N型半导体的多数载流子和少数载流子是什么?

hainanjinyan2022-10-04 11:39:541条回答

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kidd_3 共回答了22个问题 | 采纳率100%
N型半导体中多数载流子是自由电子,少数载流子是空穴.
1年前

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关于杂质半导体的问题为什么自由电子的浓度大大高于空穴的浓度而N型半导体依然呈电中性.
如此潇洒1年前1
qntgzupy 共回答了22个问题 | 采纳率100%
对于n型半导体,其中的电子是多数载流子,但是这些电子主要是来自于施主杂质原子的电离.
当一个施主原子电离出一个电子后,本身就带有一个正电荷,则它们的正负电荷相等,保持为电中性;许多施主原子电离出同样多的电子后,整个半导体仍然保持为电中性.所以,不管电子浓度比空穴浓度大多少,半导体始终是电中性的.
一些电子技术的尸体,1、由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有______性.2、N型半导体其多数载流子是
一些电子技术的尸体,
1、由两种不同类型的半导体所形成的PN结具有______性.
2、N型半导体其多数载流子是 ;P型半导体其多数载流子是
3、反馈电路按照输入端连接方式可以分为__________反馈和_________反馈.按照输出端反馈信号可以分为_______反馈和__________反馈.
4、射级输出器的主要特点:电压放大倍数_____________________;输入电阻
______输出电阻________(填“高”或“低”);输出电压与输入电压___________.
5、在数字电路中,基本的工作信号是数字信号,而且只有 和 两个基本数字,反映在电路上就是 和 两种状态.
6、理想运算放大器工作在线性区时,具有 和 的特点.
7、触发器中的端称为_________端,端称为__________端.
8、逻辑代数中,最基本的逻辑关系有三种,即 _、 和 .

小楼风云1年前1
caramhola 共回答了19个问题 | 采纳率89.5%
1:单向导电
2::电子;空穴.
3:串联;并联.电压;电流.
4:低;高;低;相等.
5:0和1;通和断.
8:与;或;非.
晶体管的PN结是如何形成的初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子电子从N向P运动,
晶体管的PN结是如何形成的
初学模拟电路,P型半导体中的空穴是多数载流子,N型半导体中的电子是多数载流子
电子从N向P运动,空穴相反,N失去电子带正电,P失去空穴带负电,我对为什么在“PN相接的地方形成PN结“,而不是在两端形成正负极?
又似蓬1年前1
mali666 共回答了19个问题 | 采纳率100%
半导体制造工艺说用两个不同材料的薄皮贴在一起(三价和五价),会在界面产生电子的扩散运动,随着扩散的进行电子移动,空穴不能移动,空穴失去电子产生拉回电子的力(电场力),逐渐的扩散力与拉回力平衡之后达到稳定状况,这个时候的界面就是PN结.
在PN相接的地方有一个扩散电场层,这个层叫PN结.PN结通过引线连接出来叫做正负极.
请问一下各位大神什么才算N型半导体,与P型半导体的区别?
huige5541年前1
骄傲的冬瓜 共回答了24个问题 | 采纳率91.7%
多数载子为自由电子的半导体叫N型半导体.
反之,多数载子为空穴的半导体叫P型半导体.
P型半导体与N型半导体接合后便会形成P-N结,三极管就是P-N结的典型例子.根据不同的P-N结组合方式,有NPN,PNP型两种三极管.
1,分别画出本征半导体和n型半导体的能带图,并简要解释其导电机理.
1,分别画出本征半导体和n型半导体的能带图,并简要解释其导电机理.
2.简述ccd单元结构,以三相ccd为例,说明电荷包转移过程中势阱深度的调节和势阱深度的耦合是如何实现的.
hbsfefw1年前1
maggie994 共回答了13个问题 | 采纳率92.3%
只能回答第1题,没做过ccd
本征半导体:你把费米能级画在带隙中央就行了,n型的话把费米能级画在带隙上方靠近导带的地方
对于本征半导体,只有热激发的那可怜的一点点电子空穴可以导电,所以电导率很低.n型的话由于杂质带来很多的电子,远远远远地大于本征热激发那部分,因此导电主要靠那些电子,电导率较高,掺得越多(一定限度下)电导率越高.
在N型半导体中如如果参入足够的三价元素,此时N型半导体会不会改型成P型半导体?
1357abc1年前3
420114481 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%
会,注入法做的PN结就是在已经掺杂P(N)型的衬底上注入N(P)材料,注入的区域就会改型.
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.)
在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体,N型半导体的多子是________.(A.) 五价 ( B).四价 (C.) 三价 (D)空穴 (E)自由电子
骡马王子1年前3
Ruby0114 共回答了20个问题 | 采纳率85%
在本征半导体硅(或锗)中掺入微量的5价元素,例如磷,则磷原子就取代了硅晶体中少量的硅原子,占据晶格上的某些位置.磷原子最外层有5个价电子,其中4个价电子分别与邻近4个硅原子形成共价键结构,多余的1个价电子在共价键之外,只受到磷原子对它微弱的束缚,因此在室温下,即可获得挣脱束缚所需要的能量而成为自由电子,游离于晶格之间.失去电子的磷原子则成为不能移动的正离子.磷原子由于可以释放1个电子而被称为施主原子,又称施主杂质.
在本征半导体中每掺入1个磷原子就可产生1个自由电子,而本征激发产生的空穴的数目不变.这样,在掺入磷的半导体中,自由电子的数目就远远超过了空穴数目,成为多数载流子(简称多子),空穴则为少数载流子(简称少子).
因此答案是E.
为什么n型半导体中重掺杂会使费米能级进入导带
Gerry999991年前1
kikolv 共回答了19个问题 | 采纳率84.2%
首先要知道什么是费米能级,它表示什么.楼主也要明确一个概念,你所说的费米能级是掺杂费米能级,而不是本征费米能级.
(本征)费米能级以下,被电子占据的几率为50%,当你掺杂时,载流子电子增多,费米能级向导带移动,(通俗得想,电子多了,原来本征费米能级以下的地方还能够用吗?自然需要更多的空间,此空间是能量空间,不是我们通常认识的几何空间),移动后的费米能级就是掺杂费米能级,而本征费米能给是不动的.
当掺杂越来越多,掺杂费米能级就越长越高,最后接近甚至进入导带,也就是常说的简并~
当掺杂P杂质时,掺杂费米能级将向价带移动.
在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于什么
在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于什么
在n型半导体中,载流子电子的浓度主要取决于____,载流子空穴的浓度主要取决于______
美丽的小石子1年前1
无事找骂 共回答了19个问题 | 采纳率84.2%
载流子电子的浓度主要取决于掺杂浓度;
载流子空穴的浓度主要取决于电压?(这个不太拿得准)
n型半导体中的空穴是怎么形成的还有为什么自由电子比空穴多
单峰驼0091年前1
616313 共回答了18个问题 | 采纳率94.4%
因为N型半导体,主要是在硅原子中掺杂了V族元素,V族元素外层的四个电子会和硅原子外层的四个电子形成共价键,这样多出的一个电子就会挣脱原子核的束缚变为自由电子.而共价键中的电子由于热运动也会脱离共价键的束缚从而成为自由电子,同时在共价键上形成一个空穴.所以N型半导体中自由电子比空穴多.
空穴是由于共价键中的电子由于热运动而脱离共价键的束缚从而成为自由电子,同时在共价键上形成一个空穴.
简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?
简述N型半导体与P型半导体的形成过程并指出多子与少子各是什么?
这是我电路要考的一题,请大家帮帮忙!
谢谢了!
概念是这一条吗? (在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。)
wwuujian1年前2
ryowusinn 共回答了22个问题 | 采纳率86.4%
在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.( 两种半导体接触在一起的点或面构成PN结,在接触点或面上N型半导体多余壳粒趋向P型半导体,并形成阻挡层或接触电位差.当P型接正极,N型接负极,N型半导体多余壳粒和PN结上壳粒易往正移动,且阻挡层变薄接触电位差变小,即电阻变小,可形成较大电流;反之当P型接负极,N型接正极,因为P半导体缺壳粒,热运动也难分离出壳粒往正极运动,且阻挡层变厚接触电位差变大,电阻变大,形成较小电流,即具有单向通过电流属性.)
多子与少子是相对概念.
如:在N型半导体中自由电子是多数载流子,简称为“多子”;空穴为小数载流子,称为“少子”.而在P型中则相反.
----考试的话,答概念就可以了,具体的作用过程你就不用记了.
我在Si中掺杂一些B做成P型半导体,然后再从Si中掺杂P元素造成N型半导体,利用半导体的seebeck效应发电
我在Si中掺杂一些B做成P型半导体,然后再从Si中掺杂P元素造成N型半导体,利用半导体的seebeck效应发电
他们的seebeck系数是多少?能给我讲讲公式是怎样的,重点讲讲公式的每一部分是什么意思.假设两面的温度分别是0‘C和100’C,再代入去公式算一次,尽量讲的浅一点.
胡馒头哥1年前1
韵律飞扬 共回答了25个问题 | 采纳率92%
看看对你有没有用.
(2007•苏州模拟)一块N型半导体薄片(称霍尔元件),其横载面为矩形,体积为b×c×d,如图所示.已知其单位体积内的电
(2007•苏州模拟)一块N型半导体薄片(称霍尔元件),其横载面为矩形,体积为b×c×d,如图所示.已知其单位体积内的电子数为n、电阻率为ρ、电子电荷量e.将此元件放在匀强磁场中,磁场方向沿Z轴方向,并通有沿x轴方向的电流I.
(1)此元件的CC′两个侧面中,哪个面电势高?
(2)试证明在磁感应强度一定时,此元件的CC′两个侧面的电势差与其中的电流成正比
(3)磁强计是利用霍尔效应来测量磁感应强度B 的仪器.其测量方法为:将导体放在匀强磁场之中,用毫安表测量通以电流I,用毫伏表测量C、C,间的电压U CC′,就可测得B.若已知其霍尔系数k=
1
ned
=10mV/mA•T
.并测得UCC′=0.6mV,I=3mA.试求该元件所在处的磁感应强度B的大小.
梦哲公主1年前1
CNXIQ 共回答了24个问题 | 采纳率87.5%
解题思路:(1)金属导体中移动的是自由电子,根据左手定则判定电子的偏转方向,从而得出元件的CC′两个侧面的电势的高低.
(2)最终电子在洛伦兹力和电场力的作用下处于平衡,根据平衡,结合电流的微观表达式,证明出两个侧面的电势差与其中的电流成正比.
(3)根据证明出的电势差和电流的关系求出磁感应强度的大小.

(1)电流沿x轴正方向,知电子流动的方向沿x轴负方向,根据左手定则,知电子向C侧面偏转,所以C侧面得到电子带负电,C′侧面失去电子带正电.故C'面电势较高.
(2)当电子受力平衡时有:e
U
b=evB.得U=vBb.电流的微观表达式I=nevS=nevbd.所以v=Inebd.U=[I/nebd×Bb=
B
nedI.知两个侧面的电势差与其中的电流成正比.
(3)UCC′=
B
ned] I,则B=
nedUCC′
I=
UCC′
KI=
0.6
10×3T=0.02T
故该元件所在处的磁感应强度B的大小为0.02T.

点评:
本题考点: 霍尔效应及其应用.

考点点评: 解决本题的关键掌握左手定则判定洛伦兹力的方向,以及知道最终电子受电场力和洛伦兹力处于平衡.

模拟电子题目请教一、 填空1、 半导体是一种导电能力介于_导体__与 绝缘体 之间的物体.2、 N型半导体是在本征半导体
模拟电子题目请教
一、 填空
1、 半导体是一种导电能力介于_导体__与 绝缘体 之间的物体.
2、 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 5 价元素组成的.这种半导体内的多数载流子为 ,少数载流子为 ,不能移动的杂质离子带 电.P型半导体是在本征半导体中掺入极微量的 价元素组成的.这种半导体内的多数载流子为电子,少数载流子为 ,不能移动的杂质离子带 电.
3、 PN结具有______________性能,即加________电压时,PN结导通;加________电压时,PN结截止.
4、 硅稳压二极管通常是工作在 状态下的特殊二极管,在实际工作中,为保护稳压管,需要在外电路 .
5、 三极管的内部结构是由 区、 区、 区及 发射 结和 结组成的.三极管对外引出电极分别是 极、 极和 极.
6、 检测二极管极性时,需用万用表欧姆挡的 档位,当检测时表针偏转度较大时,则红表棒接触的电极是二极管的 极;黑表棒接触的电极是二极管的 极.检测二极管好坏时,两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很大时,说明二极管已经被 ;两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时,说明该二极管已经 .
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10、 将放大器 的全部或部分通过某种方式回送到输入端,这部分信号叫做 信号.使放大器净输入信号减小,放大倍数也减小的反馈,称为 反馈;使放大器净输入信号增加,放大倍数也增加的反馈,称为 反馈.放大电路中常用的负反馈类型有 负反馈、 负反馈、 负反馈和 负反馈.
11、 多级放大器常用的耦合方式有________、________和________三种形式
12、 射极输出器具有 恒小于1、接近于1, 和 同相,并具有 高和 低的特点.
13、 共射放大电路的静态工作点设置较低,造成截止失真,其输出波形为 削顶.若采用分压式偏置电路,通过 调节 ,可达到改善输出波形的目的.
集成运算放大器具有 和 两个输入端,相应的输入方式有 输入、 输入
和 输入三种.
14、 射极输出器的特点是:电压放大倍数 ,电压跟随性好, 输入电阻 ,输出电阻 ,而且具有一定的 放大能力和功率放大能力.
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16、 反相比例运算放大器当Rf =R1时,称作 器,同相比例运算放大器当R f =0,或R1为无穷大时,称作 器.
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18、 某三级放大电路中,测得AU1=20,AU2=20,AU3=250,总的放大倍数是___________,
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20、 已知某放大器的放大倍数A=150,加入反馈系数F=0.1的负反馈,则它的闭环放大倍数Af =
jianshen6101年前1
sad_yyuo1 共回答了22个问题 | 采纳率86.4%
2.电子,空穴,正,3,空穴,电子,负
3.单向导通,正向(正偏),反向(反偏)
4.反向击穿,加限流电阻
5.基,集电,发射,PN,基,集电极,发射极
6.VEF,正极,负极,击穿
7.共射,共基,共集
8.发射结正偏,集电结反偏
9.截止,饱和,线性
10.输出信号,反馈信号,负反馈,正反馈,电压并联,电压串联,电流并联,电流串联
11.电压,电流,电感
12.增益,输入和输出,输入电阻较高,输出电阻较小
13.正相,反相,共模输入,差模输入,单端输入
14.接近于1,较高,较小,电流
15.20lg|Avd/Avc|,差
16.反相器,电压跟随
17.变压,整流,滤波,稳压
18.20X20X250=100000
19.深度负反馈,F=0.2
20.15
N型半导体中的自由电子多于空穴,而P型半导体中的空穴多于自由电子,是否N型半导体带负电,P型带正电?
yihinwind1年前1
sheqin5201314 共回答了21个问题 | 采纳率90.5%
对外不显电性,P型半导体 N型半导体 都不带电,都是电中性的,
为何半导体硅中掺五族的氮、磷称为N型半导体,而氧化锌中掺氮元素称为p型掺杂?
难过的一生1年前1
fulawyer 共回答了20个问题 | 采纳率95%
五族的氮、磷掺入硅中后,因为它们的价电子比硅的多一个,这个多出的电子即容易释放出来而成为导带的电子,所以它们是N型杂质.
但是,氮元素掺入到氧化锌中后,将取代六族的氧(不会取代二族的Zn),这就缺少了一个价电子,因而氮可以接受一个价电子,即可以给出一个空穴到价带,所以氮元素是p型杂质.
低频电子技术判断题求解1 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电()2 使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈(
低频电子技术判断题求解
1 因为N型半导体的多子是自由电子,所以它带负电()
2 使输入量减小的反馈是负反馈,否则为正反馈()
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4 由于放大的对象时变化量,所以当输入直流信号时,任何放大电路的输出都毫无变化()
5 可以说任何放大电路都有功率放大作用
6 放大电路的输出信号产生非线性失真是由于电路中晶体管的非线性引起的()
7 电路中只要引入负反馈就可以改善电路的性能()
8 现测得两个共射放大电路空载时的放大电路都是-100,将它们连成两极放大电路,其电压放大倍数为10000()
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10,图2中的电路能放大正弦交流信号()
溪中云1年前1
梦想成真99 共回答了19个问题 | 采纳率100%
十道题中3题5题是正确,其它全部是错的.
N型半导体和P型半导体的问题电流是指电荷的定向移动.在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺
N型半导体和P型半导体的问题
电流是指电荷的定向移动.
在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体.
1,说锗晶体本身是电中性的,那掺入三价元素杂质后的P型半导体还是电中性的吗?
2,入三价元素杂质的N形半导体如果还为电中性,为什么电子的数目较多?
3,入五价元素杂质的P型半导体如果还为电中性,为什么空穴的数目较多?空穴在电场力的作用下还可以移动?那空穴到底指的是什么?
4,果P型半导体和N形半导体都符合了电中性,那结合之后电子为什么在没有电场力的作用下还可以移动?
初学者等待中!请指教
beryl-yier1年前1
jackyleheng 共回答了29个问题 | 采纳率93.1%
1 硅或锗晶体本身只电中性的,掺入三价元素杂质后的P型半导体仍然是电中性的.原因是掺入的三价元素本身也是电中性的(最外层三个电子;相应的,原子核的电量为+3).所以掺杂后仍然是电中性
2 掺入入五价元素后形成N型半导体.所谓电子多是指“自由电子”多.例如掺入了一个磷原子,其原子核电量为+5,外层有5个价电子,电量为-5.本身是电中性的.但由于硅/锗晶体的结构所限,只能和周围的4个硅/锗原子形成共价键.这时,就多余出一个电子,这叫做自由电子,是可以用来导电的.
3 掺入三价元素后形成P型半导体,原理同上.空穴是相对于电子而言的.P型杂质如硼,有3个价电子,与四周4个硅/锗结合时少一个电子,这样留下的空位叫做空穴.有个电子过来填补了空缺,这个电子原来的位置就空出来了,形成了新的空穴,因此电子和空穴的移动方向是正好相反的.实际上说白了就是电子在移动.
4 虽然P型半导体和N型半导体都是中性的,但结合在一起时,在交界处一边空穴多,另一边电子多,所以空穴和电子会产生扩散运动,向浓度低多方向扩散,形成PN结
其实空穴只是电子移动后留下的空位而已.不论什么半导体,之所以呈电中性是因为电子带的总负电荷数与原子核带的总正电荷数始终是相等的
具体可以参考模拟电路的教科书,上面有图,看起来更易理解
1,N型半导体靠什么导电,P型半导体靠什么导电' 2,N型半导体结合形成什么?3二极管特性是什么,符号是,代号是?
lyx7611051年前0
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模拟电子技术判断题 二、判断题(每小题1分,1、N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电.( )2、用万用
模拟电子技术判断题
二、判断题(每小题1分,
1、N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电.( )
2、用万用表测得二极管的电阻很小,则红表笔相接的电极是二极管的负极,与黑表笔相接的电
极是二极管的正极.( )
3、发射结处于正偏的BJT,它一定工作在放大区.( )
4、放大器能将微弱的输入信号放大成能量较大的信号输出,因此说,BJT具有能量放大的作用.
( )
5、放大电路处于静态时,电路中的电流、电压均为直流;当它工作在动态时,电路中的电流、
电压则均为交流.( )
6、在固定偏置电路的基础上,在BJT基极增加一个下偏置电阻RB2,就构成了分压偏置电路.( )
7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,只要负载电阻选择得当,输出电压就可比输入
电压大得多.( )
8、乙类功放电路的交越失真是由BJT输入特性的非线性引起的.( )
9、与接入反馈前相比较,接入负反馈后,净输入量减小了.( )
10、在运放电路中,闭环增益Àf是指电压放大倍数.( )
wobuzhidaotashis1年前1
tuifeiyi 共回答了15个问题 | 采纳率93.3%
1、N型半导体中的多数载流子是电子,因此,N型半导体带负电.(x )
2、用万用表测得二极管的电阻很小,则红表笔相接的电极是二极管的负极,与黑表笔相接的电
极是二极管的正极.(y)
3、发射结处于正偏的BJT,它一定工作在放大区.( x )
4、放大器能将微弱的输入信号放大成能量较大的信号输出,因此说,BJT具有能量放大的作用.
(x)
5、放大电路处于静态时,电路中的电流、电压均为直流;当它工作在动态时,电路中的电流、
电压则均为交流.(x)
6、在固定偏置电路的基础上,在BJT基极增加一个下偏置电阻RB2,就构成了分压偏置电路.( x )
7、射极输出器的输入电流是IB,输出电流是IE,只要负载电阻选择得当,输出电压就可比输入
电压大得多.(x)
8、乙类功放电路的交越失真是由BJT输入特性的非线性引起的.(y)
9、与接入反馈前相比较,接入负反馈后,净输入量减小了.(y)
10、在运放电路中,闭环增益Àf是指电压放大倍数.(y)
什么是P型半导体和N型半导体?其多数载流子和少数载流子各是什么?能否说P型半导体带正电、N型半导体带负
oo小病猫1年前1
PUJING19870827 共回答了28个问题 | 采纳率92.9%
1:P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.
2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子
P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子
3:P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子.N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子.
N型半导体与电解质接触后(两者有个界面),因N型半导体费米能级高,故N型半导体的电子流向两者界面
N型半导体与电解质接触后(两者有个界面),因N型半导体费米能级高,故N型半导体的电子流向两者界面
问:此时,N型半导体能量如何(升或降)?其电位如何(升或降)?
xngzh1年前3
sdfgmnrth 共回答了13个问题 | 采纳率84.6%
你的问题类似于金属,半导体接触问题.
要看金属(不是你所说的电解质,可以说是电极)的功函数和半导体的功函数谁大谁小.要是金属的功函数大,半导体导带向下弯,也就是能级变小,电子流向界面.如果金属功函数小,半导体导带向上弯,形成肖特基接触.
室温下,对于掺入相同属羊杂质的P型半导体和N型半导体,其导电能力哪个更强?
室温下,对于掺入相同属羊杂质的P型半导体和N型半导体,其导电能力哪个更强?
答案给的是N型强.请问为什么?
室温下,对于掺入相同数量杂质的P型半导体和N型半导体,其导电能力哪个更强?
tongtyan1年前1
可达鱼 共回答了17个问题 | 采纳率94.1%
N的是电子为载流子,迁移率明显要比空穴的高!
P型半导体中空穴是怎么扩散的?我的意思是N型半导体的自由电子因为没有共价键的舒服所以能因浓度差在PN结中,但P型半导体中
P型半导体中空穴是怎么扩散的?
我的意思是N型半导体的自由电子因为没有共价键的舒服所以能因浓度差在PN结中,但P型半导体中空穴一直被共价键束缚在受主离子旁,受主离子也不能移动,它怎么能扩散?我看书上写的P型半导体先是有一个空穴,然后位于同一共价键旁的电子因热振动移动到空穴,在电子位置上产生新空穴,那么空穴不久一直在这2个位置上互换吗?
kjzhu55121年前1
bashenan_521 共回答了11个问题 | 采纳率90.9%
空穴其实是没有这东西的,半导体学为了更加直观的研究而设置的这么种概念,实际上空穴是电子的欠缺.扩散就是高浓度的向低浓度的移动.空穴的扩散实质是旁边的电子填补这个位置,原来电子的位置就空出来,形成新的空穴.随着电之的反向移动,空穴就一步步向推进.
给黑点代表电子,圆圈代表空穴 例子:
①❷❸❹❺❻❼❽
❶②❸❹❺❻❼❽
❶❷③❹❺❻❼❽
❶❷❸④❺❻❼❽
❶❷❸❹⑤❻❼❽
❶❷❸❹❺⑥❼❽
❶❷❸❹❺❻⑦❽
❶❷❸❹❺❻❼⑧
上面就是空穴1位置如何移动到空穴8位置的
电路选择题1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( ) A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素2
电路选择题
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( )
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
4、PN结加正向电压时,其正向电流是由( )的.
A.多数载流子扩散而成 B.多数载流子漂移而成
C.少数载流子扩散而成 D.少数载流子漂移而成
5、P型半导体是在本征半导体中加入( )物质后形成的
A电子 B.空穴 C.三价硼元素 D.五价磷元素
这是单选题,只有一个答案的
并非闲话1年前2
DSTARCOM 共回答了23个问题 | 采纳率87%
1、N型半导体是在本征半导体中加入以下物质后形成的( D )
A 电子 B 空穴 C 三价硼元素 D 五价磷元素
N:negative(负)的简称.N型半导体是加入了5价元素,使得半导体中的多子为电子,带负电,所以N型半导体由此而来
2、晶体三极管用于放大时,应使发射结、集电结处于( A )
A 发射结正偏、集电结反偏
B 发射结正偏、集电结正偏
C 发射结反偏、集电结正偏
D 发射结反偏、集电结反偏
3、某放大电路中,测得三极管的三个极静态电位分别为5V,1.3V, 1V, 则这只三极管是( B )
A.NPN型的硅管 B.NPN型的锗管 C.PNP型的硅管 D.PNP型的锗管
假定该管子为NPN型,由于是放大电路,那么就是Ue
玻璃属于什么半导体玻璃是P型还是N型半导体?如果都不是,能不能说明一下生活中哪些是P型和N型的半导体
小芳xxxxxx1年前1
联通和移9 共回答了18个问题 | 采纳率77.8%
玻璃是SIO2,是绝缘体,不是半导体!
掺P的Si/Ge掺就是N型半导体;
掺B的Si/Ge掺就是p型半导体;生活中的老实说,不知道
n型半导体与p型半导体费米能级的差别
蒙牛随变冰淇淋1年前1
真心感受 共回答了25个问题 | 采纳率96%
n型半导体费米能级靠近导带边,过高掺杂会进入导带.
p型半导体费米能级靠近价带边,过高掺杂会进入价带.
N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么?
N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么?
分别依靠哪种载流子导电?
初冬231年前1
不神话人 共回答了21个问题 | 采纳率85.7%
N型半导体的多子是电子,少子是空穴
P型半导体的多子是空穴,少子是电子
n型半导体中多数载流子(电子)数量大于少数载流子(空穴) 那是不是n型半导体总体带负电是不是啊!
niyaya1年前1
weiqing83 共回答了20个问题 | 采纳率95%
当然不是.
你想想好了,这些多数载流子是怎么来的?无非是从共价键里跑出来的.但没有跑到这块半导体的外面去.
对于一块物质而言,如果它里面没有发生特殊的反应,那么电子的总数与质子的总数一定相等.这样就形成了电中性.
在N型半导体中掺入足够量的三价元素,可将其改型为P型半导体吗
风风三1年前1
lover_tzy 共回答了16个问题 | 采纳率87.5%
可以.
有一种高阻半导体采用三、五族元素补偿掺杂得到,多掺一点儿三族即显示P型半导体性质.
不过补偿掺杂通常会产生大量缺陷,晶体质量不高.
N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,
N型半导体的多数载流子是电子,而P型半导体是空穴.所以说N型半导体带负电,P型带正电,
N型半导体的多数载流子是电子,P型半导体的多数载流子是空穴.所以说N型半导体带负电,P型半导体带正电,
aaawai201年前1
katrina3 共回答了12个问题 | 采纳率83.3%
不对,载流子指可移动的电荷,半导体内还有不可移动的电荷,比如带正电的原子核,这样就能与N型半导体的多数载流子是电子平衡,维持电中性条件了
还有空穴是一个概念性的东西,实际是不存在的.
为什么电子导电的为N型半导体,与英文单词怎么联系?
为什么电子导电的为N型半导体,与英文单词怎么联系?
P型的为空穴导电,与英文怎么联系?
也就是说有什么好的办法记住
哭来1年前2
清风laoren 共回答了16个问题 | 采纳率93.8%
由于空穴的形成和转移导电是正电,用positive表示,而自由电子的共用和转移导电是负电,用negative表示.这两个单词你应该知道吧.希望帮上你!
对半导体言,其正确的说法是?(1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.(2)N型半导体中由于多数载流子为自由
对半导体言,其正确的说法是?
(1)P型半导体中由于多数载流子为空穴,所以它带正电.
(2)N型半导体中由于多数载流子为自由电子,所以它带负电.
(3)P型半导体和N型半导体本身都不带电.
以上哪个答案正确?请专家解答.
侯三叔1年前1
vv巨星李公公 共回答了23个问题 | 采纳率95.7%
(3)对.
这个道理就如同一段普通金属导体,它是不带电的,但它主要是有自由电子来导电的.