硅片检验实际操作考核方案

强者风范0072022-10-04 11:39:541条回答

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dxhdxh123 共回答了26个问题 | 采纳率92.3%: 硅片检验的操作首先与你采用的仪器有关.不同的仪器会有不同的测量原理和方法,实际操作也就会不一样.建议：1-熟悉仪器手册；2-如果仪器采用直排四探针法,可参考标准：GB/T1552-1995.; 1年前

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半导体晶圆为何不能做成方的晶圆的圆形会造成很多核心破碎,为什么不能决定硅片的形状呢?这样会有更多的良品率? haoluyana1年前1: chongxudaozhang 共回答了21个问题 | 采纳率95.2%

之所以晶圆都做成圆形,主要的是考虑单位面积利用率和生产问题.
首先硅锭被"拉"出来的时候就一定是圆的,几乎不可能直接获得方的硅锭,除非将圆的硅锭切削成方的,但这样无异于浪费.比较直径为L毫米的圆和边长为L毫米的正方形,考虑晶圆制造过程中边缘5到8毫米是不可利用的,算算就知道正方形浪费的使用面积比率是比圆型高的.
再则,很多晶圆生产设备的工艺原理必然要求选择圆型晶圆.圆型具有任意轴对称性,这是晶圆制作工艺必然的要求,可以想象一下,在圆型晶圆表面可以通过旋转涂布法(spin coating,事实上是目前均匀涂布光刻胶的唯一方法)获得很均匀一致的光刻胶涂层,但其它形状的晶圆呢?不可能或非常难,可以的话也是成本很高.当然,还有很多其它的工艺容易在圆型晶圆上实行而很难在其它形状上实施.
当然,我也觉得或许在人们开始规模制作晶圆的时候一开始就用诸如正方型的晶圆的话,我们现在也可能还在继续发展方型晶圆,只不过现在所有的晶圆加工设备都是为圆型晶圆设计的,这是世界标准.
世界选择圆型,自然是有其必然性的.看看其后的成本问题就很清楚了.

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阅读下面的文字，完成文后各题。硅片上创造的奇迹—微电子技术　　当你通过卫星转播欣赏世界杯足球赛的时候，当你用移动式电话和

阅读下面的文字，完成文后各题。
硅片上创造的奇迹—微电子技术
　　当你通过卫星转播欣赏世界杯足球赛的时候，当你用移动式电话和客户洽谈生意的时候，当你用国际直拨长途电话和远隔重洋的亲人畅叙思念之情的时候，当你在办公室通过荧光屏观察车间生产进度的时候，你有没有想过，近30年来高新技术的发展给我们的工作、生活和生产带来的变化有多么大啊？你是否知道，现代化的广播电视技术、通信技术、办公自动化技术、计算机技术的发展都离不开一项新的支柱技术，这就是微电子技术。
　　1．微电子技术溯源
　　微电子技术是微小型电子元器件和电路的研制、生产以及用它们实现电子系统功能的技术领域。在这个领域中最主要的就是集成电路技术。微电子技术是随着集成电路技术，特别是大规模集成电路技术的发展而发展起来的一门新兴技术。
　　微电子技术和传统的电子技术的差别在于，微电子技术不仅使电子设备和系统的微型化成为可能，更重要的是它引起了电子设备和系统的设计、工艺、封装等的巨大变革。所有的传统元器件，如晶体管、电阻、连线等，都将在硅基片内以整体的形式互相连接，设计的出发点不再是单个元器件，而是整个系统或设备。
　　微电子技术的发展可以追溯到晶体管的出现。1947年美国电话电报公司（at＆t）的贝尔实验室的三位科学家巴丁、布赖顿和肖克莱制成第一支晶体管，开始了以晶体管代替电子管的时代。晶体管的出现可以说是集成电路***的序幕。
　　随着晶体管应用日益广泛，特别是制造工艺的发展，科学家想到，为什么不把组成电路的元器件和连线都像制造晶体管那样做在一块硅片上来实现电路的微小型化呢？于是，晶体***造工艺经过10年的发展后，1958年出现了第一块集成电路。
　2．集成电路漫谈
　　微电子技术的研究重点是集成电路。集成电路是指以半导体晶体材料为基片，采用专门的工艺技术将组成电路的元器件和互连线集成在基片内部、表面或基片之上的微小型化电路或系统。微小型化电路简称微电路，是一种结构上比最紧凑的分立元件电路小几个数量级、重量轻几个数量级的微结构电路。
　　标志集成电路水平的指标之一是集成度。所谓集成度就是指在一定尺寸的芯片上（这个芯片的尺寸比小姆指的指甲还小）能做出多少个晶体管。也有的用在一定尺寸的芯片上能做出多少个门电路（一个标准的门电路是由一个或几个晶体管组成的）来衡量集成度。集成电路发展的初期仅能在这个小面积上制造十几个或几十个晶体管，因而其电路的功能也是有限的。一般将集成100个晶体管以下的集成电路称为小规模集成电路（small scsle integration，简称ssi）。到60年代中期，集成度水平已经提高到几百甚至上千个元器件（指晶体管）。我们把集成100～1000个晶体管的集成电路称为中规模集成电路（medium scaleintegration，简称msi）。70年代是集成电路飞速发展的时期，集成电路已经进入1000个以上元器件的大规模集成（large scale integration，简称lsi）时代，这期间已经出现了集成20多万个元器件的芯片。大规模集成电路不仅仅是元器件集成数量的增加，集成的对象也起了根本的变化，它可能是一个复杂的功能部件，也可能是一台整机（如单片计算机）。 80年代可以看作是超大规模集成电路（very large scale integration，简称vlsi）的时代，芯片上集成的元件数已达10万以上，而且已经突破了百万大关。
　　生产集成电路的原料是硅、铝、水、某些化合物和一些普通气体，这些材料都不昂贵，但是，制造集成电路的过程却相当复杂，对所用的设备要求很高，所以建立集成电路产业的投资是相当巨大的。而芯片价格的下降，只有依靠现代化的大批量生产才能达到。
　　在硅片上制造微电路是成批地制造，在微小的面积上制出晶体管、电阻、电容而且按要求连成电路已属不易，而在一定面积的硅片上制造出性能一致的芯片更加困难。集成电路的生产，大多是从硅片制备开始的，硅片的制备需要专门的设备和严格的生产条件。集成电路的制作过程很复杂，为了保证工艺质量需使用大量昂贵的设备。而且，对生产厂房的温度、湿度、空气的清洁度都有很高的要求，集成电路的生产一般都要在超净车间中进行，这种厂房的基本建设投资也大大地高于一般生产厂房。
问题
　　1．微电子技术与传统的电子技术差别有二，一是，二是。使电子技术达到微小型化的关键是。
　　2．根据本文提供的材料，请以《微电子技术发展里程》为题写一个简要的提纲。
　　答：
　　3．集成电路的工作原理是什么？它需要哪些材料？它对设备的要求有哪些？
　　答：

jccwp1年前1: 兰猪38 共回答了14个问题 | 采纳率85.7%

1．一是电子设备和系统微型化了，二是使传统元器件由单个变成整个系统。关键是将组成电路的元器件和连线做在一块硅片上。
　　2．①晶体管的出现揭开了微电子技术序幕②将传统的电子技术发展成集成电路③集成电路经历了小规模、中规模、大规模和超大规模（即由几十个晶体管到百万个晶体管元件）四个阶段。
　3．①原理即集成电路第一段第一句话②硅、铝、水、化合物、气体等③对温度、湿度、空气清洁度要在超净条件下生产。

1．此题考查提取信息的能力及将隐含信息进行转换的能力，主要从第四段归纳。
2．考查摄取信息和概括信息的能力，归纳微电子技术发展的里程从“1．微电子技术溯源”和“2．集成电路漫谈”两部分提取归纳。
　　3．考查迁移能力和摘要能力，从后两段归纳。

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硅片生产中有个总厚度差异叫TTV,TTV只是个缩写请问TTV的英语全称是什么 梧桐鸳鸯1年前1: liuxu525 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%

total thinkness varation 总厚度变化

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太阳能电池中的硅片有没有辐射?硅片有没有辐射的?如果有人知道告诉我 美宝莲hhh1年前1: 鸵鸟ww 共回答了17个问题 | 采纳率82.4%

什么东西都会有辐射,主要是看它的辐射对人体有害无害.太阳电池主要是多晶硅,当晶硅,其成分是晶体硅,硅的辐射对人体无害,沙子的主要成分也是硅,玻璃也是...楼主放心

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硅片XRD有两个包是怎么回事我做了个单晶硅片的XRD,69度处有个400的高峰,22度处有个3度宽的矮包,33度也有个4 硅片XRD有两个包是怎么回事 我做了个单晶硅片的XRD,69度处有个400的高峰,22度处有个3度宽的矮包,33度也有个4度宽的矮包,而且后面这个包不对称,左边要高点,（是不是32度那边有个69的第二衍射峰夹在里面了）,请问下两个包是怎么回事啊,我也用酒精丙酮和氟化氢清洁过,是否是二氧化硅的非晶态 海天是我1年前1: woaiyouyanxia 共回答了16个问题 | 采纳率81.3%

硅片是否是商业化的片子,你是否经过什么处理,xrd设备简单描述一下.
如果是商业化衬底又没经过处理,那么用此设备的标准样品测下,我觉得那些包是和仪器相关的东西.

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（1）工业清洗硅片上SiO2（s）的反应是：SiO2（s）+4HF（g）═SiF4（g）+2H2O（g）△H（298.1 （1）工业清洗硅片上SiO₂（s）的反应是：SiO₂（s）+4HF（g）═SiF₄（g）+2H₂O（g）△H（298.15K）=-94.0kJ•mol^-1，△S（298.15K）=-75.8J•mol^-1•K^-1，△H和△S不随温度而变化，试求此反应自发进行的温度范围是______； （2）对反应2NO₂（g）═N₂O₄（g）△H＜0，在温度T₁、T₂时，平衡体系N₂O₄的体积分数随压强的变化曲线如图所示，则T₁______T₂（填“＞”或“＜”）；增大压强，平衡向______反应方向移动；B、C两点的平衡常数B______C（填“＞”或“＜”）． 最佳男猪1年前1: o棒棒糖o 共回答了20个问题 | 采纳率95%

解题思路：（1）如果△G=△H-T△S＜0，则该反应能自发进行，据此计算温度；
（2）相同压强时，温度越高，平衡向逆反应方向移动，则四氧化二氮的物质的量减小，据此判断温度高低；
相同温度时，增大压强平衡向正反应方向移动，四氧化二氮的体积分数减小；
温度越高，平衡向逆反应方向移动，则化学平衡常数越小．
（1）如果△G=△H-T△S＜0，则该反应能自发进行，所以T＜[△H/△S]=
−94.0
75.8×10−3K=1240K，
故答案为：＜1240K；
（2）相同压强时，温度越高，平衡向逆反应方向移动，则四氧化二氮的物质的量减小，所以T₁＜T₂；
相同温度时，增大压强平衡向正反应方向移动，四氧化二氮的体积分数减小；
温度越高，平衡向逆反应方向移动，则生成物浓度越小、反应物浓度越大，所以化学平衡常数减小，T₁＜T₂，所以B的平衡常数大于C点，
故答案为：＜；正；＞．

点评：
本题考点：体积百分含量随温度、压强变化曲线．

考点点评：本题考查了温度、压强对化学平衡的影响，采用“定一议二”的方法判断温度大小，再结合平衡移动方向确定化学平衡常数，注意：化学平衡常数只与温度有关，与物质浓度无关，为易错点．

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四探针测试仪能测试晶硅片的电阻吗?就是还没有制成电池片的原片的电阻 第608次求婚1年前1: 菌液PCR 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%

四探针就是用来测电阻的.电阻率,方块电阻都可以.不管是啥时候的硅片,都可以测!
看样子你是要做solar cells.
离子注入或者扩散前后都可以测,把你的硅片类型,厚度选好,测试手段,电流放大倍数填好就OK了.

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朋友们,谁有能化解黏硅片胶的试剂? kaigala1年前1: 黄-蓉共回答了16个问题 | 采纳率100%

那是环氧胶水,不耐酸碱和高温,可以让它失效,你要融化它,只能买很强力的酸,而且融化起来极其缓慢的,很费钱的

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硅片是什么 vincent101400111年前1: titi去法ww 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

硅片
是制作集成电路的重要材料,通过对硅片进行光刻、离子注入等手段,可以制成各种半导体器件.用硅片制成的芯片有着惊人的运算能力.科学技术的发展不断推动着半导体的发展.自动化和计算机等技术发展,使硅片（集成电路）这种高技术产品的造价已降到十分低廉的程度.这使得硅片已广泛应用于航空航天、工业、农业和国防,甚至悄悄进入每一个家庭.

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硅片电阻率对什么有影响 高由1年前1: liuzzn_cn 共回答了9个问题 | 采纳率100%

硅片电阻的不同,表示其杂质浓度或缺陷多少,或硅片所处环境的温度、光照的不同.这样的话.对由其所做的任何器件（参数）都会有影响.

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在半导体工业中,有一道工序叫烧氢.烧氢的工艺流程如图所示.工作时,是将石英管D出口处氢气点燃.半导体硅片、焊片和金属零件
在半导体工业中,有一道工序叫烧氢.烧氢的工艺流程如图所示.工作时,是将石英管d出口处氢气点燃.半导体硅片、焊片和金属零件从石英管口送入加热区,在氢气还原气氛中加热使焊片熔化,将单晶硅与金属零件焊接在一起.焊接后再将零件拉至冷却区,冷却后取出.烧氢工艺中的氢气纯度要求极高,工业氢气虽含量达99.9％,但仍含有极微量的水蒸气和氧气,所以点燃氢气前应检验氢气的纯度.试回答下列问题：
（1）装置b的作用是________；b中发生反应的化学方程式是________.
（2）装置c中的物质是________；c的作用是________.
（3）点燃氢气前将e(带导管胶塞)接在d出口处,目的是________.
（4）装置a是安全瓶,可以防止氢气燃烧回火,引起***,其中填充大量纯铜的作用是________.
（5）写出工业制取粗硅的化学方程式____________________,粗硅提纯精硅的反应方程式__________________________.
（6）在整个工序中,氢气所起的作用是______________.

liuyan198007301年前1: li889154 共回答了15个问题 | 采纳率100%

.(1)除去氧气 2Cu+O2== 2CuO CuO+H2 == Cu+H2O (2)无水CaCl2(或碱石灰) 吸收水蒸气 (3)检验氢气纯度 (4)大量的铜屑可以吸收热量,降低温度

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英语翻译分析了硅片pton/碳纤维复合材料及硅橡胶组成的三层胶接结构的热应力分布我从句这么写对不?which was c 英语翻译 分析了硅片pton/碳纤维复合材料及硅橡胶组成的三层胶接结构的热应力分布 我从句这么写对不? which was consisted of silicon chip,kapton film,composite and silicon rubber 主要是which和consisted用的对不 上坚1年前3: 风雨过扬周共回答了22个问题 | 采纳率81.8%

对的.
It analyzes the distribution of thermo-stress of the three-layer bonding structure,which is consisted of silicon chip,kapton film,carbon fibre composite material and silicon rubber.
楼上的建议也不错,用 which consists of 更好,is consisted of 不错但不好.

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硅片清洗为什么会出现花片?硅片边缘与中间产生色差是什么原因造成的?硅片的切割面上出现水纹印是为什么 zyykhx1年前3: 慧228 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%

硅片清洗出现花片是因为IPA加多了,制绂时间太段,需补加KOH或NAOH

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英语翻译到目前为止我们收到10个来自IQC反馈的异常硅片,有发现一些NSOP超标的,虽然大部分已经在测试前废弃了,但是有 英语翻译 到目前为止我们收到10个来自IQC反馈的异常硅片,有发现一些NSOP超标的,虽然大部分已经在测试前废弃了,但是有2个显示已经出货.因此我建议在找到更好的解决办法前需要跟Jack一起监控确保异常品不会流通到下个工位. So far we have received 10 from IQC feedback abnormal wafers,there is found some NSOP exceeds the standard,although most have been scrap before the test ,but there is two display is already ship out. Therefor,I suggest need to monitor with you befor finding a better soluation to ensure the abnormal products are not release to the next process. 红胜ll1年前1: 云上飘血共回答了18个问题 | 采纳率83.3%

百度在线翻译So far we have received 10 from the IQC feedback abnormal wafers, has found that some NSOP standard, although most have been abandoned before the test, but there are 2 display has shipped. So I suggest the need to monitor with Jack to ensure that the product will not abnormal circulation to the next station to find a better solution to the front. 谷歌的在线翻译

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请问单晶硅片清洗剂清洗时硅片中冒泡泡是什么原理?另外超声波清洗的原理是什么? 请问单晶硅片清洗剂清洗时硅片中冒泡泡是什么原理?另外超声波清洗的原理是什么? 超声起作用需要一个过程吗?什么因素会影响超声波的正常工作? j74200681年前1: skyopium 共回答了12个问题 | 采纳率91.7%

冒泡是超声波引起的气化空泡,不是光由清洗机引起的,清洗剂要水流有落差后才能不断产生泡沫,还有部分泡沫是硅和碱性清洗剂反应生成的氢气,超声是慢慢作用于硅片表面的,槽体内的水量会影响超声波电流大小,还有时间长一点超声作用也会明显点,硅片间缝隙越大超声效果也越好

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如何减少硅片翘曲度 houston87561年前1: luxier 共回答了20个问题 | 采纳率85%

硅片的翘曲可能是由热应力引起的,所以应减小热应力.主要方法是降低硅片加工过程中的升温和降温速率；其次,适当拉开硅片间的间距.

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清洗和制绒是硅晶片制作的重要步骤之一，硅片化学清洗的主要目的是除去硅片表面杂质（如某些有机物，无机盐，金属、Si、SiO 清洗和制绒是硅晶片制作的重要步骤之一，硅片化学清洗的主要目的是除去硅片表面杂质（如某些有机物，无机盐，金属、Si、SiO₂粉尘等）．常用的化学清洗剂有高纯水、有机溶剂、双氧水、浓酸、强碱等．其中去除硅的氧化物，通常用一定浓度的HF溶液，室温条件下将硅片浸泡1至数分钟．制绒是在硅片表面形成金字塔形的绒面，增加硅对太阳光的吸收．单晶制绒通常用NaOH，Na₂SiO₃等混合溶液在75～90℃反应25～35min，效果良好． 回答下列问题 （1）能否用玻璃试剂瓶来盛HF溶液，为什么？用化学方程式加以解释______； （2）写出晶片制绒反应的离子方程式______，对单晶制绒1990年化学家Seidel提出了一种的电化学模型，他指出Si与NaOH溶液的反应，首先是Si与OH^一反应，生成SiO₄^4一，然后SiO₄^4一迅速水解生成H₄SiO₄．基于此原理分析反应中氧化剂为______． （3）本校化学兴趣小组同学，为验证Seidel的理论是否正确，完成以下实验： 实验事实 事实一水蒸汽在600℃时可使粉末状硅缓慢氧化并放出氢气． 事实二盛放于铂或石英器皿中的纯水长时间对粉末状还原硅无腐蚀作用． 事实三普通玻璃器皿中的水仅因含有从玻璃中溶出的微量的碱便可使粉末状硅在其中缓慢溶解． 事实四在野外环境里，用较高百分比的硅铁粉与干燥的Ca（OH）₂和NaOH，点着后焖烧，可剧烈放出H₂． 事实五 1g（0.036mol）Si和20mL含有lgNaOH（0.025mol）的溶液，小心加热（稍微预热），收集到约1700mL H₂，很接近理论值（1600mL）． 结论：从实验上说明碱性水溶液条件下，H₂O可作______剂；NaOH作______剂，降低反应______．高温无水环境下，NaOH作______剂． （4）在太阳能电池表面沉积深蓝色减反膜--氮化硅晶膜．常用硅烷（SiH₄）与氨气（NH₃）在等离子体中反应．硅烷是一种无色、有毒气体，常温下与空气和水剧烈反应．下列关于硅烷、氮化硅的叙述不正确的是______ A．在使用硅烷时要注意隔离空气和水，SiH₄能与水发生氧化还原反应生成H₂； B．硅烷与氨气反应的化学方程式为：3SiH₄+4NH₃=Si₃N₄+12H₂↑，反应中NH₃作氧化剂； C．它们具有卓越的抗氧化、绝缘性能和隔绝性能，化学稳定性很好，不与任何酸、碱反应； D．氮化硅晶体中只存在共价键，Si₃N₄是优良的新型无机非金属材料． 我爱喝椰奶呀1年前1: 范钦枫共回答了19个问题 | 采纳率89.5%

解题思路：（1）二氧化硅与氟化氢反应生成四氟化硅气体，导致玻璃被腐蚀；
（2）根据题干信息判断反应物、生成物，然后写出反应的离子方程式；根据化合价变化判断反应中的氧化剂；
（3）根据表中实验1至实验五的反应现象判断碱性条件下水、氢氧化钠的作用，在高温无水条件下氢氧化钠的作用；
（4）A．硅烷与水反应生成二氧化硅和氢气，该反应为氧化还原反应；
B．根据化合价变化判断氨气在反应中的作用；
C．硅烷的性质很活泼，常温下与空气和水剧烈反应；
D．根据氮化硅的化学键类型及其用途判断．
（1）因为氢氟酸能和二氧化硅反应：SiO₂+4HF=SiF₄↑+2H₂O，从而腐蚀玻璃，因此不能用玻璃试剂瓶来盛HF溶液，故答案为：SiO₂+4HF=SiF₄↑+2H₂O；
（2）硅单质能和氢氧化钠溶液反应生成硅酸钠和氢气，所以晶片制绒反应的离子方程式为：Si+2OH^-+H₂O=SiO₃^2-+2H₂↑；
在反应中，氢氧根离子中的氢离子得到电子生成氢气，则在反应中氧化剂应该是氢氧化钠，
故答案为：Si+2OH^-+H₂O=SiO₃^2-+2H₂↑；NaOH；
（3）根据表中信息可知，水蒸汽在600℃时可使粉末状硅缓慢氧化并放出氢气，而普通玻璃器皿中的水仅因含有从玻璃中溶出的微量的碱便可使粉末状硅在其中，这说明在碱性水溶液条件下，H₂O可作氧化剂；少量的氢氧化钠可以加快反应速率，这说明氢氧化钠通过降低反应的活化能，起催化剂的作用；
在野外环境里，用较高百分比的硅铁粉与干燥的Ca（OH）₂和NaOH，点着后焖烧，可剧烈放出H₂，这说明在高温无水环境下，NaOH起氧化剂的作用，与硅反应放出氢气，
故答案为：氧化；催化；活化能；氧化；
（4）A．硅烷在常温下与空气和水剧烈反应，因此在使用硅烷时要注意隔离空气和水，这是由于SiH₄能与水发生氧化还原反应生成H₂，故A正确；
B．在反应3SiH₄+4NH₃=Si₃N₄+12H₂↑中，氨气中氢元素的化合价从+1价降低到0价得到电子，所以反应中NH₃作氧化剂，硅烷是还原剂，故B正确；
C．氮化硅的性质稳定，但SiH₄的性质很活泼，常温下与空气和水剧烈反应，故C错误；
D．氮和硅都是非金属，因此氮化硅晶体中只存在共价键，Si₃N₄是优良的新型无机非金属材料，故D正确；
故答案为：C．

点评：
本题考点：性质实验方案的设计；制备实验方案的设计．

考点点评：本题考查了性质实验方案的设计方法，题目难度中等，试题知识点较多、综合性较强，正确分析题干信息为解答关键，注意掌握性质实验方案的设计原则，试题有利于培养学生的分析、理解能力及灵活应用所学知识的能力，是一道质量较好的题目．

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硅片1nm有几个硅原子 lulu4ever331年前1: soysam 共回答了12个问题 | 采纳率66.7%

我看过图片,好像是30个左右.

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“起到处理作用的不是硅片,是硅片上的东西,硅片只是集成电路的材料.” 这句话对么一童鞋说的~ “起到处理作用的不是硅片,是硅片上的东西,硅片只是集成电路的材料.” 这句话对么一童鞋说的~ 如果你认为这句话是错的 请随便骂（反正不是我说的） 立刻给出答复 gragonokey1年前1: 日新电线共回答了21个问题 | 采纳率90.5%

集成电路是做在硅片上的,硅片不只是集成电路的材料,也是它不可脱离的基体.硅片对集成电路来说,是皮肤和毛之间的关系.当然硅片不是核心,有时硅片本身也是集成电路的一部分,例如是三极管的集电极.

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4探针测硅片电阻率一定要 flyer我的爱1年前2: 夏天0018 共回答了19个问题 | 采纳率68.4%

4探针测硅片电阻率不一定要PN结.只要四根探针与硅片接触良好即可.如果不能保证1、4探针与硅片接触良好（形成了结）,只要仪器电流源的负载能力足够也可以.
（供参考）

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大学物理光的等厚干涉问题为了精确测量硅片（n0=3.4）上的氧化膜的厚度,常用化学的方法把薄膜的一部分腐蚀掉,使之成为尖 大学物理光的等厚干涉问题 为了精确测量硅片（n0=3.4）上的氧化膜的厚度,常用化学的方法把薄膜的一部分腐蚀掉,使之成为尖劈形,称为“台阶”.已知氧化膜的折射率为n=1.5.用波长为λ=589.3nm的钠黄光垂直照射到“台阶”上,在台阶处看到5条亮纹.试求氧化膜的厚度. 张广明1年前1: 泛儿JJU 共回答了14个问题 | 采纳率100%

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所以d＝k*λ/（2*n）＝4*589.3/（2*1.5）＝786nm

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C

本题考查当今世界高科技战争的特点和对信息技术的重要性认识，中等题。题干是在强调当今世界常规战争中信息技术的作用日益重要，C正确。核武器自诞生之日起，只有一次实战使用，但至今，仍然是最有力的战略威慑工具，A错误；信息技术和核武器各有用途，硅片和铀也同样都是重要战略物资，不存在哪个比哪个更重要的问题，B、D错误。

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半导体硅片工艺中有一个是 RCA cleaning hmhhmh1年前1: lilac1983 共回答了17个问题 | 采纳率100%

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思.
RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液：
（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O.用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除.
（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成.因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物.用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀.
（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透.由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的.在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜.
（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污.在室温下HPM就能除去Fe和Zn.
清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化.

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为什么要融进硅片里,制造半导体?直接2种金属接触不能形成PN结么? venjame1年前2: ip170305448 共回答了21个问题 | 采纳率90.5%

半导体PN结,其P区多数载流子为空穴,N区多数载流子是电子,当P区与N区相接触的时候,P区空穴就会向N区扩散,N区电子就会向P区扩散,所以就会在接触面上形成PN结,使得P区与N区之间形成势垒,如此,PN结就具有了“单向导电性”.金属中只有电子木有空穴,两种金属接触当然就不能产生PN结了~
当然,金属直接与半导体接触,能形成MIS结（金半结）,这种结具有与PN结相似的性质,亦可用于半导体制造业.

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基因芯片是将大量特定序列的DNA片段（探针）有序固定在尼龙膜、玻片或硅片上，从而能大量、快速地对DNA分子的碱基序列进行 基因芯片是将大量特定序列的DNA片段（探针）有序固定在尼龙膜、玻片或硅片上，从而能大量、快速地对DNA分子的碱基序列进行测定和定量分析.其原理如图：基因芯片技术中用荧光分子标记的是（　　） A. PCR扩增中的模板DNA B. 基因芯片上已知序列的特定DNA C. DNA聚合酶 D. 样品DNA stylish19811年前1: 漫天小子共回答了27个问题 | 采纳率88.9%

解题思路：基因芯片是将大量特定序列的DNA片段（探针）有序地固定在尼龙膜、玻片或硅片上，从而大量、快速、平行地对DNA分子的碱基序列进行测定和定量分析．其依据的原理是DNA分子杂交技术．基因探针是指用放射性同位素（或荧光分子）标记的含有目的基因DNA片段，一种探针只能检测一种DNA分子．
基因芯片是将大量特定序列的DNA片段（探针）有序地固定在尼龙膜、玻片或硅片上，依据DNA分子杂交原理，与待测样品进行碱基互补配对，从而对待测样品进行测定和定量分析．而大量特定序列的DNA片段被称为基因探针，往往是被放射性同位素（或荧光）标记的．
故选：B．

点评：
本题考点：基因工程的原理及技术．

考点点评：本题考查了基因工程的相关内容，意在考查学生对基因探针的结构和应用的了解．

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四探针测试仪测硅片电阻率测的是N型面的吗 babblebabble1年前1: xzm0148 共回答了18个问题 | 采纳率77.8%

四探针测试仪测硅片电阻率时,N型和P型的硅片都可以测.比如用于做电力元件的硅片是N型的,用于做太阳能电池的硅片是P型的（有的）,这些硅片用四探针测试仪都能测.

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	实验事实
事实一	水蒸汽在600℃时可使粉末状硅缓慢氧化并放出氢气．
事实二	盛放于铂或石英器皿中的纯水长时间对粉末状还原硅无腐蚀作用．
事实三	普通玻璃器皿中的水仅因含有从玻璃中溶出的微量的碱便可使粉末状硅在其中缓慢溶解．
事实四	在野外环境里，用较高百分比的硅铁粉与干燥的Ca（OH）₂和NaOH，点着后焖烧，可剧烈放出H₂．
事实五	1g（0.036mol）Si和20mL含有lgNaOH（0.025mol）的溶液，小心加热（稍微预热），收集到约1700mL H₂，很接近理论值（1600mL）．

硅片检验实际操作考核方案

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