igbt是什么

IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor。igbt的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，绝缘栅双极型晶体管的意思。它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。igbt是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT模块介绍：IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

IGBT是指绝缘栅双极型晶体管。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

igbt是绝缘栅双极型晶体管。IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。igbt保管注意事项一般保存IGBT模块的场所，应保持常温常湿状态，不应偏离太大。常温的规定为5～35℃，常湿的规定在45～75%左右。在冬天特别干燥的地区，需用加湿机加湿；尽量远离有腐蚀性气体或灰尘较多的场合；在温度发生急剧变化的场所IGBT模块表面可能有结露水的现象，因此IGBT模块应放在温度变化较小的地方；保管时，须注意不要在IGBT模块上堆放重物。IGBT模块由于具有多种优良的特性，使它得到了快速的发展和普及，已应用到电力电子的各方各面。因此熟悉IGBT模块性能，了解选择及使用时的注意事项对实际中的应用是十分必要的。

IGBT就是门控三极管（三只脚，固定在铝散热片上）；IGBT温度传感器固定在门控管表面，两只脚，外形像二极管IN4148，监测门控管温度，经传导至运算处理器，过热时，停机保护，具有场效应管输入电流小的特点，同时又具有双极性晶体管电流密度高电压降比较小的特点，常用于电磁炉 变频器等场合。是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

igbt是什么电子元件？IGBT是一种绝缘栅双极晶体管电子元件。IGBT(绝缘栅双极晶体管)，绝缘栅双极晶体管，由双极晶体管(BJT)和绝缘栅场效应晶体管(金属氧化物半导体，MOS)组成，具有金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的高输入阻抗和巨晶体管(GTR)的低导通压降的优点。GTR饱和电压降低，载流密度高，但驱动电流大；MOSFET的驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT结合了上述两种器件的优点，具有低驱动功率和低饱和电压。非常适用于DC电压600V及以上的变流系统，如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前市场上销售的大部分产品都是这样的模块化产品。一般来说，IGBT也指IGBT模块。随着节能环保的推广，这类产品在市场上会越来越普遍。IGBT是能量转换和传输的核心器件，俗称电力电子器件的“CPU”。IGBT作为国家战略性新兴产业，广泛应用于轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车和新能源设备等领域。

是个电子开关，绝缘栅双极型晶体管。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 绝缘栅双极型功率管 是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。 igbt是vmos和bjt组成，vmos是V型场效应管，电压驱动器件，输入阻抗高，但是输入电容大， igbt是voms在前，bjt在后，好处是在高压大电流应用的时候，后级的bjt压降小，导通电阻的，效率高 非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域

1、igbt的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor，绝缘栅双极型晶体管的意思。它相当于电路开关，具有稳定控制电压，耐压性强等热点，多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。 2、从功能方面来说，igbt电路开关，最大的优点就是能稳定的控制住电压，耐压性强，因此经常用在电压几十到几百伏的强电流上，且它不是用机械按钮控制的，而是由计算机控制的。

IGBT的工作原理是是通过加正栅电压形成沟道，作用是为PNP晶体管提供基极电流，使IGBT导通。IGBT是绝缘栅双极型晶体管，是由双极型三极管和绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼有金氧半场效晶体管的高输入阻抗和电力晶体管的低导通压降两方面的优点，GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。工作特性：1、静态特性IGBT的静态特性主要有伏安特性、转移特性，IGBT的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似，也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。2、动态特性动态特性又称开关特性，IGBT的开关特性分为两大部分，一是开关速度，主要指标是开关过程中各部分时间，另一个是开关过程中的损耗。IGBT的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系，IGBT处于导通态时，由于它的PNP晶体管为宽基区晶体管，所以其B值极低。以上内容参考：百度百科—IGBT

IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。扩展资料IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET驱动电路提供的偏压更高。IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td(off)为关断延迟时间，trv为电压Uds(f)的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t(f1)和t(f2)两段组成，而漏极电流的关断时间。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给NPN晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。

是指单个IGBT元件，通常变频器用的IGBT都是双管的。

IGBT本质是电压控制电流型器件，用作开关调制时，通过调整占空比来调整负载的电压。IGBT，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT就是门控三极管（三只脚，固定在铝散热片上）；IGBT温度传感器固定在门控管表面，两只脚，外形像二极管IN4148，监测门控管温度，经传导至运算处理器，过热时，停机保护，具有场效应管输入电流小的特点，同时又具有双极性晶体管电流密度高电压降比较小的特点，常用于电磁炉 变频器等场合。是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式电力半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。

　　　　IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。　　普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。　　大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。　　将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。　　IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。　　常见的IGBT管的管脚排列，将管脚朝下，标型号面朝自己，从左到右数，1脚：栅极或称门极（G），2脚：集电极（c），3脚：发射极（e）。　　测量前将3个脚短路一下（放电），用指针表1K档正反测量Gc、Ge两极阻值均为无穷大，红笔接c极，黑笔接e极，若所测值3.5K左右，则管内含阻尼二极管，若所测值50K左右，则不带阻尼。　　

2018年12月，比亚迪在车规领域发布了IGBT4.0技术，基本被国外公司垄断。该技术发布后，比亚迪成为国内第一家实现整车规格IGBT大规模量产的车企，也是唯一一家IGBT产业链完整的车企。今天我们来谈谈IGBT和相关的事情。■什么是IGBT？它是做什么的？IGBT的中文名绝缘栅双极晶体管及其他；你可以把它想象成一个开关，在电压几十到几百伏，电流几十到几百安培的高压下使用。这时，你可能会认为这个电压和电流的大小不是我们日常家庭用电的大小。但是家里的电灯开关是由物理按钮控制的，IGBT是由电脑而不是机械按钮控制的。在日常生活中，我们使用交流电，发电厂发出交流电。但是

简单点说就是一三极管

IGBT工作原理：采用IGBT逆变电源技术交流→直流→交流→直流，50Hz交流电经全桥整流变成直流，由IGBT组成的PWM高频交换部分将直流电逆变成20Hz的高频矩形波，经非晶高频变压器耦合、整流滤波后形成稳定的直流电源。数字微处理器作为脉冲宽度调制（PWM）的相关控制器通过对功率自动补偿跟踪控制，对输出电流、电压做多参数、多信息提取与分析，达到提前对输出补偿和调整，使输出的电流、电压始终处于饱和状态，解决了以往线绕变压器，因电流、电压不稳定，输出功率不足的难题。

IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。 IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

标有IGBT 字样是说那机器逆变开关管是由IGBT做的，以前逆变焊机都是用MOS管做的，IGBT就算是MOS管的升级版.

栅极、集电极、发射极。根据公开信息查询得知：igbt的三个极分别是栅极、集电极、发射极。

二极管请看http://baike.baidu.com/view/1016.htm可控硅请看http://baike.baidu.com/view/685100.htm?fr=ala0IGBT请看http://baike.baidu.com/view/115175.htm这两去写得非常清楚，如有不懂得请留言，我帮您解决，这两样，我基本上天天都在用

IGBT模块：从功能上简单说就是实现逆变 ， 把直流电转换成可用的交流电。现在好多节能减排的产品都有用到，像变频器，逆变电源等！

(1)小功率的IGBT驱动220VAC采用自举IGBT驱动

IGBT单管：分立IGBT，封装较模块小，电流通常在50A以下，常见有TO247 TO3P等封装。 IGBT模块：即模块化封装的IGBT芯片。常见的有1in1,2in1,6in1等。 PIM模块：集成整流桥+制动单元+三相逆变 IPM模块：即智能功率模块，集成门级驱动及保护功能（热保护，过流保护等）的IGBT模块。 IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。

IGBT模块是几个单元的IGBT综合在一起，比如3单元的，就等于三个单管IGBT，这样的好处可以节约空间。一般在10KW以上的设备基本都是用模块才可以，而低功率的用单管IGBT，成本低很多。

IGBT按照要求使用的话，寿命应该了十年以上，如果使用环境粉尘多，震动大，潮湿，有腐蚀性气体，都会大大的影响使用寿命

晶闸管又叫闸流管，它可以像开关一样通断电流，像闸门一样关停水流，它的核心作用就是一个字----“闸”；所以晶闸管有两个状态，一个是导通状态，一个是截至状态；晶闸管的状态怎么改变，它有一个控制极，又叫触发极，给触发极加控制电压，就可使晶闸管的状态反转；不同材料、不同结构的晶闸管，控制极的控制电压的性质、幅度、宽度、作用都不一样；1、比如，SCR晶闸管，它的控制电压相对阴极为正极性脉冲，脉冲宽度大约5μs，幅度5v--10v；2、SCR晶闸管只能触发导通，不能触发关断，称之为半控器件；3、IGBT晶闸管，其结构为绝缘栅双极场效应晶体管，可以触发导通，也可以触发管断，所以称为全控器件；4、IGBT晶闸管优点：输入阻抗高、开关速度快、安全工作区宽、饱和压降低（甚至接近GTR的饱和压降）、耐压高、电流大。

绝缘栅双极性晶体管,大功率模块

深圳众达安科技有限公司，TEL:0755-27858661 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT的主要优点有：1、IGBT在正常工作时，导通电阻较低，增大了器件的电流容量。2、IGBT的输出电流和跨导都大于相同尺寸的功率MOSFET。3、较宽的低掺杂漂移区（n-区）能够承受很高的电压，因而可以实现高耐压的器件。4、IGBT利用栅极可以关断很大的漏极电流。6、与MOSFET一样，IGBT具有很大的输入电阻和较小的输入电容，则驱动功率低，开关速度高。IGBT也具有若干重大的的缺点：1、因为IGBT工作时，其漏极区（p+区）将要向漂移区（n-区）注入少数载流子——空穴，则在漂移区中存储有少数载流子电荷；当IGBT关断（栅极电压降为0）时，这些存储的电荷不能立即去掉，从而IGBT的漏极电流也就相应地不能马上关断，即漏极电流波形有一个较长时间的拖尾——关断时间较长（10～50ms）。2、所以IGBT的工作频率较低。为了缩短关断时间，可以采用电子辐照等方法来降低少数载流子寿命，但是这将会引起正向压降的增大等弊病。3、IGBT中存在有寄生晶闸管——MOS栅控的n+-p-n--p+晶闸管结构，这就使得器件的最大工作电流要受到此寄生晶闸管闭锁效应的限制（采用阴极短路技术可以适当地减弱这种不良影响）。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)全称“绝缘栅双极晶体管”，其芯片与动力电池电芯并称为电动车的 “双芯”，是影响电动车性能的关键技术。 IGBT的源头——单晶硅，需要电子纯化，99.999999999%高纯度多晶硅；基于金刚石的线切割法将硅锭切成一片片晶圆，同一块硅锭产出晶圆越薄，产生的数量越多，生产成本将会下降，于是晶圆厂不懈追求着晶圆片的薄度；在晶圆这个地基上，层层叠叠堆积电路，逐层构建芯片的梁和柱。 IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。 IGBT具有以下特点：高输入阻抗，可采用通用低成本的驱动线路；高速开关特性；导通状态低损耗。 IGBT兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，在综合性能方面占有明显优势，非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。 IGBT最常见的形式其实是模块（Module），而不是单管。多个芯片以绝缘方式组装到金属基板上；空心塑壳封装，与空气的隔绝材料是高压硅脂或者硅脂，以及其他可能的软性绝缘材料；同一个制造商、同一技术系列的产品，IGBT模块的技术特性与同等规格的IGBT 单管基本相同。 ——多个IGBT芯片并联，IGBT的电流规格更大。 ——多个IGBT芯片按照特定的电路形式组合，如半桥、全桥等，可以减少外部电路连接的复杂性。 ——多个IGBT芯片处于同一个金属基板上，等于是在独立的散热器与IGBT芯片之间增加了一块均热板，工作更可靠。 ——一个模块内的多个IGBT芯片经过了模块制造商的筛选，其参数一致性比市售分立元件要好。 ——模块中多个IGBT芯片之间的连接与多个分立形式的单管进行外部连接相比，电路布局更好，引线电感更小。 ——模块的外部引线端子更适合高压和大电流连接。同一制造商的同系列产品，模块的最高电压等级一般会比IGBT 单管高1-2个等级，如果单管产品的最高电压规格为1700V，则模块有2500V、3300V 乃至更高电压规格的产品。 晶圆上的一个最小全功能单元称为Cell，晶圆分割后的最小单元，构成IGBT 单管或者模块的一个单元的芯片单元，合称为IGBT的管芯。一个IGBT管芯称为模块的一个单元，也称为模块单元、模块的管芯。模块单元与IGBT管芯的区别在最终产品，模块单元没有独立的封装，而管芯都有独立的封装，成为一个IGBT管。 近来还有一种叫IPM的模块，把门级驱动和保护电路也封装进IGBT模块内部，这是给那些最懒的工程师用的，不过工作频率自然不能太高咯。 单管的价格要远低于模块，但是单管的可靠性远不及模块。全球除特斯拉和那些低速电动车外，全部都是使用模块。 擅长小功率作战的MOS管芯片，虽然为手机、电脑带来更快的运行速度，但其 耐压低，在高电压、大电流应用中损耗大的弱点，使之无法投入到大功率作战中 。 导通压降小、耐压高、输出功率高的IGBT芯片 此时露出它锋利的武器，吞噬着MOS的份额。对于电动车而言，IGBT直接控制驱动系统直、交流电的转换，决定了车辆的扭矩和最大输出功率等。 不仅电机驱动要用IGBT，新能源的发电机和空调部分一般也需要IGBT。不仅是新能源车，直流充电桩和机车（高铁）的核心也是IGBT管，直流充电桩30%的原材料成本就是IGBT。电力机车一般需要 500 个IGBT 模块，动车组需要超过100个IGBT模块，一节地铁需要50-80个 IGBT 模块。IGBT本身是一个非通即断的开关，导通时可以看作导线，断开时可以看作开路。在电机驱动控制器中， IGBT主要负责将动力电池传输的直流电转化为交流电。 电流从上而下垂直穿过IGBT，直至抵达驱动电机。芯片越薄，电流所上面流过的路径就越短，损耗在芯片上的能量也就随之降低。有人说，IGBT并不是一个理想开关，原因在于它在导通之时有 饱和电压——Vcesat，造成导通损耗 ；在开关时也有开关能 耗——Eon和Eoff。 IGBT在它们的打击下性能减弱。若IGBT受到的损耗降低，整车电耗也将明显降低。 概括说来， 为了降低整车电耗，必须有意将Vcesat和开关损耗降到更低。 Vcesat和Eoff是一对矛盾体，对同一代的IGBT技术来讲，Vcesat做小，Eoff就高了，反之亦然。它们必须相互妥协，相互折衷。这一点就比较考验制造商的能力了。 基于场终止技术设计的IGBT芯片（又被称为软穿通或者轻穿通IGBT），在NPT基础上增加了复合场终止层，将芯片厚度减薄。 如比亚迪4.0代IGBT，从原来的180um减薄至120um（约两根头发丝直径）。为了减少能耗，比亚迪的解决方案是， 增加复合场终止层，减薄N-漂移区（漂移区的正向压降与厚度密切相关） 。 场终止层是为了能够截止电场。 “通过一个 多层的场终止结构 ，优化电阻分布”。N-漂移区更薄， 电阻越小，Vcesat损耗更低 ；更薄N-层导通时存储的 过剩载流子总量更少 ，缩短关断时间，减少关断损耗。最终达到一个整体电耗的降低。 比如比亚迪4.0IGBT，与2.5代相比，比亚迪IGBT 4.0代Eoff降低了30%，而且Vcesat也从2.25V降至2.05V。与主流产品相比，它在Vcesat和Eoff之间的平衡能力也更优异。通过精细化平面栅设计，将IGBT元胞的面积缩小 51%（元胞的功能是降低导通压降、增加输出功率）。通常，一个IGBT芯片在结构上是由数十万个元胞组成。于是，元胞面积缩小后，同样的芯片中可包含更多的元胞， 电流密度也由此提升2 0%。 与此同时，驱动门极（电压高低，决定门极给出开还是关的信号）启动的功率更低，并且加快开关速度，同样有利于降低整车能耗和系统干扰。 功率半导体企业业已预见到，IGBT的硅基材料性能可能无法满足未来更高的需求。现在，它们已开始寻求更低芯片损耗、更强电流输出能力、更耐高温的全新半导体材料。如半导体材料SiC（高纯碳化硅粉）。 SiC能将新能源车的效率再提高10%，这是新能源车提高效率最有效的技术。 目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传统Si型IGBT的6倍。其次是电磁干扰。 SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT，回路寄生参数已经大到无法忽略。对日本厂家来说，SiC基板都没有丝毫难度，三菱、丰田、罗姆、富士电机、日立、瑞萨、东芝都有能力自己制造，全部是内部开发的技术。意法半导体技术也不错。车用IGBT的散热效率要求比工业级要高得多，逆变器内温度最高可达大20度，同时还要考虑强振动条件，车规级的IGBT远在工业级之上。 工业级IGBT与车规级IGBT对比：解决散热的第一点，就是 提高 IGBT模块内部的导热导电性能、 耐受功率循环的能力， IGBT模块内部引线技术经历了粗铝线键合、 铝带键合再到铜线键合的过程，提高了载流密度。第二点，新的焊接工艺，传统焊料为锡铅合金， 成本低廉、工艺简单， 但存在环境污染问题， 且车用功率模块的芯片温度已经接近锡铅焊料熔点（220℃）。解决该问题的新技术主要有： 低温银烧结技术和瞬态液相扩散焊接 。与传统工艺相比， 银烧结技术的导热性、耐热性更好， 具有更高的可靠性。瞬态液相扩散焊接通过特殊工艺形成金属合金层， 熔点比传统焊料高， 机械性能更好。三菱则使用超声波焊接。第三点，改进DBC和模块底板，降低散热热阻， 提高热可靠性， 减小体积，降低成本等。以 AlN 和 AlSiC 等材料取代 DBC 中的Al2O3和Si3N4等常规陶瓷，热导率更高，与Si 材料的热膨胀系数匹配更好。 此外，新型的散热结构，如 Pin Fin结构 和 Shower Power结构， 能够显著降低模块的整体热阻，提高散热效率。第四就是扩大模块与散热底板间的连接面积，如端子压接技术。 IGBT的正面工艺和标准BCD的LDMOS没区别，区别在背面，背面工艺有几点： 首先是 减薄 ，大约需要减薄6-8毫米，减得太多容易碎片，减得太少没有效果。接下来是 离子注入 ，注入一层薄磷做缓冲层，第四代需要两次注入磷，本来硅片就很薄了，两次注入很容易碎片。然后是 清洗 ，接下来 金属化 ，在背面蒸镀一层钛或银，最后是 Alloy ，因为硅片太薄，很容易翘曲或碎片。英飞凌特别擅长减薄技术。 IGBT关断时容易在过压、过流条件下出现动态雪崩电流丝化问题，若发展为二度动态雪崩 （标志是集电极—发射极电压关断波形出现 负阻凹陷区 ）则会把器件引入具有失效危险的工作区。而工业生产中通常采用 减薄芯片结合提高基区电阻率（降低掺杂浓度）的方法来改善IGBT关断能耗Eoff 与通态压降VCE（on）的折中关系，很容易诱发动态雪崩现象，直接影响器件的坚固性和安全工作区（SOA）面积。 通过对器件内部动态雪崩电流成丝信息的提取和分析，可以分析不同漂移区厚度d和掺杂浓度ND对动态雪崩电流成丝程度的影响，在ND　－　d平面上定量确定了漂移区设计中的二度动态雪崩临界线，明确区分了二度动态雪崩区与安全区。 背面设计方面， 降低背P区掺杂浓度和降低场终止层掺杂浓度这两种方案都有利于临界线向扩张安全区的方向变动 ，让原处于二度动态雪崩区的危险设计点变得安全；前者改善电流分布均匀性的效果更明显，但在应用条件需要避免高换相dv／dt时，采用后一种方案更为合适。 门极驱动电路的作用：放大输出功率，以达到驱动IGBT功率器件的目的。 降低门极电量能减少驱动电路带来的能耗，提高开关速度，更小的门极振荡。 最小门极电阻确定了最大门极峰值电流。增大门极峰值电流能减小开关时间，从而降低开关损耗。 但最大的门极峰值电流又受限于驱动的输出能力。驱动的规格书中一般会定义最大门极电流输出能力，即定义了最小允许的门极电阻，应用中应考虑这个因素避免驱动过载失效。IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT 关断。如果提高开通门极电压+VGE，开通速度会上升，开通损耗会下降。相反，开通时的噪声干扰会增加。同样，如果提高关断门极电压-VGE，关断速度会上升，关断损耗会下降。相反，关断时的浪涌电压及噪声干扰会增加。丰田19，国内只有8，差距很大。

小功率用场管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

可以按封装和芯片不同分类：关继防(Kevin Guan)H/P:135 8924 1111***********************************************WESTPAC BEIJING OFFICE 香港威柏北京营业公司北京市马家堡西路36号东亚三环中心1号楼2112室

igbt是：绝缘栅双极型晶体管。igbt是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。igbt模块是由igbt（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。igbt模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的igbt也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。igbt的特性igbt的伏安特性是指以栅源电压Ugs为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs的控制，Ugs越高，Id越大。它与GTR的输出特性相似．也可分为饱和区1、放大区2和击穿特性3部分。在截止状态下的IGBT，正向电压由J2结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT的某些应用范围。以上内容参考百度百科-IGBT

IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。扩展资料：IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。

场效应管,一般应用于大电流控制场合

英飞凌IGBT模块电气性能绝佳且可靠性最高，在设计灵活性上也丝毫不妥协基于尖端技术的IGBT功率模块分为多种电压等级、额定电流和拓扑结构，被广泛应用于众多应用场景。英飞凌产品的功率范围很广——从几百瓦到数兆瓦。通用驱动器、伺服单元以及太阳能逆变器或风能设备等可再生能源应用，均受益于这些高可靠产品的杰出性能、高效性和超长寿命。网页链接

是场效应功率管

IGBT是绝缘栅双极型晶体管。是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。

IGBT是英文单词Insulated Gate Bipolar Transistor，它的中文意思是绝缘栅双极型晶体管。从功能上来说，IGBT就是一个电路开关，优点就是用电压控制，饱和压降小，耐压高。用在电压几十到几百伏量级、电流几十到几百安量级的强电上的。而且IGBT不用机械按钮，它是由计算机控制的。所以有了IGBT这种开关，就可以设计出一类电路，通过计算机控制IGBT，把电源侧的交流电变成给定电压的直流电，或是把各种电变成所需频率的交流电，给负载使用。这类电路统称变换器。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见；IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。向左转|向右转扩展资料；方法IGBT是将强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET 器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。导通IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+基片和一个N+缓冲层(NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分)。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+区之间创建了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流(MOSFET电流)；一个空穴电流(双极)。关断当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子(少子)。这种残余电流值(尾流)的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。

　　IGBT是绝缘栅双极型晶体管。IGBT全称“Insulated Gate Bipolar Transistor”。IGBT是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT的特点是高耐压、导通压降低、开关速度快、驱动功率小。　　GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　　IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；　　IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点；当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块；随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见； 　　IGBT是能源变换与传输的核心器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴产业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。

开关

IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP(原来为NPN)晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。IGBT模块介绍：IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管。它融合了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在现代电力电子技术中得到了越来越广泛的应用，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。若在IGBT的栅极和发射极之间加上驱动正电压，则MOSFET导通，这样PNP晶体管的集电极与基极之间成低阻状态而使得晶体管导通；若IGBT的栅极和发射极之间电压为0V，则MOS 截止，切断PNP晶体管基极电流的供给，使得晶体管截止。IGBT与MOSFET一样也是电压控制型器件，在它的栅极—发射极间施加十几V的直流电压，只有在uA级的漏电流流过，基本上不消耗功率。

楼上说的基本对。但是对于内部结构，不仅仅是加电压产生导电沟道这么简单，但是这么说也对，就不是很全面。应该把IGBT由mos和晶体管的等效组合说原理比较合理些。