TTSIM-1A的SHLD什么意思

是屏蔽线的简称用于抗干扰

VBUS :USB电压（5V）DM， DP：USB两根差分信号，也叫D-,D+ 。GND ：电源地，0电平。SHLD：固定USB座子的两个或四个定位孔。如果还有问题，请再问！！！

传感器接线传感器

"shid"不是传感器的一种线，它可能是一种拼写错误或者误解。在传感器中，通常会使用各种不同类型的接口线，以便将传感器连接到其他设备或系统。以下是几种常见的传感器接口线：USB线：用于将传感器连接到计算机或其他USB设备上。电源线：用于向传感器提供电源。串口线：用于将传感器连接到计算机或其他设备的串口接口上。Ethernet线：用于将传感器连接到局域网或广域网上。HDMI线：用于将传感器连接到显示器或其他视频设备上。这些接口线的类型和规格可能因传感器类型和应用而异。因此，在选择和使用传感器时，需要仔细查看传感器的规格和说明书，以确保正确地选择和连接适当的接口线。

1, VBUS线是HOST/HUB向USB设备供电的电源线, 即平常USB设备的+5V. 一般是接到ATX电源的 5VSB或者是5VCC.2, USB接口有以下引脚:VBUS :USB电压（5V）DM， DP：USB两根差分信号，也叫D-,D+ 。GND ：电源地，0电平。SHLD：固定USB座子的两个或四个定位孔。3, USB设备供电分为自供电和总线供电两种设备类型，设备通过枚举过程的设备描述符声明自己的电源要求。自供电设备不使用 HSOT/HUB的电源，而是自身有电源供应；总线供电即指设备电源来自VBUS。如果是总线供电设备，USB规范按照设备工作时吸取的电流大小又规定了两种设备：low pwer和high power设备，low power设备任何情况下不得吸取超过100mA的电流，high power设备在正确配置之前不得吸取超过100mA的电流，如果已经配置，任何情况下不得吸取超过500mA的电流。如果设备进入suspend状态，low power设备任何情况下不得吸取超过500uA电流，high power设备在已经正确配置并且远程唤醒功能被主机使能的情况下不得吸取超过2.5mA的电流，否则不得超过500uA（2008年USB-IF对 suspend电流规定进行了变更，原来的500uA电流的规定过于严格，因此所有USB设备suspend电流放宽到2.5mA。）

同意MASONYJLY4TH的。すごい

左边第一个和第二个

- EXC（负激励） - SEN（负反馈） - SIG （负信号） 根据仪表不同，可能还有SHLD（屏蔽地）别处看的，给你贴过来，

传感器的信号线接到接线盒内的输入端子上，对应好EXC+,EXC-,SEN+,SEN-,SIG+,SIG-,SHLD，每个传感器对应一组输入，最后输出端用传感器信号线接到仪表的传感器接线端上

我这里有 Mettler-Torledo 公司称重传感器的接线引脚说明，供你参考：希望对你有帮助！

可以将这几个指令分为移位指令和循环移位指令，其中位移指令为:SHL、SAL、SHR、SAR，循环位移指令为：ROL、RCL、RCR、RCL，他们的具体用法如下：一、位移指令具体含义：SHL: 逻辑左移；SAL: 算术左移；SHR: 逻辑右移；SAR: 算术右移具体用法：SHR:每位右移, 低位进 CF, 高位补 0；SAR：每位右移, 低位进 CF, 高位不变，它们的结果影响 OF、SF、ZF、PF、二、循环移位指令具体含义：ROL:循环左移；ROR:循环右移；RCL: 带进位循环左移；RCR: 带进位循环右移。具体用法：ROL: 循环左移, 高位到低位并送 CF;ROR: 循环右移, 低位到高位并送 CF；RCL: 循环左移, 进位值到低位, 高位进 CF；RCR: 循环右移, 进位值到高位, 低位进 CF。扩展资料：双精度移位指令：386及其后继机型可使用本组指令，SHLD双精度左移和SHRD双精度右移，格式：SHLD,DST,REG,CNT。这组指令可以取两个字作移位操作而得到一个字的结果，也可以取两个双字作移位操作而得到一个双字的结果。在移位中，作为源操作数的寄存器提供移位值，以补目的操作数因移位引起的空缺，而指令执行完成后，只取目的操作数作为移位的结果，源操作数寄存器则保持指令执行前的值不变。

逻辑右移SHR　SHR指令影响标志位CF和OF。如果移位次数为1，且移位后符号位的值发生变化，则OF=1，否则OF=0.如果移位次数不为1，则OF不确定。【格式】：SHR OPR.CNT。其中OPR用除立即数外的任何寻址方式。移位次数由CNT决定，在8086中可以是1或CL，CNT为1时只移一位。如:MOV AX,62HSHR AX,1当移位数大于1时，需要先将移位数放进CL中然后再进行移位操作。可以使用8位立即数指定范围从1到31的移位次数。如MOV AL,62HMOV CL,4SHR AL,CL所执行简易理解如下：01100010B 因为是右移操作，也称为右移补0操作，将二进制位逐次在右边去掉一位然后在左边添个0，移多少位重复上述操作多少次。4次移位后结果为00000110B,即06H.【应用】 逻辑右移一位的操作，相当于将寄存器或存储器的无符号数除以2，因此同样可以用SHR指令完成除以某些常数的运算。而且移位指令通常比除法指令时运行速度要快得多。 除SHR外，移位指令还包括以下命令：SHL(shift logical left) 逻辑左移SAL(shift arithmetic left) 算术左移SAR(shift arithmetic right) 算术右移ROL(rotat left) 循环左移ROR(rotat right) 循环右移RCL(rotate left through carry) 带进位循环左移RCR(rotate right through carry) 带进位循环右移SHLD(shift left double) 双精度左移SHRD(shift right double) 双精度右移

《根据故障现象分折：问题出在电源电路，检查如下》一、检查开关电源电路故障：①→首先测量一下，整流滤波后的300V电压是否正 常。②→测量功率因数校正电路输出端的390V~400Ⅴ电压 是否正常。③→测量副开关电源电路输出端的十5VSB电压是否正 常。④→测量开/待机控制电压，是否有正常的开/待机控制 电压，以及，待机控制三极管等电路元件是否正 常。⑤→通过以上检查，使电源电路恢复正常后，上电式机 即可。

shl就是左移x shl a即x:=x*power(2,a)但快N多

没见过这个进程，如果不是你安装的其他程序，那就是木马，一般常见软件没有这个进程的。

<p><a href="http://wenwen.soso.com/z/urlalertpage.e?sp=shttp%3a%2f%2fhi.92wy.com%2fvgm_list.php%3fstitle%3d%25e9%2593%25b6%25e6%25b2%25b3%25e4%25b9%258b%25e6%2598%259f%26submit1%3d%25e7%2582%25b9%25e5%2587%25bb%25e6%2590%259c%25e7%25b4%25a2" target="_blank">http://hi.92wy.com/vgm_list.php?stitle=%e9%93%b6%e6%b2%b3%e4%b9%8b%e6%98%9f&submit1=%e7%82%b9%e5%87%bb%e6%90%9c%e7%b4%a2</a></p> <p>这些都是</p>

黑色BK棕色BN红色RD橙色OG黄色YE绿色GN蓝色（包括淡蓝）BU紫色（紫红）VT灰色（蓝灰）GY白色WH粉红色PK金黄色GD青绿色TQ银白色SR绿/黄双色GNYE

1.感器正常接线是:红EXC+(激励正)，黑EXC-(激励负)，绿SIG+(信号正)，白SIG-(信号负)，黄SHD(屏蔽线)。 EXC(激励传感器)。SIG(信号输出线)，这是千变一律的原理。 这是五线或四线的，传因为每个厂家的传感器线的颜色都有点差距，所以不能按照全部是这样的说法。

找到ultraedit的wordfile文件，默认在C:Program FilesUltraEdit文件夹下，打开在文件结尾加上一下的这段话，保存退出就可以了，呵呵，很方便/L14"ARM Assembler" Line Comment = Line Comment Alt = Block Comment On = REM String Chars = " Escape Char = " File Extensions = s arm/Delimiters = !"#$%&"()*+,-./:;<=>?@[]^_`{|}~/Function String = "%[^t ]++.^([A-Za-z0-9_]+^)[^t ]++$"/C1"Branch"** B b BL bl BX bx BLX blx/C2"Data-Processing"** AND and EOR eor SUB sub RSB rsb ADD add ADC adc SBC sbc RSC rsc TST tst TEQ teq CMP cmp CMN cmn ORR orr MOV mov BIC bic MVN mvn LSL lsl LSR lsr ASL asl ASR asr ROR ror RRX rrx NEG neg/C3"Multiply"** MUL mul MLA mla SMULL smull UMULL umull SMLAL smlal UMLAL umlal/C4"Load and Store"** LDR ldr STR str LDM ldm STM stm SWP swp PUSH push POP pop/C5"Exception"** SWI swi BKPT bkpt/C6"Miscellaneous"** CLZ clz MRS mrs MSR msr CDP cdp MRC mrc MCR mcr LDC ldc STC stc/C7"Directives"** OPT EXT EQU DC ALIGN ADR RN FN DIV SQR SWAP VDU NOP BRK SMUL UMUL SMLA UMLA LDF STF ASSERT FILL FILE COND HEAD ORG CN CP DN EXPORT GLOBAL EXTERN FN GBL IMPORT KEEP LCL RLIST RN SET SN ALIGN DATA DC FIELD LTORG MAP SPACE ELSE ENDIF GET INCLUDE IF INCBIN MACRO MEND MEXIT WEND WHILE ENDFUNC ENDP FRAME ADDRESS POP PUSH REGISTER RESTORE SAVE STATE REMEMBER RESTORE FUNCTION PROC AREA ASSERT CODE16 CODE32 CODE READONLY END ENTRY INFO NOFP OPT REQUIRE ROUT SUBT TTL VFPASSERT SCALAR VECTOR ADR FLD LDF NOP/C8"Registers"A1 A2 A3 A4F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 FPIPLRPCR0 R1 R10 R11 R12 R13 R14 R15 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9SL SPV1 V2 V3 V4 V5 V6a1 a2 a3 a4f0 f1 f2 f3 f4 f5 f6 f7 fpiplrpcr0 r1 r10 r11 r12 r13 r14 r15 r2 r3 r4 r5 r6 r7 r8 r9sl spv1 v2 v3 v4 v5 v6/L15"ASM" Nocase Line Comment = ; File Extensions = ASM INC DEF/Delimiters = ~!%&^*()-+=|/{}[]:;""<> , /Function String = "^(%[a-zA-Z_@?$]+[ ^t]^)+proc+[ ^t^p]"/C1"Opcodes"aaa aad aam aas adc add and arplbound bsf bsr bswap bt btc btrcall cbw cwd cdq clc cld cli clts cmc cmova cmovae cmovb cmovbe cmovc cmovecmovg cmovge cmovl cmovle cmovna cmovnae cmovnb cmovnbe cmovnc cmovne cmovngcmovnge cmovnl cmovnle cmovno cmovnp cmovns cmovnz cmovo cmovpo cmovs comvzcmp cmpsb cmpsd cmpxchg cmpxchg8b cpuiddaa das dec div dbld dbstpemms enterf2xm1 fabs fadd faddp fiadd fchs fclex fnclex fcmovb fcmove fcmovbe fcmovufcmovnb fcmovne fcmovnbe fcmovnu fcom fcomp fcompp fcomi fcomip fcos fdecstpfdiv fdivp fidiv fdivr fdivrp fidivr ffree ficom ficomp fild fincstp finit fninitfist fistp fld fld1 fldl2t fld2e fldpi fldlg2 fldln2 fldz fldcq fldenvfmul fmulp fimul fnop fpatan fprem fprem1 fptan frndint frstor fsave fnsavefscale fsin fsincos fsqrt fst fstp fstcw fnstcw fstenv fnstenv fstsw fnstsw fsubfsubp fisub fsubr fsubrp fisubr ftst fucom fucomp fucompp fxam fxch fxtractfyl2x fyl2xp1hltidiv imul in inc ins int into invd invlpg iretdja jae jbe jc jecxz je jg jge jl jle jne jno jns jojpe jpo js ja jae jb jbe je jg jge jl jle jne jno jns jojpe jpo js jmplahf lar lds lea leave les lfs lgs lgdt lidt lldt lmswlock lods loop loope loopz loopne loopnz lsl lss ltrmov movd movq movs movsx mulneg nop notor out outspacksswb packssdw packuswb paddb paddw paddd paddsb paddsw paddusb padduswpand pandn pcmpeqb pcmpeqw pcmpeqd pcmpgtb pcmpgtw pcmpgtd pmaddwd pmulhwpmullw pop popad popfd por psllw pslld psllq psraw psrad psrlw psrld psrlqpsubb psubw psubd psubsb psubsw psubusb psubusw punpckhbw punpckhwdpunpckhdq punpcklbw punpcklwd punpckldq push pushad pushfd pxorrcl rcr rol ror rdmsr rdpmc rdtsc rep retsetae setb sete setg setge setl setle setne setno setns seto setpe setposets sgdt sidt shld shld shrd sldt smsw stc std sti str substos cmps scas cmps ret rsm sahf sal sar shl shr sbb setatestud2verr verwwait fwait wbinvd wrmsrxadd xchg xlat xor/C2"Registers"al ah axbp bh bl bxcl cx ecx chdl dx di dhecx edx ebx eax esp ebp esi edisp si st st(0) st(1) st(2) st(3) st(4) st(5) st(6) st(7)mm0 mm1 mm2 mm3 mm4 mm5 mm6 mm7xmm0 xmm1 xmm2 xmm3 xmm4 xmm5 xmm6 xmm7/C3"Reserved words 1".CODE .CONST .CONTINUE .CREF.DATA .DATA?.ERR .ERRB .ERRNB .ERRDEF .ERRNDEF .ERRDIF .ERRIDN .ERRE .ERRNZ .ELSE .ELSEIF.ENDIF .ENDW .UNTIL.IF.LIST .LISTALL .LISTIF .LISTMACRO .LISTMACROALL.MODEL .NOLIST .NOLISTIF .NOLISTMACRO.RADIX .REPEAT.TFCOND.WHILEALIGN ASSUMEBREAKCOMMENT CASEMAPDOTNAME NODOTNAMEECHO END ENDM EQU ENDP EXITM EXTERNDEF EXTERN EMULATOR EPILOGUEEXPR16 EXPR32 ENDS ENDIF ENDWFOR FORCGOTOIF INCLUDE INCLUDELIB INVOKELABEL LOCAL LJMP LANGUAGEMACRONOREADONLY NOSCOPED NOLJMP NOEMULATOR NOKEYWORD NOSIGNEXTENDOPTION OFFSET ORGPROLOGUE PROC PROC PROTO PUBLIC PURGE PUSHCONTEXT POPCONTEXTREADONLY RECORD REPEATSCOPED SEGMENT STRUCTTYPEDEF TEXTEQUUNION USESWHILE/C4"Reserved words 2"ADDRBYTECATSTRINSTRDUP DB DW DD DF DQ DT DWORDFWORDHIGH HIGHWORDLOW LOWWORD LENGTHOF LENGTH LROFFSETMASKNULLOFFSET OPATTRPTRQWORDREAL4 REAL8 REAL10SIZEOF SIZE SHORT SIZESTR SUBSTR SBYTE SWORD SDWORD STDCALLTHIS TYPE TBYTEWIDTH WORD/C5"Operators"!%&*+,-// />=<|

《帝少霸宠：甜心我要你》百度网盘txt最新全集下载:链接：https://pan.baidu.com/s/1DFr3x8gukRHSHJeshlD9Nw?pwd=2tbd 提取码：2tbd简介：啊！你干什么？不要脱我的衣服啦！宝贝儿，这不是你想要的吗？额！人家只是还没有准备好嘛！她认怂了。没关系，我准备好了。某男邪魅的笑了一声，他快速脱掉自己的衣服然后倾身而上。我错了，我真的错了。她是真的害怕了，早知道她就不听好朋友的话来勾引他了，这明显就是来真的嘛！啊！不要！宝贝儿，我爱你。

高耶，也就是景虎大人魂核死，直江决定证明他们的爱永劫不变，一路换生直到世界的最后一个生命“直江一个人来到海边。即使在这个时候，他仍能感觉到景虎的灵魂存在于他的体内。这个灵魂，终归还是会破散吧，然而即使如此，高耶还是会守护着自己的前路吧。直江已决定了要一直保留着“直江信纲”之名，持续换生到灵魂老死，到世界尽头。他决心要以永远，来作为对景虎的爱的证明。 ——我对你的爱，是永劫的爱。”夜叉众的其余三人，晴家放弃了对慎太郎的执念转生去了，胜长大人也死了，长秀决定陪伴直江，起码到他这具千秋修平的身体报废

SHL/SAL一样:逻辑/算术左移,最高位进到CF，最低位补0；SHR：逻辑右移,最低位进到CF，最高位补0；SAR：算术右移,最低位进到CF，最高位不变；ROL：循环左移，最高位进到CF的同时补到最低位；ROR：循环右移，最低位进到CF的同时补到最高位；RCL：带进位循环左移，最高位进到CF的，同时CF值补到最低位；RCR：带进位循环右移，最低位进到CF的，同时CF值补到最高位；SHLD:双精度左移，第二个操作数移位到第一个操作数，第一操作数进到CF，和逻辑左移类似，低位移到高位；SHRD:双精度左移，第二个操作数移位到第一个操作数，第一操作数进到CF，和逻辑由移类似，高位移到低位；这样差不多可以了吧。

英语I don"t know汉语我不知道

1..386extrn _bout:farcode segment para use16 assume cs:codebegin: mov ax,0101010B xor dl,dlagain: bsf cx,ax cmp ax,0 jnz next jmp exitnext: inc dl call far ptr _bout btr ax,cx jmp againexit: mov ah,4cH int 21Hcode ends end begin2. ;代码 cmp dx,bx ja l2 jz next0 jmp l1next0: cmp ax,cx ja l2 jmp l13.(1) btc ax,024 (2) and al, 00101010B cmp al, 00101010B jz l1 (3) pushf pop ax (4) mov es,seg mov di,3000H mov al,0 mov cl,50next: stosb dec cl jnz next (5) ;逻辑左移 shld dx,ax mov cl,4 shl ax,cl (6) ;结果存放在dx:ax bt dx,15 jc s0 jmp exits0: mov cx,0 sub cx,ax mov ax,cx mov cx,0 sbb cx,dx mov dx,cxexit: .........

ststjfztjsuldukdudykdulfidudksjagnxgmxhxhmdmhzgmaykshdudludyksykysyksyxhlsglshljsllhdulfulfulskyshldudlfludykdkhdyludududhmshkshhkshshlshkshlshldd

GND就是地线。VCC是电源。电路板中地是好大一片铜皮的。VBUS :USB电压（5V） DM， DP：USB两根差分信号，也叫D-,D+ 。 GND ：电源地，0电平。 SHLD：固定USB座子的两个或四个定位孔。希望我的回答对你有所帮助，如有疑问，请继续追问。答题不易，如对你有帮忙，请采纳吧，感谢。

1, VBUS线是HOST/HUB向USB设备供电的电源线, 即平常USB设备的+5V. 一般是接到ATX电源的 5VSB或者是5VCC.2, USB接口有以下引脚:VBUS :USB电压（5V）DM， DP：USB两根差分信号，也叫D-,D+ 。GND ：电源地，0电平。SHLD：固定USB座子的两个或四个定位孔。3, USB设备供电分为自供电和总线供电两种设备类型，设备通过枚举过程的设备描述符声明自己的电源要求。自供电设备不使用 HSOT/HUB的电源，而是自身有电源供应；总线供电即指设备电源来自VBUS。如果是总线供电设备，USB规范按照设备工作时吸取的电流大小又规定了两种设备：low pwer和high power设备，low power设备任何情况下不得吸取超过100mA的电流，high power设备在正确配置之前不得吸取超过100mA的电流，如果已经配置，任何情况下不得吸取超过500mA的电流。如果设备进入suspend状态，low power设备任何情况下不得吸取超过500uA电流，high power设备在已经正确配置并且远程唤醒功能被主机使能的情况下不得吸取超过2.5mA的电流，否则不得超过500uA（2008年USB-IF对 suspend电流规定进行了变更，原来的500uA电流的规定过于严格，因此所有USB设备suspend电流放宽到2.5mA。）

1, VBUS线是HOST/HUB向USB设备供电的电源线, 即平常USB设备的+5V. 一般是接到ATX电源的 5VSB或者是5VCC.2, USB接口有以下引脚:VBUS :USB电压（5V）DM， DP：USB两根差分信号，也叫D-,D+ 。GND ：电源地，0电平。SHLD：固定USB座子的两个或四个定位孔。3, USB设备供电分为自供电和总线供电两种设备类型，设备通过枚举过程的设备描述符声明自己的电源要求。自供电设备不使用 HSOT/HUB的电源，而是自身有电源供应；总线供电即指设备电源来自VBUS。如果是总线供电设备，USB规范按照设备工作时吸取的电流大小又规定了两种设备：low pwer和high power设备，low power设备任何情况下不得吸取超过100mA的电流，high power设备在正确配置之前不得吸取超过100mA的电流，如果已经配置，任何情况下不得吸取超过500mA的电流。如果设备进入suspend状态，low power设备任何情况下不得吸取超过500uA电流，high power设备在已经正确配置并且远程唤醒功能被主机使能的情况下不得吸取超过2.5mA的电流，否则不得超过500uA（2008年USB-IF对 suspend电流规定进行了变更，原来的500uA电流的规定过于严格，因此所有USB设备suspend电流放宽到2.5mA。）

1, VBUS线是HOST/HUB向USB设备供电的电源线, 即平常USB设备的+5V. 一般是接到ATX电源的 5VSB或者是5VCC.2, USB接口有以下引脚:VBUS :USB电压（5V）DM， DP：USB两根差分信号，也叫D-,D+ 。GND ：电源地，0电平。SHLD：固定USB座子的两个或四个定位孔。3, USB设备供电分为自供电和总线供电两种设备类型，设备通过枚举过程的设备描述符声明自己的电源要求。自供电设备不使用 HSOT/HUB的电源，而是自身有电源供应；总线供电即指设备电源来自VBUS。如果是总线供电设备，USB规范按照设备工作时吸取的电流大小又规定了两种设备：low pwer和high power设备，low power设备任何情况下不得吸取超过100mA的电流，high power设备在正确配置之前不得吸取超过100mA的电流，如果已经配置，任何情况下不得吸取超过500mA的电流。如果设备进入suspend状态，low power设备任何情况下不得吸取超过500uA电流，high power设备在已经正确配置并且远程唤醒功能被主机使能的情况下不得吸取超过2.5mA的电流，否则不得超过500uA（2008年USB-IF对 suspend电流规定进行了变更，原来的500uA电流的规定过于严格，因此所有USB设备suspend电流放宽到2.5mA。）

1, VBUS线是HOST/HUB向USB设备供电的电源线, 即平常USB设备的+5V. 一般是接到ATX电源的 5VSB或者是5VCC.2, USB接口有以下引脚:VBUS :USB电压（5V）DM， DP：USB两根差分信号，也叫D-,D+ 。GND ：电源地，0电平。SHLD：固定USB座子的两个或四个定位孔。3, USB设备供电分为自供电和总线供电两种设备类型，设备通过枚举过程的设备描述符声明自己的电源要求。自供电设备不使用 HSOT/HUB的电源，而是自身有电源供应；总线供电即指设备电源来自VBUS。如果是总线供电设备，USB规范按照设备工作时吸取的电流大小又规定了两种设备：low pwer和high power设备，low power设备任何情况下不得吸取超过100mA的电流，high power设备在正确配置之前不得吸取超过100mA的电流，如果已经配置，任何情况下不得吸取超过500mA的电流。如果设备进入suspend状态，low power设备任何情况下不得吸取超过500uA电流，high power设备在已经正确配置并且远程唤醒功能被主机使能的情况下不得吸取超过2.5mA的电流，否则不得超过500uA（2008年USB-IF对 suspend电流规定进行了变更，原来的500uA电流的规定过于严格，因此所有USB设备suspend电流放宽到2.5mA。）

1, VBUS线是HOST/HUB向USB设备供电的电源线, 即平常USB设备的+5V. 一般是接到ATX电源的 5VSB或者是5VCC.2, USB接口有以下引脚:VBUS :USB电压（5V）DM， DP：USB两根差分信号，也叫D-,D+ 。GND ：电源地，0电平。SHLD：固定USB座子的两个或四个定位孔。3, USB设备供电分为自供电和总线供电两种设备类型，设备通过枚举过程的设备描述符声明自己的电源要求。自供电设备不使用 HSOT/HUB的电源，而是自身有电源供应；总线供电即指设备电源来自VBUS。如果是总线供电设备，USB规范按照设备工作时吸取的电流大小又规定了两种设备：low pwer和high power设备，low power设备任何情况下不得吸取超过100mA的电流，high power设备在正确配置之前不得吸取超过100mA的电流，如果已经配置，任何情况下不得吸取超过500mA的电流。如果设备进入suspend状态，low power设备任何情况下不得吸取超过500uA电流，high power设备在已经正确配置并且远程唤醒功能被主机使能的情况下不得吸取超过2.5mA的电流，否则不得超过500uA（2008年USB-IF对 suspend电流规定进行了变更，原来的500uA电流的规定过于严格，因此所有USB设备suspend电流放宽到2.5mA。）

尾灯模件能量顶灯LT.LOW 梁RT/LOW 梁GUAGES WRN LPS 串灯W/SHLD 接触刷角/ 香烟缸

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可以将这几个指令分为移位指令和循环移位指令，其中位移指令为:SHL、SAL、SHR、SAR，循环位移指令为：ROL、RCL、RCR、RCL，他们的具体用法如下：一、位移指令具体含义：SHL: 逻辑左移；SAL: 算术左移；SHR: 逻辑右移；SAR: 算术右移具体用法：SHR:每位右移, 低位进 CF, 高位补 0；SAR：每位右移, 低位进 CF, 高位不变，它们的结果影响 OF、SF、ZF、PF、二、循环移位指令具体含义：ROL:循环左移；ROR:循环右移；RCL: 带进位循环左移；RCR: 带进位循环右移。具体用法：ROL: 循环左移, 高位到低位并送 CF;ROR: 循环右移, 低位到高位并送 CF；RCL: 循环左移, 进位值到低位, 高位进 CF；RCR: 循环右移, 进位值到高位, 低位进 CF。扩展资料：双精度移位指令：386及其后继机型可使用本组指令，SHLD双精度左移和SHRD双精度右移，格式：SHLD,DST,REG,CNT。这组指令可以取两个字作移位操作而得到一个字的结果，也可以取两个双字作移位操作而得到一个双字的结果。在移位中，作为源操作数的寄存器提供移位值，以补目的操作数因移位引起的空缺，而指令执行完成后，只取目的操作数作为移位的结果，源操作数寄存器则保持指令执行前的值不变。

是USB电压啊

should /ʃʊd/aux. 应该；就；可能；将要；本当；竟然[网络] 不该；应当希望能帮到你哈

一般格式 移位操作符（如SHR） OPR,CNT.其中OPR用除立即数外的任何寻址方式。移位次数由CNT决定，在8086中可以是1或CL，CNT为1时只移一位；如果需要移位的次数大于1时，需要先将移位次数存入CL寄存器中，而移位指令中的CNT写为CL即可。在其他机型中可使用CL和CNT，且CNT的值除可用1外，还可以用8位立即数指定范围从1到31的移位次数。有关OPR和CNT的规定适用于以下所有指令操作。具体格式如下所述。以逻辑右移为例。如：MOV AX,62HSHR AX,1当移位数大于1时，需要先将移位数放进CL中然后再进行移位操作。如：MOV AL,62HMOV CL,4SHR AL,CL条件标志位CF（进位标志） = 移入的数值1 CNT=1时，最高有效位的值发生变化0 CNT=1时，最高有效位的值不变移位指令：SF（符号标志）、ZF（零标志）、PF （奇偶标志）根据移位结果设置，AF（辅助进位标志）无定义循环移位指令：不影响 SF、ZF、PF、AF条件标志位应用于具体的操作数中使用，以下叙述中未详细写明，初学者可不予理会。 SAL(shift arithmetic left) 算术左移格式：SAL OPR,CNT含义： 算术左移SAL把目的操作数的低位向高位移，空出的低位补0.（指将要移位的操作数换成二进制表示方法，如62H为01100010B.移位时只是寻常理解中的将这些二进制位逐个向左或向右移，移走的数根据操作符决定舍弃或者放入空出的位置，空出的位置根据操作符决定补0或者放入移走的数）。SAR(shift arithmetic right) 算术右移格式：SAR OPR,CNT算术右移SAR把目的操作数的高位向低位移，空出的高位用最高位（符号位）填补。如62H二进制表示法为01100010B，最高位为0，无论右移多少位左边都用0补上。如果最高位是1，则都用1补上。注：算术移位指令常用于带符号数*2或/2，受影响的标志位：CF、OF、PF、SF和ZF（AF无定义）。 逻辑左移SHL（Shift Logical Left）和逻辑右移SHR（Shift Logical Right）格式：SHL(或SHR) OPR,CNT逻辑左移/右移指令只有它们的移位方向不同，移位后空出的位都补0。注：逻辑移位指令常用于无符号数*2或/2，受影响的标志位：CF、OF、PF、SF和ZF（AF无定义）。 循环左移ROL（Rotate Left）和循环右移ROR（Rotate Right）。格式：ROL(或ROR) OPR,CNT循环左移/右移指令只是移位方向不同，它们移出的位不仅要进入CF，而且还要填补空出的位。可以理解为蛇咬尾巴型循环。带进位的循环左移RCL（Rotate Left Through Carry）和带进位的循环右移RCR（Rotate Right）。格式：RCL（或RCR）　OPR, CNT带进位的循环左移/右移指令只有移位的方向不同，它们都用原CF的值填补空出的位，移出的位再进入CF。注：受影响的标志位：CF和OF。以上算术，循环和逻辑移位指令均可以作字或字节的操作，386及其后继机型还可作双字操作。 386及其后继机型可使用本组指令SHLD(shift left double) 双精度左移和SHRD(shift right double) 双精度右移格式：SHLD（或SHRD）　DST,REG,CNT这组指令可以取两个字作移位操作而得到一个字的结果，也可以取两个双字作移位操作而得到一个双字的结果。在移位中，作为源操作数的寄存器提供移位值，以补目的操作数因移位引起的空缺，而指令执行完成后，只取目的操作数作为移位的结果，源操作数寄存器则保持指令执行前的值不变。这是一组三操作数指令，其中DST可以用除立即数以外的任一种寻址方式指定字或双字操作数。源操作数则只能使用寄存器方式指定与目的操作数想同长度的字或双字。第三个操作数CNT用来指定移位次数，它可以是一个8位的立即数，也可以是CL，用其内容存放移位计数值。移位计数值的范围为1到31，对于大于31的数，机器则自动取模32的值来取代。如：SHLD EBX,ECX,16指令执行前：（EBX）=12345678H, (ECX)=13572468H,指令执行后：（EBX）=56781357H,(ECX)=13572468H,CF=0.

1.chest （以下袖孔）持平2.front胸部（ 7 “由热休克蛋白） 3.waist （ 19 “由热休克蛋白） 4.bottom （ relaxe自我织物）持平5.body长度从回热休克蛋白（不充分） 6.shoulder （单位多边） 7.shoulder下降8.sleeve长度shld角（不充分） 9.armhole直阵线（单位多边） 10.sleeve开放前沿11.neck宽度前/煤层以煤层12.C.F.颈部下降（ imag.线缝） 13.C.B.颈部下降（图线C.B.颈部缝） 14.neck肋骨高度15.fuller /此外，袖长1.bottom （在肋骨完）持平2.accross肩3.accross胸部7 “肥肉吗热休克蛋白4.sleeve长度从肩点结束袖套5.sleeve肌肉1 “低于袖孔6.sleeve手腕5 “套筒结束（完肋骨） 7.armhole （直） 8.armhole （曲）

如果你的编码器是15V或24V的请选择RTAC-01，如果是5.5vTTL使用RTAC-03。 手册里59也是屏蔽的接法，主要是讲EMC。编码器的接法要看RTAC的手册才行。 如果是增量编码器使用RTAC编码器模块：RTAC-01X1 标记 说明1 0 V 编码器电源， 15 或 24 V DC ( 依据端子4、5 和6 的跳线设置)。 ( 对于单端接地的编码器接线，仍使用0 V，以便平衡A+, B+ 和/ 或 Z+导线。见图 3-3 至3-6。)2 0 V3 V OUT4 +15V 编码器电源电压选择： 端子 4 和 5 相连： 15 V ( 缺省状态) 端子 5 和 6 相连： 24 V (RTAC 模块提供跳线) 5 V IN6 +24V 内部连接在电路板上。----------------------------------------------------------------------------------------------------X2 标记 说明1 SHLD Shield 用于编码器电缆屏蔽层接地。内部连接到机座上。2 SHLD3 A+ A u2022 最大信号频率： 200 kHz u2022 信号电平： “1” > 7.6 V, “0” < 5 V ( 对应15 V 电源) “1” > 12.2 V, “0” < 8 V ( 对应24 V 电源) u2022 输入通道，与逻辑电路、电源和地隔离。 u2022 当传动单元正转时，通道A 应超前通道B 90° u2022 通道 Z：每转一个脉冲（只用于定位）4 A- A反5 B+ B6 B- B反7 Z+ Z8 Z- Z反

1, VBUS线是HOST/HUB向USB设备供电的电源线, 即平常USB设备的+5V. 一般是接到ATX电源的 5VSB或者是5VCC.2, USB接口有以下引脚:VBUS :USB电压（5V）DM， DP：USB两根差分信号，也叫D-,D+ 。GND ：电源地，0电平。SHLD：固定USB座子的两个或四个定位孔。3, USB设备供电分为自供电和总线供电两种设备类型，设备通过枚举过程的设备描述符声明自己的电源要求。自供电设备不使用 HSOT/HUB的电源，而是自身有电源供应；总线供电即指设备电源来自VBUS。如果是总线供电设备，USB规范按照设备工作时吸取的电流大小又规定了两种设备：low pwer和high power设备，low power设备任何情况下不得吸取超过100mA的电流，high power设备在正确配置之前不得吸取超过100mA的电流，如果已经配置，任何情况下不得吸取超过500mA的电流。如果设备进入suspend状态，low power设备任何情况下不得吸取超过500uA电流，high power设备在已经正确配置并且远程唤醒功能被主机使能的情况下不得吸取超过2.5mA的电流，否则不得超过500uA（2008年USB-IF对 suspend电流规定进行了变更，原来的500uA电流的规定过于严格，因此所有USB设备suspend电流放宽到2.5mA。）

SHL/SAL一样:逻辑/算术左移,最高位进到CF，最低位补0；x0dx0aSHR：逻辑右移,最低位进到CF，最高位补0；x0dx0aSAR：算术右移,最低位进到CF，最高位不变；x0dx0aROL：循环左移，最高位进到CF的同时补到最低位；x0dx0aROR：循环右移，最低位进到CF的同时补到最高位；x0dx0aRCL：带进位循环左移，最高位进到CF的，同时CF值补到最低位；x0dx0aRCR：带进位循环右移，最低位进到CF的，同时CF值补到最高位；x0dx0aSHLD:双精度左移，第二个操作数移位到第一个操作数，第一操作数进到CF，和逻辑左移类似，低位移到高位；x0dx0aSHRD:双精度左移，第二个操作数移位到第一个操作数，第一操作数进到CF，和逻辑由移类似，高位移到低位；x0dx0ax0dx0a这样差不多可以了吧。

Wall(墙)类：注意：所有的墙都至少为4x4像素大小（顺序从左到右。顺便一提，游戏更新的新元素总是出现在分类的左边）气墙：能阻挡液体和固体,但气体可以通过.电锁体：不通电时会困住所有物体到它体内,通电后会释放它们.导体：能导电且不会挡住其他物质. 固墙：能阻挡液体和气体,但固体能通过.压墙：能阻挡一切物质,只能通过空气，传导压力.死墙：阻挡一切.X清除：清除目标区域的墙类对象吸墙：能够吸收一切物质,只能通过空气，传导压力液墙：阻挡固体和气体,但是液体能通过,可导电.风扇：风扇，提供一个气流（压降），使用方法是安置后，按住shift，点击已经放置的风扇，拖动鼠标确定气流方向，按确定完成设置。可多次设置。标识：创建一个文字标识.{p}字段可以显示压强，{t}可以显示温度，气流指示器：指示风向，不和其他任何物体发生作用。探测器：不会挡住任何物体。但是有任何物体通过它时会发光，同时产生一个电流. 注意这个电流不能直接影响电控对象，比如水晶，必须通过导体引出来才能使用。电控墙：不通电时会阻挡所有物体,通电时会解除阻挡,且变色.活墙：阻挡一切,但能导电.Electronics(电)类ARAY射线发射器：直接（必须）和通电的导电物质接触时会在被通电的反方向发出射线，如果多个射线相撞则会生成固体BRAY。可以接受任何材料传来的电流，包括SWCHWIFI无线传输：可以通过任何导电材料接收电流，但是只有NSCN可以接受电流。WIFI接受的电流会立即发送给所有同频段的其他WIFI，WIFI的频段由温度决定，每100度为一个频段，总共有99个频段可以使用，不同的频段颜色也不同。高压下或者使用ACID可以破坏掉。INST超导线：在INST上的电流能瞬间传遍整个导线。已经证实比导电墙还要快。但是只能通过PSCN发送电流，NSCN接受电流，其余物质一概不受影响。PUMP热量泵：当加热或者冷却时，在此材料上的压力和温度将会同步（高温=高压，低温=低压），只能使用special分类里的HEAT和COOL改变温度，不导热不导电。HSWC热开关：激活时可以导热（用PSCN传电脉冲给材料可激活 用NSCN为关闭），否则为绝热材料PCLN可控复制体：激活时，能无限复制接触的材料，即激活时可以当做CLNE用（用PSCN传电脉冲给材料可激活 用NSCN为关闭）INWR绝缘线：不与金属导电.只和自己和半导体导电。SWCH开关：只有在激活模式下(变亮)才导电,一个P型硅(PSCN)将电传给SWCH会使它变为激活模式,一个N型硅(NSCN)将电传给SWCH会使它变为关闭模式(变暗).LCRY液晶：P型硅(PSCN)给它导电时它会变亮,N型硅(NSCN)给它导电时它会恢复. 激活的液晶可以通过光子，反之反射光子。BTRY电池：提供永久的电流. 只传导给METL, PSCN, NSCN，熔点 2000度，熔融为PLSMETRD电极：在通电时会产生等离子体,且会与附近的电极一起形成等离子束.谨慎使用. 每次最好只使用一个像素THDR闪电：温度很高(9000度)能对不少物质造成破坏. 接触导电物质后会产生强电流，非导电物质则产生强高温高压的冲击波PTCT冷半导体：只在100度以下导电. 因为其特殊性，它能够将自己迅速冷却到22度左右，熔点1400度 NTCT热半导体：只在100度以上导电. 因为其特殊性，它能够将自己迅速冷却到22度左右，熔点1400度 （PTCT和NTCT是制作逻辑电路的重要组成部分）NSCN N型硅：半导体, 电流只能从P型传导到到N型，不能从N型到P型.熔点1400度 PSCN P型硅：半导体. 熔点1400度 PHOT光子：沿直线传播,遵循反射，折射，散射定律（目前有些小bug），通过透明物体会发生散射.初温~900度。会自己慢慢消散. 更多的特性参照进阶部分SPRK电火花：提供一个电脉冲. 用于人工给电路输入。METL金属：良好的导体,可被摧毁. 熔点1000度 Explosives(爆炸物)类C-5冷炸药：爆炸时产生超低温冲击波，可以通过CFLM引燃BOMB炸弹：接触任何物质都会爆炸，能够摧毁8像素范围内除了DMND以外的几乎所有物质，产生高温。有独特的发光效果。FWRK衰变型烟花：缓慢释放焰火，可用热能或者中子撞击触发FIRW烟花：点燃后冲向天空，然后五颜六色地爆炸……THRM铝热剂：只于明火反应，能产生极高的温度(3000+)，生成火焰，岩浆和等离子焰。 冷却后会生成BMTLLRBD液态铷：遇水即爆炸.凝固点低。可导电。 （相信学生们还记得初中的小铷球在烧杯水面燃烧发出嘶嘶声的实验）RBDM固态铷：遇水即爆炸.熔点低,稍稍加热即熔解.可导电。C-4塑胶炸药：固体,压感爆炸物,高压下(~5个压力)爆炸.暴露在中子下会老化变成GOONITR硝化甘油：液体,威力大,高压下(~5个压力)或遇明火爆炸. 在中子作用下会变质为石油OIL（这什么逻辑啊）GUN火药(Gunpowder)：火药，易燃FIRE火：点燃易燃物，温度为422度 Gasses(气体)类BOYL波义耳气：波义耳(Boyle)定律--在温度恒定时，一定量气体的体积与其所受的压力成反比，Boyle的名字就来自于此。当BOYL受热时体积膨胀，反之收缩。不可燃。O2氧气：易燃气体,高温下自燃. PLNT吸收SMKE后会产生氧气（这只是游戏，氧气是不能燃烧的，只能助燃，希望不会误导高考生……）SMKE烟：含水物质或不完全燃烧（低温闷燃等）的产物. 主要成分是二氧化碳，以及可燃烟气。高温下可燃NBLE惰性气体：遇电后成等离子体，发出光亮. 冷却后还会变为惰性气体. （霓虹灯就是这样做出来的）PLSM等离子体：超高温的火焰，彩色，9000度左右WTRV水蒸气：冷却后成水. 凝结点……这个你都不知道中考肯定挂。如果冷却速度过快，会凝华为霜RIMEGAS液化石油气：可燃气体,高压下（~5个压力)还原成石油. 可以通过以下三种方法得到：1.用中子持续轰击（证实无效，wiki坑爹）2.加热石油（不遇明火就不会爆炸，燃烧） 3.低压处理石油（减压蒸馏的原理，化工工艺学……）Liquids(液体)类SOAP肥皂：可以做泡泡PSTE胶体：施加压力时凝固为固体，高温下固化为BRCKBIZR奇异子：让施加在上面的作用正好相反（比如将其加热相当于将其冷却，需要在作用停止后才反弹到相反效果）暂无特别作用，保留材料GLOW荧光液：在0.2个压力以上可发光，亮度和压力成正比LO2液氧：液态氧气，沸点-183度，初始-193.15度，易燃DESL柴油：低压下液化, 高压或高温下燃烧.（柴油机没有点火装置，属于压燃型动力设备）LN2液氮：液态氮气，非常冷的液体，沸点 -195.6度，初始-203度MWAX蜡油：冷却后成固体蜡烛. 初始50度SLTW盐水：凝固点比水低,导电性比水略好，凝固点更低（没忘记初中物理吧） 初始22度，加热后盐会析出。DSTW蒸馏水：冷凝水蒸气得到，没有任何溶质的纯净液体，初始22度，PLNT和VINE无法在蒸馏水中生长。不导电。ACID酸：能溶解大多数物质.可燃。LAVA岩浆：高密度液态岩石, 初始1522度，冷却后成石头(STNE). 所有的电学材料和所有的粉末，玻璃，脆钢熔融后都会成为LAVA，核反应也会副产LAVA. 如果是其他物质熔融产生的岩浆，冷却后还会凝固成原来的物质。不过沙子凝固后会变成玻璃（野外生存常识）OIL石油：易燃液体,加热后成为石油气(GAS),遇明火燃烧,会产生大量烟(SMKE). 冷却/高压下还能液化为石油WATR水：有杂质的水,可导电，能溶解某些物质Powders(粉末)类PQRT石英砂：石英的粉末，熔点2300度。ANAR逆尘：非常轻的粉尘，拥有反重力和速度性质。比如没有外界作用时会往上飘，用风扇去吹反而会靠过来。GRAV重力尘：非常轻的粉尘，在不同速度下显示不同的颜色。BCOL煤炭粉：煤炭的粉尘，易燃，燃烧略慢FSEP导火索粉尘：高温或通电点燃，燃烧缓慢YEST酵母：适当温度下(约37度)会发酵,再高就会死亡（DYST）, 高于200度则焦化成灰(DUST)，中子也同样能够杀死酵母。BGLA碎玻璃：高密度固体粉末,熔点1750度,熔融后冷却能凝固成玻璃(GLAS).不透光。在高压下玻璃GLAS会碎裂为碎玻璃BGLASAND沙子：高密度固体粉末,熔点1750度，凝固后生成玻璃BRMT金属粉末：粉末状的金属,熔点1000度，冷却后为脆铁(BMTL).SALT盐：溶于水后成盐水(SLTW)，900度下融化为液态氯化钠（其实是LAVA啦）CNCT混凝土：可以堆积成柱状，而不是像普通powder一样散落成一堆，可用于建筑。熔点850度。SNOW雪：高压下冰会碎裂为雪。熔点你猜STNE石头：重粉末. 熔点750度DUST灰：很轻的粉末，可燃，但是火焰很弱。Solids(固体)类QRTZ石英：在极低的温度下会颗粒化为石英砂，在零下100度/173K以下时可以导电，透光，熔点2300度。FILT滤镜：有色玻璃，温度影响其颜色，通过的光会变成它的颜色。（阳光透过绿色的玻璃瓶照在地上就是绿色的）SHLD自修复膜：施加电脉冲时，可以在导体外产生一层保护膜，可以连续通电持续修复。从内到外分别生成SHD4,3,2，SHLD，分别在50/30/19/9的压力下瓦解。不导电，不导热。INVS无形：施加压力时隐形，可以通过任何物质。VINE蔓藤：自己会生长，然后变为PLNTPIPE动力管道：通过特殊的方法可以做成能运输物体的管道。具体方法是：首先画出管道，等一会管道外会生成外壳。然后擦除出一个口子，这个口子就是管道出口。然后你会发现内部的东西开始变化，此时不要再擦除，等待内部材料完全改变后，再擦除另一个口，这就是出口。然后物体就会被从入口吸入，从管道内运送过去。SPNG海绵：可以吸水，吸水后颜色变深。施压可以把水挤出来。遇明火可燃。2450度的高温下会自燃 （我了个去这海绵哪里买的，质量这么好）FUSE导火索：可以缓慢燃烧，高温或者高电流情况下会燃烧BRCK砖块：STNE的固体形态，建筑材料，高压下会碎裂为STNE，熔点750度，不导电COAL煤：燃烧很缓慢的可燃物. 可以由WOOD制得（只是个传说）。煤是多孔物质，某些粉末可以缓慢地渗透进去NICE固态氮：固态氮气，熔点209.8度，初温-238.15度，不可燃GLAS玻璃：高压下会碎裂。透光，反射中子。熔点1500度。（实际的玻璃是非晶体，没有固定熔点的）WAX蜡烛： 可燃。熔点45度，会融化成蜡油(MWAX)，不透过中子BMTL脆铁：脆铁，熔点1000度，导电。对光子的反射率在50%左右，通常用作择光器。PLNT植物：吸水生长，可燃，受中子照射会死亡，固化为木头WOODWOOD木头：可燃物, 燃烧速度中等，可透过中子，不能变成成煤（Wiki终于终结了这个传说）ICE冰：固态水。高压下碎裂，产生负压（-1.14）GOO粘土：高压下会分解消失，极耐高温，会被中子碎化Radioactive(放射性物质)SING奇点：具有非常奇妙性质的物质。本质上是没有体积的黑洞。PRTO虫洞出口：入口吸收的物质从这里释放，释放速度只和表面积有关（因为是2D游戏，即周长），产生微表压PRTI虫洞入口：物质从这可以被吸收，没有PRTO存在的时候可以当做一个弱引力源，产生微负压ISZS固体同位素Z：被光子激发衰变，衰变产生光子，可导致连锁反应， 0度左右融化为ISOZISOZ同位素Z：被光子激发衰变，衰变产生光子，可导致连锁反应，-100度左右凝固为ISZSWARP跃迁粉：跃迁粉会导致被接触的物体粒子发生空间位移DEUT氧化氘：可与中子反应的液体，能发生连锁反应，产生惊人的爆炸【就是第一副图那个】。不导电，不会气化，体积随着温度升高而升高，随着温度降低到零下会显著缩小AMTR反物质：会和几乎所有物质结合然后湮灭，湮灭时会产生负压。（理论上还有大量能量）URAN铀：高压下会自行放大量热,但不会裂变为更稳定的物质。和一般物质不同，其压热关系是幂指数，因此在高压下升温非常非常快PLUT钚：高压下会裂变为铀,同时释放出2个中子，放出大量热，产生大的表压NEUT中子：核反应产物。某些情况下会对其他物质产生影响，如会导致PLNT，YEST，VINE死亡，火药失效为DUST，半衰期大概为10秒Special(特殊)STK2火柴人2：第二个火柴人，WASD控制移动BLCN可破坏复制体：同CLNE，但是可以在高压下被摧毁CFLM零度火焰：绝对零度的火焰（-273.15℃）STKM火柴人：能用键盘控制，只能在普通温度和压力下活命。D键可以杀死他。左右移动，上是跳。如果他“啃”到了什么粒子，按下可以吐出来对应的例子……比如石油……囧WHOL白洞：白洞，产生一个表压推离物体。聚集适用可以作为压力源。BHOL黑洞：黑洞，产生负压吸引物体，吃掉粒子的时候会产生热量 （实际上是X射线）INSL绝缘体：不导热也不导电，唯一可以阻止电火花真空跳跃的材料，遇明火可燃 （在紧凑电路内防止漏电的必需品）DMND钻石：导热良好，不导电，不可摧毁的建筑材料，和墙壁的不同之处在于它是粒子类的VOID虚空：能吞掉任何撞击它的物体（而不仅仅是接触），放热。不产生负压，这是和黑洞的不同。同CLNE一起使用可以用来产生一个精确等温条件，比如用来控制FILTCLNE：它会复制任何接触它的物体，除了反物质AMTR。可透光。X擦除：清除除墙(Wall)以外的任何物质VAC真空：抽干大气(Air),降低压力. 在暂停状态下虽然可以抽到负几万的压力，但是步进一帧就会钳位回-256. AIR类似。笔刷越大效果越好。COOL降温：降低温度.笔刷越大效果越好。HEAT加热：增加温度.笔刷越大效果越好。AIR大气：增加压力.笔刷越大效果越好。

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如果你的8线编码器插头是7针的，那么应该遵循以下接线方法：第一根线对应插头的VCC（+5V)引脚，这个引脚提供编码器电源。第二根线对应插头的GND引脚，这个引脚为编码器的接地引脚。第三根线对应插头的AL位，这个引脚输出正交A相信号。第四根线对应插头的BL位，这个引脚输出正交B相信号。第五根线对应插头的CL位，这个引脚输出正交C相信号。第六根线对应插头的Z位，这个引脚输出 Z 相（或 Index 相或 Zero 相）信号，这个相通常用于确定位置。第七根线对应插头的SHLD(或SHIELD)位，这个引脚为编码器信号的屏蔽引脚，通常需要接地。需要注意的是，以上线号的对应方式可能因厂商和编码器型号不同而异。在进行接线时，应该仔细查看编码器和插头的相关资料和接口定义，确保正确接线，以避免因接线错误导致设备故障或人身安全事故。

这不是英语ok就可以的了，，你是搞服装贸易的吧，这是些剪裁衣服的尺码，我不是内行人，并不知道你们对于衣服各部位的行话，但是可以告诉你neck 脖子HPS 可能是臀部depth 指深度，或厚度seam 接口edge 边缘front 前back 后overarm 上臂underarm 下臂muscle 肌肉slv 是sleeve简写 袖子的意思height 高度length 长度width 宽度hood 兜帽down 向下的 下行的 以下 或往下cuff 袖口Waistband 腰带 束腰带widest 就是wide的最高比较级，就是最宽的意思pocket 口袋along curve 沿曲线（可能是指裁剪的方式） 我的水平就到这了，，你自己组合组合，大概能知道这些表达的是什么了，，另外5“ 指的是5英寸，，， 还有，，补充一下：1.chest(below armhole) flat2.front chest(7" from hsp)3.waist(19"from hsp)4.bottom(relaxe on self fabric) flat5.body length from back hsp(excluding fuller)6.shoulder(flat meas)7.shoulder drop8.sleeve length from shld pt (excluding fuller)9.armhole straight front (flat meas)10.sleeve opening at edge11.neck width front/seam to seam12.C.F. neck drop (imag. line to seam)13.C.B. neck drop (image line to C.B. neck seam)14.neck rib height15.fuller/ in addition to the sleeve lenght1.bottom(at rib end) flat2.accross shoulder3.accross chest 7" HSP4.sleeve length from shoulder point end to cuff5.sleeve muscle 1"below armhole6.sleeve wrist 5"from sleeve end(end of rib)7.armhole(straight)8.armhole(curved)1.chest （以下袖孔）持平2.front胸部（ 7 “） 3.waist （ 19 “） 4.bottom （ relaxe自我织物）持平5.body长度（不充分） 6.shoulder （单位多边） 7.shoulder下降8.sleeve长度shld角（不充分） 9.armhole直阵线（单位多边） 10.sleeve开放前沿11.neck宽度前/煤层以煤层12.C.F.颈部下降（ imag.线缝） 13.C.B.颈部下降（图线C.B.颈部缝） 14.neck肋骨高度15.fuller /此外，袖长1.bottom （在肋骨完）持平2.accross肩3.accross胸部7 “4.sleeve长度从肩点结束袖套5.sleeve肌肉1 “低于袖孔6.sleeve手腕5 “套筒结束（完肋骨） 7.armhole （直）

二楼说的应该是对的 intel指令手册不再身边 不能帮你查了RAL指令扩展到32位并不存在什么问题，RAL eax ecx

The future of the shopping mall is...the shopping mallReports of the death of the shopping mall have been greatly exaggerated….though it depends on the mall.Sure, “ghost malls” are real. Usually small town malls where occupancy has dipped low enough that very few opt to shop there anymore. “I think you"ll see a lot of malls continue to close,” says Brian Sozzi of Belus Capital Advisors. “The fundamentals of shopping are changing drastically.”That, however doesn"t mean America hates malls and has given up on them completely. “What you"re seeing is Simon property (SPG), Vornado (VNO), Macerich (MAC), they"re all investing in redeveloping the mall and creating the mall of the future.”Sozzi says the reinvention starts in the food court. “You"re getting sit down dining destination within the malls. It gets people into the mall that otherwise would not have gone.”The changes won"t end there he says. Malls instead will find new uses for empty space to make them community centers once again and places people want to spend more time in.“Once Sears (SHLD) goes out of business...that massive structure become reclaimed by the community. I think you"ll see health clinics go in there, you"ll see new gyms,” Sozzi says, adding that Planet Fitness is already heading into malls and that store closings from Macy"s (M) and JC Penney (JCP) will add to the space available for new kinds of businesses.So what about those small town malls no one goes to anymore? Will they too get re-imagined? Probably not. “Ghost malls are done. Those are getting bulldozed and you"ll get retirement homes” to satisfy the growing baby boomer population.

补充一下:(因为字数太多,所以在这里补充了 beyondryo)我已经用HijackThis_zwwV1.99.1扫描了,下面是LOG文件,烦请高手再次帮助,感激!!!!HijackThis_zww汉化版扫描日志 V1.99.1保存于 12:39:02, 日期 2006-3-15操作系统： Windows XP SP2 (WinNT 5.01.2600)浏览器： Internet Explorer v6.00 SP2 (6.00.2900.2180)当前运行的进程： C:WINDOWSSystem32smss.exeC:WINDOWSsystem32winlogon.exeC:WINDOWSsystem32services.exeC:WINDOWSsystem32lsass.exeC:WINDOWSsystem32Ati2evxx.exeC:WINDOWSsystem32svchost.exeC:WINDOWSSystem32svchost.exeC:WINDOWSExplorer.EXEC:Program FilesMcAfee.comVSOmcvsshld.exeC:Program FilesMcAfee.comVSOoasclnt.exeC:PROGRA~1mcafee.comagentmcagent.exeC:PROGRA~1McAfee.comPERSON~1MpfTray.exec:progra~1mcafee.comvsomcvsescn.exeC:WINDOWSsystem32TASKMAN.exeC:WINDOWSsystem32ctfmon.exeC:WINDOWSsystem32inetsrvinetinfo.exec:program filesmcafee.comagentmcdetect.exec:PROGRA~1mcafee.comvsomcshield.exec:PROGRA~1mcafee.comagentmctskshd.exeC:PROGRA~1McAfee.comPERSON~1MpfService.exeC:PROGRA~1McAfee.comPERSON~1MpfAgent.exeC:WINDOWSsystem32wscntfy.exeC:WINDOWSSystem32svchost.exeD:Program FilesQQ2005QQ.exeD:Program FilesQQ2005TIMPlatform.exeC:Program FilesHijackThis1991汉化版HijackThis1991zww.exeC:Program FilesMaxthonMaxthon.exeO2 - 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曾经是，现在不是了。从80486时代开始，CPU就有了专用的 乘法器/移位器 运算单元， 因此计算乘法并非是在 CPU 内作多次加法！ 比如笔算十进制 12*23，列竖式的话 . 12 * 23 ---- . 36 .24 ---- .276 是拆成 12*3=36 和 12*2=24 ，然后将24移位，再相加，得276 。减法是采用补码进行的一种运算，是特殊的加法。至于除法，这个我实在没想清楚。不过，据说现在的cpu也有除法器了，听说也是移位器，具体的实在不清楚了，我也不是计算机专业的，汇编没学过啊 补充：刚查资料，通过汇编说明乘除法：乘法： 被乘数移位加。 模拟 16bits 乘法用 x86 汇编语句描述如下： xor eax,eax mov ebx,16bits data mov edx,16bits data mov ecx,20H clc @@1: shl eax,1 rol edx,1 jnc @@2 add eax,ebx @@2: loop @@1 next: 除法： 被除数移位减。。。 模拟除法用 x86 汇编语句描述如下： xor eax,eax mov ebx,divisor mov edx,dividend mov ecx,20H @@1: shld eax,edx,1 cmp eax,ebx jl @@2 sub eax,ebx inc edx @@2: loop @@1 next: ; 乘法的被乘数和乘数不需要区分 ; 除法的被除数和除数必须区分，这和串连移位所使用的寄存器有关。余数存储在 EAX，商存储在 EDX如果学过一点汇编，应该能看懂~

半导体物理学的迅速发展及随之而来的晶体管的发明，使科学家们早在50年代就设想发明半导体激光模块，60年代早期，很多小组竞相进行这方面的研究。在理论分析方面，以莫斯科列别捷夫物理研究所的尼古拉·巴索夫的工作最为杰出。 　在1962年7月召开的固体器件研究国际会议上，美国麻省理工学院林肯实验室的两名学者克耶斯（Keyes）和奎斯特（Quist）报告了砷化镓材料的光发射现象，这引起通用电气研究实验室工程师哈尔（Hall）的极大兴趣，在会后回家的火车上他写下了有关数据。回到家后，哈尔立即制定了研制半导体激光模块的计划，并与其他研究人员一道，经数周奋斗，他们的计划获得成功。 　像晶体二极管一样，半导体激光模块也以材料的p-n结特性为基础，且外观亦与前者类似，因此，半导体激光模块常被称为二极管激光器或激光二极管。 　早期的激光二极管有很多实际限制，例如，只能在77K低温下以微秒脉冲工作，过了8年多时间，才由贝尔实验室和列宁格勒（现在的圣彼得堡）约飞（Ioffe）物理研究所制造出能在室温下工作的连续器件。而足够可靠的半导体激光模块则直到70年代中期才出现。 　半导体激光模块体积非常小，最小的只有米粒那样大。工作波长依赖于激光材料，一般为0.6～1.55微米，由于多种应用的需要，更短波长的器件在发展中。据报导，以Ⅱ～Ⅳ价元素的化合物，如ZnSe为工作物质的激光器，低温下已得到0.46微米的输出，而波长0.50～0.51微米的室温连续器件输出功率已达10毫瓦以上。但迄今尚未实现商品化。 　光纤通信是半导体激光可预见的最重要的应用领域，一方面是世界范围的远距离海底光纤通信，另一方面则是各种地区网。后者包括高速计算机网、航空电子系统、卫生通讯网、高清晰度闭路电视网等。但就目前而言，激光唱机是这类器件的最大市场。其他应用包括高速打印、自由空间光通信、固体激光泵浦源、激光指示，及各种医疗应用等。 　20世纪60年代初期的半导体激光模块是同质结型激光器，它是在一种材料上制作的pn结二极管在正向大电流注人下，电子不断地向p区注人，空穴不断地向n区注人.于是，在原来的pn结耗尽区内实现了载流子分布的反转，由于电子的迁移速度比空穴的迁移速度快，在有源区发生辐射、复合，发射出荧光，在一定的条件下发生激光，这是一种只能以脉冲形式工作的半导体激光模块. 　半导体激光模块发展的第二阶段是异质结构半导体激光模块，它是由两种不同带隙的半导体材料薄层，如GaAs, GaAlAs所组成，最先出现的是单异质结构激光器(1969年).单异质结注人型激光器(SHLD)是利用异质结提供的势垒把注入电子限制在GaAsP一N结的P区之内，以此来降低阀值电流密度，其数值比同质结激光器降低了一个数量级，但单异质结激光器仍不能在室温下连续工作. 　1970年，实现了激光波长为9000&Aring;.室温连续工作的双异质结GaAs-GaAlAs(砷化稼一稼铝砷)激光器.双异质结激光器(DHL)的诞生使可用波段不断拓宽，线宽和调谐性能逐步提高，其结构的特点是在P型和n型材料之间生长了仅有0. 2 Eam厚的，不掺杂的，具有较窄能隙材料的一个薄层，因此注人的载流子被限制在该区域内(有源区)，因而注人较少的电流就可以实现载流子数的反转.在半导体激光模块件中，目前比较成熟、性能较好、应用较广的是具有双异质结构的电注人式GaAs二极管激光器. 　随着异质结激光器的研究发展，人们想到如果将超薄膜(< 20nm)的半导体层作为激光器的激括层，以致于能够产生量子效应，结果会是怎么样?再加之由于MBE,MOCVD技术的成就，于是，在1978年出现了世界上第一只半导体量子阱激光器(QWL)，它大幅度地提高了半导体激光模块的各种性能.后来，又由于MOCVD,MBE生长技术的成熟，能生长出高质量超精细薄层材料，之后，便成功地研制出了性能更加良好的量子阱激光器，量子阱半导体激光模块与双异质结(DH)激光器相比，具有阑值电流低、输出功率高，频率响应好，光谱线窄和温度稳定性好和较高的电光转换效率等许多优点. 　QWL在结构上的特点是它的有源区是由多个或单个阱宽约为100人的势阱所组成，由于势阱宽度小于材料中电子的德布罗意波的波长，产生了量子效应，连续的能带分裂为子能级.因此，特别有利于载流子的有效填充，所需要的激射阅值电流特别低.半导体激光模块的结构中应用的主要是单、多量子阱，单量子阱(SQW)激光器的结构基本上就是把普通双异质结(DH)激光器的有源层厚度做成数十nm以下的一种激光器，通常把势垒较厚以致于相邻势阱中电子波函数不发生交迭的周期结构称为多量子阱(MQW ).量子阱激光器单个输出功率现已大于1w，承受的功率密度已达l OMW/cm3以上[c)而为了得到更大的输出功率，通常可以把许多单个半导体激光模块组合在一起形成半导体激光模块列阵。因此，量子阱激光器当采用阵列式集成结构时，输出功率则可达到l00w以上.近年来，高功率半导体激光模块(特别是阵列器件)飞速发展，已经推出的产品有连续输出功率5 W ,1ow,20w和30W的激光器阵列.脉冲工作的半导体激光模块峰值输出功率50w. 120W和1500W的阵列也已经商品化.一个4. 5 cm x 9cm的二维阵列，其峰值输出功率已经超过45kW.峰值输出功率为350kW的二维阵列也已间世[3] 　从20世纪70年代末开始，半导体激光模块明显向着两个方向发展，一类是以传递信息为目的的信息型激光器.另一类是以提高光功率为目的的功率型激光器.在泵浦固体激光器等应用的推动下，高功率半导体激光模块(连续输出功率在100， 以上，脉冲输出功率在5W以上，均可称之谓高功率半导体激光模块)在20世纪90年代取得了突破性进展，其标志是半导体激光模块的输出功率显著增加，国外千瓦级的高功率半导体激光模块已经商品化，国内样品器件输出已达到600W[61.如果从激光波段的被扩展的角度来看，先是红外半导体激光模块，接着是670nm红光半导体激光模块大量进人应用，接着，波长为650nm,635nm的问世，蓝绿光、蓝光半导体激光模块也相继研制成功，10mw量级的紫光乃至紫外光半导体激光模块，也在加紧研制中[a}为适应各种应用而发展起来的半导体激光模块还有可调谐半导体激光模块，‘"电子束激励半导体激光模块以及作为“集成光路”的最好光源的分布反馈激光器(DFB一LD)，分布布喇格反射式激光器(DBR一LD)和集成双波导激光器.另外，还有高功率无铝激光器(从半导体激光模块中除去铝，以获得更高输出功率，更长寿命和更低造价的管子)、中红外半导体激光模块和量子级联激光器等等.其中，可调谐半导体激光模块是通过外加的电场、磁场、温度、压力、掺杂盆等改变激光的波长，可以很方便地对输出光束进行调制.分布反馈(DF 式半导体激光模块是伴随光纤通信和集成光学回路的发展而出现的，它于1991年研制成功，分布反馈式半导体激光模块完全实现了单纵模运作，在相干技术领域中又开辟了巨大的应用前景它是一种无腔行波激光器，激光振荡是由周期结构(或衍射光栅)形成光藕合提供的，不再由解理面构成的谐振腔来提供反馈，优点是易于获得单模单频输出，容易与纤维光缆、调制器等辆合，特别适宜作集成光路的光源. 　单极性注人的半导体激光模块是利用在导带内(或价带内)子能级间的热电子光跃迁以实现受激光发射，自然要使导带和价带内存在子能级或子能带，这就必须采用量子阱结构.单极性注人激光器能获得大的光功率输出，是一种商效率和超商速响应的半导体激光模块，并对发展硅基激光器及短波激光器很有利.量子级联激光器的发明大大简化了在中红外到远红外这样宽波长范围内产生特定波长激光的途径.它只用同一种材料，根据层的厚度不同就能得到上述波长范围内的各种波长的激光.同传统半导体激光模块相比，这种激光器不需冷却系统，可以在室温下稳定操作.低维(量子线和量子点)激光器的研究发展也很快，日本okayama的GaInAsP/Inp长波长量子线(Qw+)激光器已做到9OkCW工作条件下Im =6.A,l =37A/cm2并有很高的量子效率.众多科研单位正在研制自组装量子点(QD)激光器，目前该QDLD已具有了高密度，高均匀性和高发射功率[U1.由于实际需要，半导体激光模块的发展主要是围绕着降低阔值电流密度、延长工作寿命、实现室温连续工作，以及获得单模、单频、窄线宽和发展各种不同激射波长的器件进行的. 　20世纪90年代出现并特别值得一提的是面发射激光器(SEL)，早在1977年，人们就提出了所谓的面发射激光器，并于1979年做出了第一个器件，1987年做出了用光泵浦的780nm的面发射激光器.1998年GaInAIP/GaA。面发射激光器在室温下达到亚毫安的网电流,8mW的输出功率和11%的转换效率[2)前面谈到的半导体激光模块，从腔体结构上来说，不论是F一P(法布里一泊罗)腔或是DBR(分布布拉格反射式)腔，激光输出都是在水平方向，统称为水平腔结构.它们都是沿着衬底片的平行方向出光的.而面发射激光器却是在芯片上下表面镀上反射膜构成了垂直方向的F一p腔，光输出沿着垂直于衬底片的方向发出，垂直腔面发射半导体激光模块(VCSELS)是一种新型的量子阱激光器，它的激射阔值电流低，输出光的方向性好，藕合效率高，通过阵列化分布能得到相当强的光功率输出，垂直腔面发射激光器已实现了工作温度最高达71 `C。另外，垂直腔面发射激光器还具有两个不稳定的互相垂直的偏振横模输出，即x模和y模，目前对偏振开关和偏振双稳特性的研究也进入到了一个新阶段，人们可以通过改变光反馈、光电反馈、光注入、注入电流等等因素实现对偏振态的控制，在光开关和光逻辑器件领域获得新的进展。20世纪90年代末，面发射激光器和垂直腔面发射激光器得到了迅速的发展。目前，垂直腔面发射激光器已用于千兆位以太网的高速网络[21为了满足21世纪信息传输宽带化、信息处理高速化、信息存储大容量以及军用装备小型、高精度化等需要，半导体激光模块的发展趋势主要在高速宽带LD、大功率ID,短波长LD,盆子线和量子点激光器、中红外LD等方面.目前，在这些方面取得了一系列重大的成果。发展概况简介半导体激光模块又称激光二极管[1](LD)。进入八十年代，人们吸收了半导体物理发展的最新成果，采用了量子阱(QW)和应变量子阱(SL-QW)等新颖性结构，引进了折射率调制Bragg发射器以及增强调制Bragg发射器最新技术，同时还发展了MBE、MOCVD及CBE等晶体生长技术新工艺，使得新的外延生长工艺能够精确地控制晶体生长，达到原子层厚度的精度，生长出优质量子阱以及应变量子阱材料。于是，制作出的LD，其阈值电流显著下降，转换效率大幅度提高，输出功率成倍增长，使用寿命也明显加长。A 小功率LD用于信息技术领域的小功率LD发展极快。例如用于光纤通信及光交换系统的分布反馈(DFB)和动态单模LD、窄线宽可调谐DFB-LD、用于光盘等信息处理技术领域的可见光波长(如波长为670nm、650nm、630nm的红光到蓝绿光)LD、量子阱面发射激光器以及超短脉冲LD等都得到实质性发展。这些器件的发展特征是：单频窄线宽、高速率、可调谐以及短波长化和光电单片集成化等。B 高功率LD1983年，波长800nm的单个LD输出功率已超过100mW，到了1989年，0.1mm条宽的LD则达到3.7W的连续输出，而1cm线阵LD已达到76W输出，转换效率达39%。1992年，美国人又把指标提高到一个新水平：1cm线阵LD连续波输出功率达121W，转换效率为45%。现在，输出功率为120W、1500W、3kW等诸多高功率LD均已面世。高效率、高功率LD及其列阵的迅速发展也为全固化激光器，亦即半导体激光泵浦(LDP)的固体激光器的迅猛发展提供了强有力的条件。近年来，为适应EDFA和EDFL等需要，波长980nm的大功率LD也有很大发展。最近配合光纤Bragg光栅作选频滤波，大幅度改善其输出稳定性，泵浦效率也得到有效提高。特点及应用范围半导体二极管激光器是实用中最重要的一类激光器。它体积小、寿命长，并可采用简单的注入电流的方式来泵浦其工作电压和电流与集成电路兼容，因而可与之单片集成。并且还可以用高达GHz的频率直接进行电流调制以获得高速调制的激光输出。由于这些优点，半导体二极管激光器在激光通信、光存储、光陀螺、激光打印、测距以及雷达等方面以及获得了广泛的应用。