《纳米集成电路制造工艺》第一和第二版这两本书怎么样?

光刻的工艺过程如下：1) 打底膜（HMDS粘附促进剂），2)涂光刻胶， 3) 前烘， 4)对版 曝光， 5)显影， 6)坚膜， 7)刻蚀：采用干法刻蚀（Dry Etching），8)去胶：化学方法及干法去胶。

集成电路工艺（integrated circuit technique ）是把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。集成的设想出现在50年代末和60年代初，是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现的。电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路。

28纳米是指集成电路工艺光刻所能达到的最小线条宽度 ，一般指半导体器件的最小尺寸，如MOS管沟道长度。现在主流集成电路工艺是CMOS工艺

单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，使平面工艺得到相应的发展。如掺杂技术由扩散改为离子注入，常规紫外光刻发展到电子束曝光、等离子体刻蚀和反应离子铣，常规气相外延改为超高真空分子束外延，采用化学气相沉积制造二氧化硅和多晶硅膜等。单片集成电路除向更高集成度发展外，也正向着线性、大功率、高频电路和模拟电路方向发展。

为便于自动化生产和在电子设备中紧密组装，混合集成电路的制造采用标准化的绝缘基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片，可将一个或几个功能电路制作在一块基片上。制作过程是先在基片上制造膜式无源元件和互连线，形成无源网络，然后安装上半导体器件或半导体集成电路芯片。膜式无源网络用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工艺顺序，制造出具有各种不同形状和宽度的导体、半导体和介质膜。把这些膜层相互组合，构成各种电子元件和互连线。在基片上制作好整个电路以后，焊上引出导线,需要时,再在电路上涂覆保护层，最后用外壳密封即成为一个混合集成电路。

半导体产业开始于上世纪。随着 1947 年固体晶体管的发明， 半导体行业已经获得了长足发展， 之后的发展方向是引入了集成电路和硅材料。集成电路将多个元件结合在了一块芯片上，提高了芯片性能、降低了成本。随着硅材料的引入，芯片工艺逐步演化为器件在硅片上层以及电路层的衬底上淀积。芯片制造主要有五大步骤：硅片制备、芯片制造、芯片测试与挑选、装配与封装、终测。芯片制造主要有五大步骤_国内硅片制造商迎来春天芯片制造的五大步骤（1）硅片制备。 首先是将硅从矿物中提纯并纯化，经过特殊工艺产生适当直径的硅锭。然后将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片。最后按照不同的定位边和沾污水平等参数制成不同规格的硅片。 本文讨论的主要内容就是硅片制备环节。（2）芯片制造。 裸露的硅片到达硅片制厂，经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂等步骤，硅片上就刻蚀了一整套集成电路。芯片测试/拣选。 芯片制造完后将被送到测试与拣选区，在那里对单个芯片进行探测和电学测试，然后拣选出合格的产品，并对有缺陷的产品进行标记。（3）装配与封装。 硅片经过测试和拣选后就进入了装配和封装环节，目的是把单个的芯片包装在一个保护壳管内。 硅片的背面需要进行研磨以减少衬底的厚度，然后把一个后塑料膜贴附在硅片背面，再沿划线片用带金刚石尖的锯刃将硅片上每个芯片分开，塑料膜能保持芯片不脱落。在装配厂，好的芯片被压焊或抽空形成装配包，再将芯片密封在塑料或陶瓷壳内。（4）终测。 为确保芯片的功能， 需要对每一个被封装的集成电路进行测试， 以满足制造商的电学和环节的特性参数要求。硅片制作的工艺流程硅片制备之前是制作高纯度的半导体级硅（semiconductor-grade silicon， SGS），也被称为电子级硅。 制备过程大概分为三步，第一步是通过加热含碳的硅石（SiO2） 来生成气态的氧化硅 SiO；第二步是用纯度大概 98%的氧化硅，通过压碎和化学反应生产含硅的三氯硅烷气体（SiHCl3）； 第三步是用三氯硅烷经过再一次的化学过程，用氢气还原制备出纯度为 99.9999999%的半导体级硅。芯片制造主要有五大步骤_国内硅片制造商迎来春天半导体硅的生产过程对半导体级硅进一步加工得到硅片的过程被称为硅片制备环节。 硅片制备包括晶体生长、整型、切片、抛光、清洗和检测等步骤，通过单晶硅生长、 机械加工、化学处理、表面抛光和质量检测等环节最终生产出符合条件的高质量硅片。

是利用PN结隔离技术制备双极型集成电路倒相器的工艺流程，图中包括一个NPN晶体管和一个负载电阻R。原始材料是直径为75～150毫米掺P型杂质的硅单晶棒，电阻率ρ=10欧·厘米左右。其工艺流程是：先经过切片、研磨和抛光等工艺（是硅片制备工艺)制备成厚度约300～500微米的圆形硅片作为衬底，然后进行外延生长、氧化、光刻、扩散、蒸发、压焊和多次硅片清洗，最后进行表面钝化和成品封装。制作双极型集成电路芯片需要经过 5次氧化，对氧化硅 (SiO2）薄层进行5次光刻，刻蚀出供扩散掺杂用的图形窗口。最后还经过两次光刻，刻蚀出金属铝互连布线和钝化后用于压焊点的窗口。因此，整套双极型集成电路掩模版共有 7块。即使通常省去钝化工艺，也需要进行6次光刻，需要6块掩模版。

薄膜集成电路工艺整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作, 它的材料结构有两种形式：①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；②薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。

薄膜混合集成电路所用基片有多种，最常用的是玻璃基片,其次是微晶玻璃和被釉陶瓷基片,有时也用蓝宝石和单晶硅基片。为了实现紧密组装和自动化生产，一般使用标准基片。在基片上形成薄膜有多种方法。制造薄膜网路常用物理汽相淀积(PVD)法,有时还用阳极氧化或电镀法。在物理汽相淀积法中，最常用的是蒸发工艺和溅射工艺。这两种工艺都是在真空室中进行的，所以统称为真空成膜法。用这两种方法，可以制造无源网路中的无源元件、互连线、绝缘膜和保护膜。阳极氧化法可以形成介质膜，并能调整电阻膜的阻值。在制造分布参数微波混合集成电路时，用电镀法增加薄膜微带线的厚度，以减少功耗。

集成电路在大约5mm×5mm大小的硅片上，已集成了一台微型计算机的核心部分，包含有一万多个元件。集成电路典型制造过程见图1。从图1,可以看到，已在硅片上同时制造完成了一个N+PN晶体管,一个由 P型扩散区构成的电阻和一个由N+P结电容构成的电容器,并用金属铝条将它们连在一起。实际上,在一个常用的直径为75mm的硅片上（现在已发展到φ=125mm～150 mm）将有 3000000个这样的元件，组成几百个电路、子系统或系统。通过氧化、光刻、扩散或离子注入、化学气相淀积蒸发或溅射等一系列工艺，一层一层地将整个电路的全部元件、它们的隔离以及金属互连图形同时制造在一个单晶片上，形成一个三维网络。而一次又可以同时加工几十片甚至上百片这样的硅片，所以一批可以得到成千上万个这样的电路。这样高的效率，正是集成电路能迅速发展的技术和经济原因。半导体集成电路这个三维网络可以有各种不同的电路功能和系统功能，视各层的拓扑图形和工艺规范而定。在一定的工艺规范条件下，主要由各层拓扑图形控制，而各层的拓扑图形又由各次光刻掩膜版所决定。所以光刻掩膜版的设计是制造集成电路的一个关键。它从系统或电路的功能要求出发，按实际可能的工艺参数进行设计，并由计算机辅助来完成设计和掩膜版的制造。在芯片制造完成后，经过检测，然后将硅片上的芯片一个个划下来，将性能满足要求的芯片封装在管壳上，即构成完整的集成电路。

工艺阿，主要就是焊接吧，印刷电路板是单独作的，上面元件用布线机自动装，然后就剩焊接了

典型工艺：抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、气相淀积等 0.18、0.25是指工艺上刻蚀的最小线条宽度

根据电路图先划分若干个功能部件图,然后用平面布图方法转化成基片上的平面电路布置图，再用照相制版方法制作出丝网印刷用的厚膜网路模板。厚膜混合集成电路最常用的基片是含量为96%和85%的氧化铝陶瓷；当要求导热性特别好时，则用氧化铍陶瓷。基片的最小厚度为0.25毫米，最经济的尺寸为35×35～50×50毫米。在基片上制造厚膜网路的主要工艺是印刷、烧结和调阻。常用的印刷方法是丝网印刷。丝网印刷的工艺过程是先把丝网固定在印刷机框架上，再将模版贴在丝网上；或者在丝网上涂感光胶，直接在上面制造模版,然后在网下放上基片,把厚膜浆料倒在丝网上，用刮板把浆料压入网孔,漏印在基片上,形成所需要的厚膜图形。常用丝网有不锈钢网和尼龙网，有时也用聚四氟乙烯网。在烧结过程中，有机粘合剂完全分解和挥发，固体粉料熔融，分解和化合，形成致密坚固的厚膜。厚膜的质量和性能与烧结过程和环境气氛密切相关，升温速度应当缓慢，以保证在玻璃流动以前有机物完全排除；烧结时间和峰值温度取决于所用浆料和膜层结构。为防止厚膜开裂，还应控制降温速度。常用的烧结炉是隧道窑。为使厚膜网路达到最佳性能，电阻烧成以后要进行调阻。常用调阻方法有喷砂、激光和电压脉冲调整等。

1、简单的说是很多电路元件组成的.大部分用于电脑主机、电视机等。2、集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。

将分割成单个电路的芯片，装配到金属引线框架或管座上。芯片焊接工艺可分为两类。①低熔点合金焊接法：采用的焊接材料有金硅合金、金镓合金、铟铅银合金、铅锡银合金等。②粘合法:用低温银浆、银泥、环氧树脂或导电胶等以粘合方式焊接芯片。应用较广、可靠性较高的是用98%的纯金和 2%的硅配制成的金硅合金片（最低共熔点为 370℃）。在氮气和氢气保护下或在真空状态下，金硅合金不仅能与芯片硅材料形成合金，而且也能同时与金属引线框架上局部镀层的金或银形成合金，从而获得良好的欧姆接触和牢固的焊接效果.集成电路塑料封装中,也常采用低温(200℃以下)银浆、银泥或导电胶以粘合的形式进行芯片焊接。另外，烧结时（即芯片粘完银浆后烘焙），气氛和温度视所采用的银浆种类不同而定。低温银浆多在空气中烧结，温度为150～250℃；高温银浆采用氮气保护，烧结温度为380～400℃。

数字集成电路按制造工艺不同 ，可分为双极型与 MOS 型 。典型芯片是 TTL 的74XXX系列 与 CMOS 的 CDXXX系列。

集成电路技术专业学习的课程主要有半导体器件物理、集成电路制造工艺、半导体集成电路、Verilog HDL应用、集成电路版图设计技术、系统应用与芯片验证。集成电路技术学习要微电子工艺和集成电路设计领域相关专业理论知识，需要学生具备微电子工艺管理、集成电路设计及应用等能力，培养能从事微电子制造和封装测试工艺维护管理、集成电路辅助逻辑设计、版图设计和系统应用等方面工作的高素质技术技能人才。集成电路技术专业发展方向该专业本科毕业后主要是从事集成电路研发设计、生产销售等相关工作，能够在集成电路生产企业担任芯片设计工程师、研发工程师、销售主管、运营维护经理等相关职务，具有广阔的就业途径和良好的职业发展前途。集成电路专业就业前景较好，中国集成电路产业处于飞速上升期，不仅缺乏技术型人才，而且对领军人才的渴求更高，因此现在社会中对集成电路专业的相关人才需求量较大。

集成度（Integration Level）是以一个IC芯片所包含的元件(晶体管或门/数)来衡量，（包括有源和无源元件） 。随着集成度的提高，使IC及使用IC的电子设备的功能增强、速度和可靠性提高、功耗降低、体积和重量减小、产品成本下降，从而提高了性能/价格比，不断扩大其应用领域，因此集成度是IC技术进步的标志。为了提高集成度采取了增大芯片面积、缩小器件特征尺寸、改进电路及结构设计等措施。为节省芯片面积普遍采用了多层布线结构，现已达到7层布线。晶片集成(Wafer Scale Integration-WSI)和三维集成技术也正在研究开发。自IC问世以来，集成度不断提高，现正迈向巨大规模集成(Giga Scale Integration-GSl)。从电子系统的角度来看，集成度的提高使IC进入系统集成或片上系统(SoC)的时代。

如果你把元器件级联当成后工艺的话，那么前工艺的确就是元器件的制造。包括电阻 、电容、晶体管等。主要工艺流程就是氧化、离子注入、光刻、汽相淀积、热处理等相关工艺流程。具体查看相关工艺资料。

工艺是指衬底制备，离子注入，扩散，外延，氧化，抛光，光刻这些步骤吧。其实步骤蛮多的，我说我上课学到的部分，衬底制备就是对硅衬底进行一些改进，消除一些表面态，内部晶格的损伤什么的； 离子注入和扩散就是在硅上面进行参杂，以提高导电率或者是让他反型； 外延就是在表面上再生长一层东西，可以是其他半导体材料，金属等各种东西为的是形成；氧化就是形成二氧化硅隔离层，或者是场氧化层； 抛光就是你在硅上面生长了东西或者是利用大马士革工艺形成了各种沟道啊，导线啊什么的，你要把突出来的地方利用物理或者化学的方法去掉，是表面平滑，一边进行下一步； 光刻是最重要的一步，没走一层就要用光刻来完成，光刻主要是完成离子注入，扩散等上面这些东西的。只有利用光刻才能把你想走的线路或者想要参杂的地方在硅表面呈现出来。。最后给个链接吧http://wenku.baidu.com/view/46680ebff121dd36a32d8248.html这里面更详细。。

是一种单片集成工艺技术。1986年由意法半导体（ST）公司率先研制成功，这种技术能够在同一芯片上制作双极管bipolar，CMOS和DMOS 器件，称为BCD工艺。了解BCD工艺的特点，需要先了解双极管 bipolar，CMOS和DMOS器件这三种器件的特点。

1、选择具有适当电阻率的材料，根据电阻的阻值计算，确定电阻器的尺寸和几何形状。2、使用相应的制造工艺，在电路基板上制造电阻器，对制造的电阻器进行电气测试，确保其阻值满足设计要求。

硅片清洗--烘干--干氧氧化--湿氧氧化--干氧氧化--氧化完成。

我来列一下好了，2003年左右是180nm，然后2007年是90nm，65nm，2009左右到了40nm，2012年是32/28nm，22nm，然后是16nm/14nm，目前是7nm/5nm的工艺节点。

我是“集成电路设计与集成系统”专业的大三学生，也就是说我是学“设计”的。但是我要学习“工艺”得所有课程，因为我的设计必须能用当前的工艺完成啊。所以学“设计”的必须学“工艺”。“工艺”专业只需学习工艺线上的一些工艺步骤，当然还有其中的深奥的原理等等，但毕业生总让人感觉从事的工作只是高级技工。而集成电路IC设计需要大量的背景知识、微电子知识、量子物理知识等等，这些学科都是看不见摸不着得理论学科，抽象的不得了。这个专业比起其他专业要明显累，累得多！本科毕业都不见得能从事真正的设计专业，一般只能从事测试等简单工作。要真正从事IC设计至少要研究生毕业，有些设计公司还以招收博士生为主。主要是需要人才在精通微电子知识得同时还要精通电路方面的知识（如电子信息工程的所有专业课），有特定方向的公司还需要大量的背景知识，比如要去一些专攻通信芯片的公司还需要学生掌握通信工程的所有专业课，设计计算机芯片的公司需要学生掌握计算机科学与技术的所有专业课，而且这个领域知识更新很快！ 难得多！

厚度几乎没区别···

双极集成电路（Bipolar Integrated Circuit，BIC）与晶体管的工艺流程有以下几个不同之处：1. 基本结构不同：双极集成电路采用双极型晶体管作为基本元件，而晶体管则是单极型晶体管。双极型晶体管由P型和N型半导体材料构成，而单极型晶体管只由一种类型的半导体材料构成。2. 掺杂工艺不同：双极集成电路的制造过程中需要进行多次不同类型的掺杂工艺，以形成P型和N型的区域，从而形成PN结。而晶体管只需要进行一次掺杂工艺，以形成基区、发射极和集电极。3. 结构复杂度不同：双极集成电路中的晶体管结构相对于晶体管要复杂一些。双极集成电路中的晶体管通常具有多层结构，包括基区、发射极、集电极等，而晶体管结构相对简单。4. 工艺步骤不同：双极集成电路的制造过程中需要进行多次光刻、腐蚀、扩散等工艺步骤，以形成复杂的结构和掺杂区域。而晶体管的制造过程相对简单，通常只需要进行一次光刻和掺杂工艺。这些不同之处主要是因为双极集成电路相对于晶体管而言，具有更复杂的结构和功能要求。双极集成电路通常用于高性能和高频率的应用，需要更精细的工艺流程来满足这些要求。而晶体管则通常用于简单的开关或放大电路，因此工艺流程相对简单。

潮湿敏感性元件的主题是相当麻烦但很重要的-并且经常被误解的。由于潮湿敏感性元件使用的增加，诸如薄的密间距元件(fine-pitchdevice)和球栅阵列(BGA,ballgridarray)，使得对这个失效机制的关注也增加了。当元件暴露在回流焊接期间升高的温度环境下，陷于塑料的表面贴装元件(SMD,surfacemountdevice)内部的潮湿会产生足够的蒸汽压力损伤或毁坏元件。常见的失效模式包括塑料从芯片或引脚框上的内部分离(脱层)、线捆接损伤、芯片损伤、和不会延伸到元件表面的内部裂纹等。在一一些极端的情况中，裂纹会延伸到元件的表面；最严重的情况就是元件鼓胀和爆裂(叫做“爆米花”效益)。 IPC-美国电子工业联合会制订和发布了IPC-M-109,潮湿敏感性元件标准和指引手册。它包括以下七个文件： IPC/JEDECJ-STD-020塑料集成电路(IC)SMD的潮湿/回流敏感性分类 IPC/JEDECJ-STD-033潮湿/回流敏感性SMD的处理、包装、装运和使用标准 IPC/JEDECJ-STD-035非气密性封装元件的声学显微镜检查方法 IPC-9501用于评估电子元件(预处理的IC元件)的印刷线路板(PWB,printedwiringboard)的装配工艺过程的模拟方法 IPC-9502电子元件的PWB装配焊接工艺指南 IPC-9503非IC元件的潮湿敏感性分类 IPC-9504评估非IC元件(预处理的非IC元件)的装配工艺过程模拟方法 原来的潮湿敏感性元件的文件，IPC-SM-786,潮湿/回流敏感性IC的检定与处理程序，不再使用了。 IPC/JEDECJ-STD-020定义了潮湿敏感性元件，即由潮湿可透材料诸如塑料所制造的非气密性包装的分类程序。该程序包括暴露在回流焊接温度接着详细的视觉检查、扫描声学显微图象、截面和电气测试等。 测试结果是基于元件的体温，因为塑料模是主要的关注。`标准的回流温度是220°C+5°C/-0°C，但是回流试验发现，当这个温度设定为大量元件的电路板的时候，小量元件可达到235°C。如果可能出现更高的温度，比如可能出现小量与大量元件的情况，那么推荐用235°C的回流温度来作评估。可使用对流为主、红外为主或汽相回流设备，只要它可达到按照J-STD-020的所希望的回流温度曲线。 下面列出了八种潮湿分级和车间寿命(floorlife)。有关保温时间标准的详情，请参阅J-STD-020。 1级-小于或等于30°C/85%RH无限车间寿命 2级-小于或等于30°C/60%RH一年车间寿命 2a级-小于或等于30°C/60%RH四周车间寿命 3级-小于或等于30°C/60%RH168小时车间寿命 4级-小于或等于30°C/60%RH72小时车间寿命 5级-小于或等于30°C/60%RH48小时车间寿命 5a级-小于或等于30°C/60%RH24小时车间寿命 6级-小于或等于30°C/60%RH72小时车间寿命(对于6级，元件使用之前必须经过烘焙，并且必须在潮湿敏感注意标贴上所规定的时间限定内回流。) 增重(weight-gain)分析(参阅J-STD-020)确定一个估计的车间寿命，而失重(weight-loss)分析确定需要用来去掉过多元件潮湿的烘焙时间。J-STD-033提供有关烘焙温度与时间的详细资料。 IPC/JEDECJ-STD-033提供处理、包装、装运和烘焙潮湿敏感性元件的推荐方法。重点是在包装和防止潮湿吸收上面-烘焙或去湿应该是过多暴露发生之后使用的最终办法。 干燥包装涉及将潮湿敏感性元件与去湿剂、湿度指示卡和潮湿敏感注意标贴一起密封在防潮袋内。标贴含有有关特定温度与湿度范围内的货架寿命、包装体的峰值温度(220°C或235°C)、开袋之后的暴露时间、关于何时要求烘焙的详细情况、烘焙程序、以及袋的密封日期。 1级。装袋之前干燥是可选的，装袋与去湿剂是可选的、标贴是不要求的，除非元件分类到235°C的回流温度。 2级。装袋之前干燥是可选的，装袋与去湿剂是要求的、标贴是要求的。 2a~5a级。装袋之前干燥是要求的，装袋与去湿剂是要求的、标贴是要求的。 6级。装袋之前干燥是可选的，装袋与去湿剂是可选的、标贴是要求的。 元件干燥使用去湿或烘焙两种方法之一。室温去湿，可用于那些暴露在30°C/85%RH条件下少于8小时的元件，使用标准的干燥包装方法或者一个可以维持25°C±5°C、湿度低于10%RH的干燥箱。 烘焙比许多人所了解的要更复杂一点。对基于级别和包装厚度的干燥前与后的包装，有一些烘焙的推荐方法。预烘焙用于干燥包装的元件准备，而后烘焙用于在车间寿命过后重新恢复元件。请查阅并跟随J-STD-033中推荐的烘焙时间/温度。烘焙温度可能通过氧化引脚或引起过多的金属间增生(intermetallicgrowth)而降低引脚的可焊接性。不要将元件存储在烘焙温度下的炉子内。记住，高温托盘可以在125°C之下烘焙，而低温托盘不能高于40°C。 IPC的干燥包装之前的预烘焙推荐是： 包装厚度小于或等于1.4mm：对于2a~5a级别，125°C的烘焙时间范围8~28小时，或150°C烘焙4~14小时。 包装厚度小于或等于2.0mm：对于2a~5a级别，125°C的烘焙时间范围23~48小时，或150°C烘焙11~24小时。 包装厚度小于或等于4.0mm：对于2a~5a级别，125°C的烘焙时间范围48小时，或150°C烘焙24小时。 IPC的车间寿命过期之后的后烘焙推荐是： 包装厚度小于或等于1.4mm：对于2a~5a级别，125°C的烘焙时间范围4~14小时，或40°C烘焙5~9天。 包装厚度小于或等于2.0mm：对于2a~5a级别，125°C的烘焙时间范围18~48小时，或40°C烘焙21~68天。 包装厚度小于或等于4.0mm：对于2a~5a级别，125°C的烘焙时间范围48小时，或40°C烘焙67或68天。 通过了解IPC-M-109，潮湿敏感性元件标准与指引手册，可避免有关潮湿敏感性的问题。少一些普通工艺问题

随着集成电路工艺的发展，集成电路不断提高。1959年，一块商用的硅片只包含一个电路，到1964年增加到十个电路，1970年又增加到大约一千个电路。

线路板 制作方法 原料板——按照预定尺寸切割电路板——按照准备好的电路图用自动钻孔机钻孔——用抛光机抛光——预浸（3分钟）——水洗—用使油墨固化机75℃烘干——活化（5分钟）——通孔（通孔后的检查通孔效果）——固化机120℃烘干——用抛光机抛光——微蚀——水洗——加速水洗——用镀铜机镀铜25～30分钟（有效镀铜面积下镀铜电流：3A/0.01㎡）——抛光机抛光——75℃烘干——线路油墨丝印（使用90T丝网丝印）——75℃烘干——用曝光机曝光9秒（抽气，开灯，曝光）——显影机显影（在46℃下显影10秒左右）——水洗——烘干——微蚀——水洗——烘干——用镀锡机镀锡25～30分钟（有效镀锡面积下镀锡电流：1.5A/0.01㎡）——油墨脱膜（3～4分钟）——水洗——75℃烘干——用腐蚀机腐蚀（在56℃左右下腐蚀45秒左右）——水洗——抛光——烘干——刷阻焊油墨（1：3调配油墨，使用100T丝网印刷）——75℃烘干——曝光90秒——显影（10秒左右）——水洗——75℃烘干——刷字符油墨（1：3调配油墨，使用120T丝网印刷）——75℃烘干——曝光120秒——显影（10秒左右）——水洗——150℃固化烘干(10～15分钟)总的来说你只要做好电路就可以了其他的都是代工厂家做的事情集成电路其实一句话说到底就是在多晶硅材料商 硅是半导体添加五价或者三价元素形成PN结在硅片上形成无数个PN结就可以了 详细看电子技术基础电子元器件的制作其实要看哪种了，比如三极管或者二极管再者可控硅等其实还是利用了PN结电阻有很多种，有的是金属膜电阻有的是线绕电阻每个的工艺都不一样电容也分很多种的，常见的有电解电容和涤纶电容和纸介电容等

前者偏重IC设计后者偏重IC制造，前者学成可去IC设计公司后者可去IC代工厂。

IC制备过程中大部分步骤都需要进行清洗,尤其是涉及腐蚀、离子冲击等；一些敏感层次制备前后也需要清洗,例如栅氧；清洗分很多种类,不同的试剂清洗目的不一样,有的是去除残氧、有的去除离子杂质,有的是中和电荷等等.

n p是半导体的类型 n型是在本征半导体内掺杂一些Va族等的金属或者非金属原子 使得半导体内部出现“多余”电子 使得自由电子浓度远远大于空穴 p型就是掺杂一些IIIa族等的原子 使得空穴浓度远远大于自由电子

CMOS的制作步骤是需要经过一系列的复杂的化学和物理操作最终形成集成电路而做为一名集成电路版图 (ic lavout)工程师，对于这个在半导体制造技术中具有代表性的CMOS工艺流程有个系统的了解是有很大帮助的。个人认为只有了解了工艺的版工才会在IC Layout的绘制中考虑到你所西的版图对流片产生的影响。

电子显微镜主要依赖不同材料之间的密度差异，用射线将芯片穿透后将不同材质结构阴影打在底片上面，相当于透视俯视图，实在不理解的话可以在太阳下面观测自己的影子。但是对于设计更为复杂多层结构的逻辑性芯片就会产生重影，检测不到其背后的细微缺陷，缝隙，空洞缺陷等。比较适用于结构简单，具有明显密度差异类型芯片。

集成电路工艺主要分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路3类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源元件的集成电路。无源元件的数值范围可以做得很宽，精度可以做得很高。技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这就是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路（膜厚为1～10μm）和薄膜集成电路（膜厚为1μm以下）两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。扩展资料：1、按用途分类集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。2、按应用领域分类集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。3、按外形分类集成电路按外形可分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。

集成电路工艺主要分为哪几类集成电路工艺主要分为半导体集成电路、膜集成电路和混合集成电路3类。半导体集成电路是采用半导体工艺技术，在硅基片上制作包括电阻、电容、三极管、二极管等元器件的集成电路；膜集成电路是在玻璃或陶瓷片等绝缘物体上，以“膜”的形式制作电阻、电容等无源元件的集成电路。无源元件的数值范围可以做得很宽，精度可以做得很高。技术水平尚无法用“膜”的形式制作晶体二极管、三极管等有源器件，因而膜集成电路的应用范围受到很大的限制。在实际应用中，多半是在无源膜电路上外加半导体集成电路或分立元件的二极管、三极管等有源器件，使之构成一个整体，这就是混合集成电路。根据膜的厚薄不同，膜集成电路又分为厚膜集成电路和薄膜集成电路两种。在家电维修和一般性电子制作过程中遇到的主要是半导体集成电路、厚膜电路及少量的混合集成电路。扩展资料：1、按用途分类集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。2、按应用领域分类集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。3、按外形分类集成电路按外形可分为圆形、扁平型和双列直插型。什么是28nm集成电路工艺28nm集成电路工艺：它指的是晶体管门电路的尺寸，现阶段主要以纳米为单位，制造工艺的提高，意味着显示芯片的体积将更小、集成度更高，可以容纳更多的晶体管和中央处理器一样，显示卡的核心芯片，也是在硅晶片上制成的。CPU制作工艺指的是在生产CPU过程中，现在其生产的精度以纳米来表示，精度越高，生产工艺越先进。在同样的材料中可以容纳更多的电子元件，连接线也越细，有利于提高CPU的集成度。扩展资料：制造工艺详解：1、硅提纯生产CPU与GPU等芯片的材料是半导体，现阶段主要的材料是硅Si，这是一种非金属元素，从化学的角度来看，由于它处于元素周期表中金属元素区与非金属元素区的交界处，所以具有半导体的性质，适合于制造各种微小的晶体管，是目前最适宜于制造现代大规模集成电路的材料之一。在硅提纯的过程中，原材料硅将被熔化，并放进一个巨大的石英熔炉。这时向熔炉里放入一颗晶种，以便硅晶体围着这颗晶种生长，直到形成一个几近完美的单晶硅。以往的硅锭的直径大都是200毫米，而CPU或GPU厂商正在增加300毫米晶圆的生产。2、切割晶圆硅锭造出来了，并被整型成一个完美的圆柱体，接下来将被切割成片状，称为晶圆。晶圆才被真正用于CPU与GPU的制造。所谓的“切割晶圆”也就是用机器从单晶硅棒上切割下一片事先确定规格的硅晶片，并将其划分成多个细小的区域，每个区域都将成为一个处理器的内核。3、影印在经过热处理得到的硅氧化物层上面涂敷一种光阻物质，紫外线通过印制着处理器复杂电路结构图样的模板照射硅基片，被紫外线照射的地方光阻物质溶解。而为了避免让不需要被曝光的区域不受到光的干扰，必须制作遮罩来遮蔽这些区域。4、蚀刻这是CPU与GPU生产过程中重要操作，也是处理器工业中的重头技术。蚀刻技术把对光的应用推向了极限。蚀刻使用的是波长很短的紫外光并配合很大的镜头。短波长的光将透过这些石英遮罩的孔照在光敏抗蚀膜上，使之曝光。然后，曝光的硅将被原子轰击，使得暴露的硅基片局部掺杂，从而改变这些区域的导电状态，以制造出N井或P井，结合上面制造的基片，处理器的门电路就完成了。参考资料来源：百度百科-制造工艺集成电路制造五个步骤半导体产业开始于上世纪。随着1947年固体晶体管的发明，半导体行业已经获得了长足发展，之后的发展方向是引入了集成电路和硅材料。集成电路将多个元件结合在了一块芯片上，提高了芯片性能、降低了成本。随着硅材料的引入，芯片工艺逐步演化为器件在硅片上层以及电路层的衬底上淀积。芯片制造主要有五大步骤：硅片制备、芯片制造、芯片测试与挑选、装配与封装、终测。芯片制造主要有五大步骤_国内硅片制造商迎来春天芯片制造的五大步骤硅片制备。首先是将硅从矿物中提纯并纯化，经过特殊工艺产生适当直径的硅锭。然后将硅锭切割成用于制造芯片的薄硅片。最后按照不同的定位边和沾污水平等参数制成不同规格的硅片。本文讨论的主要内容就是硅片制备环节。芯片制造。裸露的硅片到达硅片制厂，经过各种清洗、成膜、光刻、刻蚀和掺杂等步骤，硅片上就刻蚀了一整套集成电路。芯片测试/拣选。芯片制造完后将被送到测试与拣选区，在那里对单个芯片进行探测和电学测试，然后拣选出合格的产品，并对有缺陷的产品进行标记。装配与封装。硅片经过测试和拣选后就进入了装配和封装环节，目的是把单个的芯片包装在一个保护壳管内。硅片的背面需要进行研磨以减少衬底的厚度，然后把一个后塑料膜贴附在硅片背面，再沿划线片用带金刚石尖的锯刃将硅片上每个芯片分开，塑料膜能保持芯片不脱落。在装配厂，好的芯片被压焊或抽空形成装配包，再将芯片密封在塑料或陶瓷壳内。终测。为确保芯片的功能，需要对每一个被封装的集成电路进行测试，以满足制造商的电学和环节的特性参数要求。硅片制作的工艺流程硅片制备之前是制作高纯度的半导体级硅，也被称为电子级硅。制备过程大概分为三步，第一步是通过加热含碳的硅石来生成气态的氧化硅SiO；第二步是用纯度大概98%的氧化硅，通过压碎和化学反应生产含硅的三氯硅烷气体；第三步是用三氯硅烷经过再一次的化学过程，用氢气还原制备出纯度为99.9999999%的半导体级硅。芯片制造主要有五大步骤_国内硅片制造商迎来春天半导体硅的生产过程对半导体级硅进一步加工得到硅片的过程被称为硅片制备环节。硅片制备包括晶体生长、整型、切片、抛光、清洗和检测等步骤，通过单晶硅生长、机械加工、化学处理、表面抛光和质量检测等环节最终生产出符合条件的高质量硅片。集成电路工艺主要分哪几类分类方法很多按功能分；线性电路、数字电路。按电路组成分；TTL电路、CMOS电路。按集成度分；小规模、大规模。还有按运行速度分、按功耗分、按管脚分等等。集成电路制造包括哪些工艺？IC制造技术有两种，一种是单片技术，另一种是混合技术。在单片技术中，所有电子元件及其互连都一起制造成单个硅芯片。该技术适用于大规模生产相同的IC。单片IC便宜但可靠。在混合IC中，单独的组件附着在陶瓷物质上，并通过导线或金属化图案相互连接。

为便于自动化生产和在电子设备中紧密组装，混合集成电路的制造采用标准化的绝缘基片。最常用的是矩形玻璃和陶瓷基片，可将一个或几个功能电路制作在一块基片上。制作过程是先在基片上制造膜式无源元件和互连线，形成无源网络，然后安装上半导体器件或半导体集成电路芯片。膜式无源网络用光刻制版和成膜方法制造。在基片上按照一定的工艺顺序，制造出具有各种不同形状和宽度的导体、半导体和介质膜。把这些膜层相互组合，构成各种电子元件和互连线。在基片上制作好整个电路以后，焊上引出导线,需要时,再在电路上涂覆保护层，最后用外壳密封即成为一个混合集成电路。

单片集成电路工艺利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺；紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等；外延生长又采用超高真空分子束外延技术；采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜；互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。薄膜集成电路工艺整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。薄膜集成电路中的晶体管采用薄膜工艺制作, 它的材料结构有两种形式：①薄膜场效应硫化镉和硒化镉晶体管，还可采用碲、铟、砷、氧化镍等材料制作晶体管；②薄膜热电子放大器。薄膜晶体管的可靠性差，无法与硅平面工艺制作的晶体管相比，因而完全由薄膜构成的电路尚无普遍的实用价值。实际应用的薄膜集成电路均采用混合工艺，也就是用薄膜技术在玻璃、微晶玻璃、镀釉或抛光氧化铝陶瓷基片上制备无源元件和电路元件间的互连线，再将集成电路、晶体管、二极管等有源器件的芯片和不便用薄膜工艺制作的功率电阻、大电容值的电容器、电感等元件用热压焊接、超声焊接、梁式引线或凸点倒装焊接等方式组装成一块完整电路。厚膜集成电路工艺用丝网印刷工艺将电阻、介质和导体涂料淀积在氧化铝、氧化铍陶瓷或碳化硅衬底上。淀积过程是使用一细目丝网，制作各种膜的图案。这种图案用照相方法制成，凡是不淀积涂料的地方，均用乳胶阻住网孔。氧化铝基片经过清洗后印刷导电涂料，制成内连接线、电阻终端焊接区、芯片粘附区、电容器的底电极和导体膜。制件经干燥后，在750～950℃间的温度焙烧成形，挥发掉胶合剂，烧结导体材料，随后用印刷和烧成工艺制出电阻、电容、跨接、绝缘体和色封层。有源器件用低共熔焊、再流焊、低熔点凸点倒装焊或梁式引线等工艺制作，然后装在烧好的基片上，焊上引线便制成厚膜电路。厚膜电路的膜层厚度一般为 7～40微米。用厚膜工艺制备多层布线的工艺比较方便，多层工艺相容性好，可以大大提高二次集成的组装密度。此外，等离子喷涂、火焰喷涂、印贴工艺等都是新的厚膜工艺技术。与薄膜集成电路相仿，厚膜集成电路由于厚膜晶体管尚不能实用，实际上也是采用混合工艺。单片集成电路和薄膜与厚膜集成电路这三种工艺方式各有特点，可以互相补充。通用电路和标准电路的数量大，可采用单片集成电路。需要量少的或是非标准电路，一般选用混合工艺方式，也就是采用标准化的单片集成电路，加上有源和无源元件的混合集成电路。厚膜、薄膜集成电路在某些应用中是互相交叉的。厚膜工艺所用工艺设备比较简易，电路设计灵活，生产周期短，散热良好，所以在高压、大功率和无源元件公差要求不太苛刻的电路中使用较为广泛。另外，由于厚膜电路在工艺制造上容易实现多层布线，在超出单片集成电路能力所及的较复杂的应用方面，可将大规模集成电路芯片组装成超大规模集成电路，也可将单功能或多功能单片集成电路芯片组装成多功能的部件甚至小的整机。单片集成电路除向更高集成度发展外，也正在向着大功率、线性、高频电路和模拟电路方面发展。不过,在微波集成电路、较大功率集成电路方面，薄膜、厚膜混合集成电路还具有优越性。在具体的选用上，往往将各类单片集成电路和厚膜、薄膜集成工艺结合在一起，特别如精密电阻网络和阻容网络基片粘贴于由厚膜电阻和导带组装成的基片上，装成一个复杂的完整的电路。必要时甚至可配接上个别超小型元件，组成部件或整机。

集成电路工艺提到的0.250.18的意思是：0.18、0.25是指工艺上刻蚀的最小线条宽度，单位是微米。集成电路工艺（integratedcircuittechnique）是把电路所需要的晶体管、二极管、电阻器和电容器等元件用一定工艺方式制作在一小块硅片、玻璃或陶瓷衬底上，再用适当的工艺进行互连，然后封装在一个管壳内，使整个电路的体积大大缩小，引出线和焊接点的数目也大为减少。集成的设想出现在50年代末和60年代初，是采用硅平面技术和薄膜与厚膜技术来实现的。电子集成技术按工艺方法分为以硅平面工艺为基础的单片集成电路、以薄膜技术为基础的薄膜集成电路和以丝网印刷技术为基础的厚膜集成电路，而提到的0.250.18是就是指的工艺上刻蚀的最小线条宽度。

真简单的回答不了。看这个：单片集成电路工艺 　利用研磨、抛光、氧化、扩散、光刻、外延生长、蒸发等一整套平面工艺技术，在一小块硅单晶片上同时制造晶体管、二极管、电阻和电容等元件，并且采用一定的隔离技术使各元件在电性能上互相隔离。然后在硅片表面蒸发铝层并用光刻技术刻蚀成互连图形，使元件按需要互连成完整电路，制成半导体单片集成电路。随着单片集成电路从小、中规模发展到大规模、超大规模集成电路，平面工艺技术也随之得到发展。例如，扩散掺杂改用离子注入掺杂工艺；紫外光常规光刻发展到一整套微细加工技术，如采用电子束曝光制版、等离子刻蚀、反应离子铣等；外延生长又采用超高真空分子束外延技术；采用化学汽相淀积工艺制造多晶硅、二氧化硅和表面钝化薄膜；互连细线除采用铝或金以外，还采用了化学汽相淀积重掺杂多晶硅薄膜和贵金属硅化物薄膜，以及多层互连结构等工艺。 　　薄膜集成电路工艺 　整个电路的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及其间的互连线,全部用厚度在1微米以下的金属、半导体、金属氧化物、多种金属混合相、合金或绝缘介质薄膜，并通过真空蒸发工艺、溅射工艺和电镀等工艺重叠构成。用这种工艺制成的集成电路称薄膜集成电路。

（一）按功能结构分类　　集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路、数字集成电路和数/模混合集成电路三大类。　　模拟集成电路又称线性电路，用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），其输入信号和输出信号成比例关系。而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号）。 （二）按制作工艺分类　　集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。　　薄膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。　　（三）按集成度高低分类　　集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路、超大规模集成电路、特大规模集成电路和巨大规模集成电路。　　（四）按导电类型不同分类　　集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路，他们都是数字集成电路。 双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，比如TTL类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，有CMOS、NMOS、PMOS等类型。　　（五）按用途分类　　集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。　　（六）按应用领域分　　集成电路按应用领域可分为标准通用集成电路和专用集成电路。　　（七）按外形分　　集成电路按外形可分为圆形（金属外壳晶体管封装型，一般适合用于大功率）、扁平型（稳定性好，体积小）和双列直插型。

第1章　概述第2章　半导体材料第3章　硅平面工艺流程第4章　薄膜的制备第5章　光刻技术第6章　掺杂技术第7章　金属化与平坦化第8章　芯片封装与装配技术附录A　术语表参考文献

集成电路是采用半导体制作工艺，在一块较小的单晶硅片上制作上许多晶体管及电阻器、电容器等元器件，并按照多层布线或遂道布线的方法将元器件组合成完整的电子电路。它在电路中用字母“IC”（也有用文字符号“N”等）表示。 （一）按功能结构分类 集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。 模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号）。 （二）按制作工艺分类 集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。 膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。 （三）按集成度高低分类 集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路。 （四）按导电类型不同分类 集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。 双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。 （五）按用途分类 集成电路按用途可分为电视机用集成电路。音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。 电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。 音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路、电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。 影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。 录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。

集成电路的0.35um和0.18um是指集成电路的制程，也就是制作集成电路时内部的最小线宽是0.35和0.18um，0.18的工艺水平显然更高一些，但无论是那种制程，与画电路图都没有任何关系，除非你是设计集成电路的内部电路图

分类集成电路又包括SOP、SOJ、PLCC、LCCC、QFP、BGA、CSP、FC、MCM等。举例如下：1、连接件（Interconnect）：提供机械与电气连接/断开，由连接插头和插座组成，将电缆、支架、机箱或其它PCB与PCB连接起来；可是与板的实际连接必须是通过表面贴装型接触k。2、a有源电子元件(Active）：在模拟或数字电路中，可以自己控制电压和电流，以产生增益或开关作用，即对施加信号有反应，可以改变自己的基本特性。b无源电子元件（Inactive）：当施以电信号时不改变本身特性，即提供简单的、可重复的反应。3、异型电子元件（Odd-form）：其几何形状因素是奇特的，但不必是独特的。因此必须用手工贴装，其外壳（与其基本功能成对比）形状是不标准的例如：许多变压器、混合电路结构、风扇、机械开关块等。

手机集成电路芯片已达7纳米工艺是，手机集成电路芯片内部连接导线的宽度已达7纳米工艺，导线细，体积小，集成程度高。

一、根据芯片上集成的微电子器件的数量，集成电路（芯片）分为以下六类：小型集成电路，中型集成电路，大规模集成电路，超大规模集成电路，极大规模集成电路，GLSI等。 最先进的集成电路是微处理器或多核处理器的核心。 根据电路特点，集成电路分为模拟集成电路、数字集成电路和混合信号集成电路。 半导体集成电路工艺，包括以下步骤：光刻，刻蚀，薄膜（化学气相沉积或物理气相沉积），掺杂（热扩散或离子注入），化学机械平坦化CMP。 二、芯片制造如同盖房子，以晶圆作为地基，层层往上叠。没有设计图，拥有再强制造能力都没有用，因此芯片设计师很重要。 在IC生产流程中，IC多由专业IC设计公司进行规划、设计，比如联发科、高通、Intel等。IC设计中，最重要的步骤就是规格制定。类比盖房子，先要决定要几间房子，有什么建筑法规要遵守，在确定好所有功能后再进行设计，这样才能免去后续多次修改的麻烦。 规格制定的第一步便是确定IC的目的、效能为何，对大方向做设定。接着是察看有哪些协定需要遵守，比如无线网卡的芯片就需要符合IEEE 802.11规范，不然，就无法与市面上其他设备连线。最后确定IC的制作方法，将不同欧冠功能分配成不同单元，并确立不同单元间连接的方法，如此便完成规格的制定。 接着便是设计芯片的细节，就先初步记下建筑的规画，将整体轮廓描绘出来，方便后续制图。在IC 芯片中，使用硬体描述语言（HDL）将电路描写出来，常使用的HDL有Verilog、VHDL等，使用程式码可轻易的将IC功能表达出来。 有了完整规画后，接下来便是画出平面设计蓝图。在IC设计中，逻辑合成便是将确定无误的HDL code，放入电子设计自动化工具（EDA tool），让电脑将HDL code转换成逻辑电路，并反复修改至无误。 最后，将合成的程式码再放入另一套EDA tool，进行电路布局和绕线。参考文章：芯片到底是什么？https://blog.csdn.net/fuli911/article/details/116740481?ops_request_misc=%257B%2522request%255Fid%2522%253A%2522162415509316780274192768%2522%252C%2522scm%2522%253A%252220140713.130102334..%2522%257D&request_id=162415509316780274192768&biz_id=0&utm_medium=distribute.pc_search_result.none-task-blog-2~all~top_click~default-2-116740481.first_rank_v2_pc_rank_v29&utm_term=%E8%8A%AF%E7%89%87&spm=1018.2226.3001.4187

这个专业的工作方向如下：可在与通信产业相关的高新技术企业、科研设计单位、国防军工企业、政府部门、大专院校、邮电等单位和研究院所从事现代通信系统、通信工程与技术、计算机网络与数据通信、无线通信、遥控遥测、INTERNET、INTRANET、嵌入式计算机技术、嵌入式INTERNET技术等有关工程技术的研究、设计、技术开发、教学、管理以及设备维护等工作。另外，国内外对这个专业的人才需求旺盛，社会上的各种集成电路就业辅导班也很多。

没人知道吗