磁控溅射的和市面上宣传的陶瓷膜性能上有何优劣;磁控溅射的可不可以用在前档上，对导航屏蔽影响多大？

不同设备镀出来的膜层附着力不一样，国产设备相对进口的这方面多少会有一些差距；工艺的影响，不同温度，压力参数镀出来的膜层附着力肯定也是不一样的；还有就是基底和金属膜层的选择匹配度也会影响粘附性的哦~

磁控溅射按照电源的不同，可以分为直流磁控溅射（DC）和射频磁控溅射（RF）。　　顾名思义，直流磁控溅射运用的是直流电源，射频磁控溅射运用的是交流电源（射频属于交流范畴，频率是13.56MHz。我们平常的生活中用电频率为50Hz）。　　两种方式的用途不太一样，直流磁控溅射一般用于导电型（如金属）靶材的溅射，射频一般用于非导电型（如陶瓷化合物）靶材的溅射。　　两种方式的不同应用　　直流磁控溅射只能用于导电的靶材（靶材表面在空气中或者溅射过程中不会形成绝缘层的靶材），并不局限于金属。譬如，对于铝靶，它的表面易形成不导电的氧化膜层，造成靶表面电荷积累（靶中毒），严重时直流溅射无法进行。这时候，就需要射频电源，简单的说，用射频电源的时候，有一小部分时间是在冲抵靶上积累的电荷，不会发生靶中毒。　　射频磁控溅射一般都是针对绝缘体的靶材或者导电性相对较差的靶材，利用同一周期内电子比正离子速度快进而沉积到靶材上的电子数目比正离子数目多从而建立起自偏压对离子进行加速实现靶的溅射。　　两种方式的特点：　　1、直流溅射：对于导电性不是很好的金属靶，很难建立较高的自偏压，正离子无法获得足够的能量去轰击靶材　　2、射频的设备贵，直流的便宜。

就是微波炉产生高频微波，直射或者反射到食物上，由于食物里面含有水分，而水分子是极性分子，被微波（电磁波）拉着交换转动，即发热。。。。。水分子存在于大多数食物中。水分子的“两端”分别带有正电荷和负电荷。电场会使水分子的正电荷端指向同一个方向。微波电场的正、负极方向每秒钟转换49亿次，水分子也不停地随之转换方向。随着水分子不断转向，彼此发生碰撞，相互摩擦进而产生热量。陶瓷和玻璃容器中不含水分，因而不会发热，但变热的食物会通过热传导使它们变热。 微波炉的关键部件是磁控管（magnetron）。这个名字听起来像是某部科幻电影中的军事装备——这种先进真空管所产生的微波确实威力巨大，足够用于军用雷达（这也是研制磁控管的最初目的）。 变压器、二极管和电容器将民用电从220V提升到3,000V以上，通过导线将高压电送往磁控管。磁控管产生微波，微波由天线送出，经由波导管（waveguide）进入炉腔，炉腔的金属腔壁不断反射微波。旋转的玻璃托盘会让食物均匀受热。一些型号的微波炉中没有玻璃托盘，但波导管端部有一个旋转小叶片，它能将微波完全散布开。　　高压电被传送到阴极灯丝。灯丝变热后便会发射出电子，这些电子被外围带正电的阳极板吸引。一些大磁铁块施加的磁场使向外流动的电子云旋转。在旋转的过程中，电子云形成轮辐状，从阳极板之间的每一个空腔中穿过。移动着的电子云“轮辐”将负电荷传递给空腔，此后负电荷又会在下一个“轮辐”到达之前流出空腔。负电荷的反复增减在空腔内产生出2.45千兆赫兹的振荡电磁场。磁控管上的天线以这一频率发生谐振，从其顶部尖端发射出微波——这和无线电传输天线的原理几乎一模一样。

两者应用环境很不一样。磁控溅射是真空环境中镀膜，牢固性，致密性和均匀性都是很完美的。磁控溅射还可以镀光学膜。电镀之能镀金属吧。一个是化学过程，一个是物理过程。

就是微波炉产生高频微波，直射或者反射到食物上，由于食物里面含有水分，而水分子是极性分子，被微波（电磁波）拉着交换转动，即发热。。。。。水分子存在于大多数食物中。水分子的“两端”分别带有正电荷和负电荷。电场会使水分子的正电荷端指向同一个方向。微波电场的正、负极方向每秒钟转换49亿次，水分子也不停地随之转换方向。随着水分子不断转向，彼此发生碰撞，相互摩擦进而产生热量。陶瓷和玻璃容器中不含水分，因而不会发热，但变热的食物会通过热传导使它们变热。 微波炉的关键部件是磁控管（magnetron）。这个名字听起来像是某部科幻电影中的军事装备——这种先进真空管所产生的微波确实威力巨大，足够用于军用雷达（这也是研制磁控管的最初目的）。 变压器、二极管和电容器将民用电从220V提升到3,000V以上，通过导线将高压电送往磁控管。磁控管产生微波，微波由天线送出，经由波导管（waveguide）进入炉腔，炉腔的金属腔壁不断反射微波。旋转的玻璃托盘会让食物均匀受热。一些型号的微波炉中没有玻璃托盘，但波导管端部有一个旋转小叶片，它能将微波完全散布开。　　高压电被传送到阴极灯丝。灯丝变热后便会发射出电子，这些电子被外围带正电的阳极板吸引。一些大磁铁块施加的磁场使向外流动的电子云旋转。在旋转的过程中，电子云形成轮辐状，从阳极板之间的每一个空腔中穿过。移动着的电子云“轮辐”将负电荷传递给空腔，此后负电荷又会在下一个“轮辐”到达之前流出空腔。负电荷的反复增减在空腔内产生出2.45千兆赫兹的振荡电磁场。磁控管上的天线以这一频率发生谐振，从其顶部尖端发射出微波——这和无线电传输天线的原理几乎一模一样。

磁控溅射（Magnetron Sputtering）是一种被广泛应用的溅射沉积技术。它的基本原理与基本的溅射过程相似，但在溅射源（目标）后面增加了一个磁场，以增加溅射的效率和沉积速率。以下是磁控溅射的主要步骤和原理：1. **溅射源准备**：溅射源是你想在基板上沉积的材料，通常是固态的金属或半导体。2. **创建磁场**：在溅射源的后面创建一个磁场。这个磁场的设计通常是一个环形磁场，中间是南极，外围是北极，或者相反。这样就形成了一个封闭的磁场，使得在磁场中的电子难以逃脱。3. **产生溅射粒子**：将溅射源放在真空或低压环境中，然后引入高能离子源（通常是氩气离子）。离子源被加速并撞击溅射源，使得溅射源的原子被抛射出来。同时，撞击也会产生大量的二次电子。4. **二次电子的俘获**：在磁场的作用下，产生的二次电子将被俘获在溅射源附近，形成一个稠密的等离子体区域。这些电子会与进入这个区域的氩气分子发生碰撞，产生更多的氩离子和二次电子，从而形成一个持续的溅射过程。5. **薄膜的沉积**：被抛射出的溅射粒子飞行到基板上，并在其表面沉积，形成薄膜。通过使用磁控溅射，可以显著提高溅射过程的效率和沉积速率，因此在许多工业应用中都得到了广泛的使用。例如，在半导体制造、光学镀膜、表面工程等领域。

磁控溅射（Magnetron Sputtering）是一种常用的物理气相沉积（PVD）技术，广泛应用于微电子、光学、表面工程和其他领域中，用于制备高质量的薄膜材料。磁控溅射技术的核心是在溅射过程中使用磁场，以增强溅射效率和提高薄膜的质量。在磁控溅射过程中，源材料（通常为金属或半导体）被设置为一个“目标”，并被放置在一个装有惰性气体（通常为氩气）的真空室中。然后在目标后方施加一个磁场。这个磁场的作用是在目标表面上形成一个等离子体的“环”，使得在目标表面释放的电子被限制在磁场中，从而增加了电子与气体分子的碰撞概率，提高了离子化的效率。当这些离子化的气体分子（通常为氩离子）被加速并撞击目标时，目标材料的原子会被“溅射”出来，然后这些溅射出的原子会飞行并沉积在基板上，形成薄膜。总的来说，磁控溅射是一种通过物理溅射过程在基板上沉积薄膜的技术，它的优点包括高的沉积速率、优良的薄膜质量，以及对各种材料的兼容性。

磁控溅射（Magnetron Sputtering）是一种被广泛应用的溅射沉积技术。它的基本原理与基本的溅射过程相似，但在溅射源（目标）后面增加了一个磁场，以增加溅射的效率和沉积速率。以下是磁控溅射的主要步骤和原理：1. **溅射源准备**：溅射源是你想在基板上沉积的材料，通常是固态的金属或半导体。2. **创建磁场**：在溅射源的后面创建一个磁场。这个磁场的设计通常是一个环形磁场，中间是南极，外围是北极，或者相反。这样就形成了一个封闭的磁场，使得在磁场中的电子难以逃脱。3. **产生溅射粒子**：将溅射源放在真空或低压环境中，然后引入高能离子源（通常是氩气离子）。离子源被加速并撞击溅射源，使得溅射源的原子被抛射出来。同时，撞击也会产生大量的二次电子。4. **二次电子的俘获**：在磁场的作用下，产生的二次电子将被俘获在溅射源附近，形成一个稠密的等离子体区域。这些电子会与进入这个区域的氩气分子发生碰撞，产生更多的氩离子和二次电子，从而形成一个持续的溅射过程。5. **薄膜的沉积**：被抛射出的溅射粒子飞行到基板上，并在其表面沉积，形成薄膜。通过使用磁控溅射，可以显著提高溅射过程的效率和沉积速率，因此在许多工业应用中都得到了广泛的使用。例如，在半导体制造、光学镀膜、表面工程等领域。

微波炉的磁控管（Magnetron）是微波炉的关键组件，负责产生微波并将其传递到烹饪区域。磁控管的寿命因品牌和型号而异，通常在2000小时到5000小时之间。然而，磁控管的实际使用寿命可能受到许多因素的影响，如使用频率、使用环境和维护情况。以下是一些建议，可以帮助延长磁控管的使用寿命：1. 遵循制造商的建议：仔细阅读并遵循微波炉制造商提供的使用和维护指南。2. 定期清洁：使用温和的肥皂和水定期清洁微波炉内部，确保没有食物残渣和污垢。这有助于降低磁控管的工作负荷，从而延长其寿命。3. 定期维护：检查微波炉的外部和内部，确保没有损坏和磨损。定期更换磨损的部件，例如炉门密封条和炉门铰链。4. 使用适合的烹饪器具：避免使用金属或带有金属涂层的烹饪器具，因为它们会反射微波，从而增加磁控管的工作负荷。5. 定期检查：定期检查微波炉的工作状态，确保其正常运行。如果发现异常噪音、异味或微波泄漏，请及时联系专业维修人员进行检查和维修。6. 避免过度加热：当加热食品时，请遵循制造商提供的建议的时间和温度。过度加热可能导致食物烧焦，进而损坏磁控管。通过遵循这些建议，您可以有效地延长微波炉磁控管的使用寿命。请注意，磁控管是微波炉的易损部件，可能需要在某些情况下进行更换。

其原理是雷达设备的发射机通过天线把电磁波能量射向空间某一方向，处在此方向上的物体反射碰到的电磁波；雷达天线接收此反射波，送至接收设备进行处理，提取有关该物体的某些信息(目标物体至雷达的距离，距离变化率或径向速度、方位、高度等)。　　测量距离实际是测量发射脉冲与回波脉冲之间的时间差，因电磁波以光速传播，据此就能换算成目标的精确距离。　　测量目标方位是利用天线的尖锐方位波束测量。测量仰角靠窄的仰角波束测量。根据仰角和距离就能计算出目标高度。　　测量速度是雷达根据自身和目标之间有相对运动产生的频率多普勒效应原理。雷达接收到的目标回波频率与雷达发射频率不同，两者的差值称为多普勒频率。从多普勒频率中可提取的主要信息之一是雷达与目标之间的距离变化率。当目标与干扰杂波同时存在于雷达的同一空间分辨单元内时，雷达利用它们之间多普勒频率的不同能从干扰杂波中检测和跟踪目标。

微波促使食物中的水分子发生剧烈震动，震动产生热量。

1842年发明

マグネット、磁性材料、磁気制品は、携帯电话の振动 steepness、Scooter steepness、磁気のおもちゃ、磁気、荷物をモータ u30fb磁気 N30 磁気磁気、光磁気 W、モーター N20 磁気と磁気、steepness、多极磁力と磁気、プラスチック、magnetron スイッチ电磁弁、时计 AlNiCo、磁気、焼结、ゴム、磁気の接着、フェライト磁気、光磁気-磁気プラスチック、およびギフト、ボタン文化と教育のひな形磁気磁気装身具、健康、装饰品、医疗の磁石、健康、医疗机器の磁気疗法磁気

　　微波炉早在50多年前，电器已经遍及全球。如今，它又以闪电般的速度进入我国的千家万户。在我家就有电视机、电冰箱、微波炉、电脑等许多电器。其中，我最要感谢的就是我家的微波炉了。微波炉颜色是银灰色的，微波炉的上方还有几十个排气口。它的外形和14寸的液晶显示屏差不多，但这个“屏幕”可以打开，里面有一个透明的圆形玻璃转盘，它是用来放食物的。“屏幕”右上角有一个时间显示，下面有二十几个按键，上面有各种功能，可以根据自己的需要选择按键。微波炉的外形并不出众，但功能却妙不可言。它可以用来热冷的食物，还可以烧菜、烤肉、蒸蛋、解冻……总之，微波炉是一位全能的好厨师。 ??如果你想热饭就把饭放进微波碗里，再放进微波炉里，把时间按键按到一分钟，再按开始键就行了。到时间它会自动发出鸣叫声，饭就热好了。如果你想快一点做好，还可以加大火力呢！这台微波炉为我们全家人服务，我们全家人都喜欢它。

尤里国的轴心科技是心灵控制和基因突变。除此之外，还拥有盖特机炮武器（详见 盖特机炮）和激光干扰科技（镭射幽浮可以干扰对方电力）等。以下为详细资料（详见 游戏）。 尤里新兵/ Yuri"s Initiate制造费用：200武器装备：Psychic Blast Bolt必要建筑：兵营尤里军基础士兵，射程不远，杀伤力类似蹲踞状态的美国大兵，可驻守于市民建筑。进入房子后杀伤力很大。病毒狙击手/ Virus制造费用：700武器装备：Viral Dart Gun必要建筑：兵营 +心灵感应器致命的步兵单位，装备一款长程来福枪，可以秒杀士兵和动物，那些被害者是被一种强力的毒素所杀害，因此还会散发出危险的毒云，伤害其他不幸走进那名被害者尸体一定范围内的步兵单位。对付人海战术十分有效。射程比英国狙击手短。升3级后射程增加。尤里复制人/ Yuri Clone制造费用：800武器装备：Mind Control、Psi Wave必要建筑：兵营 + 心灵感应器为尤里的克隆单位。本单位无防御能力，只是可以改变他人思想，因此几乎可以控制所有的敌人单位并加入尤里的战争队伍中。在面对大批步兵单位时，一名尤里复制人可以进行部署（选中按D键或者点击部署按钮），并创造大量心灵波，伤害或杀死接近的步兵。狂兽人/ Brute制造费用：500武器装备：Big hands必要建筑：兵营尤里的反坦克步兵单位就是狂兽人，一种由基因突变工程做出的怪兽，目的是破坏所有挡在他面前的物品。狗会避开狂兽人且不会攻击他们，并且他们不会被心灵控制科技所控制。尤里X/ Yuri Prime制造费用：1500装甲厚度：超轻型武器装备：超级心灵控制、超级意念波必要建筑：兵营 +作战实验室即尤里本人，他坐在一辆既大又重的飞行战车中。尤里X 可以说是威力更加强大、更加致命的尤里复制人，不会被其他车辆辗扁、会自动重生、同时对心灵控制免疫。尤里X 可以控制大部分的车辆，与敌人的步兵单位，另外也包括大部分敌人建筑物等，在他恶毒的意念下，甚至连敌人的防御系统都会倒戈。除此之外，尤里也配备了改良型心灵波，可以将影响范围内的步兵单位立刻杀死，而且也可对在爆炸半径外的单位造成伤害。尤里X 的力量控制要比自己的复制人好，所以当他使用心灵波攻击时，不会伤害到友方。 尤里机动基地车/ MCV制造费用：3000装甲厚度：重型必要建筑：战车工厂+部队回收机尤里的机动基地车拥有像盟军与苏联等同名单位的能力，只是当它完成部署之后，会创造出尤里的建造场。奴隶矿场/ Slave Miner制造费用：1500(1.001中1750）装甲厚度：重型武器装备：20mm Rapid必要建筑：尤里机动基地车（Yuri"s MCV）不采用标准采矿车，尤里军仰赖奴隶矿工来撑起其经济。在部署完成后，可以派遣工程师到建筑物内进行修护。所有被杀的奴隶矿工，将自动由奴隶矿工进行补充。被打烂后，在外面的奴隶会叛变，然后加入打烂其的阵营中。狂风坦克/ Lasher Tank （实际应该为鞭打者坦克）制造费用：700装甲厚度：中型武器装备：Short-range anti-tank shell必要建筑：战车工厂狂风坦克是尤里军的基本坦克单位，跑的速度很快，杀伤力比灰熊小，装甲比犀牛薄，是最差的坦克。神经突击车/ Chaos Drone制造费用：800（1.001中1000）装甲厚度：轻型武器装备：Chaos Attack、Virtual Scanner必要建筑：战车工厂在部署完成（选中按D键或者按下部署按钮）后，这种小型的交通工具可以散发会造成幻觉的毒气云，使敌人进入狂暴状态，狂暴单位的力量将接受强化，而且在他攻击敌人之前，会先对附近的友方单位自动瞄准、开火。但是毒气并不能对任何单位造成伤害，而且它的毒气可以穿过围墙。盖特坦克/ Gattling Tank制造费用：600装甲厚度：轻型武器装备：AGGattling/AAGattling必要建筑：战车工厂由于盟军有光棱科技、苏联有磁能科技，尤里的科学家们则研发出minugun一系列武器，盖特坦克配备了两管 .50口径的大型机炮，可以快速连续射击，一口气射出大量致命的子弹，在短时间之内就可以横扫步兵与空中单位。这些武器的一项独到特色就是随著发射时间越长，炮管旋转发射的速度便越快，连带著武器可以造成的伤害也越大，因为如此，盖特坦克在持久战的互相射击战斗中相当有用。磁电坦克/ Magnetron制造费用：1000装甲厚度：轻型武器装备：Magnetic Beam、Magnetic Field必要建筑：战车工厂 + 心灵感应器在对付交通工具的时候，这种独特的武器将发出一种威力强大的磁波，将敌人的交通工具漂浮在半空，然后将它往尤里的部队拖曳，漂浮到物体上空时按S键放下将两者砸烂；磁电坦克也可把近处的船只拍到地上。除此之外，磁电坦克可以藉由对建筑物发射强烈的磁力波，进而对建筑物造成严重的伤害。磁电坦克的主要缺点是它几乎对敌人的步兵单位毫无防御能力，不仅没有任何对他们有效的武器，也没办法将他们拉近一点，也无法碾压。精神控制车/ Master Mind制造费用：1750装甲厚度：重型武器装备：Multiple Mind Control Tank必要建筑：战车工厂 + 作战实验室这是尤里心灵控制科技另一个延伸单位，这款精神控制坦克，拥有一次可以安全地对一群、三个敌人单位进行心灵控制的能力，然而，本单位却无法自行停止继续对额外的单位进行控制，当所控制的单位超出它的负荷之后，本装置将会发生故障直到自爆，然后释放所有它之前俘虏的单位。雷鸣攻击潜舰/ Boomer制造费用：2000装甲厚度：中型武器装备：Torps、Cruise Missiles必要建筑：海军船坞 + 心灵感应器就跟苏联的飓风级攻击潜艇一样，雷鸣潜舰是一种潜水单位，可以在不被发现的情况接近敌人的位置；在对付其他海军单位的时候，雷鸣潜舰拥有发射致命鱼雷的能力，然而，它还拥有巡航飞弹，可以用来攻击地面上的目标，因此使雷鸣潜舰成为相当可怕的敌人。雷射幽浮/ Floating Disc制造费用：1750装甲厚度：重型武器装备：Transport Beam、Small Laser必要建筑：战车工厂 + 作战实验室雷射幽浮拥有使敌人基地陷入严重混乱局面的能力，它的小型雷射在对付所有步兵单位的时候都相当有效，甚至包括盟军的火箭飞行兵，而且可以对交通工具与建筑物等都造成巨大伤害；更重要的是，如果它放在敌人发电厂上方，会立即让敌人基地停电；雷射幽浮还可停在敌人的精炼场上方，窃取其中的资金，来充当尤里的战争经费。当雷射幽浮停在任何须要强大电力的防御设施上，都将使其无法使用。 生化反应炉/ Bio Reactor制造费用：600装甲厚度：木制产生电力：150（每加一人+100）建筑类型：生产* 运载位：5人生化反应炉和其他的发电厂一样，用生化技术进行发电，可载入五个步兵，用以增大发电功效。奴隶矿场/ Slaveminer(实质上这是一种车辆单位)制造费用：1500（1.001中1750）装甲厚度：中型不采用标准的采矿车，尤里军将仰赖奴隶矿工来撑起它们的经济。这整座建筑物会移动到矿场旁边完成部署，然后释放奴隶去采收矿石以便进行处理。在进行移动的过程中，奴隶矿工所遭受的伤害将自行修护，就连部署完成之后，也可以藉由派遣工兵到建筑物内进行修护。所有被敌人所杀害的奴隶矿工，将自动由奴隶矿工进行补充。兵营 / Barracks制造费用：500装甲厚度：重型建筑类型：生产尤里的兵营跟那些盟军、苏联的同名建筑物完全一样，只是用来生产尤里军的步兵单位。战车工厂 / War Factory制造费用：2000装甲厚度：轻型建筑类型：生产尤里的战车工厂跟那些盟军、苏联的同名建筑物完全一样，只是用来建造尤里军的交通工具。心灵感测器/ Psychic Radar制造费用：1000装甲厚度：轻型建筑类型：生产尤里的心灵感应器拥有之前苏联所使用心灵感应器的所有功能，在部署完成之后，它将标示出本身可影响范围内的敌军攻击目标，尤里的工程师已经显著地强化了本装置的效能，允许它就像尤里的雷达般使用。海军船坞 / Submarine Pen制造费用：1000装甲厚度：中型建筑类型：生产尤里的海军船坞跟那些盟军与苏联的海军造船厂完全一样，只是用来建造尤里军的装甲运兵船与雷鸣潜舰。复制中心/ Cloning Vats制造费用：2500装甲厚度：轻型建筑类型：生产每当兵营创造出一个步兵单位的时候，在复制中心中便会免费复制一个相同的单位，和红色警戒2中苏军拥有的一模一样。护城墙/ Citadel Wall制造费用：100装甲厚度：N/A建筑类型：防御尤里的护城墙跟苏联与盟军所使用的围墙类似，它们是用来保护一些有贵重价值又容易损害的建筑物。坦克碉堡/ Tank Bunker制造费用：400装甲厚度：重型建筑类型：防御当部署完成之后，本建筑物本身并没有任何的防御系统，然而，所有具备炮弹的交通工具，除了磁电坦克之外，都可以驻守在坦克碉堡里面，除了提供防御能力之外，更可以额外增加火力。盖特机炮/ Gattling Cannon制造费用：1000装甲厚度：重型建筑类型：防御本防御建筑物跟盖特坦克的运作原理相同，连续不断的射击将造成额外的伤害与威力，本武器在对付步兵单位的时候，无论射击速度的快慢，总是相当有效。心灵控制塔/ Psychic Tower制造费用：1500装甲厚度：重型建筑类型：防御心灵控制塔会自动控制前三个走进它影响范围的单位，并使他们掉转枪头去对付自己之前的友方，你可以完全控制这些单位，也可以将他们送进研磨机中。等它控制了本身所能负荷的上限单位数量之后，心灵控制塔对突击便毫无防御。基因突变器/ Genetic Mmutator制造费用：2500装甲厚度：中型建筑类型：超级武器尤里的第一款超级武器就是基因突变器，当完全充能并进行部署之后，本装置可以将所有受攻击区域的敌人步兵单位转变成狂兽人。无论敌我双方的单位都会遭受基因突变器的影响，也都会产生接受尤里指挥的狂兽人，警犬及其他动物（包括海豚与巨型乌贼），将不会被基因突变器变成狂兽人，它们只会被杀死而已。心灵控制器/ Pyschic Dominator制造费用：5000装甲厚度：中型建筑类型：超级武器当完全充能并进行部署之后，本武器可以用心灵能量来发出威力强力的爆炸波，将所有在影响范围内的单位都转变成接受尤里的指挥，这些新加入尤里部队的新血，可以立刻掉转枪头去对付之前的伙伴，也可以走回尤里的基地，看看要送进部队回收工厂或生化反应炉；那些原本就对心灵控制免疫，或驻守于建筑内的单位，将不会遭受心灵控制器的影响；当单位被心灵控制器俘虏之后，它将不会再度接受心灵控制。心灵控制器的心灵爆炸波也会对附近的建筑物造成伤害。部队回收机/ Grinder制造费用：800装甲厚度：轻型多亏了他的心灵科技，尤里通常会发现自己有一大堆俘虏的单位，并决定进行回收利用。部队回收工厂就是为了这个目的而问世的：在安置完成之后，部队回收工厂可以回收在尤里控制下的任何车辆或步兵单位，所有送进部队回收工厂的单位都会立刻被摧毁，然后获得步兵的1/2造价和坦克的100%造价。

磁控溅射（Magnetron Sputtering）是一种常用的真空镀膜技术，广泛应用于制备薄膜材料。磁控溅射的利用效率通常是指靶材利用率和薄膜沉积速率等方面的表现。1. 靶材利用率：磁控溅射过程中靶材的利用效率受到磁场设计和溅射过程参数的影响。由于磁场的作用，Ar离子在靶材表面产生密集的等离子体，使得靶材的表面被均匀轰击。这可以提高靶材的利用效率，一般可达到20%-30%。优化磁场设计和溅射参数可以进一步提高靶材利用率，部分情况下甚至可达到40%-60%。2. 薄膜沉积速率：磁控溅射的薄膜沉积速率与靶材性质、溅射功率、气压和基材与靶材之间的距离等因素有关。磁控溅射通常具有较高的沉积速率，相对于其他溅射技术（如电子束溅射或直流溅射），磁控溅射的沉积速率要快得多。这使得磁控溅射在大规模生产和高通量薄膜制备领域具有优势。尽管磁控溅射具有较高的利用效率，但仍有改进空间。通过优化磁场设计、提高靶材质量和调整溅射过程参数，可以进一步提高磁控溅射的利用效率。同时，研究新型溅射技术（如高功率脉冲磁控溅射、双磁控溅射等）也有助于提高磁控溅射的整体性能。

磁控溅射是目前应用最广泛的一种溅射沉积方法。它是在二极直流溅射的基础上，在靶表面附近增加一个磁场。电子由于受电场和磁场的作用，做螺旋运动，大大提高了电子的寿命，增加了电离产额，从而放电区的电离度提高，即离子和电子的密度增加。放电区的有效电阻变小，电压下降。另外放电区集中在靶表面，放电区中的离子密度高，所以入射到靶表面的离子密度大大提高，因而溅射产额大大增加。也就是磁场控制溅射方式。

真空镀膜的黏附性比较差，容易脱落电镀的种类很多，你说的电镀是否是水电镀？ 水电镀的膜厚比真空溅镀的厚，水电镀膜厚一般为15~20UM,真空电镀 的膜厚一般为0.5~2UM.水电镀的化学液不同会有不同的色彩。 真空电镀的靶材不同镀膜颜色不同，真空电镀的功率，真空等级不同会有颜色的变化。溅镀 溅镀是利用氩离子轰击靶材，击出靶材原子变成气相并析镀于基材上。溅镀具有广泛应用的特性，几乎任何材料均可析镀上。 1) 溅镀的优点与限制 i) 优点 a) 无污染 b) 多用途 c) 附着性好 ii) 限制 a) 靶材的制造受限制 b) 靶材的受损，如陶瓷靶材，限制了使用能量的范围 c) 析镀速率低 2) 溅镀系统 i) 分类 a) 平面两极式：靶材为负极，基材为正极 b) 三极式：由阳极，阴极，外加电子源等三种电极所组成的系统。外加电子源产生电场加速正极离子化的气体分子。三极式系统不能使用于反应性溅镀，因为电子会影响反应气体与污染灯丝。 c) 磁控溅镀：利用磁场作用提高溅镀速率 d) 反应溅镀：将反应性气体导入真空腔中，并与金属原子产生化合物以镀着。 ii) 电流的分类 a) 直流电溅镀－应用于导电基材与镀层 b) 交流（或射频）电溅镀－应用于导电或非导电基材与镀层 3) 溅镀系统组合 i) 靶材 在溅镀时，经电浆中的正离子轰击，而析镀于基材的镀层材料；靶材通常是阴极。 ii) 溅镀的通量 溅镀时的通量即为溅镀原子的流量。流量原子的组成与经冷却，且未产生内扩散的靶材相同。同一靶材的所有材料之溅镀速率大致相同。(然而，蒸镀的蒸镀速率并不同)。 iii) 接地屏蔽 将离子局限于仅轰击与溅镀靶材；避免靶材夹治具被溅击。屏蔽与靶材之间的距离必须小于暗带（dark space）的厚度，因此，在高频（13.5MHz）或高压使用时，此距离较近。 iv) 挡板 设置在两个电极之间的活动板。通常溅击清洁靶材(靶材可能会在装载或操作时受到大气的污染)时移置于靶材与基材之间。 v) 靶材的冷却 当外加能量输入系统，会使靶材的温度提高，并损坏靶材与夹治具的结合，因此必须冷却。一般靶材都是用水冷却之。 vi) 基材温度的控制 利用电阻与光源等加热。一般而言，基材的表面温度会因辉光放电，而高于块材。 4) 绝缘体的溅镀 绝缘薄膜可利用射频溅镀或反应溅镀。若采用直流电溅镀，将迅速造成表面电荷堆积而无法溅镀。 i) 射频电溅镀（RF Sputtering） 使用频率为13.56 MHz的射频电源，使靶材与镀层表面能被离子与电子交替的轰击，以避免电荷的堆积。 ii) 射频溅镀的优点 a) 电子轰击离子化的效率增高，且操作压力比较低(<1mtorr) b) 减少电弧（电弧的产生是由于粉尘或加热蒸发的气体） iii) 反应溅镀（Reactive spuutering） 将反应性气体加入氩气中，如Ar + H2S，而与溅镀原子，如镉形成硫化镉。(例如，在氩气加氮气的环境下溅镀钛，会形成氮化钛)。其可为直流电或射频反应溅镀。 5) 磁控溅镀（Magnetron Sputtering） "Magnetron"意指"磁化的电子"（Magnetical Electron） i) 优点与缺点 磁控溅镀虽会增加溅镀速率，相对地，亦会加速靶材的损耗。由于基材与电浆间的距离较大，使基材较远离电浆可在低的工作温度进行溅镀。 ii) 操作方法 由垂直的电场和磁场的结合组成。由于电磁的交互作用，促进电子集中于靶材附近，以提升离子化效应如下图所示。 a) 磁场会使负极表面形成电子的聚集处，离子会因受限的电子源的静电效应而聚集。 b) 电子能有效聚集于靶材的表面，使离子化效率提高并提高溅镀速率。

雷达是一种神奇的电学器具，它由电磁波往返时间，测得阻波物的距离

制备ITO薄膜一般采用物理气相沉积（PVD）的方法，其中磁控溅射（Magnetron Sputtering）是最常用的技术。在磁控溅射过程中，通过在真空环境下对ITO靶材施加高电压，使得氩气离子对靶材进行轰击，从而将ITO分子溅射到基片上，形成薄膜。低溅射电压可能有助于降低基片的加热程度，这对于那些不能承受高温的基片（如某些塑料基片）是有利的。然而，过低的溅射电压可能会导致溅射效率降低，使得薄膜的生长速率降低，也可能影响薄膜的质量和性能。因此，在选择溅射电压时需要进行权衡。在实际操作中，可以尝试以下几种方法来通过低溅射电压制备ITO薄膜：1. **优化工艺气氛**：在溅射过程中引入一定量的氧气，可以帮助形成更好的ITO薄膜。但是，氧气的含量需要进行精确控制，过多或过少都可能影响薄膜的性能。2. **优化基片处理**：在溅射前对基片进行适当的表面处理，如等离子体清洗或在基片上预先沉积一层导电或绝缘的缓冲层，可以改善薄膜的附着力和结晶性。3. **后处理**：在溅射后对薄膜进行适当的热处理或电化学处理，可以改善薄膜的结构和性能。例如，退火处理可以增加薄膜的晶粒尺寸，降低电阻率。这些方法都需要根据具体的设备、材料和需求进行优化。如果条件允许，可以考虑进行一系列的实验，系统研究不同工艺参数对薄膜性能的影响，从而找到最优的工艺条件。

一般家用微波炉的变压器输出的高压约为交流2000-2500伏，经过倍压整流后，输出到磁控管的电压约为直流4000-5000伏。

cn_ccc 真有耐心...

程序▼此过程假定后盖，取出，权力机器是关闭的，你是准备进入调制器机柜。1使用接地杆，短钉装配确保所有剩余电荷为基础的，它是安全的进行。2指预防部分的服务手册和审查有关处理部分SF 6之前释放压力的系统，它必须完成之前删除任何硬件的磁控法兰。3气体压力释放阀位于龙门近四端环行器。4小心地拆下的硬盘组装和保留小塑料耦合之间的驱动电机和磁控管。5拆下前面板上的电磁铁和预留。断开1脉冲电缆断开从顶部的磁控管*注意方向的电线的脉冲电缆。较小的屏蔽线去的一侧的磁控管。*保持硬件和电容器用管。2个排水调压井其一半的水放入干净的容器中，它不会溢出的水时，线路断开和空气引入系统。3小心地断开水管从磁控管和固定到机器的侧面，以免漏到电子或射频传输线。4拆下接地端和保留硬件。5拆下紧固螺钉从圆形基地的磁控放在一个安全的地方。6磁控管完全断开，仔细，用毛巾在手，提升管的房屋不泄露任何水可能仍然是管内。7拆下O形环和检查，法兰捏，电弧，或其他异常。8覆盖开口的射频传输线与东西向的防止物体落入开幕。9用酒精棉球擦拭干净，法兰的新磁控管和射频传输线的法兰和安装新的O形圈。（如果没有新的O形圈，然后清理旧的拭子和重新插入到耦合。）10个记录的搬迁日期，高压和灯丝小时的旧磁控管信息标签。计算总时间和月的使用和记录你的票。磁控对齐块在12月，2002，磁控管对齐块引入全新的磁控机。如果你更换磁控管的机器上没有对齐块（序号5860932）它是建议您添加在此过程中（每指示，在这部分）。

青霉素，DNA，相对论

猪知道

尤里其实比较菜的 只要小心不被对方的 尤里分裂人 尤里X 精神控制车 精神控制塔控制自己的单位就行了 不过貌似幽浮比较麻烦

磁控管由管芯和磁钢组成。管芯的结构包括阳极、阴极、能量输出器和磁路系统等四部分。管子内部保持高真空状态。通俗点来讲其实是管内电子在相互垂直的恒定磁场跟电场的控制下，与高频电磁场发生相互作用，从而把恒定电场中获得能量转变成微波能量。那么磁控管工作原理是什么？磁控管价格贵不贵呢？【磁控管工作原理】在相互作用空间的磁波场中，随着远离阳极表面而指数衰减，阴极表面的微波场变弱，对电子的群聚作用变小，在其附近不会形成明显的电子轮辐，而是形成形成几乎均匀分布的电子轮毂。磁控管在相互作用空间的电子中，大部分是有利电子。其在向阳极运动过程中，有利电子回旋的时间又比较长，能充分的将直流位能转变成微波能量;与之相反在阴极运动的电子数量较少，从微波场吸收的能力也比较少。【磁控管阳极谐振系统作用】阳极谐振系统由沿着圆周排列的一组闭合谐振腔构成。磁控管作为振荡器需有一定的储能，以维持微波振荡，因而要求阳极谐振系统有较高的品质因数。同时，在磁控管中，振荡的能量又需要通过输出装置输出才能使用。因此，阳极谐振系统上的能量耦合元件的设计十分重要。它既要耦合出一定能量保证使用，又要使阳极谐振系统具有较高的品质因数，保持足够高的储能，维持磁控管稳定工作。磁控管工作于模。为保证模工作稳定，邻模与模之间应有良好的模式分割，因此，常常采用带有隔膜带的或旭日异腔型的阳极谐振系统。【磁控管价格贵不贵】磁控管应用之广，其价格也是起伏不定。其决定因素是它的需求也是它的价值。据小编在所得资料上来看，最昂贵的磁控管是CKM-204型脉冲磁控管价位在16000;JRCM1475AX-BandMagnetron雷达磁控管25KW雷达磁控管25KW价格为5500;日本生产的NJRC船用25kw雷达的磁控管，市场上价格为4850。其次是日本生产的日本生产的NJRC船用10kw雷达的磁控管，市场上价格为3150。再是日立微波炉MRO-A5000c磁控管，市场上价格为850。以上三个都是价格比较昂贵，并且是有特殊用途的。磁控管应用最广的是在微波行业。工业微波较昂贵的是三星生产的OM75P(31)市场上价格为230跟松下生产2M261-2，市场上价格也为230。家用微波以松下生产的2M210-M1跟三星生产的2M167B-M11较为昂贵，市场上价格均为215，其次是家兰仕生产的M24FB-610A，市场上价格为214。

热什么都不能时间过长，用微波专用的器皿加热。不能加热密封的东西

两者应用环境很不一样。磁控溅射是真空环境中镀膜，牢固性，致密性和均匀性都是很完美的。磁控溅射还可以镀光学膜。电镀之能镀金属吧。一个是化学过程，一个是物理过程。磁控溅射：磁控溅射（英语：magnetron sputtering）是在溅射的基础上，运用靶板材料自身的电场与磁场的相互电磁交互作用，在靶板附近添加磁场，使得二次电子电离出更多的氩离子，增加溅射效率。磁控溅射分为平衡式与不平衡式。这种技术应用于材料镀膜。其中高功率脉冲磁控溅射（high-power impulse magnetron sputtering (HiPIMS) 或 high-power pulsed magnetron sputtering (HPPMS)）近来使用较为普遍。

雷达概念形成于20世纪初。雷达是英文radar的音译，意为无线电检测和测距，是利用微波波段电磁波探测目标的电子设备。1842年多普勒（Christian Andreas Doppler）率先提出利用多普勒效应的多普勒式雷达。1864年马克斯威尔（James Clerk Maxwell）推导出可计算电磁波特性的公式。 1886年赫兹（Heinerich Hertz）展开研究无线电波的一系列实验。1888年赫兹成功利用仪器产生无线电波。1897年汤普森（JJ Thompson）展开对真空管内阴极射线的研究。 1904年侯斯美尔（Christian Hülsmeyer）发明电动镜（telemobiloscope），是利用无线电波回声探测的装置，可防止海上船舶相撞。1906年德弗瑞斯特（De Forest Lee）发明真空三极管，是世界上第一种可放大信号的主动电子元件。 1916年马可尼（ Marconi）和富兰克林（Franklin）开始研究短波信号反射。 1917年沃森瓦特（Robert Watson-Watt）成功设计雷暴定位装置。1922年马可尼在美国电气及无线电工程师学会（American Institutes of Electrical and Radio Engineers）发表演说，题目是可防止船只相撞的平面角雷达。 1922年美国泰勒和杨建议在两艘军舰上装备高频发射机和接收机以搜索敌舰。1924年英国阿普利顿和巴尼特通过电离层反射无线电波测量赛层（ionosphere）的高度。美国布莱尔和杜夫用脉冲波来测量亥维塞层。1925年贝尔德（John L. Baird）发明机动式电视（现代电视的前身）。1925年伯烈特（Gregory Breit）与杜武（Merle Antony Tuve）合作，第一次成功使用雷达，把从电离层反射回来的无线电短脉冲显示在阴极射线管上。1931年美国海军研究实验室利用拍频原理研制雷达，开始让发射机发射连续波，三年后改用脉冲波。1935年法国古顿研制出用磁控管产生16厘米波长的撜习窖捌鲾，可以在雾天或黑夜发现其他船只。这是雷达和平利用的开始。1936年1月英国W.瓦特在索夫克海岸架起了英国第一个雷达站。英国空军又增设了五个，它们在第二次世界大战中发挥了重要作用。1937年马可尼公司替英国加建20个链向雷达站。1937年美国第一个军舰雷达XAF试验成功。 1937年瓦里安兄弟（Russell and Sigurd Varian）研制成高功率微波振荡器，又称速调管（klystron）。1939年布特（Henry Boot）与兰特尔（John T. Randall）发明电子管，又称共振穴磁控管（resonant-cavity magnetron ）。1941年苏联最早在飞机上装备预警雷达。1943年美国麻省理工学院研制出机载雷达平面位置指示器，可将运动中的飞机柏摄下来，他胶发明了可同时分辨几十个目标的微波预警雷达。1944年马可尼公司成功设计、开发并生产「布袋式」（Bagful）系统，以及「地毡式」（Carpet）雷达干扰系统。前者用来截取德国的无线电通讯，而后者则用来装备英国皇家空军（RAF）的轰炸机队。 1945年二次大战结束后，全凭装有特别设计的真空管──磁控管的雷达，盟军得以打败德国。1947年美国贝尔电话实验室研制出线性调频脉冲雷达。50年代中期美国装备了超距预警雷达系统，可以探寻超音速飞机。不久又研制出脉冲多普勒雷达。 1959年美国通用电器公司研制出弹道导弹预警雷达系统，可发跟踪3000英里外，600英里高的导弹，预警时间为20分钟。 1964年美国装置了第一个空间轨道监视雷达，用于监视人造地球卫星或空间飞行器。1971年加拿大伊朱卡等3人发明全息矩阵雷达。与此同时，数字雷达技术在美国出现

一楼回答很好，连武器都写对了，不是自己打开规则配置文件，就是直接粘贴别人的帖子……

雷达的发明，不能专归于某一位科学家，乃是许多无线电学工程师努力研究，加以调准而成参考资料：知道

最早是英国 广泛应用的应该是美国

DearXX: Microwave oven (microwave"s boiling/microwave), just as its name implies, is to use microwave to cook cook. Microwave oven is one kind of modernization with microwave oven cooking food. Microwave is a kind of electromagnetic waves. Microwave magnetrons, by power, control circuit and cooking chamber components. The power to provide magnetrons roughly 4,000 fu high pressure, magnetrons in power, continuously produce microwave excitation, and then after waveguide system, coupled to cook lumen. In cooking chamber at the entrance of a rotating, near the blender, because the blender is the wind fanlike metal, after it is spinning in all directions to microwave has the reflection, so can the microwave energy evenly distributed in cooking lumen. Microwave power range is generally 500 ~ 1000 watts. Thus heating food. Best wishes. Your .... Date(用英语写日期） 微波炉（microwave oven/microwave），顾名思义，就是用微波来煮饭烧菜的。微波炉是一种用微波加热食品的现代化烹调灶具。微波是一种电磁波。微波炉由电源，磁控管，控制电路和烹调腔等部分组成。电源向磁控管提供大约4000伏高压，磁控管在电源激励下，连续产生微波，再经过波导系统，耦合到烹调腔内。在烹调腔的进口处附近，有一个可旋转的搅拌器，因为搅拌器是风扇状的金属，旋转起来以后对微波具有各个方向的反射，所以能够把微波能量均匀地分布在烹调腔内。微波炉的功率范围一般为500～1000瓦。从而加热食物。

有必要吗？红警2我都玩腻了！你自己多万几次，他们之间的互相克制你自然就会揣摩出来！没必要让别人教，把你那宝贵的分省下来吧！

操作没什么不同。所用国家拥有力场护盾，用了之后范围内建筑、坦克无敌（不清楚会不会杀死步兵），造成暂时停电。盟军：多了个矿石精炼厂（增加采矿效率）、控制中心（可以造遥控坦克），多了个重装大兵（移动速度慢，假期碉堡后可对空）、遥控坦克（可在水上行走，不可被心灵控制，没电就无法移动、攻击，无法升级）、战车要塞（可进5个步兵，拥有步兵特性，比如：进超时空兵可冻结敌方单位之类的。还可以碾压其他坦克和围墙），谭雅只能造一个苏联：增加了工业工厂（降低建造费用、建造时间）战斗碉堡（可进驻5名步兵，可维修，不可被控制）、侦察机（侦查用，免费，可被击落）菁英战斗兵（类似谭雅，对步兵一击必杀，可发射激光瞄准建筑，召唤飞机打击建筑，飞机会被击落，但只要剩下一架飞机，就能秒杀建筑。只能造一个）、重装直升机（无法载人，攻击和盟军直升机差不多，可降落并部署火炮，攻击距离远，威力大），苏军减少了尤里、复制中心和心灵感应器。尤里不说了，自己去看吧：http://baike.baidu.com/view/2081581.htm

太多了……还是去百度百科直接搜介绍吧。懒得打字了

这个恐怕太多了但是如果你这么爱玩,可以问问官方网站.可能也没有你这样的详细介绍但是,如果你玩一玩.有大概知道每个东西的性能了

你要清楚无线跟有线的区别，就是介质不同，一个是发送电磁波，一个是发送电信号，所以是不能蹭有线的。还有，就是你要知道雷达是用于黑天的，根本没有蹭有线网络这一说。这是我的答复，谢谢。

真空镀膜的黏附性比较差，容易脱落x0dx0ax0dx0a电镀的种类很多，你说的电镀是否是水电镀？ x0dx0a水电镀的膜厚比真空溅镀的厚，水电镀膜厚一般为15~20UM,真空电镀 x0dx0a的膜厚一般为0.5~2UM.水电镀的化学液不同会有不同的色彩。 x0dx0a真空电镀的靶材不同镀膜颜色不同，真空电镀的功率，真空等级不同会有颜色的变化。x0dx0ax0dx0a溅镀 x0dx0a溅镀是利用氩离子轰击靶材，击出靶材原子变成气相并析镀于基材上。溅镀具有广泛应用的特性，几乎任何材料均可析镀上。 x0dx0a1) 溅镀的优点与限制 x0dx0ai) 优点 x0dx0aa) 无污染 x0dx0ab) 多用途 x0dx0ac) 附着性好 x0dx0aii) 限制 x0dx0aa) 靶材的制造受限制 x0dx0ab) 靶材的受损，如陶瓷靶材，限制了使用能量的范围 x0dx0ac) 析镀速率低 x0dx0a2) 溅镀系统 x0dx0ai) 分类 x0dx0aa) 平面两极式：靶材为负极，基材为正极 x0dx0ab) 三极式：由阳极，阴极，外加电子源等三种电极所组成的系统。外加电子源产生电场加速正极离子化的气体分子。三极式系统不能使用于反应性溅镀，因为电子会影响反应气体与污染灯丝。 x0dx0ac) 磁控溅镀：利用磁场作用提高溅镀速率 x0dx0ad) 反应溅镀：将反应性气体导入真空腔中，并与金属原子产生化合物以镀着。 x0dx0aii) 电流的分类 x0dx0aa) 直流电溅镀－应用于导电基材与镀层 x0dx0ab) 交流（或射频）电溅镀－应用于导电或非导电基材与镀层 x0dx0a3) 溅镀系统组合 x0dx0ai) 靶材 x0dx0a在溅镀时，经电浆中的正离子轰击，而析镀于基材的镀层材料；靶材通常是阴极。 x0dx0aii) 溅镀的通量 x0dx0a溅镀时的通量即为溅镀原子的流量。流量原子的组成与经冷却，且未产生内扩散的靶材相同。同一靶材的所有材料之溅镀速率大致相同。(然而，蒸镀的蒸镀速率并不同)。 x0dx0aiii) 接地屏蔽 x0dx0a将离子局限于仅轰击与溅镀靶材；避免靶材夹治具被溅击。屏蔽与靶材之间的距离必须小于暗带（dark space）的厚度，因此，在高频（13.5MHz）或高压使用时，此距离较近。 x0dx0aiv) 挡板 x0dx0a设置在两个电极之间的活动板。通常溅击清洁靶材(靶材可能会在装载或操作时受到大气的污染)时移置于靶材与基材之间。 x0dx0av) 靶材的冷却 x0dx0a当外加能量输入系统，会使靶材的温度提高，并损坏靶材与夹治具的结合，因此必须冷却。一般靶材都是用水冷却之。 x0dx0avi) 基材温度的控制 x0dx0a利用电阻与光源等加热。一般而言，基材的表面温度会因辉光放电，而高于块材。 x0dx0a4) 绝缘体的溅镀 x0dx0a绝缘薄膜可利用射频溅镀或反应溅镀。若采用直流电溅镀，将迅速造成表面电荷堆积而无法溅镀。 x0dx0ai) 射频电溅镀（RF Sputtering） x0dx0a使用频率为13.56 MHz的射频电源，使靶材与镀层表面能被离子与电子交替的轰击，以避免电荷的堆积。 x0dx0aii) 射频溅镀的优点 x0dx0aa) 电子轰击离子化的效率增高，且操作压力比较低(<1mtorr) x0dx0ab) 减少电弧（电弧的产生是由于粉尘或加热蒸发的气体） x0dx0aiii) 反应溅镀（Reactive spuutering） x0dx0a将反应性气体加入氩气中，如Ar + H2S，而与溅镀原子，如镉形成硫化镉。(例如，在氩气加氮气的环境下溅镀钛，会形成氮化钛)。其可为直流电或射频反应溅镀。 x0dx0a5) 磁控溅镀（Magnetron Sputtering） x0dx0a"Magnetron"意指"磁化的电子"（Magnetical Electron） x0dx0ai) 优点与缺点 x0dx0a磁控溅镀虽会增加溅镀速率，相对地，亦会加速靶材的损耗。由于基材与电浆间的距离较大，使基材较远离电浆可在低的工作温度进行溅镀。 x0dx0aii) 操作方法 x0dx0a由垂直的电场和磁场的结合组成。由于电磁的交互作用，促进电子集中于靶材附近，以提升离子化效应如下图所示。 x0dx0aa) 磁场会使负极表面形成电子的聚集处，离子会因受限的电子源的静电效应而聚集。 x0dx0ab) 电子能有效聚集于靶材的表面，使离子化效率提高并提高溅镀速率。

飞机

以大头针钉住头的边强迫调整者。 这压力将在 3 点被设定除之外。 假使长靴的持续或非常厚的上面,它能被依照操作员的选择增加。但是总是在太高的压力可以翻倒头的思想中保存而且结果大头钉不被正确地以大头针钉住。

圆晶（也称为晶圆或晶片）是半导体制造过程中的基本材料。晶圆通常由硅、砷化镓、氮化镓等半导体材料制成。以下是圆晶制造的主要工艺步骤：1. 提炼：首先将原材料进行提炼，以提高纯度。对于硅晶圆，硅矿石经过化学处理提炼成多晶硅，纯度达到99.9999%以上。2. 拉晶：提炼后的半导体材料通过高温熔化，然后利用种子晶体在熔融材料中缓慢上升并旋转，使得熔融材料沿种子晶体结晶。常见的拉晶方法有Czochralski法（CZ法）和浮区法（FZ法）。3. 锯切：将拉晶得到的圆柱状单晶硅锯切成薄片。使用内径锯、线切割等方法，将单晶硅切割成厚度为几百微米的晶片。4. 抛光：为了获得光滑的表面，需要对晶片进行抛光处理。通过机械磨削和化学机械抛光（CMP）等方法，将晶片表面抛光至原子级别的平整度。5. 边缘圆角：晶片边缘可能有锋利的棱角，需要进行圆角处理，以防止处理过程中的损坏和污染。6. 检测与分级：对晶片进行检测，包括厚度、平整度、晶格缺陷等方面。根据检测结果，将晶片分级并标记。7. 清洗：在制造过程中，晶片表面可能被污染。因此，需要对晶片进行清洗，以去除表面的杂质和污渍。完成以上工艺步骤后，得到的圆晶可以用于半导体器件的制造。晶圆上会进行光刻、蚀刻、离子注入、薄膜沉积等一系列工艺步骤，以制造集成电路或其他半导体器件。最后，晶圆被切割成单个芯片，进行封装和测试。

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黄素梅博士，女，1964年4月生华东师范大学 教授 博士生导师1987年在华中理工大学物理系固体物理专业获硕士学位；2000年新加坡国立大学 （National University of Singapore ）电子工程系，微电子学专业，获博士学位。2000年至2002年在新加坡数据存储所（Data Storage Institute of Singapore）作博士后研究工作；2002年至2004年在新加坡数据存储所任高级工程师。上海市重大纳米专项及“浦江”人才计划资助获得者。研究工作主要包括纳米光电子器件，半导体照明技术、LED芯片制造，太阳能电池技术，近场光学和近场光学的纳米级加工、高密度磁盘、光盘技术、超快激光探测以及新功能薄膜材料的制备和研究。在国际学术刊物Applied Physics letters （APL）发表多篇论文。 近年来的研究工作主要包括薄膜太阳能电池u201a铜铟镓硒和染料敏化太阳能电池技术u201a透明电极制备技术u201a 高亮度LED芯片制造u201a纳米粒子自组装排布技术u201a纳米粒子及其?粒串的近场光学作用研究u201a局域表面等离子体子的近场光学作用研究u201a左手材料 (Left-handed materials) 及超颖材料 (Metamaterials) 的纳米光电研究。在著名的国际学术刊物Applied Physics letters 和Journal of Applied Physics发表十几篇论文。共发表了80余篇学术论文，60余篇是国际期刊学术文章，被SCI检索u201a并申请了多项LED芯片、太阳能电池专利。 1. J. B. Chuu201a S. M. Huang*u201a D. W. Zhangu201a Z. Q. Bianu201a X. D. Liu201a Z Sunu201a X. J. Yinu201a “Nanostructured ZnO thin films by chemical bath deposition in basic aqueous ammonia solutions for photovoltaic applications” Applied Physics A 95 (2009)849?855.2. S. M. Huangu201a Z. A. Wangu201a Z Sunu201a Z. B. Wangu201a Boris Luk&acute;yanchuku201a “Theoretical and experimental investigation of the near field under ordered silica spheres on substrate”u201a Applied Physics Au201a in pressu201a 2009. t(KcMBT3. S. M. Huang*u201a Z. Q. Bianu201a J. B. chuu201a Z. A. Wangu201a D. W. Zhangu201a X. D. Liu201a H. B. Zhuu201a Z Sunu201a“One step growth of structured ZnO thin films by chemical bath deposition in aqueous ammonia solution”u201a J. Phys. D: Appl. Phys. 42 (2009) 055412 (6pp).3. H. Zhuu201a E. Bunteu201a J. Hüpkesu201a H. Siekmannu201a S. M. Huangu201a “ Aluminium doped zinc oxide sputtered from rotatable dual magnetrons for thin film silicon solar cells”u201a Thin Solid Films 517 (2009) 3161?3166.4. S. M. Huangu201a Z. Sunu201a Y. F. Luu201a “Nanofabrication by laser irradiation of polystyrene particle layers on silicon”u201a Nanotechnology 18u201a025302（2007）.5. S. M. Huangu201a Y. Yaou201a C. Jinu201a Z Sunu201a Z. J. Dongu201a “Enhancement of the light output of GaN-based Light-emitting diodes using surface-textured Indium-Tin-Oxide transparent ohmic contacts”u201a Display 29u201a pp. 254?259 (2008).6. X. D. Liu201a D. W. Zhangu201a Z Sunu201a Y. W. Chenu201a S. M. Huangu201a“Metal-free indoline dye sensitized TiO2 nanotube solar cells”u201aMicroelectronics Journalu201a doi:10.1016 /j.mejo. 2008.06.045.7. H. Zhuu201a E.Bunteu201a J.Hüpkesu201a H.Siekmannu201a S.M.Huangu201a “Aluminium Doped Zinc Oxide Sputtered from Rotatable Dual Magnetrons for Thin Film Silicon Solar Cells”u201a Proceedings of the 7th ICCG conference (international conference on coatings and on glass and plastics proceedings)u201a Eindhoven/Veldhovenu201a 2008u201a S.343-347.8. J. B. Chuu201a H. B. Zhuu201a X. B. Xuu201a Z. Q. Bianu201a Z Sunu201a Y. W. Chenu201a S. M. Huang u201a “Preparation of indium tin oxide thin films without external heating for application in solar cellsu201a Journal of Non-Crystalline Solidsu201a in pressu201a 2008.9. J. B. Chuu201a H. B. Zhuu201a X. B. Xuu201a Z Sunu201a Y. W. Chenu201a S. M. Huangu201a “RF magnetron sputtered indium tin oxide thin films for application in solar cells”. The 2nd IEEE International Nanoelectronics Conference (INEC 2008)u201a 99.1266-1269.10. S. M. Huangu201a Z. Sunu201a B. S. Luk`yanchuku201a M. H. Hongu201a L. P. Shiu201a “Nanobump arrays fabricated by laser irradiation of polystyrene particle layers on silicon”u201a Applied Physics Lettersu201a 86u201a 161911 (2005).11. S. M. Huangu201a X. D. Liu201a D. W. Zhangu201a J. B. Chuu201a H. B. Zhuu201a Y. W. Chenu201aT. Fengu201a Z. Sunu201a “Nanostructured Thin Films for Photonic Device Applications”u201a Invited presentation for the 27th International Congress on Applications of Lasers & Electro-Optics (ICALEO)u201a 2008. 褚家宝：薄膜太阳能电池方向博士毕业u201a毕业后去薄膜太阳能电池制备公司；许修兵：硕士毕业后去GE公司；姚娘娟： 硕士毕业后去上海太阳能研究所；朱红兵：在读博士生u201a 在德国著名太阳能研究所Forschungszentrum Juelich GmbH做薄膜硅太阳能电池研究项目；李晓冬：在读博士生u201a 在Singapore Polytechnic做大面积染料敏化开发项目。

装到生物发电厂里

1. 平面磁控溅射（Planar Magnetron Sputtering）：这是最常见的磁控溅射类型，利用平面靶材和固定的磁场配置。平面磁控溅射广泛应用于各种薄膜材料的制备。2. 径向磁控溅射（Cylindrical Magnetron Sputtering）：在径向磁控溅射中，靶材通常呈圆柱形，磁场配置为环形。这种类型的溅射设备具有较高的靶材利用率和沉积速率，适用于大面积涂覆和连续生产。3. 双磁控溅射（Dual Magnetron Sputtering）：双磁控溅射使用两个磁控溅射源，它们以相反的极性连接，共同作用于靶材。这种配置可以提高靶材利用率、薄膜沉积速率和薄膜质量。4. 高功率脉冲磁控溅射（High Power Impulse Magnetron Sputtering, HiPIMS）：HiPIMS是一种高能量密度的磁控溅射技术，通过在短时间内提供高功率脉冲来产生高度离子化的等离子体。HiPIMS可以提高薄膜密度、降低缺陷和改善薄膜的结晶质量。5. 反应磁控溅射（Reactive Magnetron Sputtering）：反应磁控溅射是在溅射过程中引入反应性气体（如氧气或氮气），使其与溅射出的原子发生化学反应，形成化合物薄膜。这种方法常用于制备氧化物、氮化物等复杂薄膜材料。6. 射频磁控溅射（Radio Frequency Magnetron Sputtering, RFMS）：射频磁控溅射使用射频（RF）电源作为加速电场，适用于绝缘材料（如氧化物和氮化物）的溅射。射频电源可以避免目标表面的电荷积累，使绝缘材料的溅射过程更加稳定。

[1] Preparation and characterization of RF magnetron sputtered Calcium pyrophosphate coatings ， Yan Yonggang , J. G.C. Wolke 1 , Li Yubao, J.A. Jansen ， JBMR ， Vol .76A . 4: 744-752, 2006[2]Subcutaneous evaluation of RF magnetron sputtered calcium pyrophosphate and hydroxylapatite coated Ti implants. Yonggang Yan , J. G.C. Wolke, A. De Ruijter , Li Yubao, J.A. Jansen 1 . JBMR ， Vol .77A . 4: 815-822[3] Growth behaviour of Rat Bone Marrow (RBM) cells on RF magnetron sputtered hydroxyapatite and dicalcium pyrophosphate coatings, Yonggang Yan , J. G.C. Wolke, A. De Ruijter , Li Yubao, J.A. Jansen. JBMR, Vol .78A . 1:42-49[4]In vitro evaluation of different heattreated radio frequency magnetron sputtered calcium phosphate coatings, Yan Yonggang, Joop G. C. Wolke, Li Yubao, John A. Jansen, Clin. Oral Impl. Res. 18, 2007; 345–353[5] The influence of discharge power and heat treatment on calcium phosphate coatings prepared by RF magnetron sputtering deposition, Yan Yonggang, J. G.C. Wolke, Li Yubao and J. Jansen, Journal of Materials Science: Materials in Medicine , 2007 Volume 18, Number 6 , 1061-1069

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