为什么有些引线框架要贴胶纸

1.电力输送 ：电力输送中需要大量消耗高导电性的铜，主要用于线电缆、汇流排、变压器、开关、接插元件和联接器等； 2.电机制造 ：在电机制造中，广泛使用高导电和高强度的铜合金； 3.通讯电缆 ：80年代以来，由于光纤电缆载流容量大等优点，在通讯干线上不断取代铜电缆，而迅速推广应用，但是，把电能转化为光能，以及输入用户的线路仍需使用大量的铜； 4.电真空器件：电真空器件主要是高频和超高频发射管、波导管、磁控管等，它们需 要高纯度无氧铜和弥散强化无氧铜；5.引线框架：铜合金价格低廉，有高的强度、导电性和导热性，通过合金化能在很大范围内控制其性能，能够较好地满足引线框架的性能要求，己成为引线框架的一个重要材料; 6.能源工业 ：太阳能的利用也要使用许多铜管。

贵。PPFLeadframe是一种引线框架，可以作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合金丝实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线的作用，这种材料是比较稀有的，一个电路中只有非常非常小的一点，比较贵。

大量使用在电子相关产品上,随着应用范围扩大以及照明系统的不断提升,约从1990年开始高功率化的要求急速上升,尤其是以白光高功率型式的需求最大,现在的照明系统上所使用之LED功率已经不只1W、 3W、 5W甚至到达10W以上,所以散热基板的散热效能俨然成为最重要的议题。影响LED散热的主要因素包含了LED晶粒、晶粒载板、芯片封装及模块的材质与设计,而LED及其封装的材料所累积的热能多半都是以传导方式散出,所以LED晶粒基板及LED芯片封装的设计及材质就成为了主要的关键。 2、散热基板对于LED模块的影响 LED从1970年以后开始出现红光的LED,之后很快的演进到了蓝光及绿光,初期的运用多半是在一些标示上,如家电用品上的指示,到了2000年开始,白光高功率LED的出现,让LED的运用开始进入另一阶段

1、C5210是磷青铜。2、磷青铜特点：耐腐蚀性强，特别对稀硫酸、盐酸和脂肪酸的的耐蚀性高。强度高，弹性和耐磨性好，易焊接和纤焊，在大气、淡水和海水中耐蚀性好，可切削性良好。3、应用：磷青铜主要用作耐磨零件和弹性元件。电脑连接器，手机连接器，高科技行业接插件，开关，电子产品的插槽、按键、电气连接件，引线框架，振动片及端子等。4、磷青铜基本成分：百分之二到百分之八的锡、百分之零点一到百分之零点四的磷，其他的为铜的铜合金。

DP：digital power，数字电源；DA：die attach, 焊片；FC：flip chip，倒装。半导体封装简介:1、半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。2、封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead），并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。3、封装完成后进行成品测试，通常经过入检（Incoming）、测试（Test）和包装（Packing）等工序，最后入库出货。4、典型的封装工艺流程为：划片、装片、键合、塑封、去飞边、电镀、打印、切筋和成型，外观检查、成品测试、包装出货。

不含氧也不含任何脱氧剂残留物的纯铜。但实际上还是含有非常微量氧和一些杂质。按标准规定，氧的含量不大于0.003%，杂质总含量不大于0.05%，铜的纯度大于99.95%。根据含氧量和杂质含量，无氧铜又分为一号和二号无氧铜。一号无氧铜纯度达到99.97%，氧含量不大于0.003%，杂质总含量不大于0.03%；二号无氧铜纯度达到99.95%，氧含量不大于0.003%，杂质总含量不大于0.05%。无氧铜无氢脆现象，导电率高，加工性能和焊接性能、耐蚀性能和低温性能均好。各国对于含氧量的标准也不完全相同，存在一定的差异。OFC（无氧铜）：纯度为99.995% 的金属铜。一般用于音响器材、真空电子器件、电缆电工电子应用之中。其中无氧铜中有 LC-OFC（线形结晶无氧铜或结晶无氧铜）：纯度在99.995%以上和OCC（单晶无氧铜）：纯度高，在99.996%以上，分为PC-OCC和UP-OCC 等。

KFC铜合金（C192）

这个ic引线框架主要是配合ic块的就是说ic上不用焊锡，锡直接焊在ic引线上然后把ic直接插到引线框架上这样一来的话就算ic是坏的换起来就很方便！最起码一点首先你要认识它和了解它一般不光是ic用到它凡是集成块都要用到它！因为他价格比较便宜，而且它如果被检查出来是坏的话可以直接找经销商兑换{因为它没有焊锡}可以从做集成块的企业发展！我知道的只有这么多，希望能帮到你！

Alloy42属于铁镍定膨胀合金，是通过调整镍含量而获得在给定温度范围内能与膨胀系数不同的软玻璃和陶瓷匹配的一系列定膨胀合金，其膨胀系数和居里点随镍含量增加而增加。该合金是电真空工业中广泛使用的封接结构材料。Alloy42化学成分如下图：

日本进口的钛铜

1、BGA(ballgridarray)球形触点陈列，表面贴装型封装之一。在印刷基板的背面按陈列方式制作出球形凸点用以代替引脚，在印刷基板的正面装配LSI芯片，然后用模压树脂或灌封方法进行密封。也称为凸点陈列载体(PAC)。引脚可超过200，是多引脚LSI用的一种封装。封装本体也可做得比QFP(四侧引脚扁平封装)小。例如，引脚中心距为1.5mm的360引脚BGA仅为31mm见方；而引脚中心距为0.5mm的304引脚QFP为40mm见方。而且BGA不用担心QFP那样的引脚变形问题。该封装是美国Motorola公司开发的，首先在便携式电话等设备中被采用，今后在美国有可能在个人计算机中普及。最初，BGA的引脚(凸点)中心距为 1.5mm，引脚数为225。现在也有一些LSI厂家正在开发500引脚的BGA。BGA的问题是回流焊后的外观检查。现在尚不清楚是否有效的外观检查方法。有的认为，由于焊接的中心距较大，连接可以看作是稳定的，只能通过功能检查来处理。美国Motorola公司把用模压树脂密封的封装称为OMPAC，而把灌封方法密封的封装称为GPAC(见OMPAC和GPAC)。2、BQFP(quadflatpackagewithbumper)带缓冲垫的四侧引脚扁平封装。QFP封装之一，在封装本体的四个角设置突起(缓冲垫)以防止在运送过程中引脚发生弯曲变形。美国半导体厂家主要在微处理器和ASIC等电路中采用此封装。引脚中心距0.635mm，引脚数从84到196左右(见QFP)。3、碰焊PGA(buttjointpingridarray)表面贴装型PGA的别称(见表面贴装型PGA)。4、C－(ceramic)表示陶瓷封装的记号。例如，CDIP表示的是陶瓷DIP。是在实际中经常使用的记号。5、Cerdip用玻璃密封的陶瓷双列直插式封装，用于ECLRAM，DSP(数字信号处理器)等电路。带有玻璃窗口的Cerdip用于紫外线擦除型EPROM以及内部带有EPROM的微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从8到42。在日本，此封装表示为DIP－G(G即玻璃密封的意思)。6、Cerquad表面贴装型封装之一，即用下密封的陶瓷QFP，用于封装DSP等的逻辑LSI电路。带有窗口的Cerquad用于封装EPROM电路。散热性比塑料QFP 好，在自然空冷条件下可容许1.5～2W的功率。但封装成本比塑料QFP高3～5倍。引脚中心距有1.27mm、0.8mm、0.65mm、0.5mm、 0.4mm等多种规格。引脚数从32到368。7、CLCC(ceramicleadedchipcarrier)带引脚的陶瓷芯片载体，表面贴装型封装之一，引脚从封装的四个侧面引出，呈丁字形。带有窗口的用于封装紫外线擦除型EPROM以及带有EPROM的微机电路等。此封装也称为QFJ、QFJ－G(见QFJ)。8、COB(chiponboard)板上芯片封装，是裸芯片贴装技术之一，半导体芯片交接贴装在印刷线路板上，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，芯片与基板的电气连接用引线缝合方法实现，并用树脂覆盖以确保可靠性。虽然COB是最简单的裸芯片贴装技术，但它的封装密度远不如TAB和倒片焊技术。9、DFP(dualflatpackage)双侧引脚扁平封装。是SOP的别称(见SOP)。以前曾有此称法，现在已基本上不用。10、DIC(dualin-lineceramicpackage)陶瓷DIP(含玻璃密封)的别称(见DIP).11、DIL(dualin-line)DIP的别称(见DIP)。欧洲半导体厂家多用此名称。12、DIP(dualin-linepackage)双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。DIP是最普及的插装型封装，应用范围包括标准逻辑IC，存贮器 LSI，微机电路等。引脚中心距2.54mm，引脚数从6到64。封装宽度通常为15.2mm。有的把宽度为7.52mm和10.16mm的封装分别称为 skinnyDIP和slimDIP(窄体型DIP)。但多数情况下并不加区分，只简单地统称为DIP。另外，用低熔点玻璃密封的陶瓷DIP也称为 cerdip(见cerdip)。13、DSO(dualsmallout-lint)双侧引脚小外形封装。SOP的别称(见SOP)。部分半导体厂家采用此名称。14、DICP(dualtapecarrierpackage)双侧引脚带载封装。TCP(带载封装)之一。引脚制作在绝缘带上并从封装两侧引出。由于利用的是TAB(自动带载焊接)技术，封装外形非常薄。常用于液晶显示驱动LSI，但多数为定制品。另外，0.5mm厚的存储器LSI簿形封装正处于开发阶段。在日本，按照EIAJ(日本电子机械工业)会标准规定，将DICP命名为DTP。15、DIP(dualtapecarrierpackage)同上。日本电子机械工业会标准对DTCP的命名(见DTCP)。16、FP(flatpackage)扁平封装。表面贴装型封装之一。QFP或SOP(见QFP和SOP)的别称。部分半导体厂家采用此名称。17、flip-chip倒焊芯片。裸芯片封装技术之一，在LSI芯片的电极区制作好金属凸点，然后把金属凸点与印刷基板上的电极区进行压焊连接。封装的占有面积基本上与芯片尺寸相同。是所有封装技术中体积最小、最薄的一种。但如果基板的热膨胀系数与LSI芯片不同，就会在接合处产生反应，从而影响连接的可靠性。因此必须用树脂来加固LSI芯片，并使用热膨胀系数基本相同的基板材料。18、FQFP(finepitchquadflatpackage)小引脚中心距QFP。通常指引脚中心距小于0.65mm的QFP(见QFP)。部分导导体厂家采用此名称。19、CPAC(globetoppadarraycarrier)美国Motorola公司对BGA的别称(见BGA)。20、CQFP(quadfiatpackagewithguardring)带保护环的四侧引脚扁平封装。塑料QFP之一，引脚用树脂保护环掩蔽，以防止弯曲变形。在把LSI组装在印刷基板上之前，从保护环处切断引脚并使其成为海鸥翼状(L形状)。这种封装在美国Motorola公司已批量生产。引脚中心距0.5mm，引脚数最多为208左右。21、H-(withheatsink)表示带散热器的标记。例如，HSOP表示带散热器的SOP。22、pingridarray(surfacemounttype)表面贴装型PGA。通常PGA为插装型封装，引脚长约3.4mm。表面贴装型PGA在封装的底面有陈列状的引脚，其长度从1.5mm到2.0mm。贴装采用与印刷基板碰焊的方法，因而也称为碰焊PGA。因为引脚中心距只有1.27mm，比插装型PGA小一半，所以封装本体可制作得不怎么大，而引脚数比插装型多(250～52，是大规模逻辑LSI用的封装。封装的基材有多层陶瓷基板和玻璃环氧树脂印刷基数。以多层陶瓷基材制作封装已经实用化。23、JLCC(J-leadedchipcarrier)J形引脚芯片载体。指带窗口CLCC和带窗口的陶瓷QFJ的别称(见CLCC和QFJ)。部分半导体厂家采用的名称。24、LCC(Leadlesschipcarrier)无引脚芯片载体。指陶瓷基板的四个侧面只有电极接触而无引脚的表面贴装型封装。是高速和高频IC用封装，也称为陶瓷QFN或QFN－C(见QFN)。25、LGA(landgridarray)触点陈列封装。即在底面制作有阵列状态坦电极触点的封装。装配时插入插座即可。现已实用的有227触点(1.27mm中心距)和447触点(2.54mm中心距)的陶瓷LGA，应用于高速逻辑LSI电路。LGA与QFP相比，能够以比较小的封装容纳更多的输入输出引脚。另外，由于引线的阻抗小，对于高速LSI是很适用的。但由于插座制作复杂，成本高，现在基本上不怎么使用。预计今后对其需求会有所增加。26、LOC(leadonchip)芯片上引线封装。LSI封装技术之一，引线框架的前端处于芯片上方的一种结构，芯片的中心附近制作有凸焊点，用引线缝合进行电气连接。与原来把引线框架布置在芯片侧面附近的结构相比，在相同大小的封装中容纳的芯片达1mm左右宽度。27、LQFP(lowprofilequadflatpackage)薄型QFP。指封装本体厚度为1.4mm的QFP，是日本电子机械工业会根据制定的新QFP外形规格所用的名称。28、L－QUAD陶瓷QFP之一。封装基板用氮化铝，基导热率比氧化铝高7～8倍，具有较好的散热性。封装的框架用氧化铝，芯片用灌封法密封，从而抑制了成本。是为逻辑 LSI开发的一种封装，在自然空冷条件下可容许W3的功率。现已开发出了208引脚(0.5mm中心距)和160引脚(0.65mm中心距)的LSI逻辑用封装，并于1993年10月开始投入批量生产。29、MCM(multi-chipmodule)多芯片组件。将多块半导体裸芯片组装在一块布线基板上的一种封装。根据基板材料可分为MCM－L，MCM－C和MCM－D三大类。MCM－L是使用通常的玻璃环氧树脂多层印刷基板的组件。布线密度不怎么高，成本较低。MCM－C是用厚膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或玻璃陶瓷)作为基板的组件，与使用多层陶瓷基板的厚膜混合IC类似。两者无明显差别。布线密度高于MCM－L。MCM－D是用薄膜技术形成多层布线，以陶瓷(氧化铝或氮化铝)或Si、Al作为基板的组件。布线密谋在三种组件中是最高的，但成本也高。

高导电高性能镍矽铜带C7025，又称硅青铜，为含有镍和硅的铜合金，硅又称矽，此为高导电率及高弹性合金，不需热处理，具有良好之冲压成形性，不含金属铍，故具经济性及不含毒素，广泛用於继电器、行动电话零件，以及开关、耳机插座，是可取代低铍含量之铍铜。C7025化学成分：镍 (Ni) ： 2.2~4.2 硅 (Si) ： 0.25~1.2 镁 (Mg) ： 0.05~0.3 铁 (Fe) ： ≤0.2铅 (Pb) ： ≤0.05锌 (Zn) ： ≤1.0

合金是一种金属元素和一种或几种其它元素（金属或者非金属均可）熔合后而组成的具有金属特性的物质。组成合金最基本的、能独立存在的物质称为组元，简称元。绝大多数情况下，组元即是构成合金的元素。根据组元的数量，可分为二元合金、三元合金或多元合金。如简单黄铜是由铜和锌两种元素组成的二元合金；硬铝是由铝、铜、镁三种元素组成的三元合金。由于合金的优良的特性，在实际生活中有着广泛地应用。下面主要介绍几种：（一）、变形铝合金按性能和用途不同，可分为：工业纯铝（L）、防锈铝（LF）、锻铝（LD）、硬铝（LY）、超硬铝（LC）和特殊铝（LT）。1、工业纯铝：其加工性能好，导电性好，主要用于制作导电母线电线及热交换器。2、防锈铝：防锈铝是热处理不可强化合金，只能通过冷加工来强化。常用的有LF2（5052）、LF4（5083）和LF21（3003），具有中等强度良好的塑性和抗蚀性。3、锻铝：LD2-2具有良好的塑性，冷、热态都易成形。广泛用于制造中等强度常温下工作的锻件、挤压型材和管材。LD10又称高强度硬铝，有良好的塑性，有较好的耐热性和可焊性，但材料的纵向和横向性能差距较大。可加工成管、棒、型、线及锻件，主要用作高负荷的结构件。4、硬铝：硬铝的强度高，典型牌号为LY12（2024）。该牌号的热挤压型材热处理后，其室温下的抗拉强度可达392MPa以上，有一定的耐热性，可用作150°C以下工作的零件。5、超硬铝：典型牌号有LC4，亦称超高强度硬铝，挤压件室温下的抗拉强度不小于539MPa。主要用于航空工业，飞机结构中主要受力元件。（二）、铜合金主要包括铍铜合金、银铜合金、镍铜合金、钨铜合金、磷铜合金。１、铍铜合金：铍铜合金是一种可锻和可铸合金，属时效析出强化的铜基合金，经淬火时效处理后具有高的强度、硬度、弹性极限，并且稳定性好，具有耐蚀、耐磨、耐疲劳、耐低温、无磁性、导电导热性好、冲击时不会产生火花等一系列优点。铍铜合金常被用作高级精密的弹性元件和耐磨零器材、模具及矿山和石油业用于冲击不产生火花的工具。 ２、银铜合金：银铜合金是通过将纯铜和纯银加入电熔炉进行熔炼，经铸造得到坯料，再加工成各种规格的成品。银铜合金的主要应用为电接触材料、焊接材料、银铜合金排及铜银合金接触线。 ３、镍铜合金：镍铜合金通常被称为白铜。纯铜加镍能显著提高强度、耐蚀性、电阻和热电性，主要应用在海水淡化及海水热交换系统、汽车制造、船舶工业、硬币、电阻线、热电偶。 ４、钨铜合金：这种合金主要用于制造高压触头，用在断路器、负荷开关、环网柜等高压电器上，其具有优良的耐电蚀性，抗熔焊性及耐压性。 ５、磷铜合金：磷铜合金主要应用于印制电路板、五金、塑料和电铸电镀用磷铜阳极；电气接点和插接件用铜带；引线框架用铜带；用于电机、空调、冷冻机行业的代银钎料。（三）、 铁合金铁合金是铁与一种或几种金属或非金属元素组成的合金。铁合金是炼钢和机械铸造业的主要原料之一，在炼钢和铸造时用作脱氧剂、脱硫剂和合金添加剂。铁合金的品种很多，一般按照其所含元素分类，例如：1、硅铁：工业硅铁——含硅95%、75%、45%等硅铁，贫硅铁（含硅12%），硅铝合金，硅钙合金。 2、锰铁：高碳锰铁（含碳为7%），中碳锰铁（含碳1.0~1.5%），低碳锰铁（含碳0.5%），金属锰，硅锰合金。3、铬铁：高碳铬铁、中碳铬铁、低碳铬铁、微碳铬铁、超微碳铬铁、金属铬、硅铬合金。 4、其它铁合金。如钨铁、钼铁、钛铁、钒铁、磷铁、硼铁、镍铁、铌铁、锆铁、稀土合金等。（四）、镁合金镁合金作为最轻的结构材料及可回收的绿色材料近年来备受关注。在汽车工业、电子工业、国防工业等领域的应用增长势头强劲。镁合金轮毂的特点：主要是在车辆上采用镁合金轮毂能达到轻量化的目的，与铝合金轮毂相比，重量减轻30%左右。其它优点：① 高减振特性；② 高热传导率；③ 提高汽车性能；④ 改善燃油效率与降低污染；⑤ 高的刚性。（五）高温合金1、变形高温合金：是指可以进行热、冷变形加工，工作温度范围-253～1320℃，具有良好的力学性能和综合的强、韧性指标，具有较高的抗腐蚀性能的一类合金。2、铸造高温合金：是用母合金锭重熔后直接铸造成形零件的一类高温合金。3、粉末冶金高温合金：是用粉末冶金工艺制取的高温合金。高温合金粉末经热等静压成形或热等静压后再经锻造成形生产工艺制造出粉末高温合金产品。4、金属间化合物高温材料：主要包括Ti－Al系金属间化合物结构材料和Ti3Al基系列合金。5、高温磨蚀环境使用的硬表面耐磨合金等。

锡青铜以锡为主要合金元素的青铜。含锡量一般在3～14%之间，主要用于制作弹性元件和耐磨零件。变形锡青铜的含锡量不超过8%，有时还添加磷、铅、锌等元素。磷是良好的脱氧剂，还能改善流动性和耐磨性。锡青铜中加铅可改善可切削性和耐磨性，加锌可改善铸造性能。这种合金具有较高的力学性能、减磨性能和耐蚀性，易切削加工，钎焊和焊接性能好，收缩系数小，无磁性。可用线材火焰喷涂和电弧喷涂制备青铜衬套、轴套、抗磁元件等涂层。尺寸规格有Ф1.6mm、Ф2.3mm。具有较高的强度、耐蚀性和优良的铸造性能，长期以来广泛应用于各工业部门中。锡青铜的特性：锡青铜除了含有3%～14%锡，此外还常常加入磷、锌、铅等元素。是人类应用最早的合金，至今已有约4000年的使用历史。它耐蚀、耐磨，有较好的力学性能和工艺性能，并能很好地焊接和钎焊，冲击时不产生火花。分为加工锡青铜和铸造锡青铜。用于压力加工的锡青铜含锡量低于6%～7%，铸造锡青铜的含锡量为10%～14%。常用牌号有QSn4-3，QSn4.4-2.5，QSn7-O.2，ZQSn10，ZQSn5-2-5，ZQSN6-6-3等。锡青铜是铸造收缩率最小的有色金属合金，可用来生产形状复杂、轮廓清晰、气密性要求不高的铸件。锡青铜在大气、海水、淡水和蒸汽中十分耐蚀，广泛用于蒸汽锅炉和海船零件。含磷锡青铜具有良好的力学性能，可用作高精密工作母机的耐磨零件和弹性零件。含铅锡青铜常用作耐磨零件和滑动轴承，含锌锡青铜可作高气密性铸件。锡青铜的凝固范围大，枝晶偏析严重；凝固时不易形成集中缩孔，体积收缩很小；铸锭中易出现锡的逆偏析，严重时铸锭表面可见到白色斑点（8相析出），甚至出现富锡颗粒，一般称为锡汗（tinsweat），改进铸造方法和工艺条件可减轻逆偏析程度；液态合金中，锡易生成硬脆的夹杂物SnO2，熔炼要充分脱氧，防止由于夹杂物引起的合金力学性能的降低；对过热和气体的敏感性很小，能很好地焊接和钎焊；冲击时不发生火花，无磁性、耐寒，并有极高的耐磨性。

1、体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上。2、再利用超细的金属（金锡铜铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead）,并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后还要进行一系列操作，封装完成后进行成品测试，通常经过入检Incoming、测试Test和包装Packing等工序，最后入库出货。

功能一样，只是封装不同，D是SOIC贴片封装，N是双列直插封装。

给你个最详细的解答吧]PE工程师有两种，ProcessEngineer(过程工程师即工艺工程师)和ProductEngineer（产品工程师）；前者负责产品制造工艺的设计和贯彻；后者负责产品设计和开发。至于ProjectEngineer（项目工程师）主要是负责项目开发进度、财务，偏重于项目协调和项目管理，一般不称其为PE，而称其为项目经理。DIP是电子元器件的一种封装形式，一般翻译为“双列直插”其英文为DualIn-linePackage，有些集成电路和接插件，采用这样的封装。SMT是SurfaceMountTechnology，表面贴装技术，这样的器件，引脚不穿过PCB，而是贴焊在焊盘上的。DIP的器件，由于有比较长的引脚，且需要穿过PCB安装，因此不能使用SMT自动贴装的设备进行安装，并且现在一般PCB上DIP封装的器件并不是太多，所以有些生产厂家采用人工安装的办法，这就是DIP手工插机，也叫做DIP人工插装。DIPf封装芯片封装基本都采用DIP（Dualln-linePackage，双列直插式封装）封装，此封装形式在当时具有适合PCB（印刷电路板）穿孔安装，布线和操作较为方便等特点。DIP封装的结构形式多种多样，包括多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP等。但DIP封装形式封装效率是很低的，其芯片面积和封装面积之比为1：1.86，这样封装产品的面积较大，内存条PCB板的面积是固定的，封装面积越大在内存上安装芯片的数量就越少，内存条容量也就越小。同时较大的封装面积对内存频率、传输速率、电器性能的提升都有影响。理想状态下芯片面积和封装面积之比为1：1将是最好的，但这是无法实现的，除非不进行封装，但随着封装技术的发展，这个比值日益接近，现在已经有了1：1.14的内存封装技术。

价格相差不是太多拉，要稳定一点，耐磨一点，就得拿C5210拉

▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬.【1】、铜 copper，Cu，它是一种元素 element，而不是一种核素 nuclide。【2】、铜原子含有 29 个质子 proton，中子 neutron 数却从 23 到 51 都有， 所以，它有 28 种同位素isotope。【3】、铜的相对原子量是 63.55 铜的相对原子质量是 63.55 x 1.67 x 10^(-27) = 1.06 x 10(-25) 克。.▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬▬

发光二极管有五种封装：1.软封装芯片直接粘结在特定的PCB印制板上，通过焊接线连接成特定的字符或陈列形式，并将LED芯片和焊线用透明树脂保护，组装在特定的外壳中。这种钦封装常用于数码显示、字符显示或点陈显示的产品中。2.引脚式封装常见的有将LED芯片固定在2000系列引线框架上，焊好电极引线后，用环氧树脂包封成一定的透明形状，成为单个LED器件。3.贴片封装LED芯片粘结在微小型的引线框架上，焊好电极引线后，经注塑成型，出光面一般用环氧树脂包封。4.双列直插式封装用类似IC封装的铜质引线框架固定芯片，并焊接电极引线后用透明环氧包封，常见的有各种不同底腔的“食人鱼”式封装和超级食人鱼式封装。5.功率型封装功率LED的封装形式也很多，它的特点是粘结芯片的底腔较大，且具有镜面反射能力，导热系数要高，并且有足够低的热阻，以使芯片中的热量被快速地引到器件外，使芯片与环境温度保持较低的温差。扩展资料：发光二极管封装是指发光芯片的封装，相比集成电路封装有较大不同。LED的封装不仅要求能够保护灯芯，而且还要能够透光。所以LED的封装对封装材料有特殊的要求。LED封装技术大都是在分立器件封装技术基础上发展与演变而来的，但却有很大的特殊性。一般情况下，分立器件的管芯被密封在封装体内，封装的作用主要是保护管芯和完成电气互连。而LED封装则是完成输出电信号，保护管芯正常工作，输出：可见光的功能，既有电参数，又有光参数的设计及技术要求，无法简单地将分立器件的封装用于LED。

这个问题对我很陌生

拔出和插入的意思

目前是指PCBA组装生产，一般也称为MI生产。

5毫升。对最高位的进位和次高位的进位做异或运算，5毫升为溢出。银胶是一种固化或干燥后具有一定导电性能的胶黏剂。

　　1、电力输送：主要用于动力申线电缆，汇流排，变压器，开关，接插元件和联接器等。 　　2、电机制造：在电机制造中，广泛使用高导电和高强度的铜合金，主要用铜部位是定子，转子和轴头等。 　　3、通讯电缆：由于光纤电缆载流容量大等优点，在通讯干线上不断取代铜电缆，而迅速推广应用。 　　4、住宅电气线路。 　　5、电真空器件：电真空器件主要是高频和超高频发射管、波导管、磁控管等，它们需 要高纯度无氧铜和弥散强化无氧铜。 　　6、印刷电路：铜印刷电路，是把铜箔作为表面，粘贴在作为支撑的塑料板上，用照相的办法把电路布线图印制在铜版上。 　　7、集成电路。 　　8、引线框架：铜合金通过合金化能在很大范围内控制其性能，能够较好地满足引线框架的性能要求，己成为引线框架的一个重要材料。 　　9、能源工业：太阳能的利用也要使用许多铜管。 　　10、石化工业：由于铜的塑性很好，特别适合于制造现代化工工业中结构错综复杂、铜管交叉编制的热交换器。

半导体问到建筑学里来了？？？引线框架作为集成电路的芯片载体，是一种借助于键合材料（金丝、铝丝、铜丝）实现芯片内部电路引出端与外引线的电气连接，形成电气回路的关键结构件，它起到了和外部导线连接的桥梁作用，绝大部分的半导体集成块中都需要使用引线框架，是电子信息产业中重要的基础材料。产品类型有TO、DIP、ZIP、SIP、SOP、SSOP、TSSOP、QFP（QFJ）、SOD、SOT等。主要用模具冲压法和化学刻蚀法进行生产。引线框架使用的原材料有：KFC、C194、C7025、FeNi42、TAMAC-15、PMC-90等。材料的选择主要根据产品需要的性能：（强度、导电性能以及导热性能）来选择。

铜的用途主要有以下几个方面。1、电力输送。电力输送中需要大量消耗高导电性的铜，主要用于动力申．线电缆、汇流排、变压器、开关、接插元件和联接器等。2、电机制造。在电机制造中，广泛使用高导电和高强度的铜合金。主要用铜部位是定子、转子和轴头等。3、通讯电缆。80年代以来，由于光纤电缆载流容量大等优点，在通讯干线上不断取代铜电缆，而迅速推广应用。但是，把电能转化为光能，以及输入用户的线路仍需使用大量的铜。随着通讯事业的发展，人们对通讯的依赖越来越大，对光纤电缆和铜电线的需求都会不断增加。4、住宅电气线路。5、电真空器件。电真空器件主要是高频和超高频发射管、波导管、磁控管等，它们需要高纯度无氧铜和弥散强化无氧铜。6、印刷电路。铜印刷电路，是把铜箔作为表面，粘贴在作为支撑的塑料板上；用照相的办法把电路布线图印制在铜版上；通过浸蚀把多余的部分去掉而留下相互连接的电路。然后，在印刷线路板上与外部的连接处冲孔，把分立元件的接头或其它部分的终端插入，焊接在这个口路上，这样一个完整的线路便组装完成了。7、集成电路。8、引线框架。铜合金价格低廉，有高的强度、导电性和导热性，加工性能、针焊性和耐蚀性优良，通过合金化能在很大范围内控制其性能，能够较好地满足引线框架的性能要求，己成为引线框架的一个重要材料。它是目前铜在微电子器件中用量最多的一种材料。9、能源工业。太阳能的利用也要使用许多铜管。例如：英国伦敦附近某旅馆的一个游泳池，装备了太阳能加热器，在夏季可以将水温保持在18-24℃。在该太阳能加热器中含有784磅（356公斤）铜管。10、石化工业。铜和许多铜合金，在水溶液、盐酸等非氧化性酸、有机酸（如：醋酸、柠檬酸、脂肪酸、乳酸、草酸等）、除氨以外的各种碱及非氧化性的有机化合物（如：油类、酚、醇等）中，均有良好的耐蚀性；因而，在石化工业中大量用于制造接触腐蚀性介质的各种容器、管道系统、过滤器、泵和阀门等器件。还利用它的导热性，制造各种蒸发器、热交换器和冷凝器。由于铜的塑性很好，特别适合于制造现代化工工业中结构错综复杂、铜管交叉编制的热交换器。此外在石油精炼工厂中都使用青铜生产工具；原回是冲击时不迸出火花，可以防止火灾发生。

1、电力输送：主要用于动力申线电缆，汇流排，变压器，开关，接插元件和联接器等。 2、电机制造：在电机制造中，广泛使用高导电和高强度的铜合金，主要用铜部位是定子，转子和轴头等。 3、通讯电缆：由于光纤电缆载流容量大等优点，在通讯干线上不断取代铜电缆，而迅速推广应用。 4、住宅电气线路。 5、电真空器件：电真空器件主要是高频和超高频发射管、波导管、磁控管等，它们需 要高纯度无氧铜和弥散强化无氧铜。 6、印刷电路：铜印刷电路，是把铜箔作为表面，粘贴在作为支撑的塑料板上，用照相的办法把电路布线图印制在铜版上。 7、集成电路。 8、引线框架：铜合金通过合金化能在很大范围内控制其性能，能够较好地满足引线框架的性能要求，己成为引线框架的一个重要材料。 9、能源工业：太阳能的利用也要使用许多铜管。 10、石化工业：由于铜的塑性很好，特别适合于制造现代化工工业中结构错综复杂、铜管交叉编制的热交换器。

你好，C194是具有带色泽美观，高导电性，电热性，耐蚀性，耐氧化性良好，较高的强度，延展性，硬度：耐疲劳性可镀性，可焊性。用于各类要求高强度，高弹性，高硬度，高耐磨性质微电机电刷、开关、继电器、手机电池、弹簧端子。接插件、温度控制器之弹簧片。

环氧树脂粘接力不够和引线框架有污染。半导体塑封不完全的原因是环氧树脂粘接力不够和引线框架有污染。环氧树脂粘接力不够，是环氧树脂含水份太多。引线框架有污染，需要做表面改性处理。

DP：digital power，数字电源；DA：die attach, 焊片；FC：flip chip，倒装。半导体封装简介:1、半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封装是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。2、封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片（Die），然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘（Bond Pad）连接到基板的相应引脚（Lead），并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护，塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化（Post Mold Cure）、切筋和成型（Trim&Form）、电镀（Plating）以及打印等工艺。3、封装完成后进行成品测试，通常经过入检（Incoming）、测试（Test）和包装（Packing）等工序，最后入库出货。4、典型的封装工艺流程为：划片、装片、键合、塑封、去飞边、电镀、打印、切筋和成型，外观检查、成品测试、包装出货。

c19400是铁铜合金 铜合金的一种高铜合金 铁岭富兴铜业 他的密度在8.8左右

铜的用途是：1、电力输送 ：电力输送中需要大量消耗高导电性的铜，主要用于动力申．线电缆、汇流排、变压器、开关、接插元件和联接器等。2、电机制造 ：在电机制造中，广泛使用高导电和高强度的铜合金。主要用铜部位是定子、转子和轴头等。3、通讯电缆 ：80年代以来，由于光纤电缆载流容量大等优点，在通讯干线上不断取代铜电缆，而迅速推广应用。但是，把电能转化为光能，以及输入用户的线路仍需使用大量的铜。随着通讯事业的发展，人们对通讯的依赖越来越大，对光纤电缆和铜电线的需求都会不断增加。4、引线框架： 铜合金价格低廉，有高的强度、导电性和导热性，加工性能、针焊性和耐蚀性优良，通过合金化能在很大范围内控制其性能，能够较好地满足引线框架的性能要求，己成为引线框架的一个重要材料。它是目前铜在微电子器件中用量最多的一种材料。5、电真空器件 :电真空器件主要是高频和超高频发射管、波导管、磁控管等，它们需 要高纯度无氧铜和弥散强化无氧铜。6、印刷电路 ：铜印刷电路，是把铜箔作为表面，粘贴在作为支撑的塑料板上；用照相的办法把电路布线图印制在铜版上；通过浸蚀把多余的部分去掉而留下相互连接的电路。7、能源工业 ：太阳能的利用也要使用许多铜管。例如：英国伦敦附近某旅馆的一个游泳池，装备了太阳能加热器，在夏季可以将水温保持在18～24℃。在该太阳能加热器中含有784磅（3 56公斤）铜管。

C7025属于铜镍硅合金,但不属于白铜 。它主要用于制造需要良好的成型性能、又有高耐力松弛能力和适度的导电性能的高强度零件,如触点弹簧、接插件、引线框架。C5240是普通的磷青铜。

QSn6.5-0.1锡磷青铜有高的强度、弹性、耐磨性和抗磁性，在热态和冷态下压力加工性良好，对电火花有较高的抗燃性，可焊接和钎焊，可切削性良好，在大气、淡水中耐蚀。

对应JIS标准C19400，属于高性能合金

H/2 HV150-170 抗拉强度50-62H HV180-200 抗拉强度60-70EH HV200-220 抗拉强度70> 专业致力于铜带材解决方案，供应各类高精铜带 ksjtty@126.com

CuFe2P铁铜材料名称：铁铜牌号：CuFe2P代号：2.1310标准：DIN 17666-1983CuFe2P化学成分：铜 Cu：余量铁 Fe：2.1~2.6磷 P：0.015~0.15铅 Pb：≤0.03锌 Zn：0.05~0.20杂质总和：≤0.5

半导体生产流程由晶圆制造、晶圆测试、芯片封装和封装后测试组成。半导体封测是指将通过测试的晶圆按照产品型号及功能需求加工得到独立芯片的过程。封装过程为：来自晶圆前道工艺的晶圆通过划片工艺后，被切割为小的晶片，然后将切割好的晶片用胶水贴装到相应的基板（引线框架）架的小岛上，再利用超细的金属（金、锡、铜、铝）导线或者导电性树脂将晶片的接合焊盘连接到基板的相应引脚，并构成所要求的电路；然后再对独立的晶片用塑料外壳加以封装保护。塑封之后，还要进行一系列操作，如后固化、切筋和成型、电镀以及打印等工艺。封装完成后进行成品测试，通常经过入检、测试、和包装、等工序，最后入库出货。典型的封装工艺流程为：划片 装片 键合 塑封 去飞边 电镀 打印 切筋和成型 外观检查 成品测试 包装出货。半导体封装测试的形式：半导体器件有许多封装形式，按封装的外形、尺寸、结构分类可分为引脚插入型、表面贴装型和高级封装三类。从DIP、SOP、QFP、PGA、BGA到CSP再到SIP，技术指标一代比一代先进。半导体封装经历了三次重大革新：1、在上世纪80年代从引脚插入式封装到表面贴片封装，它极大地提高了印刷电路板上的组装密度。2、在上世纪90年代球型矩阵封装的出现，满足了市场对高引脚的需求，改善了半导体器件的性能。3、芯片级封装、系统封装等是现在第三次革新的产物，其目的就是将封装面积减到最小。

磷铜c5191，不是黄铜也不是紫铜。磷铜也叫锡磷青铜磷铜介绍：磷铜（磷青铜）（锡青铜）（锡磷青铜）由青铜添加脱气剂磷P含量0.03~0.35%,锡含量5~8%.及其它微量元素如铁Fe,锌Zn等组成延展性,耐疲劳性均佳可用于电气及机械材料,可靠度高于一般铜合金制品. 青铜 原指铜锡合金，后除黄铜、白铜以外的铜合金均称青铜，并常在青铜名字前冠以D一主要添加元素的名。锡青铜的铸造性能、减摩性能好和机械性能好，适合於制造轴承、蜗轮、齿轮等。铅青铜是现代发动机和磨床广泛使用的轴承材料。铝青铜强度高，耐磨性和耐蚀性好，用於铸造高载荷的齿轮、轴套、船用螺旋桨等。铍青铜和磷青铜的弹性极限高，导电性好，适於制造精密弹簧和电接触元件，铍青铜还用来制造煤矿、油库等使用的无火花工具

通富微电：公司主要从事集成电路 的封装测试业务，在中高端封装技术方面占有领先优势，是国内目前唯一实现高端封装测试技术MCM、MEMS量化生产的封装测试厂家。2006年产能达到35亿只，在内地本土集成电路封装测试厂中排名第一。公司是Micronas、FreesCAle、ToshiBA等境外知名半导体企业的合格分包方，其中全球前10大跨国半导体企业已有5家是公司长期稳定的客户。同时公司注重开发国内市场。　　长电科技：公司是中国半导体第一大封装生产基地，国内著名的晶体管和集成电路制造商，产品质量处于国内领先水平。公司拥有目前体积最小可容纳引脚最多的全球顶尖封装科技，在同行业中技术优势十分突出。　　华微电子：公司是我国最大的功率半导体专业生产企业，产品应用于家电 、绿色照明 、计算机和通讯、汽车电子四大领域，产品性能达到国际先进水平，有些产品的性能甚至超过了国际水平。　　康强电子：主要从事半导体封装用引线框架和键合金丝的生产，属于科技创新 型企业，国内最大的塑封引线框架生产基地，年产量达160亿只，已成为我国专业生产半导体集成电路引线框架、键合金丝的龙头企业。　　华天科技：公司主要从事集成电路的封装与测试业务，近年来产品结构不断优化，原来以中低端封装形式为主的收入结构得到改善，中端产品在收入中的占比不断提升，综合毛利率有所提高。公司开发生产LQFP、TSSOP、QFN、BGA、MCM等高端封装形式产品，以适应电子产品多功能、小型化、便携性的发展趋势要求，紧抓集成电路封装业面临产业升级带来的发展机遇，高端封装产业化项目逐步实施将提升公司发展后劲。　　大恒科技：大恒图像的两个主要产品工业在线视觉检测设备和智能交通 用摄像头有望持续高成长 。中科大洋为数字电视 编播系统行业龙头。中科大洋依托中科院 ，技术优势明显。市场占有率超过50%左右。　　有研新材：公司是我国最大的具有国际水平的半导体材料 研究、开发、生产基地，已形成具有自主知识产权的技术及产品品牌，在国内外市场具有较高的知名度和影响力。目前公司的8英寸、12英寸抛光片产品市场拓展仍在推进中，大直径单晶产品供应上已具备深加工能力，此外2009年公司节能灯用双磨片产品供应量快速增加，区熔产品生产供应有一定进展，这两项产品都有望成为公司新的利润增长点。　　士兰微：公司是一家专业从事集成电路以及半导体微电子相关产品的设计、生产与销售的高新技术企业。公司主要产品是集成电路以及相关的应用系统和方案，主要集中在以下三个领域：以消费类 数字音视频应用领域为目标的集成电路产品，包括以光盘伺服为基础的芯片和系统。　　上海贝岭：公司是我国集成电路行业的龙头，公司投入巨资建成8英寸集成电路生产线，还联手大股东华虹集团成立了上海集成电路研发中心，上海华虹NEC是世界一流水平的集成电路制造企业，技术实力雄厚，公司参股华虹NEC后更加突出了在集成电路方面的实力，有利于提升企业的核心竞争力。华大半导体在2015年5月成为该公司的控股股东，并表示公司将作为中国电子集成电路的统一运营平台，加快推进产业整合，实现资源的集中和业务的系统发展。　　七星电子：公司是半导体设备龙头企业，长期受益政策扶持和国内市场需求。在国内市场需求和政府大力扶持的有利条件下，集成电路和平板显示产业重心正在向大陆转移，为设备类企业提供良好的发展机遇。开发的先进设备打破国外厂商的长期垄断，有望逐步替代国外设备，成为国内市场的重要供应商。　　三安光电：公司公告以自有货币资金在厦门火炬高新区 火炬园成立一家全资子公司。主要从事危险化学品批发、电子元件 及组件、半导体分立器件、集成电路、光电子器件及其他电子器件等制造与销售；注册资金1亿元人民币。

目的在压力、热量和超声波能量的共同作用下，使金丝在芯片电极和外引线键合区之间形成良好的欧姆接触，完成内外引线的连接。技术要求，金丝与芯片电极、引线框架键合区间的连接牢固。 金丝拉力：25μm金丝F最小>5CN,F平均>6CN: 32μm金丝F最小>8CN,F平均>10CN。 焊点要求，各条金丝键合拱丝高度合适，无塌丝、倒丝，无多余焊丝。 金丝拉力，第一焊点金丝拉力以焊丝最高点测试，从焊丝的最高点垂直引线框架表面在显微镜观察下向上拉，测试拉力。由于不同机台的参数设置都不同，所以没有办法统一。

激光切割工艺的无痕微连意思如下：1、激光切割通过“软硬件协同，智能化控制”，平面总线系统FSCUT8000搭配使用智能切割头的熔池检测和过程监控技术，实现快速穿孔、智能回切、无痕微连、智能收刀等亮点功能，进一步提升设备生产加工的效率。通过进一步优化实时寻中算法，配合特殊型钢的专用切割刀路优化，在提升加工效率的基础上，实现型钢细分领域的高精度加工。2、微连接技术中的压焊方法在微连接技术中，压焊方法主要用于微电子器件中固态电路内部互连接线的连接，即芯片与引线框架之间的连接。

DIP封装(Dual In-line Package)，也叫双列直插式封装技术，是一种最简单的封装方式，指采用双列直插形式封装的集成电路芯片，绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过100。DIP封装的CPU芯片有两排引脚，需要插入到具有DIP结构的芯片插座上。当然，也可以直接插在有相同焊孔数和几何排列的电路板上进行焊接。DIP封装的芯片在从芯片插座上插拔时应特别小心，以免损坏管脚。DIP封装结构形式有：多层陶瓷双列直插式DIP，单层陶瓷双列直插式DIP，引线框架式DIP（含玻璃陶瓷封接式，型料包封结构式，陶瓷低熔玻璃式）等。

材料名称：C19400碲青铜牌号：C19400标准：GB/T 8787-1988C19400化学成份：铜 Cu：99.97锡 Sn:铝 Al: 铅 Pb：锑 Sb:磷 P: 0.004～0.012碲 Te: 0.4～0.7

电气行业用的铜排，铜棒比较多。

20左右

受众所周知的原因影响，近年来中国半导体产业的自主研发激情空前高涨，不少企业都不惜代价地持续投入研发，尽可能推动整个产业打破海外垄断的进程。 在各方努力下，国产芯片终于迎来突破，在三个芯片制造的关键环节上终于打破了海外的技术垄断。 所谓引线框架，是芯片的基本载体。公开资料显示，引线框架可以实现芯片电路内部引出端和外引线的电气连接形成回路，属于构建集成电路过程中的核心材料。 长期以来，中国在蚀刻金属引线框架方面高度依赖进口，这导致大部分相关技术都无法进行攻关。 在避无可避的情况下，中国企业只能自主研发引线框架。 在这方面，淄博新恒汇电子发现了激光模式的蚀刻金属引线框架，成功打破技术封锁。 笔者了解到，相比传统蚀刻金属引线框架，新恒汇电子的成果效率更高。据悉，目前该公司在激光模式蚀刻金属引线框架上的产能约为1亿条/年，约占全球10%的产能。 与金属引线框架类似，光刻胶也是核心原材料之一，只不过光刻胶主要被应用于芯片制造环节。 放眼全球光刻胶市场，日本、美国和德国等国家的企业牢牢把控着80%以上的市场。 国产光刻胶目前主要集中在中低端市场，对于高端光刻胶，中国企业仍然需要从海外进口。 不过，在“国家队”的政策、技术和资金支持下，不少中国企业都在高端光刻胶研发项目上实现了一定的突破。 例如南大光电、晶瑞股份等等，其中前者的ArF光刻胶已经建有产能25吨的生产线，接下来会持续扩大产能。 至于晶瑞股份，该公司在2020年从某些渠道购买的二手光刻机已经到货。利用这台光刻机，笔者相信晶瑞股份很快会传来有关光刻胶技术的好消息。 众所周知，前段时间台积电官宣了在1nm芯片技术上的突破。虽然我国在芯片制程上落后不少，但却掌握着1nm芯片电极主要材料---铋。 公开资料显示， 中国是全球铋资源储蓄量最高的国家，先天性的优势令中国在技术落后的情况下掌握不小的主动权。 而且，这意味着，我国在芯片制造技术攻关方面有了更多的优势。总而言之，笔者相信国产芯片未来可期。 文/谛林 审核/子扬 校正/知秋

铜镍合金 Cu ：余量 Si：0.25-1.2 Ni+Co：2.2-4.2 Mg:0.05-0.3 Pb:小于等于0.05 Fe：小于等于0.2 Zn：小于等于1 Mn：小于等于0.1 铁岭富兴铜业有限公司 C70250使用对象1）原使用低镀铜，需要降低成本的产品2）客户要求须符合规范3）需要高降伏强度，4）需要低接触阻抗；5）需要低温升6）需要高插拔次数7）大电流连接8）在高温的环境下工作C70250铜镣硅合金，不属于铜镣合金，属 于白铜类，冷加工性优、热成型好，冷热 钎焊和气体保护弧焊优；用于制造需要良 好的成型性能、又有高耐力松弛能力和适 度的导电性能的高强度零件，如触点弹簧、 接插件、引线框架&适用于需要较高刚性的引线框架，例如计算机、手机及电子设备连接器等液晶体振荡元件外壳，晶体壳体，电位器用滑动片，医疗机械，建筑，管乐器等。常用牌号有C7025铜 Cu ：53.0～58.0镍 Ni ：17.0～19.0锌 Zn：其余锡 Sn ：≤0.5(杂质)铅 Pb：≤0.5(杂质)铅 Pb：≤0.5(杂质)铝 Al：≤1.0(不计入杂质总和)铁 Fe：0.5～1.5锰 Mn：3.0～4.0铍 Sb ：≤0.1(杂质)注：杂质总和≤1.5

具体要看是什么封装体产品的，而且还要分直接材料和辅材，比如：TSOP, 需要 leadframe/die/epoxy/gold wire/Mold compound/plating material/tray or tube 等直接材料，辅材的话有 Background tape/Dicing saw tape/capariliy etc.BGA, 需要 substrate/die/epoxy or film/gold wire/mold compound/solder ball/tray 等直接材料，辅材的话有 Background tape/dicing saw tape/capariliy/singulation blade etc.