moS管VGS电压高于规定值会产生什么情况

Vgs是负压是PMOS类型的管子。Vgs是栅极相对于源极的电压。与NMOS一样，导通的PMOS的工作区域也分为非饱和区，临界饱和点和饱和区。当然，不论NMOS还是PMOS，当未形成反型沟道时，都处于截止区。MOS管的原理：双极型晶体管把输入端电流的微小变化放大后，在输出端输出一个大的电流变化。双极型晶体管的增益就定义为输出输入电流之比（beta）。另一种晶体管，叫做场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化。

Vgs 是MOS管栅极和源极间之间的电压。

pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。扩展资料：当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器，Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器。或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。

VGS Video Graphics System 视频图形显示系统

一是栅源电压VGS方向正好相反。P沟道场效应管要导通，栅极CJ电压必须低于源极S电压，且低到某种程度；而N沟道场效应管要导通，栅极G电压必须高于源极S电压，且高到某种程度。可见．P沟道场效应管导通时栅源电压VGS为反偏压。N沟道场效应管导通时栅源电压VGS为正偏压。 二是电流方向正好相反。P沟道场效应管的电流方向是由源极S流向漏极D，而N沟道场效应管的电流方向是由漏极D流向源极S。

各型号具体数值不同，一般正负2V都能导通了，最高一般在正负10V左右。

VGS（Video Guarantee System）视频监控运行保障系统，是视频智能分析技术在视频监控领域的突破性的创新。

vgs认证的明星签名也是有真的，但是很少，大部分都是假的。亲笔签名是明星的重要身份标识之一，因此在一定程度上容易成为伪造的目标。虽然现在有些明星会在签名时加入一些个人特色，比如涂鸦、心形图案等，但是一些伪造者也会模仿这些特色进行伪造，因此并不是所有亲笔签名都可以轻易识别真伪。明星的签名大多数是假冒的，真的很少。可以考虑自己喜欢的明星的签名笔迹和风格，防止被骗。不过明星签名很少，有些人为了赚钱就假冒明星签名，即便是vgs认证的签名也很难保证真假，毕竟现在的技术十分高超，不要盲目追星。如何鉴定签名照的真假1、照片的清晰度和质量。真实的签名照通常都是高清晰度的，而且照片质量也会很好，没有模糊不清或者散花的情况。2、签名的真实性。可以通过查看签名的笔画、书写方式、笔迹等特点来判断签名的真伪。如果有条件的话，还可以与已知真实签名做比较。3、照片的来源和背景。真实签名照的来源通常都是通过正式途径获取的，例如从音乐会或者明星演唱会上获得的照片。此外，照片中的背景也需要注意，真实签名照通常拍摄于明星巡演或者演唱会等现场背景。4、照片的存储时间和保存方式。真实签名照应该是保存在合适的环境中，例如保存在干燥、通风、避光、不含化学污染的环境中。

不是很了解这个，是初学者的话，为自己着想还是买把好点的。像美索 雅马哈这些都行，很多学吉他的都是一时兴起，学个一段时间会弹几首歌就止步不前了，只有少部分人一直坚持着去学习。如果你是前者，那就买吧好点的一直用，如果是后者，更应该买好点的，不然便宜货的音色会让你想吐然后放弃的。而且这种便宜琴的品柱大都有问题会打品，或者是弦距太高按着十分疼根本按不住。

每个管子都不一样 的，手册上给出的是典型值。

Vgs是MOS管的驱动电压，首先分NMOS和PMOS然后又分增强型和耗尽型一般情况下，增强型NMOS管的Vgs是一个大于0的电压，插件型的一般是12V左右，贴片型的可以做到5V耗尽型的开启电压跟增强型的差不多，但是其关断电压是一个负电压，实际用的不多PMOS与NMOS电压相反。

导通是有电阻的，它又不是超导材料，连“导体”都不是，而是“半导体”，只要有电流流过，就有电压降，当电流达到某值，超过这时Vgs控制电压能够产生的电流量，才进入饱和区。

mos管的作用如下：1、MOS工作在导通区或者截止区的时候可以当开关使用。外加PWM信号可以用于调压，电机调速等方面。2、几个MOS管搭配可以起到单向导通的作用（类似二极管单向导通），比二极管有优势的地方是压降小、功耗低，导通电流大。低电压大电流的情况下优势更明显；3、工作在可变电阻区的时候可以当一个电阻使用，一般集成芯片中的电阻就是使用这种方式的电阻，优势是生产方便，体积小巧。4、工作在可变电阻区还可以起到放大的作用，与三极管放大电路类似。

这是无刷直流电机，V接电源正极，G负极，S一般是调速控制信号输入。

Vgs标称耐压一般在20~30v左右，过高管子会击穿啊，Vgs过高会击穿SiO2氧化层，从而使G和衬底短路，沟道永久性破坏掉，烧管子造成了永久性破坏

Rs，Rg1||Rg2都没有电流流过，相当于直通，因此Vgs + Vt = 0因此Vgs = -Vt

指的是开启电压，最小0.6V，最大1.2V。就是这个型号的管子的开启电压（GS之间加上一定的电压刚刚好使DS之间开始导通，这个电压就是开启电压）从0.6到1.2V之间，每个管子都有所不同，这是制造时的离散性造成的。

一、优点：1、场效应管：具有输入电阻高（107～1015Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。2、三极管：晶体三极管具有电流放大作用，其实质是三极管能以基极电流微小的变化量来控制集电极电流较大的变化量。这是三极管最基本的和最重要的特性。二、缺点：1、场效应管：场效应管的输入阻抗很大，输入电流极小。2、三极管：晶体三极管输入阻抗很小，在导电时输入电流较大。扩展资料：场效应管的沟道形成原理：当Vgs=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压，不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若0＜Vgs＜Vgs(th)时（VGS(th) 称为开启电压），通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。进一步增加Vgs，当Vgs＞Vgs(th)时，由于此时的栅极电压已经比较强，在靠近栅极下方的P型半导体表层中聚集较多的电子，可以形成沟道，将漏极和源极沟通。如果此时加有漏源电压，就可以形成漏极电流ID。在栅极下方形成的导电沟道中的电子，因与P型半导体的载流子空穴极性相反，故称为反型层（inversion layer）。随着Vgs的继续增加，ID将不断增加。在Vgs=0V时ID=0，只有当Vgs＞Vgs(th)后才会出现漏极电流，这种MOS管称为增强型MOS管。参考资料来源：百度百科-场效应管百度百科-三极管

各种用途都用上。用在开关电源比较多。

你写错了吧？是VG？集装箱重量查核（VGM） 是VERIFIED GROSS MASS 的缩写。

看这个ID在什么场合下说了，静态ID是指没信号输入时的D极电流，最大ID是指最大不失真电流。说明书上的ID是说处于开关状态时的最大电流。

根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时，管子是呈截止状态；加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。 以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。电位方向是从外向里，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。

从结构上看，N沟道耗尽型MOS管与N沟道增强型MOS管基本相似,其区别仅在于栅－源极间电压vGS=0时，耗尽型MOS管中的漏－源极间已有导电沟道产生，而增强型MOS管要在vGS≥VT时才出现导电沟道。原因是制造N沟道耗尽型MOS管时，在SiO2绝缘层中掺入了大量的碱金属正离子Na+或K+(制造P沟道耗尽型MOS管时掺入负离子)，如图1(a)所示，因此即使vGS=0时，在这些正离子产生的电场作用下，漏－源极间的P型衬底表面也能感应生成N沟道(称为初始沟道)，只要加上正向电压vDS，就有电流iD。如果加上正的vGS，栅极与N沟道间的电场将在沟道中吸引来更多的电子，沟道加宽，沟道电阻变小，iD增大。反之vGS为负时，沟道中感应的电子减少，沟道变窄，沟道电阻变大，iD减小。当vGS负向增加到某一数值时，导电沟道消失，iD趋于零，管子截止，故称为耗尽型。沟道消失时的栅-源电压称为夹断电压，仍用VP表示。与N沟道结型场效应管相同，N沟道耗尽型MOS管的夹断电压VP也为负值，但是，前者只能在vGS<0的情况下工作。而后者在vGS=0，vGS>0，VP<vGS<0的情况下均能实现对iD的控制，而且仍能保持栅-源极间有很大的绝缘电阻,使栅极电流为零。这是耗尽型MOS管的一个重要特点。

这个问题确实不会

N沟道的MOS管，Vgs越大，Ids电流越大。P沟道的MOS管，Vgs越大，Ids电流越小。如有帮助请采纳，手机则点击右上角的满意，谢谢！！

类似这样的问题我好像回答好多次了MOS依照其“通道”的极性不同，可分为"N"沟与‘p“沟的MOSFET，结构如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。功能要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。VP为夹断电压（ID=0）。耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS=0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS）；当VGS有电压时（可以是正电压或负电压），改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS，称为夹断电压。

过驱动电压Vod=Vgs-Vth。可以理解为：超过驱动门限（Vth）的剩余电压大小。1）只有在你的过驱动电压“大于零”的情况下，沟道才会形成，MOS管才会工作。也就是说，能够使用过驱动电压来判断晶体管是否导通。2）沟道电荷多少直接与过驱动电压二次方成正比。也就是说，能够使用过驱动电压来计算饱和区的电流。3）如果能够更加深入理解的话，可以领悟到过驱动电压不单单适用于指代Vgs，也适用于指代Vgd。即Vod1=Vgs-Vth；Vod2=Vds-Vth；如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。

P沟道的MOS管，当Vgs<Vgs(th)【其实是|Vgs|>|Vgs(th)|】时导通当Vds>Vgs-Vgs(th)时，工作在线性区当Vds<Vgs-Vgs(th)时，工作在饱和区【注意：这里的Vds是负数,Vds的绝对值大的时候是饱和的，Vds的绝对值太小就进入线性区了】一般在分析电路的时候，都是先算出Vgs，判断MOS管状态，再去求漏极电流的Id，当然做题之类的可能会先给漏极电流，再去算栅源电压，这种情况套公式就好了

一般制造商会给出MOSFET开启电压的阈值大概在2---4伏之间，有些的P沟通的管子开启电压Z在—3----—5v之间，你是要测得它的具体的开启电压，还是测得管子工作时的VGS呢，如果测开启电压你就慢慢在栅极加电压，使得ID迅速增大的点电压既是，一般ID会从几十或几百μ安培一下增加到几十毫安或几安培的。。。。。如果你要测得管子工作时的电压的话，要分两块，一个是静态的，一个是动态的，静态的是指，直流电压，每一个直流电压对应一个ID这个关系可以在MOSFET的输出特性上找到，而动态的是指交流电压的影响，这个和MOSFET的电导gfs有关的，要区分分看的。

MOS管的饱和与否，不是只看一个UGS参数，而是要与UDS结合起来看。如果不考虑击穿特性的话（也就是MOS管的第4个区，雪崩区也就是击穿区，这部分内容要参考《电力电子技术》），那么基本上可以认为，在图右边UGS曲线比较平缓的部分都是恒流区，顺着曲线往左边走，会有一个预夹断点，也就是Uds=Ugs-Ugs(th)，这个点就是可变电阻区和恒流区的分界线，过了这个点就可以认为是可变电阻区了。

首先，你的MOS管是耗尽型。因此当你的VGS电压为0V时，管子导通。一楼说错了，大家别学他。这个原理是：在制作管子的时候，导电沟已经做好了。当VGS有负电压时，即VGS小于0V，那么管子由导通开始慢慢变的截止。至于什么时候截止，看你的VGS电压是多少。比如VGS=-5V时，管子截止（具体参数看你用的这个MOS管数据手册）。

N沟道MOS管（一般源极接地），只要栅源电压Vgs>Vth（通常是0.7V左右），便可在栅极下面的P衬底形成N型沟道，将源极和漏极连在一起，成为导电通道；这时只要在漏极加上电压，便可形成电流，此时电流同时受Vgs和Vds控制；当Vgd＝Vgs－Vds＜Vth时，沟道在漏极夹断，管子进入饱和区，此时电流仅受Vgs控制（忽略沟道长度调制效应）；当漏源电压Vds太大时，会发生源漏穿通，即漏极和源极连在一起，相当于发生了击穿，此时会产生很大的电流。当栅源电压Vgs太大时，也会发生击穿，即栅氧化层被击穿，此时管子失效。

PMOS 管的VGS 同样也有正和负。MOS 管的VGS一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高VDS 的耐压承受力。比如说+12V 是开启MOS, -5V 是关闭MOS。是不是你对地的概念有困惑？

这里应该可以帮助你(有图片说明)http://bbs.emu618.com/thread-27130-1-1.htmlhttp://www.efgcw.com/bbs/viewthread.php?tid=52

你的锂电池电压多少？我上次用的是IRF540N，1A条件下一点问题都没有，当时做精密恒流源，可以控制到精度1mA。不过散热很重要，要有足够大的散热片和小风扇。电压有个3-5V就足够了。高电平驱动（其实就相当于PWM）。

只有当vGS≥VT时，才有沟道形成。沟道形成以后，在漏——源极间加上正向电压vDS，就有漏极电流产生。但是Vgs继续加大，比如IRFPS40N60K，Vgs=100V时，Vds=0和Vds=400V，两种情况下，对管子功能带来什么影响，若烧坏，原因和内部机理过程是怎样的呢?Vgs增大会减小Rds(on)减小开关损耗，但是同时会增大Qg，使得开启损耗变大，影响效率1)MOSFET 的GS 电压经Vgg 对Cgs 充电而上升，到达维持电压Vth，MOSFET 开始导电，2)MOSFET 的DS 电流增加，Millier 电容在该区间内因DS 电容的放电而放电，对GS 电容的充电影响不大;Qg=Cgs*Vgs, 但是电荷会持续积累。3)MOSFET 的DS 电压降至与Vgs 相同的电压，Millier 电容大大增加，外部驱动电压对Millier 电容进行充电，GS 电容的电压不变，Millier 电容上电压增加，而DS电容上的电压继续减小4)MOSFET 的DS 电压降至饱和导通时的电压，Millier 电容变小并和GS 电容一起由外部驱动电压充电，GS 电容的电压上升

管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采内用负电压，可以增容加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。在视频监控设备日益增多的今天，VGS在监控系统中的应用，必然更加有利于帮助用户快速掌控前端设备运行情况，轻松运维大型视频监控系统。它适用于公安、银行、交通、电力、监狱等各大建设有视频监控系统的领域。扩展资料：对各路视频信号进行自动检测，利用先进的自适应学习算法和计算机智能视觉技术，仿真人类的视觉系统，对视频设备出现的连通故障、画面偏色、干扰噪声、雪花噪声、信号缺失、清晰度故障、亮度故障、画面冻结、场景变换等故障以及故障严重程度做出准确诊断。同时，对故障原因进行智能分析，给出详尽的维修建议。系统根据诊断结果，自动分配运维工作，结合智能移动终端，快速定位查找故障设备位置，及时到达维修现场，并能跟踪运维事件的处理过程，及时反馈设备的维修情况。参考资料来源：百度百科-VGS

mos管中G代表栅极，S代表源极。电压是相对的，所以Vgs是栅极相对于源极的电压。

当Vgs>=Vth时形成反型层，在gate下产生一个电荷分布均匀的沟道（简单理解就是gate底下聚集了一层被吸上来的电子）。但是此时drain和source之间没有电势差，电荷不会自己移动。当Vds>0时，电子从source迁移到drain，产生由drain到source到电流。当Vds>Vgs-Vth时，gate和沟道之间的电势差=Vgs-Vds<Vth,不足以支持反型层（吸引电子），沟道从drain处开始夹断。具体可参考拉扎维《模拟CMOS集成电路设计》第二章。

pmos管的vgs同样也有正和负。mos管的vgs一般不常采用负电压关断，但是如果采用负电压，可以增加关断可靠性，还可以提高vds的耐压承受力。比如说+12v是开启mos，-5v是关闭mos。如果两种Vod都大于零，说明晶体管沟道全开，也就是处于线性区。只有一种Vod大于零，说明晶体管沟道半开（在DS任意一端没打开有夹断），也就是处于饱和区。扩展资料：当CMOS被使用来作数字影像器材的感光元件使用，称有源像素感测器（Active Pixel Sensor）， 例如高分辨率数字摄影机与数码相机，尤其是片幅规格较大的数码单反相机更常见到CMOS的应用。另外消费型数码相机及附有照相功能的手机亦开始使用堆叠式有源像素感测器，Stacked CMOS，也有人译为积层式有源像素感测器或堆栈式有源像素感测器。或背面照射式有源像素感测器(BSI CMOS)，使成像质量得以提升。 跟传统的电荷耦合元件(CCD)相比，由于CMOS每粒像素都设有放大器，所以数据传输速度很高。

AO4410 低开启电压 大电流 SOP-8封装

VT是场效应管起始导通的Vgs值，Vgs>VT就是导通的必要条件。

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Vds是MOS的漏极电压，Vgs是栅极电压，也称为阀值电压开启电压，是导通MOS管的一个值。

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PMOS管的Vgs和Vds各加什么样的电压正向还是反向？

关闭电压的最大值，就是最大-20V不会烧坏。是否导通看门限电压

VGS有个开启电压的呀

类似这样的问题我好像回答好多次了MOS依照其“通道”的极性不同，可分为"N"沟与‘p“沟的MOSFET，结构如图是典型平面N沟道增强型MOSFET的剖面图。它用一块P型硅半导体材料作衬底（图la），在其面上扩散了两个N型区（图lb），再在上面覆盖一层二氧化硅(SiO2）绝缘层（图1c），最后在N区上方用腐蚀的方法做成两个孔，用金属化的方法分别在绝缘层上及两个孔内做成三个电极：G(栅极）、S（源极）及D（漏极），如图1d所示。平面N沟道增强型MOSFET从图1中可以看出栅极G与漏极D及源极S是绝缘的，D与S之间有两个PN结。一般情况下，衬底与源极在内部连接在一起。功能要使增强型N沟道MOSFET工作，要在G、S之间加正电压VGS及在D、S之间加正电压VDS，则产生正向工作电流ID。改变VGS的电压可控制工作电流ID若先不接VGS（即VGS=0），在D与S极之间加一正电压VDS，漏极D与衬底之间的PN结处于反向，因此漏源之间不能导电。如果在栅极G与源极S之间加一电压VGS。此时可以将栅极与衬底看作电容器的两个极板，而氧化物绝缘层作为电容器的介质。当加上VGS时，在绝缘层和栅极界面上感应出正电荷，而在绝缘层和P型衬底界面上感应出负电荷。这层感应的负电荷和P型衬底中的多数载流子（空穴）的极性相反，所以称为“反型层”，这反型层有可能将漏与源的两N型区连接起来形成导电沟道。当VGS电压太低时，感应出来的负电荷较少，它将被P型衬底中的空穴中和，因此在这种情况时，漏源之间仍然无电流ID。当VGS增加到一定值时，其感应的负电荷把两个分离的N区沟通形成N沟道，这个临界电压称为开启电压（或称阈值电压、门限电压），用符号VT表示（一般规定在ID=10uA时的VGS作为VT）。当VGS继续增大，负电荷增加，导电沟道扩大，电阻降低，ID也随之增加，并且呈较好线性关系。因此在一定范围内可以认为，改变VGS来控制漏源之间的电阻，达到控制ID的作用。由于这种结构在VGS=0时，ID=0，称这种MOSFET为增强型。另一类MOSFET，在VGS=0时也有一定的ID（称为IDSS），这种MOSFET称为耗尽型。VP为夹断电压（ID=0）。耗尽型与增强型主要区别是在制造SiO2绝缘层中有大量的正离子，使在P型衬底的界面上感应出较多的负电荷，即在两个N型区中间的P型硅内形成一N型硅薄层而形成一导电沟道，所以在VGS=0时，有VDS作用时也有一定的ID(IDSS）；当VGS有电压时（可以是正电压或负电压），改变感应的负电荷数量，从而改变ID的大小。VP为ID=0时的-VGS，称为夹断电压。