指的就是晶胞的边长

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常见的金属晶格类型有哪三种?

zhongji11年前1

浪子七郎 共回答了18个问题 | 采纳率77.8%

其中最典型最常见的金属晶体结构有三种,即体心立方晶格、面心立方晶格和密排六方晶格.

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常见的金属晶体晶格形式有哪3种,请了解的回答下,..

度是07461年前1

abs112233 共回答了29个问题 | 采纳率82.8%

体心立方晶格 面心立方晶格 密排六方晶格

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晶格能大小氟化钠,氯化钠溴化钠碘化钠

他山之石额外负担1年前2

blueway 共回答了17个问题 | 采纳率82.4%

氟化钠大于氯化钠大于溴化钠大于碘化钠 晶格能看半径

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什么叫晶格取代,请讲下它的概念

曼联速度来送hh1年前2

老狼伏枥 共回答了18个问题 | 采纳率77.8%

在粘土矿物晶体中,一部分阳离子被另外阳离子所置换,而晶体结构不变,产生过剩电荷的现象.

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关于材料的弹性形变当材料受力会发生形变,分为弹性形变和塑性形变.我知道塑性形变是晶格滑移了.我想问问,当材料发生弹性形变

关于材料的弹性形变
当材料受力会发生形变,分为弹性形变和塑性形变.我知道塑性形变是晶格滑移了.我想问问,当材料发生弹性形变的时候微观上有什么变化?
我以为弹性模量E是分子（原子）间力结果的,其大小决定于化学键力的大小.如果我以为的正确,那么当材料发生形变的时候,分子间距离改变,弹性模量E的大小也会随这改变,图中弹性形变区域的直线就应该是曲线.但实际是直线说明我的假设不正确.
而且材料在发生弹性形变的时候,体积是不变的,体积不变的话,微观上质点就应该有移动.金属等材料质点的移动能力很强,所以能发生弹性形变,无机非金属材料质点的移动能力很差,所以.
我还想问问,从弹性形变过度到塑性形变中间那一段,为什么会发生屈服现象?
我没有财富值了,不好意思,

caoomei1年前1

老觉罗 共回答了24个问题 | 采纳率100%

模量是材料抵抗变形的能量,实际上就是原子之间能够存储多少外来能量的过程.当施加外力时,能量存储在晶格中,拉伸使晶格微变大,压缩反之.当外力消失时,晶格又还原了,这就是弹性段.当外力超过定值时,晶格发生位错,此时就会吸收大量能量,使仪器感觉一下少了能量,此刻就表现为强度小了,此即为屈服现象.一下子写了这么多有点累,你怎么提这么高深的问题!你是干什么的!不过你这种钻研精神值得鼓励!

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下列物质中晶格能大小比较正确的是（　　）

下列物质中晶格能大小比较正确的是（　　）
A．BaO＞CaO＞MgO
B．NaF＞NaCl＞NaBr
C．NaI＞MgO＞BaO
D．PbS＞ZnS＞MgO

Rongda19121年前1

洗澡淹xx的鱼 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

解题思路：晶格能主要影响因素是离子电荷，电荷越高，晶格能越大． 其次就是离子半径，离子半径越小，晶格能越大．再次是离子构型，离子外层d电子越多，越容易发生离子极化，相应晶格能会下降．高中阶段只要考虑前两个因素．

A、三种化合物所带离子电荷相同，由于离子半径：Ba²⁺＞Ca²⁺＞Mg²⁺，因此晶格能：BaO＜CaO＜MgO，故A错误；
B、三种化合物所带离子电荷相同，由于离子半径：Br^-＞Cl^-＞F^-，因此晶格能：NaF＞NaCl＞NaBr，故B正确；
C、由于MgO、BaO中离子带两个电荷，NaI中离子带一个电荷，因此NaI的晶格能最小，由于离子半径：Ba²⁺＞Mg²⁺，因此晶格能：BaO＜MgO，故C错误；
D、三种化合物所带离子电荷相同，由于离子半径：Pb²⁺＞Zn²⁺＞Mg²⁺，S^2-＞O^2-，所以晶格能：PbS＜ZnS＜MgO，故D错误；
故选：B．

点评：
本题考点： 晶格能的应用．

考点点评： 本题考查晶格能的大小比较，题目难度中等，掌握晶格能的影响因素是解题的关键，注意主要、其次、再次的影响因素的影响大小．

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怎么理解晶格和晶胞

dfjy29961年前1

1ciitpe 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%

完全可以根据定义判断：
把晶体中的每个结构单元（原子、分子、原子团或离子）抽象为一个点,间距相等的点排成一行直线点阵,直线点阵平行排列而形成一个平面点阵,许多平面点阵平行排列就成了三维空间点阵.
在点阵中以三维空间3个周期a、b和c为边长而形成的平行六面体格子被称为晶格.（所以,晶格是一种几何概念,是从晶体结构中抽象出来的简化的描述）
如果将组成晶体的结构单元置于晶格的节点上,可以得到晶体中与晶格相对应的实际结构——晶胞.
这是二者的基本定义.可见,晶胞是一个大小和形状与晶格相同的平行六面体,既包括晶格的形式与大小,也包括对应于晶格结点的结构单元内容.

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为什么有立方面心晶格存在,而没有四方面心晶格存在

lidry1年前1

tony_li_167 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

如果有面心四方晶格,你可以发现,它等于两个体心四方晶胞.
观察方式：c轴不变,四方平面上沿两对角线切成四份,其中的四分之一与另一晶胞中的四分之一拼成一个四方体心晶胞（c轴面心上的心成为体心）.

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B.C.C.晶格和F.C.C.晶格哪个容纳碳原子多点

y8y88y8881年前3

海涯夜雨 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%

你说的是单位体积,晶格常数一样的条件么?
那当然是fcc了,那个堆的,没有别的比他更密了,当然六角密堆之类和他一样密

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相同类型的离子晶体,电荷越高,半径越小,晶格能越高.这句话中的 相同类型的离子晶体

昧墟1年前1

塞外飞扬 共回答了9个问题 | 采纳率88.9%

晶格能只针对离子晶体,相同类型指的是电荷数和离子数相同.比如氧化镁和硫化镁,电荷数相同,但阳离子半径小于硫离子,故氧化镁半径更大.

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物质结构与性质 下面排序不正确的是A 晶体熔点由高到低 CF4碳化硅>晶体硅D 晶格能由大到小 NaF>NaCl>NaB

物质结构与性质
下面排序不正确的是
A 晶体熔点由高到低 CF4碳化硅>晶体硅
D 晶格能由大到小 NaF>NaCl>NaBr>Nai

ynklove1年前2

yangpengliang 共回答了18个问题 | 采纳率100%

A正确,B错误,原因相同,具体原因见上一题我的回答
C的三个物质结构相似,为原子晶体,但C原子半径比Si小,C-C键比Si-Si键短,键长越短,键能越大,破坏键要的能量越大,共价键越稳定,所以物质越稳定.所以金刚石硬度,熔点都比单晶硅更大,而C-Si键介于二者之间,所以C正确
D电荷数相同的物质,离子间距大的晶格能小,而离子间距由阴阳离子的半径的平均值决定,I->Br->Cl->F-,晶格能NaF>NaCl>NaBr>NaI
答案D正确

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什么是晶格和晶胞?金属中主要有那三种晶格类型?

什么是晶格和晶胞?金属中主要有那三种晶格类型?
不用太详细必须写出要理
着急 着急 着急

205uu1年前1

Garriejiayi 共回答了20个问题 | 采纳率90%

表示原子在晶体中排列规律的空间格架叫做晶格.
能完整反映晶体内部原子或离子在三维空间分布之化学-结构特征的平行六面体单元叫晶胞.
金属中主要有三种晶格是体心立方晶格,面心立方晶格,密排六方晶格.

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LiBr 的晶格能是807kJ/mol,并计算出的固体溴化锂从元素形成能的变化.

LiBr 的晶格能是807kJ/mol,并计算出的固体溴化锂从元素形成能的变化.
还告诉了升华能Li是+159.4kJ/mol ,离解能Br2是+224kJ/mol,和Br2（L)转换成Br2（G）能源转换量是30.9kJ/mol

偶家晨晨1年前2

耗子3737 共回答了25个问题 | 采纳率84%

请把问题问清楚.首先,“并计算出”表示至少要计算两个内容,分别是什么；其次,没有听说过“元素形成能”,而且“固体溴化锂从元素形成能的变化”也完全没法理解,所以不清楚你到底要计算什么东西.

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为什么CaO的熔点比KCl高,电荷数：CaO28＞KCl36,离子半径相差很大吗?为什么氧化钙的晶格能比氯化钙高出五倍?

为什么CaO的熔点比KCl高,
电荷数：CaO28＞KCl36,离子半径相差很大吗?为什么氧化钙的晶格能比氯化钙高出五倍?
打错了，28＜36

barbie19831年前2

热血江湖11 共回答了23个问题 | 采纳率73.9%

熔、沸点的高低,取决于离子键的强弱.一般来说,离子半径越小,离子所带电荷越多,离子键就越强,熔、沸点就越高.
例如：MgO>CaO,NaF>NaCl>NaBr>NaI.

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体心立方晶格a-Fe单晶体,晶向的原子密度（单位长度的原子数）为1/a.(a是晶格常数).晶向原子密度为1.16/a这是

体心立方晶格a-Fe单晶体,<100>晶向的原子密度（单位长度的原子数）为1/a.(a是晶格常数).<110>晶向原子密度为1.16/a这是怎么算出来的.

011224001年前1

angelli_12 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

各种概念定义LZ已经很清楚了,我就不啰嗦了.
单位长度的选取很重要,即每个晶面都要选取原子紧邻的长度线,对于（100）晶向,就是选晶胞边长,在该直线上有2个原子,所以在a长度上有2*0.5=1（每个原子算1/2）个原子,故原子密度为1/a.
再算（110）晶向,选取晶胞体对角线,在根号3a长度上有2*0.5+1=2个原子,故原子密度为2/(根号3a)=1.1547/a
PS:我还真不知道有原子密度一说,通常用的不都是面网密度来刻画这个量的吗?
这里还有一个我关于面网密度计算的回答,随便看看吧.

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为什么有的原子构成的物质晶格很整齐,可有的物质晶格很杂乱?是因为原子的哪些原因造成的?

秋水无痕l1年前2

wyjie2002 共回答了19个问题 | 采纳率73.7%

答案 ：晶体内部原子是按一定的几何规律排列的.为了便于理解,把原子看成是一个小球,则金属晶体就是由这些小球有规律堆积而成的物体.为了形象地表示晶体中原子排列的规律,可以将原子简化成一个点,用假想的线将这些连接起来,构成有明显规律性的空间格架.这种表示原子在晶体中排列规律的空间格架叫做晶格.
　　又称晶架.
　　①泛指晶体的空间格子这一几何图形.
　　②即“晶体结构”.因为组成晶体的原子、离子或分子在晶体内部的分布都是符合于空间格子的规律而表现为格子状的.
编辑本段
意义
　　[1]概念源于晶体学点阵.晶体学点阵是体现晶体结构内离子、原子、分子等在三维空间分布上公有周期性的几何图形.将反映晶体结构三维周期性的三个互不共面的基向量与整数m、n、p线性组合所得平移向量群(m,n,p=0,±1,±2…)中所有向量逐个作用于点阵点原点,即可导出一个由诸向量终点所构成的三维空间点阵.点阵及与之对应的平移群分别是反映晶体结构周期性的几何形式与代数形式.若以基向量对应的线段将相邻点阵点连接起来,则导出与晶体结构相对应的晶格.物质的熔沸点要看物质分子在物质晶格中堆积的紧密程度.分子越对称的,其在物质晶格内就排列的越紧密.熔点就越高.
编辑本段
晶格能
　　组成晶体的正、负离子在空间呈有规则的排列,而且每隔一段距离重复出现,有明显的周期性.
　　玻恩(Born)和哈伯(Haber)设计了一个热力学循环过程,从已知的热力学数据出发,计算晶格能.
　　把晶体中的离子变成气态离子的过程分解为若干过程之和,如：
　　ΔHf(NaCl）
　　Na(s)+1/2Cl2(g)——————————————>NaCl(s)
　　| ↑
　　| |
　　| |
　　Na(g) + Cl (g)---------->Na+(g) + Cl-(g)------>NaCl(g)
　　↑ |
　　| |
　　| |
　　| NaCl离子键的键能E1 |
　　|------------------------------------------|
　　ΔHf(NaCl) = ΔH1+ ΔH2+ ΔH3+ ΔH4
　　从玻恩 - 哈伯循环中不难分析出,对离子化合物稳定性的贡献最主要来自△H 和△H2 ,这两项合称晶格能.对离子化合物来说,晶格能对化合物的稳定性不言而喻,故常温下,离子化合物一般不可能是气体和液体,只能是固体.
　　气态离子从无限远处接近最后形成固体离子化合物的过程中释放的能量.是离子化合物稳定性的量度.
　　晶格能无法直接测得,只有通过热力学循环求得.
　　对纯离子化合物来说,离子电荷越高,晶格能越大；离子半径越小,晶格能越高.有：U ∝ Z + Z - /(r + +r - )
　　电荷高的晶格能大,电荷一样时看离子半径和,离子半径之和小的晶格能大.

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化学（哪位高人来帮个忙）已知Nd晶体为六方晶格（密堆积），原子半径r＝182.2pm，计算其密度。（求过程，为什么有4个

化学（哪位高人来帮个忙）
已知Nd晶体为六方晶格（密堆积），原子半径r＝182.2pm，计算其密度。（求过程，为什么有4个Nd，a为什么等于2根号2 r）
-我是想问Nd在晶胞中的哪几个位置。。 （打酱油的别废话）

阳舞1年前1

_青承_ 共回答了16个问题 | 采纳率81.3%

六方密堆积，一个晶胞，顶点的Nd是和几个晶胞公用，那么属于这个晶胞的就是几分之几了。面上的因为要与另一个晶胞的面公用，所以算是二分之一，晶胞内部的完全属于这个晶胞。这样数的话，属于1六方晶格的Nd的个数就是4啊。
密度是质量除以体积，数出来晶胞的nd个数之后，接下来算体积。我忘记六方晶格的堆积方式是什么了，所以现在不能告诉你a=什么，我回去看下书。(*^__^*) 嘻嘻……...

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什么是刃型位错?什么是螺型位错?写出作用在位错线上力的表达式和位错运动的晶格阻力.

dayinji1年前1

白色雪弗兰 共回答了16个问题 | 采纳率100%

在金属晶体中,由于某种原因,晶体的一部分相对于另一部分出现一个多余的半原子面.这个多余的半原子面又如切入晶体的刀片,刀片的刃口线即为位错线.这种线缺陷称为刃型位错.半原子面在上面的称正刃型位错,半原子面在下面的称负刃型位错.

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