bcd semiconductor中文叫什么

应该是“开”的意思吧。

安森美品牌

onsemi工厂在深圳市南山区西丽留仙洞第三工业区。深圳南山安森美半导体有限公司（onsemi）位于深圳市南山区西丽留仙洞第三工业区，目前员工人数近600人。是美国安森美集团（ONSemiconductor）的全资附属机构，成立于1984年11月，是国内首家从事半导体行业的外商投资企业。

fairchild semiconductor 目前隶属于 on semiconductoron semiconductor 在2015年宣布将以24亿美元收购 fairchild semiconductor这桩收购在2016年完成

是安森美家的。据查询电子发烧友相关信息得知安森美半导体-ONSemiconductor（纳斯达克上市代号：ON）是总部位于美国亚利桑那州菲尼克斯城的高性能半导体制造商。集团致力于推动高能效电子的创新，使客户能够减少全球的能源使用。

不是。ON是半导体元件制造商ONSemiconductorCorporation，STM是总部位于瑞士的芯片制造商STMicroelectronics。电动汽车热潮最佳的三支芯片股：WOLF、ON和STM。FirsthandCapitalManagement的KevinLandis将押注三支芯片股，认为这三支股能搭乘上电动汽车的浪潮——即使经济低迷。

ON Semiconductor公司的代理商有：1.Premier Farnell 2.AO-Electronics (傲壹电子)3.Digi-Key (得捷电子)4.Arrow (艾睿电子)

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热水器off是开还是关的意思 热水器off是开还是关的意思，热水器在每个家庭都有，在我们的生活中有很多的作用，几乎每家每户都有热水器的存在，那么，热水器off是开还是关的意思呢？下面和我来看一看吧。 热水器off是开还是关的意思1 off是开启还是关闭的意思？ “ off”是开启还是关闭： 关闭。 off其他解释： 1.prep.从…落下；离开；从…去掉；下班。 2.adv.离开；距，离；被取消；下班。 3.adj.不新鲜的；不能接受；不礼貌。 4.n.起跑。 5.v.杀死。 on：打开。 其他释义： n 安森美半导体（ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN）是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。 热水器off是开还是关的意思2 热水器off是什么意思 如果热水器上显示off的英文，说明热水器是关闭的，关闭状态下的`热水器是不会加热的。需要开机才会加热。 1、这时检查电源是否接通， 2、若带漏电保护器，查是否按下复位按钮，正常工作时应按下。 3、查超温保护器是否动作，因为干烧极可能导致该器件断开热水器电源，方法是按下超温器中间的复位打推杆。 4、检查显示屏与电源板相连的信号排线是否插接到位。 电热水器使用方法 1、插上电源，按下电热水器的开关按钮，同时设置一下水温。一般情况下，我都设置在45度，冬天的话，温度可以相对地调高一点。 2、等水烧开了之后，先把阀门调至中间位置，放会水，试下水温不凉了再开始使用。(一般阀门左侧标有H字样是热水，右侧标有C是冷水。热水显示红色标识，冷水显示蓝色表示。) 3、等水温恒定了之后可以使用，因为电热水器四周都是水，很容易触电，所以，在使用过程中尽量不要用手或者其它部位触碰其它地方，尤其是电源周围。 4、使用电热水器时，当打开水阀而没有出水时，要立即断开电源，防止因故障使电热水器在无流动水的情况下工作而损坏。 5、如果水压或电压过低，应暂停使用。 6、使用完毕后，先关闭电热水器上的开关，等手擦干之后，再拔掉电源。 热水器off是开还是关的意思3 关 off是关。正常来讲，日常习惯中，我们认为ON是打开的意思，OFF是关闭的意思，很多软件或者开关都是用ON和OFF做依据的，英文中也是一样。 在日常生活中，我们经常可以看到一些电器或者东西上面有off或者on的英文标记，开关上的ON和OFF表示的是电源的开状态与关闭状态，并不是英文的缩写，是英文的全称，ON是开，OFF是关。 on词汇分析音标：英 [n]释义：adv. 向前地；作用中，行动中；adj. 开着的；发生着的，正在进行中。on表示连接的、接通的意思，所以on是打开的意思。 off词汇分析音标：英 [f]释义：prep. 离开；脱落adv. 切断；走开adj. 远离的；空闲的OFF表示关闭或离开状态的意思，所以OFF是关闭的意思。

1、ON是一个英文单词，同任何一个英文单词一样，可作为某一机构或者装置的简称，但其主要是作为单词来使用，可作为介词、副词、形容词等，且后面加名词。2、家里的电器开关都有ON/OFF，ON代表开、正在工作的意思，OFF代表关、关闭的意思。3、ON作为介词，可以表示处于...状态、进行中，比如：The tap was on。这盏灯开着。扩展资料：ON作为名词的引用：1、安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。2、ON可以代表一个公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。参考资料：百度百科-on

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怎么帮显卡加电压? 如果连英文都不会，建议还是尽量不要加电压。默认电压最安全，也最稳定。如果只是小超频一下，也无须增加电压的。而且只加电压不改其它设置也是不行的。如果要大大地超频，首先检查所有配件是否搭配合理，有无超频的意义。另外还要多准备点钱，烧坏之后可以再买新的。加电压之后，增加功耗、降低系统稳定性还是其次，主要是很容易烧坏东西，到时候可就欲哭无泪啦。 如何在BIOS里给显卡加电压！ 你饥有将电源的四针接口给显卡单独供电吧 有些是需要插到主板特点位置的 不清楚你是什么版本的bios 如果是award bios一般都在第四项中 你会看到有些电压选项 根据英文信息判断吧 如何给显卡加电压? 给显卡超频如何提高显卡电压 电压不是珐便想提就提的。你要搞清楚为什么电压不够。是你超频了，默认电压不能很稳定的工作，需要提高电压。。。。还是，电源不堪重负，显卡负载下，供电电压达不到显卡最低需要值。 前者用软件或者BIOS里设置。后者需要更换更大功率的电源。 怎么给显卡加电压还有cpu 显卡可以用刷BIOS的软件加电压，也可以用超频软件加电压。 cpu必须支持超频，而且主板也支持超频的情况下，调整电压。 怎么给显存加电压 提高核心/显存电压。 在Radeon8500上，可以找到5个用于为核心芯片和显存提供电力的调节器，这正是我们要下手的地方。 （1）核心芯片电压的提高 Radeon8500有3个电压调节器对核心芯片提供电力。下面我们就将逐个对它们进行改造。 1)1.3V电压调节器 这个调节器的中心结构是National Semiconductor的LM2636芯片，其主要作用是负责电压脉冲的转换和电压调节。它的输出电压由一个向该芯片的VID0入口至VID4入口输出的5位代码决定，其大小可以在1.3V至3.5V之间变动。 VID4入口接收的逻辑符为“0”，VID4是地线，因为其它入口和经过这块芯片内部电阻的电极相连接，所以它们的逻辑符为“1”。根据说明书，我们可以判断出这个调节器的输出电压为1.3V。 依照它们的规格，我们将VID1和VID2与VID4连接，达到改变输入VID编码的目的，从而将输出电压调高至1.6V。 2)1.6V电压调节器 显卡上有一个负责进行脉冲调节控制的On Semiconductor CS51031芯片，影响其电压的电阻如R1框和R2框所示。电阻R1和R2就在显卡背侧这块芯片的位置上。可以用一个2.7kΩ的附加电阻封闭R1，将它的输出电压提高至1.95V。 3)1.9V电压调节器 这个调节器中最关键一部分是Fairchild Semiconductor的场效应管FQD20N06，我们用一个0.27kΩ的附加电阻封闭了R1，将调节器电压升至2.1V。由于调节器在显卡正面部分的周围装配了过于密集的其它元件，所以我们连通的位置将这个附加电阻焊接在显卡背面。焊接位置在显卡背面的一个连接点及该调节器附近一个大电解电容的负输出端上。 （2）显存电压提高 1)显存使用的3.5V电压调节器(VDDQ)。像上一个调节器一样，这个调节器有同样的离散元件分布，它的电压由R1框与R2框中的电阻决定，我们用一个附加的10kΩ电阻封闭R1，使它的输出电压可达到3.15V。 2)显存的3.3V电压调节器(VDD)。这个调节器使用了On Semiconductor的CS51031的控制器，其电压由R1框和R2框中的元件电压所决定。在用一个10kΩ的附加电阻封闭R1之后，我们就能够得到4.1V的输出电压。 经过上述的改装之后，核心/显存芯片的电压均得到了显著的提升，不过副作用就是这些元器件的发热量将大大增加，因此用户必须相应地增强显卡的散热效果。 怎样提升显卡的电压？ 现在的新主板BIOS都有中文了。 还有就是现在每个牌子都有自己的官网都有自己的超频软件，如果不是超频显卡需要调电压？ 显卡加大电压有什么好处？？ 不是这样算的。 300W是指功率，就是说他建议你用300W的电源以确保不会供电不足，而电压是取决于主板的接口规格。 你的主板支持AGP显卡，那么一般而言电压就是默认为标准的AGP电压，不会不符合的，否则这块主板就有质量问题！不超频的话用BIOS里默认的电压值就可以了，不要刻意加压。 怎么增加显卡电压 花屏了 是 闪存或GPU 虚焊导致 和电压无关啊！ nvidia显卡怎么加电压 不是看显卡的！要看主板的型号！

MOS管？头一次听说，注意下o(∩_∩)o

刘凤斌男，1963年出生，河南内黄人，博士、博士后，教授，主任医师，博士研究生导师和博士后导师。现任广州中医药大学第一附属医院脾胃病科主任、消化内窥镜室主任、广州中医药大学脾胃研究所副所长，兼任“国际生存质量学会-亚洲华人分会”（InternationalSocietyforQualityofLifeResearch-AsianChineseChapter,ISOQOL-ACC）执行主席，中国中医科学院中医临床疗效评价专家委员会委员，广东省中西医结合脾胃消化病专业委员会常务委员兼秘书，广东省中医疑难杂病专业委员会常务委员，广东省中医心理专业委员会常务委员，广东省“211”工程重点建设学科中医内科学秘书兼后备学术带头人，国家中医管理局重点建设消化学科学科带头人。中文名：刘凤斌国籍：中国民族：汉出生日期：1963年职业：教授，主任医师主要成就：2011年，获得中华中医药学会“科技之星”荣誉称号代表作品：量表测评方法在中医临床疗效评价中的应用与展望性别：男籍贯：河南内黄科研课题脾胃系疾病患者结局报告的计算机自适应试验信息网络的构建研究（项目批准号：81073163），国家自然科学基金面上项目，经费38万元，2010年，主持，在研。结构方程模型与条目反应理论用于基于辨证的胃肠功能性量表的研究（项目批准号：30873215），国家自然科学基金面上项目，经费33万元，2009年，主持，在研。疑难病中医干预及疗效评价研究—中医药治疗重症肌无力的临床评价研究（课题编号：2006BAI04A12），“十一五”国家科技支撑计划，经费250万元，2006年，主持，在研。基于恶性肿瘤辨证论治的量表评价方法的基础理论研究（编号：2006CB504604），国家科技部973项目：中医辨证论治疗效评价基础理论研究，经费100万元，2006年，主持，在研。《中医临床评价标准研究》子课题—量表学研究的技术规范：医药领域量表研制与应用指南（临床部分），国家科技部“十五”攻关，经费2万元，2006年，主持，已完成。中医五脏相关理论继承与创新研究子课题—脾肾相关理论重症肌无力的临床研究（课题编号：2005CB523502），国家科技部973项目，经费25万元，2005年，主持，在研。中医肝病pro量表的研制，广州中医药大学科研基金项目，2005年，主持，已完成。中医临床疗效评价的PRO量表和脾胃系模块的研究（项目批准号：30371718），国家自然科学基金面上项目，经费17万元，2004年，主持，已完成。中医临床疗效评价的PRO量表和脾胃系模块的研究（批准号：31474），广东省自然科学基金，经费5万元，2004年，主持，已完成。中华生存质量量表和脾胃病模块的研制，广州中医药大学总体规划重点项目经费，经费5万元，2003-2005年，主持，已完成。脾胃病信息量表和诊断树研制的方法学及其临床应用，广东省教育厅科研基金，经费3万元，2001-2003年，主持，已完成。中医治疗肝炎肝硬化的中医“证”诊断量表及其生存质量研究，广东省中医药管理局基金，经费8000元，1999-2000年，主持，已完成。胃肠功能性疾病病证结合生存质量量表的研制与评，广东省中管局基金，经费1.0万元，2001-2002年，第四参加者，已完成。通痹灵对强直性脊椎炎的生存质量干预研究，广东省中管局基金，经费:1.0万元，2000-2002年，第三参加，已完成。DevelopmentandValidationoftheChineseQualityoflifeScale(ChQoL)forChineseMedicine,FacultyReseatchGrantofHongKongBaptistUniversity,第四参加,已完成.科研成果【成果完成人】刘凤斌,梁国辉,赵利,郎建英,方积乾,林丽珠,王维琼,李晓华,佘世锋,杨晓军,金真,廖文力.【成果名称】中医临床疗效评价的PRO量表和脾胃系量表的研究【第一完成单位】广州中医药大学【成果类别】应用技术【成果水平】国际先进【研究起止时间】2004-01～2007-04【评价形式】鉴定【成果入库时间】2009【成果完成人】邓铁涛,徐志伟,刘小斌,邱仕君,邓中光,陈群,郑洪,陈芝喜,刘凤斌,吴焕林,邹旭,林琳,孙志佳,刘友章.【成果名称】中医五脏相关理论基础与应用【第一完成单位】广州中医药大学【成果类别】基础理论【成果水平】国内领先【研究起止时间】2000-01～2007-11【评价形式】评审【成果入库时间】2009推广应用主持完成的“中华生存质量量表”在国外杂志发表以来，已经被翻译成英文和意大利文在临床上应用。中华生存质量量表、中医健康状况量表、中医脾胃系疾病PRO量表、中医肝病PRO量表、重症肌无力中医PRO量表等得到河南中医学院第一附属医院、辽宁中医药大学第一附属医院、浙江省中医院、上海中医药大学附属龙华医院等多家单位的应用。参与编写《中医消化病诊疗指南》（中国中医药出版社）、《常见脾胃病（消化病）中医诊疗共识意见》（中华中医药学会脾胃病分会），作为中医药诊治指导意见，推广中医药标准化。世界卫生组织生存质量量表（中国版）：2000年5月1日开始颁布应用。应用范围：本标准规定了生存质量测定量表及相应的简表；适用于测量使用中文的个体或人群的生存质量。测量的对象包括健康人群和意识清醒、能自行完成或在调查人员的帮助下能完成量表填写的非健康人群。医药领域量表研制与应用指南：2006年6月完成并应用。应用范围：一般人群健康状况测评、健康影响因素与防治重点、临床疾病的评估、康复医学评估、中医药研究。中医领域量表研制的方法及应用学习班：2010年1月9日-10日在广州举行。介绍用于临床疗效评价的脾胃系疾病PRO量表、中医肝病临床疗效评价（肝硬化）PRO量表、中医肝病临床疗效评价（肝炎）PRO量表、中医健康状况量表等的研制和应用。全国生存质量学术会议：于2000年1月21日-23日（第一届在广州）、2002年1月10日-13日（第二届在深圳）、2004年10月12-19日（第三届在广州和香港）、2008年（第四届在广州）分别举行。介绍中华生存质量量表、中医健康状况量表等研制过程和在中医临床研究中的应用。全国中华中医药学会脾胃病分会年会：于2006年8月（第十八次在沈阳）、2007年7月（第十九次在石家庄）、2008年9月（第二十次在兰州）、2009年10月（第二十一次在深圳）、2010年8月（第二十二次在井冈山）分别举行。在每届会议上均介绍中医脾胃系量表等研制过程和在中医临床研究中的应用。2006世界中医药大会会议：2006年11月23日-25日（香港）。介绍中医肝病量表等研制过程和在中医临床研究中的应用。广东省中医药学会中西医结合消化病年会：2006年（广州）、2007年（广州）、2009年（广州）。均介绍推广中华生存质量量表、中医健康状况量表、中医脾胃系疾病PRO量表、中医肝病量表、中医重症肌无力PRO量表等在中医临床研究中的应用。世界中医药学会联合会消化病专业委员会成立大会暨首届消化病国际学术大会：2010年7月29日-31日（北京）。推广中华生存质量量表、中医健康状况量表、中医脾胃系疾病PRO量表、中医肝病量表、中医重症肌无力PRO量表等研究成果在中医临床研究中的应用。获奖2011年，获得中华中医药学会“科技之星”荣誉称号。2009年，获得中华中医药学会“全国第二届百名杰出青年中医”荣誉称号。生存质量的测定方法与应用，国家统计局第五届（2000年）科研成果二等奖，国家统计局，排名第五，2000。广东科学技术三等奖，中医临床疗效评价的PRO量表和脾胃系量表的研究（编号B16-0-3-04），2008年，主持。广州中医药大学科学技术奖励二等奖，中医药治疗强直性脊柱炎的临床研究。林昌松，刘晓玲，陈纪藩，刘凤斌。生存质量测定量表，中华人民共和国卫生行业标准（WS/T119-1999），国家卫生部，排名第三，2000。论文发表FANGJi-qian,LIUFeng-bin,HOUZheng-kun.Parallelsubgroupdesignofarandomizedcontrolledclinicaltrial-comparingtheapproachesofChinesemedicineandWesternmedicine.ChinJIntegrMed.2010,16(5):394-8.(ScienceCitationIndex,SCI)LIUFeng-bin,HOUZheng-kun.ApplicationsofHealth-relatedQualityofLifeAssessmentonChineseMedicineinMainlandChina.PatientReportedOutcomesNewsletter.FallIssue2010,(44):18.HOUZheng-kun,LIUFeng-bin,LIXiao-ying,CHENXin-lin,ZHUANGKun-hai,LIPei-wu.ReflectionsontheDenotationandConnotationofCross-cultureinHealth-RelatedQualityofLifeResearch.IntelligentInformationTechnologyApplicationResearchAssociation(IITAAssociation).Proceedingsof2010InternationalConferenceonSemiconductorLaserandPhotonics(ICSLP2010).2010InternationalConferenceonSemiconductorLaserandPhotonics(ICSLP2010).Chengdu:TheInstituteofElectricalandElectronicsEngineers(IEEE),2010:133-140.(EngineeringIndex,EI,IndextoScientific&TechnicalProceedings,ISTP)HOUZheng-kun,LIUFeng-bin,LIXiao-ying,LILi-juan,LINChu-hua.AdvertisingonPreferredReportingItemsforPatient-ReportedOutcomeInstrumentDevelopment:ThePRIPROID.IntelligentInformationTechnologyApplicationResearchAssociation(IITAAssociation).Proceedingsof2ndInternationalConferenceonInformationScienceandEngineering(ICISE2010).The2ndInternationalConferenceonInformationScienceandEngineering(ICISE2010).Hangzhou:TheInstituteofElectricalandElectronicsEngineers(IEEE),2010:6434-6439.(EngineeringIndex,EI)ZhaoL,LeungKF,LiuFB,ChenJ,ChanK.ResponsivenessoftheChineseQualityofLifeInstrumentinpatientswithcongestiveheartfailure.ChinJIntegrMed.2008,14(3):173-9.(ScienceCitationIndex,SCI)LeungKF,LiuFB,ZhaoL,FangJQ,ChanK,LinLZ.DevelopmentandvalidationoftheChineseQualityofLifeInstrument.HealthQualLifeOutcomes.2005,16;3:26.http//www.hqlo.com/content/3/1/6(ScienceCitationIndex,SCI.Correspondingauthor,ImpactFactor:3.24)LiuFeng-bin.Thestudyontheapplicationofqualityoflife(qol)tothesuperficialgastritistreatedwithtraditionalChinesemedicine(TCM)-abstract.QualityoflifeResearch.2004,13(9):1568.(ScienceCitationIndex,SCI)ZhaoLi,ChenJin-quan,LiangGuo-huin,LiuFeng-bin.QualityofLifeandChineseMedicine－TheDevelopmentofHealthStatusMeasuresforChineseMedicine.ChineseJournalofIntegrativeMedicine,2003,9(2):136-138.(ScienceCitationIndex,SCI)LiZhao,KelvinChan,Kwok-faiLeung,Feng-binLiu,Jian-yingLang,Ji-qianFang.DevelopmentOfANewHealth-RelatedQualityOfLifeInstrumentUsingFactorAnalysisAndStructuralEquationModeling.JournalofComplementaryandIntegrativeMedicine.(ScienceCitationIndex,SCI)佘世锋,刘凤斌,罗仕娟.中医肝病临床疗效评价量表理论结构模型构建的探讨.中药新药与临床药理.2010,21(4):449-450.陈新林,刘凤斌,郭丽,刘小斌.重症肌无力患者报告结局指标量表的研制—计量心理学测评.中西医结合学报.2010,(2):121-125.刘凤斌,李培武.中医脾胃系疾病PRO量表在中医药辨证论治功能性胃肠病疗效评价中的应用初探.中华中医药学会.中华中医药学会第二十二届全国脾胃病学术交流会暨2010年脾胃病诊疗新进展学习班论文汇编.中华中医药学会第二十二届全国脾胃病学术交流会.北京:2010:297-302.刘凤斌,金永星.功能性消化不良生存质量量表(FDDQL)中文版的研制.中华中医药学会.中华中医药学会第二十二届全国脾胃病学术交流会暨2010年脾胃病诊疗新进展学习班论文汇编.中华中医药学会第二十二届全国脾胃病学术交流会.北京:2010:172-177.刘凤斌,梁炳君.中医脾胃系疾病PRO量表之IBS子量表的研制与条目筛选.中华中医药学会.中华中医药学会第二十二届全国脾胃病学术交流会暨2010年脾胃病诊疗新进展学习班论文汇编.中华中医药学会第二十二届全国脾胃病学术交流会.北京:2010:502-507郭丽,刘凤斌,陈新林.重症肌无力患者PRO量表的研制和条目筛选.广州中医药大学学报.2009,26(6):570-573.刘凤斌,郭丽,刘小斌.建立中医重症肌无力PRO量表的理论结构模型构想的探讨.新中医.2009,41(9):27-29.刘凤斌,王维琼.中医脾胃系疾病PRO量表的研制与条目筛选.世界科学技术(中医药现代化).2009,(4):527-531.刘凤斌.中医特色量表与中医临床疗效评价的国际接轨探讨.中国科学技术学会.中医药中青年科技创新与成果展示论坛论文集.中医药中青年科技创新与成果展示论坛.重庆:李俊德,田金洲:2009:347-350.陈洁,冼绍祥,刘凤斌.加用补肾法对慢性心力衰竭患者健康相关生存质量的影响.光明中医.2008,23(12):1916-1918.刘凤斌,郎建英,赵利,方积乾,梁国辉,林丽珠.中医健康状况量表的研制.中山大学学报(医学科学版).2008,29(3):332-336.刘凤斌,王维琼.中医脾胃系疾病PRO量表理论结构模型的构建思路.广州中医药大学学报.2008,25(1):12-14.刘凤斌,赵利,郎建英,林丽珠,梁国辉,方积乾.中华生存质量量表的研制.中国组织工程研究与临床康复.2007,11(52):10492-10495,10515.刘凤斌.量表测评方法在中医临床疗效评价中的应用与展望.中国中西医结合杂志.2007,27(12):1129-1132.刘凤斌,赵利,梁国辉,林丽珠.中医健康状况量表的理论及其结构模型探讨.新中医.2007,39(9):10-12.刘凤斌,郎建英,赵利,方积乾,梁国辉,林丽珠.中医健康状况量表(TCM-HSS)的研制.中华中医药学会脾胃病分会.中华中医药学会脾胃病分会第十九次全国脾胃病学术交流会论文汇编.中华中医药学会脾胃病分会第十九次全国脾胃病学术交流会.石家庄:张声生,2007:589-593.赵利,梁国辉,刘凤斌,陈洁,陈金泉.中华生存质量量表对慢性心力衰竭患者的心理测量学评价.中国中西医结合杂志.2006,26(9):784-787.余瑾,刘凤斌.帕金森病的生存质量研究和中医药疗效评价.中国康复理论与实践.2006,12(7):641-642.赵利,刘凤斌,梁国辉,陈金泉,方积乾.中华生存质量量表的信度和效度.中国临床康复.2006,10(8):1-3.刘晓玲,邓健,刘凤斌,等.中药通痹灵片治疗强直性脊柱炎的生存质量研究.中药研究与信息.2005,7(2):24-26.刘晓玲,邓健,刘凤斌,等.强直性脊柱炎患者生存质量测定量表的制定.广州中医药大学学报.2005,22(4):315-319.赵利,陈金泉,梁国辉,刘凤斌,等.因子分析法在生存质量测定量表研制中的应用.中国中西医结合杂志.2004,24(11):965-968.刘凤斌,方积乾,王建华.中医药临床疗效评价的探讨.中药新药与临床药理.2004,15(4):290-292.赵利,刘凤斌.中华生存质量量表的理论结构模型研制探讨.中国临床康复.2004,8(16):3132-3134.刘凤斌,赵利.建立中医疗效测评量表体系研究的设想.中国临床康复.2004,8(1):164-165.刘凤斌,郝元涛等.用于电脑专家诊断系统的脾胃病辨证量表的评价.中山医科大学学报.2002,23(6):S01-S04.刘凤斌,郝元涛,方积乾.Logistic逐步回归分析在中医辨证诊断中的应用.中国中医基础理论杂志.2001,7(2):58-59.刘凤斌,方积乾.生存质量指标在中医”证”客观化中的应用.国际中华临床医学杂志.2001,2(1):49-51.刘凤斌,方积乾,潘志恒,等.用于电脑专家诊断系统的脾胃病辨证量表的研制.中山医科大学学报.2000,21(4s):112-115.方积乾,万崇华,史明丽,刘凤斌.生存质量研究概况和测定量表.现代康复医学.2000,4(8)1123-1126,1133.论著出版《常见脾胃病（消化病）中医诊疗共识意见》（第一版）（中华中医药学会脾胃病分会主编，刘凤斌为编委），2009。《中医消化病诊疗指南》（第一版）（李乾构，周学文，单兆伟主编，刘凤斌为编委），2007.1，中国中医药出版社《21世纪中医临床医学发展策略》（第一版）（王阶，唐旭东主编），2001.12，科学技术文献出版社《消化道药理与临床》（第一版）（陈蔚文主编，刘凤斌为编委），2001.1，学苑出版社《生存质量的测定方法及其应用》（第一版）（方积乾主编，刘凤斌为编委），2000.1，北京大学医学出版社《中西医结合执业医师手册》，2000，人民卫生出版社《中医内科五脏病学》（第一版）（李任先主编），2001，广东科技出版社

AAC Technologies Holdings Inc. AcBel Polytech Inc. Acument Global Technologies Advanced Micro Devices, Inc. Amperex Technology Ltd. Amphenol CorporationAnalog Devices, Inc. Anjie Insulating Material Co., Ltd. Asahi Kasei Corporation AU Optronics Corporation Austria Technologie & Systemtechnik AG austriamicrosystems Avago Technologies Ltd. Brady Corporation Brilliant International Group Ltd. Broadcom Corporation Broadway Industrial Group Ltd. ByD Company Ltd. Career Technology (MFG.) Co., Ltd. Catcher Technology Co., Ltd. Cheng Loong Corporation Cheng Uei Precision Industry Co., Ltd. (Foxlink) Chimei Innolux Corporation Coilcraft, Inc. Compeq Manufacturing Co., Ltd. Cosmosupplylab Ltd. CymMetrik (Shenzhen) Printing Co. Cyntec Co., Ltd. Cypress Semiconductor CorporationDaishinku Corporation (KDS) Darfon Electronics Corporation Delta Electronics Inc. Diodes Inc.Dynapack International Technology Elpida Memory, Inc. Emerson Electric Co. ES Power Co., Ltd.Fairchild Semiconductor International Fastening Technology Pte Ltd. FLEXium Interconnect, Inc. Flextronics International Ltd.Fortune Grand Enterprise Co., Ltd. Foster Electric Co., Ltd. Fuji Crystal Manufactory Ltd. Fujikura Ltd.Grand Upright Technology Ltd. Gruppo Dani S.p.A. Gruppo Peretti Hama Naka Shoukin Industry Co., Ltd. Hanson Metal Factory Ltd.Heptagon Advanced Micro-Optics Pte Ltd. Hi-P International Ltd. Hitachi-LG Data Storage Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. (Foxconn) Hynix Semiconductor Inc.Ibiden Co., Ltd. Infineon Technologies AG Intel CorporationInterflex Co., Ltd. International Rectifier Corporation Intersil Corporation Inventec Appliances Corporation Jabil Circuit, Inc. Japan Aviation Electronics Industry, Ltd. Jin Li Mould Manufacturing Pte Ltd. Kaily Packaging Pte Ltd. Kenseisha Sdn. Bhd. Knowles Electronics Kunshan Changyun Electronic Industry Laird Technologies Lateral Solutions Pte Ltd. Lens One Technology (Shenzhen) Co., Ltd. LG Chem, Ltd. LG Display Co., Ltd. LG Innotek Co., Ltd. Linear Technology Corporation Lite-On Technology Corporation Longwell Company LSI Corporation Luen Fung Commercial Holdings Ltd. Macronix International Co., Ltd. Marian, Inc. Marvell Technology Group Ltd. Maxim Integrated Products, Inc. Meiko Electronics Co., Ltd. Microchip Technology Inc. Micron Technology, Inc.Mitsumi Electric Co., Ltd. Molex Inc. Multek Corporation Multi-Fineline Electronix, Inc. Murata Manufacturing Co., Ltd. Nan ya Printed Circuit Board Corporation NEC CorporationNippon Mektron, Ltd. Nishoku Technology Inc. NVIDIA Corporation NXP Semiconductor N.V. ON Semiconductor Corporation Optrex CorporationOriental Printed Circuits Ltd. Panasonic Corporation PCH International Pegatron Corporation Pioneer Material Precision Tech Prent CorporationPrimax Electronics Ltd. Qualcomm Incorporated Quanta Computer Inc. Renesas Electronics CorporationFor More InformationFor more information about Apple"s Supplier Responsibility ProgramRi-Teng Computer Accessory Co., Ltd. ROHM Co., Ltd. Rubycon Corporation Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. Samsung Electronics Co., Ltd. SanDisk CorporationSANYO Electric Co., Ltd. SDI Corporation Seagate Technologies Seiko Epson Corporation Seiko GroupSharp Corporation Shimano Inc. Shin Zu Shing Co., Ltd. Silego Technology Inc. Simplo Technology Co., Ltd. Skyworks Solutions Inc. Sony CorporationStandard Microsystems Corporation STMicroelectronics Sumida Corporation Sumitomo Electric Industries, Ltd. Sunrex Technology CorporationSuzhou Panel Electronic Co., Ltd. Taiyi Precision Tech Corporation Taiyo Yuden Co., Ltd. TDK CorporationTexas Instruments Inc. Tianjin Lishen Battery Joint-Stock Co., Ltd. Toshiba Corporation Toshiba Mobile Display Co., Ltd. Toyo Rikagaku Kenkyusho Co., Ltd. TPK Holding Co., Ltd. Tripod Technology Corporation TriQuint Semiconductor Triumph Lead Electronic Tech Co. TXC Corporation Unimicron Corporation Unisteel Technology Ltd. Universal Scientific Industrial Co., Ltd. Vishay Intertechnology Volex plc Western Digital Corporation Wintek Corporation yageo Corporation Zeniya Aluminum Engineering, Ltd.以上是苹果的全部供应商

so on等等双语对照例句:1.People are asked to rate their happiness, satisfaction with life and so on. 他们要求人们对自己的幸福感、生活满意度等方面打分。2.So on the upside: childhood dreams realized! 所以乐观的一面就是：童年的梦想实现了！

AD 应该是ADI吧,美国的,主要做模拟器件的BB 是BURR-BROWN 美国BB,好象是TI的子公司LATTICE Lattice Semiconductor Corporation 美国莱迪思半导体公司OKI 是日本冲半导体公司www.okisemi.comON 安美森半导体，日本的，公司网站www.onsemi.comFREESCALE 飞思卡尔这个就不用多说了吧MAXIM 美芯，也不用多说了吧DALLAS 达拉斯半导体，Maxim旗下Dallas Semiconductor公司ISSI 芯成半导体有限公司[Integrated Silicon Solution, Inc. (Shanghai)，以下简称“公司”或“芯成（上海）”]是美国Integrated Silicon Solution, Inc. （以下简称“总公司”）在上海市张江高科技园区设立的专门从事集成电路存储器及其相关器件的设计、制造和销售的独资子公司。

综合性 英特尔(Intel)公布2019财年第一季度财报。报告显示，英特尔第一季度营收为161亿美元，与去年同期的161亿美元相比持平；净利润为40亿美元，与去年同期的45亿美元相比下降11%。这是鲍勃-斯旺今年1月被任命为首席执行官以来的第一份业绩报告。 美光 科技 (Micron Technology)发布2019财年第二财季财报。在截至2月28日的这一财季，美光 科技 营收为58.35亿美元，去年同期为73.51亿美元；净利润为16.19亿美元，与去年同期的33.09亿美元相比下降51%。 记忆体芯片生产商韩国SK海力士(SK Hynix)公布2019年第一季度业绩。当季营收6.77万亿韩元(约56.8亿美元)，比上年同期减少了22%。季度营业利润1.37万亿韩元，比上年同期减少了69%。净利润1.10万亿韩元，比上年同期减少了65%。 德州仪器(Texas Instruments)第一财季收入下降5%，为连续第二个季度下降，同时半导体市场总体放缓。第一财季利润降至12.2亿美元，上年同期为13.7亿美元。收入从上年同期的37.9亿美元降至35.9亿美元。 英飞凌(Infineon Technologies)公布2019财年第二季度(截至3月31日)业绩。当季营收19.83亿欧元(约22.1亿美元)，上年同期为18.36亿欧元。当季净利润2.31亿欧元，上年同期为4.57亿欧元。 恩智浦半导体(NXP Semiconductors)发布截至2019年第一季度财务报道，营业收入为20.94亿美元，上年同期为22.69亿美元。当季营业利润5400万美元，上年同期为2.24亿美元。 意法半导体(STMicroelectronics)公布截至2019年3月30日的第一季度财报。第一季度实现净营收20.8亿美元，净利润1.78亿美元。 瑞萨电子(Renesas Electronics)公布2019财年第一季度业绩。当季营收1503亿日元(约13.8亿美元)，上年同期为1856亿日元。当季营业利润72亿日元，上年同期为301亿日元。 安森美半导体(ON Semiconductor)公布2019财年第一季度业绩。当季营收13.87亿美元，上年同期为13.78亿美元。当季净利润1.14亿美元，上年同期为1.40亿美元。 微芯 科技 (Microchip Technology Inc)公布2018财年第四季度和全年业绩(截至3月31日)。第四财季净销售额13.30亿美元，净利润1.75亿美元。财年营收53.59亿美元，净利润3.56亿美元。 IC设计 博通(Broadcom)公布2019财年第一季度(截至2019年2月3日)业绩。当季净营收57.89亿美元，上年同期为53.27亿美元。当季净利润4.71亿美元，上年同期为62.30亿美元。 高通(Qualcomm)发布2019财年第二财季财报。在截至3月31日的这一财季，高通净利润为7亿美元，比去年同期的3亿美元增长101%；营收为50亿美元，比去年同期的52亿美元下降5%。高通第二财季来自设备和服务的营收为37.53亿美元，来自授权的营收为12.29亿美元。 英伟达(NVIDIA)公布第一季度财报。第一季度营收为22.20亿美元，与上年同期的32.07亿美元相比下降31%；净利润为3.94亿美元，与上年同期的12.44亿美元相比下降68%。 手机芯片大厂联发科(MediaTek)公告2019年第一季财报，营收527.22亿元新台币(约16.7亿美元)，年增6.2%。税后纯益为34.16亿元新台币，年增34.8%。 亚德诺半导体(Analog Devices)公布2019财年第二季度(截至5月4日)业绩。当季营收15.27亿美元，上年同期为15.64亿美元。当季净利润3.68亿美元，上年同期为4亿美元。 美国芯片巨头AMD公布今年第一季度营业收入12.7亿美元，比上年同期的16.5亿美元下降23%，主要源于计算和图形业务收入下降。净利润为1600万美元，比上年同期的8100万美元下降80%。 赛灵思(Xilinx Inc)公布2018财年第四季度和全年业绩(截至3月30日)。第四财季净营收8.28亿美元，上年同期为6.38亿美元。当季净利润2.45亿美元，上年同期为1.45亿美元。财年营收30.59亿美元，上财年为24.67亿美元。财年净利润8.90亿美元，上财年为4.64亿美元。 美满电子 科技 (Marvell Technology Group)公布2019财年第一财季(截至5月4日)业绩。当季净营收6.62亿美元，上年同期为6.05亿美元。当季净亏损4845万美元，上年同期净利润12.86亿美元。 代工 台积电(TSMC)公布2019年第一季财务报告，合并营收约新台币2187亿元(71亿美元)，与2018年同期相较减少11.8%。税后纯益约新台币613.9亿元，与上年同期相比减少了31.6%。 联华电子(UMC)公布2019年第一季财务报告，合并营业收入为新台币325.8亿元(约10.3亿美元)，与去年同期的新台币375.0亿元相比减少13.1%。归属母公司净利为新台币12.0亿元。第一季，联华电子晶圆专工营收达到新台币325.6亿元，出货量为161万片约当八吋晶圆。 半导体代工制造商中芯国际公布截至2019年3月31日止三个月的综合经营业绩。第一季的销售额为6.689亿美元，2018年第一季为8.31亿美元。第一季度净利润1230万美元。 设备 应用材料公司(Applied Materials, Inc.)公布第二财季(截至2019年4月28日)业绩。当季净销售额35.39亿美元，上年同期为45.79亿美元。当季净利润6.66亿美元，上年同期为11.00亿美元。其中，半导体系统净销售额21.84亿美元，全球应用服务净销售额9.84亿美元。 东京电子(Tokyo Electron Limited)公布截至3月31日的2018财年业绩。财年净销售额1.28万亿日元(118亿美元)，上年同期为1.13万亿日元。财年营业利润3106亿日元，上财年为2812亿日元。财年净利润2482亿日元，上财年为2044亿日元。 阿斯麦(ASML Holding N.V.)发布2019年第一季度业绩。净销售额22.29亿欧元(24.9亿美元)，上年同期为22.85亿欧元。当季净利润3.55亿欧元，上年同期为5.40亿欧元。 芯片设备公司泛林集团(Lam Research Corp)公布2019年第三季度业绩(截至3月31日)。当季营收24.39亿美元，上年同期为25.23亿美元。当季净利润5.47亿美元，上年同期为5.69亿美元。 半导体公司科磊(KLA-Tencor Corp.)公布2019年第三季度业绩(截至3月31日)。当季营收10.97亿美元，上年同期为10.21亿美元。当季净利润1.93亿美元，上年同期为3.07亿美元。 其他 日月光投资控股(ASE Technology Holding Co., Ltd.)公布2019年第一季度业绩。当季营业收入净额新台币888.61亿元(约28.1亿美元)，上年同期为649.66亿元。营业净利22.93亿元，上年同期为43.16亿元。税后净利26.35亿元，上年同期为37.76亿元。归属于本公司业主净利20.43亿元，上年同期为20.96亿元。其中，半导体封装测试营收544亿元，电子代工服务营收350亿元。 安靠(Amkor Technology Inc)发布2019年第一季度业绩。净销售额8.95亿美元，上年同期为10.25亿美元。当季净亏损2300万美元，上年同期为净利润1000万美元。

分类: 教育/科学 >> 科学技术 >> 工程技术科学 解析: “power semiconductor device”和“power integrated circuit(简写为power IC或PIC)”直译就是功率半导体器件和功率集成电路。 在国际上与该技术领域对应的最权威的学术会议就叫做International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，即功率半导体器件和功率集成电路国际会议。 “power”这个词可译为动力、能源、功率等，而在中文里这些词的含义不是完全相同的。由于行业的动态发展，“power”的翻译发生了变化。 从上世纪六七十年代至八十年代初，功率半导体器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶体管(GTR)和其后的栅关断晶闸管(GTO)等。它们的主要用途是用于高压输电，以及制造将电网的380V或220V交流电变为各种各样直流电的中大型电源和控制电动机运行的电机调速装置等，这些设备几乎都是与电网相关的强电装置。因此，当时我国把这些器件的总称———power semiconductor devices没有直译为功率半导体器件，而是译为电力电子器件，并将应用这些器件的电路技术power electronics没有译为功率电子学，而是译为电力电子技术。与此同时，与这些器件相应的技术学会为中国电工技术学会所属的电力电子分会，而中国电子学会并没有与之相应的分学会；其制造和应用的行业归口也划归到原第一机械工业部和其后的机械部，这些都是顺理成章的。实际上从直译看，国外并无与电力电子相对应的专业名词，即使日本的“电力”与中文的“电力”也是字型相同而含义有别。此外，当时用普通晶体管集成的小型电源电路———功率集成电路，并不归属于电力电子行业，而是和其他集成电路一起归口到原第四机械工业部和后来的电子工业部。 20世纪80年代以后，功率半导体行业发生了翻天覆地的变化。功率半导体器件变为以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。 这一转变的主要原因是，这些器件或集成电路能在比以前高10倍以上的频率下工作，而电路在高频工作时能更节能、节材，能大幅减少设备体积和重量。尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip，简写PSOC)，它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上，使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能，其优越性不言而喻。国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命。

Outline of power semiconductor devices With above those of the general concept of development, to introduce the following power semiconductor devices included in the content. Figure III gives the general picture of power semiconductor devices. It can be divided into three parts, namely, bipolar devices traditional power semiconductor devices, MOSFET and the IC in a modern power semiconductor devices, and the first developed on the basis of two large power devices. This article focuses on modern power semiconductor devices in this part of the changes in these elements is very fast. First of all, from the MOS-type devices, it has been to the two directions: A) the traditional direction of power semiconductors, that is, I hope the device will have a higher voltage, but there is still a lower internal resistance or pressure drop. The most typical, such as insulated gate bipolar transistors IGBT, its structure and the MOSFET is very similar. It has insulated gate MOS devices and the ability to quickly switch. But its power rating is the same as in the thyristor. So was the original staff do appreciate the power of electronic technology for power semiconductor devices of the new platform. From the IGBT chip, the speed of replacement soon, as the fifth-generation IR FZ silicon material used in the structure of non-penetrating (NPT), because of their greater durability (ruggedness) and is conducive to high - industrial applications. On this basis the past few years and the termination of the development of the field (Field Stop) structure could be further thinning IGBT chips, such as 1200 volts as long as the use of the FS IGBT silicon thickness of 120 microns, thereby further reducing the pressure drop and dynamic losses. IGBT in fact there are three directions, 1) make plastic devices, it has been used extensively for the development of home appliances. 2) make module form, or together with the protection circuit, trigger circuit into intelligent power module (IPM), which used a lot in the air-conditioning equipment. In recent years, IR is the development of a series of modules called iNTERO. As shown in Figure IV. The so-called intero, in Italian, which is equivalent to the English in the entire, that is, the meaning of all. It contains a set from a simple to more complex range of modules. Only power devices, such as from the main circuit of the power module integrated PIM / BBI (Power Integrated Module / Bridge, Brake, Inverter) started the development of the Intelligent Power Module IPM, to I2PM (the inner surface of insulation Intelligent Power Module), has been to up-to-date program-controlled intelligent power module insulation PI-IPM (Programmable Isolated-IPM). In the PI-IPM is divided into two types, that is written into the software or the software has not yet been written into the two. Another is the development of a Simple direct plug-in modules, known as "Plug & Drive", can be used in smaller air-conditioning and other power appliances. 3) In regard to extraordinary power, IGBT has become an important member of one, for example, to achieve 6500 V IGBT, can be used to replace the traditional GTO. In this regard, a number of European and Japanese companies have a larger development. Add: In the direction of higher pressure, MOSFET is also made many improvements. For example, the structure of super-node. It broke through the limits of the traditional MOSFET theory, the prospect of moving display. B) MOSFET more dominant direction is the direction to the development of very low internal resistance. The most typical is the application of the computer. Figure 5 shows the resistance (RxA) and its excellent value switch (RxQswitch) trend of rapid improvement in performance. To achieve this performance, it requires more from each MOSFET of the MOSFET small-cell component. This requires the process to sub-micron precision direction.我自己翻译的。呵呵 。你看着怎么样。

mosfet 一般用来当做开关， 所以用来说switch on and switch offon就是可导电off 就是不能只要， 有住够的电流经过mosfet， 它就会导电。所以， 它和open close 没有关系。。。fet 是 field effect transistor, MOSFET = metal oxide semiconductor field effect transistor. MOSFET 是 FET 的其中一种。 the charge fet will be opened if it is closed你能不能多打两句啊。。。 原话你也没有打对 应该是 the charge[d] fet will be opened if 【it】 is closed.it 指的是什么啊？

驱动电流小是指场效应管导通时需要的电流小，比如有的需要400MA才能导通，有的需要50MA就可以导通了内阻小是本身内阻，内阻小表示消耗能量就小，功率=I×R×R

这篇文章是10年前的吧？

1、ON是一个英文单词，同任何一个英文单词一样，可作为某一机构或者装置的简称，但其主要是作为单词来使用，可作为介词、副词、形容词等，且后面加名词。2、家里的电器开关都有ON/OFF，ON代表开、正在工作的意思，OFF代表关、关闭的意思。3、ON作为介词，可以表示处于...状态、进行中，比如：The tap was on。这盏灯开着。扩展资料：ON作为名词的引用：1、安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。2、ON可以代表一个公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。参考资料：百度百科-on

NMOS更好。因为在高端驱动中，通常还是使用NMOS。NMOS的电流Id必须从D流到S，而PMOS的电流必须从s流到d 一般RDS(ON)非常小,在导通时D与S电压几乎一样；“G端电压比D端高出一个启动电压”实际上就是G端电压比D端高出一个启动电压，这是N沟道MOS管导通的必要条件。NMOS导通需要gs有一个正压，导通时，必须通过自举电容来获取gs的正压，pmos导通gs需要一个负压，即G端电压要小于s端电压，这样ic实现起来就很方便了,不用之举电容。但是pmos没有nmos流行的原因是，pmos导通压降大，效率低，Pmos的同态电阻比NMOS大,输入电压低,而且还有成本问题,所以开关电源主开关管很少用PMOS导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

不收。

不是国产的，中文名为安森美以下为公司的介绍：安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于绿色电子产品的首要高性能、高能效硅方案供应商。公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、LED照明、医疗、工业、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心在内的世界一流、增值型供应链和网络。公司全球总部设在美国亚利桑那州菲尼克斯。公司在北美、欧洲和亚太地区之关键市场运营包括制造厂、销售办事处及设计中心的业务网络。2009年的收入达17.69亿美元。公司的中文网址是： http://www.onsemi.cn/

电子元件ON英文名全称ONSemiconductor中国名字叫安森美（因为收购了摩托罗拉所以有些人还是喜欢叫摩托罗拉）

on semiconductor 安森美半导体

经过搜索，STK762-921G是SANYO（现在是ONSemiconductor）生产的集成电路模块。stk762-921g引脚功能有ACIN+、ACIN-、AGND、VCC、OUT、PGND。1、ACIN+：交流输入正极。2、ACIN-：交流输入负极。3、AGND：模拟接地。4、VCC：电源正极。5、OUT：输出。6、PGND：电源接地。

提高核心/显存电压。　　在Radeon8500上，可以找到5个用于为核心芯片和显存提供电力的调节器，这正是我们要下手的地方。　　（1）核心芯片电压的提高　　Radeon8500有3个电压调节器对核心芯片提供电力。下面我们就将逐个对它们进行改造。　　1)1.3V电压调节器　　这个调节器的中心结构是National Semiconductor的LM2636芯片，其主要作用是负责电压脉冲的转换和电压调节。它的输出电压由一个向该芯片的VID0入口至VID4入口输出的5位代码决定，其大小可以在1.3V至3.5V之间变动。　　VID4入口接收的逻辑符为“0”，VID4是地线，因为其它入口和经过这块芯片内部电阻的电极相连接，所以它们的逻辑符为“1”。根据说明书，我们可以判断出这个调节器的输出电压为1.3V。　　依照它们的规格，我们将VID1和VID2与VID4连接，达到改变输入VID编码的目的，从而将输出电压调高至1.6V。2)1.6V电压调节器　　显卡上有一个负责进行脉冲调节控制的On Semiconductor CS51031芯片，影响其电压的电阻如R1框和R2框所示。电阻R1和R2就在显卡背侧这块芯片的位置上。可以用一个2.7kΩ的附加电阻封闭R1，将它的输出电压提高至1.95V。　　3)1.9V电压调节器　　这个调节器中最关键一部分是Fairchild Semiconductor的场效应管FQD20N06，我们用一个0.27kΩ的附加电阻封闭了R1，将调节器电压升至2.1V。由于调节器在显卡正面部分的周围装配了过于密集的其它元件，所以我们连通的位置将这个附加电阻焊接在显卡背面。焊接位置在显卡背面的一个连接点及该调节器附近一个大电解电容的负输出端上。　　（2）显存电压提高　　1)显存使用的3.5V电压调节器(VDDQ)。像上一个调节器一样，这个调节器有同样的离散元件分布，它的电压由R1框与R2框中的电阻决定，我们用一个附加的10kΩ电阻封闭R1，使它的输出电压可达到3.15V。　2)显存的3.3V电压调节器(VDD)。这个调节器使用了On Semiconductor的CS51031的控制器，其电压由R1框和R2框中的元件电压所决定。在用一个10kΩ的附加电阻封闭R1之后，我们就能够得到4.1V的输出电压。　　经过上述的改装之后，核心/显存芯片的电压均得到了显著的提升，不过副作用就是这些元器件的发热量将大大增加，因此用户必须相应地增强显卡的散热效果。

1、ON是一个英文单词，同任何一个英文单词一样，可作为某一机构或者装置的简称，但其主要是作为单词来使用，可作为介词、副词、形容词等，且后面加名词。2、家里的电器开关都有ON/OFF，ON代表开、正在工作的意思，OFF代表关、关闭的意思。3、ON作为介词，可以表示处于...状态、进行中，比如：The tap was on。这盏灯开着。扩展资料：ON作为名词的引用：1、安森美半导体(ON Semiconductor，美国纳斯达克上市代号：ONNN)是应用于高能效电子产品的首要高性能硅方案供应商。2、ON可以代表一个公司的产品系列包括电源和信号管理、逻辑、分立及定制器件，帮助客户解决他们在汽车、通信、计算机、消费电子、工业、LED照明、医疗、军事/航空及电源应用的独特设计挑战，既快速又符合高性价比。参考资料：百度百科-on

这个好找，但是维修不一定容易。

问题一：半导体 英文怎么说 semi-conductor 问题二：关于半导体的概况用英语怎么说 关于半导体的概况 翻译：Overview of semiconductor 问题三：导体，半导体的英文怎么说？ conductor semi-conductor 问题四：半导体材料英文如何翻译 半导体材料 [解释]： semiconducting material; semiconduct埂r material; semiconducter material [参考词典]：汉英综合大词典 低劣半导体材料 *** erated semiconductor material 本征半导体材料 intrinsic material; trinsic material 激活半导体材料 active semiconductor material 光敏半导体材料 light-sensitive semiconductor material; nsitive semiconductor material 族化合物半导体材料 group iii v pound semiconductor material 问题五：半导体的英文怎么说啊？急 semiconductor 问题六：半导体照明技术用英语怎么说 半导体照明技术 英文翻译 Semiconductor lighting technology 问题七：半导体掺杂英文怎么写 半导体掺杂 [词典] [计] semiconductor doping; [例句]半导体掺杂和表面若干稳定结构及其性质 Structural Stabilities and Electronic Properties of Several Dopants and Surfaces of Semiconductors 问题八：mos是什么用英语怎么说 MOS [词典] 金属氧化物半导体; [例句]A study was carried out on three-level circuit, MOS in parallel etc. 对三电平电路、MOS管并联等进行了研究。 问题九：半导体 英文怎么说 semi-conductor 问题十：关于半导体的概况用英语怎么说 关于半导体的概况 翻译：Overview of semiconductor

“power semiconductor device”和“power integrated circuit(简写为power IC或PIC)”直译就是功率半导体器件和功率集成电路。 在国际上与该技术领域对应的最权威的学术会议就叫做International Symposium on Power Semiconductor Devices and ICs，即功率半导体器件和功率集成电路国际会议。 “power”这个词可译为动力、能源、功率等，而在中文里这些词的含义不是完全相同的。由于行业的动态发展，“power”的翻译发生了变化。 从上世纪六七十年代至八十年代初，功率半导体器件主要是可控硅整流器(SCR)、巨型晶体管(GTR)和其后的栅关断晶闸管(GTO)等。它们的主要用途是用于高压输电，以及制造将电网的380V或220V交流电变为各种各样直流电的中大型电源和控制电动机运行的电机调速装置等，这些设备几乎都是与电网相关的强电装置。因此，当时我国把这些器件的总称———power semiconductor devices没有直译为功率半导体器件，而是译为电力电子器件，并将应用这些器件的电路技术power electronics没有译为功率电子学，而是译为电力电子技术。与此同时，与这些器件相应的技术学会为中国电工技术学会所属的电力电子分会，而中国电子学会并没有与之相应的分学会；其制造和应用的行业归口也划归到原第一机械工业部和其后的机械部，这些都是顺理成章的。实际上从直译看，国外并无与电力电子相对应的专业名词，即使日本的“电力”与中文的“电力”也是字型相同而含义有别。此外，当时用普通晶体管集成的小型电源电路———功率集成电路，并不归属于电力电子行业，而是和其他集成电路一起归口到原第四机械工业部和后来的电子工业部。 20世纪80年代以后，功率半导体行业发生了翻天覆地的变化。功率半导体器件变为以功率金属氧化物半导体场效应晶体管(功率MOSFET，常简写为功率MOS)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)以及功率集成电路(power IC，常简写为PIC)为主。 这一转变的主要原因是，这些器件或集成电路能在比以前高10倍以上的频率下工作，而电路在高频工作时能更节能、节材，能大幅减少设备体积和重量。尤其是集成度很高的单片片上功率系统(power system on a chip，简写PSOC)，它能把传感器件与电路、信号处理电路、接口电路、功率器件和电路等集成在一个硅芯片上，使其具有按照负载要求精密调节输出和按照过热、过压、过流等情况自我进行保护的智能功能，其优越性不言而喻。国际专家把它的发展喻为第二次电子学革命。

1 Li Wenzhao，Maltsev A N，Kobozev N I. Effect of ultrasonic wave on the nature of active sites of heterogeneous catalysts. J. Phys. Chem. (Russian)，1964，38：802 肖光炎，李文钊，金学文等。铂硅铝催化剂的铂分散与催化性能的关系。燃料化学学报，1965，6：1013 Li Wenzhao，Chen Yixuan，Yu Chunying，et al. Studies on metal-semiconductor interaction over Pt-ZnO and Pt-TiO2. Proceedings of 8th international conference on catalysis(Berlin).1984，5：2054 Liu Chongyang，Chen Yixuan，Li Wenzhao. Direct observation of elementary steps in charge transfer mediated by surface states on TiO2 electrode under illumination. Surf. Sci. ，1985，63：3835 Chen Yanxin，Chen Yixuan，Li Wenzhao，et al. Sulphur-Resistant Character of Titania-Supported Platinum Catalysts and Shishan Sheng. Appl. Catal. ，1990，63：1076 Yu Chunying，Li Wenzhao，Feng Wenju，et al. Correlations between p-type semicond uctivity and C2 selectivity for oxidative coupling of methane(OCM) over acceptor doped SrTiO3 Stud. Surf.Sci.Catal. ，1993，75：11197 Wu Ming，Gu Wanzhen，Li Wenzhao，et al. Preparation and characterization of ultrafine zinc sulfide particles of quantum confinement. Chem. Phys. Lett. ，1994，224：5578 Li Xinsheng，Li Wenzhao，Chen Yanxin，et al. Enhancement of hydrogen spillover by surface labile oxygen species on oxidized Pt/TiO2 catalyst.Catal. Lett. 1995，32：319 陈铜，李文钊，于春英。氧化镍中非计量氧在乙烷氧化脱氢中的作用。催化学报，1998，19：3710 Wang Shizhong，Jiang Yi，Li Wenzhao，et al. The role of 8 mol% YSZ in the improvement of electrochemical performance of YSZ+LSM composite electrodes. J. Electrochem. Soc. , 1998，145：1932

·PC：个人计算机Personal Computer x0dx0a·CPU：中央处理器Central Processing Unit x0dx0a·CPU Fan：中央处理器的“散热器”(Fan) x0dx0a·MB：主机板MotherBoard x0dx0a·RAM：内存Random Access Memory，以PC-代号划分规格，如PC-133，PC-1066，PC-2700 x0dx0a·HDD：硬盘Hard Disk Drive x0dx0a·FDD：软盘Floopy Disk Drive x0dx0a·CD-ROM：光驱Compact Disk Read Only Memory x0dx0a·DVD-ROM：DVD光驱Digital Versatile Disk Read Only Memory x0dx0a·CD-RW：刻录机Compact Disk ReWriter x0dx0a·VGA：显示卡(显示卡正式用语应为Display Card) x0dx0a·AUD：声卡(声卡正式用语应为Sound Card) x0dx0a·LAN：网卡(网卡正式用语应为Network Card) x0dx0a·MODM：数据卡或调制解调器Modem x0dx0a·HUB：集线器 x0dx0a·WebCam：网络摄影机 x0dx0a·Capture：影音采集卡 x0dx0a·Case：机箱 x0dx0a·Power：电源 x0dx0a·Moniter：屏幕，CRT为显像管屏幕，LCD为液晶屏幕 x0dx0a·USB：通用串行总线Universal Serial Bus，用来连接外围装置 x0dx0a·IEEE1394：新的高速序列总线规格Institute of Electrical and Electronic Engineers x0dx0a·Mouse：鼠标，常见接口规格为PS/2与USB x0dx0a·KB：键盘，常见接口规格为PS/2与USB x0dx0a·Speaker：喇叭 x0dx0a·Printer：打印机 x0dx0a·Scanner：扫描仪 x0dx0a·UPS：不断电系统 x0dx0a·IDE：指IDE接口规格Integrated Device x0dx0aElectronics，IDE接口装置泛指采用IDE接口的各种设备 x0dx0a·SCSI：指SCSI接口规格Small Computer System x0dx0aInterface，SCSI接口装置泛指采用SCSI接口的各种设备 x0dx0a·GHz：(中央处理器运算速度达)Gega赫兹/每秒 x0dx0a·FSB：指“前端总线(Front Side Bus)”频率，以MHz为单位 x0dx0a·ATA：指硬盘传输速率AT x0dx0aAttachment，ATA-133表示传输速率为133MB/sec x0dx0a·AGP：显示总线Accelerated Graphics x0dx0aPort，以2X，4X，8X表示传输频宽模式 x0dx0a·PCI：外围装置连接端口Peripheral Component InterconNECt x0dx0a·ATX：指目前电源供应器的规格，也指主机板标准大小尺寸 x0dx0a·BIOS：硬件(输入/输出)基本设置程序Basic Input Output System x0dx0a·CMOS：储存BIOS基本设置数据的记忆芯片Complementary Metal-Oxide Semiconductor x0dx0a·POST：开机检测Power On Self Test x0dx0a·OS：操作系统Operating System x0dx0a·Windows：窗口操作系统，图形接口 x0dx0a·DOS：早期文字指令接口的操作系统 x0dx0a·fdisk：“规划硬盘扇区”-DOS指令之一 x0dx0a·format：“硬盘扇区格式化”-DOS指令之一 x0dx0a·setup.exe：“执行安装程序”-DOS指令之一 x0dx0a·Socket：插槽，如CPU插槽种类有SocketA，Socket478等等 x0dx0a·Pin：针脚，如ATA133硬盘排线是80Pin，如PC2700内存模块是168Pin x0dx0a·Jumper：跳线(短路端子) x0dx0a·bit：位(0与1这两种电路状态)， 计算机数据最基本的单位 x0dx0a·Byte：字节，等于8 bit(八个位的组合，共有256种电路状态)，计算机一个文字以8 bit来表示 x0dx0a·1KB：等于1024 Byte x0dx0a·1MB：等于1024 KB x0dx0a·1GB：等于1024 MB

场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。

瑞昱半导体公司

PC：个人计算机Personal ComputerCPU：中央处理器Central Processing UnitCPU Fan：中央处理器的“散热器”(Fan)MB：主机板MotherBoardRAM：内存Random Access Memory，以PC-代号划分规格，如PC-133，PC-1066，PC-2700HDD：硬盘Hard Disk DriveFDD：软盘Floopy Disk DriveCD-ROM：光驱Compact Disk Read Only MemoryDVD-ROM：DVD光驱Digital Versatile Disk Read Only MemoryCD-RW：刻录机Compact Disk ReWriterVGA：显示卡(显示卡正式用语应为Display Card)AUD：声卡(声卡正式用语应为Sound Card)LAN：网卡(网卡正式用语应为Network Card)MODM：数据卡或调制解调器ModemHUB：集线器WebCam：网络摄影机Capture：影音采集卡Case：机箱Power：电源Moniter：屏幕，CRT为显像管屏幕，LCD为液晶屏幕USB：通用串行总线Universal Serial Bus，用来连接外围装置IEEE1394：新的高速序列总线规格Institute of Electrical and Electronic EngineersMouse：鼠标，常见接口规格为PS/2与USBKB：键盘，常见接口规格为PS/2与USBSpeaker：喇叭Printer：打印机Scanner：扫描仪UPS：不断电系统IDE：指IDE接口规格Integrated DeviceElectronics：IDE接口装置泛指采用IDE接口的各种设备SCSI：指SCSI接口规格Small Computer SystemInterface：SCSI接口装置泛指采用SCSI接口的各种设备GHz：(中央处理器运算速度达)Gega赫兹/每秒FSB：指“前端总线(Front Side Bus)”频率，以MHz为单位ATA：指硬盘传输速率ATAttachment：ATA-133表示传输速率为133MB/secAGP：显示总线Accelerated GraphicsPort：以2X，4X，8X表示传输频宽模式PCI：外围装置连接端口Peripheral Component InterconnectATX：指目前电源供应器的规格，也指主机板标准大小尺寸BIOS：硬件(输入/输出)基本设置程序Basic Input Output SystemCMOS：储存BIOS基本设置数据的记忆芯片Complementary Metal-Oxide SemiconductorPOST：开机检测Power On Self TestOS：操作系统Operating SystemWindows：窗口操作系统，图形接口DOS：早期文字指令接口的操作系统fdisk：“规划硬盘扇区”-DOS指令之一format：“硬盘扇区格式化”-DOS指令之一setup.exe：“执行安装程序”-DOS指令之一Socket：插槽，如CPU插槽种类有SocketA，Socket478等等Pin：针脚，如ATA133硬盘排线是80Pin，如PC2700内存模块是168PinJumper：跳线(短路端子)bit：位(0与1这两种电路状态)， 计算机数据最基本的单位Byte：字节，等于8 bit(八个位的组合，共有256种电路状态)，计算机一个文字以8 bit来表示KB：等于1024 ByteMB：等于1024 KBGB：等于1024 MB

PC：个人计算机Personal Computer ·CPU：中央处理器Central Processing Unit ·CPU Fan：中央处理器的“散热器”(Fan) ·MB：主机板MotherBoard ·RAM：内存Random Access Memory，以PC-代号划分规格，如PC-133，PC-1066，PC-2700 ·HDD：硬盘Hard Disk Drive ·FDD：软盘Floopy Disk Drive ·CD-ROM：光驱Compact Disk Read Only Memory ·DVD-ROM：DVD光驱Digital Versatile Disk Read Only Memory ·CD-RW：刻录机Compact Disk ReWriter ·VGA：显示卡(显示卡正式用语应为Display Card) ·AUD：声卡(声卡正式用语应为Sound Card) ·LAN：网卡(网卡正式用语应为Network Card) ·MODM：数据卡或调制解调器Modem ·HUB：集线器 ·WebCam：网络摄影机 ·Capture：影音采集卡 ·Case：机箱 ·Power：电源 ·Moniter：屏幕，CRT为显像管屏幕，LCD为液晶屏幕 ·USB：通用串行总线Universal Serial Bus，用来连接外围装置 ·IEEE1394：新的高速序列总线规格Institute of Electrical And Electronic Engineers ·Mouse：鼠标，常见接口规格为PS/2与USB ·KB：键盘，常见接口规格为PS/2与USB ·Speaker：喇叭 ·Printer：打印机 ·Scanner：扫描仪 ·UPS：不断电系统 ·IDE：指IDE接口规格Integrated Device Electronics，IDE接口装置泛指采用IDE接口的各种设备 ·SCSI：指SCSI接口规格Small Computer System Interface，SCSI接口装置泛指采用SCSI接口的各种设备 ·GHz：(中央处理器运算速度达)Gega赫兹/每秒 ·FSB：指“前端总线(Front Side Bus)”频率，以MHz为单位 ·ATA：指硬盘传输速率ATAttachment，ATA-133表示传输速率为133MB/sec ·AGP：显示总线Accelerated Graphics Port，以2X，4X，8X表示传输频宽模式 ·PCI：外围装置连接端口Peripheral Component Interconnect ·ATX：指目前电源供应器的规格，也指主机板标准大小尺寸 ·BIOS：硬件(输入/输出)基本设置程序Basic Input Output System ·CMOS：储存BIOS基本设置数据的记忆芯片Complementary Metal-Oxide Semiconductor ·POST：开机检测Power On Self Test ·OS：操作系统Operating System ·Windows：窗口操作系统，图形接口 ·DOS：早期文字指令接口的操作系统 ·fdisk：“规划硬盘扇区”-DOS指令之一 ·format：“硬盘扇区格式化”-DOS指令之一 ·setup.exe：“执行安装程序”-DOS指令之一 ·Socket：插槽，如CPU插槽种类有SocketA，Socket478等等 ·Pin：针脚，如ATA133硬盘排线是80Pin，如PC2700内存模块是168Pin ·Jumper：跳线(短路端子) ·bit：位(0与1这两种电路状态)， 计算机数据最基本的单位 ·Byte：字节，等于8 bit(八个位的组合，共有256种电路状态)，计算机一个文字以8 bit来表示 ·KB：等于1024 Byte ·MB：等于1024 KB ·GB：等于1024 MB

前就是你脸的前面``后就是你背的前面~~!这个都不知道~~!悲哀啊~~~...

装毛linux啊，一点都不好用。

如果使用没有影响，你直接把那个要装驱动的给禁用了。就烦不了你了

你用的无线网卡芯片是 rtl8188ee 驱动，这个驱动在kali中是支持的，但NG套件不支持此驱动！结果：请更换无线网卡。攻略：选无线网卡一定要选3070与8187的芯片，除此之外，其它所有芯片都不能正常在你的情况下使用。至于这两个芯片的具体型号产品我想不用我列出，你自己能找到，很多的。

JEDEC Solid State Technology Association, formerly known as Joint Electron Device Engineering Council (JEDEC) or Joint Electron Device Engineering Councils, is the semiconductor engineering standardization body of the Electronic Industries Alliance (EIA), a trade association that represents all areas of the electronics industry.Contents [hide]1 Origins 2 Test methods and product standards 3 Package drawings 4 Industry standards 5 Today 6 External links OriginsJEDEC was founded in 1958 as a joint activity between EIA and NEMA to develop standards for semiconductor devices. (NEMA dropped its involvement in 1979.) This early work began as a part numbering system for devices which became quite popular in the 60"s. For example, the 1N4001 rectifier diode and 2N2222 transistor part numbers came from JEDEC. These part numbers are still popular today. JEDEC later developed a numbering system for integrated circuits, but this did not gain acceptance in the semiconductor industry.Test methods and product standardsThis early work was followed by a number of test methods, JESD22, and product standards. For example, the ESD caution symbol, which is the hand with the line drawn through it, was published by JEDEC is used worldwide. JEDEC also has a dictionary of semiconductor terms. All of JEDEC standards are free on web for downloading after a free registration.JEDEC has issued widely-used standards for device interfaces, such as the JEDEC memory standards for computer memory (RAM), including the DDR SDRAM standards. JEDEC has over 300 members, including some of the world"s largest computer companies.Package drawingsJEDEC also developed a number of popular package drawings for semiconductors such as TO-3, TO-5, etc. These are on the web under JEP-95. One hot issue is the development of lead-free packages that do not suffer from the tin whiskers problem that reappeared since the recent ban on lead content. JEDEC is working with iNemi on a joint interest group on lead-free issues.Industry standardsJEDEC"s adoption of open industry standards (i.e., standards that permit any and all interested companies to freely manufacture in compliance with adopted standards) serves several vital functions for the advancement of electronic technologies. First and foremost, such standards allow for interoperability between different electrical components. However, because JEDEC members are under no obligation to disclose related patents (including patents that are pending) JEDEC standards do not protect members from normal patent obligations. The designated representatives of JEDEC member companies are required to disclose patents and patent applications of which they personally are aware (assuming that this information is not considered proprietary). JEDEC patent policy requires that standards found to contain patents, who"s owners will not sign a standard JEDEC patent letter, be withdrawn. Thus the penalty for a failure to disclose patents is retraction of the standard. Typically, standards will not be adopted to cover technology that will be subject to patent protection. In rare circumstances, standards covered by a patent may be adopted, but only on the understanding that the patent owner will not enforce such patent rights or, at a minimum, that the patent owner will provide a reasonable and non-discriminatory license to the patented technology.[1]TodayIn the fall of 1999, JEDEC became a separate trade association, but still within the EIA Alliance. The new association was known as "JEDEC Solid State Technology Association".^ §8.2 of the JEDEC Manual of Organization and Procedure (JM21-M), http://www.jedec.org/Home/manuals/JM21L.pdf

pc阿斯多夫撒旦发射的阿斯多夫啊啊斯蒂芬阿斯多夫

浏览器，工具，internet选项，把安全设置为最高，然后刷新那个页面即可 不可能没效果，除非他不是网页！！！！是Flash等做的，如果是网页绝对100%有效！！！！工具，internet选项，安全，把安全级别拉到最高

用别的软件恢复

下载个驱动精灵，然后用此软件检测下立马帮你解决了，问题解决后记得给分哦