求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小

rachel11182022-10-04 11:39:541条回答

求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小.

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洗衣机12 共回答了20个问题 | 采纳率95%: 仙童2N7000BU/2N7000TA
FDV303N（耐压25V）; 1年前

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这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏.
MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的,会击穿.

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设置死区是为了保护驱动管的,防止一个没有完全关闭而另一个就开通了,用80NF70取代75NF75是没有问题的,不配对也可以用,但考到安全最好还是配对

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因为如果栅极和源极之间不加电压的话,漏极和源极之间是两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏极和源极之间加电压,也不会产生漏极电流,则MOS管无法正常工作.
补充：衬底对应的是P型硅,源极对应的是N型硅,怎么可能实现一样的工作状态呢.同样的道理,栅-源之间必须有反向电压呈高阻抗,才能使管子正常工作.再细心的看看课本去……

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源极S与漏极D之间在没有导通之前是没有电阻的!
一定是你在测量的时候红笔点到了栅极,栅极和源极会结电容,所以会导通,所以你测得才会是几十欧.你再次测量时应该把栅极和源极短路再测.

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管子选对了没?MOS管的驱动不是很简单就可以完美驱动的建议选TIP35 或者其他三极管试下,另外选P沟MOS管或许好一些.删级加个下拉电阻看看.

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栅极电阻Rg及栅射电阻Rge的影响IGBT的输人阻抗很高且为容性,静态时输入端没有电流流过,只是在工作中存在对输人电容进行充放电的动态电流.为了改善脉冲的前后沿陡度和防止产生振荡,减小集电极大的电压尖脉冲,需要在栅极串联电阻Rg.
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要使N沟道结型场效应晶体管处于放大状态,栅极和源极之间加正向电压还是反向电压, aning20051年前1: 风月寒天共回答了20个问题 | 采纳率85%

反向电压!
N沟道结型场效应管工作时,需要在栅-源极间加一负电压(vGS＜0),使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流iG≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108W左右).在漏-源极间加一正电压(vDS＞0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流iD.iD的大小主要受栅-源电压vGS控制,同时也受漏-源电压vDS的影响.因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅-源电压vGS对漏极电流iD（或沟道电阻）的控制作用,以及漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响.

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The main components are introduced ECRIT and work process analysis ECRIT the most important component parts:discharge chamber,and the control gate and the working mechanism and key techniques.Mainly analyzes the transmission mechanism of the discharge room microwave,ECR plasma generation mechanism of microwave absorption and plasma conditions.

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