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刘昌的发表作品

2023-06-25 10:46:59

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1. T. Wang, H. Wu, H. Zheng, J. B. Wang, Z. Wang, C. Chen, Y. Xu, and C. Liu*, Nonpolar light emitting diodes of m-plane ZnO on c-plane GaN with the Al2O3 interlayer, Appl. Phys. Lett. 102, 141912 (2013).
2. Ying Lin, Xing Qiang Liu, Ti Wang, Chao Chen, Hao Wu, Lei Liao and Chang Liu*, Shape-dependent localized surface plasmon enhanced UV-emission from ZnO grown by atomic layer deposition, Nanotechnol. 24, 125705 (Mar. 7, 2013) (5pp)
3. T. Wang, Hao Wu, Z. Wang, C. Chen, and C. Liu*, Blue light emission from the heterostructured ZnO/InGaN/GaN, Nanoscale Research Lett. 8, 99 (2013).
4. Zhi Wei Ai, Yun Wu, Hao Wu, Ti Wang, Chao Chen, Yang Xu and Chang Liu*, Enhanced band-edge photoluminescence from ZnO-passivated ZnO nanoflowers by atomic layer deposition, Nanoscale Research Lett. 8, 105 (2013).
5. T. Wang, H. Wu, Z. Wang, C. Chen, and C. Liu*, Improvement of optical performance of ZnO/GaN p-n junctions with an InGaN interlayer, Appl. Phys. Lett. 101, 161905 (2012).
6. T. Wang, Hao Wu, Z. Wang, C. Chen, and C. Liu*, Ultralow Emission Threshold Light-Emitting Diode of Nanocrystalline ZnO/p-GaN Heterojunction，IEEE Elect. Device Lett., 33, 1030 (2012).
7. Z. An, F. Q. Liu, Y. Lin, and C. Liu*, The universal definition of spin current, Sci. Rep. 2, 388 (2012).
8. T. Wang, H. Wu, C. Chen, and C. Liu*，Growth, optical, and electrical properties of nonpolar m-plane ZnO on p-Si substrates with Al2O3 buffer layers, Appl. Phys. Lett. 100, 011901 (2012).
9. Yang Pan, Zheng Wang, Ting Peng, Kemin Wu, Hao Wu, C. Liu*, Improvement of structural and electrical properties of Cu2O films with InN epilayers, J. Cryst. Growth, 334， 46 (2011).
10. Z. P. Zhou, S. J. Luo, Y. Wang, Z. W Ai, C. Liu*, D. F. Wang, Y.P. Lee, Room temperature ferromagnetism and hopping transport in amorphous CrN thin films, Thin Solid Films, 519，1989 (2011).
11. K. M. Wu, T. Han, K. Shen, B. Liu, T. Peng, Y. Pan, H. D. Sun, and C. Liu*, Growth of vertically aligned InGaN nanorod arrays on p-Type Si substrates for heterojunction diodes, J. Nanosci. Nanotechnol. 10 , 8139 (2010).
12. Y. Pan, T. Wang, K. Shen, T. Peng, K. M. Wu, W. Y. Zhang, C. Liu*, Rapid growth and characterization of InN nanocolumns on InGaN buffer layers at a low ratio of N/In, J. Cryst. Growth 313, 16 (2010).
13. T. Peng, K. Shen, H. Wu, C. Hu, and C Liu*, Room-temperature ferromagnetism and electrical properties of Cu2O/GaN heterostructures, J. Phys. D: Appl. Phys. 43, 315101 ( 2010).
14. Q. M. Fu, T. Peng, Y. Pan and C. Liu*, Effects of AlN/GaN superlattices on structural properties of Al0.45Ga0.55N grown on AlN/sapphire templates, J. Kor. Phys. Soc., 55, 2659 (2009).
15. H. Wu, J. Yuan, T. Peng, Y. Pan, T. Han, K. Shen, B. R. Zhao, C. Liu*, Control of the epitaxial orientation and reduction of the interface leakage current in YMnO3/GaN heterostructure, J. Phys. D - Appl. Phys. 18, 185302 (2009).
16. Yuan, Longyan, Fang, Guojia, Zhou, Hai, Gao, Yihua, Liu, Chang, Zhao, Xingzhong，Suppression of near-edge optical absorption band in sputter deposited hafnium oxynitride via nitrogen incorporation and annealing，J. Phys. D – Appl. Phys., 42, 145302 (2009).
17. Q. M. Fu, T. Peng, C. Liu*, Effects of real-time monitored growth interrupt on crystalline quality of AlN epilayer grown on sapphire by molecular beam epitaxy, J. Cryst. Growth, 311, 3553 (2009).
18. B. Liu, J. Gao, K. M. Wu and C. Liu*，Preparation and rapid thermal annealing of AlN thin films grown by molecular beam epitaxy, Solid State Commun. 149, 715 (2009).
19. Y. Tian, H. B. Lu, L. Liao, J. C. Li, C. Liu, Synthesis and evolution of hollow ZnO microspheres assisted by Zn powder precursor, Solid State Commun. 149, 456 (2009).
20. H. Wu, J. Yuan, T. Peng, Y. Pan, T. Han, and C. Liu*, Temperature- and field-dependent leakage current of epitaxial YMnO3/GaN heterostructure，Appl. Phys. Lett. 94, 122904 (2009).
21. D. F. Wang, S. Y. Park, Y. S. Lee, T. W. Eom, S. J. Lee,Y. P. Lee, Ch. J. Choi, J. C. Li, and C. Liu, Epitaxial ZnMnO/ZnO Coaxial Nanocable, Crystal Growth & Design 9, 2124 (2009).
22. K. M. Wu, Y. Pan, and C. Liu*, InGaN nanorod arrays grown by molecular beam epitaxy: growth mechanism, structural and optical properties, Appl. Surf. Sci. 255, 6705 (2009).
23. Q. M. Fu, T. Peng, F. Mei, Y. Pan, L. Liao and C. Liu*，Relaxation of compressive strain by inclined threading dislocations in Al0.45Ga0.55N grown on AlN/sapphire templates using graded-AlxGa1-xN/AlN superlattices，J. Phys. D - Appl. Phys. 42, 035311 (2009).
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26. L. Liao, Z. Zheng, B. Yan, J. X. Zhang, H. Gong, J. C. Li, C. Liu, Z. X. Shen, and T. Yu, Morphology controllable synthesis of alpha-Fe2O3 1D nanostructures: Growth mechanism and nanodevice based on single nanowire, J. Phys. Chem. C 112, 10784 (2008).
27. L. Liao, H. X. Mai, Q. Yuan, H. B. Lu, J. C. Li, C. Liu, C. H. Yan, Z. X. Shen, T. Yu, Ting, Single CeO2 nanowire gas sensor supported with Pt nanocrystals: Gas sensitivity, surface bond states and chemical mechanism, J. Phys. Chem. C 112, 9061 (2008). Highlighted by Nature Asia Materials 06 August 2008.
28. F. Mei, Q. M. Fu, T. Peng, C. Liu*, M. Z. Peng and J. M. Zhou, Growth and characterization of AlGaN/GaN heterostructures on semi-insulating GaN epilayers by molecular beam epitaxy, J. Appl. Phys. 103, 094502 (2008)
29. F. Ren, G. X. Cai, X. H. Xiao, L. X. Fan, C. Liu, D. J. Fu, J. B. Wang, and C. Z. Jiang, Ion irradiation induced hollow and sandwiched nanoparticles, J Appl. Phys. 103, 084308 (2008).
30. L. Liao, H. B. Lu, M. Shuai, J. C. Li, Y. L. Liu, C. Liu, Z. X. Shen, and T Yu, A novel gas sensor based on field ionization from ZnO nanowires: moderate working voltage and high stability, Nanotechnol. 19, 175501 (2008).
31. D. F. Wang, S. Y. Park, Y. S. Lee, Y. P. Lee, J. C. Li, and C. Liu，Synthesis and room-temperature ferromagnetism of Zn0.96Mn0.04O/ZnO coaxial nanocable and Zn0.96Mn0.04O film，J. Appl. Phys. 103, 07D126 (2008).
32. B. Liu, Q. M. Fu, K. M. Wu, C. Liu*, Studies of the growth method and properties of AlN grown by RF-MBE, J. Kor. Phys. Soc. 52，S17 (2008).
33. L. Zhang, F. Q. Liu, and C. Liu*, Simulations of voltage-controlled yellow or orange emmision from GaN codoed with Eu and Er, J. Kor. Phys. Soc. 52，S67 (2008).
34. J. Gao, B. Liu, Y. Pan, T. Peng, K. M. Wu, C. Liu*, Effect of rapid thermal annealing on the properties of InN epilayers, J. Kor. Phys. Soc. 52，S128 (2008).
35. T. Peng, Q. M. Fu and C. Liu*, Deposition of ZnO thin films on GaN substrates, J. Kor. Phys. Soc. 52，S100 (2008).
36. X. H. Xiao, J. X. Xu, F. Ren, C. Liu, C. Z. Jiang, Fabrication of Ag nanoclusters in single-crystal MgO by high-energy ion implantation, Physica E 40, 705 (2008).
37. L. Han, F. Mei, C. Liu*, C. Pedro and E. Alves, Comparison of ZnO thin films grown by pulsed laser deposition on sapphire and Si substrates, Physica E 40, 699 (2008).
38. L. Liao, H. B. Lu, L. Zhang, M. Shuai, J. C. Li, C. Liu, D. J. Fu, and F. Ren，Effect of ferromagnetic properties in Al-doped Zn1-xCoxO nanowires synthesized by water-assistance reactive vapor deposition, J. Appl. Phys. 102, 114307 (2007).
39. X. H. Xiao, L. P. Guo, F. Ren, J. B. Wang, D. J. Fu, D. L. Chen, Z. Y. Wu, Q. J. Jia, C. Liu, C. Z. Jiang, Formation of metal nanoparticles in silica by the sequential implantation of Ag and Cu, Appl. Phys. A 89, 681 (2007).
40. L. Liao, H. B. Lu, J. C. Li, C. Liu, D. J. Fu, and Y. L. Liu, The sensitivity of gas sensor based on single ZnO nanowire modulated by helium ion radiation, Appl. Phys. Lett., 91, 173110 (2007), selected for the November 5, 2007 issue of Virtual Journal of Nanoscale Science & Technology.
41. L. Zhang, F. Q. Liu, and C. Liu*, Voltage-controlled variable light emissions from GaN codoped with Eu, Er, and Tm, Appl. Phys. Lett. 91, 143514 (2007).
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50. L. Liao, J. C. Li, C. Liu, Z. Xu, W. L. Wang, S. Liu, X. D. Bai, E. G. Wang, Field emission of GaN-filled carbon nanotubes: High and stable emission current, J. Nanosci. Nanotechnol. 7, 1080 (2007).
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67. T. Matsutani, T. Asanuma , C. Liu, M. Kiuchi , and T. Takeuchi Deposition of SiO2 films by low-energy ion-beam induced chemical vapor deposition using hexamethyldisiloxane, Surf. Coat. Technol. 177-178, 365 (2004).
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69. C. Liu, T. Matsutani, T. Asanuma, and M. Kiuchi, Preparation and characterization of indium tin oxide films formed by oxygen ion beam assisted deposition, Solid State Commun. 126, 509 (2003).
70. W. K. Zhao, L. Zhou, C. Liu

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p型GaN是什么意思 P-GaN: Mg doped p-type doping（参杂镁） Carrier（携带）:hole (阱）N-GaN: Si doped GaN（参杂硅） Crraier（携带）:electron（电子）InGaN/GaN (MQW) :cycle growth InGaN/GaN （间隔蒸镀）Different material = different color(wavelength)Ex)InN ~ 1.9 eV = 652 nm : RedInGaN ~ 2.76 eV = 450 nm : BlueGaN ~ 3.4 eV = 364.7 nm : UVAlN ~ 6.2 eV = 200 nm : Deep UV 2023-06-25 10:05:201

LED屏幕的LED屏幕发展历程40年回顾 1970年代最早的GaP、GaAsP同质结红、黄、绿色低发光效率的LED已开始应用于指示灯、数字和文字显示。从此LED开始进入多种应用领域，包括宇航、飞机、汽车、工业应用、通信、消费类产品等，遍及国民经济各部门和千家万户。到1996年LED在全世界的销售额已达到几十亿美元。尽管多年以来LED一直受到颜色和发光效率的限制，但由于GaP和GaAsP LED具有长寿命、高可靠性,工作电流小、可与TTL、CMOS数字电路兼容等许多优点因而却一直受到使用者的青眯。九十年代，高亮度化、全色化一直是LED材料和器件工艺技术研究的前沿课题。超高亮度(UHB)是指发光强度达到或超过100mcd的LED，又称坎德拉(cd)级LED。高亮度A1GaInP和InGaN LED的研制进展十分迅速，现已达到常规材料GaA1As、GaAsP、GaP不可能达到的性能水平。1991年日本东芝公司和美国HP公司研制成InGaA1P 620nm橙色超高亮度LED，1992年InGaA1p590nm黄色超高亮度LED实用化。同年，东芝公司研制InGaA1P 573nm黄绿色超高亮度LED，法向光强达2cd。1994年日本日亚公司研制成InGaN 450nm蓝(绿)色超高亮度LED。至此，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED都达到了坎德拉级的发光强度，实现了超高亮度化、全色化，使发光管的户外全色显示成为现实。我国发展LED起步于七十年代，产业出现于八十年代。全国约有100多家企业，95%的厂家都从事后道封装生产，所需管芯几乎全部从国外进口。通过几个“五年计划”的技术改造、技术攻关、引进国外先进设备和部分关键技术，使我国LED的生产技术已向前跨进了一步。 2023-06-25 10:05:281

制造LED发光二极管的主要材料是? 制造LED发光二极管的主要材料是? 芯片，支架，金线，银浆，环氧树脂发光二极管的主要材料主要是：磷化镓(GaP)、砷化镓(GaAs)等 III- V族化学元素。如：1蓝光InGaN/GaN 2 绿光 GaP:N 3 红光 GaP:Zn-O 4 红外GaAs 发光二极管的主要材料是什么？普通二极管用硅，锗，掺入磷，硼，led根据发光颜色有不同的材料，如磷化镓，砷化镓等，这些都是半导体。如果有帮到您请给予好评谢谢拉#^_^#祝您愉快为了节能，世博会采用LED发光二极管照明，二极管的主要材料是( ) 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，发光二极管它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。以下是传统发光二极管所使用的无机半导体物料和所它们发光的颜色铝砷化镓(AlGaAs)-红色及红外线铝磷化镓(AlGaP)-绿色磷化铝铟镓(AlGaInP)-高亮度的橘红色，橙色，黄色，绿色磷砷化镓(GaAsP)-红色，橘红色，黄色磷化镓(GaP)-红色，黄色，绿色氮化镓(GaN)-绿色，翠绿色，蓝色　　铟氮化镓(InGaN)-近紫外线，蓝绿色，蓝色碳化硅(SiC)(用作衬底)-蓝色硅(Si)(用作衬底)-蓝色(开发中) 蓝宝石(Al2O3)(用作衬底)-蓝色 zincselenide(ZnSe)-蓝色钻石(C)-紫外线氮化铝(AlN),aluminiumgalliumnitride(AlGaN)-波长为远至近的紫外线发光二极管的导电特性是？它的主要材料是？与普通二极管相同，具有单相通导特性，含镓（Ga）、砷（As）、磷（P）、氮（N）等的化合物制成的二极管 LED发光二极管的选购？应该在以下方面注意： 1、在颜色与外形的选择上。发光二极管主要是用在家用电器和其他电子设备中做电源指示或者是开关通断的指示，选用发光二极管的时候，应该根据应用电路的要求和电子设备的尺寸，选择发光二极管的颜色、发光强度、外形、尺寸的大小和封装的形式。 2、发光二极管的外形、大小及封装形式多种多样，外形有圆形、方形、长方形和小型的，封装形式有全塑料装、金属外壳封装等，在选择时，可以根据性能的要求和使用条件来选用符合条件的发光二极管。 3、发光性能检查。用万用表R*100档时，但要在黑表笔上串联2节1.5V电池，即电池负极与万用表的负输出端相连，经1k电阻向发光二极管提高正向的导通电流。再将黑表笔接发光二极管的正极，红表笔接负极，这时加至发光管的端电压为4.5v，该电压已超过管子的导通电压，发光二极管便会发出明亮的光束来。如果管子仍不发亮，说明该测量器是坏的。在选购发光二极管时，要仔细分析它的各个方面，买到质量的二极管。 LED发光二极管的问题。一导电胶、导电银胶导电胶是IED生产封装中不可或缺的一种胶水，其对导电银浆的要求是导电、导热性能要好，剪切强度要大，并且粘结力要强。 UNINWELL国际的导电胶和导电银胶导电性好、剪切力强、流变性也很好、并且吸潮性低。特别适合大功率高高亮度LED的封装。特别是UNINWELL的6886系列导电银胶，其导热系数为：25.8 剪切强度为：14.7，堪称行业之最。二封装工艺 1. LED的封装的任务是将外引线连接到LED芯片的电极上，同时保护好LED芯片，并且起到提高光取出效率的作用。关键工序有装架、压焊、封装。 2. LED封装形式 LED封装形式可以说是五花八门，主要根据不同的应用场合采用相应的外形尺寸，散热对策和出光效果。LED按封装形式分类有Lamp-LED、TOP-LED、Side-LED、SMD-LED、High-Power-LED等。 3. LED封装工艺流程 4．封装工艺说明 1.芯片检验镜检：材料表面是否有机械损伤及麻点麻坑（lockhill）芯片尺寸及电极大小是否符合工艺要求电极图案是否完整 2.扩片由于LED芯片在划片后依然排列紧密间距很小（约0.1mm），不利于后工序的操作。我们采用扩片机对黏结芯片的膜进行扩张，是LED芯片的间距拉伸到约0.6mm。也可以采用手工扩张，但很容易造成芯片掉落浪费等不良问题。 3.点胶在LED支架的相应位置点上银胶或绝缘胶。（对于GaAs、SiC导电衬底，具有背面电极的红光、黄光、黄绿芯片，采用银胶。对于蓝宝石绝缘衬底的蓝光、绿光LED芯片，采用绝缘胶来固定芯片。）工艺难点在于点胶量的控制，在胶体高度、点胶位置均有详细的工艺要求。由于银胶和绝缘胶在贮存和使用均有严格的要求，银胶的醒料、搅拌、使用时间都是工艺上必须注意的事项。 4.备胶和点胶相反，备胶是用备胶机先把银胶涂在LED背面电极上，然后把背部带银胶的LED安装在LED支架上。备胶的效率远高于点胶，但不是所有产品均适用备胶工艺。 5.手工刺片将扩张后LED芯片（备胶或未备胶）安置在刺片台的夹具上，LED支架放在夹具底下，在显微镜下用针将LED芯片一个一个刺到相应的位置上。手工刺片和自动装架相比有一个好处，便于随时更换不同的芯片，适用于需要安装多种芯片的产品. 6.自动装架自动装架其实是结合了沾胶（点胶）和安装芯片两大步骤，先在LED支架上点上银胶（绝缘胶），然后用真空吸嘴将LED芯片吸起移动位置，再安置在相应的支架位置上。自动装架在工艺上主要要熟悉设备操作编程，同时对设备的沾胶及安装精度进行调整。在吸嘴的选用上尽量选用胶木吸嘴，防止对LED芯片表面的损伤，特别是兰、绿色芯片必须用胶木的。因为钢嘴会划伤芯片表面的电流扩散层。 7.烧结烧结的目的是使银胶固化，烧结要求对温度进行监控，防止批次性不良。银胶烧结的温度一般控制在150℃，烧结时间2小时。根据实际情况可以调整到170℃，1小时。绝缘胶一般150℃，1小时。银胶烧结烘箱的必须按工艺要求隔2小时（或1小时）打开更换烧结的产品，中间不得随意打开。烧结烘箱不得再其他用途，防止污染。 8.压焊压焊的目的将电极引到LED芯片上，完成产品内外引线的连接工作。 LED的压焊工艺有金丝球焊和铝丝压焊两种。右图是铝丝压焊的过程，先在LED芯片电极上压上第一点，再将铝丝拉到相应的支架上方，压上第二点后扯断铝丝。金丝球焊过程则在压第一点前先烧个球，其余过程类似。压焊是LED封装技术中的关键环节，工艺上主要需要监控的是压焊金丝（铝丝）拱丝形状，焊点形状，拉力。对压焊工艺的深入研究涉及到多方面的问题，如金（铝）丝材料、超声功率、压焊压力、劈刀（钢嘴）选用、劈刀（钢嘴）运动轨迹等等。（下图是同等条件下，两种不同的劈刀压出的焊点微观照片，两者在微观结构上存在差别，从而影响着产品质量。）我们在这里不再累述。 9.点胶封装 LED的封装主要有点胶、灌封、模压三种。基本上工艺控制的难点是气泡、多缺料、黑点。设计上主要是对材料的选型，选用结合良好的环氧和支架。（一般的LED无法通过气密性试验）如右图所示的TOP-LED和Side-LED适用点胶封装。手动点胶封装对操作水平要求很高（特别是白光LED），主要难点是对点胶量的控制，因为环氧在使用过程中会变稠。白光LED的点胶还存在荧光粉沉淀导致出光色差的问题。欢迎访问LED世界网（） 10.灌胶封装 Lamp-LED的封装采用灌封的形式。灌封的过程是先在LED成型模腔内注入液态环氧，然后插入压焊好的LED支架，放入烘箱让环氧固化后，将LED从模腔中脱出即成型。 11.模压封装将压焊好的LED支架放入模具中，将上下两副模具用液压机合模并抽真空，将固态环氧放入注胶道的入口加热用液压顶杆压入模具胶道中，环氧顺着胶道进入各个LED成型槽中并固化。 12.固化与后固化固化是指封装环氧的固化，一般环氧固化条件在135℃，1小时。模压封装一般在150℃，4分钟。 13.后固化后固化是为了让环氧充分固化，同时对LED进行热老化。后固化对于提高环氧与支架（PCB）的粘接强度非常重要。一般条件为120℃，4小时。 14.切筋和划片由于LED在生产中是连在一起的（不是单个），Lamp封装LED采用切筋切断LED支架的连筋。SMD-LED则是在一片PCB板上，需要划片机来完成分离工作。 15.测试测试LED的光电参数、检验外形尺寸，同时根据客户要求对LED产品进行分选。 16.包装将成品进行计数包装。超高亮LED需要防静电包装 led发光二极管的使用 LED发光二极管的工作电流约17毫安。我曾经把四个发光二极管并联后再串接一个100欧左右的电阻，然后接在手机充电器的电源上（约6V），单个发光二极管电流小于17毫安，但亮度还可以。若要四个发光二极管串联后直接接12V直流电，最好用个万用表，串入电路，发光二极管串入一电阻，调节电阻，使发光二极管的工作电流约17毫安即可。如果电阻为零，说明可以四个发光二极管串联后直接接12V直流电。 LED灯是一种高效的节能光源，其核心元件是发光二极管．发光二极管的主要材料是（　　）A．超导材料B．合制作二极管的材料是半导体材料，常用的有：硅、锗等材料．故选B．有没有需要LED发光二极管的，我是LED发光二极管厂家的业务。你好，有什么我可以帮到你的吗 2023-06-25 10:05:431

LED芯片的衬底 衬底分生长衬底和键合衬底，生长衬底就是长外延层的衬底，国内长紫光紫外光AlGaN和蓝绿光InGaN主流衬底蓝宝石，长红黄光AlGaInP和红光红外光AlGaAs的主流衬底砷化镓。有的LED还会用到晶片键合，如垂直结构的蓝绿光生长衬底蓝宝石是绝缘的，需要先将其键合在另一个导电衬底硅或金属上，再把蓝宝石衬底剥离掉。红黄光砷化镓衬底有吸光效应，也常会把它键合到硅衬底或蓝宝石衬底或氮化铝衬底上，再把砷化镓衬底剥离掉。 2023-06-25 10:05:532

什么是激子束缚能 ZnO作为室温激光发射材料的优势 2023-06-25 10:06:082

卖方正电脑的人说,方正的家用砚香黑液晶是LED的.可是我在网上查却标的LCD,哪位高手告诉我,真相到底是什么? 所有的液晶显示器都是LCD的。LED只是个背光的光源而已 2023-06-25 10:06:152

物理谢谢 http://baike.baidu.com/view/52538.htm 2023-06-25 10:06:352

LED照明是我国制造业为人类做出的一大贡献。目前市售LED晶片，材质基本以GaAs(砷化镓)、AlGaInP(磷化铝镓 (1)1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 (或[Ar]3d 10 4s 2 4p 1 )(2)4　正四面体　 (3)NH 3 >AsH 3 >PH 3 　(4)sp 2 　(5)>　(6)BCD (1)镓是31号元素，电子排布式为1s 2 2s 2 2p 6 3s 2 3p 6 3d 10 4s 2 4p 1 。(2)砷化镓晶胞中砷原子8个在立方体顶角，6个在面上，该晶胞所包含砷原子数为8× ＋6× ＝4，而镓原子周围是4个均匀分布的砷原子为正四面体型。(3)NH 3 分子间有氢键沸点最高，其它分子按分子量大小排列，NH 3 >AsH 3 >PH 3 。(4)镓原子与3个甲基结合，且镓的价电子都成键，所以为sp 2 杂化。(5)砷的非金属性强，第一电离能大。(6)砷化镓晶胞与NaCl不同，A项错误。GaP与GaAs原子个数比相同，但电子总数不同，B项错误。As非金属性强，电负性也强，C正确。镓有3个价电子，但形成4个共价键，说明有一个配位键。D正确。 2023-06-25 10:06:421

现在的电视什么品牌好？LED,LCD有什么区别？哪种省电？ 如果有经济可以的话，建议你买LED的吧。不要买国产的。 2023-06-25 10:07:027

显示器驱动板上的白色金属块是什么? 散热片吧…… 2023-06-25 10:07:194

白光和自然光的区别灯具方面，这两种光有区别吗日光灯 白色灯光和偏黄色，第二种有温暖的感觉。 2023-06-25 10:07:282

LED屏的应用 最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命，低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下 200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。1987年，我国开始在汽车上安装高位刹车灯，由于LED响应速度快（纳秒级），可以及早让尾随车辆的司机知道行驶状况，减少汽车追尾事故的发生。另外，LED灯在室外红、绿、蓝全彩显示屏，匙扣式微型电筒等领域都得到了应用。白光LED对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。 GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光 LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG 荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。表一列出了目前白色LED的种类及其发光原理。目前已商品化的第一种产品为蓝光单晶片加上YAG黄色荧光粉，其最好的发光效率约为25流明/瓦， YAG多为日本日亚公司的进口，价格在2000元/公斤；第二种是日本住友电工亦开发出以ZnSe为材料的白光LED，不过发光效率较差。从表中也可以看出某些种类的白色LED光源离不开四种荧光粉：即三基色稀土红、绿、蓝粉和石榴石结构的黄色粉，在未来较被看好的是三波长光，即以无机紫外光晶片加R.G.B三颜色荧光粉，用于封装LED白光，预计三波长白光LED今年有商品化的机机会。但此处三基色荧光粉的粒度要求比较小，稳定性要求也高，具体应用方面还在探索之中。表一白色LED 的种类和原理芯片数激发源发光材料发光原理 1 蓝色LED InGaN/YAG 用蓝色光激励YAG荧光粉发出黄色光，从而混合成白光蓝色LED InGaN/荧光粉 InGaN的蓝色激发红，绿，蓝三基色荧光粉发出白光　　蓝色LED ZnSe 由薄膜层发出蓝光和基板上激发的黄光混合成白光　　紫外LED InGaN/荧光粉 InGaN发出紫外光激发红，绿，蓝三基色荧光粉发出白光　　2 蓝，黄绿LED InGaN,GaP 将具有补色关系的二种芯片封装在一起，发出白光 3 蓝，绿，红LED InGaN,AlInGaP 将发三原色的三种芯片封装在一起发出白光多种多种光色的LED InGaN,AlInGaP,GaPN 将普遍可见光区的多种色光芯片封装在一起，构成白色LED 采用LED光源进行照明，首先取代耗电的白炽灯，然后逐步向整个照明市场进军，将会节约大量的电能。近期，白色LED已达到单颗用电超过1瓦，光输出 25流明，也增大了它的实用性。表二和表三列出了白色LED的效能进展。表二单颗白色LED 的效能进展年份发光效能（流明/瓦）备注1998 5199 15 相若白炽灯2001 25 相若卤钨灯2005 50 估计表三长远发展目标单颗白色LED输入功率 10瓦发光效能 100流明/瓦输出光能 1000流明/瓦通过近几年来的快速发展,白光LED从1999年的15lm/W,到2001年的25lm/W,再到2005年的60lm/W,自从2006年日本的日亚公司向市场提供100lm/W的白光LED,至今超过100lm/W的白光LED仅Cree公司就已经出货百万以上.最近几年,白光LED的研发成果：2008年9月Philips Lumileds与Osram Opto Semiconductors各发表了140.1 lm/W与136 lm/W且各产生138 lm与155 lm(lumen，流明)，他们均使用1mm大小的芯片并驱动于350mA下;今年1月21日,美国LED大厂Cree公司宣布,其白光发光二极管实现每瓦161lm/W.可见,白光LED在高发光效率,高照明方面有着诱人的前景. 2023-06-25 10:07:431

针对晶体材料生长的模拟仿真软件？ FEMAG 全球领先的材料晶体生长多物理场仿真分析软件 2023-06-25 10:07:592

大家帮个忙 一、LED的结构及发光原理 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 LED结构图如下图所示发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。二、LED光源的特点 1. 电压：LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。 2. 效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80% 3. 适用性：很小，每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境 4. 稳定性：10万小时，光衰为初始的50% 5. 响应时间：其白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级 6. 对环境污染：无有害金属汞 7. 颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带隙，实现红黄绿兰橙多色发光。如小电流时为红色的LED，随着电流的增加，可以依次变为橙色，黄色，最后为绿色 8. 价格：LED的价格比较昂贵，较之于白炽灯，几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当，而通常每组信号灯需由上300～500只二极管构成。三、单色光LED的种类及其发展历史最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λp=555nm），黄光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。到了80年代初，出现了GaAlAs的LED光源，使得红色LED的光效达到10流明/瓦。 90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在红、橙区（λp=615nm）的光效达到100流明/瓦，而后者制成的LED在绿色区域（λp=530nm）的光效可以达到50流明/瓦。四、单色光LED的应用最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命，低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。1987年，我国开始在汽车上安装高位刹车灯，由于LED响应速度快（纳秒级），可以及早让尾随车辆的司机知道行驶状况，减少汽车追尾事故的发生。另外，LED灯在室外红、绿、蓝全彩显示屏，匙扣式微型电筒等领域都得到了应用。五、白光LED的开发对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。（如下图所示）表一列出了目前白色LED的种类及其发光原理。目前已商品化的第一种产品为蓝光单晶片加上YAG黄色荧光粉，其最好的发光效率约为25流明/瓦，YAG多为日本日亚公司的进口，价格在2000元/公斤；第二种是日本住友电工亦开发出以ZnSe为材料的白光LED，不过发光效率较差。从表中也可以看出某些种类的白色LED光源离不开四种荧光粉：即三基色稀土红、绿、蓝粉和石榴石结构的黄色粉，在未来较被看好的是三波长光，即以无机紫外光晶片加R.G.B三颜色荧光粉，用于封装LED白光，预计三波长白光LED今年有商品化的机机会。但此处三基色荧光粉的粒度要求比较小，稳定性要求也高，具体应用方面还在探索之中。表一白色 LED 的种类和原理芯片数激发源发光材料发光原理 1 蓝色LED InGaN/YAG InGaN的蓝光与YAG的黄光混合成白光蓝色LED InGaN/荧光粉 InGaN的蓝光激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光蓝色LED ZnSe 由薄膜层发出的蓝光和在基板上激发出的黄光混色成白光紫外LED InGaN/荧光粉 InGaN的紫外激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光 2 蓝色LED 黄绿LED InGaN、GaP 将具有补色关系的两种芯片封装在一起，构成白色LED 3 蓝色LED 绿色LED 红色LED InGaN AlInGaP 将发三原色的三种小片封装在一起，构成白色LED 多个多种光色的LED InGaN、GaP AlInGaP 将遍布可见光区的多种光芯片封装在一起，构成白色LED 采用LED光源进行照明，首先取代耗电的白炽灯，然后逐步向整个照明市场进军，将会节约大量的电能。近期，白色LED已达到单颗用电超过1瓦，光输出25流明，也增大了它的实用性。表二和表三列出了白色LED的效能进展。表二单颗白色L ED 的效能进展年份发光效能（流明/瓦）备注 1998 5 199 15 相若白炽灯 2001 25 相若卤钨灯 2005 50 估计表三长远发展目标单颗白色LED 输入功率 10瓦发光效能 100流明/瓦输出光能 1000流明/瓦六、业界概况在LED业者中，日亚化学是最早运用上述技术工艺研发出不同波长的高亮度LED，以及蓝紫光半导体激光（Laser Diode；LD），是业界握有蓝光LED专利权的重量级业者。在日亚化学取得兰色LED生产及电极构造等众多基本专利后，坚持不对外提供授权，仅采自行生产策略，意图独占市场，使得蓝光LED价格高昂。但其他已具备生产能力的业者相当不以为然，部分日系LED业者认为，日亚化工的策略，将使日本在蓝光及白光LED竞争中，逐步被欧美及其他国家的LED业者抢得先机，届时将对整体日本LED产业造成严重伤害。因此许多业者便千方百计进行蓝光LED的研发生产。目前除日亚化学和住友电工外，还有丰田合成、罗沐、东芝和夏普，美商Cree，全球3大照明厂奇异、飞利浦、欧司朗以及HP、Siemens、 Research、EMCORE等都投入了该产品的研发生产，对促进白光LED产品的产业化、市场化方面起到了积极的促进作用。 2023-06-25 10:08:171

什么是LED电子显示屏？ 答案就在：海峡彩亮（漳州）光电有限公司 2023-06-25 10:08:274

LED为什么被称为第四代照明光源？ 按时代划分，第一代，第二代，第三代光源分别是什么灯？按时代划分，白炽灯为电气照明的第一代光源，普通荧光灯为第二代光源，除普通荧光灯外其它气体放电灯为第三代光源，第三代光源为高强度气体放电灯，简称为HID（Highlutensity Dischange）灯。 2023-06-25 10:08:382

LED和LCD有什么区别？ 关于这个问题，我用图片来直观给大家看一下led屏和lcd屏有什么区别。LED和LCD有什么区别 2023-06-25 10:09:0213

户外广告的那些屏幕都是液晶屏吗？是不是一般没有led的啊？还有为什么都是好几个屏幕拼接的，不是一整块 户外广告大屏幕的是 LED全彩显示屏, 门面显示一排一排字的那些是LED单双色显示屏 2023-06-25 10:10:253

led灯珠怎么判别是多少瓦 这个数据你无法用肉眼去判断的,只能借助工具去测量.还有就是从生产厂家那里得到. 2023-06-25 10:10:385

InGaN和AllnGaP是什么样的技术？ 氮化铟镓 InGaN氮化铝镓铟 AllnGaP眼下用于LED背光很时髦啊，呵呵。 2023-06-25 10:11:323

哪些是常用来制造LED的半导体材料？ 红外LED常用半导体材料为InP红光LED常用半导体材料为GaAs; AlGaAs; GaAsP; GaP黄光LED常用半导体材料为AlGaInP绿光LED常用半导体材料为InGaN蓝光LED常用半导体材料为InGaN紫外LED常用半导体材料为AlGaN 2023-06-25 10:11:571

液晶显示器是指LED还是LCD led 2023-06-25 10:12:1513

LED与LCD有什么区别 LED是发光二极管Light Emitting Diode的英文缩写。　　LED应用可分为两大类：一是LED单管应用，包括背光源LED，红外线LED等；另外就是LED显示屏，目前，中国在LED基础材料制造方面与国际还存在着一定的差距，但就LED显示屏而言，中国的设计和生产技术水平基本与国际同步。　　LED显示屏是由发光二极管排列组成的一显示器件。它采用低电压扫描驱动，具有：耗电少、使用寿命长、成本低、亮度高、故障少、视角大、可视距离远等特点。　　LCD显示器的原文是Liquid Crystal Display，取每字的第一个字母组成，中文多称「液晶平面显示器」或「液晶显示器」。其工作原理就是利用液晶的物理特性：通电时排列变得有序，使光线容易通过；不通电时排列混乱，阻止光线通过，说简单点就是让液晶如闸门般地阻隔或让光线穿透。 LCD的好处有：与CRT显示器相比，LCD的优点主要包括零辐射、低功耗、散热小、体积小、图像还原精确、字符显示锐利等。选购LCD，有几个基本指针：高亮度:亮度值愈高，画面自然更亮丽，不会朦胧雾雾。亮度的单位为cd/m2，也就是每平方公尺分之烛光。低阶的LCD亮度值，有低到150 cd/m2，而高阶的显示器，则可高达250cd/m2。高对比:对比愈高，色彩更鲜艳饱和，且会显的立体。相反的，对比低，颜色显的贫瘠，影像也会变得平板。对比值的差别颇大，有低到100:1，也有高到600:1，甚至更高。宽广的可视范围:可视范围简单的说，指的是在屏幕前画面可以看的清楚的范围。可视范围愈大，自然可以看的更轻松；愈小，只要观看者稍一变动观看位置，画面可能就会看不清楚了。可视范围的算法是从画面中间，至上、下、左、右四个方向画面清楚的角度范围。数值愈大，范围自然愈广，但四个方向的范围不一定对称。当上下、左右对称时，某些厂商会将两边的角度值相加，标示为水平：160°；垂直：160°；也可能分开标示为左/右：± 80°；上/下：± 80°。某些LCD机种的单一角度，甚至只有40°~50°. 快速讯号反应时间:讯号反应是指系统接收键盘或鼠标的指示后，经CPU计算处理，反应至显示器的时间。讯号反应对动画和鼠标移动非常重要，此现象一般而言，只发生在LCD液晶显示器上，CRT传统显像管显示器则无此问题。讯号反应时间愈快，作业处理自是愈方便。观察的方法是之一是将鼠标快速移动（亦即鼠标不断下指示给系统，系统则不断将讯号反应给显示器），在一般低阶的LCD显示器上，光标在快速移动时，过程中会消失不见，直到鼠标定位，不再移动后一小段时间，才会再度出现；而在一般速度动作时，移动过程亦会清楚的看到鼠标移动痕迹。而VE500的超快讯号反应时间快达16ms（毫秒），则让光标移动无时差，移动过程清楚易见，不带来作业困扰。　　LED 发光二极管特征.　　LED须采用超高亮发光材料，亮高度（UHB）是指发光强度达到或超过100mcd的LED，又称坎德拉（cd）级LED。高亮度A1GaInP和InGaN LED的研制进展十分迅速，现已达到常规材料GaA1As、GaAsP、GaP不可能达到的性能水平。1991年日本东芝公司和美国HP公司研制成 InGaA1P 620nm橙色超高亮度LED，1992年InGaA1p590nm黄色超高亮度LED实用化。同年，东芝公司研制InGaA1P 573nm黄绿色超高亮度LED，法向光强达2cd。1994年日本日亚公司研制成InGaN 450nm蓝（绿）色超高亮度LED。至此，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED都达到了坎德拉级的发光强度，实现了超高亮度化、全色化，使发光管的户外全色显示成为现实。发光亮度已高于1000mcd，可满足室外全天候、全色显示的需要，用LED彩色大屏幕可以表现天空和海洋，实现三维动画。新一代红绿、蓝超高亮度LED 达到了前所未有的性能。　　室外屏象素目前均由红/绿/兰三种基色的若干个单管LED构成，常用成品有象素筒和象素模组两种结构。象素尺寸多为12-26毫米，象素组成：单色以2R/3R/4R、伪彩以1R2YG/1R3YG/1R4YG、真彩以2R1G1B等组成形式居多。　　室外屏系统方案设计原则（内容不做叙述）　　△结构设计原则　　△亮度与配色依据　　△可靠性设计原则　　△安全性设计原则　　△易管理及可操作性设计原则　　屏体安装方式　　△墙挂式：即显示屏背靠墙面，并固定在墙面上。此方式为常见方式，而且校易实现。　　△坐立式：即显示屏坐立在平台上。此方式最易实现，在条件许可的场合应优先采用这种安装方式。　　△镶嵌式：即显示屏镶嵌在一个墙框内。此方式不多见，如果墙面凹陷深度不够，须考虑其维护性。　　△侧挂式：即显示屏两侧受力，侧挂在两建筑物或立柱之间。此方式常用于空旷场地的屏体悬挂，两立柱依据屏体的悬挂要求搭建。　　显示控制系统　　大成显示控制系统由采集/发送子系统和接收/灰度处理子系统两部份组成，其前端为计算机的VGA特征输出接口或带有数字化分量输出的多媒体卡，传输由超五类双绞线实现，后端为电子显示屏显示单元。采集/发送子系统以每秒不少于60幅的帧频采集24 Bits真彩色信号，并以双存贮器交替工作的方式平稳地写入到自带的显示缓存中，在中心处理单元的控制下完成灰度的权值变换，通过LVDS差分至超五类双绞线通道上。超五类双绞线实现采集/发送子系统与接收/灰度处理子系统之间的连接，完成信号的传输。在不带中继的情况下，最长传输距离可达300米。　　灰度实现描述　　大成接收/灰度处理子系统自超五类双绞线上接收24 Bits真彩色信号，权值分别为20、21、22、存23、24、25、26、27，每个基色有八个权值分量，通过CPLD控制从而实现256级灰度控制信号。在视频接收电路、储电路、高速度写电路、显示屏控制扫描电路中都进行了抗干扰处理，且有150Hz的显示屏刷新频率，因而具有极强的稳定性与实时性，保证真正24位真彩效果。　　红绿兰三种基色各256级灰度的不同组合能产生的颜色数为：256×256×256 = 16777216种颜色(即16M色)　　非线性γ校正　　视频信号是为满足电视机的发光特性和电特性而设计的，它可以在电视上或显示器上播放。如果对电视信号不作校正，就会产生严重的色彩失真。因此我们对输入的视频信号前端须进行非线性γ校正，校正后的色度空间会有了明显改善。对应于LED大屏幕，物理亮度与灰度值成正比，如不作校正，明显不能满足色彩还原的要求，具体在显示效果上就是：低级灰度跳变很大，而高级灰度又分不清楚。众所周知，人眼对光强的感受是非线性的，弱光时，光强增加一倍，人眼感觉到的增强多于一倍；强光时，光强增加一倍，人眼感觉到的增强不足一倍，因此需要把灰度做非线性变换，使低灰度时时间距小，高灰度时时间距大。所以为保证LED大屏幕色彩完整还原，必须进行反伽玛校正，经过校正以后，使它的特性与CRT相近。我们可以明显看出，经灰度校正后的显示画面会显得纹理清晰，层次感强，亮度柔和，明暗过渡平缓。　　真彩屏白平衡、色偏差及色彩丰富性的技术保证　　白平衡是指当每种基色都达到最高一级的亮度时，在一定的距离以外视觉上呈现出色温为6500K的白色色偏差是指LED发光管尤其是红色发光管的亮度随温度变化而改变的一种现象。色偏差的存在，说明了一个在特定温度下生产调试达到白平衡的显示屏，随着工作温度的变化会失去平衡，或者由于屏内的温度分布不均匀使得整个显示屏播放一段时间后会呈现"花脸"现象。本公司针对真彩显示屏的色偏差而引起的问题，有一套全面的解决方案它能有效地保证真彩显示屏的色彩丰富性和一致性。　　智能监控与保护系统　　智能监控系统由各类传感器、监测系统和控制计算机构成，用于监测显示屏工作环境参数，适时控制相关保护系统，确保显示屏正常工作，性能参数不发生校大的偏移。保护系统包括：散热系统、防水系统、配电系统避雷系统等。　　控制软件　　显示屏系统的正常运行，须有相关软件的支持。我公司软件设计师通过精心编制、组合，创建了一套功能强大、操作简便的软件配置系统。在该套软件系统中，根据软件作用的不同，我们把它们划归为两类：一类为显示控制软件，主要完成文字、动画和视频图像的播放与切换控制，它们是显示屏工作的基本软件；另一类为内容编辑软件主要用于创意制作和图文编辑，它们可使显示屏的显示内容得到不断更新和变换。　　LCD又分 STN TFT TFD等　　1.什么是STN?　　STN（SuperTwistedNematic）是用电场改变原为180度以上扭曲的液晶分子的排列从而改变旋光状态，外加电场通过逐行扫描的方式改变电场，在电场反复改变电压的过程中，每一点的恢复过程较慢，因而产生余辉。STN和TFT最大的两个区别就在于TFT表现效果比STN好，但是STN又比TFT省电。　　2.什么是TFT?　　TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶体管，意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息，是目前最好的LCD彩色显示设备之一，其效果接近CRT显示器，是现在笔记本电脑和台式机上的主流显示设备。TFT的每个像素点都是由集成在自身上的TFT来控制，是有源像素点。因此，不但速度可以极大提高，而且对比度和亮度也大大提高了，同时分辨率也达到了很高水平。　　3.什么是TFD?　　移动电话的进步仍在继续,在这种情况下,人们对LCD性能有了更高的要求.以下是未来移动电话彩色LCD的重要性能特征：(1) 高画质;2) 低功耗;(3) 能够处理活动图像;4) 结构紧凑;爱普生有限公司已经进行了一种有源点阵LCD－D-TFD(数码薄膜二极管)的商业化生产,并已成为主要的数码相机生产商之一。其中的一个重要原因是：低功耗(D-TFD的特点)和高画质/高反应速度(有源点阵LCD的特点)符合数码相机的要求。通过将高画质、低功耗和结构更加紧凑的新技术应用于这种D-TFD,我们高水平地实现了对下一代移动电话的上述四项要求。这种LCD被称为"MD-TFD"。　　4.TFT、STN和TFD液晶显示屏有何不同?　　手机使用的显示屏有STN方式、TFD方式和TFT方式3种类型。其中图像质量最好的是TFT方式，笔记本电脑中所使用的显示屏大部分都是这种类型。但TFT虽然画面精美，耗电量却较大，因而对于手机而言，具有电池不耐用的缺点。STN方式虽然在图像质量方面最差，但是具有耗电量小、成本低的优点。TFD恰恰定位在TFT与STN的中间位置。图像质量虽然略逊于TFT，但耗电量少于TFT 2023-06-25 10:12:551

请问ＬＥＤ显示屏的白平衡怎么计算？谢谢～！ 其工作原理就是利用液晶的物理特性：通电时排列变得有序，使光线容易通过；不通电时排列混乱，阻止光线通过，说简单点就是让液晶如闸门般地阻隔或让光线穿透。 LCD的好处有：与CRT显示器相比，LCD的优点主要包括零辐射、低功耗、散热小、体积小、图像还原精确、字符显示锐利等。选购LCD，有几个基本指针：高亮度:亮度值愈高，画面自然更亮丽，不会朦胧雾雾。亮度的单位为cd/m2，也就是每平方公尺分之烛光。低阶的LCD亮度值，有低到150 cd/m2，而高阶的显示器，则可高达250cd/m2。高对比:对比愈高，色彩更鲜艳饱和，且会显的立体。相反的，对比低，颜色显的贫瘠，影像也会变得平板。对比值的差别颇大，有低到100:1，也有高到600:1，甚至更高。宽广的可视范围:可视范围简单的说，指的是在屏幕前画面可以看的清楚的范围。可视范围愈大，自然可以看的更轻松；愈小，只要观看者稍一变动观看位置，画面可能就会看不清楚了。可视范围的算法是从画面中间，至上、下、左、右四个方向画面清楚的角度范围。数值愈大，范围自然愈广，但四个方向的范围不一定对称。当上下、左右对称时，某些厂商会将两边的角度值相加，标示为水平：160°；垂直：160°；也可能分开标示为左/右：± 80°；上/下：± 80°。某些LCD机种的单一角度，甚至只有40°~50°. 快速讯号反应时间:讯号反应是指系统接收键盘或鼠标的指示后，经CPU计算处理，反应至显示器的时间。讯号反应对动画和鼠标移动非常重要，此现象一般而言，只发生在LCD液晶显示器上，CRT传统显像管显示器则无此问题。讯号反应时间愈快，作业处理自是愈方便。观察的方法是之一是将鼠标快速移动（亦即鼠标不断下指示给系统，系统则不断将讯号反应给显示器），在一般低阶的LCD显示器上，光标在快速移动时，过程中会消失不见，直到鼠标定位，不再移动后一小段时间，才会再度出现；而在一般速度动作时，移动过程亦会清楚的看到鼠标移动痕迹。而VE500的超快讯号反应时间快达16ms（毫秒），则让光标移动无时差，移动过程清楚易见，不带来作业困扰。 LED 发光二极管特征. LED须采用超高亮发光材料，亮高度（UHB）是指发光强度达到或超过100mcd的LED，又称坎德拉（cd）级LED。高亮度A1GaInP和InGaN LED的研制进展十分迅速，现已达到常规材料GaA1As、GaAsP、GaP不可能达到的性能水平。1991年日本东芝公司和美国HP公司研制成 InGaA1P 620nm橙色超高亮度LED，1992年InGaA1p590nm黄色超高亮度LED实用化。同年，东芝公司研制InGaA1P 573nm黄绿色超高亮度LED，法向光强达2cd。1994年日本日亚公司研制成InGaN 450nm蓝（绿）色超高亮度LED。至此，彩色显示所需的三基色红、绿、蓝以及橙、黄多种颜色的LED都达到了坎德拉级的发光强度，实现了超高亮度化、全色化，使发光管的户外全色显示成为现实。发光亮度已高于1000mcd，可满足室外全天候、全色显示的需要，用LED彩色大屏幕可以表现天空和海洋，实现三维动画。新一代红绿、蓝超高亮度LED 达到了前所未有的性能。室外屏象素目前均由红/绿/兰三种基色的若干个单管LED构成，常用成品有象素筒和象素模组两种结构。象素尺寸多为12-26毫米，象素组成：单色以2R/3R/4R、伪彩以1R2YG/1R3YG/1R4YG、真彩以2R1G1B等组成形式居多。室外屏系统方案设计原则（内容不做叙述） △结构设计原则 △亮度与配色依据 △可靠性设计原则 △安全性设计原则 △易管理及可操作性设计原则屏体安装方式 △墙挂式：即显示屏背靠墙面，并固定在墙面上。此方式为常见方式，而且校易实现。 △坐立式：即显示屏坐立在平台上。此方式最易实现，在条件许可的场合应优先采用这种安装方式。 △镶嵌式：即显示屏镶嵌在一个墙框内。此方式不多见，如果墙面凹陷深度不够，须考虑其维护性。 △侧挂式：即显示屏两侧受力，侧挂在两建筑物或立柱之间。此方式常用于空旷场地的屏体悬挂，两立柱依据屏体的悬挂要求搭建。显示控制系统大成显示控制系统由采集/发送子系统和接收/灰度处理子系统两部份组成，其前端为计算机的VGA特征输出接口或带有数字化分量输出的多媒体卡，传输由超五类双绞线实现，后端为电子显示屏显示单元。采集/发送子系统以每秒不少于60幅的帧频采集24 Bits真彩色信号，并以双存贮器交替工作的方式平稳地写入到自带的显示缓存中，在中心处理单元的控制下完成灰度的权值变换，通过LVDS差分至超五类双绞线通道上。超五类双绞线实现采集/发送子系统与接收/灰度处理子系统之间的连接，完成信号的传输。在不带中继的情况下，最长传输距离可达300米。灰度实现描述大成接收/灰度处理子系统自超五类双绞线上接收24 Bits真彩色信号，权值分别为20、21、22、存23、24、25、26、27，每个基色有八个权值分量，通过CPLD控制从而实现256级灰度控制信号。在视频接收电路、储电路、高速度写电路、显示屏控制扫描电路中都进行了抗干扰处理，且有150Hz的显示屏刷新频率，因而具有极强的稳定性与实时性，保证真正24位真彩效果。红绿兰三种基色各256级灰度的不同组合能产生的颜色数为：256×256×256 = 16777216种颜色(即16M色) 非线性γ校正视频信号是为满足电视机的发光特性和电特性而设计的，它可以在电视上或显示器上播放。如果对电视信号不作校正，就会产生严重的色彩失真。因此我们对输入的视频信号前端须进行非线性γ校正，校正后的色度空间会有了明显改善。对应于LED大屏幕，物理亮度与灰度值成正比，如不作校正，明显不能满足色彩还原的要求，具体在显示效果上就是：低级灰度跳变很大，而高级灰度又分不清楚。众所周知，人眼对光强的感受是非线性的，弱光时，光强增加一倍，人眼感觉到的增强多于一倍；强光时，光强增加一倍，人眼感觉到的增强不足一倍，因此需要把灰度做非线性变换，使低灰度时时间距小，高灰度时时间距大。所以为保证LED大屏幕色彩完整还原，必须进行反伽玛校正，经过校正以后，使它的特性与CRT相近。我们可以明显看出，经灰度校正后的显示画面会显得纹理清晰，层次感强，亮度柔和，明暗过渡平缓。真彩屏白平衡、色偏差及色彩丰富性的技术保证白平衡是指当每种基色都达到最高一级的亮度时，在一定的距离以外视觉上呈现出色温为6500K的白色色偏差是指LED发光管尤其是红色发光管的亮度随温度变化而改变的一种现象。色偏差的存在，说明了一个在特定温度下生产调试达到白平衡的显示屏，随着工作温度的变化会失去平衡，或者由于屏内的温度分布不均匀使得整个显示屏播放一段时间后会呈现"花脸"现象。本公司针对真彩显示屏的色偏差而引起的问题，有一套全面的解决方案它能有效地保证真彩显示屏的色彩丰富性和一致性。智能监控与保护系统智能监控系统由各类传感器、监测系统和控制计算机构成，用于监测显示屏工作环境参数，适时控制相关保护系统，确保显示屏正常工作，性能参数不发生校大的偏移。保护系统包括：散热系统、防水系统、配电系统避雷系统等。控制软件显示屏系统的正常运行，须有相关软件的支持。我公司软件设计师通过精心编制、组合，创建了一套功能强大、操作简便的软件配置系统。在该套软件系统中，根据软件作用的不同，我们把它们划归为两类：一类为显示控制软件，主要完成文字、动画和视频图像的播放与切换控制，它们是显示屏工作的基本软件；另一类为内容编辑软件主要用于创意制作和图文编辑，它们可使显示屏的显示内容得到不断更新和变换。 2023-06-25 10:13:041

LED电子屏的性能 超高亮度红A1GaAsLED与GaAsP-GaP LED相比，具有更高的发光效率，透明衬低(TS)A1GaAs LED(640nm)的流明效率已接近10lm/w，比红色GaAsP-GaP LED大10倍。超高亮度InGaAlP LED提供的颜色与GaAsP-GaP LED相同包括:绿黄色(560nm)、浅绿黄色(570nm)、黄色(585nm)、浅黄(590nm)、橙色(605nm)、浅红(625nm深红(640nm)。透明衬底A1GaInP LED发光效率与其它LED结构及白炽光源的比较，InGaAlP LED吸收衬底(AS)的流明效率为101m/w，透明衬底(TS)为201m/w，在590－626nm的波长范围内比GaAsP-GaP LED的流明效率要高10－20倍；在560－570的波长范围内则比GaAsP-GaP LED高出2－4倍。超高亮度InGaN LED提供了兰色光和绿色光，其波长范围兰色为450－480nm，兰绿色为500nm，绿色为520nm；其流明效率为3－151m/w。超高亮度LED的流明效率已超过了带滤光片的白炽灯，可以取代功率1w以内的白炽灯，而且用LED阵列可以取代功率150w以内的白炽灯。对于许多应用，白炽灯都是采用滤光片来得到红色、橙色、绿色和兰色，而用超高亮度LED则可得到相同的颜色。AlGaInP材料和InGaN材料制造的超高亮度LED将多个(红、兰、绿)超高亮度LED芯片组合在一起，不用滤光片也能得到各种颜色。包括红、橙、黄、绿、蓝，其发光效率均已超过白炽灯，正向荧光灯接近。发光亮度已高于1000mcd，可满足室外全天候、全色显示的需要，用LED彩色大屏幕可以表现天空和海洋，实现三维动画。新一代红、绿、蓝超高亮度LED达到了前所未有的性能。 2023-06-25 10:13:111

金源LED 是哪里的 是广东潮州的，在广州、湖南、江西、上海等地方都有分公司和办事处 2023-06-25 10:13:313

吉豪灯饰新可耐LED灯的原理 LED（LightEmittingDiode），发光二极管，是一种能够将电能转化为可见光的固态的半导体器件，它可以直接把电转化为光。LED的是一个半导体的晶片，晶片的一端附在一个支架上，一端是负极，另一端连接电源的正极，使整个晶片被环氧树脂封装起来。半导体晶片由两部分组成，一部分是P型半导体，在它里面空占主导地位，另一端是N型半导体，在这边主要是电子。但这两种半导体连接起来的时候，它们之间就形成一个P-N结。当电流通过导线作用于这个晶片的时候，电子就会被推向P区，在P区里电子跟空复合，然后就会以光子的形式发出能量，这就是LED灯发光的原理。而光的波长也就是光的颜色，是由形成P-N结的材料决定的。最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命，低光视效能的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出光射，峰值550nLED灯m。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到白光。对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。这种通过蓝光LED得到白光的方法，构造简单、成本低廉、技术成熟度高，因此运用最多。 2023-06-25 10:13:381

戴尔笔记本成就1200的液晶显示屏是LCD的?还是LED的?有什么区别? LED 具有节能环保高寿命高亮度价格高等特点 2023-06-25 10:13:495

哪位大虾给介绍一下什么是LED灯 发光二极管组成的照明灯 2023-06-25 10:14:377

稀土发光材料的主要应用 ⑴光源：日光灯 Ca5(PO4）3(Cl,F):[Sb3+,Mn2+]; BaMg2Al16O27:Eu2+; MgAl11O16:[Ce3+,Tb3+]; Y2O3:Eu3+高压汞灯 Y(PV)O4:Eu; YVO4:Eu,Tb黑光灯YPO4:Ce,Th; MgSrBF3:Eu固体光源 GaP;GaAs;GaN;InGaN;YAG:Ce⑵显示：数字符号显示发光二极管（LED)平板图像显示 OLED⑶显像：黑白电视 Gd2O2S:Tb彩色电视 Y2O3:Eu; Y2O2S:Eu飞点扫描 Y2SiO5:CeX射线成像 (Zn,Cd)S:Ag; CaWO4; BaFCl:Eu2+; La2O2S:Tb3+; Gd2O2S:Tb3+⑷探测：闪烁晶体 CsI,TlCl⑸激光：固体激光材料 YAG:Nd3+; YAP:Nd3+; YLF:Nd3+玻璃激光材料掺Nd3+硅酸盐、硼酸盐和磷酸盐玻璃化学计量激光 PrCl3; NdP5O14; NdLiP4O12; NdKP4O12; NdK3(PO4）2; NdAl3(BO3）4; NdK5(MoO4）4液体激光 Eu3+激活的苯酰丙酮（BA）、二苯酰甲烷（DBM）、三氟乙酰丙酮（TFA）和苯三氟丙酮（BTFA）等气体激光 Sm(I),Eu(I),Eu（Ⅱ），Tm(I),Yb(I),Yb（Ⅱ），Yb等金属蒸气 2023-06-25 10:15:021

uvled能杀毒吗？ 对于 uvLED能杀毒吗这个问题可以给出一个明确的答案：可以。不过想要杀毒效果好的uvled，那就要选择对应的uvled。uvled设备根据不同的用途会有不同的效果。比如用于印刷的uvled设备用来消毒就不对头了，医学上还讲究对症下药呢，肯定不能乱套了。有专门的uvLED设备是用来消毒的，效果还是很好的。 uvled杀毒的原理是利用紫外线的特性来实现的。紫外线的波长不同杀毒的效果也是不同的。紫外线消毒属于物理消毒方法，紫外线并不能直接杀死微生物，而是通过破坏微生物的繁殖能力进行灭活。微生物受到紫外线的照射时，其遗传物质核酸DNA和RNA大量吸取紫外线的能量而被摧毁，失去分裂复制能力，最后自然死亡或是被免疫系统消灭，而失去对人体的致病能力。人眼可见的光谱范围一般为400-700nm，波长大于100nm、小于400nm的电磁波就称之为紫外线。原子或分子外层电子获得能量后受激发越迁到激发态，电子在激发态不能稳定停留而向基态跃迁，在此过程中以光子的形式辐射出能量，即紫外线。按紫外线的生物效应可将紫外线按波长从高到低划分为以下四个波段： UV-A(400-315nm)：也称为黑光，波长最长，能量最低，占有自然界紫外光的最大份额。能引起皮肤的色素沉淀产生黑斑，故又称致黑斑紫外线; UV-B(315-280nm)：是自然界紫外光中最具破坏性的部分，会导致皮肤晒伤，产生红斑，部分可被大气臭氧层吸收，又称致红斑紫外线; UV-C(280-200nm)：全部被大气层吸收，通常只能用人造光源生成。用于杀菌消毒的是波段中波长为的紫外线。真空紫外线(200-100nm)：无法进入大气层，存在于太空中。根据研究得出遗传物质核酸DNA和RNA对紫外线吸收光谱的范围为250-280nm，传统低压汞灯的发光谱线主要有254nm和185nm两条，因此当紫外灯波长为254nm时，核酸对紫外线有最大吸收，即杀菌效果最好。随着由白光LED固态照明引发的第三次照明革命的火热进行，人们逐渐将研究重心转向以高Al组分Ⅲ族氮化物为结构材料的紫外LED。紫外LED在医疗、杀菌、印刷、照明、数据存储、以及保密通信等方面都有重大应用价值。并且与汞灯和疝灯等传统气体紫外光源相比，UV LED具有强大的优势。紫外光源的诞生使得紫外线开始得到真正地应用。气体放电光源是深紫外LED诞生前传统紫外光源的主要形式。气体放电光源的光谱辐射范围覆盖紫外区域，效率最高为60%，寿命为100-1000小时。气体放电光源内部主要充的是氩气和汞蒸汽。按照汞蒸汽在灯管内的压力高低将汞灯分为低压、高压和超高压汞灯。根据使用电极的不同低压汞灯又可分为热阴极低压汞灯和冷阴极低压汞灯。热阴极汞灯是弧光放电灯，采用三元盐氧化物作阴极。冷热阴极汞灯属于辉光放电灯，采用纯金属作阴极。 UVLED(紫外LED)的组成：由夹在较薄GaN三明治结构中给一个或多个InGaN量子阱组成，形成的有源区为覆层。通过改变InGaN量子阱中InN-GaN的相对比例，发射波长可由紫光变到其他光。AlGaN通过改变AlN比例能用于制作UVLED中的覆层和量子阱层，但这些器件的效率和成熟度较差。如果有源量子阱层是GaN，与之相对是InGaN或AlGaN合金，则器件发射的光谱范围为350~370nm。当蓝色InGaN发光二极管泵处短的电子脉冲时，则产生紫外线辐射。含铝的氮化物，特别是AlGaN和AlGaInN可以制作更短波长的器件，获得系列波长的UVLED。波长可达247nm的二极管已经商业化，基于氮化铝、可发射210nm紫外线辐射的LED已研制成功，250~270nm波段的UVLED也在大力研制中。新型紫外线输出光源UV LED，与汞灯和疝灯等传统气体紫外光源相比具有强大的优势，其主要特点如下： (1)开闭次数不影响使用寿命;而传统紫外光源汞灯的紫外线福射强度随着累计开启次数和点燃时间的增加而降低; (2)使用寿命长，超过20000小时，传统紫外光源的寿命为100-1000小时; (3)高效节能，传统紫外光源的光电转换效率最高位60%; (4)光谱集中，紫外光占所有光输出的98%以上，没有传统光源所附带的红外福射; (5)体积小，体积仅为0.1cm3，能随意组装成各种形式的灯阵，应用于不同需求; (6)主波峰狭窄单一：90%以上光输出集中在主波峰附近±10nm范围内; (7)直流低压驱动：适合便携UV设备; (8)输出功率稳定、连续可调; (9)瞬间出光：不需要预热时间，响应时间为微秒级; (10)环保：不含汞，无重金属污染。紫外线杀菌UV灯可发出波长为253.7nm的紫外线，最容易被细菌和病毒的蛋白质、核酸吸收，可使蛋白质发生变性离解，核酸中形成胸腺嘧啶二聚体，破坏各种病毒和细菌的DNA和RNA结构，从而在几秒时间内导致细菌和病毒死亡，杀菌效率高达99%，可以杀死其他消毒方法不能杀菌的细菌。 (1)细菌类(超过18种)，如：大肠肝菌、杆状菌、埃希氏菌、克吕二氏杆菌、肺结核菌、奈瑟氏球菌、沙门氏菌等; (2)霉菌类(超过8种)，如：青霉菌、黑霉菌、毛霉菌、大粪真菌等; (3)滤过性病毒类(超过10种)，如：肝炎病毒、流感病毒、小儿麻痹病毒等等。自此对于 uvled能杀毒吗已经有了明确的答案：uvled能杀毒。当然uvled还有其他的用途。 2023-06-25 10:15:171

关于LED发光二极管 这个应该属于商业秘密的范畴吧?! 2023-06-25 10:15:285

我国氮化镓生产巨头 国内有多家氮化镓龙头企业，各自有主打产品，并没有某一个企业垄断了一种化工原料的现象出现。下面梳理一下国内比较知名的氮化镓企业。一、三安光电化合物半导体代工，已完成部分GaN的产线布局，是氮化镓的龙头。三安光电主要从事全色系超高亮度LED外延片、芯片、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料、微波通讯集成电路与功率器件、光通讯元器件等的研发、生产与销售，产品性能指标居国际先进水平。二、闻泰科技其安世入股的Transphorm获得了车规级认证，车载GaN已经量产，全球最优质的氮化镓供应商之一。公司主营通讯和半导体两大业务板块，目前已经形成从芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试到产业物联网、通讯终端、笔记本电脑、IoT、汽车电子产品研发制造于一体的庞大产业布局。通讯业务板块包括手机、平板、笔电、IoT、汽车电子等领域。三、耐威科技公司目前的第三代半导体业务主要是指GaN(氮化镓)材料的生长与器件的设计，公司已成功研制8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。北京耐威科技股份有限公司以传感技术为核心，紧密围绕物联网、特种电子两大产业链，一方面大力发展MEMS、导航、航空电子三大核心业务，一方面积极布局无人系统、第三代半导体材料和器件等潜力业务，致力于成为具备高竞争门槛的一流民营科技企业集团。公司主要产品及业务包括MEMS芯片的工艺开发及晶圆制造、导航系统及器件、航空电子系统等，应用领域包括通信、生物医疗、工业科学、消费电子、航空航天、智能交通等。公司业务遍及全球，客户包括特种电子用户以及全球DNA/RNA测序仪巨头、新型超声设备巨头、网络通信和应用巨头以及工业和消费细分行业的领先企业。四、南大光电公司的高纯磷烷、砷烷研发和产业化项目已经列入国家科技重大专项。高纯磷烷和高纯砷烷都是LED、超大规模集成电路、砷化镓太阳能电池的重要原材料。MO源是MOCVD技术生长化合物半导体超薄型膜材料的支撑材料。化合物半导体主要用于制造高亮度发光管、高迁移率晶体管、半导体激光器、太阳能电池等器件，在红外探测、超高速计算机等方面的应用也有着光明的前景。五、海陆重工旗下江苏能华微电子科技发展有限公有专业研发、生产以氮化镓( GaN)为代表的复合半导体高性能晶圆，并用其做成功率器件。苏州海陆重工股份有限公司位于江苏省张家港市开发区，是国内一流的节能环保设备的专业设计制造企业，目前并已初步形成锅炉产品、大型压力容器、核电设备、低温产品、环保工程共同发展的业务格局。扩展资料一、氮化镓在新型电子器件中的应用GaN材料系列具有低的热产生率和高的击穿电场，是研制高温大功率电子器件和高频微波器件的重要材料。目前，随着 MBE技术在GaN材料应用中的进展和关键薄膜生长技术的突破，成功地生长出了GaN多种异质结构。用GaN材料制备出了金属场效应晶体管（MESFET）、异质结场效应晶体管(HFET)、调制掺杂场效应晶体管（MODFET）等新型器件。调制掺杂的AlGaN/GaN结构具有高的电子迁移率(2000cm2/v·s)、高的饱和速度(1×107cm/s)、较低的介电常数，是制作微波器件的优先材料；GaN较宽的禁带宽度(3.4eV) 及蓝宝石等材料作衬底，散热性能好，有利于器件在大功率条件下工作。二、氮化镓在光电器件中的应用GaN材料系列是一种理想的短波长发光器件材料，GaN及其合金的带隙覆盖了从红色到紫外的光谱范围。自从1991年日本研制出同质结GaN蓝色 LED之后，InGaN/AlGaN双异质结超亮度蓝色LED、InGaN单量子阱GaNLED相继问世。目前，Zcd和6cd单量子阱GaN蓝色和绿色 LED已进入大批量生产阶段，从而填补了市场上蓝色LED多年的空白。以发光效率为标志的LED发展历程见图3。蓝色发光器件在高密度光盘的信息存取、全光显示、激光打印机等领域有着巨大的应用市场。随着对Ⅲ族氮化物材料和器件研究与开发工作的不断深入，GaInN超高度蓝光、绿光LED技术已经实现商品化，现在世界各大公司和研究机构都纷纷投入巨资加入到开发蓝光LED的竞争行列。 2023-06-25 10:15:571

咖啡的故乡是哪个洲 非洲 2023-06-25 10:16:1710

发光二极管的原理 它是半导体二极管的一种，可以把电能转化成光能。发光二极管与普通二极管一样是由一个PN结组成，也具有单向导电性。当给发光二极管加上正向电压后，从P区注入到N区的空穴和由N区注入到P区的电子，在PN结附近数微米内分别与N区的电子和P区的空穴复合，产生自发辐射的荧光。不同的半导体材料中电子和空穴所处的能量状态不同。当电子和空穴复合时释放出的能量多少不同，释放出的能量越多，则发出的光的波长越短。常用的是发红光、绿光或黄光的二极管。发光二极管的反向击穿电压大于5伏。它的正向伏安特性曲线很陡，使用时必须串联限流电阻以控制通过二极管的电流。限流电阻R可用下式计算： R=（E－UF）/IF式中E为电源电压，UF为LED的正向压降，IF为LED的正常工作电流。发光二极管的核心部分是由P型半导体和N型半导体组成的晶片，在P型半导体和N型半导体之间有一个过渡层，称为PN结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。以下是传统发光二极管所使用的无机半导体物料和所它们发光的颜色 LED材料材料化学式颜色铝砷化镓砷化镓砷化镓磷化物磷化铟镓铝磷化镓（掺杂氧化锌) AlGaAs GaAsP AlGaInP GaP:ZnO红色及红外线铝磷化镓铟氮化镓/氮化镓磷化镓磷化铟镓铝铝磷化镓 InGaN/GaN GaP AlGaInP AlGaP绿色磷化铝铟镓砷化镓磷化物磷化铟镓铝磷化镓 GaAsPAlGaInP AlGaInP GaP高亮度的橘红色，橙色，黄色，绿色磷砷化镓 GaAsP 红色，橘红色，黄色磷化镓硒化锌铟氮化镓碳化硅 GaP ZnSe InGaN SiC红色，黄色，绿色氮化镓(GaN) 　绿色，翠绿色，蓝色铟氮化镓 InGaN近紫外线，蓝绿色，蓝色碳化硅(用作衬底) SiC蓝色硅(用作衬底) Si蓝色蓝宝石(用作衬底) Al2O3蓝色硒化锌 ZnSe蓝色钻石 C　　紫外线氮化铝,氮化铝镓 AlN AlGaN波长为远至近的紫外线白光LED1993年，当时在日本Nichia Corporation（日亚化工）工作的中村修二（Shuji Nakamura）发明了基于宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）和铟氮化稼（InGaN）的具有商业应用价值的蓝光LED，这类LED在1990 年代后期得到广泛应用。理论上蓝光LED结合原有的红光LED和绿光LED可产生白光，但白光LED却很少是这样造出来的。现时生产的白光LED大部分是通过在蓝光LED(near-UV，波长450nm至470nm)上覆盖一层淡黄色荧光粉涂层制成的，这种黄色磷光体通常是通过把掺了铈的钇铝石榴石(Ce3+:YAG)晶体磨成粉末后混和在一种稠密的黏合剂中而制成的。当LED芯片发出蓝光，部分蓝光便会被这种晶体很高效地转换成一个光谱较宽（光谱中心约为580nm）的主要为黄色的光。（实际上单晶的掺Ce的YAG被视为闪烁器多于磷光体。）由于黄光会刺激肉眼中的红光和绿光受体，再混合LED本身的蓝光，使它看起来就像白色光，而其的色泽常被称作“月光的白色”。这种制作白光LED的方法是由Nichia Corporation所开发并从1996年开始用在生产白光LED上。若要调校淡黄色光的颜色，可用其它稀土金属铽或钆取代Ce3+:YAG中掺入的铈(Ce)，甚至可以以取代YAG中的部份或全部铝的方式做到。而基于其光谱的特性，红色和绿色的对象在这种LED照射下看起来会不及阔谱光源照射时那么鲜明。另外由于生产条件的变异，这种LED的成品的色温并不统一，从暖黄色的到冷的蓝色都有，所以在生产过程中会以其出来的特性作出区分。另一个制作的白光LED的方法则有点像日光灯，发出近紫外光的LED会被涂上两种磷光体的混合物，一种是发红光和蓝光的铕，另一种是发绿光的，掺杂了硫化锌(ZnS)的铜和铝。但由于紫外线会使黏合剂中的环氧树脂裂化变质，所以生产难度较高，而寿命亦较短。与第一种方法比较，它效率较低而产生较多热(因为StokesShift前者较大)，但好处是光谱的特性较佳，产生的光比较好看。而由于紫外光的LED功率较高，所以其效率虽比较第一种方法低，出来的亮度却相若。最新一种制造白光LED的方法没再用上磷光体。新的做法是在硒化锌(ZnSe)基板上生长硒化锌的磊晶层。通电时其活跃地带会发出蓝光而基板会发黄光，混合起来便是白色光。极性发光二极管的两根引线中较长的一根为正极，应接电源正极。有的发光二极管的两根引线一样长，但管壳上有一凸起的小舌，靠近小舌的引线是正极。LED单向导通性LED只能往一个方向导通（通电），叫作正向偏置（正向偏压），当电流流过时，电子与空穴在其内复合而发出单色光，这叫电致发光效应，而光线的波长、颜色跟其所采用的半导体材料种类与掺入的元素杂质有关。具有效率高、寿命长、不易破损、开关速度高、高可靠性等传统光源不及的优点。白光LED的发光效率，在近几年来已经有明显的提升，同时，在每千流明的购入价格上，也因为投入市场的厂商相互竞争的影响，而明显下降。虽然越来越多人使用LED照明作办公室、家具、装饰、招牌甚至路灯用途，但在技术上，LED在光电转换效率(有效照度对用电量的比值)上仍然低于新型的荧光灯，是国家以后发展民用的去向。特性与白炽灯泡和氖灯相比，发光二极管的特点是：工作电压很低（有的仅一点几伏）；工作电流很小（有的仅零点几毫安即可发光）；抗冲击和抗震性能好，可靠性高，寿命长；通过调制通过的电流强弱可以方便地调制发光的强弱。由于有这些特点，发光二极管在一些光电控制设备中用作光源，在许多电子设备中用作信号显示器。把它的管心做成条状，用7条条状的发光管组成7段式半导体数码管，每个数码管可显示0～9，10个阿拉伯数字以及A，B，C，D，E，F等部分字母（必须区分大小写）。参数LED的光学参数中重要的几个方面就是：光通量、发光效率、发光强度、光强分布、波长。发光效率和光通量发光效率就是光通量与电功率之比，单位一般为lm/W。发光效率代表了光源的节能特性，这是衡量现代光源性能的一个重要指标。发光强度和光强分布LED发光强度是表征它在某个方向上的发光强弱，由于LED在不同的空间角度光强相差很多，随之而来我们研究了LED的光强分布特性。这个参数实际意义很大，直接影响到LED显示装置的最小观察角度。比如体育场馆的LED大型彩色显示屏，如果选用的LED单管分布范围很窄，那么面对显示屏处于较大角度的观众将看到失真的图像。而且交通标志灯也要求较大范围的人能识别。波长对于LED的光谱特性我们主要看它的单色性是否优良，而且要注意到红、黄、蓝、绿、白色LED等主要的颜色是否纯正。因为在许多场合下，比如交通信号灯对颜色就要求比较严格，不过据观察我国的一些LED信号灯中绿色发蓝，红色的为深红，从这个现象来看我们对LED的光谱特性进行专门研究是非常必要而且很有意义的。 2023-06-25 10:17:001

手机的信号灯，是什么做的，为什么质量这么好？ LED一、LED的结构及发光原理50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。LED结构图如下图所示发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。二、LED光源的特点1. 电压：LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。2. 效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80%3. 适用性：很小，每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境4. 稳定性：10万小时，光衰为初始的50%5. 响应时间：其白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级6. 对环境污染：无有害金属汞7. 颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带隙，实现红黄绿兰橙多色发光。如小电流时为红色的LED，随着电流的增加，可以依次变为橙色，黄色，最后为绿色8. 价格：LED的价格比较昂贵，较之于白炽灯，几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当，而通常每组信号灯需由上300～500只二极管构成。三、单色光LED的种类及其发展历史最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约0.1流明/瓦。70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λp=555nm），黄光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。到了80年代初，出现了GaAlAs的LED光源，使得红色LED的光效达到10流明/瓦。90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在红、橙区（λp=615nm）的光效达到100流明/瓦，而后者制成的LED在绿色区域（λp=530nm）的光效可以达到50流明/瓦。四、单色光LED的应用最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命，低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。1987年，我国开始在汽车上安装高位刹车灯，由于LED响应速度快（纳秒级），可以及早让尾随车辆的司机知道行驶状况，减少汽车追尾事故的发生。另外，LED灯在室外红、绿、蓝全彩显示屏，匙扣式微型电筒等领域都得到了应用。五、白光LED的开发对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。（如下图所示）表一列出了目前白色LED的种类及其发光原理。目前已商品化的第一种产品为蓝光单晶片加上YAG黄色荧光粉，其最好的发光效率约为25流明/瓦，YAG多为日本日亚公司的进口，价格在2000元/公斤；第二种是日本住友电工亦开发出以ZnSe为材料的白光LED，不过发光效率较差。从表中也可以看出某些种类的白色LED光源离不开四种荧光粉：即三基色稀土红、绿、蓝粉和石榴石结构的黄色粉，在未来较被看好的是三波长光，即以无机紫外光晶片加R.G.B三颜色荧光粉，用于封装LED白光，预计三波长白光LED今年有商品化的机机会。但此处三基色荧光粉的粒度要求比较小，稳定性要求也高，具体应用方面还在探索之中。表一白色 LED 的种类和原理芯片数激发源发光材料发光原理1蓝色LEDInGaN/YAGInGaN的蓝光与YAG的黄光混合成白光蓝色LEDInGaN/荧光粉InGaN的蓝光激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光蓝色LEDZnSe由薄膜层发出的蓝光和在基板上激发出的黄光混色成白光紫外LEDInGaN/荧光粉InGaN的紫外激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光2蓝色LED黄绿LEDInGaN、GaP将具有补色关系的两种芯片封装在一起，构成白色LED3蓝色LED绿色LED红色LEDInGaNAlInGaP将发三原色的三种小片封装在一起，构成白色LED多个多种光色的LEDInGaN、GaPAlInGaP将遍布可见光区的多种光芯片封装在一起，构成白色LED采用LED光源进行照明，首先取代耗电的白炽灯，然后逐步向整个照明市场进军，将会节约大量的电能。近期，白色LED已达到单颗用电超过1瓦，光输出25流明，也增大了它的实用性。表二和表三列出了白色LED的效能进展。表二单颗白色L ED 的效能进展年份发光效能（流明/瓦）备注1998519915相若白炽灯200125相若卤钨灯200550估计表三长远发展目标单颗白色LED输入功率10瓦发光效能100流明/瓦输出光能1000流明/瓦六、业界概况在LED业者中，日亚化学是最早运用上述技术工艺研发出不同波长的高亮度LED，以及蓝紫光半导体激光（Laser Diode；LD），是业界握有蓝光LED专利权的重量级业者。在日亚化学取得兰色LED生产及电极构造等众多基本专利后，坚持不对外提供授权，仅采自行生产策略，意图独占市场，使得蓝光LED价格高昂。但其他已具备生产能力的业者相当不以为然，部分日系LED业者认为，日亚化工的策略，将使日本在蓝光及白光LED竞争中，逐步被欧美及其他国家的LED业者抢得先机，届时将对整体日本LED产业造成严重伤害。因此许多业者便千方百计进行蓝光LED的研发生产。目前除日亚化学和住友电工外，还有丰田合成、罗沐、东芝和夏普，美商Cree，全球3大照明厂奇异、飞利浦、欧司朗以及HP、Siemens、 Research、EMCORE等都投入了该产品的研发生产，对促进白光LED产品的产业化、市场化方面起到了积极的促进作用 2023-06-25 10:17:141

我想知道LED这几个字母代表什么!可否解释得出来! 在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。 LED的发光颜色和发光效率与制作LED的材料和工艺有关，目前广泛使用的有红、绿、蓝三种。由于LED工作电压低（仅1.5-3V），能主动发光且有一定亮度，亮度又能用电压（或电流）调节，本身又耐冲击、抗振动、寿命长（10万小时），所以在大型的显示设备中，目前尚无其他的显示方式与LED显示方式匹敌。把红色和绿色的LED放在一起作为一个像素制作的显示屏叫双基色屏或伪彩色屏；把红、绿、蓝三种LED管放在一起作为一个像素的显示屏叫三基色屏或全彩屏。制作室内LED屏的像素尺寸一般是2-10毫米，常常采用把几种能产生不同基色的LED管芯封装成一体，室外LED屏的像素尺寸多为12-26毫米，每个像素由若干个各种单色LED组成，常见的成品称像素筒或像素模块。 LED显示屏如果想要显示图象，则需要构成像素的每个LED的发光亮度都必须能调节，其调节的精细程度就是显示屏的灰度等级。灰度等级越高，显示的图像就越细腻，色彩也越丰富，相应的显示控制系统也越复杂。在当前的技术水平下，256级灰度的图像，颜色过渡已十分柔和，图像还原效果比较令人满意。资料显示，LED光源比白炽灯节电87%、比荧光灯节电50%，而寿命比白炽灯长20~30倍、比荧光灯长10倍。LED光源因具有节能、环保、长寿命、安全、响应快、体积小、色彩丰富、可控等系列独特优点，被认为是节电降能耗的最佳实现途径。 2023-06-25 10:17:353

LED的灯为什么会节能？

分类: 电脑/网络解析: LED灯有好多种有led照明灯 led灯带 led灯杯求购led灯 led节能灯 led装饰灯 led地埋灯 led轮廓灯 led投光灯。。。。一、LED的结构及发光原理 50年前人们已经了解半导体材料可产生光线的基本知识，第一个商用二极管产生于1960年。LED是英文light emitting diode（发光二极管）的缩写，它的基本结构是一块电致发光的半导体材料，置于一个有引线的架子上，然后四周用环氧树脂密封，起到保护内部芯线的作用，所以LED的抗震性能好。 LED结构图如下图所示发光二极管的核心部分是由p型半导体和n型半导体组成的晶片，在p型半导体和n型半导体之间有一个过渡层，称为p-n结。在某些半导体材料的PN结中，注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来，从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压，少数载流子难以注入，故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管，通称LED。当它处于正向工作状态时（即两端加上正向电压），电流从LED阳极流向阴极时，半导体晶体就发出从紫外到红外不同颜色的光线，光的强弱与电流有关。二、LED光源的特点 1. 电压：LED使用低压电源，供电电压在6-24V之间，根据产品不同而异，所以它是一个比使用高压电源更安全的电源，特别适用于公共场所。 2. 效能：消耗能量较同光效的白炽灯减少80% 3. 适用性：很小，每个单元LED小片是3-5mm的正方形，所以可以制备成各种形状的器件，并且适合于易变的环境 4. 稳定性：10万小时，光衰为初始的50% 5. 响应时间：其白炽灯的响应时间为毫秒级，LED灯的响应时间为纳秒级 6. 对环境污染：无有害金属汞 7. 颜色：改变电流可以变色，发光二极管方便地通过化学修饰方法，调整材料的能带结构和带隙，实现红黄绿兰橙多色发光。如小电流时为红色的LED，随着电流的增加，可以依次变为橙色，黄色，最后为绿色 8. 价格：LED的价格比较昂贵，较之于白炽灯，几只LED的价格就可以与一只白炽灯的价格相当，而通常每组信号灯需由上300～500只二极管构成。三、单色光LED的种类及其发展历史最早应用半导体P-N结发光原理制成的LED光源问世于20世纪60年代初。当时所用的材料是GaAsP，发红光（λp=650nm），在驱动电流为20毫安时，光通量只有千分之几个流明，相应的发光效率约0.1流明/瓦。 70年代中期，引入元素In和N，使LED产生绿光（λp=555nm），黄光（λp=590nm）和橙光（λp=610nm），光效也提高到1流明/瓦。到了80年代初，出现了GaAlAs的LED光源，使得红色LED的光效达到10流明/瓦。 90年代初，发红光、黄光的GaAlInP和发绿、蓝光的GaInN两种新材料的开发成功，使LED的光效得到大幅度的提高。在2000年，前者做成的LED在红、橙区（λp=615nm）的光效达到100流明/瓦，而后者制成的LED在绿 *** 域（λp=530nm）的光效可以达到50流明/瓦。四、单色光LED的应用最初LED用作仪器仪表的指示光源，后来各种光色的LED在交通信号灯和大面积显示屏中得到了广泛应用，产生了很好的经济效益和社会效益。以12英寸的红色交通信号灯为例，在美国本来是采用长寿命，低光效的140瓦白炽灯作为光源，它产生2000流明的白光。经红色滤光片后，光损失90%，只剩下200流明的红光。而在新设计的灯中，Lumileds公司采用了18个红色LED光源，包括电路损失在内，共耗电14瓦，即可产生同样的光效。汽车信号灯也是LED光源应用的重要领域。1987年，我国开始在汽车上安装高位刹车灯，由于LED响应速度快（纳秒级），可以及早让尾随车辆的司机知道行驶状况，减少汽车追尾事故的发生。另外，LED灯在室外红、绿、蓝全彩显示屏，匙扣式微型电筒等领域都得到了应用。五、白光LED的开发对于一般照明而言，人们更需要白色的光源。1998年发白光的LED开发成功。这种LED是将GaN芯片和钇铝石榴石（YAG）封装在一起做成。GaN芯片发蓝光（λp=465nm，Wd=30nm），高温烧结制成的含Ce3+的YAG荧光粉受此蓝光激发后发出黄色光发射，峰值550nm。蓝光LED基片安装在碗形反射腔中，覆盖以混有YAG的树脂薄层，约200-500nm。 LED基片发出的蓝光部分被荧光粉吸收，另一部分蓝光与荧光粉发出的黄光混合，可以得到得白光。现在，对于InGaN/YAG白色LED，通过改变YAG荧光粉的化学组成和调节荧光粉层的厚度，可以获得色温3500-10000K的各色白光。（如下图所示）表一列出了目前白色LED的种类及其发光原理。目前已商品化的第一种产品为蓝光单晶片加上YAG黄色荧光粉，其最好的发光效率约为25流明/瓦，YAG多为日本日亚公司的进口，价格在2000元/公斤；第二种是日本住友电工亦开发出以ZnSe为材料的白光LED，不过发光效率较差。从表中也可以看出某些种类的白色LED光源离不开四种荧光粉：即三基色稀土红、绿、蓝粉和石榴石结构的黄色粉，在未来较被看好的是三波长光，即以无机紫外光晶片加R.G.B三颜色荧光粉，用于封装LED白光，预计三波长白光LED今年有商品化的机机会。但此处三基色荧光粉的粒度要求比较小，稳定性要求也高，具体应用方面还在探索之中。表一白色 LED 的种类和原理芯片数激发源发光材料发光原理 1 蓝色LED InGaN/YAG InGaN的蓝光与YAG的黄光混合成白光蓝色LED InGaN/荧光粉 InGaN的蓝光激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光蓝色LED ZnSe 由薄膜层发出的蓝光和在基板上激发出的黄光混色成白光紫外LED InGaN/荧光粉 InGaN的紫外激发的红绿蓝三基色荧光粉发白光 2 蓝色LED 黄绿LED InGaN、GaP 将具有补色关系的两种芯片封装在一起，构成白色LED 3 蓝色LED 绿色LED 红色LED InGaN AlInGaP 将发三原色的三种小片封装在一起，构成白色LED 多个多种光色的LED InGaN、GaP AlInGaP 将遍布可见光区的多种光芯片封装在一起，构成白色LED 采用LED光源进行照明，首先取代耗电的白炽灯，然后逐步向整个照明市场进军，将会节约大量的电能。近期，白色LED已达到单颗用电超过1瓦，光输出25流明，也增大了它的实用性。表二和表三列出了白色LED的效能进展。表二单颗白色L ED 的效能进展年份发光效能（流明/瓦）备注 1998 5 199 15 相若白炽灯 2001 25 相若卤钨灯 2005 50 估计表三长远发展目标单颗白色LED 输入功率 10瓦发光效能 100流明/瓦输出光能 1000流明/瓦六、业界概况在LED业者中，日亚化学是最早运用上述技术工艺研发出不同波长的高亮度LED，以及蓝紫光半导体激光（Laser Diode；LD），是业界握有蓝光LED专利权的重量级业者。在日亚化学取得兰色LED生产及电极构造等众多基本专利后，坚持不对外提供授权，仅采自行生产策略，意图独占市场，使得蓝光LED价格高昂。但其他已具备生产能力的业者相当不以为然，部分日系LED业者认为，日亚化工的策略，将使日本在蓝光及白光LED竞争中，逐步被欧美及其他国家的LED业者抢得先机，届时将对整体日本LED产业造成严重伤害。因此许多业者便千方百计进行蓝光LED的研发生产。目前除日亚化学和住友电工外，还有丰田合成、罗沐、东芝和夏普，美商Cree，全球3大照明厂奇异、飞利浦、欧司朗以及HP、Siemens、 Research、EMCORE等都投入了该产品的研发生产，对促进白光LED产品的产业化、市场化方面起到了积极的促进作用。

2023-06-25 10:17:431

请问有谁知道"LED的发光带"是一个什么东西,在那里可以找到,谢谢 武汉博隆电子，专业安防设计施工一级。系统集成、LED、安防产品！有意向给我发个邮件，我和你联系！ 2023-06-25 10:17:583

为什么银离子的配位数是2？ 那你是怎么了？上来我来了了了了了，李佳雨，李佳雨，李佳雨，李佳雨，你的英语诚意，你诚信，李辰逸辰逸辰逸辰逸宸宸 2023-06-25 10:18:203

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