霍尔元件电势高低问题霍尔元件中通的电流的粒子是理解为电子吗?因为如果是正电荷或电子,则前后面的电势高低是相反的.

superhugedog2022-10-04 11:39:541条回答

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gghh3 共回答了11个问题 | 采纳率81.8%
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下列说法不正确的是（　　）
A．霍尔元件能够把电压这个电学量转换为磁感应强度这个磁学量
B．电熨斗能够自动控制温度的原因是它装有双金属片温度传感器，这种传感器的作用是控制电路的通断
C．电子秤所使用的测力装置是力传感器
D．热敏电阻能够把温度这个热学量转换为电阻这个电学量
netfighter1年前1
踩画☆大虾 共回答了25个问题 | 采纳率100%
解题思路：本题考查传感器的应用，根据各器材的原理确定正确的选项．

A、霍尔元件能够把磁感应强度这个磁学量转换为电压这个电学量．故A错误．
B、电熨斗能够自动控制温度的原因是它装有双金属片温度传感器，这种传感器的作用是控制电路的通断．故B正确．
C、电子称使用的是力传感器．故C正确．
D、热敏电阻能够把温度这个热学量转换为电阻这个电学量．故D正确．
本题选错误的，故选：A．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用；常见传感器的工作原理．

考点点评： 解决本题的关键知道各器材的原理，掌握传感器的生活中的运用．

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lwj2287 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
可能原因有：
1.地球磁场的干扰；
2.电阻温度系数的干扰；
3.仪器误差（如KH或n的数值不是很精确）；
4.实验操作误差；
等等
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高中物理选修3-2霍尔元件问题
教材54页的那个霍尔元件的图。用左手定则判断电荷受力方向，来判断N和M电势高低。N和M哪边电势高些。
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。。。怎么回事？
wangxiaoxiao881年前1
klast 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
如果4指指向电流方向，正电荷受力就向N，N高。如果4指指向电子运动反方向（还是原方向），那负电荷受力向N，M高）
再判一次
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若磁场跟霍尔元件的xy平面不完全正交,按式（10-4）算出的磁感应强度比实际值大还是小?
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ritty1021 共回答了18个问题 | 采纳率100%
比实际值小
因为B＝U/dv,磁场本来就是分量代入计算的,dv不变的情况下,U值小了,故B也小了
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（2007•苏州模拟）一块N型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示．已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e．将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿Z轴方向，并通有沿x轴方向的电流I．
（1）此元件的CC′两个侧面中，哪个面电势高？
（2）试证明在磁感应强度一定时，此元件的CC′两个侧面的电势差与其中的电流成正比
（3）磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B 的仪器．其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流I，用毫伏表测量C、C，间的电压U CC′，就可测得B．若已知其霍尔系数k＝
1
ned
＝10mV/mA•T．并测得UCC′=0.6mV，I=3mA．试求该元件所在处的磁感应强度B的大小．
梦哲公主1年前1
CNXIQ 共回答了24个问题 | 采纳率87.5%
解题思路：（1）金属导体中移动的是自由电子，根据左手定则判定电子的偏转方向，从而得出元件的CC′两个侧面的电势的高低．
（2）最终电子在洛伦兹力和电场力的作用下处于平衡，根据平衡，结合电流的微观表达式，证明出两个侧面的电势差与其中的电流成正比．
（3）根据证明出的电势差和电流的关系求出磁感应强度的大小．

（1）电流沿x轴正方向，知电子流动的方向沿x轴负方向，根据左手定则，知电子向C侧面偏转，所以C侧面得到电子带负电，C′侧面失去电子带正电．故C'面电势较高．
（2）当电子受力平衡时有：e
U
b＝evB．得U=vBb．电流的微观表达式I=nevS=nevbd．所以v=Inebd．U=[I/nebd×Bb＝
B
nedI．知两个侧面的电势差与其中的电流成正比．
（3）UCC′=
B
ned] I，则B=
nedUCC′
I＝
UCC′
KI=
0.6
10×3T＝0.02T
故该元件所在处的磁感应强度B的大小为0.02T．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键掌握左手定则判定洛伦兹力的方向，以及知道最终电子受电场力和洛伦兹力处于平衡．

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一种半导体材料称为“霍尔材料”，用它制成的元件称为“霍尔元件”，这种材料有可定向移动的电荷，称为“载流子”，每个载流子的
一种半导体材料称为“霍尔材料”，用它制成的元件称为“霍尔元件”，这种材料有可定向移动的电荷，称为“载流子”，每个载流子的电荷量大小为1元电荷，即q=1.6×10 -19 C，霍尔元件在自动检测、控制领域得到广泛应用，如录像机中用来测量录像磁鼓的转速、电梯中用来检测电梯门是否关闭以自动控制升降电动机的电源的通断等．
在一次实验中，一块霍尔材料制成的薄片宽ab=1.0×10 -2 m、长bc=4.0×10 -2 m、厚h=1.0×10 -3 m，水平放置在竖直向上的磁感强度B=2.0T的匀强磁场中，bc方向通有I=3.0A的电流，如图所示，由于磁场的作用，稳定后，在沿宽度方向上产生1.0×10 -5 V的横向电压．
（1）假定载流子是电子，a、b两端中哪端电势较高？
（2）薄板中形成电流I的载流子定向运动的速率多大？
（3）这块霍尔材料中单位体积内的载流子个数为多少？
两条戏水的鱼1年前1
天天ff 共回答了19个问题 | 采纳率100%
（1）根据左手定则，电子向bc端偏转，则ad端带正电，知ad端电势高．
（2）稳定时载流子，在沿宽度方向上受到的磁场力和电场力平衡
qvB=q
U
ab
解得 v=
U
Bab =
1.0× 10 -5
2.0×1.0× 10 -2 m/s=5×1 0 -4 m/s ．
（3）根据电流的微观表达式得，I=nqSv
则单位体积内的载流子个数 n=
I
qSv =
3.0
1.6× 10 -19 ×1.0× 10 -2 ×1.0× 10 -3 ×5× 10 -4 / m 3 =3.75×1 0 27 / m 3 ．
答：（1）ad端电势高．
（2）薄板中形成电流I的载流子定向运动的速率为5×10 -4 m/s．
（3）这块霍尔材料中单位体积内的载流子个数为为3.75×10 27 /m 3 ．
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利用霍尔效应测磁场的实验.
1、如果所加磁场和霍尔元件平面不完全正交,实验测得值比实际值大还是小?要准确测量B值,实际测量过程中如何操作?
2、实验测得的共轴线圈轴线上的磁场分布有什么特点?实验中是否证实了亥姆霍兹线圈中的磁场最均匀?
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不必做图,
B与霍尔元件不垂直,只有垂直的分量有效,测得的实验值自然偏小.
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（18分）利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场
（18分）
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。
如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面 a 、 b 间通以电流 I 时，另外两侧 c 、 f 间产生电势差，这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是 c 、 f 间建立起电场 E H ，同时产生霍尔电势差 U H 。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时， E H 和 U H 达到稳定值， U H 的大小与 I 和 B 以及霍尔元件厚度 d 之间满足关系式 U H ＝ R H ，其中比例系数 R H 称为霍尔系数，仅与材料性质有关。

（1）设半导体薄片的宽度（ c 、 f 间距）为 l ，请写出 U H 和 E H 的关系式;若半导体材料是电子导电的，请判断图1中 c 、 f 哪端的电势高;[
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为 n ，电子的电荷量为 e ，请导出霍尔系数 R H 的表达式。（通过横截面积 S 的电流 I ＝ nevS ，其中 v 是导电电子定向移动的平均速率）;
（3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着 m 个永磁体，相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图像如图3所示。
a.若在时间 t 内，霍尔元件输出的脉冲数目为 P ，请导出圆盘转速 N 的表达式。
b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程。除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想。
suxuejia1年前1
假山3344 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%
（1） ； c端电势高
（2）
（3）a.
b.提出的实例或设想合理即可

（1） ； c端电势高
（2）由 ①
得 ②
当电场力与洛伦兹力相等时
得 ③
又 ④
将③、④带入②
得
（3）a.由于在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，则

圆盘转速为
b.提出的实例或设想合理即可
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霍尔传感器的本质是什么?用霍尔元件可测哪些物理量
jmssn1年前1
lx75904841 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
我是做霍尔的厂家,OH系列霍尔.霍尔传感器的本质就是利用霍尔效应做成的传感器.利用霍尔元件或器件可以测量磁通量（检测磁场）.利用磁通量的大小可以知道其它物理量,如：电流,电压,距离,温度等等
希望帮到您!
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霍尔元件是一种广泛应用于各领域的磁传感器，如在翻盖手机中，常用来控制翻盖时开启或关闭运行程序．小梅同学在测试某霍尔元件特性时，通以如图所示方向电流，磁场方向垂直工作面，宽为d（M、N间距离），厚为h（图中上下面距离），当MN两端将出现电压UMN，则（　　）
A．MN两端电压UMN仅与磁感应强度B有关
B．已知该霍尔元件形成电流的自由电荷是电子，则MN两端电压UMN＜0
C．若增大霍尔元件宽度d，则MN两端电压UMN一定增大
D．通过控制磁感应强度B可以改变MN两端电压UMN
苦力二1年前1
paperjiang 共回答了26个问题 | 采纳率92.3%
解题思路：在霍尔元件中，移动的是自由电子，根据左手定则判断出电子所受洛伦兹力方向，从而知道两侧面所带电荷的电性，即可知道C、D两侧面会形成电势差UCD的正负．CD间存在电势差，之间就存在电场，电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，根据平衡推导出电势差UCD与什么因素有关．

B、根据左手定则，电子向N侧面偏转，N表面带负电，M表面带正电，所以M表面的电势高，则UMN＞0；故B错误；
A、C、D、MN间存在电势差，之间就存在电场，电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，宽为d（M、N间距离），厚为h（图中上下面距离），有：
q
UMN
d=qvB，I=nqvS=nqvdh，则UMN=[BI/nqh]．故AC错误，D正确．
故选：D．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键知道霍尔元件中移动的是自由电子，以及自由电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡．

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(19分)在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极 E 、 F 、 M 、 N ，它就成了一个霍尔元件(如图)，在 E 、 F 间通人恒 定的电流 I ，同时外加与薄片垂直的磁场 B ，在 M 、 N 间出现了电压 U H ，称为霍尔电压。
（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子， M 、 N 两端中哪端电势较高?
（2）试证明： ， K 为与材料有关的常量。
（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法?[
1023561年前1
thinklu 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%
（1） M 点电势高
（2）证明见解析。
（3）增大电流 I 、减小厚度 d 和减小载流子的密度、增加磁感应强度 B 。


（1） M 点电势高。 （3分）
（2）设前后两个表面相距为 L ，电子所受的电场力等于洛仑兹力
(3分) 。
设材料单位体积内电子的个数为 n ，材料截面积为 s ，则电流为 (2分) ，
s = dL (2分)
解得： (2分)
（3）增大电流 I 、减小厚度 d 和减小载流子的密度、增加磁感应强度 B 。 (4分)
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霍尔效应测磁场中,要求计算霍尔元件的灵敏度KH,单位为mV/(mA.KGs)
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公式为KH = Vh /（IsB）,请问B的单位是什么,T还是mT?
bsdtaoxin1年前1
dingweizhi 共回答了16个问题 | 采纳率100%
正好我做过啊!B的单位用的是KGs.
Gs称为高斯单位.
1T=10000Gs
也就是说1T=10KGs
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利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域．
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如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应．其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场EH，同时产生霍尔电势差UH．当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，EH和UH达到稳定值，UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RH[IB/d]，其中比例系数RH称为霍尔系数，仅与材料性质有关．
（1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出UH和EH的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图1中c、f哪端的电势高；
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数RH的表达式．（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）；
（3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反．霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近．当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示．
a．若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式．
b．利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程．除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想．
范晓1年前1
281666188 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%
解题思路：（1）、由左手定则可判断出电子的运动方向，从而判断f和c两侧的电荷聚集情况，聚集正电荷的一侧电势高．
（2）、根据题中所给的霍尔电势差和霍尔系数的关系，结合电场力与洛伦兹力的平衡，可求出霍尔系数的表达式．
（3）、由转速时间以及圆盘的周边永久磁体的个数，可表示出霍尔元件输出的脉冲数目，从而表示出圆盘转速．

（1）、由场强与电势差关系知UH=EHl．导体或半导体中的电子定向移动形成电流，电流方向向右，实际是电子向左运动．由左手定则判断，电子会偏向f端面，使其电势低，同时相对的c端电势高．
（2）、由题意得：UH＝RH
IB
d…①
解得：RH＝UH
d
IB＝EHl
d
IB…②
当电场力与洛伦兹力平衡时，有eEh=evB
得：EH=vB…③
又有电流的微观表达式：I=nevS…④
将③、④带入②得：
RH＝vBl
d
IB＝vl
d
nevS＝
ld
neS ＝
1
ne
（3）、a．由于在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，则有：
P=mNt
圆盘转速为 N=[P/mt]
b．提出的实例或设想合理即可．
答：（1）、c端电势高．
（2）、霍尔系数的表达式为[1/ne]．
（3）、圆盘转速的表达式为[P/mt]．

点评：
本题考点： 带电粒子在匀强电场中的运动；带电粒子在匀强磁场中的运动．

考点点评： 2010年的北京卷
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象．霍尔效应在新课标教材中作为课题研究材料，解答此题所需的知识都是考生应该掌握的．对于开放性物理试题，要有较强的阅读能力和获取信息能力．
本题能力考查层次是推理能力+应用能力（将较复杂的问题分解为几个较简单的问题，并找出它们之间的联系．）+应用能力（对问题进行合理的简化，找出物理量之间的关系，利用恰当的数学表达方式进行分析、求解，得出物理结论）．
本题延续了近年来此类联系实际试题的特点，要求考生在对试题进行理论研究的同时，通过开放式的设问，让学生尝试着应用与题目相关的知识内容解决实际问题，或提出自己的设想，或对计算的结果进行评价．应该说这样的设问的设计，既能充分体现课改的基本理念，又能对中学物理教学起到良好的导向作用，同时试题也具体很好的区分度．

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（2014•吉林一模）利用霍尔效应制作的霍尔元件，广泛应用于测量和自动控制等领域．如图是霍尔元件的工作原理示意图（本题中
（2014•吉林一模）利用霍尔效应制作的霍尔元件，广泛应用于测量和自动控制等领域．如图是霍尔元件的工作原理示意图（本题中霍尔元件材料为金属导体），磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下，通入图示方向的电流I，C、D两侧面会形成电势差UCD，下列说法中正确的是（　　）
A．电势差UCD仅与材料有关
B．电势差uCD＞0
C．仅增大磁感应强度时，C、D两侧面电势差绝对值变大
D．在测定地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持水平
数钱手不抽筋1年前1
grisea 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%
解题思路：在金属导体的霍尔元件中，移动的是自由电子，根据左手定则判断出电子所受洛伦兹力方向，从而知道两侧面所带电荷的电性，即可知道C、D两侧面会形成电势差UCD的正负．CD间存在电势差，之间就存在电场，电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，根据平衡推导出电势差UCD与什么因素有关．

A、根据左手定则，电子向C侧面偏转，C表面带负电，D表面带正电，所以D表面的电势高，则UCD＜0．
CD间存在电势差，之间就存在电场，电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，有：
q[U/b]=qvB
I=nqvS=nqvbc
则：U=[BI/nqc]．
故A错误，B错误，C正确．
D、在测定地球赤道上方的地磁场强弱时，应将元件的工作面保持竖直，让磁场垂直通过．故D错误．
故选：C．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键知道金属材料中霍尔元件中移动的是自由电子，以及自由电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡．

1年前查看全部
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域．
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域．

如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应．其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场EH，同时产生霍尔电势差UH．当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，EH和UH达到稳定值，UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RH[IB/d]，其中比例系数RH称为霍尔系数，仅与材料性质有关．
（1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出UH和EH的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图1中c、f哪端的电势高；
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数RH的表达式．（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）；
（3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反．霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近．当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示．
a．若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式．
b．利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程．除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想．
俺是闲人1年前1
爱吃不爱动 共回答了16个问题 | 采纳率93.8%
解题思路：（1）、由左手定则可判断出电子的运动方向，从而判断f和c两侧的电荷聚集情况，聚集正电荷的一侧电势高．
（2）、根据题中所给的霍尔电势差和霍尔系数的关系，结合电场力与洛伦兹力的平衡，可求出霍尔系数的表达式．
（3）、由转速时间以及圆盘的周边永久磁体的个数，可表示出霍尔元件输出的脉冲数目，从而表示出圆盘转速．

（1）、由场强与电势差关系知UH=EHl．导体或半导体中的电子定向移动形成电流，电流方向向右，实际是电子向左运动．由左手定则判断，电子会偏向f端面，使其电势低，同时相对的c端电势高．
（2）、由题意得：UH＝RH
IB
d…①
解得：RH＝UH
d
IB＝EHl
d
IB…②
当电场力与洛伦兹力平衡时，有eEh=evB
得：EH=vB…③
又有电流的微观表达式：I=nevS…④
将③、④带入②得：
RH＝vBl
d
IB＝vl
d
nevS＝
ld
neS ＝
1
ne
（3）、a．由于在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，则有：
P=mNt
圆盘转速为 N=[P/mt]
b．提出的实例或设想合理即可．
答：（1）、c端电势高．
（2）、霍尔系数的表达式为[1/ne]．
（3）、圆盘转速的表达式为[P/mt]．

点评：
本题考点： 带电粒子在匀强电场中的运动；带电粒子在匀强磁场中的运动．

考点点评： 2010年的北京卷
所谓霍尔效应，是指磁场作用于载流金属导体、半导体中的载流子时，产生横向电位差的物理现象．霍尔效应在新课标教材中作为课题研究材料，解答此题所需的知识都是考生应该掌握的．对于开放性物理试题，要有较强的阅读能力和获取信息能力．
本题能力考查层次是推理能力+应用能力（将较复杂的问题分解为几个较简单的问题，并找出它们之间的联系．）+应用能力（对问题进行合理的简化，找出物理量之间的关系，利用恰当的数学表达方式进行分析、求解，得出物理结论）．
本题延续了近年来此类联系实际试题的特点，要求考生在对试题进行理论研究的同时，通过开放式的设问，让学生尝试着应用与题目相关的知识内容解决实际问题，或提出自己的设想，或对计算的结果进行评价．应该说这样的设问的设计，既能充分体现课改的基本理念，又能对中学物理教学起到良好的导向作用，同时试题也具体很好的区分度．

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能否用霍尔元件测量交变磁场的强度,
能否用霍尔元件测量交变磁场的强度,
能否用霍尔元件测量交变磁场的强度,为什么?
大nn1年前1
唯吾cc 共回答了18个问题 | 采纳率77.8%
能不能测量,你用几个参数就可以判断：1,霍尔器件的感应电压是否与磁场强度呈现线性或可以用一个曲线描述,可重复的规律；2,霍尔器件的响应频率与被测交变磁场的频率是否一致,就是霍尔器件能否跟上变化；3,霍尔器件的指示幅度范围能否覆盖被测交变磁场的幅度；这三点决定你的问题.自己去找答案吧!
1年前查看全部
在一个很小的巨型半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F通入恒定的电流I，同时外
在一个很小的巨型半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，元件在沿磁场方向的厚度为d，在M、N间出现了电压UH，称为霍尔电压．
（1）电流和磁场方向如图所示，载流子是电子，______端电势较高；（填M或N）
（2）当电流恒定和所用材料一定时，霍尔电压UH与______成正比，与______成反比．
小豆宝1年前1
武魅 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%
解题思路：（1）根据左手定则判断电子的偏转方向，从而得出电势的高低．
（2）抓住电子受力平衡得出霍尔电压的大小，结合电流的微观表达式得出霍尔电压的表达式，从而进行判断．

（1）根据左手定则知，电子向N端偏转，所以M端带正电，N端带负电，M端的电势较高．
（2）设薄片的长度为a，宽度为b，根据电子受力平衡得，e
UH
b＝evB，解得UH=Bvb，
因为I=nevS=nevbd，解得v=[I/nebd]，
代入解得UH＝
BI
ned，n表示单位体积内的电子数，可知霍尔电压与B成正比，与d成反比．
故答案为：（1）M（2）B，d

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键掌握左手定则判断洛伦兹力的方向，以及知道最终电子在电场力和洛伦兹力作用下平衡．

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（2012•宁德模拟）利用霍尔效应制作的霍尔元件，广泛应用于测量和自动控制等领域．如图是霍尔元件的工作原理示意图，磁感应
（2012•宁德模拟）利用霍尔效应制作的霍尔元件，广泛应用于测量和自动控制等领域．如图是霍尔元件的工作原理示意图，磁感应强度B垂直于霍尔元件的工作面向下，通入图示方向的电流I，C、D两侧面会形成电压U，下列说法中正确的是（　　）
A．电压U仅与材料有关
B．若元件的载流子是自由电子，则C侧面电势高于D侧面电势
C．在测地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持水平
D．在测地球两极上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持水平
diclarsma1年前1
冷冷小刀 共回答了22个问题 | 采纳率86.4%
解题思路：在霍尔元件中，移动的是自由电子，根据左手定则判断出电子所受洛伦兹力方向，从而知道两侧面所带电荷的电性，即可知道C、D两侧面会形成电势差UCD的正负．CD间存在电势差，之间就存在电场，电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，根据平衡推导出电势差UCD与什么因素有关．

A、根据左手定则，电子向C侧面偏转，C表面带负电，D表面带正电，所以D表面的电势高，则UCD＜0．CD间存在电势差，之间就存在电场，电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，设霍尔元件的长宽高分别为a、b、c，有q
U
b=qvB，I=nqvS=nqvbc，则U=[BI/nqc]．故A、B错误．
C、在测地球赤道上方的地磁场强弱时，磁场方向为水平方向，则元件工作面应保持竖直．故C错误．
D、在测地球两极上方的地磁场强弱时，磁场方向为竖直方向，则元件的工作面应保持水平，故D正确．
故选D．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键知道霍尔元件中移动的是自由电子，以及自由电子在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡．

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大学物理实验：霍尔元件测磁场1.能否测量螺线管的轴向磁场分布情况,并定出螺线管的长度?2.如何观察“不等势”电压?它与工
大学物理实验：霍尔元件测磁场
1.能否测量螺线管的轴向磁场分布情况,并定出螺线管的长度?
2.如何观察“不等势”电压?它与工作电流有什么关系?
鬼冢11年前1
麻辣小汤圆 共回答了14个问题 | 采纳率100%
1.只要配合一个滑动标尺自然就可以测量轴向磁场分布,但是不能通过测量磁场定出螺线管长度,一者螺线管管口的磁感应强度总是中点值的一半,二来当螺线管足够长（长度远大于直径）时,中间很大一段的磁场都是均匀相等的,与长度无关.
2.不等位电势是由工作电流与半导体本身的电阻形成的,其大小与工作电流成正比.观察不等位电势可以保持工作电流不变,把激磁电流方向变一下,然后将两次的结果相加除以2,其值就是不等位电势.
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利用霍尔元件测转速,在测量上有否限制?
利用霍尔元件测转速,在测量上有否限制?
为什么磁电式转速传感器不能测很低速的转动,能说明理由吗?
请尽快有人帮忙,急,
nwqing1年前1
陈玲1016 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%
利用霍尔元件测转速时,每当磁感应强度发生变化时霍尔元件就输出一个脉冲,如果转速过慢,磁感应强度发生变化的周期过长,大于读取脉冲信号的电路的工作周期,就会导致计数错误.
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怎样利用霍尔元件测磁场
hhffdd1年前1
14881488 共回答了14个问题 | 采纳率85.7%
那必须要找线性霍尔元件并配上想应的精密放大器经校准后就可直读电压值就可转换出测量点的磁场强度了.
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霍尔元件电导率怎么求在零磁场情况下,取控制电流为0·15mA,实验测得霍尔元件控制电流方向的电压为10·7V,那么它的电
霍尔元件电导率怎么求
在零磁场情况下,取控制电流为0·15mA,实验测得霍尔元件控制电流方向的电压为10·7V,那么它的电导率是多少?怎么算?
kk在另一个星期五1年前1
L安安 共回答了12个问题 | 采纳率91.7%
电导率 = （霍尔片长L*工作电流Is）/（电压U*霍尔片宽b*霍尔片高d）.在实验仪器上,标注有霍尔片的规格,直接代入公式就行了,注意单位的统一.Is -- A ,U -- V,L d b --- cm,电导率 ---欧姆*cm
1年前查看全部
.霍尔元件存在不等位电势的主要原因有哪些?
yoursljx1年前1
natian 共回答了21个问题 | 采纳率81%
受到了电场或磁场的干扰
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霍尔元件如何检验磁场强弱?或者说如何用霍尔元件检测物体中的磁性?
aa强1年前1
八神狂战 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%
“霍尔元件”就是能产生霍尔效应的器件.把霍尔元件放在磁场中,并使霍尔元件通电流 I ,这时在霍尔元件的上下表面间会产生电势差,电势差与电流I,磁场B之间的关系式 U=hIB/b.
其中h为霍尔系数,取决于材料的性质,b为霍尔元件横截面的宽度.所以只要能测出霍尔电势差U,
（对给定的材料,h为已知）就能求出磁场B的大小.
1年前查看全部
用霍尔元件怎么样测交变磁场 要求具体的方法.
网络坏女人1年前1
zuihouxuanze 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
霍尔元件可以看做是一个把磁场转换为电学量的传感器,放入交变磁场后得到的交变电压,可以用计算机记录下变化,这样就可以测得交变磁场
1年前查看全部
在霍尔效应实验中,要求磁场方向垂直于霍尔元件平面,否则测出的霍尔电压将如何变化?为什么?
billyboy841年前1
bb_zz 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
霍尔效应要通过测两板间的电势差!如果不垂直的话,正负电荷不能完全聚于两板,所以两板间的电势差偏小,导致霍尔电压偏小!
1年前查看全部
一块 N 型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为 n 、电阻
一块 N 型半导体薄片（称霍尔元件），其横载面为矩形，体积为b×c×d，如图所示。已知其单位体积内的电子数为 n 、电阻率为 ρ 、电子电荷量 e ，将此元件放在匀强磁场中，磁场方向沿 z 轴方向，并通有沿 x 轴方向的电流 I 。

(1)此元件的 CC / 两个侧面中，哪个面电势高？
(2)试证明在磁感应强度一定时，此元件的 CC / 两个侧面的电势差与其中的电流成正比；
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度 B 的仪器。其测量方法为：将导体放在匀强磁场之中，用毫安表测量通以电流 I ，用毫伏表测量 C 、 C / 间的电压 U ， 就可测得 B 。若已知其霍尔系数 ，并测得 U =0.6mV， I =3mA。试求该元件所在处的磁感应强度 B 的大小。
sinny20011年前1
nana娜 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
解题思路：

⑴电子在洛伦兹力作用下向侧面C移动，故电势较高

(2)假设定向移动速度为v，

由，q="nebdvt"可得I=nebdv

稳定时有：

可得⋅

由于B. n、e、d均为定值，所以侧面的电势差与其中的电流成正比

(3)由上可知

代入数据可得：B=0.02T

⑴ 电势较高，（2）由I=nebdv和 得 ，所以侧面的电势差与其中的电流成正比，（3）0.02T


<>

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请教高手：半导体霍尔元件通电流时,判断电势高低,载流子是电子,还是空穴?
推普1年前1
yuntianxia01 共回答了13个问题 | 采纳率100%
我只说电磁学里接触的霍尔元件啊.它有个特性是,通有电流的金属导体或倒班,在磁场中运动时,因为,我们知道电流时电子的定向运动.但是在磁场中运动的电子洛伦磁力会向导体或导体版的上下运动,发生电荷的转移,而电荷的转移又会形成电压.所以,他是由电子产生的.其次,这里电子,和正电荷都会移动.
1年前查看全部
霍尔元件的作用是什么?
hchleao1年前1
慕容歆静 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
http://xzf.2000y.net/mb/1/readnews.asp?newsid=516077
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（2012•江苏三模）霍尔元件是一种基于霍尔将就的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，得到广泛应用．如图为某
（2012•江苏三模）霍尔元件是一种基于霍尔将就的磁传感器，已发展成一个品种多样的磁传感器产品族，得到广泛应用．如图为某霍尔元件的工作原理示意图，该元件中电流I由正电荷定向运动形成．下列说法中正确的是（　　）
A．M点电势比N点电势高
B．用霍尔元件可以测量地磁场的磁感应强度
C．用霍尔元件能够把磁学量转换为电学量
D．若保持电流I恒定，则霍尔电压UH与B成正比例
xj58911年前1
樱桃小妖oo0 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%
A、根据左手定则知，电子向N点偏转，所以N点这一侧得到电子带负电，另一端失去电子带正电，所以M点的电势高于N点的电势．故A正确．
B、根据qvB=q
UH
d得，UH＝
vB
d，
由电流的微观定义式：I=nesv，n是单位体积内的电子数，e是单个导电粒子所带的电量，s是导体的横截面积，v是导电粒子运动的速度．
整理得：v=[I/nes]．
联立解得UH＝
IB
nesd，可知用霍尔元件可以测量地磁场的磁感应强度，保持电流不变，霍尔电压UH与B成正比．故B、D正确．
C、霍尔元件能够把磁学量转换为电学量．故C正确．
故选：ABCD．
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霍尔元件需不需要加上拉电阻,3.6v电压需要加多少欧姆的电阻
蜀人俗事1年前3
2008mmmm 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%
霍尔元件有些型号内嵌上拉或者有些没有内嵌上拉电阻...妥当的做法是加1K的上拉电阻!
1年前查看全部
在霍尔效应实验里,要求磁场方向垂直霍尔元件,否则测出的霍尔电压将如何变化为什么
旧棉衣1年前1
MiGo1221 共回答了26个问题 | 采纳率88.5%
否则测出的霍尔电压将减小,测出的霍尔电压应该是理论值乘以偏离磁场的角度的余弦值.
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利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。
如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场E H ，同时产生霍尔电势差U H 。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等 时，E H 和U H 达到稳定值，U H 的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式U H =R H ，其中比例系数R H 称为霍尔系数，仅与材料性质有关。
（1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出U H 和E H 的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图1中c、f哪端的电势高；
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数R H 的表达式（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）；
（3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示。
a．若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式；
b．利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程，除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想。
dancy1141141141年前1
伤心的yy 共回答了18个问题 | 采纳率83.3%
（1）U H =E H l；c端电势高
（2）由 ①
得 ②
当电场力与洛伦兹力相等时eE H =evB
得E H =vB ③
又I=nevS ④
将③、④代入②，得
（3）a．由于在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，则P=mNt
圆盘转速为
b．提出的实例或设想合理即可
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利用霍尔元件测量磁场时,如何让确定磁感应强度的方向?
blackelegantruff1年前2
wh0242 共回答了22个问题 | 采纳率95.5%
将探头转动角度得到最大测量值,这时探头的法线方向就是了.
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下列说法正确的是（　　）A．霍尔元件能把磁感应强度这个磁学量转换为电压这个电学量B．电熨斗能够自动控制温度的原因是它装有
下列说法正确的是（　　）
A．霍尔元件能把磁感应强度这个磁学量转换为电压这个电学量
B．电熨斗能够自动控制温度的原因是它装有双金属片温度传感器，这种传感器作用是控制电路的通断
C．电子秤所使用的测力装置是力传感器
D．热敏电阻能够把温度这个热学量转换为电阻这个电学量
mfkpl123411年前1
YY天地 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
解题思路：传感器的作用是将温度、力、光、声音等非电学量转换为电学量．根据各种传感器的特点解答即可．

A、霍尔元件利用霍尔效应能把磁感应强度这个磁学量转换为电压这个电学量．故A正确；
B、电熨斗能够自动控制温度的原因是它装有双金属片温度传感器，这种传感器作用是控制电路的通断．故B正确；
C、电子秤所使用的测力装置把力的作用转换为电学量，是力传感器．故C正确；
D、热敏电阻能够把温度这个热学量转换为电阻这个电学量．故D正确．
故选：ABCD

点评：
本题考点： 传感器在生产、生活中的应用．

考点点评： 该题考查常见的几种传感器的特点与应用，属于记忆性的知识点，牢记即可．

1年前查看全部
当霍尔元件h平面与磁感应强度b不严格垂直时,对测量结果有什么影响
sunjj20061年前1
傲视风云 共回答了20个问题 | 采纳率100%
偏小啊
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霍尔元件能转换哪两个物理量
李梦萌1年前1
8313555 共回答了20个问题 | 采纳率75%
UH=RHIB/d RH=1/nq（金属） 式中 RH——霍尔系数：
在磁场不太强时,霍尔电势差UH与激励电流I和磁感应强度B的乘积成正比,与霍尔片的厚度δ成反比,即UH =RH*I*B/δ,式中的RH称为霍尔系数,它表示霍尔效应的强弱.另RH=μ*ρ即霍尔常数等于霍尔片材料的电阻率ρ与电子迁移率μ的乘积.
霍尔电势差与激励电流I
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图是霍尔元件的工作原理示意图，用d表示薄片的厚度，k为霍尔系数，对于一个霍尔元件d、k为定值，如果保持I恒定，则可以验证
图是霍尔元件的工作原理示意图，用d表示薄片的厚度，k为霍尔系数，对于一个霍尔元件d、k为定值，如果保持I恒定，则可以验证UH随B的变化情况.以下说法中正确的是（　　）
A. 将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面，UH将变大
B. 在测定地球两极的磁场强弱时，霍尔元件的工作面应保持与地面垂直
C. 在测定地球赤道上的磁场强弱时，霍尔元件的工作面应保持水平
D. 改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角，UH将会发生变化
十二娘1年前1
cgaiml 共回答了20个问题 | 采纳率90%
解题思路：稳定时，电子所受的洛伦兹力和电场力平衡，测量地磁场强弱时，让地磁场垂直通过元件的工作面，通过地磁场的方向确定工作面的位置．

A、电子最终在电场力和洛伦兹力作用下处于平衡，evB=
eUH
L得：UH=vBL，则将永磁体的一个磁极逐渐靠近霍尔元件的工作面时，B增大，则UH将变大．故A正确．
B、C、地球赤道上方的地磁场方向水平，两极上方的磁场方向竖直；在测地球赤道上方的地磁场强弱时，元件的工作面应保持竖直，在测量两极磁场强弱时，霍尔元件的工作面应水平．故B错误，C错误．
D、改变磁感线与霍尔元件工作面的夹角，需将磁场进行分解，在垂直于工作面方向上的磁感应强度小于原磁场磁感应强度的大小，则UH将发生变化．故D正确．
故选：AD．

点评：
本题考点： 霍尔效应及其应用．

考点点评： 解决本题的关键知道霍尔效应的原理，知道电子受到电场力和洛伦兹力平衡．

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霍尔元件中通过的电流是正电荷移动形成的还是负电荷移动形成的?
mimihooo1年前1
wangso 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
电流是电子移动的反方向.在导体中,电子（负电荷）是可以移动的,空穴（正电荷）是电子移动后留下的.
1年前查看全部
霍尔效应实验中不等位电势是如何产生的,如何测量霍尔元件的不等位电势?
lliling1年前4
娃娃and糖 共回答了10个问题 | 采纳率100%
载流子受洛伦茨力作用,向一侧漂移,产生电场,电场力与磁场力相等时导体中载流子运动稳定下来.这时导体侧面就会有电势.
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用霍尔元件测量磁场时,如何检查霍尔元件放置的方位的正确性
郁闷-头晕1年前2
随风遗忘 共回答了11个问题 | 采纳率90.9%
霍尔效应测磁场,只能测出垂直于电流方向的磁场.所以,必须保证电流方向与磁场方向垂直,否则测出的磁场只是垂直于电流方向的分量,测量值偏小.
综上,电流方向应与磁场方向垂直,或者转动霍尔元件方向直到示数最大.
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利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域．
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域．



如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应．其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场E H ，同时产生霍尔电势差U H ．当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，E H 和U H 达到稳定值，U H 的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式U H =R H
IB
d
，其中比例系数R H 称为霍尔系数，仅与材料性质有关．
（1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出U H 和E H 的关系式；若半导体材料是电子导电的，请判断图1中c、f哪端的电势高；
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数R H 的表达式．（通过横截面积S的电流I=nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）；
（3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反．霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近．当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示．
a．若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式．
b．利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程．除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想．
cscecydy1年前1
晓小杰 共回答了18个问题 | 采纳率100%
（1）、由场强与电势差关系知U H =E H l．导体或半导体中的电子定向移动形成电流，电流方向向右，实际是电子向左运动．由左手定则判断，电子会偏向f端面，使其电势低，同时相对的c端电势高．
（2）、由题意得： U H = R H
IB
d …①
解得： R H = U H
d
IB = E H l
d
IB …②
当电场力与洛伦兹力平衡时，有eE h =evB
得：E H =vB…③
又有电流的微观表达式：I=nevS…④
将③、④带入②得：
R H =vBl
d
IB =vl
d
nevS =
ld
neS =
1
ne
（3）、a．由于在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，则有：
P=mNt
圆盘转速为 N=
P
mt
b．提出的实例或设想合理即可．
答：（1）、c端电势高．
（2）、霍尔系数的表达式为
1
ne ．
（3）、圆盘转速的表达式为
P
mt ．
1年前查看全部
在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时
在一个很小的矩形半导体薄片上，制作四个电极E、F、M、N，它就成了一个霍尔元件（如图），在E、F间通入恒定的电流I，同时外加与薄片垂直的磁场B，在M、N间出现了电压U H ，称为霍尔电压．
（1）电流和磁场方向如图中所示，载流子是电子，M、N两端中哪端电势较高？
（2）试证明：U H =K
IB
d
，K为与材料有关的常量．
（3）为了提高霍尔元件的灵敏度，可采用哪些方法？
银河草1年前1
小段殿下 共回答了23个问题 | 采纳率78.3%
（1）根据左手定则，电子向N端偏转，则M点电势高 ①
（2）设前后两个表面相距为L，电子所受的电场力等于洛仑兹力
e
U H
L =evB ②
设材料单位体积内电子的个数为n，材料截面积为s
I=nesv ③
s=dL　　　　　　　　　　　　　　 　④
由②③④得：
U H =
BI
ned ⑤

令 k=
1
ne ，则 U H =k
BI
d ⑥

（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
答：（1）M点电势高．
（2）证明如上所示．
（3）增大电流I、减小厚度d 和减小截流子的密度
1年前查看全部
用霍尔元件可以测量哪些物理量
rhtzlj1年前1
rupu 共回答了24个问题 | 采纳率83.3%
霍尔元件的应用有：检测磁场磁感应强度,物体运动速度,调节工作磁场,检测铁磁物体,检测工件缺口,直流无刷电机.
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