电脑的cpu是怎么制作的？

dry film photoresist[词典]干膜抗蚀剂;[网络]干膜光阻剂; 干膜; 干膜光致抗蚀剂;[例句]Photoresist Based on ( meth) Acrylic Esters as Membrane-resin Etchings of Polyimide Prepared by Means of an Average Acrylic Acid Dry Film Photoresist丙烯酸酯光致抗蚀干膜制备水系蚀刻聚酰亚胺

光刻胶（英语：photoresist），亦称为光阻或光阻剂，是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。

光刻胶是一种具有光敏化学作用(或对电子能量敏感)的高分子聚合物材料，是转移紫外曝光或电子束曝光图形的介质。光刻胶的英文名是resist，也翻译成resist、photoresist等。光致抗蚀剂的功能是作为抗蚀刻层保护衬底表面。光致抗蚀剂只是一种图像，因为它在外观上是以胶状液体出现的。光致抗蚀剂通常以薄膜的形式均匀地涂覆在衬底的表面上。当受到紫外光或电子束照射时，光致抗蚀剂材料本身的特性会发生变化。用显影剂显影后，曝光的负性光刻胶或未曝光的正性光刻胶会残留在基底表面，从而将设计好的微纳结构转移到光刻胶上。后续的刻蚀、沉积等工艺可以进一步将这种图案转移到光刻胶下面的衬底上，最后用光刻胶去除剂去除光刻胶。

光刻胶需要酞菁蓝颜料。光刻胶photoresist又称光致抗蚀剂，由感光树脂、增感剂（见光谱增感染料）和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。感光树脂经光照后，在曝光区能很快地发生光固化反应，使得这种材料的物理性能，特别是溶解性、亲和性等发生明显变化。经适当的溶剂处理，溶去可溶性部分，到所需图像（见图光致抗蚀剂成像制版过程）。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂，品种较多。根据其化学反应机理和显影原理，可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶。基本信息：酞菁与铜生成的铜酞菁具有非常鲜艳的蓝色，称为酞菁蓝。也称铜酞菁。别名：还原蓝15:3；颜料蓝 15；酞菁蓝B；C.I.颜料蓝15；酞菁铜(II)等。英文名：Copper phthalocyanine。EINECS号：205-685-1。熔点：600 oC (DEC.)。安全术语：S24/25。

像素定义层不是光刻胶。根据查询相关公开信息显示，截止于2023年1月20日，像素定义层不是光刻胶。光刻胶（Photoresist）又称光致刻蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料，光刻胶是由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。

光阻主要可分为正光阻及负光阻二种,正光阻就是被光照射的部份可以被显影液去除掉,而未曝光的光阻则不会被显影液去除(左边)。而负光阻则相反,被光照射的部份不会被显影液去除,而其余不被光所照射的区域将会被显影液所去除(右边)。

硅片旋涂是一种常见的化学加工工艺，主要用于制作半导体器件。该工艺通过旋涂将溶液均匀地涂覆在硅片表面，然后通过烘干等后续处理工艺形成均匀的薄膜层。在硅片旋涂的过程中，溶液浓度是一个非常重要的参数。合适的溶液浓度可以确保涂层的质量和均匀性。一般来说，溶液浓度的选择取决于多个因素，包括旋涂时间、旋涂速度、硅片的特征和所需薄膜层的厚度等。在实践中，选择合适的溶液浓度需要进行大量的实验和优化。此外，硅片旋涂还需要考虑其他参数的影响，比如溶液的酸碱度、表面张力等。总之，硅片旋涂是一种重要的化学加工工艺，溶液浓度是其中一个非常关键的参数。在实际应用中，需要结合实验和优化得出合适的溶液浓度，以确保旋涂过程的质量和效率。

我们已经开发了一种测试光致抗蚀剂原位玻璃转化温度的方法。光致抗蚀剂预焙的目的为蒸发光致抗蚀剂中的过量溶剂并允许聚合物链松弛为规则矩阵。在光致抗蚀剂预焙期间，当高频超声信号相位从硅/光致抗蚀剂界面反射时，监控高频超声信号相位。一旦到达指定温度，在相位中存在最初的降低，随后相位快速增加。相信这个可重复的温度是抗蚀剂/溶剂混合物的玻璃转化温度且跟随它的相位的快速增加是溶剂蒸发的结果。测试新制spun 2.2 mm Shipley 1813抗蚀剂玻璃转化温度(Tg)为50℃。随着涂层和预赔之间的时间延迟从0分增加到20分，测试的Tg从50℃增加到66℃。相信在Tg中的此改变是溶剂蒸发的结果。

受温度影响较大，响应速度不快，在ms到s之间，延迟时间受入射光的光照度影响（光电二极管无此缺点，光电二极管灵敏度比光敏电阻高），是耗材。光敏电阻（photoresistor or light-dependent resistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。光敏电阻是用硫化镉或硒化镉等半导体材料制成的特殊电阻器，其工作原理是基于内光电效应。光照愈强，阻值就愈低，随着光照强度的升高，电阻值迅速降低，亮电阻值可小至1KΩ以下。光敏电阻对光线十分敏感，其在无光照时，呈高阻状态，暗电阻一般可达1.5MΩ。光敏电阻的特殊性能，随着科技的发展将得到极其广泛应用。光敏电阻器是利用半导体的光电导效应制成的一种电阻值随入射光的强弱而改变的电阻器，又称为光电导探测器；入射光强，电阻减小，入射光弱，电阻增大。还有另一种入射光弱，电阻减小，入射光强，电阻增大。光敏电阻器一般用于光的测量、光的控制和光电转换（将光的变化转换为电的变化）。常用的光敏电阻器硫化镉光敏电阻器，它是由半导体材料制成的。光敏电阻器对光的敏感性（即光谱特性）与人眼对可见光（0.4~0.76）μm的响应很接近，只要人眼可感受的光，都会引起它的阻值变化。设计光控电路时，都用白炽灯泡（小电珠）光线或自然光线作控制光源，使设计大为简化

在光刻中，曝光时间的长短对芯片制造质量和性能具有重要影响。曝光时间过长可能导致光刻胶的过度曝光，使芯片图形的边缘模糊，影响芯片的制造精度和性能。而曝光时间过短则可能导致芯片图形的细节不清晰，同样影响芯片的制造质量和性能。

一般采用梳状图案。

Alone with a specific frequency (wavelength) of electromagnetic radiation, with energy. Use of the energy of light, the induction has the chemical activity of liquid chemicals (light initiator, resin, monomer) by rapid polymerization crosslinking, instantaneous process called light curing technology of solid materials. Compared with thermal curing methods, light curing with curing speed, no heating, use fewer solvents, high efficiency and energy saving, the advantages of curing process can be automated, curing light is known as the green technology of the 21st century. Light curing material has been widely used in every aspect of our daily life, such as paint, printing ink, printing, optical lenses, microelectronics devices, CD, optical fiber, and other fields, and formed the application of the $12 billion global market.Lithography technology and use the energy of the light, light control through the area that has the chemical activity of liquid chemicals fast photochemical reaction, and through the graphic technology to achieve selective corrosion. In order to realize the selective corrosion, you need to use the solubility, melting or affinity of obvious changes in material after exposure. This kind of material called a photoresist. Photoresist has the photochemical sensitivity, can use the photochemical reaction, the exposure and development process, such as fine graphics from mask template will need to be processed on the substrate, and then to etching process, etc. Photoresist is the most important materials, micro manufacturing was invented in 1959, has become the core of the process in the semiconductor industry. Photoresist inUv curing materials, although photoresist is made by light initiator or photosensitizer, resin, the monomer (or reactive diluent) is composed of three main chemical raw material and other additives, but resist the need to use special chemicals raw materials. Photoresist is imaging materials, and light curing materials compared to different purposes, the exposure light source and light energy use is different, the reaction mechanism is not exactly the same, for material solubility, etching, photosensitive resistance, heat resistance and so on different requirements, all kinds of photoresist used light initiator, raw materials such as resin, the monomer need different chemical structure and properties of specialty chemicals. And photoresist for processing production lines, very elaborate graphics for the purity of raw materials, impurities, such as metal ions content has a very high ?Light initiator is a kind of can absorb light energy (radiant energy), the excitation generated active intermediates, chemical change and further polymerization material, is a key component of photoresist, sensitivity of photoresist is crucial, resolution, etc. Light initiator for the active intermediates, can be classified as free radical initiator and cationic light initiator. Photoresist type used in free radical initiator is more light, for light initiator of exposure light wavelength absorption rate is high, and the compatibility of photoresist resin is good, or good matching and pigments, dyes, etc. Light sensitizer is additive, it is to point to absorb light energy transferring energy to a light initiator or itself do not absorb light energy but improve the efficiency of trigger ? complicit in photochemical reactionAcid production is similar to the cationic light initiator, but cationic part does not contain metal, phosphorus and other elements, molecules after absorbing sunlight photolysis reactions, produce strong acid reaction substances, used for chemical growth at the top of the photoresist. Resin is the largest percentage of photoresist composition, constitute the basic skeleton of photoresist, mainly decide the basic properties of the photoresist after exposure, including hardness, flexibility, adhesion, exposure before and after exposure to specific solvent solubility produce change, optical properties, aging resistance and etching resistance, thermal stability, etc.好了，看我这么辛苦，，，望采纳啊！

B. 程序发展工具石版印刷术模型也已经证明是新石版印刷的程序的发展或设备的一个无价的工具。 一些比较通常使用包括颜料的最佳化在顶端和底部 antireflection 涂料 [27,28] 的 photoresist[23,24] 、基体反射率 [25,26] 的模拟、适用性和最佳化、和带宽对摇摆的效果曲线广阔 [29,30] 的模拟中的载入.除此之外, 模拟已经用来帮助了解厚阻体的使用为薄地电影领导产品 [31] 连同其他的非半导体的申请。 模型广泛地被 photoresist 的制造者所用评估新的形成 [32,33] 而且决定适当的对 photoresist 的衡量对于质量控制的表现企图 [34] 。 阻体使用者时常为新的阻体评估雇用模型作为一个帮助。 在暴露工具边上，模型已经变得数字孔的最佳化的一个不可缺少部份和高抬腿运步的马 [35-37] 的部分同调和在理解方面版偏见在密集和隔离的线 [38] 之间. 光学接近订正软件的使用需要关于该如何运行订正,时常与石版印刷术模拟 [39] 的帮忙一起产生的规则。 作为一个发展工具，由于它的速度，石版印刷术模拟胜过和成本效益的。 通常处理发展包括流动的很多实验决定最适宜的程序情况,摇动出可能的问题,决定对变数的敏感, 而且写规格极限在程序的输入和输出。 这些活动倾向于两者的耗费时间和昂贵的。 模型提供一个方法用模拟实验补充实验室实验加速这一个程序和减少费用。从各方面来看哪一晶圆捏造设备的实验的奔跑能从数小时拿到数天，模拟的速度利益是相当多的。 这比在极好者中会是实际的 (或甚至可能) 允许一个模拟的较棒的数字。

CPU的原始工作模式 在了解CPU工作原理之前，我们先简单谈谈CPU是如何生产出来的。CPU是在特别纯净的硅材料上制造的。一个CPU芯片包含上百万个精巧的晶体管。人们在一块指甲盖大小的硅片上，用化学的方法蚀刻或光刻出晶体管。因此，从这个意义上说，CPU正是由晶体管组合而成的。简单而言，晶体管就是微型电子开关，它们是构建CPU的基石，你可以把一个晶体管当作一个电灯开关，它们有个操作位，分别代表两种状态:ON(开)和OFF(关)。这一开一关就相当于晶体管的连通与断开，而这两种状态正好与二进制中的基础状态“0”和“1”对应！这样，计算机就具备了处理信息的能力。 但你不要以为，只有简单的“0”和“1”两种状态的晶体管的原理很简单，其实它们的发展是经过科学家们多年的辛苦研究得来的。在晶体管之前，计算机依靠速度缓慢、低效率的真空电子管和机械开关来处理信息。后来，科研人员把两个晶体管放置到一个硅晶体中，这样便创作出第一个集成电路，再后来才有了微处理器。 看到这里，你一定想知道，晶体管是如何利用“0”和“1”这两种电子信号来执行指令和处理数据的呢？其实，所有电子设备都有自己的电路和开关，电子在电路中流动或断开，完全由开关来控制，如果你将开关设置为OFF，电子将停止流动，如果你再将其设置为ON，电子又会继续流动。晶体管的这种ON与OFF的切换只由电子信号控制，我们可以将晶体管称之为二进制设备。这样，晶体管的ON状态用“1”来表示，而OFF状态则用“0”来表示，就可以组成最简单的二进制数。众多晶体管产生的多个“1”与“0”的特殊次序和模式能代表不同的情况，将其定义为字母、数字、颜色和图形。举个例子，十进位中的1在二进位模式时也是“1”，2在二进位模式时是“10”，3是“11”，4是“100”，5是“101”，6是“110”等等，依此类推，这就组成了计算机工作采用的二进制语言和数据。成组的晶体管联合起来可以存储数值，也可以进行逻辑运算和数字运算。加上石英时钟的控制，晶体管组就像一部复杂的机器那样同步地执行它们的功能。 CPU的内部结构 现在我们已经大概知道CPU是负责些什么事情，但是具体由哪些部件负责处理数据和执行程序呢？ 1.算术逻辑单元ALU(Arithmetic Logic Unit) ALU是运算器的核心。它是以全加器为基础，辅之以移位寄存器及相应控制逻辑组合而成的电路，在控制信号的作用下可完成加、减、乘、除四则运算和各种逻辑运算。就像刚才提到的，这里就相当于工厂中的生产线，负责运算数据。 2.寄存器组 RS(Register Set或Registers) RS实质上是CPU中暂时存放数据的地方，里面保存着那些等待处理的数据，或已经处理过的数据，CPU访问寄存器所用的时间要比访问内存的时间短。采用寄存器，可以减少CPU访问内存的次数，从而提高了CPU的工作速度。但因为受到芯片面积和集成度所限，寄存器组的容量不可能很大。寄存器组可分为专用寄存器和通用寄存器。专用寄存器的作用是固定的，分别寄存相应的数据。而通用寄存器用途广泛并可由程序员规定其用途。通用寄存器的数目因微处理器而异。 3.控制单元(Control Unit) 正如工厂的物流分配部门，控制单元是整个CPU的指挥控制中心，由指令寄存器IR(Instruction Register)、指令译码器ID(Instruction Decoder)和操作控制器0C(Operation Controller)三个部件组成，对协调整个电脑有序工作极为重要。它根据用户预先编好的程序，依次从存储器中取出各条指令，放在指令寄存器IR中，通过指令译码(分析)确定应该进行什么操作，然后通过操作控制器OC，按确定的时序，向相应的部件发出微操作控制信号。操作控制器OC中主要包括节拍脉冲发生器、控制矩阵、时钟脉冲发生器、复位电路和启停电路等控制逻辑。 4.总线(Bus) 就像工厂中各部位之间的联系渠道，总线实际上是一组导线，是各种公共信号线的集合，用于作为电脑中所有各组成部分传输信息共同使用的“公路”。直接和CPU相连的总线可称为局部总线。其中包括: 数据总线DB(Data Bus)、地址总线AB(Address Bus) 、控制总线CB(Control Bus)。其中，数据总线用来传输数据信息；地址总线用于传送CPU发出的地址信息；控制总线用来传送控制信号、时序信号和状态信息等。 CPU的工作流程 由晶体管组成的CPU是作为处理数据和执行程序的核心，其英文全称是:Central Processing Unit，即中央处理器。首先，CPU的内部结构可以分为控制单元，逻辑运算单元和存储单元(包括内部总线及缓冲器)三大部分。CPU的工作原理就像一个工厂对产品的加工过程:进入工厂的原料(程序指令)，经过物资分配部门(控制单元)的调度分配，被送往生产线(逻辑运算单元)，生产出成品(处理后的数据)后，再存储在仓库(存储单元)中，最后等着拿到市场上去卖(交由应用程序使用)。在这个过程中，我们注意到从控制单元开始，CPU就开始了正式的工作，中间的过程是通过逻辑运算单元来进行运算处理，交到存储单元代表工作的结束。 数据与指令在CPU中的运行 刚才已经为大家介绍了CPU的部件及基本原理情况，现在，我们来看看数据是怎样在CPU中运行的。我们知道，数据从输入设备流经内存，等待CPU的处理，这些将要处理的信息是按字节存储的，也就是以8位二进制数或8比特为1个单元存储，这些信息可以是数据或指令。数据可以是二进制表示的字符、数字或颜色等等。而指令告诉CPU对数据执行哪些操作，比如完成加法、减法或移位运算。 我们假设在内存中的数据是最简单的原始数据。首先，指令指针(Instruction Pointer)会通知CPU，将要执行的指令放置在内存中的存储位置。因为内存中的每个存储单元都有编号(称为地址)，可以根据这些地址把数据取出，通过地址总线送到控制单元中，指令译码器从指令寄存器IR中拿来指令，翻译成CPU可以执行的形式，然后决定完成该指令需要哪些必要的操作，它将告诉算术逻辑单元(ALU)什么时候计算，告诉指令读取器什么时候获取数值，告诉指令译码器什么时候翻译指令等等。 假如数据被送往算术逻辑单元，数据将会执行指令中规定的算术运算和其他各种运算。当数据处理完毕后，将回到寄存器中，通过不同的指令将数据继续运行或者通过DB总线送到数据缓存器中。 基本上，CPU就是这样去执行读出数据、处理数据和往内存写数据3项基本工作。但在通常情况下，一条指令可以包含按明确顺序执行的许多操作，CPU的工作就是执行这些指令，完成一条指令后，CPU的控制单元又将告诉指令读取器从内存中读取下一条指令来执行。这个过程不断快速地重复，快速地执行一条又一条指令，产生你在显示器上所看到的结果。我们很容易想到，在处理这么多指令和数据的同时，由于数据转移时差和CPU处理时差，肯定会出现混乱处理的情况。为了保证每个操作准时发生，CPU需要一个时钟，时钟控制着CPU所执行的每一个动作。时钟就像一个节拍器，它不停地发出脉冲，决定CPU的步调和处理时间，这就是我们所熟悉的CPU的标称速度，也称为主频。主频数值越高，表明CPU的工作速度越快。 如何提高CPU工作效率 既然CPU的主要工作是执行指令和处理数据，那么工作效率将成为CPU的最主要内容，因此，各CPU厂商也尽力使CPU处理数据的速度更快。 根据CPU的内部运算结构，一些制造厂商在CPU内增加了另一个算术逻辑单元(ALU)，或者是另外再设置一个处理非常大和非常小的数据浮点运算单元(Floating Point Unit，FPU)，这样就大大加快了数据运算的速度。 而在执行效率方面，一些厂商通过流水线方式或以几乎并行工作的方式执行指令的方法来提高指令的执行速度。刚才我们提到，指令的执行需要许多独立的操作，诸如取指令和译码等。最初CPU在执行下一条指令之前必须全部执行完上一条指令，而现在则由分布式的电路各自执行操作。也就是说，当这部分的电路完成了一件工作后，第二件工作立即占据了该电路，这样就大大增加了执行方面的效率。 另外，为了让指令与指令之间的连接更加准确，现在的CPU通常会采用多种预测方式来控制指令更高效率地执行。资料支持：硅谷动力

1、CPU是在特别纯净的硅材料上制造的。一个CPU芯片包含上百万个精巧的晶体管。在一块指甲盖大小的硅片上，用化学的方法蚀刻或光刻出晶体管。因此，从这个意义上说，CPU正是由晶体管组合而成的。2、简单而言，晶体管就是微型电子开关，是构建CPU的基石，可以把一个晶体管当作一个电灯开关，它们有个操作位，分别代表两种状态:ON(开)和OFF(关)。这一开一关就相当于晶体管的连通与断开，而这两种状态正好与二进制中的基础状态“0”和“1”对应，这样，计算机就具备了处理信息的能力。 3、不要以为，只有简单的“0”和“1”两种状态的晶体管的原理很简单，其实发展是经过科学家们多年的辛苦研究得来的。在晶体管之前，计算机依靠速度缓慢、低效率的真空电子管和机械开关来处理信息。后来，科研人员把两个晶体管放置到一个硅晶体中，这样便创作出第一个集成电路，再后来才有了微处理器。 4、晶体管是如何利用“0”和“1”这两种电子信号来执行指令和处理数据的，其实，所有电子设备都有自己的电路和开关，电子在电路中流动或断开，完全由开关来控制，如果将开关设置为OFF，电子将停止流动，如果再将其设置为O。

不是只有美国能制造CPU，中国、日本都可以制造CPU。1，Intel公司Intel 凌动 C3336、Intel Xeon Silver 4210T、Intel Xeon Silver 4210R。Intel是生产CPU的主力军，占有80%多的市场份额，Intel生产的CPU就成了x86CPU技术规范和标准。比较注重与在实用性上的速度与稳定的平衡发展。2，AMD公司AMD比较侧重于实用性上的速度优势化。第二有挑战的就是AMD公司，最新的Athlon64x2和闪龙具有很好性价比，尤其采用了3DNOW+技术，使其在3D上有很好的表现。3，IBM和CyrixCyrix原来是世界上较大的一家CPU生产厂商。成立于1992年。主要的经营业务是针对PC系统相关周遍晶片组的开发、设计。美国国家半导体公司IBM和Cyrix公司合并后，使其终于拥有了自己的芯片生产线，其成品将会日益完善和完备。现在的MII性能也不错，尤其是它的价格很低。两家公司合作研制能跟486和Pentium相竞争的MI微处理器。4，DT公司美国著名DT公司旗下区块链投资公司，复2019年成立于美国旧金山，是一家综合性大型国际高科技公司，也是。DT是处理器厂商的后起之秀，但现在还不太成熟。5，VIA威盛公司威盛电子的客户群涵盖全球各大OEM厂商、主机板制造业者及系统整合业者，总部则位于台湾台北县新店市。VIA威盛是台湾一家主板芯片组厂商,收购了前述的 Cyrix和IDT的cpu部门,推出了自己的CPU，威盛Isaiah 架构是新的 x86 处理器架构，对于台式机、移动设备和 UMPC 而言，它不但可以提升产品性能，还能扩展产品的功能性，并同时满足目标产品对低功耗的需求，以延长电池续航时间并实现超小型系统设计。6，国产龙芯GodSon 国有自主知识产权的通用处理器,目前已经有2代产品,已经能达到现在市场上INTEL和AMD的低端CPU的水平。龙芯中科、统信软件联合宣布，双方已经首次完成基于龙芯3B4000服务器、UOS统一操作系统的KVM虚拟机和Docker容器的安装与调试工作，并完成OA系统和档案管理系统的适配部署，进行深入优化合作。扩展资料：CPU芯片生产：1，硅提纯在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。2，切割晶圆硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。所谓的"切割晶圆"也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。3，影印在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。4，蚀刻这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。5，重复、分层为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。6，封装这时的CPU是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。7，多次测试测试是一个CPU制造的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤(如果可能的话)。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开测试。参考资料来源：百度百科-cpu制造工艺

CPU的生产过程 要了解CPU的生产工艺，我们需要先知道CPU是怎么被制造出来的。（1） 硅提纯 生产CPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。 在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。（2）切割晶圆 硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。（3）影印（Photolithography） 在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。（4）蚀刻(Etching) 这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。 然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。（5）重复、分层 为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。Intel的Pentium 4处理器有7层，而AMD的Athlon 64则达到了9层。层数决定于设计时CPU的布局，以及通过的电流大小。（6）封装 这时的CPU是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。（7）多次测试 测试是一个CPU制造的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤（如果可能的话）。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开测试。 由于SRAM（静态随机存储器，CPU中缓存的基本组成）结构复杂、密度高，所以缓存是CPU中容易出问题的部分，对缓存的测试也是CPU测试中的重要部分。 每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率；而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是Celeron等低端产品。 当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行频率和缓存的不同，它们被放进不同的包装，销往世界各地。

[1] S. Wang, V. Gathen, and H.F. Dobele, “discharge comparison for non-equilibrium atmospheric pressure Ar/O2 and He/O2 plasma jet” Appl. Phys. Lett. Vol. 83 (2003)3272.[2] S. Wang, H. Li, L. Zhao, T. Ye, “Basic Characteristics of an Atmospheric Pressure RF Generated Plasma Jet” Chinese Phys. 13 (2004)190.[3] 王守国，“常压射频冷等离子体清洗技术介绍”清洗世界，Vol.20 No.2(2004)32.[4] 徐向宇，王守国“常压低温Ar/O2等离子体对羊毛织物处理的研究”第4届功能性纺织品及纳米技术研讨会论文集（2004）304.[5] 王守国，“常压冷等离子体对羊毛织物处理的研究”第4届全国印染行业新材料、新技术、新工艺、新产品技术交流会（2004）210.[6] 李海江，王守国等, “常压射频低温冷等离子体清洗光刻胶研究” 半导体技术，29（2004）264.[7] Xu Xiangyu，Wang Souguo，“Surface modification of polyester film by glow discharge tunnel at atmospheric pressure” Trans. Nonfer. Metals Soc. China, 14 (2004) 459.[8] Li Hangjiang S.Wang , etc., “Study on an atmospheric pressure plasma jet and its application in etching photo-resistant materials” Plasma Sci. and Tech., 6(2004)2481.[9] 赵玲利，李海江，王守国等，“常压射频激励低温冷等离子体清洗光刻胶”半导体学报，26 (2005)613.[10] 赵玲利，王守国，“常压冷等离子体清洗技术在微电子工业中的应用” 清洗世界，Vol.21 No.4(2005)33.[11] 吴旭琴，王守国等，“常压低温等离子体对微生物的杀灭研究”微生物学报，45(2005)312．[12] 王守国等，参加第12届全国等离子体科学技术会议文章：“大面积介质阻挡等离子体电源研制”；“常压射频冷等离子体增强TEOS工艺沉积二氧化硅薄膜”；“常压射频低温冷等离子体刻蚀硅研究”；“常压射频冷等离子体对FPD表面改性研究”“常压等离子体微生物预编应用的初步研究”（2005东华大学）.[13] S. Wang “An atmospheric pressure plasma tunnel for textile treatment”2nd international worshop on Cold atmospheric pressure plasmas: Sources and applications, Bruges, Belgium,(2005) 166.[14] Wang Shouguo “Introduction of Atmospheric pressure plasma device and Cleaning Technology” Semiconductor International Wafer Cleaning conference (2005 Shanghai)30.[15] 王守国“常压低温冷等离子体研究进展及在新材料中的应用”中国（宁波）新材料与产业化国际论坛（2006）149.[16] 王守国。“实用常压低温冷等离子体技术研究进展介绍”2006中日韩及台湾区塑料新材料、新技术研讨会会议论文集（2006）162.[17] 张晓丹，王守国等，“常压等离子体处理对羊毛结构的影响”毛纺科技Vol. 1 (2006)9.[18] 赵玲利，王守国等，“常压等离子体纺织面料的处理设备及工艺介绍”第6届功能性纺织品及纳米技术研讨会论文集（2006）313.[19] 闫学锋， 王守国等，“等离子体法洗消表面HD与VX探索性实验研究”，国防环境动态，2006年第2期.[20] 闫学锋，王守国等，“等离子体洗消室毒剂洗消” 国外防化科技动态，2006年第12期.[21] Xiangyu Xu, Shouguo Wang, etc‘effects on surface properties of natural bamboo fibers treated with atmospheric pressure argon plasma‘Surface and Interface Analysis　2006 38（8）1211-1217.[22]Xiaojin Duan , Shouguo Wang, etc‘temperature Compairsion for Non-Equilibrum Atomspheric Pressure Ar and He Plasma Jets" Japanese Journal of Applided Physices,Vol 46,No.4A, (2007)1700.[23] X Yu, S. Wang, ,etc., ‘Deposition of SiOx films with capacitive-couple plasma at atmospheric-pressure"Plasma Sources Sci. Technol, Vol.45No.2, (2007) 372-376.[24] 唐久英，陈成泗，王守国，低温等离子体对UHMWPE纤维表面改性，《合成纤维工业》，2007年第3期P39-41.[25] 贾冬义，王守国等，“聚四氟乙烯低温等离子体表面改性与粘接研究”高分子学报，2007．[26] Shouguo Wang, Lingli Zhao , etc ‘Photoresist etching by a novel atmospheric pressure uniform glow plasma"Japanese Journal of Applided Physices，Vol 46, No. 8A, （2007）5294-5296.[27] 赵玲利，王守国等，“常压射频Ar/SF6等离子体刻蚀硅的研究”半导体学报，28(2007)1615．[28] 贾冬义，钟少锋,赵玲利,王守国. 聚四氟乙烯低温等离子体表面改性与粘接性能，2008, 24(5), 高分子材料科学与工程.[29] 闫学锋，王守国,赵玲.Ar/O2等离子体处理烟草中主要化学成分的初步研究, 2008, 21(1), 武汉科技学院学报.

It is incorporated with microfabrition compatible planar structure which has been realized by UV-LIGA fabrication applying thick SU-8 photoresist.译文：它的成立与微相兼容的平面结构的英国人所制造的应用实现了UV-LIGA厚SU-8光刻胶。

光刻胶是导电的。光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶

就是大小，越小同面积晶体管越密集，计算速度越快

用纸制品制作六棱宝塔的制做过程步骤 玲珑塔，塔玲珑，玲珑宝塔有七层，这一次我就用纸张来折的是宝塔，七层的宝塔。 工具/原料 纸张 七张 现将纸张裁成大小不同的七个正方形。 首先取其中的一张，折成双三角形. 上层的两角向中心对折 从中间拉开再折 向上折两角 然后向后折 拉出来，用同样的方法折塔身另一面，这样就完成了其中的一层。 按照上面的步骤折出其余的六层，注意最大的那个，也就是作为底座的只折一面就可以了。 最后插接到一起就变成一座宝塔了。 可参考：:jingyan.baidu./article/676629972013fd54d51b841e. 制作米酒过程步骤怎么做？ 米酒制作步骤 1、糯米泡水8小时以上，以手能拈碎为准； 2、用蒸笼将糯米蒸熟，但要偏硬，不能软； 3、将糯米放凉，以手翻糯米不烫手为准（这步很关键）； 4、将糯米盛放在用以发酵的容器中，边手翻糯米，边撒放粉末状酒曲，要求撒放均匀且和糯米混合充分； 5、酒曲留一点最后使用； 6、将之前放凉的凉开水（以不烫手为准）均匀撒在糯米面上，并用手或勺子将糯米压实、压平； 7、用手或筷子在压实的糯米中间及其周边掏3~4个小洞，小洞大小与硬币相当，小洞深至容器底部； 8、将剩余的酒曲均分，撒进每个小洞，并用手涂抹均匀； 9、再用凉开水分别倒进撒了酒曲的小洞，深度以一半洞深为准； 10、用盖子密闭容器，若盖子有口子，可用保鲜膜先封住容器口再盖盖子，保鲜膜应用刀子均匀戳穿几个小眼； 11、用被子或厚衣服包裹容器，放置无油烟的地方进行发酵。 12、3天后即可食用米酒。 13、注意事项： （1）制作过程，手、勺子、筷子、容器等均应无油、无生水，可先用凉开水洗净； （2）制作过程，切勿油、生水接触糯米和酒曲； （3）发酵过程，封闭容器很关键，不要让空气进入； （4）发酵过程，对容器进行保温很重要，酵母菌最易繁殖的温度为30℃左右。 陶艺制作过程步骤有哪些 一般陶吧里有这样几个过程： 1、揉泥。使劲揉拼命揉，主要目的是把泥中的空气排掉，以免使拉呸过程泥突然断掉及烧制过程中不炸。 看似简单，却是基础，在陶艺家眼里也最费力。 2、拉呸制作：包括 定中心，中心不稳拉的呸不稳，厚度不均。成为陶艺家真正的开始都是从找中心开始的；拉升、做造型（凹凸有致）、大小高度随心而动，这就不说了，看个人造诣。 3、晾干。拉的呸首先要经过一段时间的自然干才能进行下一不动作。 4、修呸。磨底，修饰； 5、上色； 6、染釉； 7、1350度高温烧制； 8、出成品啦。 9、打字好累！ 陶艺制作方法分别为 泥条盘筑成型法 、 手捏（雕塑）成型法 、 泥板成型法 、 印模（印坯）成型法 、 拉坯成型法 、 泥浆铸件成型法 。 陶艺制作过程步骤有以下： 1、 拉坯成型发 是利用拉坯机产生的离心运动，在旋转过程中，对含水半固化状态的泥料按照设计构思拉伸成型。 2、 泥板成型发 用泥板制作陶艺最主要的特征就是容易形成较大的完整的表面，成型速度较快。泥板成型技术要求很高。要做好泥板成型作品，必须掌握好泥板制作，对所用泥料的感知，泥板结合等技术问题。 3、 泥条盘筑成型法 ，泥条法是通过泥条来构筑成型的一种盘筑技法。泥条可以是经手搓成，也可以通过压泥条工具挤压成型。 宝鸡纸制品制作人员自我介绍要怎么做。 住在台州，就读扬州大学，喜欢现代舞请你自我介绍一下？1）这是面试的必考题目。2）介绍内容要与个人简历相一致。3）表述方式上尽量口语化。4）要切中要害，不谈无关、无用的内容。5）条理要清晰，层次要分明。6）事先最好以文字的形式写好背熟。2、谈谈你的家庭 玛雅maya制作表盘 过程步骤 急需 DirectX 11 Shader 节点的属性，指定了 MayaUberShader 着色器文件。 要使用该着色器，您必须在 Viewport 2.0 的 DirectX 11 环境中工作，并启用 dx11shader.mll 插件。有关详细信息。 您可以在 Hypershade 创建栏中找到 DirectX 11 Shader。创建着色器后，会自动加载 MayaUberShader.fx 文件。 dx11Shader.mll 插件可使您在 Maya Viewport 2.0 中加载并查看自己的 HLSL 着色器。使用 Hypershade 创建 DirectX 11 shader 时，会自动连接 MayaUberShader.fxo 文件；但是，您也可以改为加载自定义 HLSL 着色器。此外，<maya directory>presetsHLSL11examples 中提供了其他示例 HLSL 着色器。 选择 DirectX 作为渲染引擎（方法 1） 选择“窗口 > 设置/首选项 > 首选项 > 显示”(Window > Settings/Preferences > Preferences > Display)并将“渲染引擎”(Rendering engine)设置为“DirectX 11”。 重要信息若要使用 DirectX 渲染引擎，您必须使用 64 位的 Windows 和可兼容 DirectX 11 的显卡。 在面板菜单中选择“渲染器 > Viewport 2.0”(Renderer > Viewport 2.0)将工作区切换到 Viewport 2.0。 注意您的工作区平视显示仪现在应指示 Viewport 2.0 (DirectX 11)。 选择“窗口 > 设置/首选项 > 插件管理器”(Window > Settings/Preferences > Plug-in Manager)并加载 dx11Shader.mll 插件。 选择 DirectX 作为渲染引擎（方法 2） 此环境变量将覆盖交互式和批处理会话的用户首选项（“窗口 > 设置/首选项 > 首选项 > 显示”(Window > Settings/Preferences > Preferences > Display)）（使用 -hw2 选项）。 将 MAYA_VP2_DEVICE_OVERRIDE 设置为 VirtualDeviceDx11 可在 Viewport 2.0 中渲染时始终使用 DirectX 11。 提示将此环境变量设置为 VirtualDeviceGL 可在 Viewport 2.0 中渲染时始终使用 OpenGL。 注意取消设置该环境变量可再次使用用户首选项来选择渲染引擎。 创建 DirectX 着色器 选择“窗口 > 渲染编辑器 > Hypershade”(Window > Rendering Editors > Hypershade)，以打开“Hypershade”窗口。在“创建”(Create)栏中，选择“Maya > 曲面 > DirectX 11 Shader”(Maya > Surface > DirectX 11 Shader)。 将创建 DirectX 11 Shader，同时自动加载 MayaUberShader.fx。 按 6 以获得纹理模式，按 7 以使用场景照明。 提示纹理和非纹理模式均受支持，且所有灯光模式（“使用所有灯光”(Use All Lights)、“使用选定灯光”(Use Selected Lights)、“不使用灯光”(Use No Lights)和“使用默认照明”(Use Default Lighting)）均受支持。 怎么制作教师节贺卡全部过程步骤 我们先去买来做手工的材料，然后打开包装盒，查看材料，材料包包含纸卡，颜料与模板工具，带有图案的纸张，将图案上的图案剪下来。 cpu制造的十个过程步骤 （1） 硅提纯 生产CPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。 在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。 （2）切割晶圆 硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。 （3）影印（Photolithography） 在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。 （4）蚀刻(Etching) 这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。 然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。 （5）重复、分层 为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。Intel的Pentium 4处理器有7层，而AMD的Athlon 64则达到了9层。层数决定于设计时CPU的布局，以及通过的电流大小。 （6）封装 这时的CPU是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。 （7）多次测试 测试是一个CPU制造的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤（如果可能的话）。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开测试。 由于SRAM（静态随机存储器，CPU中缓存的基本组成）结构复杂、密度高，所以缓存是CPU中容易出问题的部分，对缓存的测试也是CPU测试中的重要部分。 每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率；而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是Celeron等低端产品。 当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行频率和缓存的不同，它们被放进不同的包装，销往世界各地。 网络游戏的制作过程步骤怎么样 非常复杂 游戏人物的各种动作都需要真人演练 再经电脑制作合成

环氧树脂词典[计]epoxyresin; ethoxylineresin网络EP; EPOXY; EPOXYRESINS研究不同类型及不同含量的环氧树脂对水性聚氨酯的改性。Studyofdifferenttypesanddifferentcontentofwater-bornepolyurethaneresinmodified.本论文研究了光阻剂中分别增加环氧树脂和润湿剂对其性能的影响。Thispaperresearchestheinfluenceofresinandwettingagentforthepropertyofphotoresist.研究了固化剂和环氧树脂化学结构的改变对热固网络相行为和热力学性能的影响。Theeffectsofchemicalstructureofepoxyresinsonthethermal,mechanical,andphasebehaviorwerestudied.

你好其实我觉得没有什么入门不入门的。只要大致学习会如何看每个元件的原理和对于microcontroller的连接方式。就几乎没有什么问题。有很多公司做了很多的kit，因为里面进行了讲解而且用不上IC2或者SPI的连接方式，所以可以算是连接简单且入门吧。我拿一个其中一家公来举例。他们的kit包括传感器：Hall Sensor Analog Temperature Sensor Digital Temperature Sensor DS18B20 Temperature Sensor Photoresistor Sensor Humiture Sensor Obstacle Avoidance Sensor TRacking Sensor Microphone Sensor Metal Touch Sensor Flame Sensor MQ-2 Gas Sensor 等给你翻译一下，就是霍尔效应感测器（其实就是磁场感应器），digital和analog温度传感器，能在750毫秒转换 12-bit 温度的DS18B20，光感传感器，湿度传感器，防撞传感器， 寻迹传感器（可能这么翻译吧= =），传声传感器，触摸传感器，气体检测传感器。希望能帮到你

光刻胶（英语：photoresist），亦称为光阻或光阻剂，是指通过紫外光、深紫外光、电子束、离子束、X射线等光照或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀刻薄膜材料，是光刻工艺中的关键材料，主要应用于集成电路和半导体分立器件的细微图形加工。

光刻胶作为半导体制造过程中必不可少的材料，主要作用是在光的照射下，其中的感光成分发生化学变化，从而实现将掩膜版上的图形转移到硅片等表面上的目的。光刻胶主要组分有成膜树脂、感光成分、微量添加剂和溶剂，其中成膜树脂用于提供机械性能和抗刻蚀能力；感光组分在光照下发生化学变化，引起溶解速率的改变；微量添加剂包括染料、增粘剂等，用以改善光刻胶性能；溶剂用于溶解各组分，使之均匀混合。光刻胶按照感光波长可分为紫外、深紫外、极紫外、电子束、离子束以及X射线类光刻胶，目前常用的光刻胶有紫外、深紫外光刻胶，极紫外光刻胶将在10nm及以下节点实现应用。紫外光刻胶：深紫外光刻胶极紫外及电子束光刻胶

电路：硅封装：塑料（普通）、陶瓷（大功率）引线：铜、铝引脚：PCB

取样点的土、回填料或其他材料的密度值.测定方法：http://www.doc88.com/p-20724115818.html

PR 是FAB工艺中曝光使用的光刻胶简称全称是Photoresist，其实在半导体行业都是需要光刻的，PR是光刻胶的统称 有很多种，成分也不一样，性质也各有区别，分为正向光刻胶 负向光刻胶

haila讲得对,我厂生产过

减小

Summer Palace, Wan Shou Shan, Kunming Lake these names, are those "Emperor of the Qing dynasty" and the Emperor"s mother, the Empress Dowager "give up. In the beginning, the summer palace haven"t built walls, haven"t told the emperor to alone at home "occupied, the longevity Hill is called urn mountains, the Lake Kunming is called big-Park Lake. Historical material recorded in this nightmare General havoc, more than 350 people killed compatriots, occurred around twenty qiang jian event. The novel ends, is the largest tu sha begins, is precisely what many women in distress.When I was writing this novel, ear often echoed Ms. singing journey that euphemism for sounding the qinhuai " Look up, sometimes to the left, sometimes right, take a look. He read? he did not want to see what really didn"t see anything. He thought that something, like a block of a swim bladder glue, his heart was full of entire paste; not only does not give out stuff than drilling go small joints, even his body muscles all action was full of by his command. His eyes are just straight out, and straight back, did not bring back something. His first world forgot, he wanted the world and himself together eliminated, immediately eliminated, bother watching it! In 1939 the ancient calendar August chujiu, my father the bandits of 14-year-old. He followed later renowned hero of legend Yu Commander team photoresists road ambush Japanese car team. Grandma draped with judging, sent them to the village. Commander of Yu said: "stand up. "Grandma"s House. My grandmother on my father said: "bean officer, to hear you dry father. "Father wasn"t coming, he looked at my grandmother"s tall stature, olfactory, Grandma"s clip judging scattered out heated, suddenly felt cool air force, he fought a war. Stomach sour grumble loud for a while. Yu Commander slapped his father"s head. Say: "go dry. ”

光刻胶膜厚与转速关系是光刻胶膜的最终厚度主要取决于这个阶段的转速。T2*S等于常数厚度的平方乘以转送等于常数， 这是经验公式,适于用标准制程，即基本主转速之前没有高转速干扰，如果有，需要修正因子，相对复杂。需要实验数据说话．建议，先根据公式做几个实验，验证一下，来调整你的厚度和标准差，另外，要强调的是，调厚度不仅仅看转速，要看到pump的时间，喷光阻的时间，喷光租的转速，切断转速等等。主要介绍光刻胶Photoresist又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。由感光树脂、增感剂和溶剂3种主要成分组成的对光敏感的混合液体。在光刻工艺过程中，用作抗腐蚀涂层材料。半导体材料在表面加工时，若采用适当的有选择性的光刻胶，可在表面上得到所需的图像。光刻胶按其形成的图像分类有正性、负性两大类。在光刻胶工艺过程中，涂层曝光、显影后，曝光部分被溶解，未曝光部分留下来，该涂层材料为正性光刻胶。如果曝光部分被保留下来，而未曝光被溶解，该涂层材料为负性光刻胶。按曝光光源和辐射源的不同，又分为紫外光刻胶包括紫外正、负性光刻、深紫外光刻胶、X射线胶、电子束胶、离子束胶等。光刻胶主要应用于显示面板、集成电路和半导体分立器件等细微图形加工作业。光刻胶生产技术较为复杂，品种规格较多，在电子工业集成电路的制造中，对所使用光刻胶有严格的要求。

这个是：光敏电阻，Photocell，注意：光电池是photovoltaiccell，又称光敏电阻器（photoresistororlight-dependentresistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材

否则还叫光敏电阻吗？

光阻有两种，正向光阻(positive photoresist)和负向光阻(negative photoresist)正向光阻是光阻的一种，其照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液。负向光阻是光阻的一种，其照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。

太多了

光阻剂是一个用在许多工业制程上的光敏材料。像是光刻技术，可以在材料表面刻上一个图案的被覆层。光阻有两种，正向光阻(positive photoresist)和负向光阻(negative photoresist)。正向光阻是光阻的一种，其照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液。负向光阻是光阻的一种，其照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。

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增强身体素质的英语是Build up your body。例句：1、Build up a product by advertising。做广告来吹嘘一种产品。2、To Build up an Audio Brand。打造声音品牌——浅析专业电台频道整体形象包装设计。3、They used publicity to Build up their candidate。他们大力宣传使他们的候选人出名。4、Build up the detailed budget price。对设计方案进行细部的预算分析。5、build up resistance to infection。增强对传染病的抵抗力。6、running a build-up。进行一次压力恢复测试。7、build up a just nation。使国民逐步树立正义感。8、photoresist edge build up。硅片边缘上光刻胶的积累。

光阻剂是一个用在许多工业制程上的光敏材料。像是光刻技术，可以在材料表面刻上一个图案的被覆层。光阻有两种，正向光阻(positivephotoresist)和负向光阻(negativephotoresist)。正向光阻是光阻的一种，其照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液。负向光阻是光阻的一种，其照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。

（1） 硅提纯生产CPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米，而CPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。（2）切割晶圆硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个CPU的内核(Die)。一般来说，晶圆切得越薄，相同量的硅材料能够制造的CPU成品就越多。（3）影印（Photolithography）在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着CPU复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域也受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。这是个相当复杂的过程，每一个遮罩的复杂程度得用10GB数据来描述。（4）蚀刻(Etching)这是CPU生产过程中重要操作，也是CPU工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。接下来停止光照并移除遮罩，使用特定的化学溶液清洗掉被曝光的光敏抗蚀膜，以及在下面紧贴着抗蚀膜的一层硅。然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，CPU的门电路就完成了。（5）重复、分层为加工新的一层电路，再次生长硅氧化物，然后沉积一层多晶硅，涂敷光阻物质，重复影印、蚀刻过程，得到含多晶硅和硅氧化物的沟槽结构。重复多遍，形成一个3D的结构，这才是最终的CPU的核心。每几层中间都要填上金属作为导体。Intel的Pentium 4处理器有7层，而AMD的Athlon 64则达到了9层。层数决定于设计时CPU的布局，以及通过的电流大小。（6）封装这时的CPU是一块块晶圆，它还不能直接被用户使用，必须将它封入一个陶瓷的或塑料的封壳中，这样它就可以很容易地装在一块电路板上了。封装结构各有不同，但越高级的CPU封装也越复杂，新的封装往往能带来芯片电气性能和稳定性的提升，并能间接地为主频的提升提供坚实可靠的基础。（7）多次测试测试是一个CPU制造的重要环节，也是一块CPU出厂前必要的考验。这一步将测试晶圆的电气性能，以检查是否出了什么差错，以及这些差错出现在哪个步骤（如果可能的话）。接下来，晶圆上的每个CPU核心都将被分开测试。由于SRAM（静态随机存储器，CPU中缓存的基本组成）结构复杂、密度高，所以缓存是CPU中容易出问题的部分，对缓存的测试也是CPU测试中的重要部分。每块CPU将被进行完全测试，以检验其全部功能。某些CPU能够在较高的频率下运行，所以被标上了较高的频率；而有些CPU因为种种原因运行频率较低，所以被标上了较低的频率。最后，个别CPU可能存在某些功能上的缺陷，如果问题出在缓存上，制造商仍然可以屏蔽掉它的部分缓存，这意味着这块CPU依然能够出售，只是它可能是Celeron等低端产品。当CPU被放进包装盒之前，一般还要进行最后一次测试，以确保之前的工作准确无误。根据前面确定的最高运行频率和缓存的不同，它们被放进不同的包装，销往世界各地。

是的。光刻胶胶厚越厚工艺窗口是越大的。光刻胶（Photoresist）又称光致抗蚀剂，是指通过紫外光、电子束、离子束、X射线等的照射或辐射，其溶解度发生变化的耐蚀剂刻薄膜材料。

光敏电阻是被光线照射时阻值下降

硅。芯片原材料主要是单晶硅，硅的性质是可以做半导体，并且高纯的单晶硅是重要的半导体材料，因此芯片是半导体材料。芯片在电子学中是一种将电路小型化的方式，并时常制造在半导体晶圆表面上。光敏电阻（photoresistororlight-dependentresistor，后者缩写为ldr）或光导管（photoconductor），常用的制作材料为硫化镉，另外还有硒、硫化铝、硫化铅和硫化铋等材料。这些制作材料具有在特定波长的光照射下，其阻值迅速减小的特性。这是由于光照产生的载流子都参与导电，在外加电场的作用下作漂移运动，电子奔向电源的正极，空穴奔向电源的负极，从而使光敏电阻器的阻值迅速下降。

Accelerated ageing of sulphur - dyed textiles 硫化染料染色的纺织品的加速老化 Practice for accelerated aging of pressure - sensitive tapes 压敏胶粘带加速老化试验方法 Practice for accelerated aging of pressure - sensitive tapes 压敏胶粘带加速老化试验方法 H paper and boaed - accelerated aging - dry heat treatment at 纸和纸板的干热加速老化方法 Paper and board - accelerated ageing - dry heat treatment at 120 or 纸和纸板干热加速老化的方法 Rubber or plastics coated fabrics accelerated ageing tests 橡胶或塑料涂覆织物.加速老化试验 Polymeric materials cellular flexible - accelerated ageing tests 软质泡沫聚合材料加速老化试验方法 Standard practice for accelerated aging of pressure - sensitive tapes 压敏带加速老化的标准实施规范 Polymeric materials , cellular flexible - accelerated ageing tests 软质泡沫聚合材料加速老化试验方法 Paints and varnishes . cladding paints . accelerated ageing test 涂料和清漆.涂层涂料.加速老化试验 Particle boards . accelerated ageing by test " v 313 " method . - 刨花板.用“ v313 ”方法进行加速老化试验 Forced air circulation oven type thermal accelerated aging testers 强迫空气循环箱式热加速老化试验机 Paper and board . accelerated ageing . part 1 : dry heat treatment 纸和纸板.加速老化.第1部分:干热处理 Testing of rubber - accelerated ageing 橡胶试验.加速老化 Accelerated aging of photoresist 光致抗蚀剂的加速老化 Reaction abipty of pbx - 2 before and after accelerated aging by projectile impact 2炸药加速老化前后反应能力 105 2 72h paper and board accelerated aging - dry heat treatment at 105 centigrade 纸和纸板的干热加速老化方法 Standard guide for accelerated aging of sterile medical device packages 无菌医疗设备包装的加速老化的标准指南 Standard practice for accelerated aging of inflatable restraint fabrics 充气减震织物的加速老化试验标准实施规范 Flexible and rigid cellular polymeric materials - accelerated ageing tests 软质和硬质泡沫聚合材料.加速老化试验 Rubber - or plastics - coated fabrics - accelerated ageing tests - heat ageing 橡胶或塑料涂层织物.加速老化试验.热老化 V100 particle boards . accelerated ageing by boipng water . so - called test " v 100 " 刨花板.在开水中的加速老化试验 Flexible and rigid cellular polymeric materials - accelerated ageing tests 软质泡沫和硬泡沫聚合物材料.加速老化试验 Leather - tests for colour fastness - change in colour with accelerated ageing 皮革.色牢度试验.加速老化中的颜色变化 Accelerated ageing of paper and board - method for dry heat treatment at 105 c 纸和纸板的加速老化. 105下的干热处理法 Test method for accelerated aging of adhesive joints by the oxygen - pressure method 用氧压法加速粘结接头老化的试验方法 Surfaces for sports areas - procedure for accelerated ageing by exposure to hot air 运动场地表面.热空气中加速老化规程 Rubber , vulcanized or thermoplastic - accelerated ageing and heat resistance tests 硫化或热塑橡胶.加速老化或耐热性试验 Rubber , vulcanized or thermoplastic - accelerated ageing and heat resistance tests - air - oven method 热空气加速老化和耐热试验 Surfaces for sports areas - procedure for accelerated ageing by immersion in hot water 运动场表面.热水浸渍的加速老化程序 Accelerated ageing test 加速老化试验 Accelerated aging test 加速老化试验 Surfaces for sports areas - procedure for accelerated ageing by immersion in hot water 运动场表面.热水浸渍所致的加速老化过程 Rubber - or plastics - coated fabrics - accelerated ageing tests - environmental ageing 橡胶或塑料涂层织物.加速老化试验.环境老化 Standard test method for accelerated aging of pquid water - emulsion floor popshes 液态水乳化地板擦亮剂加速老化的标准试验方法 Coil coated metals - test methods - resistance to accelerated ageing by the use of heat 卷材覆层金属.试验方法.耐热加速老化性能 Rubber - or plastic - coated fabrics . accelerated ageing tests . part 1 : heat ageing 橡胶或塑料涂层织物.加速老化试验.第1部分:热老化 Accelerated ageing of paper and board - method for dry heat treatment at 120 c or 150 c 纸和纸板的加速老化. 120或150下的干热处理方法 Effect of penicilpn on germination of accelerated aging seed and seedpng growth of carrot 青霉素对老化胡萝卜种子发芽及幼苗生长的影响 Aerospace series - cables , electrical , aircraft use - test methods - accelerated ageing 航空航天系列.飞行器用电缆.试验方法.加速老化试验 Pyogenol ? defies the accelerated ageing of the skin due to exposure to sunpght ( photo - ageing ) 碧萝芷?抑制由于阳光直射造成的皮肤衰老。 Strong sunpght and free radicals in the air serve to accelerate ageing 当然可以，因为阳光中强烈的紫外线和空气中的游离基，会加速皮肤老化。 Testing methods for rubber - or plastics - coated fabrics - part 12 : accelerated ageing tests 橡胶或塑料涂覆织物的试验方法.第12部分:加速老化试验 Paper and board . accelerated ageing . part 4 : dry heat treatment at 120 or 150 degrees c 纸和纸板.加速老化.第4部分: 120和150的温度下干热处理 Rubber - or plastic - coated fabrics - accelerated ageing tests - part 3 : environnement ageing 橡胶或塑料涂层织物.加速老化试验.第3部分:环境老化 Surfaces for sports areas - procedure for accelerated ageing by exposure to hot air ; german version en 13817 : 2004 运动场表面.在热空气中加速老化规程 Paper and board ; accelerated ageing ; part 1 : dry heat treatment at 105 c ; identical with iso 5630 - 1 : 1991 纸和纸板.加速老化.第1部分:在105时的干热处理 Aerospace series - cables , electrical , aircraft use - test methods - part 401 : accelerated ageing 航空航天系列.飞机用电缆.试验方法.第401部分:加速老化 Reusable rubber contraceptive diaphragms - determination of deterioration after accelerated ageing 可重复使用的橡胶避孕工具.第6部分:加速老化后的变质测定 Natural or synthetic polyisoprene rubber threads . accelerated ageing test and dry heat resistance test 天然或合成聚异戌二稀胶丝.加速人工老化和耐干热试验

光阻剂是一个用在许多工业制程上的光敏材料。像是光刻技术，可以在材料表面刻上一个图案的被覆层。 光阻有两种，正向光阻(positive photoresist)和负向光阻(negative photoresist)。 正向光阻是光阻的一种，其照到光的部分会溶于光阻显影液

CPU是在特别纯净的硅材料上制造的。一个CPU芯片包含上百万个精巧的晶体管。人们在一块指甲盖大小的硅片上，用化学的方法蚀刻或光刻出晶体管。

光阻剂是一个用在许多工业制程上的光敏材料。像是光刻技术，可以在材料表面刻上一个图案的被覆层。 光阻有两种，正向光阻(positive photoresist)和负向光阻(negative photoresist)。 正向光阻是光阻的一种，其照到光的部分会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分不会溶于光阻显影液。 负向光阻是光阻的一种，其照到光的部分不会溶于光阻显影液，而没有照到光的部分会溶于光阻显影液。

CPU的nm是纳米的意思。CPU nm指的是制造CPU或GPU的制程，或指晶体管门电路的尺寸，单位为纳米（nm)。目前主流的CPU制程已经达到了14-32纳米，更高的在研发制程甚至已经达到了7nm或更高。越小的nm表示更先进的制造工艺，更先进的制造工艺可以使CPU与GPU内部集成更多的晶体管，使处理器具有更多的功能以及更高的性能；更先进的制造工艺会减少处理器的散热设计功耗（TDP)，从而解决处理器频率提升的障碍。扩展资料：nm制造部分工艺详解：1、硅提纯：生产CPU与GPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。2、切割晶圆：晶圆才被真正用于CPU与GPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个处理器的内核。3、影印：在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻(Photoresist)物质，紫外线通过印制着处理器复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域不受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。4、蚀刻：这是CPU与GPU生产过程中重要操作，也是处理器工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，处理器的门电路就完成了。参考资料来源：百度百科-nm （纳米简写）百度百科-制造工艺