mosfet的驱动电阻是如何计算的?我看见有人在驱动电阻上反向并联一个二极管,这个二极管什么功能?

求教Mosfet的参数power dissipation具体什么含义!

求教Mosfet的参数power dissipation具体什么含义!
例如FQA28N50 （MOSFET） 500V/28.4A/310W
他的Vds=500v Ids=28.4a,表示他可以承受500的管压和28.4的电流通过；
那这个310W的power dissipatio 功耗?允许310W的功率通过它?不懂!

豆-子1年前1

fengfxf 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%

最大耗散功率310W：在外部散热条件完美的前提下,自身可承受310W的功率（发热量～～）.

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N沟道和P沟道MOSFET哪个常用?增强型和耗尽型的哪个常用?

八卦不是罪1年前1

落落夏天 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

N沟道增强型比较常用.

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新型电力电子器件GTR,GTO,SIT,IGBT,MOSFET,SITH,MCT,IGCT的英文全称,和中文名是什么?

边缘011年前1

冰宿123 共回答了23个问题 | 采纳率100%

GTR:电力晶体管Giant Transistor GTO:门级可关断晶闸管 Gate Turn-Off Thyristor SIT：静态感应晶体管Static Induction Transistor IGBT:绝缘栅双极晶闸管Insulated Gate Bipolar Transistor
MOSFET：金属氧化物场效应管Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor
SITH:静电感应晶体管Static Induction Thyristor
MCT2:光电晶体管光耦合器
IGCT:集成门极换流晶闸管Intergrated Gate Commutated Thyristors

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功率MOSFET的导通电阻和通态电阻是一个概念吗?

水蓝色的下午1年前2

随遇而安的流浪着 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

是,看看外文资料,是否翻译不同而已.

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开关电源功率MOSFET G极和S极之间并联电阻如何选取?

hadesword1年前1

02104129 共回答了19个问题 | 采纳率100%

在一般设计中几十千欧的选值是可以的,取决于ＭＯＳＦＥＴ的规格,但不能太小,也没有理由太小,要考虑驱动器的内阻.　很多工程师在设计驱动电路中没有考虑驱动器内阻,有时在分析问题时就有问题.在设计中门极电阻等应该置于开关器件侧.

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开关电源功率MOSFET G极和S极之间并联电阻如何选取?

long_32181年前1

无名指NO 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%

在一般设计中几十千欧的选值是可以的,取决于ＭＯＳＦＥＴ的规格,但不能太小,也没有理由太小,要考虑驱动器的内阻.　很多工程师在设计驱动电路中没有考虑驱动器内阻,有时在分析问题时就有问题.在设计中门极电阻等应该置于开关器件侧.

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MOSFET的输入电阻比BJT高?是不是正确的?哥哥们,

-风吹鸡蛋壳1年前2

雨夜陌路人 共回答了20个问题 | 采纳率95%

这类的比较还是头一次看到.
MOSFET的输入端是metal gate,下面是polysilicon.本身就确定了输入电阻不是一般的大,因为gate端是不走电流的,如果走就是MOSFET被击穿了,瓦他了!
所以这种比较是没有意义的!如果非要这么比的话,咱只能说,对吧~

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与信息电子电路中的MOSFET相比,电力MOSFET具有怎样的结构特点才具有耐受高压和大电流的能力

贝戈贝戈澎1年前1

绝零娃娃 共回答了14个问题 | 采纳率100%

mosfet就是电力电子器件,通讯电路中不用的,通讯中使用的mos管都是放大作用的,而mosfet只能工作在开关状态,无法用于放大.

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MOS管驱动电路与MOSFET作开关作用有什么区别?

xhrjeans1年前1

琴剑-飘零 共回答了25个问题 | 采纳率80%

MOSFET的开关作用是针对MOS特性得出的,MOS管输出特性曲线有可变电阻区、夹断区和恒流区,当在可变电阻区和夹断区内工作时,MOS管相当于一个电子开关.
MOS管驱动电路跟MOS本身没有必然联系,因为MOS管的控制比一般三极管麻烦一些,特别是关断的要求比较高,为了让MOS用起来更简单,就出现了驱动电路这类东西.MOS管当然不用驱动电路,也完全可以工作.
简单的说,驱动电路类似MOSFET的服务电路.

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为什么mosfet镜像电流源可以用N沟道增强型mosfet代替电阻

我是银城武的tt1年前1

xwlee1129 共回答了20个问题 | 采纳率85%

同步整流low side mosfet 的作用其实跟非同步整流时的shottky diode是一样的,电流从S到D,不同的是由于MOSFET是双向导通,当电流减小到零是,MOFET可以变成D到S,这种情况就保证电流连续导通的实现,因为电感的电流没有中断,而是变成从负载sink电流.这也是同步整流的一个优点.至于body diode,它只在死区时间导通.一般给low side mosfet并一个shottky diode,这样死区时间里shottky diode取代body diode导通,提高了效率

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求推荐款MOSFET,要耐压600V以上,通态电阻很小（越小越好）,十分感激哦~~~

cqqinwei1年前2

Google测试员4036 共回答了21个问题 | 采纳率90.5%

07N65C3 0.6R 650V

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AC开关电源电路中的Mosfet 的作用?

xxchong1年前1

hh女性 共回答了20个问题 | 采纳率80%

它就起到一个开通和关断的作用,从而式开关电源的变压器得到交流型号.一般工作频率在几十KHz到上百KHz!
主要参数为额定电流 耐压 和工作频率.

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试画出N沟道、P沟道增强型和耗尽型MOSFET的代表符号

还有没有别的ID啊1年前0

共回答了个问题 | 采纳率

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怎么样测试MOSFET管各极之间的电阻?

怎么样测试MOSFET管各极之间的电阻?
我很笨的,

ygshin1年前1

wnxym123 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

用数字万用表,上面有一个圆形的有六个孔的东西,那个就是测MOSFET管用的.

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关于MOSFET场效应管工作原理的问题

关于MOSFET场效应管工作原理的问题
对于N沟道增强型MOSFET，书上这样描述：“当正的栅源电压到达一定数值时,这些电子在栅极附近的P型硅表面形成了一个N型薄层,称为反型层或感生沟道。”我想知道原本是P型的区域是如何存在N型的，P型和N型的杂质离子是不同的，应该不能转变吧？

3955135811年前1

一叶晨风 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

P型的是空穴 和N型的不同 和电子相比 空穴的活动性比较差 通常P沟道的FET性能较差 具有较高的门限电压 较高的Ron以及较低的饱和电流

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P-Channel Power MOSFET是什么意思

西西奇奇1年前2

Routing705 共回答了23个问题 | 采纳率78.3%

P沟道功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管
Power MOSFET
功率金属氧化物（半导体）场效应晶体管 power MOSFET 能够控制超过1 A电流而不发生损伤和毁坏的金属氧化物场效应晶体管,有些可以控制高达100 A的电流,另一些可以控制高达1200 v的电压,它应用于高频开关稳压电源和马达控制.

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