砷化镓（GaAs）是一种“LED”绿色节能光源材料。GaAs中As的化合价为－3，则Ga的化合价为 A．－5 B．－3

（1）A．GaAs晶体中As分布于晶胞体心，Ga分布于顶点和面心，而NaCl中阴阳离子分别位于晶胞的顶点、面心以及棱和体心，二者结构不同，故A错误；
B．同周期元素从左到右第一电离能逐渐增大，则第一电离能：As＞Ga，故B正确；
C．同周期元素从左到右电负性逐渐增大，则电负性：As＞Ga，故C正确；
D．同周期自左而右原子半径减小，故原子半径As＜Ga，故D错误，
故答案为：BC；
（2）反应为（CH₃）₃Ga和AsH₃，生成为GaAs，根据原子守恒可知还应有和CH₄，反应的化学方程式为（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃
.
GaAs+3CH₄，
故答案为：（CH₃）₃Ga+AsH₃

700℃
.
GaAs+3CH₄；
（3）AsH₃中含有3个δ键和1个孤电子对，为三角锥形，（CH₃）₃Ga中Ga形成3个δ键，没有孤电子对，为sp²杂化，
故答案为：三角锥型；sp²；
（4）铜为金属晶体，由铜离子与自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动，故可以导电，Cu²⁺的核外电子排布式为：1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹，
故答案为：铜为金属晶体，由铜离子与自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可以发生定向移动；1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d⁹；
（5）[Cu（NH₃）₄]SO₄晶体属于配合物，配离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，）[Cu（NH₃）₄]SO₄晶体属于配合物，氨气分子、硫酸根离子中存在普通共价键，四氨合铜络离子与硫酸根之间形成离子键、铜离子与氨气分子之间形成配位键，
故答案为：离子键；配位键；
（6）根据氯化钠的结构知，氧离子和相邻的镍离子之间的距离为 [1/2]a，距离最近的两个阳离子核间的距离是距离最近的氧离子和镍离子距离的
2倍，所以其距离是

2
2acm；
根据图片知，每个氧化镍所占的面积=
4×1.40×10−10m×8×1.40×10−10m×sin60°
8，则每平方米含有的氧化镍个数=[1
4×1.4×10−10×1.4×10−10Sin60°，每个氧化镍的质量=
74.7
NA g，所以每平方米含有的氧化镍质量=
74.7
NA g×
1
4×1.4×10−10×1.4×10−10Sin60°=
74.7
6.02×1023×4×1.4×10−10×1.4×10−10×

3/2]=1.83×10^-3，
故答案为：

2
2a；
74.7
6.02×1023×4×1.4×10−10×1.4×10−10×

3
2=1.83×10^-3．

点评：
本题考点： 晶胞的计算．

考点点评： 本题考查学生对物质结构与性质模块的掌握情况，重点考查结构知识，涉及电离能、电负性、原子半径、空间结构、杂化轨道、化学式、金属晶体电子气理论，考查知识全面、覆盖广，难度适中，可以衡量学生对该模块主干知识的掌握情况．

因砷化镓的化学式为GaAs，As元素化合价为-3价，
设该化合物中Ga元素的化合价为x，
根据化合物中正负化合价的代数和为0，则
x+（-3）=0
解得x=+3
故选D．

点评：
本题考点： 有关元素化合价的计算．

考点点评： 本题较简单，习题中的信息把化学式和其中一种元素的化合价都明确给出，学生可直接利用化合价计算的原则代入计算即可．

根据在化合物中正负化合价代数和为零，可得砷化镓（GaAs）中As的化合价为：x+（+3）=0，则x=-3，
故选A．

点评：
本题考点： 有关元素化合价的计算；化合价规律和原则．

考点点评： 本题考查学生根据在化合物中正负化合价代数和为零进行计算化合物中指定元素的化合价的能力．

根据在化合物中正负化合价代数和为零，可得砷化镓（GaAs）中As的化合价为：x+（+3）=0，则x=-3，
故选A．

点评：
本题考点： 有关元素化合价的计算；化合价规律和原则．

考点点评： 本题考查学生根据在化合物中正负化合价代数和为零进行计算化合物中指定元素的化合价的能力．

由三角形知识可知，当由发光盘边缘A发出光与AB垂直时，入射角i最大．
如果这条光线不发生全反射，则其它所有光线均不会发生全反射，由折射定律得，
n=[sinγ/sini] ①
不发生全反射的条件是入射角小于全反射的临界角，即sini＜sinC=[1/n] ②
由几何关系知，sini=[r/R] ③
联立①②③得，R=[r/sini]＞nr=2.5mm．故C正确．
故选：C

点评：
本题考点： 光的折射定律．

考点点评： 对于几何光学问题，关键作出光路图，确定临界情况，结合折射定律和几何关系求解．