IGBT栅极串联电阻Rg的作用

cnwfnfhv2022-10-04 11:39:541条回答

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小竹本 共回答了14个问题 | 采纳率85.7%
栅极电阻Rg及栅射电阻Rge的影响IGBT的输人阻抗很高且为容性,静态时输入端没有电流流过,只是在工作中存在对输人电容进行充放电的动态电流.为了改善脉冲的前后沿陡度和防止产生振荡,减小集电极大的电压尖脉冲,需要在栅极串联电阻Rg.
  但要注意,串人较大的Rg时,会使IGBT的通断时间延长;而串人较小的Rg时,又会使di/dt升髙,可能引起IGBT误导通.因此在实际应用中,应根据器件的电流容量、电压额定值及开关频率,选择适当的Rg值.通常,为了几至几百欧.
1年前

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朴风1年前1
小rr 共回答了15个问题 | 采纳率73.3%
栅极相当于晶体管的基极,源极相当于晶体管的射极,漏极相当于集电极,你可以连电路试一下就知道了
MOS场效应管源极\栅极/漏极电压分别是多少伏?
luxb1年前1
仍在 共回答了15个问题 | 采纳率100%
这个管子是N沟道MOS管,75伏75安最大300安.正常使用不能超过75伏.
MOS管使用常识: 栅极悬空是不允许的,会击穿.
3842第6脚至电源管栅极电阻是多大阻值
wjgnh1年前1
empty3000 共回答了21个问题 | 采纳率90.5%
3842第6pin是驱动输出pin,该pin至其所驱动的开关管的gate脚阻抗就是驱动电阻的阻值,该驱动电阻一般会选择0~30ohm之间的阻值,阻值大些开关速度稍慢会对EMC有好处,但管子的温升会较高,效率稍差;阻值小些开关速度稍快EMC稍差,但管子的温升会较低,效率也会好些,具体看自己的测试结果.
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rsrqq1年前1
2003其其格 共回答了15个问题 | 采纳率80%
设置死区是为了保护驱动管的,防止一个没有完全关闭而另一个就开通了,用80NF70取代75NF75是没有问题的,不配对也可以用,但考到安全最好还是配对
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为何在N沟道增强型MOS管的源极和栅极之间要加一个电压,它有什么作用?把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连是否可以?为什么?请详细解答
把栅极和衬底直接连一个电源而不与源极相连也不是可以出现导电沟道?
khtrre1年前1
bunnya 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
因为如果栅极和源极之间不加电压的话,漏极和源极之间是两只背向的PN结,不存在导电沟道,因此即使漏极和源极之间加电压,也不会产生漏极电流,则MOS管无法正常工作.
补充:衬底对应的是P型硅,源极对应的是N型硅,怎么可能实现一样的工作状态呢.同样的道理,栅-源之间必须有反向电压呈高阻抗,才能使管子正常工作.再细心的看看课本去……
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电路理论与制作顶尖高手出场!
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测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极G1与栅极G2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏.具体方法:首先将万用表置于R×10或R×100档,测量源极S与漏极D之间的电阻,通常在几十欧到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),如果测得阻值大于正常值,可能是由于内部接触不良;如果测得阻值是无穷大,可能是内部断极.然后把万用表置于R×10k档,再测栅极G1与G2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值,当测得其各项电阻值均为无穷大,则说明管是正常的;若测得上述各阻值太小或为通路,则说明管是坏的.要注意,若两个栅极在管内断极,可用元件代换法进行检测.”此为百度知道电路理论高手之回答!但我非常希望知道:测量结型场效应管源极S与漏极D之间的电阻,通常在“几十欧”到几千欧范围(在手册中可知,各种不同型号的管,其电阻值是各不相同的),请电子电路理论高手高调举出一只源极S与漏极D之间电阻在“几十欧”的管子型号?
牙疼睡不着1年前1
肥皂花 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
源极S与漏极D之间 在没有导通之前是没有电阻的!
一定是你在测量的时候红笔点到了栅极,栅极和源极会结电容,所以会导通,所以你测得才会是几十欧.你再次测量时应该把栅极和源极短路再测.
我用MOS管驱动电磁铁,为什么栅极断电后电磁铁还有磁性
我用MOS管驱动电磁铁,为什么栅极断电后电磁铁还有磁性
电路图如下,当插上电源,没接通栅极时,电磁铁没磁性,栅极接通后,电磁铁有磁性.但是我栅极电位为零时(控制栅极的导线都已断开),电磁铁还有磁性,只有把电源拔掉磁性才会消失.为什么啊
我刚才又试了一下,把电磁铁换成5.1K电阻,在断开栅极后,用电压表测电阻两端电压也是12V,就感觉MOS管只起开的作用,不起关的作用.
qlf1901年前1
amy818 共回答了23个问题 | 采纳率91.3%
管子选对了没?MOS管的驱动不是很简单就可以完美驱动的建议选TIP35 或者其他三极管试下,另外选P沟MOS管或许好一些.删级加个下拉电阻 看看.
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vivol1年前2
幽谷弦音起 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%
可以 不过3525频率最低才100hz,
跪请教一个电子栅极电阻问题?直流电压5000伏电流2毫安电阻是多少?一个类似的栅极电阻是265欧,我没有计算出来!R=U
跪请教一个电子栅极电阻问题?
直流电压5000伏电流2毫安电阻是多少?一个类似的栅极电阻是265欧,我没有计算出来!
R=U/I这个公式我计算过老师说这摸大高频能工作?老师不会错的?
玉夜1年前1
微甲 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%
R=U/I=5000÷0.002=2500000欧
简单电路问题,求解.一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极(相对于源极)时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 V
简单电路问题,求解.
一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极(相对于源极)时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs ------书上说的.
对于上面这句话,有两个疑问:
1:所谓的 负电压加在栅极(相对于源极)……此时 Vg > Vs,那么假如在一个电路中,场效应管栅极电压为 -1V, 源极为0V,那么流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs = -1V > 0V ? 此时不是应该 V s > Vg 吗?
2:所谓的 负电压加在栅极(相对于源极),假如输入电压为栅极 -1 V,源极 0V,电路正常工作,那么把输入电压改为 栅极 0V , 源极 1V,就是颠个倒,两者压差不变,这个电路是不是还可以正常工作?
3:所谓的 当一个负电压加在栅极(相对于源极)时,流经漏极到源极的电流就会减小,如果流经漏极到源极的电流减小,那么 漏极的电压不是要升高,源极的电压不是要减小?假如一个负载接在源极与地之间,是不是就不会工作了?假如负载串接在漏极上面,当加在栅极的负电压负得更多时,是不是负载上的电压越高?
garfieldmm231年前3
常光照 共回答了20个问题 | 采纳率90%
"一个结型N沟道场效应管,当一个负电压加在栅极(相对于源极)时,流经漏极到源极的电流就会减小,此时 Vg > Vs ------书上说的."这句话是错误的,应该是VG
求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小
求低栅极电压的 N MOS管,准备用3.3V的信号控制MOS开关,VDS 50V左右,200ma的脉冲电流,导通电阻要小.
rachel11181年前1
洗衣机12 共回答了20个问题 | 采纳率95%
仙童2N7000BU/2N7000TA
FDV303N(耐压25V)
SW7N60场效应管,漏源电阻是460,用正表笔接栅极,负接源极,再测漏源电阻变6了,用手确栅极,电阻又回到460好吗
toby781年前1
佘诗man 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%
好的场效应管我以前用三用表(数字的)没有测出过电阻(至少电阻很大,500K以上,)
参考
要使N沟道结型场效应晶体管处于放大状态,栅极和源极之间加正向电压还是反向电压,
aning20051年前1
风月寒天 共回答了20个问题 | 采纳率85%
反向电压!
N沟道结型场效应管工作时,需要在栅-源极间加一负电压(vGS<0),使栅-源极间的P+N结反偏,栅极电流iG≈0,场效应管呈现很高的输入电阻(高达108W左右).在漏-源极间加一正电压(vDS>0),使N沟道中的多数载流子电子在电场作用下由源极向漏极作漂移运动,形成漏极电流iD.iD的大小主要受栅-源电压vGS控制,同时也受漏-源电压vDS的影响.因此,讨论场效应管的工作原理就是讨论栅-源电压vGS对漏极电流iD(或沟道电阻)的控制作用,以及漏-源电压vDS对漏极电流iD的影响.
英语翻译介绍了ECRIT的主要组成以及工作过程,分析了ECRIT最重要的组成部件:放电室、栅极和中和器的工作机理及关键技
英语翻译
介绍了ECRIT的主要组成以及工作过程,分析了ECRIT最重要的组成部件:放电室、栅极和中和器的工作机理及关键技术.主要分析了放电室里微波的传输机理、ECR等离子体产生机理和等离子体对微波的吸收条件.
英语怎么翻译啊,
怎么不通顺,
sawyer1231年前4
AVIVS 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%
The main components are introduced ECRIT and work process analysis ECRIT the most important component parts:discharge chamber,and the control gate and the working mechanism and key techniques.Mainly analyzes the transmission mechanism of the discharge room microwave,ECR plasma generation mechanism of microwave absorption and plasma conditions.