top-gated transistor 这是什么意思啊？

晶体管是什么? 晶体管，本名是半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件.晶体管是半导体三极管中应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等的发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。 虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，绝大多数的晶体管是和二极管|-{A|zh-:二极管;zh-tw:二极体}-，电阻，电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的生本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。 晶体管的低成本，灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜，更有效地仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。 因为晶体管的低成本和后来的电子计算机，数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在-{A|zh-:信息;zh-tw:资讯}--{A|zh-:数字;zh-tw:数位}-化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视，广播和报纸 晶体管的作用是什么？？ 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。 半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管[font color=#000000]是电路中[/font]应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。晶体管被认为是现代历史中最伟大的发明之一，在重要性方面可以与印刷术，汽车和电话等发明相提并论。晶体管实际上是所有现代电器的关键活动（active）元件。晶体管在当今社会的重要性，主要是因为晶体管可以使用高度自动化的过程，进行大规模生产的能力，因而可以不可思议地达到极低的单位成本。 虽然数以百万计的单体晶体管还在使用，但是绝大多数的晶体管是和电阻、电容一起被装配在微芯片（芯片）上以制造完整的电路。模拟的或数字的或者这两者被集成在同一块芯片上。设计和开发一个复杂芯片的成本是相当高的，但是当分摊到通常百万个生产单位上，每个芯片的价格就是最小的。一个逻辑门包含20个晶体管，而2005年一个高级的微处理器使用的晶体管数量达2.89亿个。 晶体管的低成本、灵活性和可靠性使得其成为非机械任务的通用器件，例如数字计算。在控制电器和机械方面，晶体管电路也正在取代电机设备，因为它通常是更便宜、更有效地，仅仅使用标准集成电路并编写计算机程序来完成同样的机械任务，使用电子控制，而不是设计一个等效的机械控制。 因为晶体管的低成本和后来的电子计算机、数字化信息的浪潮来到了。由于计算机提供快速的查找、分类和处理数字信息的能力，在信息数字化方面投入了越来越多的精力。今天的许多媒体是通过电子形式发布的，最终通过计算机转化和呈现为模拟形式。受到数字化革命影响的领域包括电视、广播和报纸。 参考资料：baike.baidu/view/30363... 三极管与晶体管有什么区别 所谓晶体管是指用硅和锗材料做成的半导体元器件，研制人员在为这种器件命名时，想到它的电阻变换特性，于是取名为trans-resister(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。 严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。因此，三极管是晶体管的一种。 在日常生活中，晶体管有时多指晶体三极管。比如我们说的6晶体管超外差式中波收音机，实际是指6三极管超外差式中波收音机。 晶体管有什么用途 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。 用途： 控制大功率 现在的功率晶体管能控制数百千瓦的功率，使用功率晶体管作为开关有很多优点，主要是； (1)容易关断，所需要的辅助元器件少， (2)开关迅速，能在很高的频率下工作， (3)可得到的器件耐压范围从100V到700V，应有尽有． 几年前，晶体管的开关能力还小于10kW。目前，它已能控制高达数百千瓦的功率。这主要归功于物理学家、技术人员和电路设计人员的共同努力，改进了功率晶体管的性能。如 (1)开关晶体管有效芯片面积的增加， (2)技术上的简化， (3)晶体管的复合——达林顿， (4)用于大功率开关的基极驱动技术的进步。、 直接工作在整流380V市电上的晶体管功率开关 晶体管复合(达林顿)和并联都是有效地增加晶体管开关能力的方法。 在这样的大功率电路中，存在的主要问题是布线。很高的开关速度能在很短的连接线上产生相当高的干扰电压。 简单和优化的基极驱动造就的高性能 今日的基极驱动电路不仅驱动功率晶体管，还保护功率晶体管，称之为“非集中保护” (和集中保护对照)。集成驱动电路的功能包括： (1)开通和关断功率开关； (2)监控辅助电源电压； (3)限制最大和最小脉冲宽度； (4)热保护； (5)监控开关的饱和压降。 "晶体管"和"芯片"都是什么? 芯片是由很多的晶体管及其他电子元件集成在一个硅片上的大规模集成电路，而晶体管是由半导体材料制成的管子如三极管二极管等(在我们日常接触的物质中，一类电阻率很低，容易导电的金属，属地如金，银，铜，铁，铝，等，这类物质叫做导体，另一类电阻率很高，如：玻璃，璃窗，木，畅类物质叫做绝源体，但是在自然界里还有一种物质在这二种情况之间的，我们把它叫做半导体，目前制造半导体的材料主要有：锗，硅，硒等等) 晶体管是什么材质做的 晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。 严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。 晶体管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。 晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极(Base) 和集电极（Collector）;场效应晶体管的三个极，分别是源极（Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。 晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随耦器）。 晶体管和二级管是一回事吗 利用半导体材料可以制造二极管、三极管、场效应管等多种器件。 在很多书上人们将半导体三极管简称为“晶体管”，（比如础晶体管放大电路，就是三极管放大电路）一般没有人将二极管这样简称。 所以，按一般理解，晶体管是指三极管，当然和二极管不是一回事。 什么是单极型晶体管和双极型晶体管？ 一、单极型晶体管 单极型晶体管也称场效应管，简称FET(Field Effect Transistor)。它是一种电压控制型器件，由输入电压产生的电场效应来控制输出电流的大小。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故称为单极型晶体管。 特点： 输入电阻高，可达107 ~ 1015 Ω，绝缘栅型场效应管(IGFET) 可高达 1015 Ω。 噪声低，热稳定性好，工艺简单，易集成，器件特性便于控制，功耗小，体积小，成本低。 分类： 根据材料的不同可分为结型场效应管JFET (Junction Field Effect Transistor)和绝缘栅型场效应管IGFET(Insulated Gate FET) 。 二、双极型晶体管 双极型晶体管也称晶体三极管，它是一种电流控制型器件，由输入电流控制输出电流，其本身具有电流放大作用。它工作时有电子和空穴两种载流子参与导电过程，故称为双极型三极管。 特点： 三极管可用来对微弱信号进行放大和作无触点开关。它具有结构牢固、寿命长、体积小、耗电省等一系列独特优点，故在各个领域得到广泛应用。 分类： 根据材料的不同晶体三极管可分为硅管(Si)与锗管(Ge)。 硅三极管的反向漏电流小，耐压高，温度漂移小，且能在较高的温度下工作和承受较大的功率损耗。锗三极管的增益大，频率响应好，尤其适用于低压线路。 什么是晶体管？二极管，三极管是不是就是晶体管？ 晶体管是指用锗或硅半导体材料制成的电子元件，晶体管包括三极管和二极管。 点触式晶体管是什么? 一个点接触电晶体是固态电子晶体管第一类是有史以来建造的。它是由研究人员约翰巴丁和沃尔特来登在贝尔实验室在1947年12月。他们的工作与物理学家威廉布拉德福德肖克利，谁不想发明分享信贷。这三人是一起进行的固态材料电场效应理论。 实验包括1块锗有两个非常密集的黄金持有反对弹簧接触。布拉坦并随附了一个塑料三角点金箔小带状配置基本上是点接触二极管。然后，他仔细地切片通过黄金三角的一角。这产生两个电气隔离黄金接触非常接近对方。 一个早期的晶体管模型 锗是一种半导体，因此它可以允许电流通过它，或让没有通过。该作品用了一个电子的过量表面层，称为N型锗。当一个电子信号穿过金箔它注入孔（点缺乏电子的）。这造成了薄薄的一层已经建立了一个电子稀缺。 小正电流适用于两个接触一个人对现行的与其他接触和所依据的锗块装基地是流入的影响。事实上，在第一次接触改变目前小，造成了第二次接触更大的变化电流，因此它是一个放大器。第一次接触是“发射”，第二个接触是“收藏家”。今天的双极晶体管的三个码头的术语是基础，发射极和集电极。低到点接触晶体管电流输入端是发射极，而产量高电流终端的基极和集电极。这从后来结型晶体管不同，1951年发明了现代晶体管做什么，低为基础，两个高电流输出端电流输入端是发射极和集电极运作。 点接触晶体管的商业化和西方电气等公司出售的，但较快的晶体管取代，因为这以后类型是易于制造，而且更加坚固。锗是广泛采用的两个晶体管的制造几十年。它几乎已经完全取代硅和其他合金材料，但是在使用的仍然是在二极管，如高精度传感器，其中包括所用的辐射计数器。

transistor(晶体管)在英语中属于构词法里的“派生法”。构词来源于“transfer + resistor”两个单词，其意为 transfer转移，resistor电阻器。因该电子元件通过电阻器转移电流而得名。

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。

分别读作：奥雷木沛克斯；派若秀特；床斯A斯特。

没有为什么，中文名字叫晶体管。外国人就叫transistor，只是个名字而已，一个单词

三极管（transistor）不是Simulink自带的模块，需要从Simulink库中导入。具体操作步骤如下：1. 在Simulink界面左侧工具栏中找到“库浏览器”；2. 在库浏览器中搜索“Transistor”或“三极管”；3. 找到合适的三极管模块，将其拖拽到工作区中使用。Simulink的用户可以通过这种方式快速引入三极管模块，进一步进行事件模拟和仿真。

是三极管，起开关或放大等作用。

在为这种器件命名时，布拉顿想到它的电阻变换特性，即它是靠一种从“低电阻输入”到“高电阻输出”的转移电流来工作的，于是取名为trans-resistor(转换电阻)，后来缩写为transistor，中文译名就是晶体管。

早在1930与1940年代，使用半导体制作固态放大器的想法就持续不绝；第一个有实验结果的放大器是1938年，由波欧(Robert Pohl， 1884~1976)与赫希(Rudolf Hilsch)所做的，使用的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极，尽管其操作频率只有一赫兹，并无实际用途，却证明了类似真空管的固态三端子组件的实用性。 二次大战后，美国的贝尔实验室(Bell Lab)，决定要进行一个半导体方面的计画，目标自然是想做出固态放大器，它们在1945年7月，成立了固态物理的研究部门，经理正是萧克莱(William Shockley， 1910~1989)与摩根(Stanley Morgan)。由于使用场效应(field effect)来改变电导的许多实验都失败了，巴丁(John Bardeen，1908~1991)推定是因为半导体具有表面态(surface state)的关系，为了避开表面态的问题，1947年11月17日，巴丁与布莱登(Walter Brattain 1902~1987)在硅表面滴上水滴，用涂了蜡的钨丝与硅接触，再加上一伏特的电压，发现流经接点的电流增加了！但若想得到足够的功率放大，相邻两接触点的距离要接近到千分之二英吋以下。12月16日，布莱登用一块三角形塑料，在塑料角上贴上金箔，然后用刀片切开一条细缝，形成了两个距离很近的电极，其中，加正电压的称为射极 (emitter)，负电压的称为集极 (collector)，塑料下方接触的锗晶体就是基极 (base)，构成第一个点接触电晶体 (point contact transistor)，1947年12月23日，他们更进一步使用点接触电晶体制作出一个语音放大器，该日因而成为晶体管正式发明的重大日子。 另一方面，就在点接触电晶体发明整整一个月后，萧克莱想到使用p-n接面来制作接面晶体管 (junction transistor) 的方法，在萧克莱的构想中，使用半导体两边的n型层来取代点接触电晶体的金属针，藉由调节中间p型层的电压，就能调控电子或电洞的流动，这是一种进步很多的晶体管，也称为双极型晶体管 (bipolar transistor)，但以当时的技术，还无法实际制作出来。 晶体管的确是由于科学发明而创造出来的一个新组件，但是工业界在1950年代为了生产晶体管，却碰到许多困难。1951年，西方电器公司（Western Electric）开始生产商用的锗接点晶体管，1952年4月，西方电器、雷神(Raytheon)、美国无线电(RCA) 与奇异(GE)等公司，则生产出商用的双极型晶体管。但直到1954年5月，第一颗以硅做成的晶体管才由美国德州仪器公司(Texas Instruments)开发成功；约在同时，利用气体扩散来把杂质掺入半导体的技术也由贝尔实验室与奇异公司研发出来；在1957年底，各界已制造出六百种以上不同形式的晶体管，使用于包括无线电、收音机、电子计算器甚至助听器等等电子产品。 早期制造出来的晶体管均属于高台式的结构。1958年，快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor)发展出平面工艺技术(planar technology)，借着氧化、黄光微影、蚀刻、金属蒸镀等技巧，可以很容易地在硅芯片的同一面制作半导体组件。1960年，磊晶(epitaxy)技术也由贝尔实验室发展出来了。至此，半导体工业获得了可以批次(batch)生产的能力，终于站稳脚步，开始快速成长

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解决办法如下：1、重新下载并安装游戏，下载前关闭杀毒软件，安装时可以修改盘符但不要修改安装路径，更不要使用中文的安装路径；2、个别情况会出现重新下载后依然无法登陆，这时该考虑中了病毒或木马又或者是恶意代码，卸载原有软件后全面深度杀毒，然后再重新安装游戏；3、如果杀毒不解决问题的，只好重做系统再重新安装。4、这样依然不能解决的，要重新分区、重新做系统、再重新安装，要按次序操作。

从师兄那转载的几部宝典： 1. 拉扎维的《模拟CMOS集成电路设计》，我们研二模电课的教材，汪宁老师把这门课讲得可圈可点。当时没意识到有其他书，于是我就把此书读了好几遍。此书内容多摘自较新的论文，还未得到工业界的实践论证，所以一大特点就是pitfalls较多。但不失为为大家提供很多深入研究主题的sourcing。 2. Phillip E. Allen的《CMOS模拟集成电路设计第二版》，此书工程性很强，适合有一定CMOS模电理论基础的人读。当时由于毕设想做ADC，于是接触了此书。读后感觉Phillip通篇都是为了写ADC而写此书，值得一提的是5、6、7章把OP-AMP写得非常精彩。 3. 强力推荐的是Paul R. Gray的《模拟集成电路的分析与设计》，堪称模电之Bible，鄙人最近正钻研此书，惜得宝书有种相见恨晚的感觉，很是上瘾甚至有点欲罢不能。此书是UC Berkeley的EECS系为EE140和EE240专门指定的教材，可以说是汇聚了berkeley的精华，berkeley之精华乃silicon valley之精华，siliconvalley之精华乃IC之精华。阅读此书（英文版），你一定能体会到Paul这位Godfather思维之严谨、论证之严密，条理之清晰，该书的一大亮点就是把bipolar和CMOS作为counterpart很好地结合在了一起讲，能带给读者一完整的transistor级IC的概念。推荐必读。EE140在Berkeley是由大牛Rorber R.Broderson（全哥以前的boss）在教，comic上有他的视频，我坚持上完了他整个一学期的课，感觉收获相当大，似乎感觉自己身体里的血液都是Analog做的，你不可能不喜欢上他。 4. Alan Hastings的《模拟电路版图的艺术》，该书连同Paul那本一起作为在Berkeley的 EE240的教材，它帮助你从一个电路 designer的角度来看工艺，又能从工艺的角度来反哺你设计的circuit, 是一致公认的优秀后端教材。 5. Robert F. Pierret的《半导体器件基础》相比于施敏的那本上手来得更容易，相信研一的诸位大多读过此书。Berkeley 的EE130是由Prof. King(Tsu Jae)来教，有志投身analog或者device的同学最好把energy band，pn junction, BJT和 MOS的基础打牢。顺便提一句，有关"信号与系统"和"控制"方面的知识也是必须的，特别当涉及到高频和稳定性设计时就显得格外必要。 6. 可能有部分同学打算投身RF，那么推荐Thomas H. Lee的《The Design of CMOS Radio-Frequency Integrated Circuits Second Edition》,绝对权威。此书我还没研究过，就暂且不发表评论了。个人觉得，能够有机会多从不同角度观察不同学者对某一subject的讨论是一件很幸运的事，拜读这些大师们（Paul Gray, R.G. Meyer, S.H. Lewis, Paul J. Hurst, Thomas H. Lee, Alan Hastings, R.Broderson等等, 特别是Berkeley的五人组）的著作能帮助我迅速打开自己的思路，提升对这一学术领域的认识。此外，UCBerkeley作为美国公立大学的典范，代表了那种出身贫寒但却不畏权贵、勇于抗挣、挑战特权和精英（Harvard, Yale,Stanford）的精神，令人钦佩。朝去朝来，日月轮回，对于我们这里的每个人来说，也都不过只是这个学校的匆匆过客，带走的是我们的知识和理想，留下的是我们宝贵的"学脉"。

The role of transistor Transistor, is one of the most common basic components, the role of main transistor current amplification, he is the heart of electronic circuit components, are essential components of large scale integrated circuit is transistor. Transistors are the basic institutions of a semiconductor substrate in the production of the two in close proximity of the PN junction, the two blocks of semiconductor PN junction is divided into three parts, the middle part of the base area, on both sides of part of the emitter and collector areas, arrangement of There are two PNP and NPN, from the corresponding electrode leads the three areas, namely e base emitter and collector b c. Between the emitter and the base region of the PN junction is called the emitter, collector and base region of the PN junction between the collector called. Very thin base region, while the emitter thick, impurity concentration of large, PNP-type transistor emitter "launch" the hole, its moving direction and current direction, and therefore the arrow to where the emitter; NPN-type transistor emitter "launch "is the free electron, its moving direction and current in the opposite direction, so the emitter arrow out. Emitter arrow out. Arrow points to the emitter PN junction in forward voltage is under the direction of conduction. Silicon germanium transistor and PNP transistor has two types of type and NPN type. Transistor is a control element, the role of very large transistors, can be said that without the invention of the transistor is not the modern information society so diverse, tubes, his predecessor, but the size of a large tube enormous power, has now been eliminated. Transistor size is mainly used to control current to total emitter Connection Example (signal from the base input, the output from the collector, emitter grounded), when the base voltage UB has a small change, base current IB will follow a small change, subject to the control of base current IB, the collector current IC will be a great change, the greater the base current IB, the greater the collector current IC, whereas the more base current small, the collector current is also smaller, which control the base current the collector current changes. However, changes in the collector current changes than the base current is much greater, and this is the current amplification transistor. Just said is the transistor current amplification effect, and its essence is the transistor base current can change slightly to control the volume of the larger collector current variation. This is the most basic and most important transistor characteristics. We will ΔIc / ΔIb as the ratio of current amplification transistor, with symbol "β" said. Current amplification factor for a transistor is only a fixed value, but with the transistor"s base current when the work of change there will be some modifications. According to our analysis of the role of transistors it can become weak signal strength of the signal must, of course, continue to follow the conversion of energy conservation, it is only the power of the signal energy into the energy Bale. An important parameter is the transistor current amplification factor β. When the transistor"s base, adding a small current, the collector can get a current is injected into the current β-fold, that the collector current. Collector current with base current of change, and small changes in base current can cause large changes in collector current, which is the transistor"s amplification. The role of transistor switches are electronic, with the other components also constitute the oscillator, in addition to the role of regulator transistor there. 【译文】晶体三极管的作用晶体三极管，是最常用的基本元器件之一，晶体三极管的作用主要是电流放大，他是电子电路的核心元件，现在的大规模集成电路的基本组成部分也就是晶体三极管。 三极管基本机构是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结，两个PN结把正块半导体分成三部分，中间部分是基区，两侧部分是发射区和集电区，排列方式有PNP和NPN两种， 从三个区引出相应的电极，分别为基极b发射极e和集电极c。发射区和基区之间的PN结叫发射结，集电区和基区之间的PN结叫集电极。基区很薄，而发射区较厚，杂质浓度大，PNP型三极管发射区"发射"的是空穴，其移动方向与电流方向一致，故发射极箭头向里；NPN型三极管发射区"发射"的是自由电子，其移动方向与电流方向相反，故发射极箭头向外。发射极箭头向外。发射极箭头指向也是PN结在正向电压下的导通方向。硅晶体三极管和锗晶体三极管都有PNP型和NPN型两种类型。 三极管是一种控制元件，三极管的作用非常的大，可以说没有三极管的发明就没有现代信息社会的如此多样化，电子管是他的前身，但是电子管体积大耗电量巨大，现在已经被淘汰。三极管主要用来控制电流的大小，以共发射极接法为例（信号从基极输入，从集电极输出，发射极接地），当基极电压UB有一个微小的变化时，基极电流IB也会随之有一小的变化，受基极电流IB的控制，集电极电流IC会有一个很大的变化，基极电流IB越大，集电极电流IC也越大，反之，基极电流越小，集电极电流也越小，即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多，这就是三极管的电流放大作用。 刚才说了电流放大是晶体三极管的作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。我们将ΔIc/ΔIb的比值称为晶体三极管的电流放大倍数，用符号“β”表示。电流放大倍数对于某一只三极管来说是一个定值，但随着三极管工作时基极电流的变化也会有一定的改变。根据三极管的作用我们分析它可以把微弱的电信号变成一定强度的信号，当然这种转换仍然遵循能量守恒，它只是把电源的能量转换成信号的能量罢了。三极管有一个重要参数就是电流放大系数β。当三极管的基极上加一个微小的电流时，在集电极上可以得到一个是注入电流β倍的电流，即集电极电流。集电极电流随基极电流的变化而变化，并且基极电流很小的变化可以引起集电极电流很大的变化，这就是三极管的放大作用。三极管的作用还有电子开关，配合其它元件还可以构成振荡器，此外三极管还有稳压的作用。

发射管不同于普通的三极管。这种管子在出厂前都经过老化测试和温度测试，以提高它的稳定性和可靠度。这种三极管是不能用普通三极管代替的（就算参数一致甚至还要高都不行）。特别是进口的，国产的基本没有可替换的。

时间厂里 设备改换了

第二个 ASIC集成电路有

变频器是由整流单元，直流母线，逆变单元，控制电路和固件组成。IGBT就是逆变单元和主动整流单元的基础电力元件。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，中文叫绝缘栅双极型晶体管，是变频器的重要组成部分，也是变频器经常损坏的元件，大功率的IGBT一般和它的驱动电路是一体的，里面还有测温元件等等。一般高功率变频器都要购买IGBT和驱动电路板作为备件，以备在损坏时维修更换。

早在1930与1940年代，使用半导体制作固态放大器的想法就持续不绝;第一个有实验结果的放大器是1938年，由波欧(RobertPohl，1884~1976)与赫希(RudolfHilsch)所做的，使用的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极，尽管其操作频率只有一赫兹，并无实际用途，却证明了类似真空管的固态三端子组件的实用性。二次大战后，美国的贝尔实验室(BellLab)，决定要进行一个半导体方面的计画，目标自然是想做出固态放大器，它们在1945年7月，成立了固态物理的研究部门，经理正是萧克莱(WilliamShockley，1910~1989)与摩根(StanleyMorgan)。由于使用场效应(fieldeffect)来改变电导的许多实验都失败了，巴丁(JohnBardeen，1908~1991)推定是因为半导体具有表面态(surfacestate)的关系，为了避开表面态的问题，1947年11月17日，巴丁与布莱登(WalterBrattain1902~1987)在硅表面滴上水滴，用涂了蜡的钨丝与硅接触，再加上一伏特的电压，发现流经接点的电流增加了!但若想得到足够的功率放大，相邻两接触点的距离要接近到千分之二英吋以下。12月16日，布莱登用一块三角形塑料，在塑料角上贴上金箔，然后用刀片切开一条细缝，形成了两个距离很近的电极，其中，加正电压的称为射极(emitter)，负电压的称为集极(collector)，塑料下方接触的锗晶体就是基极(base)，构成第一个点接触电晶体(pointcontacttransistor)，1947年12月23日，他们更进一步使用点接触电晶体制作出一个语音放大器，该日因而成为晶体管正式发明的重大日子。另一方面，就在点接触电晶体发明整整一个月后，萧克莱想到使用p-n接面来制作接面晶体管(junctiontransistor)的方法，在萧克莱的构想中，使用半导体两边的n型层来取代点接触电晶体的金属针，藉由调节中间p型层的电压，就能调控电子或电洞的流动，这是一种进步很多的晶体管，也称为双极型晶体管(bipolartransistor)，但以当时的技术，还无法实际制作出来。晶体管的确是由于科学发明而创造出来的一个新组件，但是工业界在1950年代为了生产晶体管，却碰到许多困难。1951年，西方电器公司(WesternElectric)开始生产商用的锗接点晶体管，1952年4月，西方电器、雷神(Raytheon)、美国无线电(RCA)与奇异(GE)等公司，则生产出商用的双极型晶体管。但直到1954年5月，第一颗以硅做成的晶体管才由美国德州仪器公司(TexasInstruments)开发成功;约在同时，利用气体扩散来把杂质掺入半导体的技术也由贝尔实验室与奇异公司研发出来;在1957年底，各界已制造出六百种以上不同形式的晶体管，使用于包括无线电、收音机、电子计算器甚至助听器等等电子产品。早期制造出来的晶体管均属于高台式的结构。1958年，快捷半导体公司(FairchildSemiconductor)发展出平面工艺技术(planartechnology)，借着氧化、黄光微影、蚀刻、金属蒸镀等技巧，可以很容易地在硅芯片的同一面制作半导体组件。1960年，磊晶(epitaxy)技术也由贝尔实验室发展出来了。至此，半导体工业获得了可以批次(batch)生产的能力，终于站稳脚步，开始快速成长

薄膜晶体管　　Thin Film Transistor (薄膜场效应晶体管)，是指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动。从而可以做到高速度高亮度高对比度显示屏幕信息。TFT属于有源矩阵液晶显示器。　　补充：TFT（ThinFilmTransistor）是指薄膜晶体管，意即每个液晶像素点都是由集成在像素点后面的薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息，是目前最好的LCD彩色显示设备之一，其效果接近CRT显示器，是现在笔记本电脑和台式机上的主流显示设备。TFT的每个像素点都是由集成在自身上的TFT来控制，是有源像素点。因此，不但速度可以极大提高，而且对比度和亮度也大大提高了，同时分辨率也达到了很高水平。　　TFT ( Thin film Transistor，薄膜晶体管）屏幕，它也是目前中高端彩屏手机中普遍采用的屏幕，分65536 色及26 万色，1600万色三种，其显示效果非常出色。 [编辑本段]TFT技术解析　　TFT(Thin Film Transistor)LCD即薄膜场效应晶体管LCD，是有源矩阵类型液晶显示器(AM-LCD)中的一种。　　和TN技术不同的是，TFT的显示采用“背透式”照射方式——假想的光源路径不是像TN液晶那样从上至下，而是从下向上。这样的作法是在液晶的背部设置特殊光管，光源照射时通过下偏光板向上透出。由于上下夹层的电极改成FET电极和共通电极，在FET电极导通时，液晶分子的表现也会发生改变，可以通过遮光和透光来达到显示的目的，响应时间大大提高到80ms左右。因其具有比TN-LCD更高的对比度和更丰富的色彩，荧屏更新频率也更快，故TFT俗称“真彩”。 　　相对于DSTN而言，TFT-LCD的主要特点是为每个像素配置一个半导体开关器件。由于每个像素都可以通过点脉冲直接控制。因而每个节点都相对独立，并可以进行连续控制。这样的设计方法不仅提高了显示屏的反应速度，同时也可以精确控制显示灰度，这就是TFT色彩较DSTN更为逼真的原因。 　　目前，绝大部分笔记本电脑厂商的产品都采用TFT-LCD。早期的TFT-LCD主要用于笔记本电脑的制造。尽管在当时TFT相对于DSTN具有极大的优势，但是由于技术上的原因，TFT-LCD在响应时间、亮度及可视角度上与传统的CRT显示器还有很大的差距。加上极低的成品率导致其高昂的价格，使得桌面型的TFT-LCD成为遥不可及的尤物。 　　不过，随着技术的不断发展，良品率不断提高，加上一些新技术的出现，使得TFT-LCD在响应时间、对比度、亮度、可视角度方面有了很大的进步，拉近了与传统CRT显示器的差距。如今，大多数主流LCD显示器的响应时间都提高到50ms以下，这些都为LCD走向主流铺平了道路。 　　LCD的应用市场应该说是潜力巨大。但就液晶面板生产能力而言，全世界的LCD主要集中在中国台湾、韩国和日本三个主要生产基地。亚洲是LCD面板研发及生产制造的中心，而台、日、韩三大产地的发展情况各有不同。 　　目前主流的TFT面板有a－Si(非晶硅薄膜晶体管)

电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管Giant Transistor——GTR，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。GTR基极驱动电路(1)对基极驱动电路的要求①实现主电路与控制电路间的电隔离。②导通时，基极正向驱动电流应有足够陡的前沿，并有一定幅度的强制电流，以加速开通过程，减小开通损耗。③GTR导通期，基极电流都应使GTR处在临界饱和状态，这样既可降低导通饱和压降，又可缩短关断时间。④在使GTR关断时，应向基极提供足够大的反向基极电流，以加快关断速度，减小关断损耗。⑤应有较强的抗干扰能力，并有一定的保护功能。(2)基极驱动电路图4-12 实用的GTR驱动电路2．集成化驱动集成化驱动电路克服了一般电路元件多、电路复杂、稳定性差和使用不便的缺点，还增加了保护功能。3．GTR的保护电路开关频率较高，采用快熔保护是无效的。一般采用缓冲电路。主要有RC缓冲电路、充放电型R、C、VD缓冲电路和阻止放电型R、C、VD缓冲电路三种形式，如图4-13所示。a) b) c)图4-13 GTR的缓冲电路图4-13a所示RC缓冲电路只适用于小容量的GTR(电流10 A以下)。图4-13b所示充放电型R、C、VD缓冲电路用于大容量的GTR。图4-13c所示阻止放电型R、C、VD缓冲电路，较常用于大容量GTR和高频开关电路，其最大优点是缓冲产生的损耗小。

一只标志不清的晶体管三极管，可以用万用表判断它的极性，确定它是硅管还是锗管，并同时区分它的管脚。对于一般小功率管，判断时一般只宜用Rx1K档.步骤如下： 1. 正测与反测 将红黑表笔测晶体管的任意两脚电阻，再红黑表笔互换仍测这两脚电阻，两次测量电阻读数不同，我们把电阻读数较小的那次测量叫正测，我们把电阻读数较大的那次测量叫反测。 2. 确定基极 将晶体管三只管脚编上号1.2.3. 万用表作三种测量,即1-2， 2-3，3-1，每种又分正测和反测。这六次测量中, 有三次属正测， 且电阻读数个不相同。找出正测电阻最大的那只管脚，例如1-2，另一支管脚3便是基极。这是由于不论管或管，都为两个二极管反向连接而成（如附图）。发射极，集电极与基极间的正测电阻即一般二极管正向电阻，很小。当两表笔接集电极和发射极时，其阻值远大于一般二极管正向电阻。 3. 判别极性 黑表笔接已确定的基极，红表笔接另一任意极，若为正测，则为NPN管，若为反测，则为PNP管。这是因为黑表笔接万用表内电池正端，如为正测，黑表笔接的是P端，晶体管属NPN型。如为反测，黑表笔接的是N端，晶体管属PNP型。 4. 确定集电极和发射极对集电极和发射极作正测。在正测时，对NPN管黑表笔接的是集电极，对PNP管，黑表笔接的是发射极。这是因为不论正测或反测，都有一个PN结处于反向，电池电压大部分降落在反向的PN结上。发射结正偏，集电路反偏时流过的电流较大，呈现的电阻较小。所以对NPN管，当集,射间电阻较小时，集电极接的是电池正极，即接的是黑表笔。对PNP管，当集，射间的电阻较小时，发射极接的是黑表笔。 5. 判别是硅管还是锗管 对发射极基极做正测， 若指针偏转了1/2--3/5，是硅管。若指针偏转了4/5以上，是锗管。这是因为电阻挡对基——射极作正测时, 加在基射间的电压是Ube=(1-n/N)E， E=1.5v是电池电压，N是有线性刻度的某一直流电压的总分格数，n是表针在该刻度线上偏转的分格数。通常硅管U=0.6~0.7v， 锗管Ube=0.2~0.3v。因此在测试时， 对硅管， n/N约为1/2-3/5；对锗管， n/N约为4/5以上。 另外，对于一般小功率的判别，万用表不宜采用Rx10或Rx1挡。以500型万用表测硅管来说明，该表内阻在Rx10挡是100欧，对硅管b.e极作正测是，电流达Ibe=(1.5v-0.7v)/100欧=8mA，? 测锗管时电流还要大，用Rx1挡电流更大，有可能损坏晶体管。至于Rx1k挡，该挡电池电压较高，常见的有1v,12v,15v,22.5v等几种，反测时有可能造成PN结击穿，故此挡也应慎用。

MOSFET：金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管（field-effect transistor）。MOSFET依照其“通道”的极性不同，可分为n-type与p-type的MOSFET，通常又称为NMOSFET与PMOSFET，其他简称尚包括NMOS FET、PMOS FET、nMOSFET、pMOSFET等。IGBT：IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

适合平民玩的游戏有很多，而且当下有很多游戏都适合平民来玩，还是要看个人的兴趣爱好的，有人喜欢剧情类，有人喜欢竞技类；不通的人兴趣爱好不同。

结型场效应管工作的时候PN结是反向偏置的，所以认为G-S ,G-D.之间的电阻都是无穷大，实际上由于工艺的原因是存在漏电电阻的，不过比较大。

全称Transistor-TransistorLogic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（BipolarJunctionTransistor即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。TTL输出高电平>2.4V，输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。

电力晶体管（Giant Transistor——GTR，直译为巨型晶体管）。耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor——BJT），英文有时候也称为Power BJT。双极型功率晶体管BJT的容量水平已达1.8kV／lkA，频率为20kHz。在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称等效。 与普通的双极结型晶体管基本原理是一样的。主要特性是耐压高、电流大、开关特性好。通常采用至少由两个晶体管按达林顿接法组成的单元结构。采用集成电路工艺将许多这种单元并联而成。

TTL(Transistor Transistor Logic) 是晶体管逻辑的简称，它实际上是指一种集成电路的制造工艺，使用这种工艺生产制造的数字集成电路称之为TTL器件。 TTL 电平是指0 - 5V的正逻辑电平，一般可以理解为 TTL 所使用的电平标准，在使用时允许的电源是在 4.75 - 5.25V 之间上下浮动，电压为0.8 以下时被认为是低电平，而电压 2.0 V以上时则被认为是高电平， TTL 芯片的输入管脚 悬空 被认为是输入一个高电平。 TTL 器件通常用 S、L、LS、HCT 等字符来标识，最著名的 7400 系列就是指 TTL 器件，如74LS164 等等，它们使用标准TTL电平。TTL 器件是最为普通又非常流行的数字集成电路，而且非常容易上手，可以说是最古老的一种数字集成电路。尽管 CMOS 电路有许多优点，而当今已渐渐成为 CMOS 器件的天下，但是，TTL 器件的作用不可抹杀，时至今天也还有人在使用标准的TTL电路。 今天我们常用的是 “74LS00系列”的TTL集成电路。其中“L”表示低功耗，“S”表示肖特基技术，请记住，LS系列的TTL器件的出现是一个里程碑。 TTL 器件有两种较为特殊的品种，一种是集电极开路的器件，如 74LS06，它在使用时须加上拉电阻，这种电路的驱动能力较大，而且它的输出引脚可以直接连接在一起，形成相“与”的结果，同时在不同应用电压之间的逻辑转换也常常要用到它。第二种是施密特门器件，它的内部采用施密特触发器，输出具有整型功能。

pnp输出与ttl区别参考如下：1、NPN/TTL是TTL0-5V集电极开路信号，电流方向与PNP相反。2、TTL：Transistor-Transistor Logic标准TTL信号，0-5V脉冲信号，高电平>4.2V，低电平<0.4V3、TTL适合5V输出编码器与HTL适合24V输出编码器。

三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管种类双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor）J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）

晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关(如Relay、switch)不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

硅，详细请见http://baike.baidu.com/view/30363.htm

是物理咚咚把

Trench = Trenchgate 沟渠式的该技术参考下列说明 :TrenchMOS or Trenchgate MOS- overview or tutorial about the basics and essential details of the TrenchMOS or Trench Gate MOS field effect transistor an electronics component used in many applications to give higher power performance than traditional FETsField effect transistor, FET technology includes: u2022 Junction FET or JFET u2022 MOSFET u2022 VMOS u2022 UMOS u2022 TrenchMOS u2022 GaAs FET / MESFET u2022 HEMT / PHEMTThe TrenchMOS technology provides a significant improvement over previous power MOS technologies. This new form of power MOSFET is an electronics component which uses a new structure to provide a more direct and hence more efficient path for the current flow within the semiconductor device.The TrenchMOS technology is an MOS "trench" style technology developed by Philips Semiconductors, now NXP which provides high levels of performance in terms of current density and low "ON" resistance. Although many manufacturers have their own forms of "trench" technology, TrenchMOS is the process that is manufactured and marketed by NXP.The TrenchMOS devices offer electronics designers a choice of lower heat dissipation for the same size chip, a higher current handling capability from the same sized chip, or a smaller chip with the same dissipation. When choosing electronics components, TrenchMOS is a semiconductor technology that ahs plenty to offer when power MOSFET applications are needed.TrenchMOS structureTrenchMOS uses a vertical structure for the FET device. This has the advantage that it provide a structure in which a much shorter channel can be fabricated. As the current only flows through a relatively small area, resistance values can be high reducing the efficiency of the device.TrenchMOS uses a vertical structure as shown below. From this it can be seen that this form of semiconductor device has the source is at the top of the device, and the drain is at the bottom. Instead of flowing horizontally as in the standard FET, current in this device flows vertically.TrenchMOS field effect transistor structureTrenchMOS has differences to other forms of vertical MOS semiconductor device structures. Rather than using the more established V-groove structure, a different trench format is used. With TrenchMOS FET technology, the gate is formed by etching a trench in the semiconductor structure which then has an insulating oxide layer added and then filled with polysilicon. The resulting structure is more optimally configured for the operation of a power MOSFET, where the depth of the structure is of vital importance to the operation and the resistance. This results in the on resistance being considerably reduced when compared to other FET electronics components.The low resistance of the TrenchMOS FETs means that heat sinks are not required in many instances, enabling these devices to be made in surface mount packages for easy assembly on printed circuit boards, i.e. SOT223 and SOT404 (equivalent to D2PAK). The Rds(on) values comprise 8, 14, 18 and 24 milli-Ohm and a choice of 5V or 10V operational drive voltage, all with a peak voltage load tolerance of up to 55V. These devices also have built-in ElectroStatic Discharge protection of up to 2kV to protect during handling and assembly.TrenchMOS applicationsThere are many applications for TrenchMOS devices. They allow such a device, i.e. in any portable electrical product that requires voltages of less than 100V to be switched on and off, but the most significant area is in automotive. Here there are three main uses on which Philips is focussing their use:Provide an alternative to relays that the automotive industry wants to replace as, being electro-mechanical, they are not as reliable as solid state switches.Achieve low resistances values of typically around 8 milli-Ohms using TrechMOS semiconductor. This can enable two conventional 15 milli-Ohm devices used in parallel (a typical technique used to achieve low resistance values) to be swapped for one device, thereby saving PCB space.TrenchMOS FET semiconductor devices enable electronics circuits to be made much smaller, again saving in cost and PCB spaceIn addition to these applications, TrenchMOS FET devices are incorporated in many integrated circuit chips.

KornTwisted TransistorHey you, hey you, Devil"s little sisterListening to your Twisted TransistorHold it between your legsTurn it up, turn it upThe wind is coming throughCan"t get enoughA lonely life, where no one understands youBut don"t give up, because the music doMusic doBecause the music doAnd then it is reachingInside you forever preachingFuck you tooYour scream"s a whisperHang on youTwisted TransistorHey you, hey you, finally you get itThe world ain"t fair, eat you if you let itAnd as your tears fall onYour breast, your dressVibrations coming throughYou"re in a messA lonely life, where no one understands youBut don"t give up, because the music doMusic doBecause the music doAnd then it is reachingInside you forever preachingFuck you tooYour scream"s a whisperHang on youTwisted TransistorMusic doHey you, hey you, this won"t hurt a bitThis won"t hurt a bit, this won"t hurtAnes科恩扭曲的晶体管嘿你，嘿你，魔鬼的妹妹听您的扭曲晶体管持有之间的腿打开了，把它上升风正通过无法获得足够的一个孤独的生活，在那里没有人理解你但是，不要放弃，因为这样的音乐做音乐因为这样的音乐然后是达到你内心永远说教你太他妈的您尖叫的耳语挂在你扭曲的晶体管嘿你，嘿你，最后你得到它世界是不公平的，如果你吃你让它和你的眼泪落在您的乳房，你的着装振动今后通过你是在一个烂摊子一个孤独的生活，在那里没有人理解你但是，不要放弃，因为这样的音乐做音乐因为这样的音乐然后是达到你内心永远说教你太他妈的您尖叫的耳语挂在你扭曲的晶体管做音乐嘿你，嘿你，这不会伤害有点这不会伤害位，这不会伤害说谁呢？说谁呢？ Says who? Says who?麻醉

早在1930与1940年代，使用半导体制作固态放大器的想法就持续不绝；第一个有实验结果的放大器是1938年，由波欧(Robert Pohl， 1884~1976)与赫希(Rudolf Hilsch)所做的，使用的是溴化钾晶体与钨丝做成的闸极，尽管其操作频率只有一赫兹，并无实际用途，却证明了类似真空管的固态三端子组件的实用性。 二次大战后，美国的贝尔实验室(Bell Lab)，决定要进行一个半导体方面的计画，目标自然是想做出固态放大器，它们在1945年7月，成立了固态物理的研究部门，经理正是萧克莱(William Shockley， 1910~1989)与摩根(Stanley Morgan)。由于使用场效应(field effect)来改变电导的许多实验都失败了，巴丁(John Bardeen，1908~1991)推定是因为半导体具有表面态(surface state)的关系，为了避开表面态的问题，1947年11月17日，巴丁与布莱登(Walter Brattain 1902~1987)在硅表面滴上水滴，用涂了蜡的钨丝与硅接触，再加上一伏特的电压，发现流经接点的电流增加了！但若想得到足够的功率放大，相邻两接触点的距离要接近到千分之二英吋以下。12月16日，布莱登用一块三角形塑料，在塑料角上贴上金箔，然后用刀片切开一条细缝，形成了两个距离很近的电极，其中，加正电压的称为射极 (emitter)，负电压的称为集极 (collector)，塑料下方接触的锗晶体就是基极 (base)，构成第一个点接触电晶体 (point contact transistor)，1947年12月23日，他们更进一步使用点接触电晶体制作出一个语音放大器，该日因而成为晶体管正式发明的重大日子。 另一方面，就在点接触电晶体发明整整一个月后，萧克莱想到使用p-n接面来制作接面晶体管 (junction transistor) 的方法，在萧克莱的构想中，使用半导体两边的n型层来取代点接触电晶体的金属针，藉由调节中间p型层的电压，就能调控电子或电洞的流动，这是一种进步很多的晶体管，也称为双极型晶体管 (bipolar transistor)，但以当时的技术，还无法实际制作出来。 晶体管的确是由于科学发明而创造出来的一个新组件，但是工业界在1950年代为了生产晶体管，却碰到许多困难。1951年，西方电器公司（Western Electric）开始生产商用的锗接点晶体管，1952年4月，西方电器、雷神(Raytheon)、美国无线电(RCA) 与奇异(GE)等公司，则生产出商用的双极型晶体管。但直到1954年5月，第一颗以硅做成的晶体管才由美国德州仪器公司(Texas Instruments)开发成功；约在同时，利用气体扩散来把杂质掺入半导体的技术也由贝尔实验室与奇异公司研发出来；在1957年底，各界已制造出六百种以上不同形式的晶体管，使用于包括无线电、收音机、电子计算器甚至助听器等等电子产品。 早期制造出来的晶体管均属于高台式的结构。1958年，快捷半导体公司 (Fairchild Semiconductor)发展出平面工艺技术(planar technology)，借着氧化、黄光微影、蚀刻、金属蒸镀等技巧，可以很容易地在硅芯片的同一面制作半导体组件。1960年，磊晶(epitaxy)技术也由贝尔实验室发展出来了。至此，半导体工业获得了可以批次(batch)生产的能力，终于站稳脚步，开始快速成长

高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0，从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”门，“或”门，“非”门，“异或”门（也称：互斥或）等等。组成逻辑门可以用电阻、电容、二极管、三极管等分立原件构成，成为分立元件门。也可以将门电路的所有器件及连接导线制作在同一块半导体基片上，构成集成逻辑门电路。简单的逻辑门可由晶体管组成。这些晶体管的组合可以使代表两种信号的高低电平在通过它们之后产生高电平或者低电平的信号。作用高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0，从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”门，“或”门，“非”门，“异或”门（也称：互斥或）等等。逻辑门可以组合使用实现更为复杂的逻辑运算。类别逻辑门电路是数字电路中最基本的逻辑元件。所谓门就是一种开关，它能按照一定的条件去控制信号的通过或不通过。门电路的输入和输出之间存在一定的逻辑关系(因果关系)，所以门电路又称为逻辑门电路。基本逻辑关系为“与”、“或”、“非”三种。逻辑门电路按其内部有源器件的不同可以分为三大类。第一类为双极型晶体管逻辑门电路，包括TTL、ECL电路和I2L电路等几种类型；第二类为单极型MOS逻辑门电路，包括NMOS、PMOS、LDMOS、VDMOS、VVMOS、IGT等几种类型；第三类则是二者的组合BICMOS门电路。常用的是CMOS逻辑门电路。1、TTL全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。 TTL门电路有74（商用）和54（军用）两个系列，每个系列又有若干个子系列。TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响。

MCT应该为MOS Controlled thyristor。楼下错误翻译：光电晶体管光耦合器

A transistor is a semiconductor device used to amplify and switch electronic signals

　　TFT液晶显示屏　　TFT（Thin Film Transistor）即薄膜场效应晶体管，是指液晶显示器上的每一液晶象素点都是由集成在其后的薄膜晶体管来驱动，从而可以做到高速度、高亮度、高对比度显示屏幕信息，TFT属于有源矩阵液晶显示器。TFT-LCD液晶显示屏是薄膜晶体管型液晶显示屏，也就是“真彩”，它不仅提高了显示屏的反应速度，同时可以精确控制显示色阶。TFT液晶显示屏的特点是亮度好、对比度高、层次感强、颜色鲜艳，但也存在着比较耗电和成本较高的不足。

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

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场效应管的作用 1、场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。 2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。 3、场效应管可以用作可变电阻。 4、场效应管可以方便地用作恒流源。 5、场效应管可以用作电子开关。

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TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响。数字电路中，由TTL电子元器件组成电路使用的电平。电平是个电压范围，规定输出高电平>2.4V,输出低电平<0.4V。在室温下，一般输出高电平是3.5V，输出低电平是0.2V。最小输入高电平和低电平：输入高电平>=2.0V，输入低电平<=0.8V，噪声容限是0.4V。英文全称为：transistortransistorlogic“TTL集成电路的全名是晶体管-晶体管逻辑集成电路（Transistor-TransistorLogic),主要有54/74系列标准TTL、高速型TTL（H-TTL）、低功耗型TTL（L-TTL）、肖特基型TTL（S-TTL）、低功耗肖特基型TTL（LS-TTL）五个系列。标准TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小2.4V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.4V，典型值0.2V。S-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大0.8V，输出低电平最大0.5V。LS-TTL输入高电平最小2V，输出高电平最小Ⅰ类2.5V，Ⅱ、Ⅲ类2.7V,典型值3.4V,输入低电平最大Ⅰ类0.7V，Ⅱ、Ⅲ类0.8V，输出低电平最大Ⅰ类0.4V，Ⅱ、Ⅲ类0.5V，典型值0.25V。”

专业知识，请查阅书籍U0001f602

在transistor.olb元件库文件里。1、打开capture软件。2、点击左上角的文件，点击导入transistor.olb。3.然后再点击元件库文件，里面就有放电管了。所以capture软件中的放电管在transistor.olb元件库文件中。

高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0，从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”门，“或”门，“非”门，“异或”门（也称：互斥或）等等。组成逻辑门可以用电阻、电容、二极管、三极管等分立原件构成，成为分立元件门。也可以将门电路的所有器件及连接导线制作在同一块半导体基片上，构成集成逻辑门电路。简单的逻辑门可由晶体管组成。这些晶体管的组合可以使代表两种信号的高低电平在通过它们之后产生高电平或者低电平的信号。作用高、低电平可以分别代表逻辑上的“真”与“假”或二进制当中的1和0，从而实现逻辑运算。常见的逻辑门包括“与”门，“或”门，“非”门，“异或”门（也称：互斥或）等等。逻辑门可以组合使用实现更为复杂的逻辑运算。类别逻辑门电路是数字电路中最基本的逻辑元件。所谓门就是一种开关，它能按照一定的条件去控制信号的通过或不通过。门电路的输入和输出之间存在一定的逻辑关系(因果关系)，所以门电路又称为逻辑门电路。基本逻辑关系为“与”、“或”、“非”三种。逻辑门电路按其内部有源器件的不同可以分为三大类。第一类为双极型晶体管逻辑门电路，包括TTL、ECL电路和I2L电路等几种类型；第二类为单极型MOS逻辑门电路，包括NMOS、PMOS、LDMOS、VDMOS、VVMOS、IGT等几种类型；第三类则是二者的组合BICMOS门电路。常用的是CMOS逻辑门电路。1、TTL全称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路，是数字电子技术中常用的一种逻辑门电路，应用较早，技术已比较成熟。TTL主要有BJT（Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管，晶体三极管）和电阻构成，具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列，后来出现了74H系列，74L系列，74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等缺点，正逐渐被CMOS电路取代。 TTL门电路有74（商用）和54（军用）两个系列，每个系列又有若干个子系列。TTL电平信号被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑“1”，0V等价于逻辑“0”，这被称做TTL（晶体管-晶体管逻辑电平）信号系统，这是计算机处理器控制的设备内部各部分之间通信的标准技术。TTL电平信号对于计算机处理器控制的设备内部的数据传输是很理想的，首先计算机处理器控制的设备内部的数据传输对于电源的要求不高以及热损耗也较低，另外TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；再者，计算机处理器控制的设备内部的数据传输是在高速下进行的，而TTL接口的操作恰能满足这个要求。TTL型通信大多数情况下，是采用并行数据传输方式，而并行数据传输对于超过10英尺的距离就不适合了。这是由于可靠性和成本两面的原因。因为在并行接口中存在着偏相和不对称的问题，这些问题对可靠性均有影响。

希望可以帮到你，谢谢

用两个SS8050或者三个S8050并联会比较好，不然，可能还要烧掉。