晶体三极管的电流放大系数和温度有关系吗?如果有,是什么关系,

1：第二,使 结正向偏置,结反向偏置.
2：PN结电容,壳体与引线电容,PN结电容
3：静态工作点,
4：大,小
5：各元器件内部载流子运动的不规则,噪声系数是指输入端信噪比与放大器输出端信噪比的比值
6：相同,L/RC
7：④ 正弦波振荡器是一个满足振荡相位和幅值条件的选频放大器；

三极管的放大原理
以NPN三极管为例说明其内部载流子运动规律和电流放大
一般要求的工作条件：BE结正偏置,硅管一般放大时0.6-0.7V左右,实际工作时通过电阻分压或控制基级电阻来实现,CB结反偏,一般这个电压会比 BE 结电压高几倍以上.在集电级一般是需要串联电阻或感性负载的.
原理
1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE.
2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄,其多数载流子（空穴）浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘.
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置,可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC.
4 三极管的输入输出特性
三极管的输入特性是指当集-射极电压UCE为常数时,基极电流IB与基-射极电压UBE之间的关系曲线.
对硅管而言,当UCE超过1V时,集电结已经达到足够反偏,可以把从发射区扩散到基区的电子中的绝大部分拉入集电区.如果此时再增大UCE ,只要UBE保持不变（从发射区发射到基区的电子数就一定）, IB也就基本不变.就是说,当UCE超过1V后的输入特性曲线基本上是重合的.
二极管的伏安特性一样,三极管的输入特性也有一段死区,只有当UBE大于死区电压时,三极管才会出现基极电流IB.通常硅管的死区电压约为0.5V,锗管约为0.1V.在正常工作情况下,NPN型硅管的发射结电压UBE为0.6～0.7V,PNP型锗管的发射结电压UBE为-0.2～ -0.3V.
三极管的输出特性是指当基极电流IB一定时,集电极电流IC与集-射极电压UCE之间的关系曲线.在不同的IB下,可得出不同的曲线,所以三极管的输出特性是一组曲线.通常把输出特性曲线分为三个工作区：
1、放大区：输出特性曲线的近于水平部分是放大区.在放大区, IC ＝ IB ×?,由于在不同IB下电流放大系数近似相等,所以放大区也称为线性区.三级管要工作在放大区,发射结必须处于正向偏置,集电结则应处于反向偏置,对硅管而言应使UBE>0,UBC

如直接测量相当于在基集间并联了一只电阻（电压表的内阻），增加了三极管的偏置电流，此电流会被三极管放大数十倍至数百倍，使集电极电流增加，引起集电极电压下降，使得测量结果受到严重影响。

截止、放大、饱和三个状态.
放大状态常见于线性放大电路.
截止、饱和状态常见于开关电路.

放大状态：三极管的PN极只有处在正偏才能正常工作（放大）.但是如果正偏过大,超出三极管的饱和电压,就会出现饱和,失去放大功能.反偏当然不能工作了.截止了.

三极管输入特性曲线是反映ib与ube的变化关系,你说的uBE总是在0.7左右,是指在正常的放大状下,但ube可以在0V-0.7V之间变化呀.你强行在uBE两端加上电压2v,那三极管就立即烧坏了,还谈什么放大呀,还有什么0.7呀.比方说,在你身上强行放1吨的重物,还让你走路,你还能走吗?你会怎么样呢?这是一个道理,什么事不能强行做,这就是抬杠了.

场效应管的原件要比晶体管小得多.晶体管就是一个小硅片.但是场效应管的结构要比晶体管的要复杂.场效应管的沟道一般是几个纳米,也就是说场效应管的“硅片”的制作更加复杂而且体积要比晶体管小的多.但是话又说回来.工业制造场效应管的集成电路要比晶体管的要简单得多.而且集成密度要比晶体管的要大得多.场效应管是电压控制电流的晶体管是电流控制电流型的.一般不可以直接代换的.除非稍微改变一下电路结构.至于结构可以找图片在百度上.哦还有MOSFET就是场效应管的意思,简称MOS.而双结型晶体管简称为BJT.结型场效应管简称为JFET.希望你可以用上.

乙类互补对称功率放大电路在正常工作时,晶体三极管工作在(2放大和截止 )状态 因为乙类互补对称功率放大电路它是用两组对称的放大器分别放大正、负半周,当正半周时正半周放大器放大,而负半周的放大器不工作,处于截止状态.反过来也一样,当负半周时负正半周放大器放大,而正半周的放大器不工作,处于截止状态.

三极管可以看做两个PN结,
对于NPN管:三极管要导通则需要两个PN结处于正偏电压,NPN是用B—E的电流（IB）控制C—E的电流（IC）,E极电位最低,且正常放大时通常C极电位最高,即VC>VB>VE.所以,电流的流向是由C极流向E极.B极是控制脚,B的电流流向E.
对于PNP管:PNP是用E—B的电流（IB）控制E—C的电流（IC）,E极电位最高,且正常放大时通常C极电位最低,即VC

似乎没有按“导电特性”如此划分的,倒有单结与双结之分

晶体二极管和晶体三极管都是非线性元件.——对.

选D 三极管工作在饱和区时,发射结和集电结都处于正向偏置状态.

Ie=Ib+Ic Ib=10.2-10=0.2 A
β=Ic/Ib=10/0.2=50

BC正偏,BE反偏
只要BE结不击穿,也相当于一个三极管,只是HFE很小,一般小于10.
BC正偏,BE正偏
分好几种情况,比较复杂,如果仅仅是饱和状态,也分大电流和小电流的情况,基极电压仍有一定的调节能力.
如果C结的电压已经接近或低于E结,就相当于两个二极管并联,可以认为没有相互作用.
BC反偏,BE反偏
两个结均截止,只有很小很小的反向漏电流

你说的对.一般的三极管放大（共射放大电路,输出信号从集电极引出）,输出信号与输入信号在相位上刚好相差180度.
这个问题其实就是三极管的工作原理,属于微电子学的知识（PS:现在的高中居然要学这些,实在搞不懂）.三极管放大时,不可能两个PN结都反偏,而是BE结正偏,BC反偏.你说的两个反偏进行放大是完全错误的,这个状态叫截止.三极管还有一个状态就是两个PN结都正偏,称为饱和.有些三极管只工作在截止和饱和状态（在两种状态间不断变换）,称为开关状态.
大概情况如下：
1、发射区向基区扩散电子：由于发射结处于正向偏置,发射区的多数载流子（自由电子）不断扩散到基区,并不断从电源补充进电子,形成发射极电流IE.
2、电子在基区扩散和复合：由于基区很薄,其多数载流子（空穴）浓度很低,所以从发射极扩散过来的电子只有很少部分可以和基区空穴复合,形成比较小的基极电流IB,而剩下的绝大部分电子都能扩散到集电结边缘.
3、集电区收集从发射区扩散过来的电子：由于集电结反向偏置,内部形成了较大的内电场,在电场力作用下可将从发射区扩散到基区并到达集电区边缘的电子拉入集电区,从而形成较大的集电极电流IC.

C.发射结正偏、集电结反偏D.集电极电流受基极电流控制B.锗三极管A.集电极电流增大
A.只有自由电子

晶体三极管管是利用 ( 基极电流 )来控制( 发射极电流 )大小的半导体器件
在NPN型三极管中,面积最小的是( 基 ) 区.

PNP型晶体三极管处于放大状态时,三个电极中E极电位最高.C极电位最低.

则该管（pcm=15×20=300mw,超过了额定pcm100mw ）

判断三极管管脚的最简单的方法（指针表）：先找到表笔反正两面都不通的两个脚,其余的那个就是“基极”---黑表笔接基极对另外两脚测、表针摆动,这是NPN管.
判断集电极方法：黑表笔接假设的集电极,红表笔接发射极、同时用手指触摸黑表笔,用舌头舔基极,表针应有较大的摆动!这时表示假设的集电极正确,如果摆动很小表示错误.
找到基极、确定了集电极、另一个就是发射极了.

输出电压带负载后降低为空载时的一半,因此输出电阻等于此时的负载电阻.