一文读懂sensor的data sheet

指的是芯片的物理排列布局。它描述了芯片上不同的器件、引脚和连线之间的物理距离、方向、位置等参数。缺少这些关键信息，电路板的设计人员就无法将芯片正确的布局在电路板上并与其他元件正确连接起来。芯片的物理布局因芯片类型和功能不同而有所不同，因此datasheet中提供了详细的物理布局图以及物理特性参数表等信息，以帮助客户正确应用芯片。

是。电磁学上把单位时间里通过导体任一横截面的电量叫做电流强度，简称电流。通过查询datasheet信息显示datasheet里的电流电压都是有效值。电压也被称作电势差或电位差，是衡量单位电荷在静电场中由于电势不同所产生的能量差的物理量。

做电子设计，难免要读datasheet，而优质的中文版可遇不可求，还是要下功夫读懂datasheet。但是强调下，这是一篇如何读懂datasheet的文章，而不是怎么选择器件的文章，选型后续再写。 以下先从一个用过的芯片LTC3429开始，了解datasheet的整体撰写框架，核心内容所在。 常用datasheet网站： 个人理解，第一页是广告页，版面有限，把最关键的信息都呈现出来，同时毕竟是技术文件，不会有什么花俏的语句，都是一些核心性能的呈现。以下两个图的顺序是特意调换的，第一眼可能先看“典型应用”的电路。 最常用应用场景的电路图，可以从图中看出很多关键的性能了，比如： 已经把很多核心的feature呈现出来了。 看完第一页基本知道怎么用这个芯片了，最粗暴的，就按照typical application直接画图，但是为了避免踩坑，还是详细看看后续的内容吧。 有以下要点吧： 其实pin function要好好看看，各个引脚的注意点。 以这个芯片为例，焊接了电路，SHDN拉低后，Vout死活都是2.4V左右，被逼疯了一个星期，最后 民间药方 搭救。

作为一名硬件工程师，在Datasheet的阅读上，一般会重点关注其中引脚功能表、电气特性、封装尺寸等这几个章节内容。 本篇文章以RFX2401C芯片手册为例，讲解一下如何有效地阅读Datasheet。 Datasheet一般都会在第一页（最醒目的位置）给出芯片/器件的简介（Description）和Feature，包括芯片/器件的供电电压、电流、功耗、资源、封装信息等等基本内容，通过这些内容，我们就可以快速地明确芯片的功能用途和应用领域（Applications），确定芯片是否能满足项目需求。以此来进行快速的筛选，完成选型工作。 前期设计：Datasheet包含的很多图表（反映器件的非线性参数、性能）。 详细阅读layout设计指南，在PCB布局布线上降低风险，提高一次成功的概率。

可以找代理商要。CIS是新一代互联网应用平台。cis找不到datasheet可以找代理商要，联系原厂要。datasheet就是这个芯片的数据手册也可以叫做应用指南，能够知道这个芯片的所有应用数据。

数据表有两种含义，一是指资料库最重要的组成部分之一，二是指电子元件，电子晶片等的数据手册（datasheet）。 数据表一般为产品或资料提供一个详细具体的数据资料，方便人们使用和工作时能够清楚方便的获得相应的数据信息。 基本介绍 中文名 ：数据表 外文名 ：The data table 分类原则1 ：每表应只包含关于一个主题的信息 分类原则2 ：表中不应包含重复信息 概念1,概念2,建表原则,信息分类原则, 概念1 没有数据表，关键字、主键、索引等也就无从谈起。在资料库画板中可以显示资料库中的所有数据表（即使不是用PowerBuilder创建的表），创建数据表，修改表的定义等数据表是资料库中一个非常重要的对象，是其他对象的基础。 数据表(或称表)是资料库最重要的组成部分之一。资料库只是一个框架，数据表才是其实质内容。如“教学管理系统”中，教学管理”资料库包 含分别围绕特定主题的6个数据表：“教师”表“课 程”表、“成绩”表、“学生”表、“班级”表和 “授课”表，用来管理教学过程中学生、教师、课程等信息。这些各自独立的数据表通过建立关系被联接起来，成为可以交叉查阅、一目了然的资料库。 概念2 datasheet（数据手册），电子元件，电子晶片的数据手册，一般由厂家编写，格式一般为PDF，内容为电子元件，电子晶片的各项参数，电性参数，物理参数，甚至制造材料，使用建议等，内容形式一般为说明文字，各种特性曲线，图表，数据表等。数据手册的PDF档案一般是免费发放的。 建表原则 为减少数据输入错误，并能使资料库高效工作，表设计应按照一定原则对信息进行分类，同时为确保表结构设计的合理性，通常还要对表进行规范化设 计，以消除表中存在的冗余，保证一个表只围绕一个主题，并使表容易维护。 信息分类原则 1.每个表应该只包含关于一个主题的信息 当每个表只包含关于一个主题的信息时，就可以独立于其他主题来维护该主题的信息。例如，应将教师基本信息保存在“教师”表中。如果将这些基本信息保存在“授课”表中，则在删除某教师的授课信息，就会将其基本信息一同删除。 2.表中不应包含重复信息 表间也不应有重复信息 每条信息只保存在一个表中，需要时只在一处进行更新，效率更高。例如，每个学生的姓名、性别等信息，只在“学生”表中保存，而“成绩”中不再保存这些信息。

datasheet_有道词典datasheetn. 数据表更多释义>>[网络短语]datasheet 数据表,数据手册,资料Datasheet Brief 数据表摘要FoxPro datasheet Foxpro数据表

datasheet就是所谓的规格书，会有该器件一些关键参数，封装，layout要求，生产要求等等。。

datasheet一般指电子行业中元件或芯片的数据手册，内容为元器件的各项参数，电性参数，物理参数，甚至制造材料，使用建议等，内容形式一般为说明文字，各种特性曲线，图表，数据表等。没听说过datasheet一词用于PLC，PLC一般是由多种芯片、电子电器元件构成的复杂系统，其操作手册也比一般电子器件的复杂很多。像三菱的PLC用户手册，会包含硬件、软件及编程基础、编程指令等很多个部分构成。三菱Q系列的PLC光指令手册就有1000多页。

注明日期的表单?有具体句子吗?单独单词不好回答耶

建议看一下手册

你得知道型号啊，哪怕前几个字也行，一般是输型号查，上easydatasheet可以查

元器件的datasheet怎么查？相信这是一个困扰着广大电子工程师和半导体业内人士的问题。针对电子元器件的datasheet如何查询，ICspec在这里给大家总结了3个电子元器件的datasheet查询方法。1.上专门的datasheet查询网站。最好去比较全面的平台，按照电子元器件型号一键搜索，就能找得到，很方便。比如，小程序和APP也可以。2.百度搜索。按照芯片型号一个个百度搜索，可能能找到你想要的芯片（datasheet）资料，但不一定都能找到，而且找得也有点麻烦；这里要注意可能还会出现型号相同而用错datasheet资料的情况。3.一个个芯片代理商官网去查。确定了自己所要查找的芯片型号之后，一个个芯片代理商官网去搜索查询。缺点是挨个挨个查很繁琐很花费时间。以上，仅为ICspec整理的芯片查询方法，希望对大家有用。

data sheet 就是芯片的数据手册。 做网络，至少要知道自己是做硬件还是软件吧。 一声叹息 说得没错，做硬件要看data sheet,还有就是怎么走线，还有，如何写硬件的测试程序。 软件当然也要看透data sheet，在就是使用操作系统，如何编写驱动程序！

这类芯片只需要了解其功能，注意是否会有逻辑反向特征。看DATASHEET时，基本上只了解一下第一页的内容就行。主要目的就是编程时保证能正确输出2、常见逻辑芯片：像译码器、选择器、分配器、锁存器等，这类芯片常常是标准芯片，比如74HC138译码器等，其管脚一般分三类：输入口、输出口及控制脚，看其真值表就可以了。3、带可编程接口的芯片：（开始复杂了）比如带诸如I2C、SPI等接口的芯片，像EEPROM存储芯片AT24C16、FLASH存储芯片NAND256、时钟芯片PCF8563、AD转换芯片0809等。此类芯片可能需要了解：1）第一页的功能特性，2）接口特征、内部资源、功能实现需要什么样的命令序列等，3）接口时序图：比如发送某个命令时，需要操作芯片的某些个管脚，DATASHEET一般会将相关管脚在此过程中的时序关系绘制成图供用户参考，尽管纯硬件也能实现，但这部分更多时候是提供给软件工程师看的。4）关于时序图的时间极限参数【重要】：图中经常会看到比如twr、trd等极限时间参数，这类参数的具体值往往会以表格的形式出现在DATASHEET中，你应该尤其注意此类时间参数。

上专门网站吧，查datasheet那种，我经常上“搜ic数据手册”，能下载很多中文datasheet资料。自己百度就看到了

直接按照规格书的尺寸来画就行了，datasheet8.com规格书网站

其实查看芯片资料没想的那么复杂，有的datasheet上50页以上，哪可能都看，只看自己需要的部分就行了，其他都可以忽略过的。datasheet8.com

1、打开桌面的J-Flash。2、点击标题栏上方的“Options”。3、点击“Projectsettings”。4、点击“MCU”。5、在“Device”的选项中，选中东芝datasheet芯片型号。6、返回，点击“Target”。7、点击“Connect”。8、成功连接之后，在log显示框中可以看到“Connectedsuccessfully”，然后惦依次单击点击“Target”、“ManualProgrammig”、“EraseChip”即可完成。

没有额定稳压电流这一说。最大稳压电流是可以计算的，稳压管有额定功率之说，比如0.5W，假定是1N4728，稳压3.3V，则最大稳压电流就是，P/Uz=0.5/3.3=151.5mA最小不是看的，而是测出来的，管子与管子不太一样。要使用的话，要确保反向电流在1mA以上(最好是5-10个mA)。稳压二极管的伏安特性曲线的正向特性和普通二极管差不多，反向特性是在反向电压低于反向击穿电压时，反向电阻很大，反向漏电流极小。稳压二极管的稳压值是是二极管工作在反向击穿区时，电流变化范围很大，而电压变化很小，此时的电压值。扩展资料:如果稳压管的温度变化，它的稳定电压也会发生微小变化，温度变化1℃所引起管子两端电压的相对变化量即是温度系数（单位：﹪/℃）。一般说来稳压值低于6V属于齐纳击穿，温度系数是负的；高于6V的属雪崩击穿，温度系数是正的。温度升高时，耗尽层减小，耗尽层中，原子的价电子上升到较高的能量，较小的电场强度就可以把价电子从原子中激发出来产生齐纳击穿，因此它的温度系数是负的。稳压值为15V的稳压管其稳压值随温度逐渐增大的，而稳压值为5V的稳压管其稳压值随温度逐渐减小的原因。例如2CW58稳压管的温度系数是+0.07%/°C，即温度每升高1°C，其稳压值将升高0.07%。参考资料来源：百度百科-稳压二极管

U是电压，I是电流，E是电势Min是最小值，Max是最大值，Typ是典型值或者浪涌电流supply current是供电电流supply voltage是供电电压transmission distance是传输距离output voltage low是最低输出电压

你可以看一下输出特性曲线（datasheet里一般都有) ，所谓的IDo也就是当UGS=2UGS(th)时，对应的ID值。我现在查看了IRF540的资料，里面就有一张输出特性曲线，UGSth=3V，找到UGS=6V的曲线，然后对过来，IDo 大概有22个A。

在搜索栏里输入你要查找的东西就可以啦

(1).第2,3,4栏的VCB,VCE,VEB都是指最大值,(2)从第五列栏开始是指条件参数,如:hFE at IC VCE 这一栏分别列出是指:2N3646这一颗当IC=30mA/ VCE=0.4V 时的放大倍数最小(min)是30 , 最大(max)是120; (3)后面有at的各栏依第二点类推;(4). 第七栏FT是指三极管的 特征频率;(5). 第八栏 Cob是指等效电容;(6). 第九,十栏 Ton,Toff 是指三极管的开关时间;(7). 第一栏 TYPE NO. 是指型号;(8). 最后一栏CASE是指封封装形式,决定PCB上要建什么封装.

按下RST键属于硬件复位,第一次加电属于上电复位,这两者是有区别的. 在BOOT代码里把硬件复位按上电复位来处理就可以了. BOOT代码就是汇编初始化的那段代码,各家的不一样,也有用C写的,这个要你自己去看程序才行.我以前用过MOTO的片子,在DATASHEET上讲过硬件复位和上电复位,才知道两者是有区别的,你只需要把上电复位的那段代码COPY过去就行. 看不到你的代码,所以很难和你说清楚.拷段代码给你参考下,是用MOTO的汇编写的. ;***Is this a Power Up Reset? move.b RSR,d0 ; get a copy of RSR move.b #$ff,RSR ; clear RSR so that it will be correct after next reset move.b d0,d1 ; get a copy of d0 andi.b #$c4,d1 ; Is this a Hard, Loss of Clock or Power-up Reset? bne next ; if so, proceed with full initialization 有一个复位的寄存器,不同的位代表不同复位来源,可以根据它做不同的处理.

这个芯片是无锡矽成微电子有限公司的单片机，网上找不到datasheet，这个公司是做电动自行车驱动器的，应该没有自己研发芯片的能力。所以估计是找芯片公司定制的单片机，很有可能是中颖电子帮忙定制的。

C、E 极压降典型值。

IO = 0 指的输出端开路 Vi = L指的是输入端为低电平Ven=H 指的是使能端为高电平典型值指的是多数器件的特性 2.3 V ≤ Ven H ≤ VSS – 0.6 V 指的是输入电压在这个范围内

Channel 通道有多种含义，主要分为前向通道和后向通道。前向通道指的是在单片机系统中，对被控对象进行数据采集或现场参数监视的信息通道。各种数据如位置、位移、速度、加速度、压力、温度通过传感器采集进入某种电路中在被单片机识别存储。后向通道指的是对控制对象输出控制信息的通道称为后向通道。比如对步进、伺服或者直流电动机进行控制，从通道中传输某种信号，甚至有时候需要做一些变换处理如变频等，让电机按照需求正确运行。通常也说的就是某种接口如：模拟接口，数字接口特定接口由多种电路组成，如模拟输入接口包括传感器，信号调节电路（滤波，放大器等），A/D转换器等。具体点：一个单片机集成8路AD,可以说8通道AD，一个DMA有8路通道，就是可以分别设置成为一种传输的接口，连接比如单片机到SD卡。

输出短路电流是指在集成电路正常工作状态下，并且输出端负载阻抗为零时端口所能输出的最大电流值。这个值的大小反映了集成电路的带负载能力。

你得知道型号啊，哪怕前几个字也行，一般是输型号查，上easydatasheet可以查

datasheet4u，目前最好的IC pdf网站

说明书用来说明各种产品的性能。这对于在不同厂商之间选择相同规格的器件很有用。在一些情况下，不同厂商所提供的参数所依据的条件可能有微妙的区别，尤其在一些非重要参数例如切换时间。另外，数据说明书所包含的信息不一定和应用相关联。因此在使用说明书和选择相同规格的器件时需要特别当心以及要对数据的解释有确切的了解。本文以100 V逻辑电平 MOS管为例。数据说明书由以下八个部分组成：*快速参考数据*极限值*热阻*静态特性*动态特性*反向二极管极限值及特性*雪崩极限值*图形数据下面叙述每一部分快速参考数据这些数据作为迅速选择的参考。包括器件的关键参数，这样工程师就能迅速判断它是否为合适的器件。在所包括的五个参数中，最重要的是漏源电压 VDS是和开启状态下的漏源阻抗RDS(ON)。VDS是器件在断开状态下漏极和源极所能承受的最大电压。RDS(ON) 是器件在给定栅源电压以及25 u02da C的结温这两个条件下最大的开启阻抗( RDS(ON)由温度所决定，见其静态特性部分)。这两个参数可以说明器件最关键的性能。漏极电流值(ID) 和总耗散功率都在这部分给出。这些数据必须认真对待因为在实际应用中数据说明书的给定的条件很难达到（见极限值部分）。在大多数应用中，可用的dc电流要比快速参考说明中提供的值要低。限于所用的散热装置，大多数工程师所能接受的典型功率消耗要小于20W(对于单独器件)。结温(TJ)通常给出的是150 u02da C或者175 u02da C。器件内部温度不建议超过这个值。极限值这个表格给出六个参数的绝对最大值。器件可以在此值运行但是不能超出这个值，一旦超出将会对器件发生损坏。漏源电压和漏栅电压有同样的值。给出的数据为可以加在各相应端所使用的最大电压。栅源电压, VGS, 给出在栅极和源极之间允许加的最大电压。一旦超过这个电压值，即使在极短的时间内也会对栅极氧化层产生永久性损害。给出的两个直流漏极电流值ID,一个是在背板温度为25 u02da C 时，另一个是在背板温度为100u02da C时。再且这些电流值不代表在运行过程中能够达到。当背板温度在所引述的值时，这些电流值将会使得结温达到最大值。因此最大电流降额作为背板温度的函数，所引用的两个值曲线是降额曲线上的两个点（见图一）。引述的第三个电流值是脉冲峰值, IDM. 功率MOS 器件总的来说都有很强的峰流通过能力。连接管脚和芯片上的内部接线决定该极限值。IDM 所能应用的脉冲宽度取决于热考虑 (见计算电流的部分)。总消耗功率, Ptot, 以及最大结温在快速参考数据中也已说明。Ptot的值在等式1中以商的形式给出(见安全运行区部分)。所引述的条件是衬底温度保持在25u02da C。例如，BUK553-100A 的 Ptot 值为75 W,消耗这个功率使衬底温度保持在25 u02da C 是极大的挑战。衬底温度越高，能耗散的总耗散功率越低。很显然如果衬底温度等于最大允许的结温时，没有功率可被耗散掉。如图2的降额曲线，此器件的结温为175u02da C。引述的存储温度通常在-40 /-55 u02da C 和+150 /+175 u02da C之间。存储温度和结温是由我们质量部门经过广泛的可靠性测量后所指定的。超过所给出的温度将会使可靠性降低。热阻给出两个非绝缘封装的热阻值。从结点到背板的值(Rthj-mb)表明当耗散一个给定的功率时，结温将会比背板温度所高出多少。以BUK553-100A 为例,它的Rthj-mb 等于2 K/W, 耗散的功率为10 W,结温将会高于背板20 u02da C。另一个数值是从结点到外界的环境，这是一个更大的数值，它说明当器件不安装散热器且在流通空气中运行时结温是如何升高的。以BUK553-100A为例, Rthj-a = 60 K/W, 在流通空气中功率的耗散为1W将会产生使结温高于外界空气环境温度60 u02da C的情况。绝缘封装时，背板(硅芯片安装在上面的金属层)完全压缩在塑料中。因此无法给出结点到背板的热阻值，取代之是结点到散热片的Rthj-hs,它表现出散热片复合的作用。当比较绝缘封装和非绝缘封装型号的热阻时必须特别小心。例：非绝缘BUK553-100A 的 Rthj-mb 为2 K/W。绝缘BUK543-100A的Rthj-hs为5 K/W。它们有同样的晶体但是所封装不同。初比较时，非绝缘的型号似乎可以承受更大功率( 即电流 )。然而BUK553-100A 在结点到散热片的热阻测量中,这还包括背板和散热片之间的额外热阻。一些绝缘措施用在大多数情况中,例如云母垫圈.其背板到散热片的热阻为2 K/W。因此结点到散热片的总热阻为Rthj-hs(非绝缘型) = Rthj-mb + Rthmb-hs =4 K/W.可以看出实际中绝缘和非绝缘型的型号区别并不大。静态特性这个部分的参数描述击穿电压,开启电压,泄漏电流,开启阻抗的特性。漏源击穿电压比漏源电压的极限值要大。它可以用曲线跟踪仪测量,当栅极端和源极端短路时,它是漏极电流为250uA时的电压。栅极开启电压VGS(TO),表示的是使器件达到导通状态时栅极(相对于源极)所需要的电压。对于逻辑电平器件来说,栅极开启电压通常在1.0 和2.0 V间;对于标准器件则是2.1到4V之间。(图.3)的表示漏极电流为 VGS 的函数说明典型的传输特性。(图.4)表示栅极开启电压随着结温而变化。在次开启传导时，（图5）表示在VGS电平低于门槛时漏极电流怎样随着栅源电压变化。断电状态时泄漏电流是漏源和栅源在各自所能承受最大电压情况下所规定的。注意到尽管栅源泄漏电流以十亿分之一安培为单位表示，它们的值遵循兆分之一安培而变化。漏源导通电阻具有重要意义。它是当逻辑电平场效应管栅源电压5 V时的值；标准器件时栅源电压为10 V时的值。在10 V以上增加栅源电压时，标准MOS管的导通电阻没有明显减少。减少栅极电压然而可以增加导通电阻。对于逻辑电平场效应管来说，BUK553-100A，在栅极电压为5 V的情况下给出导通电阻，然而当栅极电压到达10 V时, 导通电阻将明显减少，这是由于其输出特性图.6 和导通电阻特性图.7决定。导通电阻是温度敏感参数，在25 u02da C和150 u02da C间，它的值近似变为两倍。RDS(ON) 栅源导通电阻与温度的对应关系的图在每份数据说明书中都包含，如图8。因为MOSFET正常运行Tj温度高于25 u02da C,当估算MOSFET的耗散功率时，考虑RDS(ON)时会变大是很重要的。动态特性包括跨导,电容以及转换时间。正向跨导 Gfs,是增益参数，它表示在器件饱和状态下，栅极电压的变化引起的漏极电流的变化(MOSFET的饱和特性参考输出特性的平面部分。图.9表示漏极电流函数的Gfs是怎样变化的。电容被大多数制造厂商分成输入电容，输出电容以及反馈电容。所引述的值是在漏源电压为25V情况下的。仅表明了一部分性质因为MOSFET电容值是依赖于电压值的，当电压降低时电容设备升高。图.10表明电容随电压的变化情况。电容数值的作用是有限的。输入电容值只给出一个大概的驱动电路所需的充电说明。可能栅极充电信息更为有用。如图11给出的例子。它表明为达到一个特定的栅源电压栅极所必须充的电量。

port是端口的意思，可以指某个管脚的功能，也可以指几个管脚组成的功能，比如通用输入输出(GPIO)端口，串口(UART port)，基本上表示接口的意思。

这个表并不是器件的极限特性，而是一个测试特性。这个表关于1.75和2.15的解释是这样的：通常一个1.75V的1NH输入电压会被IC当做高电平确认，最不理想的条件下2.15V可以确定被当做高电平来处理，也就是说，INH的输入电压>=2.15v时，肯定可以保证被IC当做高电平。他给你的其实是个容限。电流那个，是指通常典型值是30ua，但实际高过这个值也正常，但不会高过150ua.我觉得你是把极限电气参数那张表和这个弄混了。DATASHEET里给的每一张表都是有准确含义的，设计也通常都是根据它。极个别的情况下会突破，但是那多半会导致一些不良的后果。

电路里三极管大部分用途是作为开关用因为三极管的参数受温度频率影响比较严重 你选择β=100 温度不同也会体现不同的β建议你用运放搭个放大电路 要稳定的多

静电等级在英文DATASHEET中搜ESD湿敏度等级要看元器件的大盘包装上的标识

Data[7:0] 表示数据的0~7位，同理Data[15:8]表示数据的8~15位，以此类推……

没有额定稳压电流这一说。最大稳压电流是可以计算的，稳压管有额定功率之说，比如0.5W，假定是1N4728，稳压3.3V，则最大稳压电流就是，P/Uz=0.5/3.3=151.5mA最小不是看的，而是测出来的，管子与管子不太一样。你要使用的话，只要确保反向电流在1mA以上（最好是5-10个mA），一般问题不大。

ROHS:欧盟关于电子电器产品的环保要求指令，产品做过ROHS检测后，会有相应的检测报告。通常是第三方检测机构出具的。Datasheet：看客户是要什么数据，可以是厂商自己提供，也可以是第三方检测机构提供（像是要通过检测才能得到的数据）；具体要看客户需要哪些数据。Testreport：检测报告，通常是由第三方检测机构按厂商要求做了检测后，出具检测结果书面文件。MSDS：产品安全数据信息卡（也称产品安全说明书），因为只是描述产品物化性质的说明书，可以是厂商自己整理编写，也可以找机构帮整理出具。

这个说法基本正确。按照英文的意思，Data 意为资料，数据，信息。翻译过来也就是 Specification 英文为规格说明，明细规范的意思。所以Date sheet翻译成典型值信息表，Specification sheet 可以翻译成控制范围。

如何利用MATLAB提取datasheet中曲线的数据1、首先设置编程得到的曲线，并赋值给变量h。1h=findobj(gca,"type","line");2、得到变量h的横坐标。1x=get(h,"xdata");3、得到变量h的纵坐标。1y=get(h,"ydata");4、变量h的横纵坐标，就是编程得到曲线对应的数据。

ADS =Accessory Drive System 附属设备驱动系统; Address Display Subsystem 地址显示分系统; Accurately Defined System 准确定义系统; Activity Data Sheet 活动数据工作单, 待处理数据工作单; Automatic Data Set 自动数据装置; Automatic Duplicating System 自动复制系统([美]Itek 公司)

最重要的是频段和功率，这两者决定了功放能否满足系统要求。然后再根据需要看一下电压、增益、效率。这几个是比较主要的，当然，其他参数也是非常重要的，要根据实际情况选择。有什么不明白的可以追问，请采纳，谢谢

楼上的兄弟，不同的曲线应该是代表着Ib值不同，在放大区因β值基本不变，Ic的值主要由Ib的值决定的。你把图放大可以看到每根曲线对应都有一个Ib值的

数字是封装尺寸的。A是长度B是宽带。就是这么解

有哪些可以查询datasheet的网站？这里，ICspec给大家总结了3个电子元器件查询的方法：1.上专门的datasheet查询网站。最好去比较全面的平台，按照电子元器件型号一键搜索，就能找得到，很方便。比如这儿，小程序和APP也可以。2.百度搜索。按照芯片型号一个个百度搜索，可能能找到你想要的芯片（datasheet）资料，但不一定都能找到，而且找得也有点麻烦；这里要注意可能还会出现型号相同而用错datasheet资料的情况。3.一个个芯片代理商官网去查。确定了自己所要查找的芯片型号之后，一个个芯片代理商官网去搜索查询。缺点是挨个挨个查很繁琐很花费时间。以上，仅为ICspec整理的芯片查询方法，希望对大家有用。

分子和分母分别代表公制和英制（有时候是反的），尺寸是指两个点的距离。方便画图的时候做封装用。

① 在配置管脚复用功能时对应的代码。② 字面的意思。如果可控则可以在管脚配置时开启或关闭对应的上下拉，如果不可控，则配置上下拉没有实际效果，管脚的这个复用功能具有硬件固化的上拉或下拉。③ 外部中断的触发方式也是可以设置的，你可以参考其用户手册或者例程。④ 这个表格的最前头有介绍，SMT = Schmitt Trigger，也就是说这个管脚的输入是否具有施密特触发特性。

1inch=1000mil=25.4mm，即0.005x254.=0.127mm约等于0.13mm。datasheet8.com