要使晶体三极管具有放大作用,极电结与发射结的偏置电压如何连接

uufjy2022-10-04 11:39:541条回答

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三极管的放大原理
以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
一般要求的工作条件:BE结正偏置,硅管一般放大时0.6-0.7V左右,实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现,CB结反偏,一般这个电压会比 BE 结电压高几倍以上.在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的.
原理
1、发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE.
2、电子在基区扩散和复合:由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘.
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子:由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC.
4 三极管的输入输出特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时,基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线.
对硅管而言,当UCE超过1V时,集电结已经达到足够反偏,可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区.如果此时再增大UCE ,只要UBE保持不变(从发射区发射到基区的电子数就一定), IB也就基本不变.就是说,当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的.
二极管的伏安特性一样,三极管的输入特性也有一段死区,只有当UBE大于死区电压时,三极管才会出现基极电流IB.通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在正常工作情况下,NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6~0.7V,PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2~ -0.3V.
三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时,集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线.在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线.通常把输出特性曲线分为三个工作区:
1、放大区:输出特性曲线的近于水平部分是放大区.在放大区, IC = IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区.三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使UBE>0,UBC
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当Uce一定,uBE增大,iB会随着增大,
可是,不是说三极管工作在放大区的时候,uBE总是在0.7左右吗?
那我强行在uBE两端加上电压2v,那此时uBE的电压究竟是多少?是0.7还是2?

从这个图看, uBE可以加大,uBE越大,iB越大,可是正常放大状态下,uBE总是0.7,不是很矛盾吗

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猪头不怕gg 共回答了12个问题 | 采纳率100%
三极管输入特性曲线是反映ib与ube的变化关系,你说的uBE总是在0.7左右,是指在正常的放大状下,但ube可以在0V-0.7V之间变化呀.你强行在uBE两端加上电压2v,那三极管就立即烧坏了,还谈什么放大呀,还有什么0.7呀.比方说,在你身上强行放1吨的重物,还让你走路,你还能走吗?你会怎么样呢?这是一个道理,什么事不能强行做,这就是抬杠了.
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似乎没有按“导电特性”如此划分的,倒有单结与双结之分
判断:晶体二极管和晶体三极管都是非线性元件.对or错
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晶体二极管和晶体三极管都是非线性元件.——对.
17,晶体三极管工作在饱和区,发射结,集电结的偏置是( ) A:发射结正向偏置,集电结反向偏置 B:发射结反向
17,晶体三极管工作在饱和区,发射结,集电结的偏置是( ) A:发射结正向偏置,集电结反向偏置 B:发射结反向
A:发射结正向偏置,集电结反向偏置
B:发射结反向偏置,集电结正向偏置
C:发射结反向偏置,集电结反向偏置
D:发射结正向偏置,集电结正向偏置
请问选哪一个答案,为什么
kuailewushang1年前1
嗷嗷嗷 共回答了20个问题 | 采纳率90%
选D 三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.
)用电流表测得晶体三极管的Ie =10.2A,Ic =10A,求Ib 和β的值各为多少
用嘴唇单击1年前1
beatrice008 共回答了22个问题 | 采纳率86.4%
Ie=Ib+Ic Ib=10.2-10=0.2 A
β=Ic/Ib=10/0.2=50
晶体三极管的工作状态由图所示:两个结BC和BEBC反偏,BE正偏时,C中的电子流入B,小部分电子与B中的空穴复合,大部分
晶体三极管的工作状态
由图所示:两个结BC和BE
BC反偏,BE正偏时,C中的电子流入B,小部分电子与B中的空穴复合,大部分成为B中的的少子,在BC的反偏下,B中的电子又流向C.Ic=Ibβ 三极管工作在线性放大区.
BC正偏,BE反偏
BC正偏,BE正偏
BC反偏,BE反偏
这三种情况下的电子流动的具体情况是怎样的?电流之间的关系是怎样的?三极管的工作状态是什么啊?
请知道的朋友讲解一下,越详细越好,
recital1年前1
碟翼 共回答了17个问题 | 采纳率70.6%
BC正偏,BE反偏
只要BE结不击穿,也相当于一个三极管,只是HFE很小,一般小于10.
BC正偏,BE正偏
分好几种情况,比较复杂,如果仅仅是饱和状态,也分大电流和小电流的情况,基极电压仍有一定的调节能力.
如果C结的电压已经接近或低于E结,就相当于两个二极管并联,可以认为没有相互作用.
BC反偏,BE反偏
两个结均截止,只有很小很小的反向漏电流
晶体三极管的电流放大原理配个图啊 我总觉得放大的是反的我意思说两个PN结是反接的,怎么来放大电流
雨过心会晴1年前1
mfk111 共回答了25个问题 | 采纳率100%
你说的对.一般的三极管放大(共射放大电路,输出信号从集电极引出),输出信号与输入信号在相位上刚好相差180度.
这个问题其实就是三极管的工作原理,属于微电子学的知识(PS:现在的高中居然要学这些,实在搞不懂).三极管放大时,不可能两个PN结都反偏,而是BE结正偏,BC反偏.你说的两个反偏进行放大是完全错误的,这个状态叫截止.三极管还有一个状态就是两个PN结都正偏,称为饱和.有些三极管只工作在截止和饱和状态(在两种状态间不断变换),称为开关状态.
大概情况如下:
1、发射区向基区扩散电子:由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子(自由电子)不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE.
2、电子在基区扩散和复合:由于基区很薄,其多数载流子(空穴)浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘.
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子:由于集电结反向偏置,内部形成了较大的内电场,在电场力作用下可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC.
救命,晶体三极管电流放大的偏置条件是() A.发射结反偏、集电结反偏 B.发射结反偏、集……
救命,晶体三极管电流放大的偏置条件是() a.发射结反偏、集电结反偏 b.发射结反偏、集……
晶体三极管电流放大的偏置条件是()
a.发射结反偏、集电结反偏 b.发射结反偏、集电结正偏
c.发射结正偏、集电结反偏 d.发射结正偏、集电结正偏
三极管具有电流放大作用,表现在()
a.集电极电流受发射极电流控制 b.基极电流受集电极电流控制
c.发射极电流受集电极电流控制 d.集电极电流受基极电流控制
pnp型三极管是()
a.硅三极管 b.锗三极管 c.可能是硅管也可能是锗管 d.场效应管
减小基本放大电路的基极电阻,将使()
a.集电极电流增大 b.集电极电流减小 c.集电极电位升高 d.三极管的输入电阻不变
半导体中的载流子()
a.只有自由电子 b.只有空穴 c.只有价电子 d.有自由电子也有空穴
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C.发射结正偏、集电结反偏D.集电极电流受基极电流控制B.锗三极管A.集电极电流增大
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