盒中有10只晶体管,其中2只是次品,每次随机地抽取1只,作不放回抽样,连抽两次,求下列事件的概率：1只正品,1只次品

温度升高,晶体管输出特性曲线( )

温度升高,晶体管输出特性曲线( )
A.上移
B.下移
C.不变

花火生命短暂1年前1

微扬 共回答了20个问题 | 采纳率95%

因为温度升高时,晶体管的输出电流将增大,所以应该是“上移”.
若要详细了解物理原理,可见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明.

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模拟电子技术晶体管放大电路?问题来自课本,《模拟电子技术基础》第四版 华成英 童诗白 主编 1.第96页中图2.3.13

模拟电子技术晶体管放大电路?
问题来自课本,《模拟电子技术基础》第四版 华成英 童诗白 主编
1.第96页中图2.3.13（d）中1/h22（即rce）的电流方向如何?请看97页式（2.3.7b）是不是可以判断.
2.再看第103页图2.2.5（a）,如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,看是不是和1问的电流方向有点矛盾?
3.再看第194页图4.2.10（b）中rce1和rce2的电流方向,和上面的1/h22是一样吗?如果一样,能推出第195页式(4.2.15)的结果吗?
1/h22 和rce1和rce2应该都是ce之间动态电阻.
请问rce中的电流方向到底如何?
谢谢requis能回答得这么详细,不过对你的回答我有些疑问,以下为疑问和我的理解：
1.首先1/h22e是个电阻量,它本身没有符号,流过它的电流方向要看它两端的电压方向,如果图中Uce真实方向如图中所示,电流确实向下.但是你注意第97页式2.3.6b和前一页图2.3.13（c）中的负载线,可以知道dic(即Ic)和duce(即Uce)这两者变化关系是相反的,即当Ic增加时Uce就会减小,也就是说Ic为正时Uce就为负,也就是说1/h22电流方向与Ic相反了.实际你可以从图2.3.13（c）中的负载线上直观的看到ic增大（相当于dic为正）,Q点上移,Uce减小,由ic-Uce曲线可知ic随Uce减小而减小.说明：Ic与rce电流相反.
2.我2问中的图是103页图2.3.18,正常如果图中假设考虑rce的影响,放大倍数会出现形如Au=-(βrce//Rc//Rl)/rbe,试问：如果rce电流方向真的由上向下,Au式中的负号会出现吗?同理3问中Au表达式中也有负号,用你说的电流方向是矛盾的.

wy柳柳1年前1

vividu1014 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%

1问
其实2．3．13d这个图是等效电路模型,电流方向怎样取都没有问题的,公式都能成立.因为等效模型中的参量是可以有负值的,所以我们应该定义这里讨论的,是真实方向.
在文中下一页的对h参数方程2．3．7a／b的解释.我们可以知道1／h22为晶体管ce结动态电阻,或称交流内阻.
形象的说,如果ib＝0,那么模型中的h12ib为零,等效去掉受控恒流源的时候,ce结就成为一个大电阻,在UBE的作用下产生一个微小的ic值.所以我们可以知道了,1／h22中真实的电流方向是与ic一致的,即图中为向下.因为它本身就是ic的一部分.这点在97页的h参数方程中,ic＝h21eib+h22eUbe,下文中也有说到“第二项由UBE产生一个电流,因而h22e为电导”.
2问：
没搞明白,你说的页码跟图号都不对头,“如果图中考虑rce的影响,请求出电压放大倍数Au,”也没找到,略过.
3问：
rce1与1／h22e是一样的,所以电流方向自然一样.而rce2,从图4．2．10b中,或公式4．2．15中,都可以看出,rce1/rce2/RL是并联关系,所以其真实方向也是一致的.不要被图4．2．10a迷惑,那是直流电路,标的也都是直流态的方向.
4.2.15公式,表示在RL大到不可忽略rce1/rce2的情况下的Au,这个时候实际上镜流源的意义已经失去.镜流源是为了在实用电路的交流模型中剔除掉Rc电阻,使实用电路的交流模型能够与图2．3．13d一致（2．3．13d并非实用电路的交流模型,这点要搞清楚）.所以实际上4．2．15公式的Au,是不具有实用价值的,因为rce在实际中是不可控参量.所以实际电路,都把RL

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、某晶体管的电路如图1所示,则该管工作在什么状态?

、某晶体管的电路如图1所示,则该管工作在什么状态?

B级电压怎么算的?基础不好……

大明公词1年前1

vaidurya 共回答了18个问题 | 采纳率88.9%

B极电压：7.11V,E极电压=7.11-0.6=6.51v,IE=6.51mA,IE=IC,所以2K上的压降=U2k=0.0061*2000=12.2 V,UCE=15-6.51-12.2=负压,由于其不可能是负压,其只能是极小的电压.
所以可以确定的告诉你：该管工作在深度饱和状态!

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模拟电子中,温度升高时,晶体管的正向结电压为什么是减小的.

随尘绛1年前1

sgeuu 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%

因为晶体管的正向结是半导体材料,当温度升高时,那它载流子的扩散运动大于漂移运动,使PN结内部电压减小,所以正向结电压也随减小.

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多级放大电路中怎样判断某一级的晶体管的组态,共射,共集,共基?还有怎么画其交流通路?

hop1871年前1

航海家II 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

只需要看那个端子为公共端.交流通路就是将电源电容短路,电感开路得到的电路.
图中第一第二级射极经电容到地,所以是共射.

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工作在放大电路中的两个晶体管,其电流分别如图6-73a.b所示,试分别在图中标出e,b,c；写明是NPN还是PNP型,并

工作在放大电路中的两个晶体管,其电流分别如图6-73a.b所示,试分别在图中标出e,b,c；写明是NPN还是PNP型,并分别估算他们的β值

Tony锋1年前1

shixiji 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

这个貌似 模电 书后面的习题 -----------望采纳!

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三极管种类判别若测得放大电路中两晶体管三个电极对地电位V1 V2 V3 怎样判断是硅管 还是锗管 并确定 e b c (

三极管种类判别
若测得放大电路中两晶体管三个电极对地电位V1 V2 V3 怎样判断是硅管 还是锗管 并确定 e b c
(1) V1=5.8V V2=6V V3=2V (2) V1=-1.5V V2=-4V V3=-4.7V

青蛙公主遛遛塘1年前1

一岁半站站 共回答了15个问题 | 采纳率80%

这种题首先要判断是NPN,还是PNP管.
NPN管：集电极电位大于发射极很多,基极和发射极的电位差是0.0.7V.
PNP管：发射极电位大于集电极很多,发射极和基极的电位差是0.0.7V.
根据判断方法和你的数据,就可以得出,（1）是PNP管 ；（2）是NPN管.
所以根据PNP管电位差得出,（1）、V1-b,V2-e,V3-c
根据NPN管电位差得出,（2）、V1-c,V2-b,V3-e
由于（1）中,发射极与基极的电位差是0.2V,所以判断这是锗管；
由于（2）中,基极和发射极的电位差是0.7V,所以判断这是硅管.
这种题,判断步骤就是这样,先判断是什么管,才得出各极性,最后再看是什么管.

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关于开关晶体管高位的晶体管必须是PNP型三极管的问题

关于开关晶体管高位的晶体管必须是PNP型三极管的问题

如图所示,若晶体管导通则B极为低电平,电源电压加载在负载两端,那C极的电位几乎等于VCC,但是要驱动三极管,B极的电压不是应该高于C极电压的吗?求各位大神解答

我怕我mm1年前1

liaosujushi 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%

高位用三极管不一定PNP.但为了简单,多数用PNP.
NPN型需要发射极接负电压,PNP型需要发射极接正,只要明白NPN行的工作原理,PNP型把正电源理解为地,就好理解了.
硅管的饱和压降（0.3V）,低于BE结正向压降（0.7V）.

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一道电工电子的题目如图所示放大电路 晶体管的β=60,试求接入负载电阻RL/RL开路时,电路的电压放大倍数和输入、输出电

一道电工电子的题目
如图所示放大电路 晶体管的β=60,试求接入负载电阻RL/RL开路时,电路的电压放大倍数和输入、输出电阻 并画出微变等效电路图
图可以不用画 我会-

moondsky1年前1

天使得心 共回答了17个问题 | 采纳率82.4%

分压比α=Rb2/(Rb1+Rb2)=24/(51+24)=0.32基极偏置电源等效电动势Ub=αUcc=0.32×12V=3.84V基极偏置电源等效内阻Rb=Rb1//Rb2=24×51/(24+51)=16.32kΩ设Re=RE+RE1=0.1kΩ+2.2kΩ=2.3kΩ基极偏置电流Ib=(Ub-Ube)/(Rb+βRe)=(3.84-0.7)V/(16.32kΩ+60×2.3kΩ)=3.14V/154.32kΩ=0.02035mA晶体管输入电阻rbe=rbb'+UT/Ib=100Ω+26mV/0.02035mA=100Ω+1278Ω=1378Ω=1.4kΩrbe+βRE=1.4+60×0.1=7.4kΩ该放大器输入电阻及输出电阻与负载无关输入电阻ri=Rb//(rbe+βRE)=16.32×7.4/(16.32+7.4)=5.09kΩ输出电阻ro=Rc=2kΩR'L=RcRL/(Rc+RL)=2×6/(2+6)=1.5kΩ负载电压放大倍数Au=-βR'L/(rbe+βRE)=-60×1.5/7.4=-90/7.4=-12.16倍空载电压放大倍数Au=-βRc/(rbe+βRE)=-60×2/7.4=-120/7.4=-16.22倍

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电路如图所示,晶体管T的电流放大系数β=50,Rb=300K欧,Re=3K欧,晶体管T处于什么状态?

电路如图所示,晶体管T的电流放大系数β=50,Rb=300K欧,Re=3K欧,晶体管T处于什么状态?
图就是一般的射极输出器静态分析图,需要有解释,十分感谢!
图就如下面这个地址中的图一样,附加条件是图中的VCC为12V http://image.baidu.com/i?ct=503316480&z=&tn=baiduimagedetail&word=%C9%E4%BC%AB%CA%E4%B3%F6%C6%F7&in=1464&cl=2&lm=-1&pn=7&rn=1&di=87944200560&ln=1981&fr=&fm=&fmq=1325061886390_R&ic=&s=&se=&sme=0&tab=&width=&height=&face=&is=&istype=#pn7&-1&di87944200560&objURLhttp%3A%2F%2Fdesign.eccn.com%2Fuploads%2Farticle%2F201003%2F20100311104835229.jpg&fromURLhttp%3A%2F%2Fdesign.eccn.com%2Fdesign_2010031110493441.htm&W268&H250&T9000&S4&TPjpg

ayang1301年前1

海草1 共回答了20个问题 | 采纳率100%

注意流过Rb电阻和流过的Re电阻的电流不同,两者相差（1+β）倍.
IbRb+Ib(1+β)Re=Ucc-Ube
Ie=(1+β)Ib
Uce=Ucc-IeRe
根据三条公式可分析出三极管的工作方式
截止状态：Ib=0,Ucc=（约等于）Uce
放射状态：Ic=βIb,Uce=Ucc-IcRc
饱和状态：Uce=（约等于）0,Ic(不等于)βIb=Ucc/Rc
先计算各个的值,再看是三种工作方式哪种!
（只提供给你方法哦!）

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已知晶体管的β=50分析图题所示各电路中晶体管的工作状态

已知晶体管的β=50分析图题所示各电路中晶体管的工作状态
（a）（b）（c）的工作状态是什么啊

myehy1年前1

nn铺的少东家 共回答了15个问题 | 采纳率80%

A)为饱和状态 B）截止状态 C）放大状态

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电路与电子问题放大电路如图习题5.3(a)所示.晶体管的特性曲线如图习题5.3(b)所示.试求:确定静态工作点?

套游泳圈的小金鱼1年前3

lucky_hai 共回答了21个问题 | 采纳率81%

根据特性曲线
B=Ic/Ib=1.2mA/20uA=60
直流状况
Ib=Ucc/Rb=12/470k=25.5uA
Ic=BIc=60*25.5uA=1.5mA
Vce=Vcc-IcRc=12-1.5*5=4.5V

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为什么在放大电路中晶体管的集电极电流与发射极电流近似相等?

至真男人1年前1

和我一起晒月亮 共回答了12个问题 | 采纳率100%

Ic≈βIb
Ie≈（1+β）Ib
β>>1
所以集电极电流与发射极电流近似相等

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晶体管非门电路如图所示,已知UCC=15V,UB=-9V,RC=3kΩ,RB=20kΩ,β=40,当输入电压U1=5V时

晶体管非门电路如图所示,已知UCC=15V,UB=-9V,RC=3kΩ,RB=20kΩ,β=40,当输入电压U1=5V时,要使晶体管饱和导通,Rx值不得大于( )kΩ.(设UBE =0.7V,集电极和发射极之间的饱和电压UCES=0.3V)

bbqvsww1年前1

landy252 共回答了21个问题 | 采纳率81%

Ib=(15-0.3)/3/40=0.1225mA;Iub=(0.7+9)/20=0.485,Ib+Iub=0.6075.也就是流过Rx的电流大于这个就行.
Rx=(U1-0.7)/(Ib+Iub)=7.0781893004115226337448559670782,取约值7.1K.

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高频电子线路的.由高频功率晶体管2SC3102组成的谐振功率放大器,其工作频率ƒ = 520 MHz输出功率P

高频电子线路的.
由高频功率晶体管2SC3102组成的谐振功率放大器,其工作频率ƒ = 520 MHz输出功率Po¬¬ = 60 W,VCC = 12.5 V.（1）当ηC = 60%时,试计算管耗PC和平均分量IC0值；（2）若保持Po不变,将ηC提高到80%,试问PC减少多少?

6447847271年前1

仲夏清秋 共回答了17个问题 | 采纳率82.4%

（1）ηC = 60%时,PD = Po / ηC = 100 W
x05x05 PC = PD - Po = 40 W,IC0 = PD / VCC = 8A
（2）ηC = 80%时,PD1 = Po / ηC = 75 W
x05x05 PC1 = PD1 - Po = 75 W – 60 W = 15 W
x05x05 ΔPC = PC - PC1 = 40 W – 15 W = 25 W
x05 可见,Po一定时,ηC提高,PD和PC将相应减小.

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理科题：丁类功率放大电路的特点是：晶体管工作在（）状态,管耗（）,效率（）

阿紫紫1年前1

rainbow1987 共回答了16个问题 | 采纳率93.8%

晶体管工作在（开关）状态,管耗（低）,效率（高）

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12、测得某晶体管在放大区时的各极直流电位如图3-2所示,（1）判定三极管的类型（NPN或者PNP）；（2）判定三个电极

12、测得某晶体管在放大区时的各极直流电位如图3-2所示,（1）判定三极管的类型（NPN或者PNP）；（2）判定三个电极；（3）判定是硅管还是锗管.

天使么么茶1年前1

迷路的景色 共回答了15个问题 | 采纳率86.7%

（1）三极管的类型 是 NPN 管；（2）三个电极是 1）---基极 b、2）---集电极 c、3）---发射极 e；
（3）该晶体管是硅管.

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2.逆变器中的电力晶体管工作在（）状态. A、饱和 B、截止 C、放大 D、开关

punkxx1年前1

Killjapan2015 共回答了16个问题 | 采纳率81.3%

你提的问题答案在A,B,D中,逆变器得对管工作在一个是饱和导通,一个是关闭截止,对管工作在开关状态,三极管就是不工作在放大区.

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晶体管单管放大电路,电阻的串并联关系

ch5191年前1

Evonna_wang 共回答了16个问题 | 采纳率93.8%

同一点接入为并联,不同节点接入为串联

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测量晶体管的静态工作点时为什么要测各级对地的电压,而不直接测Uce,Ube?

快乐矿泉水1年前1

篝火巫 共回答了17个问题 | 采纳率88.2%

管子接到电路中并不是一定是工作于放大状态下的,由各极的电位可以很方便的判断管子处于何种工作状态,管子工作于何种工作状态决定了UCE、UBE的大小.所以,一般测出各级电位先判断管子工作在何状态下的.

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测得基本放大电路中的3DG6晶体管的Ubq=2V Ucq＝9V Ueq=1.7V,则该晶体管处于正常的方法状态.这种判断

测得基本放大电路中的3DG6晶体管的Ubq=2V Ucq＝9V Ueq=1.7V,则该晶体管处于正常的方法状态.这种判断是对的吗?

lavanyy1年前1

vv之梦 共回答了17个问题 | 采纳率70.6%

从3DG6来看 是一个硅高频小功率管,为NPN型三极管,硅管正常工作时的Ube=0.7---0.75V
,而你给出的条件为2-1.7=0.3V,我估计应当是工作在截止区吧

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铃木雅臣《晶体管电路设计》上册48页,晶体管的集_发射级之间的饱和电压Vce为什么电源电压要提高Vce?

铃木雅臣《晶体管电路设计》上册48页,晶体管的集_发射级之间的饱和电压Vce为什么电源电压要提高Vce?
Ie怎么就要选比最大输出电流2.5mA还大的10mA.

注销你1年前1

langshui521 共回答了19个问题 | 采纳率94.7%

大电流的三极管工作状态下频率特性要好一点,提高电源是为了让输出有更大的摆幅,CVE不管在什么工作状态下,都会有一定的压降,三极管也会有一个电大的输出电压,这个电压是不可能达到电源的电压的,为了让三极管输出又有比较好频率特性,摆幅要达到要求,而且还不失真,电源的电压就选大一点

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4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态

4.已知一晶体管在UCE=10V时,测得当IB从0.04mA变为0.08mA时,IC从2mA变到4mA,这个晶体管的动态电流放

xuyunfang1年前1

christine-xiu 共回答了23个问题 | 采纳率91.3%

（4-2）/(0.08-0.04)=2/0.04=50 电流放大倍数为50

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如图晶体管β=50,|Ube|=0.2V,饱和管压降|Uces|=0.1V稳压管的稳定电压Uz=5V,正向导通电压Ud=

如图晶体管β=50,|Ube|=0.2V,饱和管压降|Uces|=0.1V稳压管的稳定电压Uz=5V,正向导通电压Ud=0.5V
问：当U1=-5V时,U0=?

世界为我而存在1年前1

飞快加速 共回答了21个问题 | 采纳率95.2%

经计算,该电路在u1=-2.58V时处于临界饱和状态,现U1=-5V＜-2.58V,所以处于饱和状态,于是：U.=-0.1V(即饱和压降).稳压管的作用是限制U.≮-5V,现U.=-O.1V＞-0.5V且U.＜5V,所以它处于非工作状态,即不产生影响.(你的问题中字母U未分大小写,严格的说,变量用小写,常量用大写).

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电路如题40图所示,已知晶体管参数为β=100,rbe=2.5KΩ.

电路如题40图所示,已知晶体管参数为β=100,rbe=2.5KΩ.
要求：
(1)判别晶体管的组态；
(2)计算电压增益；
(3)计算输入电阻Ri.

第三问的答案如下,是不是错了?

cys1971年前1

粉猫猫P 共回答了17个问题 | 采纳率88.2%

（1）这是共集电极放大器,又叫射极输出器.
（2）电压增益=(1+β)(5//5)/[rbe+(1+β)(5//5)]=101*(5//5)/[2.5+101*(5//5)=252.5/255=0.99
（3）Ri=rbe+(1+β)(5//5)＝255KΩ,这是从基极看进去的输入电阻,如果要计算放大器的输入电阻,就必须考虑基极偏置电阻,应该为150K//255K=94.4KΩ.

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在图所示的电路中,若选用3DG6D型号的晶体管,问：（1）电源电压Ucc最大不得超过多少伏?（2）根据Ic=

sxmsy1年前1

lunaryare 共回答了21个问题 | 采纳率81%

3DG6D 的最大工作电压大约30V,Icm=20mA,β值在25~270 ,临界饱和导通压降Uces≤0.35V
则
1）Vcc≤30V；
2）Icm=20mA,则管子处于临界饱和导通时Icm=(Vcc-Uces)/Rc,所以Rc==(Vcc-Uces)/Icm≈30/20=15kΩ.

1年前查看全部

已知纳米材料是指微粒直径在1~100nm的材料。美国IBM公司科学家制造出了第一批纳米碳管晶体管，发明了利用电子的波性为

已知纳米材料是指微粒直径在1~100nm的材料。美国IBM公司科学家制造出了第一批纳米碳管晶体管，发明了利用电子的波性为传递信息的“导线”。下列有关纳米碳管的说法正确的是

[ ]

A.纳米碳管是一种新型的高分子化合物 B.纳米碳管的化学性质稳定 C.纳米碳管导电属于化学变化 D.纳米碳管、金刚石、石墨、C 60 的结构相同

5025boy1年前1

jimofeng_79 共回答了19个问题 | 采纳率84.2%

B

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如图晶体管放大电路中,EC=12V,RC=2.4kΩ,RB=240kΩ,β=50.

如图晶体管放大电路中,EC=12V,RC=2.4kΩ,RB=240kΩ,β=50.
（1）画出直流通路,并求静态工作点IB、IC、U(CE).
（2）画放大电路的微变等效电路,并求电压放大倍数Au,输入电阻ri,输出电阻r0.

zhangxh681年前1

yuanyuan02 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%

(1)电容通交隔值,所以直流通路如图

IB=（EC-Vbe）/RB（题中没说明Vbe应为0.7）
IE=IC=β*IB
IC=(EC-UCE)/RC 根据这个方程可求出UCE

（2）

ri=RB ro=RC
AU=-βib*RC/ib*rbe=-βRC/rbe

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晶体管放大器等效电路如图所示,试以支路电流作为变量,列写求解电路所必需的方程组.

圣婴20081年前1

Ivydancing 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%

电路看不清楚,不过这确实小菜.
第一个电压源串联电阻可以等价成一个 电流源并联一个电阻 电流源大小为 i=u/R （第一个R） 所有的R 不变,电流源也不变,再就直接列回路 列三个电流节点方程即可,联立即可解决

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功率放大电路的转换效率是指A输出功率与晶体管消耗的功率之比B最大输出功率与电源提供的平均功率之比C晶体管消耗的平均功率与

功率放大电路的转换效率是指
A输出功率与晶体管消耗的功率之比
B最大输出功率与电源提供的平均功率之比
C晶体管消耗的平均功率与电源提供的平均功率之比

davidking511年前2

carcar娜娜 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

这个问题查一下书就明白了.
所谓的转换效率是指功率放大电路的最大输出功率与电源提供的功率之比,而电源功率是指直流功率,即电源输出的平均电流与电压的积.所以选B.
童诗白,《模拟电子技术基础》第四版,P481页.

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已知稳压管的稳定电压UZ＝6V,晶体管的UBE＝0.7V,R1＝R2＝R3＝300Ω,试计算电路输出电压的

已知稳压管的稳定电压UZ＝6V,晶体管的UBE＝0.7V,R1＝R2＝R3＝300Ω,试计算电路输出电压的
电路如图所示，已知稳压管的稳定电压UZ＝6V，晶体管的UBE＝0.7V，R1＝R2＝R3＝300Ω，试计算电路输出电压的调节范围。

佳佳乖1年前1

1风化硝 共回答了11个问题 | 采纳率90.9%

应该有图

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【晶体管放大器】关于负反馈的问题

【晶体管放大器】关于负反馈的问题
如果在实际电路中,负反馈如何确定晶体管外围的反馈电阻（R1~R4）?

littlegkbb1年前1

珠江123 共回答了26个问题 | 采纳率88.5%

关于阻抗你可以画出等效电路来计算,并且计算出放大倍数和负反馈；
确定了以后,再计算三极管的偏置电阻,这样就能确定R1~R4的大小了.

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两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为

两个β相同的晶体管组成复合管后,其电流放大系数约为
A.β
B.β平方
C.2β
D.1-β

网乞1年前1

zhyong2007 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%

B

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电路如图所示,晶体管的β＝100, rbe=2.73kΩ.求电路的Q点、 、Ri和Ro

ll成朋兮1年前1

sandy38 共回答了14个问题 | 采纳率92.9%

Vb=(5/(25+5))*12=2V
Ve=Vb-0.7=1.3V
Ic=Ie=1.3/(1+0.3)=1mA
Ib=Ic/β=0.01mA
Vce=12-(5+1.3)*1=5.7V
Ri=25//5//2.73=1.65kΩ
Ro=Rc=5kΩ

1年前查看全部

晶体管工作在放大区时的偏置状态为（ ）.

晶体管工作在放大区时的偏置状态为（ ）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
二极管的伏安特性反映了（ ）.
A.ID与VD之间的关系 B.单向导电性
C.非线性 D.以上各项都成立
电子电路里常用的双极型三极管是（ ）.
A.电压控制器件 B.电流控制器件
C.其它物理量控制器件 D.以上各项都不是
晶体管工作在截止区时的偏置状态为（ ）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
晶体管中电流分配关系为（ ）.
A.IB=IC+IE B.IC=IB+IE
C.IE=IC+IB D.IE≥IC+IB
在杂质半导体中,少数载流子的浓度变化主要取决于（ ）.
A.搀杂工艺 B.杂质浓度
C.温度 D.晶体缺陷
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于（ ）.
A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为2V、2.7V、6V,则这只三极管为（ ）.
A.NPN型硅管 B.NPN型锗管
C.PNP型硅管 D.PNP型锗管
P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了（ ）.
A.空穴 B.三价元素
C.五价元素 D.正离子
本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是（ ）.
A.自由电子数目增加,空穴数目不变
B.空穴数目增加,自由电子数目不变
C.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
D.自由电子和空穴数目不变
NPN型和PNP型三极管的区别是（ ）.
A.由两种不同的材料硅或锗构成
B.掺入的杂质不同
C.P区和N区的位置不同
D.所加的正负电源不同
二极管在反向截止区的反向电流（ ）.
A.随反向电压升高而升高
B.随反向电压升高而急剧升高
C.基本保持不变
D.随反向电压升高而减小
PN结的宽度稳定后（ ）.
A.载流子便停止运动
B.只有少数载流子的漂移运动
C.只有多数载流子的扩散运动
D.漂移与扩散运动达到动态平衡
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（ ）.
A.正向电压大于PN结的死区电压
B.正向电压等于零
C.必须加反向电压
D.以上各项都不是

jfwulovefamily1年前1

william1066 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%

晶体管工作在放大区时的偏置状态为（C）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
二极管的伏安特性反映了（D）.
A.ID与VD之间的关系 B.单向导电性
C.非线性 D.以上各项都成立
电子电路里常用的双极型三极管是（A）.
A.电压控制器件 B.电流控制器件
C.其它物理量控制器件 D.以上各项都不是
晶体管工作在截止区时的偏置状态为（C）.
A.b与e极,b与 c极间均正向偏置
B.b与e极,b与 c极间均反偏
C.b与e极间正偏,b与c极间反偏
D.b与e极间反偏,b与c极间正偏
晶体管中电流分配关系为（C）.
A.IB=IC+IE B.IC=IB+IE
C.IE=IC+IB D.IE≥IC+IB
在杂质半导体中,少数载流子的浓度变化主要取决于（C）.
A.搀杂工艺 B.杂质浓度
C.温度 D.晶体缺陷
晶体三极管用于放大时,应使其发射结、集电结处于（A）.
A.发射结正偏、集电结反偏 B.发射结正偏、集电结正偏
C.发射结反偏、集电结正偏 D.发射结反偏、集电结反偏
在某放大电路中,测得三极管三个电极的静态电位分别为2V、2.7V、6V,则这只三极管为（A）.
A.NPN型硅管 B.NPN型锗管
C.PNP型硅管 D.PNP型锗管
P型半导体的形成是在纯硅或纯锗中加入了（B）.
A.空穴 B.三价元素
C.五价元素 D.正离子
本征半导体温度升高后,自由电子和空穴的变化情况是（C）.
A.自由电子数目增加,空穴数目不变
B.空穴数目增加,自由电子数目不变
C.自由电子和空穴数目都增多,且增量相同
D.自由电子和空穴数目不变
NPN型和PNP型三极管的区别是（C）.
A.由两种不同的材料硅或锗构成
B.掺入的杂质不同
C.P区和N区的位置不同
D.所加的正负电源不同
二极管在反向截止区的反向电流（C）.
A.随反向电压升高而升高
B.随反向电压升高而急剧升高
C.基本保持不变
D.随反向电压升高而减小
PN结的宽度稳定后（D）.
A.载流子便停止运动
B.只有少数载流子的漂移运动
C.只有多数载流子的扩散运动
D.漂移与扩散运动达到动态平衡
二极管导通的条件是加在二极管两端的电压（A）.
A.正向电压大于PN结的死区电压
B.正向电压等于零
C.必须加反向电压
D.以上各项都不是

1年前查看全部

使用分立元件(晶体管,稳压二极管,电阻,电容等)组成稳压电路的电路图

使用分立元件(晶体管,稳压二极管,电阻,电容等)组成稳压电路的电路图
要和一个48v的变压器组成一个稳压电源,请问使用哪种晶体管、 稳压二极管、电阻、电容等 组成稳压电路 给个组成电路的电路图

鲨老1年前1

gsq6464 共回答了19个问题 | 采纳率78.9%

首先你要知道,电动车是48V的蓄电池,但是充电器电压就是59V了,要不然是充不满的.再者你的48V变压器是线性的?还是高频的?
如果是线性的就好办,后面就像你说的加稳压电路就可以了,如果是高频的变压器是不可以直接用的,要有PWM部分电路和闭环稳压控制的；你先确定变压器是那种,如果是就是线性变压器,我再把电路参数给你.（另外需要注意安全）

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混频器晶体管级数展开的问题不理解 2f1-f2为啥是四次方项产生的 pqr是什么,我怎么认为是3次方项产生 （不是傅里叶

混频器晶体管级数展开的问题

不理解 2f1-f2为啥是四次方项产生的 pqr是什么,我怎么认为是3次方项产生 （不是傅里叶分解吗）的啊

狗石1年前1

七二九 共回答了25个问题 | 采纳率96%

首先,混频器的分析不是用傅立叶级数分析的,而是用幂级数分析的.
在你列的公式中(p+q+r)中,p和q是两个干扰信号N1和N2,而r指的是本振信号L.所以4次方项由两个输入和本振共同组成.
所以四次方项为 L-(2f1-f2), 说的更直观点, r=1,p=2,q=1, 所以p+q+r=4

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晶体管放大电路的图解法固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交

晶体管放大电路的图解法
固定偏置直流分析的图解法中,可以通过IB=(Vcc-VBE)/RB来确定哪一根特性曲线和负载线相交,就算在饱和区也可以通过读图来求出IC和VCE.
但加上射极电阻（射极偏置）后,在射--基回路KVL等式中却假设IE=(Beta+1)*IB,解得IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE).但这样不是就和图解法相违背了吗?假设IE=(Beta+1)*IB就是假定晶体管工作在放大区,若求出的IB对应的那根特性曲线和负载线相交在饱和区该怎么办?该问题也同样存在于分压偏置中.
可以追加分数

maomaops21年前1

zhzzxc 共回答了21个问题 | 采纳率100%

楼主,我来说一下吧：
根据你的IB=(Vcc-VBE)/(RB+(Beta+1)*RE)的式子,我大概能想出电路图的样子,一点也不矛盾,当有RE和没有RE时IB是不一样的,
有RE时,我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*RB
无RE时,我把式子整理一下：VBE=VCC-IB*{β*RE+RE+RB}
当对于三极管的输入特性曲线是没有变化的,由于有没有RE的关系使得上两式与输入特性曲线交点不一样,当然也确定的特性曲线和负载线相交的点也不一样.及时在饱和区也应该能画的出来.
楼主,有什么问题再联系吧,我再看了一遍,感觉楼主有点表达不明,可能问题我哪里没理解,若是这样,再联系吧...
楼主若懂了,记得采纳,不是赞成,还有记得楼主自己说的追加分数啊

1年前查看全部

放大电路如图所示,试1,说明二极管VD1,VD2的作用.2,说明晶体管VT1,VT2工作在什么状态?当Uim＝4V时,求

放大电路如图所示,试1,说明二极管VD1,VD2的作用.2,说明晶体管VT1,VT2工作在什么状态?当Uim＝4V时,求出输出功率Po的大小.

求Po的大小我会做,就是前两个问不会

明月小楼061年前1

杜若未央 共回答了21个问题 | 采纳率95.2%

1. 二极管VD1、VD2作开关使用,控制VT1,VT2的导通状态：
当Uim为正（+）,VD1截止（相当于开关断开）,VD2导通（相当于开关闭合）,此时VT1导通并放大信号,VT2截止；
当Uim为负（-）,VD1导通（相当于开关闭合）,VD2截止（相当于开关断开）,此时VT1截止,VT2导通并放大信号；
2. 综上所述, VT1与VT2工作在互补推挽放大状态.
3. 第三问你自己会做,我就不再重复了.

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请问电阻怎么提供偏置电压?电阻分压时怎么为晶体管基极提供偏置电压呢?比如这个R2分压,基极是怎么获得工作电压的呢?

魏立群1年前0

共回答了个问题 | 采纳率

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已知10支晶体管中有3个次品,现从中不放回的连续依次取出两支,则两次取出的晶体管都是次品的概率是 .

已知10支晶体管中有3个次品,现从中不放回的连续依次取出两支,则两次取出的晶体管都是次品的概率是 .
某超市平均每小时72人光顾,那么在3分钟之内到大4名顾客的概率是 .标准正态分布的期望为 ,方差为 .已知随机变量X~N(0,9),那么该随机变量X的期望为 ,方差为 .

52111011年前1

南京条约 共回答了12个问题 | 采纳率83.3%

取出第一个次品概率是3/10,取出第二个次品的概率是2/9,所以都是次品的概率是3/10×2/9=1/15

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已知纳米材料是指微粒直径在1～100nm的材料．美国IBM公司科学家制造出了第一批纳米碳管晶体管,发明了利用电子的波性为

已知纳米材料是指微粒直径在1～100nm的材料．美国IBM公司科学家制造出了第一批纳米碳管晶体管,发明了利用电子的波性为传递信息的“导线”．下列有关纳米碳管的说法正确的是（　　）
A．纳米碳管是一种新型的高分子化合物
B．纳米碳管的化学性质活泼
C．纳米碳管在氧气中充分燃烧生成物是一氧化碳
D．纳米碳管、金刚石、石墨、C60的构成微粒相同

leeqy20041年前1

甜清清 共回答了22个问题 | 采纳率81.8%

个人感觉是D.

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电路如题2-6图所示,已知晶体管的饱和压降Uces=0.3V,Rc=Rl=2kohm,静态工作点Icq=2mA,Uceq

电路如题2-6图所示,已知晶体管的饱和压降Uces=0.3V,Rc=Rl=2kohm,静态工作点Icq=2mA,Uceq=6V.该电路最
大不失真输出正弦电压的幅值为（）
A 6V B 5.7V, C 6.6V D 2V

伴清风1年前1

站在城市最** 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%

6-0.3=5.7 选B

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测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示,在圆圈中画出晶体管,并分别说明它们是硅管还是锗管.（发射极E,基极B,集电极

测得放大电路中六只晶体管的直流电位如图所示,在圆圈中画出晶体管,并分别说明它们是硅管还是锗管.（发射极E,基极B,集电极C） .请问怎么区分这三极啊?怎么就看出来哪个是b哪个是c哪头是e了?请讲解,具体点.

胃病光荣1年前0

共回答了个问题 | 采纳率

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已知纳米材料是指微粒直径在1～100nm的材料．美国IBM公司科学家制造出了第一批纳米碳管晶体管，发明了利用电子的波性为

已知纳米材料是指微粒直径在1～100nm的材料．美国IBM公司科学家制造出了第一批纳米碳管晶体管，发明了利用电子的波性为传递信息的“导线”．下列有关纳米碳管的说法正确的是（　　）
A．纳米碳管是一种新型的高分子化合物
B．纳米碳管的化学性质稳定
C．纳米碳管导电属于化学变化
D．纳米碳管、金刚石、石墨、C₆₀的结构相同

邀月醉饮1年前1

adas16 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%

解题思路：A、根据题干所给信息“碳纳米管是由石墨中的碳原子层卷曲而成的管状的材料”进行分析．
B、根据碳的结构和化学性质进行分析．
C、根据导电的原理进行分析．
D、根据题干所给信息及金刚石的结构进行分析

A、根据题中信息知碳纳米管是由碳原子组成的，所以不属于化合物，A错误．
B、碳原子最外层为4个电子，化学性质非常稳定，所以碳元素的单质化学性质都很稳定，B正确．
C、导电是电子定向移动的结果，属于物理变化，C错误．
D、根据题干知碳纳米管是管状结构，金刚石是立体网状结构，石墨是空间网状片层结构，C₆₀分子是一种由60个碳原子构成的分子，它形似足球，因此又名足球烯，四者结构不同，所以D错误．
故选B．

点评：
本题考点： 碳元素组成的单质．

考点点评： 本题主要考查学生获取信息，筛选信息结合已有知识分析、解决问题的能力．

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晶体管放大电路的交流等价回路,为什么可以短路掉直流电源和电容?请说的具体一点.```

晶体管放大电路的交流等价回路,为什么可以短路掉直流电源和电容?请说的具体一点.```
当交流电压加到直流电源上的时候,怎么不会损坏电源?

青出于蓝771年前1

调皮的吻 共回答了13个问题 | 采纳率84.6%

直流电源的目的是起集体管的偏置作用目的是提供能量,可以这样理解,电源信号是不用发大的,所以可以短路掉直流电源
而电容的特性是隔直通交,在交流面前,就相当于短路
类似的电感是隔交通通直,在交流等效电路里要用开路

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有一个晶体管接在放大电路中,测出三个管脚的电位分别为6v,1.2v,0.5v,试确定个电位对应的电极

有一个晶体管接在放大电路中,测出三个管脚的电位分别为6v,1.2v,0.5v,试确定个电位对应的电极
并判断管子类型

zjtzjym1年前1

lovehonghe 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%

6V－集电极
1.2V－基极
0.5V－发射极.
判断方法：Ube=Ub-Ue≈0.7V.

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放大电路中某晶体管3个管脚电位分别为3.5V、2.8V、5V.

放大电路中某晶体管3个管脚电位分别为3.5V、2.8V、5V.
试判别此管的三个电极,并说明它是NPN管还是PNP管,是硅管还是锗管?

wzq5861年前1

怒吼的哑巴 共回答了22个问题 | 采纳率90.9%

NPN:集电极电位最高,发射极最低,基极电位大于0；
PNP:集电极电位最低,发射极最高,基极电位小于0；
硅管：基极电位与发射极电位相差0.6V左右；
锗管：基极电位与发射极电位相差0.3V左右；
所以,你所说的,是NPN型的硅管；

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跪求大神帮我做模拟电子技术3.4题,如图,判断晶体管的处于什么状态~

xph0071年前1

风清扬1979 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%

a导通,有触发电压,两端有正电压差.
b截止,没有触发电压
c导通,同a
d截止,两端加反向电压
e截止,触发电压为负
f导通,
g导通
h导通

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