当PN结加正向电压导通时,里面所谓的空间电荷区是不是消失没有了,还是说只是变窄了

某硅二极管在室温下的反向饱和电流为XA,求外加正向电压为0.2V时二极管的直流电阻RD和交流电阻rd
这个是用 小信号模型 做的吗

半导体产品说明 书中说明了正向电压,及反向电压的电压值是什么意思?
是不是电压限值?

半导体二极管最重要的特性是单向导电性．即当外加正向电压时，它呈现的电阻（正向电阻）比较小，通过的电流比较大；当外加反向电压时，它呈现的电阻（反向电阻）很大，通过的电流很小．用伏安法测得某个二极管的正向伏安特性曲线如图所示． （1）二极管正向不导通时的最高电压叫死区电压，该二极管的死区电压为______V． （2）当正向电压高于某个值以后，通过二极管的电流随电压增加按线性关系迅速上升，在该区域，二极管的正向电阻随电压增加而______（填“增大”、“不变”或“减小”） （3）将该二极管与一个电动势为1.5V（内阻不计）的干电池、阻值为75Ω的定值电阻正向连接构成回路，此时二极管的正向电阻约为______Ω．（保留2位有效数字）

关于pn结
为什么在PN结加上正向电压,PN结会变薄.上网找了很久都还是不明白.
好像是与电力场有关系的,不过之间的不是中性的PN结吗?这有与电力场有什么关系?
还有为什么P半导体不能与N半导体完全结合,为什么在中间有个PN结就会终止他们结合,PN结不是中性的吗?为什么会阻碍到他们?

三极管发射结电流
由于发射结外加正向电压,发射区的多子电子将不断通过发射结扩散到基区,形成发射结扩散电流Ien.同时,基区的多子空穴也要扩散到发射区,形成空穴扩散电流Iep.两者构成发射结电流Ie=Ien+Iep.空穴的移动实际上是束缚电子的移动.上面Ien不是应该包含Iep吗?Ien是由自由电子的移动和价电子的移动所形成的电流和吧?也就是说Ien=Iep+未被复合的电子的移动所形成的电流,

下面表格是测定二极管的伏安特性曲线的实验数据,要求:分析该二极管死区电压对应电流是多少?正向电压（v） |0|0.3|0.4|0.45|0.50|0.55|0.60|0.65 正向电流 |0|0.008|0.09|0.13|0.16|1.9|2.2|2.5

PN结加正向电压,是指P区接电源的什么极,N区接电源的什么极.
此时,PN结内电场是多少

在放大电路中 电流的流动方向
在放大电路中 需要给三极管的集电极加反向电压 给发射极加正向电压 那么电流是从集电极流向基极 还是从基极流向发射极呢?说明原因
放大电路中vcc大于vbb 电流为什么不是从vcc经集电极 ,然后到基极 过vbb到地呢？

当二极管两端加正向电压时,它的动态电阻随电流增加而_____；三极管的穿透电流Iceo会随_____升高而增大.
把画横线的填一下并说明理由

PN结外加正向电压时,外电压与内电场的电压不同时的情况是怎么样的?
外加正向电压时外电压大于内电场的情况我明白,可是外电场小于或等于内电场的电压呢?情况是怎么样的?

关于二极管PN结的问题.
书上说PN结有单向导电性,即在PN结上加正向电压时,PN结电阻很低,正向电流较大,PN结处于导通状态.所说的加正向电压是什么意思,那加反向电压呢?

发光二极管电压降是什么意思
发光二极管的正向电压降我量过不是0.7v,也不是0.2v,是不是所说的二极管电压降不针对发光二极管,发光二极管就是个灯泡.

当在三极管的发射结加正向电压、集电结加正向电压时,该三极管处 于 工作状态.
当在三极管的发射结加正向电压、集电结加正向电压时,该三极管处
x05于 工作状态.
x05A、截止 B、饱和 C、放大 D、开关
那个集电结加的是正向的电压-

稳压二极管加正向电压时导通吗?加正向电压,电压超出稳压电压值时它导通吗?通
稳压二极管加正向电压时导通吗?加正向电压,电压超出稳压电压值时它导通吗?通

第一题、单项选择题 1、PN结加正向电压时呈现： A、导通状态 B、截止状态 C、饱和状 D/
第一题、单项选择题（每题1分,5道题共5分）
1、PN结加正向电压时呈现：
A、导通状态 B、截止状态
C、饱和状态 D、

2、N型半导体中主要靠（ ）载流子导电：
A、束缚电子 B、空穴
C、自由电子 D、

3、二极管的反向电流越小,说明管子的：
A、单向导电性越好 B、单向导电性越差
C、与单向导电性无关 D、

4、和CMOS门相比,TTL逻辑门具有工作（ ）的特点.
A、速度快,功耗大 B、速度快,功耗小
C、速度慢,功耗小 D、

5、与非门的多余输入端不能接：
A、0 B、1
C、 D、


第二题、多项选择题（每题2分,5道题共10分）
1、PN 结加正向电压时：
A、呈现小电阻
B、呈现大电阻
C、为导通状态
D、为截止状态

2、三极管工作在饱和状态时：
A、如图开关断开
B、两个结均反偏
C、如图开关闭合
D、两个结均正偏
E、一个结正偏,另一个结反偏

3、三态门的输出状态有：
A、0状态
B、1状态
C、高阻态

4、或非门的多余输入端可以：
A、接逻辑1
B、接逻辑0
C、和有用端并接
D、悬空

5、场效应管也叫：
A、电流控制器件
B、电压控制器件
C、双极性器件
D、单极性器件


第三题、判断题（每题1分,5道题共5分）
1、PN 结加正向电压时,呈现小电阻,为导通状态；加反向电压时,呈现大电阻,为截止状态.
正确 错误

2、二极管的反向电流越大,说明管子的单向导电性越好,因此反向电流越大越好.
正确 错误

3、二极管的反向饱和电流随温度的升高而增大.
正确 错误

4、三极管实现电流控制及放大的外部条件是Je正偏,Jc反偏.
正确 错误

5、逻辑门的多余输入端可以和有用端并接使用.
正确 错误

关于晶闸管的导通条件
王兆安版的电力电子技术21页有句话＂当门极电流IG=O时,如果在晶闸管两端施加正向电压,晶闸管处于正向阻断状态.如果正向电压超过临界极限即正向转折电压Ubo时,则漏电流急剧增大,晶闸管导通.＂这句话可否理解为当门极电流为0时仍存在一个转折电压,AK极两端电压只要超过这个值就可以导通

关于三极管放大电路的疑问?
教科书一般说的是,三极管工作在饱和状态的条件是给集电结和发射结都要加正向电压,即Ub>Ue且Ub>Uc；后来我发现了一个疑问,就是不一定要给集电结加正向电压,三极管工作在放大状态时,让基极电流Ib增加到一定值的时候,三极管就失去放大作用,进入饱和状态,此时Ub>Uc,我想问的是：
三极管是由于集电结正偏进入饱和状态还是由于进入饱和状态使集电结正偏?

电子应用技术试题
一、填空题：
1、最常用的半导体材料是 硅 和 锗 。
2、PN结具有 特性，即加正向电压时PN结 ，加反向电压时PN结 。
3、二极管的图形符号是： ；基本特性是 。
4、将 转换为 称为整流，常用整流电路有 、 。
5、所谓滤波，就是保留脉动直流电中的 成分，尽可能滤除其中的 成分，把脉动直流电变成 直流电的过程。
6、滤波电路中，滤波电容和负载____联，滤波电感和负载____联。
7、三极管工作在放大状态时，其 结必反偏，其 结必正偏。
8、三极管有三个工作区域：_________、 _____________、 _____________。
9、三极管放大电路共有三种组态分别是 、 、 放大电路。
10、在变压器次级电压相同的情况下，桥式整流电路输出直流的电压比半波整流电路高 倍，而且脉动 。
11、带放大环节的串联型稳压电路包括 、 、 和
等几部分。
12、晶闸管导通的条件是：在阳极和阴极之间加正向电压的同时，在 和
之间也加正向电压。
13、某晶体三极管的UCE不变，基极电流IB＝30μA时，IC＝1.2mA，则发射极电流IE＝_______mA，如果基极电流IB增大到50μA时，IC增加到2mA， 则发射极电流IE＝_______ m A,三极管的电流放大系数β＝_______。
二、判断题：
（ ）1、PN结正向偏置时电阻小，反向偏置时电阻大
（ ）2、放大器在工作时，同时存在直流分量和交流分量。
（ ）3、晶体二极管的加反向电压时一定截止。
（ ）4、晶体三极管由两个PN结，因此它具有单向导电性。
（ ）5、晶体二极管是线性元件。
（ ）6、无论是哪种类型的晶体二极管，其正向电压都为0.3V左右。
（ ）7、发射结反向偏置晶体三极管一定工作在放大状态。
（ ）8、整流电路接入电容滤波后，每只二极管承受的最高反向工作电压减小。
（ ）9、一般来说，硅晶体二极管的死区电压小于锗晶体二极管的死区电压。
（ ）10、稳压二极管既可以并联使用也可以串联使用。
（ ）11、整流电路接入滤波电容后，输出直流电压下降。
（ ）12、晶闸管触发导通后，门极仍具有控制作用。
（ ）13、晶体二极管的反向饱和电流越大，二极管的质量越好
（ ）14、晶体三极管的集电极和发射极可以互换使用。
（ ）15、集成运放的引出端只有三个。
三、单项选择题
1、半导体受光照，导电性能（ ）。
A、增强 B、减弱 C、不变
2、把电动势为1.5V的干电池的正极直接接到一个硅二极管的正极，负极直接接到硅二极管的负极，则该管（ ）。
A、基本正常 B、将被击穿 C、将被烧坏 D、电流为零
3、放大电路中的饱和失真与截止失真称为（ ）。
A、线性失真 B、非线性失真 C、交越失真
4、在滤波电路中，与负载并联的元件是（ ）。
A、电容 B、电感 C、电阻 D、开关
5、满足Ic=βIB的关系时，晶体三极管工作在（ ）。
A、饱和区 B、放大区 C、截止区
6、晶闸管整流电路输出值的改变是通过（ ）实现的。
A、调节控制角 B、调节触发电压的大小 C、调节阳极电压的大小
7、三极管是一种（ ）的半导体器件。
A、电压控制 B、电流控制 C、既是电压控制又是电流控制 D、功率控制
8、半导体中传导电流的载流子是（ ）。A、电子 B、空穴 C、电子和空穴
9、用直流电压表测量NPN型三极管中管子各极电位是UB=4.7V，UC=4.3V，UE=4V，则该晶体三极管的工作状态为（ ）。
A、截止状态 B、饱和状态 C、放大状态 D、击穿状态
10、交通信号灯采用的是 （ ）管。
A、发光二极管 B、光电二极管 C、变容二极管 D、整流二极管

有A、B两个二极管.他们的反向饱和电流分别为5mA,和0.2uA,在外加相同的正向电压时的电流分别为20mA和8mA
你认为哪一个管的性能较好?
求此简答题的详细过程.

二极管的伏安特性曲线可以看出,加正向电压时二极管的电流随电压增大,
加反向电压时电流随电压增大而减小,那么是怎样改变二极管两端的电压反向的,通过改变电流反向吗?可是二极管不是单向的吗,如果改变电流方向那二极管还会工作么?

请教LED限流电阻该怎么计算?
输入电压在12~13.5V之间,LED的参数：【正向电流】：70~100mA,【正向电压】：2.7-3.0V.
请问这样的LED在电路中三个串联和四个串联,该怎么计算限流电阻呀

当环境温度升高时,二极管的正向电压将（ ）,反向饱和电流将（ ）
a．增大 b．减少 c．不变

PN结两端加正向电压或反向电压参与导电时是多数载流子还是少数载流子?
作业哟!