电磁炉线路图中从IGBT，E脚串一个RKI，7mohm接地，这个RK|是什么？

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种双极型绝缘栅极可控硅，它是由一个N沟道场效应晶体管和一个P沟道场效应晶体管组成，其中N沟道晶体管的极性与P沟道晶体管的极性相反。IGBT的工作原理是，当IGBT的栅极电压达到一定的阈值时，IGBT的N沟道晶体管就会导通，此时IGBT就会从关断状态转变为导通状态，从而使IGBT的P沟道晶体管也导通，从而使IGBT的输出端电流增大，从而实现IGBT的功率控制。

igbt的结构和工作原理IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种半导体器件，它具有双极性（bipolar）和绝缘栅（insulatedgate），兼具MOSFET和BJT的优点。结构上，IGBT由p型晶体管（基极）、n型晶体管（源极）和绝缘栅（栅极）组成，栅极与p型晶体管电隔开，形成一个绝缘层。工作原理：当栅极通过电压控制，通过绝缘层对p型晶体管产生影响，改变p型晶体管的漏电流，从而影响n型晶体管导通。因此，IGBT可以充当开关，用于控制电流。

作用：IGBT在逆变器中的基本作用是做为高速无触点电子开关。工作原理：利用IGBT的开关原理，利用控制电路给予适当的开通、关断信号，IGBT就能根据你的控制信号将直流电变换成交流电，直流电转换成交流电后电压会降低，例如火车供电系统的600V直流就是将380V交流整流而成，IGBT逆变器驱动板的作用就是将这个过程的再还原。同时可以通过控制信号的脉宽调节来控制电流的大小，也可以控制交流频率，从而控制电机的转速。IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上。IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品，一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进，此类产品在市场上将越来越多见。

igbt驱动模块原理IGBT驱动模块是一种用于控制IGBT的电路，它可以控制IGBT的开关，从而控制IGBT的工作状态。IGBT驱动模块的原理是，通过控制IGBT的栅极电压，从而控制IGBT的开关。IGBT驱动模块通常由一个控制电路和一个功率电路组成，控制电路用于控制IGBT的栅极电压，功率电路用于提供IGBT的栅极电压。IGBT驱动模块的控制电路通常由一个控制器、一个变压器和一个可控硅组成，控制器用于控制可控硅的开关，变压器用于提供IGBT的栅极电压，可控硅用于控制IGBT的栅极电压。

0基础看懂igbt的工作原理：IGBT的工作原理是通过加正向栅极电压形成沟道,给PNP晶体管提供基极电流,使IGBT导通。IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由（Bipolar Junction Transistor，BJT）双极型三极管和绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor，MOS）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,。贸易战当前的背景下，先进的半导体芯片得到了越来越多的重视。作为半导体开关之一，IGBT是能量变换和传输的核心零件。有了IGBT这种开关，就可以通过电路设计和计算机控制，改变交流的频率，或者把交流变直流。

IGBT驱动模块是用于控制IGBT（绝缘双极型晶体管）的电子驱动器。它为IGBT提供所需的电压和电流，使IGBT在开关时能够迅速且顺利地改变其导通状态。IGBT驱动模块通常由以下几个部分组成：驱动电路：负责将控制信号转换为适合驱动IGBT的信号。电源电路：负责为IGBT提供所需的电压和电流。保护电路：负责监测IGBT的工作状态，并在发生故障时触发保护功能。当控制信号输入IGBT驱动模块时，驱动电路会将其转换为适合驱动IGBT的信号，然后将该信号输出到IGBT。电源电路会检测IGBT的工作状态，并根据需要调整电压和电流。保护电路则会监测IGBT的工作状态，并在发生故障时触发保护功能。希望这对您有帮助！

igbt整流原理IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）是一种双极型绝缘栅晶体管，它是由一个N沟道场效应晶体管和一个P沟道场效应晶体管组成的双极型晶体管。它的工作原理是，当IGBT的栅极电压达到一定的阈值时，IGBT就会从关断状态转变为导通状态，从而使IGBT的漏极电流增大，从而实现整流的功能。

你不知道吗我也不知道啊，这怎么办，百度一下吧

IGBT不一定要加负压，0V也可以关断，只是加负压关断更快，而且可以防止上下半桥相互影响，避免直通。比如上半桥开通时，下半桥的门极由于米勒电容的存在，会使门极电压抬升，且开通越快，抬升越高，当门极电压采用0V关断时，有可能抬升超过门槛电压Vgeth而使IGBT导通，此时就会发生上下直通，而如果是采用负压关断，因为下半桥在关断时门极电压是负的，比如-5V，那么抬升的部分跟负压相抵，很难抬升到门槛电压，就避免了上下直通的风险。另外，采用负压关断，关断时由于负压的存在，使得关断速度更快，可以减小关断损耗。

图1所示为一个N 沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+ 区称为源区，附于其上的电极称为源极。N+ 区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P 型区（包括P+ 和P 一区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（ Subchannel region ）。而在漏区另一侧的P+ 区称为漏注入区（ Drain injector ），它是IGBT 特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP 双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP 晶体管提供基极电流，使IGBT 导通。反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使IGBT 关断。IGBT 的驱动方法和MOSFET 基本相同，只需控制输入极N一沟道MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET 的沟道形成后，从P+ 基极注入到N 一层的空穴（少子），对N 一层进行电导调制，减小N 一层的电阻，使IGBT 在高电压时，也具有低的通态电压。

逆变器是由直流变交流的

IGBT管是有MOS管（场效应管）和双极型达林顿管结合而成。普通的场效应管仅需微弱的驱动电压即可工作，但工作在高电压和大电流状态时，因为内阻较大，管子发热很快，难以长时间在高电压和大电流状态下工作。大功率的达林顿管虽然可以在高电压和大电流状态下长时间工作，但需要较大的驱动电流。将场效应管做为推动管，大功率达林顿管作为输出管。这样两者优点有机的结合成现在的IGBT管，功率达1000W以上。IGBT管有：P型、N型，有带阻尼的和无阻尼的。常见的IGBT管的管脚排列，将管脚朝下，标型号面朝自己，从左到右数，1脚：栅极或称门极（G），2脚：集电极（c），3脚：发射极（e）。测量前将3个脚短路一下（放电），用指针表1K档正反测量Gc、Ge两极阻值均为无穷大，红笔接c极，黑笔接e极，若所测值3.5K左右，则管内含阻尼二极管，若所测值50K左右，则不带阻尼。若测3脚间电阻均很小或均为无穷大则管已损坏。IGBT管是电磁炉常用的管，找张电磁炉电路图看一看。根普通的场效应管应用差不多。

igbt升压斩波电路工作原理方法如下：1、输出电压高于电源电压，故称该电路为升压斩波电路。Y/t，1off；2、将升压比的倒数记作，即和导通占空比为11，UEE（3）o，1关系。

IGBT在逆变电路中起一个开关控制作用，根据需要，工作在导通和关断状态。IGBT本身是一个场效应管和三极管复合的管子，可以用电压来控制电流。

igbt就是闸，门可以通过gate端的电压控制，gate端比发射端（emitterelectrode）高15v了，闸门就打开。单相4个门的话，左上角和右下角的开关同时开，电就会正向流过负载，另外两个同时开就会反向。正反正反交替就成了方波了。下面两个管子的发射端是连在一起的，只需要一个15v的驱动电源。上面两个管子的发射端通向负载是变动的，需要各有一个15v的驱动电源。所以单相4个门需要3个电压驱动。

　　工作原理: 　　1、PWM控制技术在逆变电路中应用最广，应用的逆变电路绝大部分是PWM型，PWM控制技术正是有赖于在逆变电路中的应用，才确定了它在电力电子技术中的重要地位。1 PWM控制的基本原理的理论基础： 冲量相等而形状不同； 　　2、PWM控制的基本原理很早就已经提出，但是受电力电子器件发展水平的制约，在上世纪80年代以前一直未能实现。直到进入上世纪80年代，随着全控型电力电子器件的出现和迅速发展，PWM控制技术才真正得到应用。随着电力电子技术，微电子技术和自动控制。

电源电路通常是由整流电路、滤波电路和稳压电路组成的，220V的交流电压通过电源插头送到变压器的初级线圈，再感应到次级线圈，次级线圈两端得到较低的交流电压，该电压经二极管桥式整流电路转换成直流电压并送到滤波电路，滤波电路对送来的有波动的直流电压进行平滑处理，经IGBT组成的直流斩波电路然后送到稳压电路进行稳压，结果稳压电路输出很稳定的直流电压供给负载，使负载在稳定的电压下正常工作。由于CW494内部有两个放大器，很容易实现电压负反馈，并且为了实现限流保护，可采用电流截止反馈，加入继电器，过电流时可切断主电路，IGBT栅极由CW494集成脉宽调制器对主电路进行控制，从而使该系统调压调速。

pwm高电平的时候，igbt导通，pwm低电平的时候，igbt截至。利用导通和截至分别给后面的电感和电容充电，这样既可以实现降压或者升压。具体的连接电路你可以搜下百度：burk电路降压电路boost升压电路。资料很多。

原理：IGBT的等效电路如图1所示。从图1可以看出，如果在IGBT的栅极和发射极之间施加一个驱动正电压，MOSFET将导通，使得PNP晶体管的集电极和基极处于低阻状态，晶体管将导通。如果IGBT的栅极和发射极之间的电压为0V，则MOSFET关断，切断PNP晶体管基极电流的供应，从而晶体管关断。因此，IGBT的安全性和可靠性主要取决于以下几个因素：——IGBT的栅极和发射极之间的电压；3354的集电极和发射极之间的电压；3354流过IGBT集电极-发射极的电流；——IGBT的结温。如果IGBT的栅极和发射极之间的电压，即驱动电压太低，IGBT就不能稳定正常工作，如果太高，就可能永久损坏。同样，如果施加在IGBT集电极和发射极上的允许电压超过了集电极和发射极之间的耐受电压，流过IGBT集电极和发射极的电流超过了集电极和发射极允许的最大电流，IGBT的结温超过了其结温的允许值，IGBT就可能永久损坏。IGBT具体怎么工作IGBT控制电路1的工作原理。PCB1(主控板)对IGBT逆变器模块的控制信号由脉冲宽度调制电路(PCM PFM)输出，周期为50微秒，脉冲宽度可调，定时相差180度。如果用万用表DVC档进行测量，可以测出DC电压值。2.PCB2板(驱动板)为IGBT逆变器模块的驱动电路产生四个(全桥)隔离驱动信号。PCB1控制周期、脉宽和时序，分别驱动四个IGBT单元的开启和关闭。用万用表DCV测量时，先测得一个负电势，延迟一段时间后再测得一个大于这个负电势的电压。注意：不能用双通道示波器同时测量两个驱动信号。3.IGBT模块逆变电路IGBT模块和主变压器组成的逆变电路由滤波后的直流电组成，IGBT模块内部的大功率场效应晶体管由控制信号交替导通，逆变器输出为交流电(20KHZ)。主变压器降压后，在副边输出一个高频电压(70V)的交流电，再由后续的整流电路转换成70V左右的直流电。如果此电路有故障，请重点检查IGBT的性能和是否被击穿损坏，PCB3板的铜箔线是否被腐蚀或烧坏。希望你能理解并采纳。IGBT管在逆变器驱动板上的作用和工作原理有哪些？功能：IGBT在逆变器中的基本功能是做一个高速无触点电子开关。工作原理：利用IGBT的开关原理，IGBT可以根据你的控制信号，利用控制电路给出适当的通断信号，将DC转换成交流电，DC转换成交流电后电压会降低。比如列车供电系统的600V DC由380V交流电整流而来，IGBT逆变驱动板的作用就是还原这个过程。同时可以通过调节控制信号的脉宽来控制电流，也可以控制交流频率，从而控制电机的转速。IGBT模块是一种模块化的半导体产品，由IGBT(绝缘栅双极晶体管芯片)和FWD(二极管芯片)通过特定的电路桥封装而成。封装后的IGBT模块直接应用于逆变器、UPS等设备。IGBT模块具有节能、安装维护方便、散热稳定等特点。目前，这些模块化产品大多在市场上销售。一般来说，IGBT也指IGBT模块。随着节能环保的推广，这类产品在市场上会越来越常见。IGBT逆变器工作原理是什么？IGBT的工作原理：以DC电路逆变为单相交流电路为例：用四个IGBT代替全桥整流电路的四个二极管，不同的是IGBT的导通可以通过控制它们的基极来实现。如果从上到下排列四个IGBT，从左到右的顺序是V1、V2、V3、V4；其中V1和V2串联，V3和V4串联，V1和V2与V3和V4并联，V1和V3的集电极接DC正极，V2和V4的发射极接DC负极，所以四个IGBT的导通顺序设置为：V1和V4同时导通， V2和V3同时关闭-V2和V3同时打开，V1和V4同时打开，V2和V3同时关闭。 如此反复，就可以实现

可控硅就是晶闸管，半导体开关。MOSFET绝缘栅极场效晶体管，驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。igbt绝缘栅双极型晶体管，综合了GTR饱和压降低，载流密度大的特点和MOSFET的特点。不难看出都是用于电子开关的器件，应用场合不同时，有时会存在很大优势

　　IGBT（绝缘栅双极型晶体管），是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。　IGBT的工作原理和作用通俗易懂版：　　IGBT就是一个开关，非通即断，如何控制他的通还是断，就是靠的是栅源极的电压，当栅源极加+12V（大于6V，一般取12V到15V）时IGBT导通，栅源极不加电压或者是加负压时，IGBT关断，加负压就是为了可靠关断。　　IGBT没有放大电压的功能，导通时可以看做导线，断开时当做开路。　　IGBT有三个端子，分别是G，D，S，在G和S两端加上电压后，内部的电子发生转移（半导体材料的特点，这也是为什么用半导体材料做电力电子开关的原因），本来是正离子和负离子一一对应，半导体材料呈中性，但是加上电压后，电子在电压的作用下，累积到一边，形成了一层导电沟道，因为电子是可以导电的，变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压，这层导电的沟道就消失了，就不可以导电了，变成了绝缘体。

IGBT关断时，由于漏感L的存在，会引起电压尖峰V=Ldi/dt，在IGBT管中并联阻容吸收电路，可以吸收电压尖峰，防止IGBT过压击穿；电容吸收的能量在IGBT导通的时候被释放掉，如此循环。

就是利用电容器两端电压不能突变的原理，吸收瞬间过电压，实现过压保护。

双IGBT模块，做为三相逆变输出的一相，三个此模块构成变频器输出开关元件。1是输出端，2接母线负，3接母线正。4-5和6-7接信号驱动电路。

1.IGBT开关的基础知识 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅极型功率管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式电力电子器件。 应用于交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。 由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率MOSFET器件大幅度改进了RDS(on)特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。 较低的压降，转换成一个低VCE(sat)的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。IGBT基本结构见图1中的纵剖面图及等效电路。导通 IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图1），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。 基片的应用在管体的P+和N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率MOSFET的方式产生一股电流。 如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流（MOSFET 电流）； 空穴电流（双极）。 关断 当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。 这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。 鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的，尾流特性与VCE、IC和 TC之间的关系如图2所示。 反向阻断 当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。 另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的压降高的原因。 正向阻断 当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。 闩锁 IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。 这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。 通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别： 当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。 这一特殊现象严重地限制了安全操作区 。 为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。 因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1:5。 正向导通特性 在通态中，IGBT可以按照“第一近似”和功率MOSFET驱动的PNP晶体管建模。 图3所示是理解器件在工作时的物理特性所需的结构元件（寄生元件不考虑在内）。 如图所示，IC是VCE的一个函数（静态特性），假如阴极和阳极之间的压降不超过0.7V，即使栅信号让MOSFET沟道形成（如图所示），集电极电流IC也无法流通。 当沟道上的电压大于VGE -Vth 时，电流处于饱和状态，输出电阻无限大。由于IGBT结构中含有一个双极MOSFET和一个功率MOSFET，因此，它的温度特性取决于在属性上具有对比性的两个器件的净效率。 功率MOSFET的温度系数是正的，而双极的温度系数则是负的。本图描述了VCE(sat) 作为一个集电极电流的函数在不同结温时的变化情况。 当必须并联两个以上的设备时，这个问题变得十分重要，而且只能按照对应某一电流率的VCE(sat)选择一个并联设备来解决问题。有时候，用一个。 2.电力电子技术试题GTOGTRMOSFETIGBT四种 IGBT：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET，电压，电流容量不及GTO; GTR：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题； GTO：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强 电流关断增益很小，关断时门极负脉冲电流大，开关速度低，驱动功率大，驱动电路复杂，开关频率低； MOSFET：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题 电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过10kW的电力电子装置。 3.请教几个物理的常识性问题 1.电磁波频率的单位是Hz，常用的单位还有（kHz ）和（MHz ）。 2.某款手机有三个频段，其中有个频段的频率为300MHz，那么该频段电磁波的波长为（300000/300000000=0.001 ）m。 3.小华在某网站注册了一个电子邮箱，电子邮箱的地址是：xiao123@wuhan.edu，这表示这个电子邮箱的用户名是（xiao123），邮箱服务器名叫（wuhan），其中“edu”表示该服务器属于（教育 ）. 2.某款手机有三个频段，其中有个频段的频率为300MHz，那么该频段电磁波的波长为（300000000/300000000=1）m。 4.请教几个常识性的问题 晕死，白写哪么多，重新写过1：小红伞的更新分为病毒库更新和组件更新，病毒库的更新是支持跨版本的，比如7.0到9.0用的都是同一个病毒库。 但是组件从7.0可以升级到8.0，但是从8.0到9.0是不能直接升级的，需要下载安装文件。关于病毒库的使用期限，可以查看病毒的更新信息： 20081027_0000 7.5.0.1 就知道病毒库使用的最低的引擎是7.5.0.1，所以使用是有期限的。 2：离线包每天都有更新。但是一天更新几次不得而知这是几天更新新包的MD5值，就可以知道了5be632570fb76793464cf5a34fbf3b1e ivdf_fusebundle_nt_en0319.zip7fcb6987690b08e23e1e0e8914f28521 ivdf_fusebundle_nt_en0320.zip7646957ef44ed7221969c0a051447d32 ivdf_fusebundle_nt_en0321.zip4fab5ea525c1e26966a37eee31b6b732 ivdf_fusebundle_nt_en0322.zip5843f83e6207b6c11de40b3187182258 ivdf_fusebundle_nt_en0323.zip337b371aa01accb7269fd953540ea857 ivdf_fusebundle_nt_en0324.zip3e3624328855c3a3414e8da627b1e2b5 ivdf_fusebundle_nt_en0325.zipa716675173a14999e6bf8afbc10410bc ivdf_fusebundle_nt_en0326.zip47c6fc1eccb8b972c4d670e063a5e0ad ivdf_fusebundle_nt_en0327.zipf651a2e51a062e24d33024df0767a560 ivdf_fusebundle_nt_en0328.zip9d1a26a9d040d61f28c908c575612d78 ivdf_fusebundle_nt_en0330.zip850772faf7292b27e30382ec37bf0c22 ivdf_fusebundle_nt_en0331.zipd0d2e0bf82a5f8fe6a9c3d5e5fa278da ivdf_fusebundle_nt_en.zip这里的0331是0330日的，其它的类推3：这个就看离线病毒库的更新频率的，小红伞在线每天更新三到八次左右。 我想应该差不了太多。[]。 5.常识性的问题 1.早期函数概念——几何观念下的函数 十七世纪伽俐略（G.Galileo，意，1564-1642）在《两门新科学》一书中，几乎全部包含函数或称为变量关系的这一概念，用文字和比例的语言表达函数的关系。1673年前后笛卡尔（Descartes，法，1596-1650）在他的解析几何中，已注意到一个变量对另一个变量的依赖关系，但因当时尚未意识到要提炼函数概念，因此直到17世纪后期牛顿、莱布尼兹建立微积分时还没有人明确函数的一般意义，大部分函数是被当作曲线来研究的。 1673年，莱布尼兹首次使用“function” （函数）表示“幂”，后来他用该词表示曲线上点的横坐标、纵坐标、切线长等曲线上点的有关几何量。与此同时，牛顿在微积分的讨论中，使用 “流量”来表示变量间的关系。 2.十八世纪函数概念──代数观念下的函数 1718年约翰u2022贝努利（Bernoulli Johann，瑞，1667-1748）在莱布尼兹函数概念的基础上对函数概念进行了定义：“由任一变量和常数的任一形式所构成的量。”他的意思是凡变量x和常量构成的式子都叫做x的函数，并强调函数要用公式来表示。 1755，欧拉（L.Euler，瑞士，1707-1783） 把函数定义为“如果某些变量，以某一种方式依赖于另一些变量，即当后面这些变量变化时，前面这些变量也随着变化，我们把前面的变量称为后面变量的函数。” 18世纪中叶欧拉（L.Euler，瑞，1707-1783）给出了定义：“一个变量的函数是由这个变量和一些数即常数以任何方式组成的解析表达式。”他把约翰u2022贝努利给出的函数定义称为解析函数，并进一步把它区分为代数函数和超越函数，还考虑了“随意函数”。不难看出，欧拉给出的函数定义比约翰u2022贝努利的定义更普遍、更具有广泛意义。 3.十九世纪函数概念──对应关系下的函数 1821年，柯西（Cauchy，法，1789-1857） 从定义变量起给出了定义：“在某些变数间存在着一定的关系，当一经给定其中某一变数的值，其他变数的值可随着而确定时，则将最初的变数叫自变量，其他各变数叫做函数。”在柯西的定义中，首先出现了自变量一词，同时指出对函数来说不一定要有解析表达式。不过他仍然认为函数关系可以用多个解析式来表示，这是一个很大的局限。 1822年傅里叶（Fourier，法国，1768——1830）发现某些函数也已用曲线表示，也可以用一个式子表示，或用多个式子表示，从而结束了函数概念是否以唯一一个式子表示的争论，把对函数的认识又推进了一个新层次。 1837年狄利克雷（Dirichlet，德，1805-1859） 突破了这一局限，认为怎样去建立x与y之间的关系无关紧要，他拓广了函数概念，指出：“对于在某区间上的每一个确定的x值，y都有一个或多个确定的值，那么y叫做x的函数。”这个定义避免了函数定义中对依赖关系的描述，以清晰的方式被所有数学家接受。这就是人们常说的经典函数定义。 等到康托（Cantor，德，1845-1918）创立的 *** 论在数学中占有重要地位之后，维布伦（Veblen，美，1880-1960）用“ *** ”和“对应”的概念给出了近代函数定义，通过 *** 概念把函数的对应关系、定义域及值域进一步具体化了，且打破了“变量是数”的极限，变量可以是数，也可以是其它对象。 4.现代函数概念── *** 论下的函数 1914年豪斯道夫（F.Hausdorff）在《 *** 论纲要》中用不明确的概念“序偶”来定义函数，其避开了意义不明确的“变量”、“对应”概念。库拉托夫斯基（Kuratowski）于1921年用 *** 概念来定义“序偶”使豪斯道夫的定义很严谨了。 1930 年新的现代函数定义为“若对 *** M的任意元素x，总有 *** N确定的元素y与之对应，则称在 *** M上定义一个函数，记为y=f(x)。元素x称为自变元，元素y称为因变元。” 术语函数，映射，对应，变换通常都有同一个意思。 但函数只表示数与数之间的对应关系，映射还可表示点与点之间，图形之间等的对应关系。可以说函数包含于映射。 6.求IGBT的工作原理和工作特性 IGBT 的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给 PNP 晶体管提供基极电流，使 IGBT 导通。 反之，加反向门极电压消除沟道，流过反向基极电流，使 IGBT 关断。 IGBT 的驱动方法和 MOSFET 基本相同，只需控制输入极 N 一沟道 MOSFET ，所以具有高输入阻抗特性。 当 MOSFET 的沟道形成后，从 P+ 基极注入到 N 一层的空穴（少子），对 N 一层进行电导调制，减小 N 一层的电阻，使 IGBT 在高电压 时，也具有低的通态电压。 IGBT 的工作特性包括静态和动态两类： 1 .静态特性 IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和 开关特性。 IGBT 的伏安特性是指以栅源电压 Ugs 为参变量时，漏极电流与 栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压 Ugs 的控 制， Ugs 越高， Id 越大。 它与 GTR 的输出特性相似.也可分为饱和 区 1 、放大区 2 和击穿特性 3 部分。 在截止状态下的 IGBT ，正向电 压由 J2 结承担，反向电压由 J1 结承担。 如果无 N+ 缓冲区，则正反 向阻断电压可以做到同样水平，加入 N+ 缓冲区后，反向关断电压只 能达到几十伏水平，因此限制了 IGBT 的某些应用范围。 IGBT 的转移特性是指输出漏极电流 Id 与栅源电压 Ugs 之间的 关系曲线。 它与 MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电 压 Ugs(th) 时， IGBT 处于关断状态。在 IGBT 导通后的大部分漏极电 流范围内， Id 与 Ugs 呈线性关系。 最高栅源电压受最大漏极电流限 制，其最佳值一般取为 15V 左右。 IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。 IGBT 处于导通态时，由于它的 PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其 B 值 极低。 尽管等效电路为达林顿结构，但流过 MOSFET 的电流成为 IGBT 总电流的主要部分。 此时，通态电压 Uds(on) 可用下式表示 Uds(on) = Uj1 + Udr + IdRoh ( 2 - 14 ) 式中 Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为 0。 7 ~ IV ; Udr ——扩展电阻 Rdr 上的压降； Roh ——沟道电阻。 通态电流 Ids 可用下式表示： Ids=(1+Bpnp)Imos (2 - 15 ) 式中 Imos ——流过 MOSFET 的电流。 由于 N+ 区存在电导调制效应，所以 IGBT 的通态压降小，耐压 1000V 的 IGBT 通态压降为 2 ~ 3V 。 IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。 2 .动态特性 IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为 MOSFET 来运行的，只是在漏源电压 Uds 下降过程后期， PNP 晶体 管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。 td(on) 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间 ton 即为 td (on) tri 之和。 漏源电压的下降时间由 tfe1 和 tfe2 组成，如图 2 - 58 所示 IGBT 在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。 因为 MOSFET 关断后， PNP 晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间， td(off) 为关断延迟时间， trv 为电压 Uds(f) 的上升时间。 实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间 Tf 由图 2 - 59 中的 t(f1) 和 t(f2) 两段组成，而漏极电流的关断时间 t(off)=td(off)+trv 十 t(f) ( 2 - 16 ) 式中， td(off) 与 trv 之和又称为存储时间。 。

1）首先明确直流电和交流电的定义： 电流方向一定的是直流电；电流方向交变的是交流电。2）用直流电路逆变为单相交流电路为例：将全桥整流电路的4个二极管换为4个IGBT，区别在于IGBT的导通可以通过控制其基极实现。假如4个IGBT从上到下，从左到右的排列顺序为V1，V2，V3，V4;其中V1、V2串联，V3、V4串联，V1和V2与V3和V4并联，V1和V3集电极接直流正，V2和V4发射极接直流负，那么设置4个IGBT的导通顺序为；V1、V4同时导通，V2、V3同时关闭----》V2、V3同时导通，V1、V4同时关闭----》V1、V4同时导通，V2、V3同时关闭。。。。如此反复下去，即可实现直流逆变为交流的过程。

IGBT 简介：

IGBT简单说就是实现逆变功能，把直流电变成可控的交流电！IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor(绝缘栅双极型晶体管)的缩写，IGBT是由MOSFET和双极型晶体管复合而成的一种器件，其输入极为MOSFET，输出极为PNP晶体管，它融和了这两种器件的优点，既具有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的优点，又具有双极型器件饱和压降低而容量大的优点，其频率特性介于MOSFET与功率晶体管之间，可正常工作于几十kHz频率范围内，在较高频率的大、中功率应用中占据了主导地位。

简单来说就是将IGBT当作电子开关，将直流电压通过PWM等方式变为一系列方波，其效果等效为需要输出的交流电压（即进行傅里叶分解后，基波与交流电压有效值相等）

IGBT不一定要加负压，0V也可以关断，只是加负压关断更快，而且可以防止上下半桥相互影响，避免直通。比如上半桥开通时，下半桥的门极由于米勒电容的存在，会使门极电压抬升，且开通越快，抬升越高，当门极电压采用0V关断时，有可能抬升超过门槛电压Vgeth而使IGBT导通，此时就会发生上下直通，而如果是采用负压关断，因为下半桥在关断时门极电压是负的，比如-5V，那么抬升的部分跟负压相抵，很难抬升到门槛电压，就避免了上下直通的风险。另外，采用负压关断，关断时由于负压的存在，使得关断速度更快，可以减小关断损耗。

工作

IGBT就是闸，门可以通过gate端的电压控制，gate端比发射端（emitter electrode） 高15v了，闸门就打开。单相4个门的话，左上角和右下角的开关同时开，电就会正向流过负载，另外两个同时开就会反向。正反正反交替就成了方波了。下面两个管子的发射端是连在一起的，只需要一个15v的驱动电源。上面两个管子的发射端通向负载是变动的，需要各有一个15v的驱动电源。所以单相4个门需要3个电压驱动。

igbt逆变器工作原理:用直流电路逆变为单相交流电路为例：将全桥整流电路的4个二极管换为4个igbt，区别在于igbt的导通可以通过控制其基极实现。假如4个igbt从上到下，从左到右的排列顺序为v1，v2，v3，v4;其中v1、v2串联，v3、v4串联，v1和v2与v3和v4并联，v1和v3集电极接直流正，v2和v4发射极接直流负，那么设置4个igbt的导通顺序为；v1、v4同时导通，v2、v3同时关闭----》v2、v3同时导通，v1、v4同时关闭----》v1、v4同时导通，v2、v3同时关闭。如此反复下去，即可实现直流逆变为交流的过程。

IGBT为电磁炉电路控制核心元器件，使用温度为小于85℃。美的电磁炉所使用的IGBT器件，主要品牌为德国西门子。作用：IGBT在电路中相当于一个高频开关管。电磁炉线盘和电容产生振荡到截止的时候会有一个很高的脉冲，这个二极管就是用来阻止这个电压损坏功率管的

IGBT K25T120 一个大功率场效应管，工作电流25A,源极和漏极击穿电压1200V，一般用在电磁炉上，并联一个反向二极管的是源极和漏极，只有这两个极可以测到二极管的正反导通，另外一极叫控制极，它和源极，漏极是不能通的，并联二极管是保护作用，防止负载感应电源击穿管子。楼上说的也对。

汽车副水箱是怎样的工作原理 它的作用原来这么大 当然大 大车发动机温度高 膨胀 有压力就会往备水壶里供水 冷却了收缩 直接把备水壶水抽回水箱里 太阳能副水箱的工作原理 副水箱是以前太阳能自动上水用的，就是里面有个浮球阀控制水位。现在都不用了，有电子自动水位计控制水位。 汽车水箱的工作原理 机动车水箱是为了保障引擎在正常温度下工作的冷却系统，简单点说，水箱上下各有进出水管与引擎相接，引擎内装有水泵，为冷却水提供动力而回圈，冷却水一般经引擎容易产生高热的部位带走高温来确保引擎在正常温度下工作，再来说水箱，高温水流经水泵动力推动流进水箱上介面进入，水箱设有如百叶窗冷却后经下水管再流入引擎内部回圈，在水箱百叶窗后有风扇送风进行冷却。加上可以调节水温的其他装置用来确保引擎的正常工作。供你参考。 汽车刮水器的工作原理是怎样的 汽车刮水器结合了两种机械技术： 一是通过电动机和减速蜗轮为刮水器提供动力。 二是通过连杆机构使电动机带动刮水器。 汽车刮水器的电动机和减速齿轮： 要让刮水片在挡风玻璃上来回快速移动，需要很大的动力。 为了产生这种动力，设计人员在小电动机的输出端使用了蜗轮。 蜗杆减速齿轮可以使电动机的扭矩增大约50倍，同时使电动机的输出速度降低50倍。 减速齿轮输出的动力操纵著连杆机构来回移动刮水器。 电动机/齿轮总成内部是一个能够感应刮水器下止位的电路。 该电路向刮水器提供电源，当刮水器停在挡风玻璃底部时，它才切断电动机电源。 此电路还能根据刮水器间歇性设定，使刮水器在刮水过程中短暂停顿。 汽车刮水器的连杆机构： 减速齿轮的输出轴上连线著一个短凸轴。 此凸轴随着刮水器电动机的转动而旋转。 凸轴与一个长杆相连;当凸轴旋转时，会驱使长杆来回运动。 此长杆又与一个短杆相连，并由后者驱动驾驶员侧的刮水片。 另一个长杆从驾驶员侧向乘客侧刮水片传送动力。 刮水片就如同橡胶扫帚。 刮水器摇臂拖着一个薄薄的橡胶条擦过挡风玻璃，清除积水。 新刮水片的橡胶条很干净，没有裂缝。 它在擦除积水后，不会留下任何条痕。 随着刮水片的老化，橡胶条上会出现裂缝，这样路上的尘垢会在橡胶条边上积聚，使之不能再与车窗紧密接触，因此会在擦拭过程中留下条痕。 有时，通过用浸有车窗清洁剂的溼布擦拭刮水片边缘，清除上面的污垢，可适当延长刮水片的使用寿命。 无条痕操作的另一个关键是让橡胶刮水片均匀受力。 在设计上，虽然刮水片只通过中间的一个点与摇臂相连，但是该点上又分出了多个树状支架，因此刮水片实际上有六到八个连线点。 如果这些支架上结了冰或有了积雪，会使压力分布不均，导致刮水片下面出现条痕。 有些刮水器制造商生产了专门在冬季使用的刮水片，这种刮水片在支架总成上套有一层橡皮套，可防止冰雪附着。 IGBT 它的工作原理又是怎样？ IGBT工作原理：采用IGBT逆变电源技术交流→直流→交流→直流，50Hz交流电经全桥整流变成直流，由IGBT组成的PWM高频交换部分将直流电逆变成20Hz的高频矩形波，经非晶高频变压器耦合、整流滤波后形成稳定的直流电源。数字微处理器作为脉冲宽度调制（PWM）的相关控制器通过对功率自动补偿跟踪控制，对输出电流、电压做多引数、多资讯提取与分析，达到提前对输出补偿和调整，使输出的电流、电压始终处于饱和状态，解决了以往线绕变压器，因电流、电压不稳定，输出功率不足的难题。 汽车活塞的工作原理是怎样的？ 柴油还汽油 汽车火花塞的工作原理是怎样的?起什么作用? 火花塞由以下几部分构成：1、接线螺母;2、中央电极;3、接地电极;4、金属壳体;5、绝缘体。 火花塞的工作原理： 火花塞上的接地电极与金属壳体连线，通过汽缸盖螺纹连线连线到发动机缸体上。绝缘体主要起到隔离金属壳体及中央电极的作用。接线螺母是火花塞上与高压线圈接触的部分，电流通过接线螺母和中央电极后，击穿中央电极与接地电极间的介质产生火花，从而点燃气缸中的混合气。 火花塞的作用： 汽油发动机与柴油发动机不一样，由于汽油的燃点较高(约400度左右)，因而需要使用强制点火方式点燃混合气。通过电极之间的放电现象产生火花，汽油发动机是通过燃料和混合气体的适时燃烧使之产生动力，但是作为燃料的汽油即使处于高温环境下也很难自燃，要想使其适时燃烧有必要用“火”来点燃。这里说的火花点火便是“火花塞”的作用。 具体过程： 1、火花 在火花塞的中心电极和接地电极之间施加由点火装置所产生的高电压，由此电极间的绝缘状态被破坏而产生电流，放电生成电火花。 火花能量决定能否使压缩混合气体点火爆发。 放电现象是在极短时间内(约千分之一秒)完成的，且极为复杂。 火花塞所的作用就是必须在规定的时间内使电极之间切实产生强火花，成为混合气燃烧的始点。 2、 着火 由电火花所引起的点火是通过电极之间的火花放电而使燃烧粒子活性化，产生化学反应(酸性)，并发生热效应，最终形成火焰核。该热能使其周围的混合气活性化，最终形成以自身燃烧为中心向周边扩大的火焰核。 急！求高手回答！汽车初级线圈的工作原理？和次级线圈的工作原理？还有它的作用与怎么样去检测？ 作用 是 产生 能使火花塞 击穿 空气的 高压电 。 几万V 检测 初级 和 次级 的 电阻 。 看是否 断路 短路 。冷热 状态 下的 电阻要 符合 维修手册 原理 给 初级 线圈 通电的 时候， 初级 以 磁场的 能量方式 储存起来， 当 瞬间断开时。 就在 次级 产生 高压 。

斩波器是一种把一定形式的直流电压变换成负载所需的直流电压的变流装置。它通过周期性地快速开通、关断，把输入电压斩成一系列的脉冲电压，改变脉冲列的脉冲宽度或频率可以调节输出电压的平均值，因此，斩波器的基本作用是进行直流电压的变换，即调压作用。IGBT是全控型功率器件是通过改变门极驱动电压（脉冲宽度）来控制IGBT的开关改变直流电机上的平均电压。实现调速，用本装置可代替原有的（电阻，可控硅，晶闸管）调速装置，具有节约电能的优点外还有以下特点。1:IGBT是一种电压控制器件-种电压控制器件，具有自关断功能，不存在晶闸管装置可能的“失控现象”。2：IGBT的开关速度快，开关频率可达几十千KHz,因而可大大减小了滤波电容电感，减小了体积重量，免去了换流电感和电容，电流纹波小，3：该机具有完善的过滤，过压，过温等保护功能。4：本机具有软启动功能，启动平稳调速均匀，深受用户喜爱。

IGBT管可以看作由MOSFET和PNP晶体管组成，一般用在高频电源里，是通过MOSFET的G点上加一个正向电压时，MOSFET导通，给PNP晶体管提供一个基级电流，使IGBT导通。

正确。ZX7是逆变手工焊，后面的数字代表最大输出电流。简单说就整流-逆变-整流-电抗器-输出

电磁炉是一种新型的高效节能炉具，它采用了IGBT技术，使得炉内的电流可以快速变化，从而达到加热材料的效果。但是有时候，电磁炉会出现IGBT烧坏的情况，这是为什么呢？首先，我们需要了解IGBT的原理。IGBT，即晶闸管-场效应晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor），是一种半导体器件，它具有高电压、大电流、低开关损耗等优点。在电磁炉中，IGBT被用来控制电流，从而控制加热功率，因此它是电磁炉的核心部件。但是，这种器件也存在一些问题，导致烧坏的原因有以下三点：1.过电压：在电磁炉的加热过程中，如果电压突然上升或者电流突然增大，就会导致IGBT承受过大的电压或电流，从而烧坏。这种情况通常是由于过电压保护失效或者变压器等其他器件故障引起的。2.过温度：IGBT器件的工作温度一般在80℃-100℃之间，如果超过这个温度，就会导致器件烧坏。因此，电磁炉在使用时要注意散热，避免长时间高功率工作。3.过载：在电磁炉的使用中，如果负载过大，就会导致IGBT承受过大的电流，从而烧坏。总的来说，电磁炉IGBT烧坏的原因主要有三点，即过电压、过温度和过载。使用时需注意避免这些情况的出现，从而保证电磁炉的正常使用和寿命。

IGBT管是绝缘栅双极型晶体管，是小电压控制大电流的晶体管器件，对绝缘栅极的控制信号要求用脉冲信号，并且脉冲的上升沿和下降沿要越陡越好，这样能降低IGBT的自身功耗。IGBT广泛应用于开关电源、变频器、逆变器等的功率器件。

随着时代的发展，生活水平的不断提高，大家越来越意识到维护生态平衡、保护环境是关系到人类生存与 社会 发展的根本性问题。而我们每日呼吸的空气却深受 汽车 尾气排放的影响造成了特别严重的污染。因此节能减排、降低能源依赖性逐渐成为国际 汽车 工业和环保工业的发展趋势，同时中国政府近几年制定了相应的节能与新能源 汽车 发展战略。 新能源 汽车 中IGBT的具体应用有哪几方面？ 新能源 汽车 作为发展可替代性能源，是建设可持续发展低碳 社会 的重要一环，并且越来越受到世界各国的高度重视。那么IGBT在新能源 汽车 中又是如何具体发挥其作用，下面就由我带领大家一起来了解一下吧。 IGBT主要应用于电动 汽车 的 汽车 电机驱动控制系统、车载空调控制系统、充电桩三大方面。 1、 汽车 电机驱动控制系统 新能源 汽车 中电机驱动控制系统的主要作用在于能量的转换，即从电池直流电转换到电机交流电或者从电机交流电转换到电池直流电，其中从直流电转到交流电称为逆变且主要用到的功率器件就是IGBT。 IGBT作为功率转换器件，其实更常用于高压功率的转换。电动 汽车 在转换过程中，电池电压一般在200V以上，过流能力在300A以上，功率器件的击穿电压在600-1200V左右，开关频率在20KHZ以内，因此可通过 IGBT模块来实现高压、大电流的操作。 2、车载空调控制系统 电动 汽车 车载空调的工作原理与电动驱动相同，即通过逆变器将高压电池的直流电转换成交流电后，驱动空调压缩机电机进行工作，但同比电动驱动系统功率较小。而车载空调控制系统中击穿电压和额定电流的选定主要通过IGBT来实现。 3、充电桩 充电桩有直流和交流两种类型。以直流充电桩为例，其工作原理是充电桩一端与交流电网相连，交流电通过整流功率模块转换成直流电，流经电容稳压滤波器后通过IGBT功率模块逆变为高频交流电，最后变压器耦合及整流单元将它转换成不同的直流电压等级，为不同的电动 汽车 充电。 在电动 汽车 中，电机驱动系统占整车成本的15%-20%，而IGBT模块占电机驱动系统的50%，也就是说IGBT占整车成本的7-10%，是除电池之外成本第二高的元件，可以说决定了整车的能源效率。除此之外，IGBT占直流充电桩中约30%的原材料成本。 综上所述，无论是从功能还是成本方面，IGBT在电动 汽车 领域中都起到越来越重要的作用。 备注：本文仅作学习分享，如内容上存在争议，请及时与我们联系，谢谢！

工作在开关状态，频率20-30KHz。

有关IGBT你了解多少，IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件， 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。　结构　　IGBT结构图左边所示为一个N沟道增强型绝缘栅双极晶体管结构， N+区称为源区，附于其上的电极称为源极。P+区称为漏区。器件的控制区为栅区，附于其上的电极称为栅极。沟道在紧靠栅区边界形成。在漏、源之间的P型区 （包括P+和P-区）（沟道在该区域形成），称为亚沟道区（Subchannel region）。而在漏区另一侧的P+区称为漏注入区（Drain injector），它是IGBT特有的功能区，与漏区和亚沟道区一起形成PNP双极晶体管，起发射极的作用，向漏极注入空穴，进行导电调制，以降低器件的通态电压。附于漏注入区上的电极称为漏极。　　IGBT的开关作用是通过加正向栅极电压形成沟道，给PNP（原来为NPN）晶体管提供基极电流，使IGBT导通。反之，加反向门极电压消除沟道，切断基极电流，使IGBT关断。IGBT的驱动方法和MOSFET基本相同，只需控制输入极 N-沟道MOSFET，所以具有高输入阻抗特性。当MOSFET的沟道形成后，从P+基极注入到N-层的空穴（少子），对N-层进行电导调制，减小N-层的电阻，使IGBT在高电压时，也具有低的通态电压。　工作特性　　IGBT 的静态特性主要有伏安特性、转移特性和开关特性。　　IGBT 的伏安特性是指以栅源电压Ugs 为参变量时，漏极电流与栅极电压之间的关系曲线。输出漏极电流比受栅源电压Ugs 的控制，Ugs 越高， Id 越大。它与GTR 的输出特性相似。也可分为饱和区1 、放大区2 和击穿特性3 部分。在截止状态下的IGBT ，正向电压由J2 结承担，反向电压由J1结承担。如果无N+ 缓冲区，则正反向阻断电压可以做到同样水平，加入N+缓冲区后，反向关断电压只能达到几十伏水平，因此限制了IGBT 的某些应用范围。　　IGBT 的转移特性是指输出漏极电流Id 与栅源电压Ugs 之间的关系曲线。它与MOSFET 的转移特性相同，当栅源电压小于开启电压Ugs（th） 时，IGBT 处于关断状态。在IGBT 导通后的大部分漏极电流范围内， Id 与Ugs呈线性关系。最高栅源电压受最大漏极电流限制，其最佳值一般取为15V左右。　　IGBT 的开关特性是指漏极电流与漏源电压之间的关系。IGBT 处于导通态时，由于它的PNP 晶体管为宽基区晶体管，所以其B 值极低。尽管等效电路为达林顿结构，但流过MOSFET 的电流成为IGBT 总电流的主要部分。此时，通态电压Uds（on） 可用下式表示　　Uds（on） = Uj1 + Udr + IdRoh　　式中Uj1 —— JI 结的正向电压，其值为0.7 ～1V ；Udr ——扩展电阻Rdr 上的压降；Roh ——沟道电阻。　　通态电流Ids 可用下式表示：　　Ids=（1+Bpnp）Imos　　式中Imos ——流过MOSFET 的电流。　　由于N+ 区存在电导调制效应，所以IGBT 的通态压降小，耐压1000V的IGBT 通态压降为2 ～ 3V 。IGBT 处于断态时，只有很小的泄漏电流存在。动态特性　　IGBT 在开通过程中，大部分时间是作为MOSFET 来运行的，只是在漏源电压Uds 下降过程后期， PNP 晶体管由放大区至饱和，又增加了一段延迟时间。td（on） 为开通延迟时间， tri 为电流上升时间。实际应用中常给出的漏极电流开通时间ton 即为td （on） tri 之和。漏源电压的下降时间由tfe1 和tfe2 组成。　　IGBT的触发和关断要求给其栅极和基极之间加上正向电压和负向电压，栅极电压可由不同的驱动电路产生。当选择这些驱动电路时，必须基于以下的参数来进行：器件关断偏置的要求、栅极电荷的要求、耐固性要求和电源的情况。因为IGBT栅极- 发射极阻抗大，故可使用MOSFET驱动技术进行触发，不过由于IGBT的输入电容较MOSFET为大，故IGBT的关断偏压应该比许多MOSFET　　IGBT在关断过程中，漏极电流的波形变为两段。因为MOSFET关断后，PNP晶体管的存储电荷难以迅速消除，造成漏极电流较长的尾部时间，td（off）为关断延迟时间，trv为电压Uds（f）的上升时间。实际应用中常常给出的漏极电流的下降时间Tf由图中的t（f1）和t（f2）两段组成，而漏极电流的关断时间　　t（off）=td（off）+trv十t（f）　　式中，td（off）与trv之和又称为存储时间。　　IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。　　正式商用的IGBT器件的电压和电流容量还很有限，远远不能满足电力电子应用技术发展的需求；高压领域的许多应用中，要求器件的电压等级达到10KV以上，目前只能通过IGBT高压串联等技术来实现高压应用。国外的一些厂家如瑞士ABB公司采用软穿通原则研制出了8KV的IGBT器件，德国的EUPEC 生产的6500V/600A高压大功率IGBT器件已经获得实际应用，日本东芝也已涉足该领域。与此同时，各大半导体生产厂商不断开发IGBT的高耐压、大电流、高速、低饱和压降、高可靠性、低成本技术，主要采用1um以下制作工艺，研制开发取得一些新进展。IGBT 原理　方法　　IGBT是强电流、高压应用和快速终端设备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有很高的电阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要缺点。虽然最新一代功率 MOSFET 器件大幅度改进了RDS（on）特性，但是在高电平时，功率导通损耗仍然要比IGBT 技术高出很多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，同一个标准双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。导通　　IGBT硅片的结构与功率MOSFET 的结构十分相似，主要差异是IGBT增加了P+ 基片和一个N+ 缓冲层（NPT-非穿通-IGBT技术没有增加这个部分）。如等效电路图所示（图1），其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和 N+ 区之间创建了一个J1结。 当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时出现一个电子流，并完全按照功率 MOSFET的方式产生一股电流。如果这个电子流产生的电压在0.7V范围内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总损耗，并启动了第二个电荷流。最后的结果是，在半导体层次内临时出现两种不同的电流拓扑：一个电子流（MOSFET 电流）； 空穴电流（双极）。关断　　当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被禁止，没有空穴注入N-区内。在任何情况下，如果MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是因为换向开始后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数量和拓扑，层次厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交叉导通问题，特别是在使用续流二极管的设备上，问题更加明显。　　鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC 和VCE密切相关的空穴移动性有密切的关系。因此，根据所达到的温度，降低这种作用在终端设备设计上的电流的不理想效应是可行的。阻断与闩锁　　当集电极被施加一个反向电压时， J1 就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有效的阻断能力，所以，这个机制十分重要。另一方面，如果过大地增加这个区域尺寸，就会连续地提高压降。 第二点清楚地说明了NPT器件的压降比等效（IC 和速度相同） PT 器件的压降高的原因。　　当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/N J3结受反向电压控制。此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层承受外部施加的电压。　　IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管，如图1所示。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种现象会使集电极与发射极之间的电流量增加，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通现象被称为IGBT闩锁，具体地说，这种缺陷的原因互不相同，与器件的状态有密切关系。通常情况下，静态和动态闩锁有如下主要区别：　　当晶闸管全部导通时，静态闩锁出现。 只在关断时才会出现动态闩锁。这一特殊现象严重地限制了安全操作区 。 为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害现象，有必要采取以下措施： 防止NPN部分接通，分别改变布局和掺杂级别。 降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。 此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也非常密切；在结温和增益提高的情况下，P基区的电阻率会升高，破坏了整体特性。因此，器件制造商必须注意将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。

IGBT是一种场效应管和三极管集成的复合三极管。它是用电压驱动的，而不是电流驱动；它的性能是既拥有场效应管元件的高阻抗输入特性，也拥有三极管的大电流特性。你需要先了解这种元件的工作原理才可以的。搞清楚元件的基本性质之后，如果驱动电路出现波形畸变，毛刺等情况再进一步找原因。从信号发生级找起逐步向后级推进，到末级驱动。有时候是驱动电路的滤波做的不好导致的问题。也有线路布设不合理导致的电磁干扰引起。搞这些东西需要用示波器的。

这不就是boost电路吗？随便买本相关的书 上都有详细电流 流向啊

其实就是调整驱动波形的频率

使用三个单相逆变电路就可以组合成一个三相逆变电路，而使用到IGBT作为开关器件的三相电压型桥式逆变电路使用最为广泛，接下来我们学习该电路工作原理。工作原理三相逆变电路如上图所示电路直流侧我们增加一个假想中点。三相逆变电路的工作方式为180度导电方式：每个桥臂导电角度为120度;同一个半桥上下两个桥臂交通导电，各相导电角度依次相差120度;在任意瞬间有3个桥臂同时导通，每次变换都在相同相上下两个桥臂之间进行，因此也被称为纵向电流。按照顺序控制开关原件就可以得到输出幅值为输入电压的一半，三相输出的波形相同，只输相位依次差120度。这样就可以得到三相的交流电源。在电路通断控制中，为防止同一相上两个开关器件同时导通引起直流侧电源短路，必须先断后通，即保留死区时间。

前言本书主要符号说明绪论第一章 功率二极管和晶闸管第一节 功率二极管第二节 晶闸管的工作原理第三节 晶闸管的特性及主要参数第四节 双向晶闸管第五节 可关断晶闸管的工作原理与参数第六节 GTO的门极控制与缓冲电路小结思考题与习题第二章 电力晶体管（GTR）第一节 电力晶体管的结构与工作原理第二节 电力晶体管的特性与参数第三节 电力晶体管的基极驱动与缓冲电路小结思考题与习题第三章 功率场效应晶体管（功率MOSFET）第一节 功率场效应晶体管的结构与特性第二节 功率场效应晶体管的主要参数及安全工作区第三节 功率场效应晶体管的栅极驱动与保护小结思考题与习题第四章 绝缘栅双极晶体管（IGBT）第一节 IGBT工作原理与特性参数第二节 IGBT的擎住效应与安全工作区第三节 IGBT的驱动电路第四节 IGBT的保护小结思考题与习题第五章 其它新型电力电子器件第一节 MOS控制晶闸管（MCT）第二节 静电感应晶体管（SIT）第三节 静电感应晶闸管（SITH）第四节 功率集成电路（PIC）小结思考题与习题第六章 可控整流电路第一节 单相半波可控整流电路第二节 单相桥式可控整流电路第三节 三相半波可控整流电路第四节 三相桥式可控整流电路第五节 带平衡电抗器的双反星形可控整流电路第六节 晶闸管的保护及串并联使用第七节 晶闸管应用中的几个问题第八节 可控整流电路供电的电动机机械特性小结思考题与习题第七章 晶闸管的触发电路第一节 对触发电路的要求及简易触发电路第二节 单结晶体管触发电路第三节 同步电压为锯齿波的触发电路第四节 集成触发电路和数字触发电路第五节 触发电路与主电路电压的同步小结思考题与习题第八章 交流电力控制电路第一节 交流开关及应用第二节 单相交流调压第三节 相位控制器第四节 三相交流调压小结思考题与习题第九章 逆变电路第一节 有源逆变的工作原理第二节 有源逆变应用电路第三节 无源逆变及基本电路第四节 电压型和电流型逆变器第五节 负载换流式逆变电路第六节 脉宽调制（PWM）型逆变电路小结思考题与习题第十章 直流斩波技术（直流变换技术）第一节 降压式斩波电路第二节 升压式斩波电路第三节 升降压式斩波电路第四节 直流斩波应用电路小结思考题与习题附录 电力电子技术实验实验一 单结晶体管触发电路及单相半控桥整流电路实验二 锯齿波触发电路与三相全控桥实验三 单相交流调压电路实验四 IGBT斩波电路参考文献

可控硅是电流控制器件，不管控制信号是什么波形只要控制极与阴极间的电流强度达到触发值便会导通。（可控硅PNPN四层结构和工作原理不赘述）IGBT是电压控制器件，但它不象可控硅那样具有触发器的性质，而是属于放大器件。在开关电路中使用方波驱动IGBT管是为了减少过渡损耗。