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C=εs/4pikd,C=εs/d,两个ε有什么差别?

2023-10-05 22:49:27
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可可
4π只是一个常数.ε.=1/4πk 是真空电容率
“,平行板电容器的电容c跟介电常数ε成正比,跟正对面积成s正比,跟极板间的距离d成反比,”他们只是一个比例.只是一个比例关系.而加了4π后他就成为一个等式,就可以知3求另外一个未知量了.

平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板(设为A和B)所组成,两极板的面积均为S,设两极板分别带有+Q,-Q的电荷,于是每块极板的电荷密度为σ=Q/S,,我们略去极板的边缘效应,把两极板间的电场看成是均匀电场,由高斯定理可得两板间场强为E=σ/ε.=Q/ε.
再由U=∫AB E dl =Ed=Qd/ε.再根据C=Q/U
得出C=ε.S/d既平板电容公式也就是C=S/4πkd

注:ε=1/4πk 是真空电容率

平板电容器的电容与极板的面积S成正比,与极板间的距离d成反比,电容C的大小与电容是否带电无关,只与电容器本身的结构形状有关

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可调电容和可调真空电容的区别

二者含义不同。1、可调电容器是电容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个电容值的电容器,也叫做半微调电容器,可调电容是没有极性的。2、可变真空陶瓷电容器(以下简称真空电容)在大功率短波广播发射机中运用较多,而关于其正确使用和维护资料却很少,因而其使用情况不容乐观,存在许多误区。
2023-09-12 02:52:081

真空电容率是多少?

真空电容率ε0=8.854187817×10-12F/m(近似值)。真空介电常数,又称为真空电容率,或称电常数,是一个常见的电磁学物理常数,符号为ε0。在国际单位制里,真空介电常数的数值为:ε0=8.854187817×10-12F/m(近似值)。自由空间(free space)是一个理想的参考状态,可以趋近,但是在物理上是永远无法达到的状态。可实现真空有时候被称为部分真空(partial vacuum),意指需要超低气压,但超低气压并不是近似自由空间的唯一条件。与经典物理内的真空不同,现今时代的物理真空意指的是真空态(vacuum state),或量子真空。这种真空绝对不是简单的空无一物的空间。因此,自由空间不再是物理真空的同义词。若想要知道更多细节,请参阅条目自由空间和真空态。
2023-09-12 02:52:171

相对电容率大于1吗

相对电容率一定大于1。根据查询相关公开信息显示,相对电容率是介质相对于真空的电容率,表示介质能存储电荷的能力。相对电容率的计算公式为介质的电容率除以真空电容率,而真空电容率是一个常数,等于8.85×10^-12F/m。因此,由于介质的电容率一般都大于真空电容率,所以介质的相对电容率一定大于1。另外,相对电容率也可以理解为介质中电场强度与真空中电场强度的比值,因为介质中电场强度一般小于真空中电场强度,所以相对电容率也一定大于1。
2023-09-12 02:52:511

做真空电容器时没填充真空会坏吗?

真空是抽不是填充。会不会坏要看电容的电压及中间留存的气体。不同气体耐压不同,电介常数也不同。
2023-09-12 02:52:591

为什么用空气的电容值代替真空的电容值?

用空气的电容值代替真空的电容值,有两个原因:1)电子产品中的电容都是在空气中使用的,电子产品不会在真空中使用。测量空气中的电容值更有意义。2)测量空气中的电容值比测量真空中的电容值方便快捷的多。测量真空电容值需要专用的仪器,测量麻烦,用时长。
2023-09-12 02:53:492

真空中的介电常数

真空介电常量,又称为真空电容率,或称电常数,是一个常见的电磁学物理常数,符号为ε0。在国际单位制里,真空介电常量的数值为:ε0=8.854187817×10-12F/m(近似值)。真空电容率是一个度量系统常数。它出现于电磁量的定义方程,主要是因为一个称为理想化的程序。只使用纯理论的推导,麦克斯韦方程组奇异地预测出,电磁波以光速传播于自由空间。真空介电常量是电磁学中在度量物理量时引进的常数(主要是库仑定律中对电荷量的度量)。
2023-09-12 02:54:121

真空介电常数是什么?

真空介电常数,又称为真空电容率,或称电常数,是一个常见的电磁学物理常数,符号为 ε0。在国际单位制里,真空介电常数的数值为,ε0= 8. 854187817 × 10-12 F/ m。真空介电常数是物理量在度量时引进的常数( 主要是库仑定律中对电荷量的度量) ,根据麦克斯韦方程组,可推知真空介电常数与其它物理常数的关系。ε0=1μ0c20其中,c0是光波传播于真空的光速,μ0是真空磁导率。上式可作为真空介电常数的定义式。影响组合介质电气性能的因素组合介质的电气性能和许多因素有关。内部因素主要取决于所用的介质材料(纸、薄膜以及浸渍剂)的成份,不同材料的选取直接影响到介电常数、耐电强度等指标;而外部因素则包括温度、电场强度、频率、压力等。此外制造工艺对它的电气性能也有很大的影响。在诸多衡量电气性能的指标中,一个重要指标就是介电常数ε。为了使电容器做到容量大,而尺寸小、重量轻,采用高介电常数的介质是很重要的一个方面。影响组合介质介电常数ε的因素主要有两个方面,一是温度,温度的影响主要取决于各单一介质ε随温度的变化。二是组合介质中各个材料本身的ε及在组合介质中所占的比例,现有资料多数介绍的是油浸电容器纸或油浸膜纸组合介质,而目前电力电容器行业普遍采用的是油浸薄膜,所以本文主要分析这种组合介质的介电常数。
2023-09-12 02:54:221

真空电容率公式

首先纠正一下,k=1/4πε0,ε0为真空电容率,高中课本上的C=εs/4πkd中的ε实际上是εr,叫做该介质的相对电容率,所以课本上导出的公式实际上是这样的,C=ε0εrs/d,而用ε=ε0εr代替,这样推导就没有问题了。
2023-09-12 02:54:381

电容器的电介质可以为真空吗?

可以,难度太大。一般加油或纸
2023-09-12 02:55:025

真空电容率

真空电容率记得好像是1。
2023-09-12 02:55:212

真空电容率的符号怎么读?

是那个希腊字母埃普西龙?
2023-09-12 02:55:302

电容率的电容率

表征电介质极化性质的宏观物理量。又称介电常量。定义为电位移D和电场强度E之比,D=εΕ,ε的单位为法拉/米(F/m)。电介质的电容率ε与真空电容率ε0之比称为该电介质的相对电容率 εr ,εr=ε/ε0是无量纲的纯数,εr与电极化率χe的关系为εr=1+χe。线性各向同性电介质的电容率是标量,比较简单;非线性电介质(如铁电体)的电容率表示式是很复杂的 ;各向异性电介质(如某些晶体)的电容率则要用张量表示(见电极化强度)。电容率除取决于电介质本身的性质外,还与温度及电磁场变化的频率有关。相对电容率 εr 的数值等于同一电容器中充满均匀电介质时的电容C与真空时的电容C0之比,即εr=C/C0。电容率的名称即来源于此 。用较大εr 的电介质充填电容器,可以减小电容器的体积和重量(见电容器)。 电容率又称介电常数(或相对介电常数),测定在一个电容两电极之间和周围全部只有绝缘油充满时的电容与同样电板的真空电容之比。不同绝缘油具有不同电容率,电容率通常随温度和频率而发生变化,在实际使用中,要求电容器的电容率随温度和频率变化越小越好。如果电容器的电容率变化较然而,失去安全感,应采取相应的措施。真空电容率 真空电容率(vacuumpermittivity)是一个重要且基本的物理常数,又称为真空介电常数。本身是一个精确值,不存在不确定度,其大小等于ε0=1/(μ0×c^2),其中μ0为真空磁导率,c为真空中光速,因为这两者的值都是精确值,所以ε0也是精确值。μ0=4π×10-7N/A^2,c=299792458m/s,所以可算出ε0≈8.854187817×10-12F/m,注意,这里的“≈“并不是因为不精确,而是因为ε0的精确值是一个无理数,这个无理数的本身的大小是确定的。在国际单位制里,常数和都是准确值(参阅NIST)。所以,关于米或安培这些物理量单位的数值设定,不能采用定义方式,而必须设计精密的实验来测量计算求得。由于是个无理数,的数值只能够以近似值来表示。真空电容率也出现于库仑定律,是库仑常数的一部份。所以,库仑常数也是一个准确值对于线性介质,电容率与真空电容率的比率,称为相对电容率,请注意,这公式只有在静止的、零频率的状况才成立。对于异向性材料,相对电容率是个张量。
2023-09-12 02:56:021

什么是电容率 为什么真空中还有真空电容率

电容率,是在电磁学里 ,电介质响应外电场的 施加而电极化的衡量, 称为电容率。在非真空 中由于电介质被电极化 ,在物质内部的总电场会减小;电容率关系 到电介质传输(或容许)电场的能力。电容 率衡量电场怎样影响电介质,怎样被电介质 影响。电容率又称为“绝对电容率”,或称为 “介电常数”。
2023-09-12 02:56:301

电容器在真空中会怎样

要看是什么电容器,如果是平行板电容器放在真空中,则它的介质由空气变成了真空,它的介电常数会变化(变小),因而它的电容量会稍微变小。
2023-09-12 02:56:411

为什么真空电容率和磁导率的乘积为1/c^2,和相对论有什么关系?求大神讲解,求过程

真空中的电容率和磁导率是麦克斯韦方程组中唯二的两个常数真空中的麦氏方程组可以约化为一个波动方程,其中对应波速的常数项自然可由上述两个常数给出,稍微推一下就有你写出来的那个关系麦克斯韦推出这个速度时并不知道电磁波就是光,但是后来发现这样算出来的速度和当时测量到的光速一致,光是电磁波是后来才知道的。 和相对论的关系可以看我以前的这个回答http://zhidao.baidu.com/question/278710051.html 具体推导http://zh.wikipedia.org/wiki/%E9%9B%BB%E7%A3%81%E6%B3%A2%E6%96%B9%E7%A8%8B%E5%BC%8F
2023-09-12 02:56:502

capacitor电容器的介绍

[编辑本段]电容器的定义 定义1:电容器,顾名思义,是‘装电的容器",是一种容纳电荷的器件。英文名称:capacitor。一些常用的电容器如图所示。用字母C表示。电容是电子设备中大量使用的电子元件之一,广泛应用于隔直,耦合,旁路,滤波,调谐回路, 能量转换,控制电路等方面。 定义2:电容器,任何两个彼此绝缘的导体(包括导线)间都构成一个电容器。[编辑本段]电容器在电路中的作用 在直流电路中,电容器是相当于断路的。 这得从电容的结构上说起。最简单的电容是由两端的极板和中间的绝缘电介质构成的。通电后,极板带电,形成电压(电势差),但是中间由于是绝缘的物质,所以是不导电的。不过,这样的情况是在没有超过电容器的临界电压(击穿电压)的前提条件下的。我们知道,任何物质都是相对绝缘的,当物质两端的电压加大到一定程度后,物质是都可以导电的,我们称这个电压叫击穿电压。电容也不例外,电容被击穿后,就不是绝缘体体了。不过在中学阶段,这样的电压在电路中是见不到的,所以都是在击穿电压以下工作的,可以被当做绝缘体看。 但是,在交流电路中,因为电流的方向是随时间成一定的函数关系变化的。而电容器充放电的过程是有时间的,这个时候,在极板间形成变化的电场,而这个电场也是随时间变化的函数。实际上,电流是通过场的形式在电容器间通过的。 在中学阶段,有句话,就叫通交流,阻直流,说的就是电容的这个性质。[编辑本段]电容器的基本功能——充电和放电 充电和放电是电容器的基本功能。 充电 使电容器带电(储存电荷和电能)的过程称为充电。这时电容器的两个极板总是一个极板带正电,另一个极板带等量的负电。把电容器的一个极板接电源(如电池组)的正极,另一个极板接电源的负极,两个极板就分别带上了等量的异种电荷。充电后电容器的两极板之间就有了电场,充电过程把从电源获得的电能储存在电容器中。 放电 使充电后的电容器失去电荷(释放电荷和电能)的过程称为放电。例如,用一根导线把电容器的两极接通,两极上的电荷互相中和,电容器就会放出电荷和电能。放电后电容器的两极板之间的电场消失,电能转化为其它形式的能。 在一般的电子电路中,常用电容器来实现旁路、耦合、滤波、振荡、相移以及波形变换等,这些作用都是其充电和放电功能的演变。[编辑本段]电容器主要特性参数 1、标称电容量和允许偏差 标称电容量是标志在电容器上的电容量。 电容器的基本单位是法拉(F),但是,这个单位太大,在实地标注中很少采用。 其它单位关系如下: 1F=1000mF 1mF=1000μF 1μF=1000nF 1nF=1000pF 电容器实际电容量与标称电容量的偏差称误差,在允许的偏差范围称精度。 精度等级与允许误差对应关系:00(01)-±1%、0(02)-±2%、Ⅰ-±5%、Ⅱ-±10%、Ⅲ-±20%、 Ⅳ-(+20%-10%)、Ⅴ-(+50%-20%)、Ⅵ-(+50%-30%) 一般电容器常用Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ级,电解电容器用Ⅳ、Ⅴ、Ⅵ级,根据用途选取。 2、额定电压 在最低环境温度和额定环境温度下可连续加在电容器的最高直流电压有效值,一般直接标注在电容器外壳上,如果工作电压超过电容器的耐压,电容器击穿,造成不可修复的永久损坏。 3、绝缘电阻 直流电压加在电容上,并产生漏电电流,两者之比称为绝缘电阻. 当电容较小时,主要取决于电容的表面状态,容量〉0.1uf时,主要取决于介质的性能,绝缘电阻越小越好。 电容的时间常数:为恰当的评价大容量电容的绝缘情况而引入了时间常数,他等于电容的绝缘电阻与容量的乘积。 4、损耗 电容在电场作用下,在单位时间内因发热所消耗的能量叫做损耗。各类电容都规定了其在某频率范围内的损耗允许值,电容的损耗主要由介质损耗,电导损耗和电容所有金属部分的电阻所引起的。 在直流电场的作用下,电容器的损耗以漏导损耗的形式存在,一般较小,在交变电场的作用下,电容的损耗不仅与漏导有关,而且与周期性的极化建立过程有关。 5、频率特性 随着频率的上升,一般电容器的电容量呈现下降的规律。 6,常用公式 平行板电容器公式中C=εS/4πkd[编辑本段]电容器的型号命名与标示 1.电容器的型号命名方法 国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。 第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。 第二部分:材料,用字母表示。 第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。 第四部分:序号,用数字表示。 用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介 2.电容器容量标示 1、直标法 用数字和单位符号直接标出。如1uF表示1微法,有些电容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法。 2、文字符号法 用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF,1p0表示1pF,6P8表示6.8pF, 2u2表示2.2uF. 3、色标法 用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。 电容器偏差标志符号:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z 4、数学计数法:如上图瓷介电容,标值272,容量就是:27X100pf=2700pf.如果标值473,即为47X1000pf=0.047uf。(后面的2、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X100pf=3300pf。[编辑本段]电容器的分类 1、按照结构分三大类:固定电容器、可变电容器和微调电容器。 2、按电解质分类:有机介质电容器、无机介质电容器、电解电容器和空气介质电容器等。 3、按用途分有:高频旁路、低频旁路、滤波、调谐、高频耦合、低频耦合、小型电容器。 4、按制造材料的不同可以分为:瓷介电容、涤纶电容、电解电容、钽电容,还有先进的聚丙烯电容等等 5、高频旁路:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、涤纶电容器、玻璃釉电容器。 6、低频旁路:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器。 7、滤波:铝电解电容器、纸介电容器、复合纸介电容器、液体钽电容器。 8、调谐:陶瓷电容器、云母电容器、玻璃膜电容器、聚苯乙烯电容器。 9、低耦合:纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、涤纶电容器、固体钽电容器。 10、小型电容:金属化纸介电容器、陶瓷电容器、铝电解电容器、聚苯乙烯电容器、固体钽电容器、玻璃釉电容器、金属化涤纶电容器、聚丙烯电容器、云母电容器。[编辑本段]常用电容器 铝电解电容器 用浸有糊状电解质的吸水纸夹在两条铝箔中间卷绕而成,薄的化氧化膜作介质的电容器.因为氧化膜有单向导电性质,所以电解电容器具有极性.。 容量大,能耐受大的脉动电流。 容量误差大,泄漏电流大;普通的不适于在高频和低温下应用,不宜使用在25kHz以上频率。 低频旁路、信号耦合、电源滤波。 钽电解电容器 用烧结的钽块作正极,电解质使用固体二氧化锰。 温度特性、频率特性和可靠性均优于普通电解电容器,特别是漏电流极小,贮存性良好,寿命长,容量误差小,而且体积小,单位体积下能得到最大的电容电压乘积。 对脉动电流的耐受能力差,若损坏易呈短路状态。 超小型高可靠机件中。 薄膜电容器 结构与纸质电容器相似,但用聚脂、聚苯乙烯等低损耗塑材作介质。 频率特性好,介电损耗小。 不能做成大的容量,耐热能力差。 滤波器、积分、振荡、定时电路。 瓷介电容器 穿心式或支柱式结构瓷介电容器,它的一个电极就是安装螺丝。引线电感极小, 频率特性好,介电损耗小,有温度补偿作用。 不能做成大的容量,受振动会引起容量变化。 特别适于高频旁路。 独石电容器(多层陶瓷电容器) 在若干片陶瓷薄膜坯上被覆以电极桨材料,叠合后一次绕结成一块不可分割的整体,外面再用树脂包封而成 小体积、大容量、高可靠和耐高温的新型电容器,高介电常数的低频独石电容器也具有稳定的性能,体积极小,Q值高 容量误差较大 噪声旁路、滤波器、积分、振荡电路 纸介电容器 一般是用两条铝箔作为电极,中间以厚度为0.008~0.012mm的电容器纸隔开重叠卷绕而成。 制造工艺简单,价格便宜,能得到较大的电容量 一般在低频电路内,通常不能在高于3~4MHz的频率上运用。油浸电容器的耐压比普通纸质电容器高,稳定性也好,适用于高压电路 微调电容器(半可变电容器) 电容量可在某一小范围内调整,并可在调整后固定于某个电容值。 瓷介微调电容器的Q值高,体积也小,通常可分为圆管式及圆片式两种。 云母和聚苯乙烯介质的通常都采用弹簧式东,结构简单,但稳定性较差。 线绕瓷介微调电容器是拆铜丝〈外电极〉来变动电容量的,故容量只能变小,不适合在需反复调试的场合使用 陶瓷电容器 用高介电常数的电容器陶瓷〈钛酸钡一氧化钛〉挤压成圆管、圆片或圆盘作为介质,并用烧渗法将银镀在陶瓷上作为电极制成。它又分高频瓷介和低频瓷介两种。 具有小的正电容温度系数的电容器,用于高稳定振荡回路中,作为回路电容器及垫整电容器。 低频瓷介电容器限于在工作频率较低的回路中作旁路或隔直流用,或对稳定性和损耗要求不高的场合〈包括高频在内〉。这种电容器不宜使用在脉冲电路中,因为它们易于被脉冲电压击穿。 高频瓷介电容器适用于高频电路 云母电容器 就结构而言,可分为箔片式及被银式。被银式电极为直接在云母片上用真空蒸发法或烧渗法镀上银层而成,由于消除了空气间隙,温度系数大为下降,电容稳定性也比箔片式高。 频率特性好,Q值高,温度系数小 不能做成大的容量 广泛应用在高频电器中,并可用作标准电容器 玻璃釉电容器 由一种浓度适于喷涂的特殊混合物喷涂成薄膜而成,介质再以银层电极经烧结而成"独石"结构 性能可与云母电容器媲美,能耐受各种气候环境,一般可在200℃或更高温度下工作,额定工作电压可达500V,损耗tgδ0.0005~0.008 电容器:电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等的电子元件称为电容器。电容器包括固定电容器和可变电容器两大类,其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等;可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。 电容器的损耗与漏电和使用环境的温度有极大的关系!!! 固定电容器 固定电容器的检测方法 A.检测10pF以下的小电容因10pF以下的固定电容器容量太小,用万用表进行测量,只能定性的检查其是否有漏电,内部短路或击穿现象。测量时,可选用万用表R×10k挡,用两表笔分别任意接电容的两个引脚,阻值应为无穷大。若测出阻值(指针向右摆动)为零,则说明电容漏电损坏或内部击穿。 B.检测10PF~001μF固定电容器是否有充电现象,进而判断其好坏。万用表选用R×1k挡。两只三极管的β值均为100以上,且穿透电流要小。可选用3DG6等型号硅三极管组成复合管。万用表的红和黑表笔分别与复合管的发射极e和集电极c相接。由于复合三极管的放大作用,把被测电容的充放电过程予以放大,使万用表指针摆幅度加大,从而便于观察。 应注意的是:在测试操作时,特别是在测较小容量的电容时,要反复调换被测电容引脚接触A、B两点,才能明显地看到万用表指针的摆动。C对于001μF以上的固定电容,可用万用表的R×10k挡直接测试电容器有无充电过程以及有无内部短路或漏电,并可根据指针向右摆动的幅度大小估计出电容器的容量。[编辑本段]处理故障电容器时应注意哪些安全? 由于电容器的两极具有剩留残余电荷的特点,所以,首先应设法将其电荷放尽,否则容易发生触电事故。处理故障电容器时,首先应拉开电容器组的断路器及其上下隔离开关,如采用熔断器保护,则应先取下熔丝管。此时,电容器组虽已经过放电电阻自行放电,但仍会有部分残余电荷,因此,必须进行人工放电。放电时,要先将接地线的接地端与接地网固定好,再用接地棒多次对电容器放电,直至无火花和放电声为止,最后将接地线固定好。同时,还应注意,电容器如果有内部断线、熔丝熔断或引线接触不良时,其两极间还可能会有残余电荷,而在自动放电或人工放电时,这些残余电荷是不会被放掉的。故运行或检修人员在接触故障电容器前,还应戴好绝缘手套,并用短路线短接故障电容器的两极以使其放电。另外,对采用串联接线方式的电容器还应单独进行放电。[编辑本段]电容器运行时常易发生哪些异常情况? 补偿电容器运行时常易发生外壳鼓肚、套管或油箱漏油。其主要原因是电容器的温度太高所致。而温升过高由下列因素造成。 1、环境温度太高,通风不良。 2、电源电压超过额定值,引起过载发热。
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电容器有多种,根据材质、用途,甚至使用频率都有很多区别。别外,还有特种电容。最常用的是电解电容,大个子电容,都是电解电容,它们又有不同的材质区分,有的是铝薄,有的是油纸。小个电容,一般也是高频电容,由绦伦材料做成,用于高频电路的电容。象电子镇流器中的抗高频滤波电容。性能稳定的用好于低频的我钽石电容,价格贵得多。电容器是一种储能元件,这是它的特点,引出一系列特性,因而有特殊用途。储能多少,只与标称的电容量有关,与个子大小无关。50微法的电容器,在相同条件下,储电量是一样的。你说的大电容能储存很多电能,小的却不行,是指个子大小吗,容量大小才与储电量多少有关系。如果需要电容来做LC震荡电路,首先要看你设计的工作频率,在LC振荡电路中,工作频率超高,电容容量越小,当频率很高时,可能就要采用高频电容。这是选择电容器的两原则。具体应用来说,你可以参考这一类基本的振荡电路。
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一是容量,主要是耐压要高于电路电压1.5倍,振荡、脉冲电路中,电容耐压要高于电路电压10倍。3是极性,有极性电容不可接反,否则加电后,会爆掉的。
2023-09-12 02:58:212

TDK电容X5R、X7R和X7S分别代表什么意思?

代表电容材质
2023-09-12 02:58:312

电容器的能量公式是什么?

1/2CUU
2023-09-12 02:58:515

真空介电常数和相对介电常数的定义是什么,有什么区别

真空介电常数,又称为真空电容率,或称电常数,是一个常见的电磁学物理常数,符号为 ε0。相对介电常数,表征介质材料的介电性质或极化性质的物理参数。其值等于以预测材料为介质与以真空为介质制成的同尺寸电容器电容量之比,该值也是材料贮电能力的表征。也称为相对电容率。不同材料不同温度下的相对介电常数不同,利用这一特性可以制成不同性能规格的电容器或有关元件。区别:定义不同以及所在的领域不同。真空介电常数是电磁学领域,而相对介电常数是电学领域的。介电常数, 用于衡量绝缘体储存电能的性能. 它是两块金属板之间以绝缘材料为介质时的电容量与同样的两块板之间以空气为介质或真空时的电容量之比。介电常数代表了电介质的极化程度,也就是对电荷的束缚能力,介电常数越大,对电荷的束缚能力越强。
2023-09-12 02:59:501

电容器的型号

型号命名国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。第二部分:材料,用字母表示。第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。第四部分:序号,用数字表示。空调配件电容器用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介容量标示1.直标法用数字和单位符号直接标出。如1uF表示1微法,有些电容用“R”表示小数点,如R56表示0.56微法。2.文字符号法用数字和文字符号有规律的组合来表示容量。如p10表示0.1pF、1p0表示1pF、6P8表示6.8pF、2u2表示2.2uF.3.色标法用色环或色点表示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相同。电容器偏差标志符号:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z4.数学计数法:数学计数法一般是三位数字,第一位和第二位数字为有效数字,第三位数字为倍数。标值272,容量就是:27X10^2=2700pf。如果标值473,即为47X10^3=47000pf(后面的2、3,都表示10的多少次方)。又如:332=33X10^2=3300pf。电容器如何命名 各国电容器的型号命名都很不统一,国产电容器的型号一般有四部分组成(不适用于压敏电容器、可变电容器和真空电容器)依次分别代表名称、材料、分类和序号。 第一部分为名称,用字母C表示 第二部分为材料,用字母表示 第三部分为分类,用数字表示,也有个别用字母表示的 第四部分为符号,用数字表示,以区别电容器的外形尺寸及性能指标   字母及含义 数字或字母 含义    瓷介电容 云母电容 有机电容 电解电容   A—钽电解 1 圆形 非密封 非密封 箔式 B—聚苯乙烯等非极性薄膜 2 管形 非密封 非密封 箔式 3 叠片 密封 密封 烧结粉固体  C—高频陶瓷 4 独石 密封 密封 烧结粉固体 D—铝电解 5 穿心 ? 穿心 ? E—其他材料电解 6 支柱等 ? ? ? G—合金电解 ? ? ? ? ? H—复合介质 7 ? ? ? 无极性 I—玻璃釉 8 高压 高压 高压 ? J—金属化纸介 9 ? ? 特殊 特殊 L—涤纶等极性有机薄膜 G 高功率    T 叠片式     N—铌电解 W 微调    O—玻璃膜      Q—漆膜 J 金属化纸介    T—低频陶瓷      V—云母纸 Y 高压    Y—云母      Z—纸介
2023-09-12 03:00:021

电子元件的电容

diànróng1. [capacitance;electric capacity]:电容是表征电容器容纳电荷的本领的物理量,非导电体的下述性质:当非导电体的两个相对表面保持某一电位差时(如在电容器中),由于电荷移动的结果,能量便贮存在该非导电体之中。2. [capacitor;condenser]:电容器的俗称 。 电容(或称电容量)是表征电容器容纳电荷本领的物理量。我们把电容器的两极板间的电势差增加1伏所需的电量,叫做电容器的电容。电容器从物理学上讲,它是一种静态电荷存储介质(就像一只水桶一样,你可以把电荷充存进去,在没有放电回路的情况下,刨除介质漏电自放电效应/电解电容比较明显,可能电荷会永久存在,这是它的特征),它的用途较广,它是电子、电力领域中不可缺少的电子元件。主要用于电源滤波、信号滤波、信号耦合、谐振、隔直流等电路中。电容的符号是C。C=εS/4πkd=Q/U在国际单位制里,电容的单位是法拉,简称法,符号是F,常用的电容单位有毫法(mF)、微法(μF)、纳法(nF)和皮法(pF)(皮法又称微微法)等,换算关系是:1法拉(F)= 1000毫法(mF)=1000000微法(μF)1微法(μF)= 1000纳法(nF)= 1000000皮法(pF)。相关公式:一个电容器,如果带1库的电量时两级间的电势差是1伏,这个电容器的电容就是1法,即:C=Q/U 但电容的大小不是由Q或U决定的,即:C=εS/4πkd 。其中,ε是一个常数,S为电容极板的正对面积,d为电容极板的距离, k则是静电力常量。常见的平行板电容器,电容为C=εS/d.(ε为极板间介质的介电常数,S为极板面积,d为极板间的距离。)电容器的电势能计算公式:E=CU^2/2=QU/2多电容器并联计算公式:C=C1+C2+C3+…+Cn多电容器串联计算公式:1/C=1/C1+1/C2+…+1/Cn多电容器并联相加 串联 C=(C1*C2*C3)/(C1+C2+C3) 国产电容器的型号一般由四部分组成(不适用于压敏、可变、真空电容器)。依次分别代表名称、材料、分类和序号。第一部分:名称,用字母表示,电容器用C。第二部分:材料,用字母表示。第三部分:分类,一般用数字表示,个别用字母表示。第四部分:序号,用数字表示。用字母表示产品的材料:A-钽电解、B-聚苯乙烯等非极性薄膜、C-高频陶瓷、D-铝电解、E-其它材料电解、G-合金电解、H-复合介质、I-玻璃釉、J-金属化纸、L-涤纶等极性有机薄膜、N-铌电解、O-玻璃膜、Q-漆膜、T-低频陶瓷、V-云母纸、Y-云母、Z-纸介。 名称:聚酯(涤纶)电容(CL)符号:电容量:40p--4μ额定电压:63--630V主要特点:小体积,大容量,耐热耐湿,稳定性差应用:对稳定性和损耗要求不高的低频电路名称:聚苯乙烯电容(CB)符号:电容量:10p--1μ额定电压:100V--30KV主要特点:稳定,低损耗,体积较大应用:对稳定性和损耗要求较高的电路名称:聚丙烯电容(CBB)符号:电容量:1000p--10μ额定电压:63--2000V主要特点:性能与聚苯相似但体积小,稳定性略差。应用:代替大部分聚苯或云母电容,用于要求较高的电路。名称:云母电容(CY)符号:电容量:10p--0.1μ额定电压:100V--7kV主要特点:高稳定性,高可靠性,温度系数小。应用:高频振荡,脉冲等要求较高的电路。名称:高频瓷介电容(CC)符号:电容量:1--6800p额定电压:63--500V主要特点:高频损耗小,稳定性好应用:高频电路名称:低频瓷介电容(CT)符号:电容量:10p--4.7μ额定电压:50V--100V主要特点:体积小,价廉,损耗大,稳定性差。应用:要求不高的低频电路。名称:玻璃釉电容(CI)符号:电容量:10p--0.1μ额定电压:63--400V主要特点:稳定性较好,损耗小,耐高温(200度)。应用:脉冲、耦合、旁路等电路。名称:铝电解电容(CD)符号:电容量:0.47--10000μ额定电压:6.3--450V主要特点:体积小、容量大、损耗大、漏电大。应用:电源滤波,低频耦合,去耦,旁路等。名称:钽电解电容(CA)铌电解电容(CN)。符号:电容量:0.1--1000μ额定电压:6.3--125V主要特点:损耗、漏电小于铝电解电容。应用:在要求高的电路中代替铝电解电容。名称:空气介质可变电容器符号:可变电容量:100--1500p主要特点:损耗小,效率高;可根据要求制成直线式、直线波长式、直线频率式及对数式等。应用:电子仪器,广播电视设备等。名称:薄膜介质可变电容器符号:可变电容量:15--550p主要特点:体积小,重量轻;损耗比空气介质的大。应用:通讯,广播接收机等。名称:薄膜介质微调电容器符号:可变电容量:1--29p主要特点:损耗较大,体积小。应用:收录机,电子仪器等电路作电路补偿。名称:陶瓷介质微调电容器符号:可变电容量:0.3--22p主要特点:损耗较小,体积较小。应用:精密调谐的高频振荡回路 。名称:独石电容容量范围:0.5PF--1ΜF耐压:二倍额定电压。应用范围:广泛应用于电子精密仪器。各种小型电子设备作谐振、耦合、滤波、旁路。独石电容的特点:电容量大、体积小、可靠性高、电容量稳定,耐高温耐湿性好等。最大的缺点是温度系数很高,做振荡器的稳漂让人受不了,我们做的一个555振荡器,电容刚好在7805旁边,开机后,用示波器看频率,眼看着就慢慢变化,后来换成涤纶电容就好多了。就温漂而言:独石为正温糸数+130左右,CBB为负温系数-230,用适当比例并联使用,可使温漂降到很小。就价格而言:钽、铌电容最贵,独石、CBB较便宜,瓷片最低,但有种高频零温漂黑点瓷片稍贵,云母电容Q值较高,也稍贵。里面说独石又叫多层瓷介电容,分两种类型,1型性能挺好,但容量小,一般小于0。2U,另一种叫II型,容量大,但性能一般。 很多电子产品中,电容器都是必不可少的电子元器件,它在电子设备中充当整流器的平滑滤波、电源和退耦、交流信号的旁路、交直流电路的交流耦合等。由于电容器的类型和结构种类比较多,因此,使用者不仅需要了解各类电容器的性能指标和一般特性,而且还必须了解在给定用途下各种元件的优缺点、机械或环境的限制条件等。下文介绍电容器的主要参数及应用,可供读者选择电容器种类时用。1、标称电容量(CR):电容器产品标出的电容量值。云母和陶瓷介质电容器的电容量较低(大约在5000pF以下);纸、塑料和一些陶瓷介质形式的电容量居中(大约在0005μF10μF);通常电解电容器的容量较大。这是一个粗略的分类法。2、类别温度范围:电容器设计所确定的能连续工作的环境温度范围,该范围取决于它相应类别的温度极限值,如上限类别温度、下限类别温度、额定温度(可以连续施加额定电压的最高环境温度)等。3、额定电压(UR):在下限类别温度和额定温度之间的任一温度下,可以连续施加在电容器上的最大直流电压或最大交流电压的有效值或脉冲电压的峰值。电容器应用在高压场合时,必须注意电晕的影响。电晕是由于在介质/电极层之间存在空隙而产生的,它除了可以产生损坏设备的寄生信号外,还会导致电容器介质击穿。在交流或脉动条件下,电晕特别容易发生。对于所有的电容器,在使用中应保证直流电压与交流峰值电压之和不的超过直流电压额定值。4、损耗角正切(tanδ):在规定频率的正弦电压下,电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。这里需要解释一下,在实际应用中,电容器并不是一个纯电容,其内部还有等效电阻,它的简化等效电路如下图所示。图中C为电容器的实际电容量,Rs是电容器的串联等效电阻,Rp是介质的绝缘电阻,Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说,要求Rs愈小愈好,也就是说要求损耗功率小,其与电容的功率的夹角δ要小。这个关系用下式来表达: tanδ=Rs/Xc=2πf×c×Rs 因此,在应用当中应注意选择这个参数,避免自身发热过大,以减少设备的失效性。5、电容器的温度特性:通常是以20℃基准温度的电容量与有关温度的电容量的百分比表示。补充:1、电容在电路中一般用“C”加数字表示(如C13表示编号为13的电容)。电容是由两片金属膜紧靠,中间用绝缘材料隔开而组成的元件。电容的特性主要是隔直流通交流。电容容量的大小就是表示能贮存电能的大小,电容对交流信号的阻碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量有关。容抗XC=1/2πf c (f表示交流信号的频率,C表示电容容量)电话机中常用电容的种类有电解电容、瓷片电容、贴片电容、独石电容、钽电容和涤纶电容等。2、识别方法:电容的识别方法与电阻的识别方法基本相同,分直标法、色标法和数标法3种。电容的基本单位用法拉(F)表示,其它单位还有:毫法(mF)、微法(μF)/mju:/、纳法(nF)、皮法(pF)。其中:1法拉=1000毫法(mF),1毫法=1000微法(μF),1微法=1000纳法(nF),1纳法=1000皮法(pF)容量大的电容其容量值在电容上直接标明,如10 μF/16V容量小的电容其容量值在电容上用字母表示或数字表示。字母表示法:1m=1000 μF 1P2=1.2PF 1n=1000PF数字表示法:三位数字的表示法也称电容量的数码表示法。三位数字的前两位数字为标称容量的有效数宇,第三位数宇表示有效数字后面零的个数,它们的单位都是pF。如:102表示标称容量为1000pF。221表示标称容量为220pF。224表示标称容量为22x10(4)pF。在这种表示法中有一个特殊情况,就是当第三位数字用9表示时,是用有效数宇乘上10-1来表示容量大小。如:229表示标称容量为22x(10-1)pF=2.2pF。允许误差 ±1% ±2% ±5% ±10% ±15% ±20%如:一瓷片电容为104J表示容量为0.1 μF、误差为±5%。6使用寿命:电容器的使用寿命随温度的增加而减小。主要原因是温度加速化学反应而使介质随时间退化。7绝缘电阻:由于温升引起电子活动增加,因此温度升高将使绝缘电阻降低。电容器包括固定电容器和可变电容器两大类,其中固定电容器又可根据所使用的介质材料分为云母电容器、陶瓷电容器、纸/塑料薄膜电容器、电解电容器和玻璃釉电容器等;可变电容器也可以是玻璃、空气或陶瓷介质结构。 1、标称电容量和允许偏差2、额定电压3、绝缘电阻4、损耗5、频率特性电子元件的故障特点分析电器设备内部的电子元器件虽然数量很多,但其故障却是有规律可循的。1.电阻损坏的特点电阻是电器设备中数量最多的元件,但不是损坏率最高的元件。电阻损坏以开路最常见,阻值变大较少见,阻值变小十分少见。常见的有碳膜电阻、金属膜电阻、线绕电阻和保险电阻几种。前两种电阻应用最广,其损坏的特点一是低阻值(100Ω以下)和高阻值(100kΩ以上)的损坏率较高,中间阻值(如几百欧到几十千欧)的极少损坏;二是低阻值电阻损坏时往往是烧焦发黑,很容易发现,而高阻值电阻损坏时很少有痕迹。线绕电阻一般用作大电流限流,阻值不大。圆柱形线绕电阻烧坏时有的会发黑或表面爆皮、裂纹,有的没有痕迹。水泥电阻是线绕电阻的一种,烧坏时可能会断裂,否则也没有可见痕迹。保险电阻烧坏时有的表面会炸掉一块皮,有的也没有什么痕迹,但绝不会烧焦发黑。根据以上特点,在检查电阻时可有所侧重,快速找出损坏的电阻。2.电解电容损坏的特点电解电容在电器设备中的用量很大,故障率很高。电解电容损坏有以下几种表现:一是完全失去容量或容量变小;二是轻微或严重漏电;三是失去容量或容量变小兼有漏电。查找损坏的电解电容方法有:(1)看:有的电容损坏时会漏液,电容下面的电路板表面甚至电容外表都会有一层油渍,这种电容绝对不能再用;有的电容损坏后会鼓起,这种电容也不能继续使用;(2)摸:开机后有些漏电严重的电解电容会发热,用手指触摸时甚至会烫手,这种电容必须更换;(3)电解电容内部有电解液,长时间烘烤会使电解液变干,导致电容量减小,所以要重点检查散热片及大功率元器件附近的电容,离其越近,损坏的可能性就越大。3.二、三极管等半导体器件损坏的特点二、三极管的损坏一般是PN结击穿或开路,其中以击穿短路居多。此外还有两种损坏表现:一是热稳定性变差,表现为开机时正常,工作一段时间后,发生软击穿;另一种是PN结的特性变差,用万用表R×1k测,各PN结均正常,但上机后不能正常工作,如果用R×10或R×1低量程档测,就会发现其PN结正向阻值比正常值大。测量二、三极管可以用指针万用表在路测量,较准确的方法是:将万用表置R×10或R×1档(一般用R×10档,不明显时再用R×1档)在路测二、三极管的PN结正、反向电阻,如果正向电阻不太大(相对正常值),反向电阻足够大(相对正向值),表明该PN结正常,反之就值得怀疑,需焊下后再测。这是因为一般电路的二、三极管外围电阻大多在几百、几千欧以上,用万用表低阻值档在路测量,可以基本忽略外围电阻对PN结电阻的影响。4.集成电路损坏的特点集成电路内部结构复杂,功能很多,任何一部分损坏都无法正常工作。集成电路的损坏也有两种:彻底损坏、热稳定性不良。彻底损坏时,可将其拆下,与正常同型号集成电路对比测其每一引脚对地的正、反向电阻,总能找到其中一只或几只引脚阻值异常。对热稳定性差的,可以在设备工作时,用无水酒精冷却被怀疑的集成电路,如果故障发生时间推迟或不再发生故障,即可判定。通常只能更换新集成电路来排除。
2023-09-12 03:00:181

真空电容率的定义是什么?

一对1平方厘米的极板,在真空中相距1cm时具有的电容量,也叫真空介电常数。
2023-09-12 03:00:521

真空电容率的介绍

真空电容率是MKSA有理制(国际单位制的电磁学部分)中引入的一个有量纲的常量 ,又称真空介电常量1 ,表为ε0,在国际单位制中,ε0=8.854187817×10^(-12)F/m。
2023-09-12 03:01:021

真空电容率为多少

ε0=8.854187817×10-12F/m
2023-09-12 03:01:181

高中物理电容C=εs/4pikd,大学物理里的C推导公式是εs/d,我想请问一下这

4π只是一个常数.ε=1/4πk 是真空电容率,而同样ε(大学)可以认为是1/4πk,就跟普朗克常量和约化普朗克常数关系差不多。“,平行板电容器的电容c跟介电常数ε成正比,跟正对面积成s正比,跟极板间的距离d成反比,”他们只是一个比例.只是一个比例关系.而加了4π后他就成为一个等式,就可以知3求另外一个未知量了.平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板(设为A和B)所组成,两极板的面积均为S,设两极板分别带有+Q,-Q的电荷,于是每块极板的电荷密度为σ=Q/S,,我们略去极板的边缘效应,把两极板间的电场看成是均匀电场,由高斯定理可得两板间场强为E=σ/ε.=Q/ε.再由U=∫AB E dl =Ed=Qd/ε.再根据C=Q/U得出C=ε.S/d既平板电容公式也就是C=S/4πkd注:ε=1/4πk 是真空电容率平板电容器的电容与极板的面积S成正比,与极板间的距离d成反比,电容C的大小与电容是否带电无关,只与电容器本身的结构形状有关
2023-09-12 03:01:281

物理中ε0的值是多少?

真空介电常数,又称为真空电容率,或称电常数,是一个常见的电磁学物理常数,符号为 ε0。在国际单位制里,真空介电常数的数值为: ε0 = 8. 854187817 × 10^-12F/ m。(近似值)介电常数是反映压电智能材料电介质在静电场作用下介电性质或极化性质的主要参数,通常用ε来表示。不同用途的压电元件对压电智能材料的介电常数要求不同。当压电智能材料的形状,尺寸一定时,介电常数c通过测量压电智能材料的固有电容CP来确定。根据物质的介电常数可以判别高分子材料的极性大小。通常,相对介电常数大于3.6的物质为极性物质;相对介电常数在2.8~3.6范围内的物质为弱极性物质;相对介电常数小于2.8为非极性物质。“介电常数”在工具书中的解释:1、又称电容率或相对电容率,表征电介质或绝缘材料电性能的一个重要数据,常用ε表示。2、 介电常数是物质相对于真空来说增加电容器电容能力的度量。“介电常数”在学术文献中的解释:1、介电常数是指物质保持电荷的能力,损耗因数是指由于物质的分散程度使能量损失的大小。2、其介质常数具有复数形式,实数部分称为介电常数,虚数部分称为损耗因子。3、介电常数是指在同一电容器中用某一物质为电介质与该电容器在真空中的电容的比值。4、为简单起见,后面将相对介电常数均称为介电常数。
2023-09-12 03:02:071

高中物理电容C=εs/4pikd,大学物理里的C推导公式是εs/d,我想请问一下这

4π只是一个常数.ε.=1/4πk是真空电容率“,平行板电容器的电容c跟介电常数ε成正比,跟正对面积成s正比,跟极板间的距离d成反比,”他们只是一个比例.只是一个比例关系.而加了4π后他就成为一个等式,就可以知3求另外一个未知量了.平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板(设为A和B)所组成,两极板的面积均为S,设两极板分别带有+Q,-Q的电荷,于是每块极板的电荷密度为σ=Q/S,,我们略去极板的边缘效应,把两极板间的电场看成是均匀电场,由高斯定理可得两板间场强为E=σ/ε.=Q/ε.再由U=∫ABEdl=Ed=Qd/ε.再根据C=Q/U得出C=ε.S/d既平板电容公式也就是C=S/4πkd注:ε=1/4πk是真空电容率平板电容器的电容与极板的面积S成正比,与极板间的距离d成反比,电容C的大小与电容是否带电无关,只与电容器本身的结构形状有关
2023-09-12 03:02:361

真空接触器的电容是起什么作用

接触器一般和继电器都会连起来用继电器的作用就是保护接触器然后由接触器保护电机。电容你可以当他是一个小的电瓶,作用就是充电放电。
2023-09-12 03:02:461

电容率的电容率

表征电介质极化性质的宏观物理量。又称介电常量。定义为电位移D和电场强度E之比,D=εΕ,ε的单位为法拉/米(F/m)。电介质的电容率ε与真空电容率ε0之比称为该电介质的相对电容率 εr ,εr=ε/ε0是无量纲的纯数,εr与电极化率χe的关系为εr=1+χe。线性各向同性电介质的电容率是标量,比较简单;非线性电介质(如铁电体)的电容率表示式是很复杂的 ;各向异性电介质(如某些晶体)的电容率则要用张量表示(见电极化强度)。电容率除取决于电介质本身的性质外,还与温度及电磁场变化的频率有关。相对电容率 εr 的数值等于同一电容器中充满均匀电介质时的电容C与真空时的电容C0之比,即εr=C/C0。电容率的名称即来源于此 。用较大εr 的电介质充填电容器,可以减小电容器的体积和重量(见电容器)。 电容率又称介电常数(或相对介电常数),测定在一个电容两电极之间和周围全部只有绝缘油充满时的电容与同样电板的真空电容之比。不同绝缘油具有不同电容率,电容率通常随温度和频率而发生变化,在实际使用中,要求电容器的电容率随温度和频率变化越小越好。如果电容器的电容率变化较然而,失去安全感,应采取相应的措施。真空电容率 真空电容率(vacuumpermittivity)是一个重要且基本的物理常数,又称为真空介电常数。本身是一个精确值,不存在不确定度,其大小等于ε0=1/(μ0×c^2),其中μ0为真空磁导率,c为真空中光速,因为这两者的值都是精确值,所以ε0也是精确值。μ0=4π×10-7N/A^2,c=299792458m/s,所以可算出ε0≈8.854187817×10-12F/m,注意,这里的“≈“并不是因为不精确,而是因为ε0的精确值是一个无理数,这个无理数的本身的大小是确定的。在国际单位制里,常数和都是准确值(参阅NIST)。所以,关于米或安培这些物理量单位的数值设定,不能采用定义方式,而必须设计精密的实验来测量计算求得。由于是个无理数,的数值只能够以近似值来表示。真空电容率也出现于库仑定律,是库仑常数的一部份。所以,库仑常数也是一个准确值对于线性介质,电容率与真空电容率的比率,称为相对电容率,请注意,这公式只有在静止的、零频率的状况才成立。对于异向性材料,相对电容率是个张量。
2023-09-12 03:03:491

求物理中的常数,比如Na.c.e.k常数,应该有三十二个

真空中的光速:c=2.99792458*10^8m/s 真空磁导率:μ=12.566370614*10^(-7)N/A^2[或H/m](即4π*10^(-7)) 真空电容率:ε=1/(μc^2)=8.854187817*10^(-12)A*s/(V*m)[或F/m] 普朗克常数:h=6.6260755*10^(-34)J*s=4.1356692*10^(-15)eV*s 约化普朗克常数:h/(2π)=1.05457266*10^(-34)J*s=6.5821220*10^(-16)eV*s 元电荷:e=1.60217733*10^(-19)C 精细结构常数:α=e^2/(2εhc)=1/137.0359895=7.29735308*10^(-3) 复合常数:hc=1239.84244eV*nm hc/(2π)=197.327053eV*nm e^2/(4πε)=1.43996518eV*nm 里德伯常数:R=m[e]cα^2/(2h)=1.0973731534*10^7/m 阿伏伽德罗常数:N[A]=6.0221367*10^(23)/mol 摩尔气体常数:R=8.314510J/(mol*K) 法拉第常数:F=96485.309C/mol 玻耳兹曼常数:k=R/N[A]=1.380658*10^(-23)J/K=8.617385*10^(-5)eV/K 理想气体摩尔体积:V[m]=22.41410*10^(-3)m^3/mol 电子质量:m[e]=9.1093897*10^(-31)Kg=0.51099906MeV/c^2 质子质量:m[p]=1.6726231*10^(-27)Kg=938.27231MeV/c^2 中子质量:m[n]=1.6749286*10^(-27)Kg=939.56563MeV/c^2 氚核质量:m[d]=3.3435860*10^(-27)Kg=1875.61339MeV/c^2 电子荷质比:-e/m[e]=-1.75881962*10^(11)C/Kg 玻尔半径:a[0]=εh^2/(πm[e]e^2)=0.529177249*10^(-10)m 电子经典半径:r[e]=e^2/(4πεm[e]c^2)=2.81794092*10^(-15)m 电子康普顿波长:λ[e]=h/(2πm[e]c)=3.86159323*10^(-13)m 玻尔磁子:μ[B]=he/(4πm[e])=9.2740154*10^(-24)J/T=5.78838263*10^(-5)eV/T 电子磁矩:μ[e]=9.2847701*10^(-24)J/T=1.001159652193μ[B]=g[s]μ[B]/2 核磁子:μ[N]=he/(4πm[p])=5.0507866*10^(-27)J/T=3.15245166*10^(-8)eV/T 质子磁矩:μ[p]=1.41060761*10^(-26)J/T=2.792847386μ[N] 中子磁矩:μ[n]=-0.96623707*10^(-26)J/T=-1.91304275μ[N] 原子质量单位:1u=m[C12]/12=1.6605402*10^(-27)Kg=931.49432MeV/c^2 能量转换因子:1eV=1.60217733*10^(-19)J=1.78266270*10^(-36)Kg*c^2=1.07354385*10^(-9)u*c^2
2023-09-12 03:04:331

真空介电常数的基本概念

真空介电常数,又称为真空电容率,或称电常数,是一个常见的电磁学物理常数,符号为 ε0。在国际单位制里,真空介电常数的近似数值为:ε0= 8. 854187817 × 10-12F/ m;真空介电常数是物理量在度量时引进的常数( 主要是库仑定律中对电荷量的度量) ,根据麦克斯韦方程组,可推知真空介电常数与其它物理常数的关系。其中,是光波传播于真空的光速,是真空磁导率。上式可作为真空介电常数的定义式。
2023-09-12 03:04:521

平行板电容器电容公式推导

平板电容器由两个彼此靠得很近的平行极板(设为A和B)所组成,两极板的面积均为S,设两极板分别带有+Q,-Q的电荷,于是每块极板的电荷密度为σ=Q/S 略去极板的边缘效应,板间的电场看成是均匀电场,高斯定理得两板间场强为E=σ/ε.=Q/ε. 再由U=∫AB E dl =Ed=Qd/ε.再根据C=Q/U 得出C=ε.S/d既平板电容公式也就是C=S/4πkd 注:ε.=1/4πk 是真空电容率 i=C*dv/dt C=εs/d=ε*π*R*R/d V=E*d dv/dt=dE/dt*d 所以i=(ε*π*R*R/d)*(dE/dt*d)=ε*π*R*R*dE/dt
2023-09-12 03:05:271

如何理解电容公式C=Q/U?

如果是中学,可以这样理解,在一定电压下,电荷发生移动,聚集在电容两极板上,聚集的电荷越多说明电容容纳电荷的本领越强。
2023-09-12 03:05:513

真空介电常数和介电常数有什么区别

介电常数"(绝对介电常数ε)定义: 电容器极板间充满电介质时, 电容增大的倍数叫做电介质的介电常数,用ε表示 并且明确其单位是F·m-1(定义). 人教版高级中学试验课本《物理》第二册第24页 "介电常数"(相对介电常数εr)定义: 电容器极板间充满某种电介质时, 电容增大到的倍数,叫做这种电介常数, 也用ε表示,没有单位(定义2).
2023-09-12 03:06:002

常用电子元件名称

各电子元器件名称 二极管(晶体管) 三极管 稳压二极管 可控硅(晶闸管) 发光二极管(LCD) 场效应管 集成电路(运放、功放、...) 电容可变电容 电解电容 微调电容 电阻保险电阻 压敏电阻 热敏电阻 电位器 电子管 电感器 变压 | 汽车继电器 | 信号继电器 | 固态继电器 | 中间继电器 | 电磁类继电器 | 干簧式继电器 | 湿簧式继电器 | 热继电器 | 步进继电器 | 大功率继电器 | 磁保持继电器 | 极化继电器 | 温度继电器 | 真空继电器 | 时间继电器 | 混合电子继电器 | 延时继电器 | 其他继电器 ⑵二极管 | 开关二极管 | 普通二极管 | 稳压二极管 | 肖特基二极管 | 双向触发二极管 | 快恢复二极管 | 光电二极管 | 阻尼二极管 | 磁敏二极管 | 整流二极管 | 发光二极管 | 激光二极管 | 变容二极管 | 检波二极管 | 其他二极管 ⑶三极管 | 带阻三极管 | 磁敏三极管 | 开关晶体管 | 闸流晶体管 | 中高频放大三极管 | 低噪声放大三极管 | 低频、高频、微波功率晶体管 | 开关三极管 | 光敏三极管 | 微波三极管 | 高反压三极管 | 达林顿三极管 | 光敏晶体管 | 低频放大三极管 | 功率开关晶体管 | 其他三极管 ⑷电子专用材料 | 电容器专用极板材料 | 导电材料 | 电极材料 | 光学材料 | 测温材料 | 半导体材料 | 屏蔽材料 | 真空电子材料 | 覆铜板材料 | 压电晶体材料 | 电工陶瓷材料 | 光电子功能材料 | 强电、弱电用接点材料 | 激光工质 | 电子元器件专用薄膜材料 | 电子玻璃 | 类金刚石膜 | 膨胀合金与热双金属片 | 电热材料与电热元件 | 其它电子专用材料 ⑸电容器 | 云母电容器 | 铝电解电容器 | 真空电容器 | 漆电容器 | 复合介质电容器 | 玻璃釉电容器 | 有机薄膜电容器 | 导电塑料电位器 | 红外热敏电阻 | 气敏电阻器 | 陶瓷电容器 | 钽电容器 | 纸介电容器 | 电子电位器 | 磁敏电阻/电位器 | 湿敏电阻器 | 光敏电阻/电位器 | 固定电阻器 | 可变电阻器 | 排电阻器 | 热敏电阻器 | 熔断电阻器 | 其它电阻/电位器 ⑹连接器 | 端子 | 线束 | 卡座 | IC插座 | 光纤连接器 | 接线柱 | 电缆连接器 | 印刷板连接器 | 电脑连接器 | 手机连接器 | 端子台、接线座 | 其他连接器 ⑺电位器 | 合成碳膜电位器 | 直滑式电位器 | 贴片式电位器 | 金属膜电位器 | 实心电位器 | 单圈、多圈电位器 | 单连、双连电位器 | 带开关电位器 | 线绕电位器 | 其他电位器 ⑻保险元器件 | 温度开关 | 温度保险丝 | 电流保险丝 | 保险丝座 | 自恢复熔断器 | 其他保险元器件 ⑼传感器 | 电磁传感器 | 敏感元件 | 光电传感器 | 光纤传感器 | 气体传感器 | 湿敏传感器 | 位移传感器 | 视觉、图像传感器 | 其他传感器 ⑽电感器 | 磁珠 | 电流互感器 | 电压互感器 | 电感线圈 | 固定电感器 | 可调电感器 | 线饶电感器 | 非线饶电感器 | 阻流电感器(阻流圈、扼流圈) | 其他电感器 ⑾电声器件 | 扬声器 | 传声器 | 拾音器 | 送话器 | 受话器 | 蜂鸣器 ⑿电声配件 | 盆架 | 电声喇叭 | 防尘盖 | 音膜、振膜 | 其他电声配件 | T铁 | 磁钢 | 弹波 | 鼓纸 | 压边 | 电声网罩 ⒀频率元件 | 分频器 | 振荡器 | 滤波器 | 谐振器 | 调频器 | 鉴频器 | 其他频率元件 ⒁开关元件 | 可控硅 | 光耦 | 干簧管 | 其他开关元件 ⒂光电与显示器件 | 显示管 | 显象管 | 指示管 | 示波管 | 摄像管 | 投影管 | 光电管 | 发射器件 | 其他光电与显示器件 ⒃磁性元器件 | 磁头 | 铝镍磁钢永磁元件 | 金属软磁元件(粉芯) | 铁氧体软磁元件(磁芯) | 铁氧体永磁元件 | 稀土永磁元件 | 其它磁性元器件 ⒄集成电路 | 电视机IC | 音响IC | 电源模块 | 影碟机IC | 录象机IC | 电脑IC | 通信IC | 遥控IC | 照相机IC | 报警器IC | 门铃IC | 闪灯IC | 电动玩具IC | 温控IC | 音乐IC | 电子琴IC | 手表IC | 其他集成电路 ⒅电子五金件 | 触点 | 触片 | 探针 | 铁心 | 其他电子五金件 ⒆显示器件 | 点阵 | led数码管 | 背光器件 | 液晶屏 | 偏光片 | 发光二极管芯片 | 发光二极管显示屏 | 液晶显示模块 | 其他显示器件 ⒇蜂鸣器 等...........
2023-09-12 03:06:122

电容器的主要性质?

电容的性质是: 滤波 、蓄能、耦合、旁路等。电容其他的性质:电容在并联的时候,是容值相加,串联的时候,是容值倒数相加。电阻复阻抗是阻值本身,电容复阻抗是容值和工作频率乘积的倒数。所有的复阻抗都是在串连的时候是相加,并联的时候是倒数相加。由于电容复阻抗和容值成反比,所以电容的串并联和电阻的算法正好相反。
2023-09-12 03:06:352

课本中说,平行板电容器的电容c跟介电常数ε成正比,跟正对面积成s正比,跟极板间的距离d成反比,

PF是皮法拉的单位
2023-09-12 03:06:463

为什么说大地就是一个电容

一个真实的现象是:无论你向大地(地球)注入多么大的电荷,大地的电位也不会升高哪怕非常微小的一点点。大地的电位永远是0。
2023-09-12 03:06:573

平行板电容器的电容公式是什么?

平行板电容器的电容公式是:平行板电容器由两块平行的金属板,中间夹以电介质薄层。电容器工作时它的两个金属板的两个相对的两个表面上总是分别带上等量异号电荷+Q和-Q,这时两板间有一定的电压:在国际单位制中,电容的单位名称是法[拉],符号为F,实际上1F是非常大的,常用微法、皮法等较小的单位。1F=1C/V。在电压相同的条件下,电容C越大,所储存的的电量越多,这说明电容是反应电容器存储电荷本领大小的物理量。扩展资料:充电、放电充电过程:在电源内部非静电力作用 下,电源正负极上分别聚集了大量的正电荷和负电荷。当电容器与电源相连时,由于电源正、负极处的同种电荷之间的排斥力,正、负电荷分别被推到了电容器的两个极板上。负极板上的所有负电荷对正极板上某一正电荷有吸引力极板上的其它所有正电荷对该正电荷有排斥力,与正极板相连的导线上的正电荷和电源正极上的正电荷共同对该电荷有排斥力,而的大小由电源的端电压U 大小来决定。电源端电压U越大,就越大。充电完毕时,这三个力达到平衡,电荷就处于静止状态。
2023-09-12 03:07:201

电容按材质不同(或按外形分)分为哪几种?如铝电解电容、胆电容等

这个很多的铝电解电容器 钽电容安规电容独石电容cbb电容 等按照外形可以分:贴片电容和插件电容等不懂的可以询问这边、谢谢(这边有蓝宝石电容)
2023-09-12 03:07:483

大学物理电学部分中的μ0等于多少具体数值

μ0=4π×10^-7 T·m/A (来自高等教育出版社大学物理教材哦)
2023-09-12 03:08:012

关于高斯定理,我们都知道高斯定理是通过球面的电场强度通量等于球面所包围的电荷q除以真空电容率,如果

电通量是指通过某个面的,你的高斯面呢?
2023-09-12 03:09:343

大学物理题目,求大神解答 一块平板电容器,其圆形极板的半径是8CM,板极间距为1MM,将其置于真空

500
2023-09-12 03:09:422

一个极板间为真空的平行扳电容器2扳间的电场强度只与极板所带的电荷量和极板面积有关,与2极板距离无关

1, 导体和电介质的静电特性; 2,导体和电介质内外的电场分布图像; 3,静电场的能量. 1,按导电能力划分,大致可将物体分为两类: 导体:导电能力极强的物体 绝缘体或电介质:导电能力极弱或者不导电的物体 2,金属导体的电结构特点:具有大量的自由电子.当导体不带电,也不受外电场的作用时,导体内的大量自由电子和晶体格点阵的正电荷相互中和,导体呈电中性状态. §9-1 静电场中的导体(Conductors in Electrostatic Field) 静电感应现象:在导体内部存在电场时,自由电子受电场力作用作定向运动,从而引起导体内部正负电荷的的重新分布,结果使导体一端带正电荷,一端带负电荷.这就是静电感应,分布在导体上的电荷便是感应电荷. 1.导体的静电平衡状态 (electrostaticequilibrium): 指导体内部和表面都没有电荷作宏观的定向运动的状态. (E :感应电荷q 产生的电场) 2. 静电平衡条件(electrostatic equilibrium condition) : 导体内部电场强度处处为零 这也是静电平衡问题的出发点 3,导体静电平衡时的特点 场强特点: 电势特点:导体是等势体;导体表面是等势面. 电荷分布特点:电荷只分布在导体表面上,导体表面附近的场强 与该表面的电荷面密度成正比,方向垂直于表面: 对孤立导体,表面各处的面电荷密度和该处表面的曲率有关.一般而言,曲率大处,面电荷密度大. 这一结论对孤立导体和处于外电场中的任意导体均适用 §9-2 空腔导体内外的静电场 导体空腔内无带电体 不论导体空腔是自身带电还是处在外电场中,在静电平衡条件下,腔的内表面上处处没有电荷,电荷只能分布在腔的外表面上,腔内空间各点的电场强度处处为零. 空腔导体外面的空间总有电场存在,电场分布由腔外表面的电荷分布和其它带电体的分布共同决定. P O 总之,对导体空腔内无带电体 当导体处在外电场中时,空腔导体外的带电体,只会影响空腔导体外表面上的电荷分布,并改变空腔导体外的电场分布. 这些电荷重新分布的结果,最终是使导体内部及空腔内部的场强为零. P Q O 导体空腔内有带电体 导体空腔内的空间有带电体时,设电量为q,在静电平衡条件下,腔的内,外表面上分别出现电荷量为-q和q的感应电荷.若导体空腔原来带电量为q0,则腔外表面上的带电量为q0+q.腔内空间场强值由腔内带电体和腔内表面上的电荷分布决定,与腔外表面及腔外其它带电体的电荷分布无关. 腔外空间的电场由腔内带电体和外加电场在外表面产生的感应电荷共同确定. P q Q O §9-2 空腔导体内外的静电场 导体空腔内的电场 导体空腔内的空间无带电体时,不论腔外是否有带电体(附加电场),在静电平衡条件下,腔的内表面上处处没有电荷,电荷只能分布在腔的外表面上,腔内空间各点的电场强度处处为零. P Q 导体空腔内的空间有带电体时,设电量为q,在静电平衡条件下,腔的内,外表面上分别出现电荷量为-q和q的感应电荷.若导体空腔原来带电量为q0,则腔外表面上的带电量为q0+q.腔内空间场强值由腔内带电体的电荷量,位置和腔内表面的形状决定. P q Q 导体空腔外的电场 当腔外无附加电场时,腔内带电体将在腔外表面感应出与带电体等量同号电荷,这些感应电荷在腔外空间激发电场. 当腔外有附加电场时,(1)腔内无电荷,受附加电场影响,腔外表面产生感应电荷,腔外附加电场会重新分布.(2)腔内有电荷,腔外表面上的电荷由腔内带电体和腔外附加电场产生的两种感应电荷共同确定,它们共同在腔外空间激发电场. 总之,只要有附加电场存在,无论腔内有无带电体,腔外表面上的感应电荷都会影响该附加电场的分布. 静电屏蔽(Electrostatic Shielding) 在静电平衡条件下: 空腔导体外面的带电体不会影响空腔内部的电场分布,即空腔导体可保护腔内空间的电场不受腔外带电体的影响; 接地空腔导体,空腔内的带电体对腔外的物体不会产生影响.即接地空腔导体可保护腔外空间的电场不受腔内带电体的影响, 以上两种现象称为静电屏蔽. 静电屏蔽的讨论 静电屏蔽的物理实质使导体在电场作用下,导体中的自由电子重新分布,使导体上出现感应电荷,而感应电荷产生的场与其他源电荷产生的场在一特定区域内合场强为零,从而使处在该区域内的物体不受电场作用. 导体的静电屏蔽作用是自然界存在两类电荷与导体中存在大量自由电子的结果. 从静电屏蔽的最后结果看,因为导体内部场强为零,电场线都终止在导体表面上,犹如电场线不能穿透金属导体,但这里的电场线代表所有电荷共同产生的电场. §9-3 电容器(capacitor)的电容(capacity) 孤立导体的电容 孤立导体的电容定义为:导体带电量与导体电势的比: 物理意义:使导体升高单位电势所需的电荷量. 1,电容是导体的客观性质,电容反映了该导体在给定电势的条件下储存电量能力的大小,C 越大,说明在相同的电势下储存的电量越多. 2,电容仅由导体的形状,大小和周围电介质决定,与导体是否带电及带电多少无关. 国际单位:法拉(F=C/V) 1F=106 F=1012pF 电容的单位 国际单位:F法拉(1F=1C/V) F是一个很大的单位,电容为1F的孤立导体球的半径约为9×109m.地球的半径为6.4 × 106m,把地球看作是球形导体时,电容为: 通常取微法( F ),皮法(pF)作为电容的单位 1F=106 F=1012pF 非孤立导体的电容 此时带电导体的电势不仅与自己所带的电荷有关,且与周围导体的形状,位置及其带电状况带电体都有关系.即非孤立导体的电势与其电荷量不成正比. 采用静电屏蔽的原理来消除其他导体的影响 (参见P95例题9-2)球A在球B的影响下电势发生了变化,但两球的电势差恒保持不变 因此 , 即导体A,B之间的电势差仅与导体A的电量成正比,与导体B周围的其他带电体或导体无关. 电容器的电容 导体A和导体B之间的电势差仅与导体A的电量成正比,与导体B周围的其他带电体或导体无关,将这种由导体A和导体B构成的一对导体系称为电容器.两个导体分别称为极板,两极板上分别带等量异号的电荷. 电容器的电容定义为: C取决于两极板的大小,形状,相对位置和极板间电介质的电容率. 电容的大小反映了当电容器两极板间存在一定电势差时,极板上贮存电量的多少. 常见的真空电容器:平行板电容器,球形电容器,圆柱形电容器. 1,平行板电容器 d A B S 由两块平行放置的金属板组成,极板面积S足够大,板间距离d足够小,即: 忽略边缘效应后,两板间的场强,电势差分别为: 故平行板电容器的电容为: 2,球形电容器 由两个同心金属球壳组成.在两球壳之间,具有球心对称的电场分布,其中P点的场强为 两球壳间的电势差为: A B RA RB P 球形电容器的电容为: 3,圆柱形电容器 由两个同轴金属圆柱筒组成.在两圆柱面之间电场具有轴对称性,其中P点的场强为 两圆柱面之间的电势差为: 圆柱形电容器的电容为: A B RA RB L P 计算电容的步骤 设q E UAB C 电介质电容器 电容器的电容还和两极板间所充的电介质有关.实验证明,充有电介质的电容器可增大好多倍. 设真空电容为C0,充满电介质时的电容为C.对孤立导体 d A B S 例如对平行板电容器 d A B S 成品电容器的指标:例如 电容 耐压值 电容器的串并联 串联:各电容器极板上的电量的绝对值都相等 并联:各电容器两极板间的电压都相等 §9- 4 电介质(dielectric)及其极化(polarization) 电介质 ——绝缘介质 1.电介质内没有可以自由移动的电荷,在电场作用下,电介质中的电荷只能在原子范围内移动. 2.分子电矩Pm 等效电偶极子(模型) 在一级近似下,可以把原子或分子看作一个电偶极子,即原子或分子的正负电"中心"相对错开.并用电偶极矩(电矩)描写原子或分子的电效应,称为分子电矩 : pm = qmLm
2023-09-12 03:09:501