pn结加正偏导通,加反偏截止,称为PN结的什么性能

解题思路：（1）温度升高，封闭气体体积增大，水银柱上升，当电路恰好接通时，报警器开始报警；此时空气柱长度L₁+L₂，以封闭空气柱为研究对象，根据等压变化规律求出温度．
（2）加入水银柱后空气柱下降，但是玻璃管的总长度38cm不变，再由理想气体状态变化方程求得加入水银柱的长度．

①封闭气体做等压变化，设试管横截面积为S，则初态：V₁=20S，T₁=300K，末态：V₂=30S，
由盖吕萨克定律可得：
V1
T1＝
V2
T2，
解得T₂=450K，
所以t₂=177℃．
②设当有xcm水银柱注入时会在87℃报警，则对封闭气体，初态：p₁=83cm汞柱，V₁=20S，T₁=300K，末态：p₂=（83+x）cm汞柱，V₂=（30-x）S，T₃=360K，
由理想气体状态方程可得：
p1V1
T1＝
p2V2
T3，
代入数据解得x=8.14cm．
答：（1）当温度达到177℃时，报警器会报警；
（2）如果要使该装置在87℃时报警，则应该再往玻璃管内注入8.14cm高的水银柱．

点评：
本题考点： 传感器在生产、生活中的应用．

考点点评： 气体状态变化可以应用理想气体状态方程求解，本题的关键是找出气体的变化是等压变化．

1、当U1=3V,U2=0V时,D1导通,D2截止.
2、U0=0v.
原因：U2为0V时,电流由5V正---3K电阻--D1---5V负,由于D1无降压,则U0的正为0.

＞0.7V(硅管)时,二极管才能导通.

答：你看这张图片,你就知道了,和你的理解刚好相反.有源导通区应该指饱和区,而线性导通区是非饱和区.

D1导通,D2 D3 截止,输出U0=0.3V

aaa你这个涉及的方面比较多,有半导体器件的还有数电的 我只会半导体的.

半波整流,二极管的单向导电性能,将50Hz频率削去一半,所以有效值,只有电压的一半了.

（1） C
(2) C
(3) B
第一道题没啥解释的,稳压管就是工作在反向击穿的状态
第二道题得看你接的负载电阻有多大,如果负载电阻无穷大的话,那么输出的直流电压就等于副边交流电压的峰值,如果此时直流电压为30V的话,那么副边的有效值为 30*0.707=21.21伏.如果负载电阻不足够大的话,那么输出的直流电压就小于副边交流电压的峰值,那么如果此时直流电压为30V,那么此时副边交流电压的峰值电压一定大于30V.所以此时副边的有效值一定大于 21V.但是具体是多少这个是不确定的,这要看所接负载电阻的大小,但是一般我们取 副边有效值电压为直流输出电压的0.8-0.9倍左右,所以30*0.8=24V.综上所述,选择25V
第三道题 差分放大电路,Kcmr 是共模抑制比,就是差分放大电路对差模信号的放大倍数比上对共模信号的放大倍数,这里面对共模信号的放大倍数越小越好,（因为温漂就可以等效成共模信号）对差模信号的放大倍数越大越好,所以Kcmr越大越好,Kcmr越大,那么抑制器件的温度漂移的效果越好.所以选择B.

TTL与非门
1 电路的关态-指电路的输出管处于截止工作状态时的电路状态,此时在电路输出端可得到 VO=VOH,电路输出高电平.
2电路的开态-指电路的输出管处于饱和工作状态时的电路状态,此时在输出端可得到 VO=VOL,电路输出低电平.
3 电路的电压传输特性-指电路的输出电压VO随输入电压Vi变化而变化的性质或关系（可用曲线表示,与晶体管电压传输特性相似）.
4 输出高电平VOH-与非门电路输入端中至少一个接低电平时的输出电平.
5 输出低电平VOL-与非门电路输入端全部接高电平时的输出电平.
6 开门电平VIHmin-为保证输出为额定低电平时的最小输入高电平(VON).
7关门电平VILmax-为保证输出为额定高电平时的最大输入低电平(VOFF).
8 逻辑摆幅VL-输出电平的最大变化区间,VL=VOH-VOL.
9 过渡区宽度VW-输出不确定区域（非静态区域）宽度,VW=VIHmin-VILmax.
10 低电平噪声容限VNML-输入低电平时,所容许的最大噪声电压.其表达式为 VNML=VILmax-VILmin=VILmax- VOL(实用电路).
11高电平噪声容限VNMH-输入高电平时,所容许的最大噪声电压.其表达式为 VNMH=VIHmax-VIHmin=VOH- VIHmin(实用电路).
12 电路的带负载能力（电路的扇出系数）-指在保证电路的正常逻辑功能时,该电路最多可驱动的同类门个数.对门电路来讲,输出有两种稳定状态,即应同时考虑电路开态的带负载能力和电路关态的带负载能力.
13 输入短路电流IIL-指电路被测输入端接地,而其它输入端开路时,流过接地输入端的电流.
14输入漏电流（拉电流,高电平输入电流,输入交叉漏电流）IIH-指电路被测输入端接高电平,而其它输入端接地时,流过接高电平输入端的电流.
15 静态功耗-指某稳定状态下消耗的功率,是电源电压与电源电流之乘积.电路有两个稳态,则有导通功耗和截止功耗,电路静态功耗取两者平均值,称为平均静态功耗.
16 瞬态延迟时间td-从输入电压Vi上跳到输出电压Vo开始下降的时间间隔.Delay-延迟.
17瞬态下降时间tf-输出电压Vo从高电平VOH下降到低电平VOL的时间间隔.Fall-下降.
18 瞬态存储时间ts-从输入电压Vi下跳到输出电压Vo开始上升的时间间隔.Storage-存储.
19 瞬态上升时间tr-输出电压Vo从低电平VOL上升到高电平VOH的时间间隔.Rise-上升.
20瞬态导通延迟时间tPHL-（实用电路）从输入电压上升沿中点到输出电压下降沿中点所需要的时间.
21 瞬态截止延迟时间tPLH-（实用电路）从输入电压下降沿中点到输出电压上升沿中点所需要的时间.
22 平均传输延迟时间tpd-为瞬态导通延迟时间tPHL和瞬态截止延迟时间tPLH的平均值,是讨论电路瞬态的实用参数.

是这样的
凡是和地面导通的,就默认为带电量为0了.
因为默认地面是不带电的.

二极管D1正向导通电压为0.7V.
定性分析,可以认为二极管D1正向导通电压为0.7V恒定不变,反向电压降很高.比如50V.
（实际在0.65v--0.75v之间波动,为了简化分析问题,一般认为硅二极管正向导通电压为0.7V恒定不变.）
如把图中D1去掉,F点是3.7V.但D1接入,F点电位被限定在1.4V.
电流路径1：R-D1-A..F点电位稍有升高,流过D1二极管电流迅速增大,R上电流就会增大,R上电压降就迅速增加.维持F点是1.4V..
电流路径2：R-D2-B.因F点是1.4V.B点3伏,D2反向工作,可以认为无电流流过.
电流路径3：B-D2-D1-A.因F点是1.4V.B点3伏,D2反向工作,可以认为无电流流过.

二极管导通时压降为0.7V,反偏时电阻为∞,与这两个条件有一条不同的都是错误的

I=U/R=12/3000=0.004A

二极管正向导通时的电压的大小,我们常用的是硅材料二极管,它导通时两端电压是0.7V,但锗的话是0.3V 等等,所以导通电压是由材料而定.
有专门的稳压二极管,由他的反向特性决定稳压大小.

题1 截止 AO两端电压 0
题2 导通 AO两端电压 6V

可以量一量R4上损失了多少直流电压啊?损失不大就没有关系.
Q1、Q2是跟随器,没有电压放大功能,因此加到FET栅极上仍然是输入的5Vpp,如果正负对称,就是+-2.5V的电平,而IRF44Z的导通电压要3V才行!可能它还没有工作进入状态呢.

a通,b不通

这是因为二极管正偏导通后相当于一根导线,为了分析方便,它的内阻很小可以忽略不计,这样L的电压就等于二极管对地电压,而全高的话二极管反偏截止,内阻为无群大相当于短路,这样L点就是Vcc了

第一个问题,是都流向E
第二,电势肯定不同
第三,不是,因为存在电势差,有等效电阻
楼主可以参考电子电路基础

a) 设R=1,则2R=2；10-0.7=9.3/3R=3.1v/R; 所以得：U2=6.2V,U1=6.2+0.7V=6.9V
b) 设R=1,则2R=2；10-0.7=9.3/3R=3.1v/R; 所以得：U2=3.1V,U1=3.1V+0.7V=3.8V
（仅代表个人所见,只供参考,不保证完全正确）

Q4饱和后,C极输出的是低电平.这时,对P沟道场效应管Q1来讲,S接电源正极,G经R16、Q4接电源负极,Ugs符合开通条件（小于-1.2V）.
Q4的ce之间的饱和压降,无关大局.

首先要从T3开始,当ui

不会的,外加电压=V=Vd+Vr=0.7+I*R.该公式是二极管导通是的电压方程,并假定了二极管导通电阻为0,可以看到当V=0.7时,I=0,即回路中不可能有电流,因此二极管不会导通.
更严格地说,V=Vd+I*Rd+I*R,其中Rd为二极管导通后的等效电阻,虽然很小,但一定不为零,因此导通电流I=(V-Vd)/(Rd+R).而显然二极管导通的含义即为I>0,即(V-Vd)/(Rd+R)>0,理想二极管条件下,该公式即(V-Vd)/R>0.
根据题设V-Vd=0,因此二极管不可能导通.

设：二极管导通压降为：0.7V
图（A）二极管导通：Uab=-5.3V
图（B）二极管截至：Uab=-12V

并没有消失,只是变窄了!
当加正向电压时,空间电荷区会很窄,所产生的电场会很强大,电子会穿过空间
电荷区,从而实现导电!

Ic＜βIb,这就是三极管饱和的条件.

求解?
一、选择题
1. 硅材料二极管正向导通时,在管子上的正向电压UD是：
B．0.7V
2. 逻辑表达式 Y=(A+B)(/C+/D) 的反演式是： (/表示非或反.即/A表示A非或A的反）
B．/Y=/A/B+CD
二、填空题
1. Y=AB+ AB 对偶式为Y'= (A+B)(A+B) .
2. Y=AB+CDE+0 的反函数式为/Y= (/A+/B)(/C+/D+/E) * 1 .
3、51个“1”连续进行异或运算,其结果是 1 .
4、最基本的门电路是：非门 、与门 、或门 .
5、逻辑函数F=/(A异或B) ,它的与或表达式为F = AB + /A/B .

1．反向击穿；
2．0.2W；
3．1.5K；
4．必须引入正反馈 和 有外加的选频网络；
5．带阻；
6．直流、交流；
7．共集、负载能力；
8．直接；
9．电流、正向、反向、电压；
10.线性、非线性；

二极管正向压降相关：
1、二极管材质/工艺：硅管压降 > 锗管压降.而同等材质,工艺不同,压降也不同.
2、二极管的工作电流：同一个二极管,当前电流越大,压降越大.
压降虽然有不同,但是范围在( 零点几~1点几 ) V 范围
反向饱和电流Is 大概是uA级别,根据二极管种类不同,有差异

一般电阻是对于固体或离子导电时来说的,空气电阻是不定的,它的电阻会随电压的变化而变化.

直接达到这样功能的单独元件是没有的……至少我没有遇到过,并且是二端元件.
如果是三端元件,即电控元件还有一根线接地,这样电控才有参考点,才能判断电压是否大于220V.

将D1、D2断开,
则UD1＝10V,UD2＝10＋5＝15V,UD2＞UD1,故D2管导通,
D2管导通后,UD1＝－5V,故D1管截止.
UAO＝－5V.

这是电路的并联 甲方的剑和乙方导电服接触 只有乙方灯亮而甲方不可以亮灯 同理 乙方的剑击中甲方时 甲亮 已不亮

1 正向导通电压要大于0.7V 门极电压 大于0．7v 也就是 Uak>0.7v Ugk>0.7v

C

你说的基本是对的.准确的说,就是在晶闸管的阳极（A）上加负（-）,阴极（K）上加正（+）电压,使晶闸管承受反向电压.

这是与非门电路,左边的输入端都是高电位,输出也是1,Q1截止,右边的有一个输入是低电位的0,输出也是0,Q3导通的.不过楼上有位说得对,要有限流电阻才实用安全的.

2N60,4N60都有TO252封装的,前者耐压600V,电流2A,后者耐压600V,电流4A.都符合你的要求.
淘宝上可以买到.

5V的MOS管就很少 加上又是这种超低电流的 目前是没有哦、
600ma最低也是20V的

(a)导通 U0=-6.7V

(b)截止 U0=-6V

解题思路：根据题意确定开关控制的灯泡，然后根据串、并联电路中的特点分析灯泡的连接方式．

因为甲方指示灯和乙方指示灯可以单独工作，并且互不影响，因此甲、乙指示灯为并联连接；根据题意可知，甲方开关控制乙方指示灯的工作；乙方开关控制甲方指示灯的工作；因此D选项电路符合要求．
故选D．

点评：
本题考点： 串、并联电路的设计．

考点点评： 本题考查串并联电路的特点，会根据用电器的工作情况确定用电器的连接方式，并会根据题意确定开关的作用．

LED 用电阻档测 是没有任何阻值的 不管是正 还是反 都是没阻值的,测得有阻值LED 是有问题的,像这种现象通常叫漏电.像这样的LED用暂时可以用下,时间长了会出现 比一般LED的光衰要大、或不亮.

很简单．．
1.晶闸管承受反向阳极电压时,不管门极承受何种电压,晶闸管都处于关断状态.
2.晶闸管承受正向阳极电压时,仅在门极承受正向电压的情况下晶闸管才导通.
3.晶闸管在导通情况下,只要有一定的正向阳极电压,不论门极电压如何,晶闸管保持导通,即晶闸管导通后,门极失去作用.
4.晶闸管在导通情况下,当主回路电压（或电流）减小到接近于零时,晶闸管关断.

没有R3三极管导通以后将烧毁.

对PMOS增强型管是正确的,耗尽型则不同.

设二极管关断.
Va=15x10/（140+10）=1V
Vc=15×5/（25+5）=2.5V
Vcb=20×2/（18+2）=2V
Vb=Vc-Vcb=2.5-2=0.5V
Vab=Va-Vb=1-0.5=0.5V
大于2AP二极管门槛电压,二极管导通.

根据图纸分析,如果二极管正极的电压比负极的电压高,则二极管导通；如果负极的电压比正极的电压高,则二极管截止.