MA2YD26肖特基二极管 是什么品牌

美台二极体公司，就叫美台

网上买的话也只要70元终生的

吊德斯diodes没发生什么。吊德斯diodes在2022年8月31日b站视频仍在正常更新，b站动态也没有异常。吊德斯diodes是b站知名游戏UP主，视频是各种各样游戏的游玩体验。

周虓。吊德斯在2019获奖时亲口说的

自媒体工作者肯定都有团队，说富算不上。吊德斯DioDes，自媒体创作者，截至2022年2月25日，哔哩哔哩粉丝数达116.6万人。

美台原厂代理、深圳市芯脉实业有限公司。1、美台原厂代理是diodes在我国进行代理的最大代理商，是有专门设立芯脉实业专线的。2、深圳市芯脉实业有限公司进行芯脉的制作，是专找有diodes代理商芯脉实业之一，进行加工diodes代理商芯脉能有大量的盈利。

IGBT既不是MOSFET也不是diodes，而是MOSFET管与三极管BJT结合的集成功率开关器件，既然是MOSFET和BJT的集成器件，当然也会集合了两者的优势。 IGBT的门极驱动与MOSFET的一致，需要适当的驱动电流，集合了MOSFET的开关速度快的优点；而IGBT的集电极和发射极和普通的三极管BJT的发射极和集电极结构原理是一样的，稳定的导通饱和压降可以保证IGBT相对稳定的功耗和发热特性，使IGBT用在大功率电源上更有优势。

LITEON(光宝)系列产品可直接代用DIODES系列产品,而且价格优惠，品质优良，相信可以很好的解决你公司货源紧缺的问题。光宝型号 → 可代用型号LSP3122 AP1501(DIODES)LSP3123 AP1506(DIODES)LSP3124 AP1507(DIODES) LSP3125 AP1509(DIODES) LSP3130 AP1513 、AP1534(DIODES) LSP3131 AP1510 (DIODES) LSP2200CALS SGM809LSP2200CARS SGM809LSP3301 MP1518(MPS); XC9116(TOREX)LSP1084 AP1084(DIODES) LSP1117 AP1117(DIODES) LSP3172(原LSP3128) MP1583（MPS); LM2676（NS）我司一级代理光宝系列产品，我们一贯坚持"品质第一、服务至上、互利双赢"的经营理念,期待与你合作！深圳市泰德兰电子有限公司 联系人：销售部 0 7 5 5--8 33 22 5 22 new.sz800-ic.com/index.htm

看包装外表。仔细观察的DIODES的AP22802WG7包装盒或者包装袋，在包装盒或者包装袋上面都印有生产日期。所以在包装盒或者包装袋的外表就可以查看DIODES的AP22802WG7的生产日期。

1.Premier Farnell 2.AO-Electronics (傲壹电子)3.Digi-Key (得捷电子)4.Arrow (艾睿电子)

电容：Capacitors，简写：C，单位：F、uF、nF、pF；电感：Inductance，简写：L，单位：H、mH、uH、nH；电阻：Resistance，简写：R，单位：MΩ、KΩ、Ω、mΩ；二极管：Diodes，简写：D，没有单位之说，主要是看最大整流电流、最高反向电压及载止频率的高低等。

185厘米。吊德斯DioDes 吊德斯DioDes，自媒体创作者，截至2023年5月16日，哔哩哔哩粉丝数达116.6万人，其身高为185厘米。哔哩哔哩是国内知名的视频弹幕网站，这里有及时的动漫新番，活跃的ACG氛围，有创意的Up主。

吊德斯是四川音乐学院毕业的。根据查询相关公开信息显示，吊德斯DioDes是一名自媒体创作者，截至2023年1月5日，粉丝数到达116.6万人，毕业于四川音乐学院。

简单说就是灯但是它的应用很广泛

Multisim的二极管库“Diodes”→“ZANER”子库就是稳压管二极管库，其中有多个不同额定功耗的稳压管。在“Select a Compenent 元件选择”小窗口中，选中某个元件型号，再点击该窗口右上部第4个按钮“Detail report 详情”，可查询该元件的具体参数。如，1N5233B，其稳压值、最小稳定工作电流和额定功耗分别为6V、20mA和0.5W。还有部分管子的型号中直接包含了稳压值数据，如4.7和4V7均表示稳压值为4.7V，可以在“Compenent 元件”格输入“*4V7”（数据前一定要有*号），即可列出型号中包含4V7的全部型号。注意：稳压管的稳压值多采用阻容元件的E24系列值，高于3V且低于10V的稳压值往往不是整数值，如6V就比较少而多是6.2V。

VISHAY是德国的一个品牌，出品的德律风根红外接收器是国际第一品牌。DIODES是二极管的意思，不是品牌的名字。公司网页是http://www.vishay.com/

英国捷特科(Zetex)公司

Multisim的二极管库“Diodes”→“ZANER”子库就是稳压管二极管库，其中有多个不同额定功耗的稳压管。在“Select a Compenent 元件选择”小窗口中，选中某个元件型号，再点击该窗口右上部第4个按钮“Detail report 详情”，可查询该元件的具体参数。如，1N5233B，其稳压值、最小稳定工作电流和额定功耗分别为6V、20mA和0.5W。还有部分管子的型号中直接包含了稳压值数据，如4.7和4V7均表示稳压值为4.7V，可以在“Compenent 元件”格输入“*4V7”（数据前一定要有*号），即可列出型号中包含4V7的全部型号。注意：稳压管的稳压值多采用阻容元件的E24系列值，高于3V且低于10V的稳压值往往不是整数值，如6V就比较少而多是6.2V。

不是的。Diodes 公司是一家在广阔的分散和模拟半导体市场上居*地位的高质量、特定应用标准产品生产商和供应商，服务市场主要面向电子消费品、计算、通讯、工业和汽车制造业。Diodes 公司是美国纳斯达克上市企业，公司生产的产品主要包括二极管、整流器、晶体管、MOSFET、保护设备、针对特定功能的阵列以及包括 DC-DC 切换和线性稳压器、放大器和比较器、霍尔效应传感器在内的电源管理设备。公司总部位于美国德克萨斯州的达拉斯市。 在加州南部 Westlake Village 办公点设有销售、营销、工程部门以及物流中心。在台北和香港设有工程、销售、仓储和物流中心。 在法国的图卢兹、德国的哈滕海姆以及世界各地都设有营销和支持机构。 在达拉斯、圣何塞、Westlake Village 和台北设有设计中心。 在密苏里设有晶圆制造厂。 在上海设有两家生产厂。Diodes成都公司是其美国总部在成都高新区出口加工区投资建设的表面贴装元器件及集成电路封装测试生产基地，总部计划在10年内投资9亿美元将成都公司打造成Diodes在中国下一个十年的战略基地。

变容二极管在电路中主要作用是可变电容器。变容二极管介绍：变容二极管(Varactor Diodes)又称"可变电抗二极管"，是利用PN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容二极管的电容量一般较小，其最大值为几十pF到几百pF，最大电容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。变容二极管其作用特点：1、变容二极管的作用是利用PN结之间电容可变的原理制成的半导体器件，在高频调谐、通信等电路中作可变电容器使用。变容二极管属于反偏压二极管，改变其PN结上的反向偏压，即可改变PN结电容量。反向偏压越高，结电容则越少，反向偏压与结电容之间的关系是非线性的，如图2所示。2、变容二极管的电容值与反向偏压值的关系图解：(a) 反向偏压增加，造成电容减少；(b) 反向偏压减少，造成电容增加。电容误差范围是一个规定的变容二极管的电容量范围。数据表将显示最小值、标称值及最大值，这些经常绘在图上。

没有。截至2023年5月18日，吊德斯和小熙并不是男女朋友关系。吊德斯DioDes，自媒体创作者，截至2023年5月18日，哔哩哔哩粉丝数达188.4万人。

建兴电子为光宝集团旗下所投资成立之公司，为专注于光碟机产业，1999年3月从源兴科技光电事业部门独立，并于2004年11月正式成为台湾上市挂牌的公司。建兴电子提供CD-ROM，CD-RW及DVD-ROM及较新的产品如Combo机及DVD-RW，目前为台湾第一大、全球第二大光碟机供应商。2006年6月与明基电通进行光储存产品制造整合，更奠定建兴在全球光碟机代工厂商中的龙头地位；建兴电子将持续加强在电脑用光碟机市场市占率，并扩大在消费性产品及汽车电子产业的市占率。 闳晖实业成立于1978年，前身为旭丽电子橡胶事业部，为光宝集团旗下一员，于光宝科技四合一后独立，2004年3月已公开上市。闳晖为世界级的输入装置领导厂商，致力于与客户协同设计开发高品质的产品，目前产品线囊括行动电话按键、视窗、镁铝合金外壳、事务机器、汽车周边输入装置之零组件及模组化产品等。目前闳晖的手机按键已居全台湾的龙头地位，实力深获国际级手机大厂肯定，包括：Nokia、Motorola、Sony-Erickson等皆为重量级厂商的认同，产品研发能力、品质及交期均达国际性领先水准，不断获得国际手机大厂青睐。 敦南科技创立于1990年，为光宝科技关系企业之一。目前分为三大事业部，影像事业部（IMAGE DIVISION）、分离式元件事业部（DISCRETE DIVISION）以及晶圆代工事业部（WAFER FOUNDRY DIVISION）：影像事业部以生产接触式影像感测器（CIS）为主，单色CIS主要是应用在传真机上，彩色CIS则主要用于扫瞄器及多功能事务机上，目前是全球最大的专业影像感测器制造商。影像事业部于2003年时开始推出手机用照相模组。分离式元件事业部以生产各种整流二极管、桥式整流器及表面黏著二极管为主，其产品主要供通讯、监视器及交换式电源供应器、汽车等电子原件类产品使用。晶圆代工事业部位于新竹科学园区，是月产能约38,000片晶圆之六吋半导体晶圆厂，提供High Voltage CMOS 与Bipolar等稳定的制程技术。 朋程科技成立于1998年，为光宝集团旗下公司，主要以生产汽车用整流二极管为主，积极发展Pressfit Diodes、Dish Diodes、Block Diodes 等封装使用于汽车发电机上之二极管整流器的设计及封装制造。电压调节器是朋程科技另一项核心技术延伸。结合优秀研发工程团队所自行开发设计的特殊应用积体电路(ASIC)，朋程科技正朝向世界级“全方位解决方案(Total Solution)”供应商大步迈进。目前在全球前八大汽车发电机原装配厂中，朋程已经供货给其中五家。透过这些一级 (Tier 1) 的供应商，朋程的产品 (Actron Diodes) 已被全球六大车系中的五大核准使用。朋程科技目前是世界前三大车用二极管整流器的合格供应商。 力信兴业股份有限公司成立于1978年，于2000年上柜，并于2001年由上柜转上市。光宝科技于2006年五月透过私募方式取得力信两成股权。力信兴业为国内变压器最大供应制造厂，亦为笔记型电脑及液晶电视使用之电源供应器主要供应制造厂之一，全球据点横跨香港、大陆、日本及马来西亚。光宝科技直接投资力信，使得笔记型电脑电源供应器全球市占率因此扩张至60%，朝全球Absolute No.1迈进，而电源供应器产品之供应链亦因此完整而顺畅。 力铭科技股份有限公司成立于2003年，为力信兴业转投资之子公司，光宝科技于2006年六月以现金增资方式取得三成股权，掌握了背光模组短期与长期的关键零组件。力铭科技主要专注于电源转换器(Inverter)、高阶电源供应器及显示器电源模组(Display power supply) 之研发、设计、制造与销售，并应用于液晶电视、液晶显示器、笔记型电脑及DVD等TFT LCD产品，目前是台湾前三大液晶电视背光模组转换器(LCD TV Inverter)制造商。 龙生工业成立于1969年，为光宝科技转投资之公司，在塑胶射出成型领域已累积超过三十年的技术与经验，提供影像相关产品、手持式整合产品及4C产品的塑胶制品零组件，拥有经验丰富且专业的经营团队。龙生工业基于为提供客户更高的产品品质和服务满意度，不断地扩增新制程、产品种类与生产服务据点，亦持续生产软硬体设备及人员技术培训，在产品品质及客户满意度上已经建立有良好的口碑，并提供客户全球化采购与服务的强大供应能力。 .Diodes Inc.成立于1966年，是美国Nasdaq上市企业，为敦南科技转投资企业，主要从事半导体分立元件制造生产，Diodes Inc.与光宝集团具备合作伙伴关系，双方共同开发、生产及分销产品，服务厂商包括通讯、电脑、工业、电子产品和汽车工业等。Diodes Inc.主要产品包括：肖特基二极体整流器，开关二极体，齐纳二极体，瞬态电压抑制二极体，标准/快速/超快/特快复原整流器，桥式整流器，小信号电晶体和MOS场效应管，极小表面贴装高密度二极体和电晶体Array等。 Perlos为国际级手机大厂供应商，成立于1953年，总部设于芬兰，生产行销据点遍布欧亚美三大洲，全球员工约10,000人。2007年8月光宝科技公开收购Perlos，以强化手机零组件的完整布局，2008年3月完成收购后，Perlos也自芬兰赫尔辛基交易所下市。为掌握手机供应链多元的关键技术与服务，光宝集团成立LITEONMOBILE品牌，垂直整合光宝科技暨旗下手机零组件供应商，包括具全球领导地位之手机按键及金属外壳的闳晖实业，与专精手机机壳设计及制造的Perlos，以全球前三大手机供应商为目标，提供客户最完整的产品, 技术支援与服务。

DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆盖7 大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控制极/栅极电压40V，栅极电流10mA 分辨率最高至1mV / 1nA，精度最高可至0.5% DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统适用于功率器件测试还可测试“结电容”，支持“脉冲式一键加热”和“分选机连接” 第一部分：规格&环境 1.1、 产品信息 产品型号：DCT2000 产品名称：半导体功率器件静态参数测试仪系统 1.2、 物理规格 主机尺寸：深660*宽430*高210(mm) 主机重量：＜35kg 1.3、 电气环境 主机功耗：＜300W 海拔高度：海拔不超过4000m； 环境要求：-20℃～60℃（储存）、5℃～50℃（工作）； 相对湿度：20%RH～75%RH (无凝露，湿球温度计温度 45℃以下)； 大气压力：86Kpa～106Kpa； 防护条件：无较大灰尘，腐蚀或爆炸性气体，导电粉尘等； 电网要求：AC220V、±10%、50Hz±1Hz； 工作时间：连续； 第二部分：应用场景和产品特点 一、应用场景 1、 测试分析 （功率器件研发设计阶段的初始测试，主要功能为曲线追踪仪） 2、 失效分析 （对失效器件进行测试分析，查找失效机理。以便于对电子整机的整体设计和使用过程提出改善方案） 3、 选型配对 （在器件焊接至电路板之前进行全部测试，将测试数据比较一致的器件进行分类配对） 4、 来料检验 （研究所及电子厂的质量部（IQC）对入厂器件进行抽检/全检，把控器件的良品率） 5、 量产测试 （可连接机械手、扫码枪、分选机等各类辅助机械设备，实现规模化、自动化测试） 6、 替代进口 （DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统可替代同级别进口产品） 二、产品特点 1、程控高压源10~1400V，提供2000V选配； 2、程控高流源1uA~100A，提供40A,200A,500A选配； 3、驱动电压10mV~40V 4、控制极电流10uA~10mA； 5、16位ADC，100K/S采样速率； 6、自动识别器件极性NPN/PNP 7、曲线追踪仪，四线开尔文连接保证加载测量的准确 8、通过RS232 接口连接校准数字表，对系统进行校验 9、不同的封装形式提供对应的夹具和适配器（如TO220、SOP-8、DIP、SOT-23等等） 10、半导体功率器件静态参数测试仪系统能测很多电子元器件（如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等）； 11、半导体功率器件静态参数测试仪系统能实现曲线追踪仪（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on) ） 12、结电容参数也可以测试，诸如Cka，Ciss，Crss，Coss； 13、脉冲电流自动加热功能，方便高温测试，无需外挂升温装置； 14、Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin），连接分选机最高效率1h/9000个； 15、半导体功率器件静态参数测试仪系统在各大电子厂的IQC、实验室有着广泛的应用； 第三部分：产品介绍 3.1、产品介绍 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统是由我公司技术团队结合半导体功率器件静态参数测试仪系统的多年经验，以及众多国内外测试系统产品的熟悉了解后，完全自主开发设计的全新一代“半导体功率器件静态参数测试仪系统”。软件及硬件均由团队自主完成。这就决定了这款产品的功能性和可靠性能够得到持续完善和不断的提升。半导体功率器件静态参数测试仪系统脉冲信号源输出方面，高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）栅极电压40V，栅极电流10mA，分辨率最高至1mV / 30pA，精度最高可至0.5%。程控软件基于Lab VIEW平台编写，填充式菜单界面。采用带有开尔文感应结构的测试插座，自动补偿由于系统内部及测试电缆长度引起的任何压降，保证测试结果准确可靠。产品可测试 Si, SiC, GaN 材料的 IGBTs, DIODEs, MOSFETs, BJTs, SCRs 等7大类26分类的电子元器件。涵盖电子产品中几乎所有的常见器件。无论电压电流源还是功能配置都有着极强的扩展性。产品为桌面放置的台式机结构，由测试主机和程控电脑两大部分组成。外挂各类夹具和适配器，还能够通过Prober 接口、Handler 接口可选（16Bin）连接分选机和机械手建立工作站，实现快速批量化测试。通过软件设置可依照被测器件的参数等级进行自动分类存放。能够极好的应对“来料检验”“失效分析”“选型配对”“量产测试”等不同场景。半导体功率器件静态参数测试仪系统产品的可靠性和测试数据的重复性以及测试效率都有着非常优秀的表现。创新的“点控式夹具”让操作人员在夹具上实现一点即测。操作更简单效率更高。测试数据可保存为EXCEL文本，方便快捷的完成曲线追踪仪。 3.2、人机界面（DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统） 第四部分：功能配置 4.1、 配置选项 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的功能配置如下 4.2、 适配器选型 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的适配器有如下4.3、 测试种类及参数 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的测试种类和参数如下 (1)二极管类：二极管  Diode Kelvin，Vrrm，Irrm，Vf，△Vf，△Vrrm，Cka，Tr（选配）； (2)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode） Kelvin，Vz，lr，Vf，△Vf，△Vz，Roz，lzm，Cka； (3)二极管类：稳压二极管  ZD（Zener Diode） Kelvin、Vz、lr、Vf、△Vf、△Vz、Roz、lzm、Cka； (4)二极管类：三端肖特基二极管SBD（SchottkyBarrierDiode） Kelvin 、Type_ident 、Pin_test 、Vrrm、Irrm、Vf、△Vf、V_Vrrm、I_Irrm、△Vrrm、Cka、Tr（选配）； (5)二极管类：瞬态二极管  TVS Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka ； (6)二极管类：整流桥堆 Kelvin 、Vrrm、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm 、Cka； (7)二极管类：三相整流桥堆 Kelvin 、Vrrm 、Irrm、Ir_ac、Vf、△Vf、△Vrrm、Cka； (8)三极管类：三极管 Kelvin 、Type_ident、Pin_chk 、V(br)cbo 、V(br)ceo 、V(br)ebo 、Icbo、lceo、Iebo、Hfe、Vce(sat)、Vbe(sat)、△Vsat、△Bvceo 、△Bvcbo 、Vbe、lcm、Vsd 、Ccbo 、Cces、Heater、Tr （选配）、Ts（选配）、Value_process； (9) 三极管类：双向可控硅 Kelvin、Type_ident、Qs_chk、Pin_test、Igt、Vgt、Vtm、Vdrm、Vrrm、Vdrm rrm、Irrm、 Idrm、Irrm_drm、Ih、IL、C_vtm、△Vdrm、△Vrrm、△Vtm； (10)三极管类：单向可控硅 Kelvin、 Type_ident、 Qs_chk、 Pin test、 lgt、 Vgt、 Vtm、 Vdrm Vrrm、 IH、IL、△Vdrm△Vrrm、Vtm； (11)三极管类：MOSFET Kelvin 、Type_ident、Pin_test、VGS(th) 、V(BR)Dss 、Rds(on) 、Bvds_rz、△Bvds、Gfs、Igss、ldss 、Idss zero 、Vds(on)、 Vsd、Ciss、Coss、Crss、Bvgs 、ld_lim 、Heater、Value_proces、△Rds(on) ； (12)三极管类：双MOSFET Kelvin、 Pin_chk、Ic_fx_chk、 Type_ident、 Vgs1(th)、 VGs2(th)、 VBR)Dss1、 VBR)Dss2、 Rds1(on)、 Rds2(on)、 Bvds1 rz、 Bvds2_rz、 Gfs1、Gfs2、lgss1、lgss2、Idss1、Idss2、Vsd1、Vsd2、Ciss、Coss、Crss； (13)三极管类：JFET Kelvin、VGS(off )、V(BR)Dss、Rds(on)、Bvds_rz、Gfs、lgss、 Idss(off)、 Idss(on)、 vds(on)、 Vsd、Ciss、Crss、Coss； (14)三极管类：IGBT Kelvin、VGE(th)、V(BR)CES、Vce(on)、Gfe、lges、 lces、Vf、Ciss、Coss、Crss； (15)三极管类：三端开关功率驱动器 Kelvin、Vbb(AZ)、 Von(CL)、 Rson、Ibb(off)、Il(lim)、Coss、Fun_pin_volt； (16)三极管类：七端半桥驱动器 Kelvin、lvs(off)、lvs(on)、Rson_h、Rson_l、lin、Iinh、ls_Volt、Sr_volt； (17)三极管类：高边功率开关 Kelvin、Vbb(AZ)、Von(CL)、Rson、Ibb(off)、ll(Iim)、Coss、Fun_pin_volt； (18)保护类：压敏电阻 Kelvin、Vrrm、 Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、 △Vr ; (19)保护类：单组电压保护器 Kelvin 、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (20)保护类：双组电压保护器 Kelvin、Vrrm、Vdrm、Irrm、Idrm、Cka、△Vr； (21)稳压集成类：三端稳压器 Kelvin 、Type_ident 、Treg_ix_chk 、Vout 、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△IB、VD、ISC、Max_lo、Ro、Ext _Sw、Ic_fx_chk； (22)稳压集成类：基准IC（TL431） Kelvin、Vref、△Vref、lref、Imin、loff、Zka、Vka； (23)稳压集成类：四端稳压 Kelvin、Type_ident、Treg_ix_chk、Vout、Reg_Line、Reg_Load、IB、IB_I、Roz、△lB、VD、Isc、Max_lo、Ro、Ext_Sw、Ic_fx_chk； (24)稳压集成类：开关稳压集成器 选配； (25)继电器类：4脚单刀单组、5脚单刀双组、8脚双组双刀、8脚双组四刀、固态继电器 Kelvin、Pin_chk、Dip6_type_ident、Vf、Ir、Vl、Il、Ift、Ron、Ton（选配）、Toff（选配）； (26)光耦类：4脚光耦、6脚光耦、8脚光耦、16脚光耦 Kelvin、Pin_chk、Vf、Ir、Bvceo、Bveco、Iceo、Ctr、Vce(sat)、Tr、Tf； (27)传感监测类： 电流传感器（ACS712XX系列、CSNR_15XX系列）（选配）； 霍尔器件（MT44XX系列、A12XX系列）（选配）； 电压监控器（选配）； 电压复位IC（选配）； 曲线追踪仪 第五部分：性能指标 DCT2000半导体功率器件静态参数测试仪系统的性能指标如下 5. 1 、 电流/电压源 （ VIS ） 自带VI测量单元 （1）加压(FV) 量程±40V分辨率19.5mV精度±1% 设定值±10mV 量程±20V分辨率10mV精度±1% 设定值±5mV 量程±10V分辨率5mV精度±1% 设定值±3mV 量程±5V分辨率2mV精度±1% 设定值±2mV 量程±2V分辨率1mV精度±1% 设定值±2mV （2）加流(FI) 量程±40A 分辨率19.5mA精度±2% 设定值±20mA 量程±4A 分辨率1.95mA精度±1% 设定值±2mA 量程±400mA分辨率1195uA精度±1% 设定值±200uA 量程±40mA分辨率119.5uA精度±1% 设定值±20uA 量程±4mA分辨率195nA精度±1% 设定值±200nA 量程±400uA分辨率19.5nA精度±1% 设定值±20nA 量程±40uA分辨率1.95nA精度±1% 设定值±2nA 说明：电流大于1.5A自动转为脉冲方式输出，脉宽范围：300us-1000us可调 （3）电流测量(MI) 量程±40A分辨率1.22mA精度±1% 读数值±20mA 量程±4A分辨率122uA精度±0.5% 读数值±2mA 量程±400mA分辨率12.2uA精度±0.5% 读数值±200uA 量程±40mA分辨率1.22uA精度±0.5% 读数值±20uA 量程±4mA分辨率122nA精度±0.5% 读数值±2uA 量程±400uA分辨率12.2nA精度±0.5% 读数值±200nA 量程±40uA分辨率1.22nA精度±1% 读数值±20nA （4）电压测量(MV) 量程±40V分辨率1.22mV精度±1% 读数值±20mV 量程±20V分辨率122uV 精度±0.5% 读数值±2mV 量程±10V分辨率12.2uV 精度±0.5% 读数值±200uV 量程±5V分辨率1.22uV 精度±0.5% 读数值±20uV 5. 2 、 数据采集部分 （ VM ） 16位ADC，100K/S采样速率 （1）电压测量(MV) 量程±2000V分辨率30.5mV精度±0.5%读数值±200mV 量程±1000V分辨率15.3mV精度±0.2%读数值±20mV 量程±100V分辨率1.53mV精度±0.1%读数值±10mV 量程±10V分辨率153uV精度±0.1%读数值±5mV 量程±1V分辨率15.3uV精度±0.1%读数值±2mV 量程±0.1V分辨率1.53uV精度±0.2%读数值±2mV （2）漏电流测量(MI) 量程±100mA分辨率30uA精度±0.2%读数值±100uA 量程±10mA分辨率3uA精度±0.1%读数值±3uA 量程±1mA分辨率300nA精度±0.1%读数值±300nA 量程±100uA分辨率30nA精度±0.1%读数值±100nA 量程±10uA分辨率3nA精度±0.1%读数值±20nA 量程±1uA 分辨率300pA精度±0.5%读数值±5nA 量程±100nA分辨率30pA精度±0.5%读数值±0.5nA （3）电容容量测量(MC) 量程6nF分辨率10PF精度±5%读数值±50PF 量程60nF分辨率100PF精度±5%读数值±100PF 5. 3 、 高压源 （ HVS ） (基本)12位DAC （1）加压(FV) 量程2000V/10mA分辨率30.5mV精度±0.5%设定值±500mV 量程200V/10mA分辨率30.5mV精度±0.2%设定值±50mV 量程40V/50mA分辨率30.5mV精度±0.1%设定值±5mV （2）加流(FI)： 量程10mA分辨率3.81uA 精度±0.5%设定值±10uA 量程2mA分辨率381nA精度±0.5%设定值±2uA 量程200uA分辨率38.1nA精度±0.5%设定值±200nA 量程20uA分辨率3.81nA精度±0.5%设定值±20nA 量程2uA分辨率381pA精度±0.5%设定值±20nA DCT2000 半导体功率器件静态参数测试仪系统 能测很多电子元器件 （ 如二极管、三极管、MOSFET、IGBT、可控硅、光耦、继电器等等 ） 产品广泛的应用在院所高校、封测厂、电子厂.....

肖特基二极管的作用 　　肖特基二极管的作用，相信大家听到肖特基二极管会觉得很陌生，但实际上我们身边到处都应用这肖特基二极管，我们的通讯信号就是由肖特基二极管二极管传播，接下来跟大家分享肖特基二极管的作用。 　　肖特基二极管的作用1 　　 肖特基二极管作用： 　　肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。最显著的特点为反向恢复时间极短（可以小到几纳秒），正向导通压降仅0.4V左右。其多用作高频、低压、大电流整流二极管、续流二极管、保护二极管，也有用在微波通信等电路中作整流二极管、小信号检波二极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 　　一个典型的应用，是在双极型晶体管 BJT 的开关电路里面，通过在 BJT 上连接 Shockley 二极管来箝位，使得晶体管在导通状态时其实处于很接近截止状态，从而提高晶体管的开关速度。这种方法是 74LS，74ALS，74AS 等典型数字 IC 的 TTL内部电路中使用的技术。 　　肖特基（Schottky）二极管的最大特点是正向压降 VF 比较小。在同样电流的情况下，它的正向压降要小许多。另外它的恢复时间短。 　　极管使用。在通信电源、变频器等中比较常见。 　　肖特基二极管的作用2 　　 肖特基二极管 　　肖特基二极管是以其发明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基势垒二极管（SchottkyBarrierDiode,缩写成SBD）的简称。SBD不是利用P型半导体与N型半导体接触形成PN结原理制作的，而是利用金属与半导体接触形成的金属－半导体结原理制作的。因此，SBD也称为金属－半导体（接触）二极管或表面势垒二极管，它是一种热载流子二极管。 　　 肖特基二极管的作用及其接法 　　肖特基二极管的作用及其接法,肖特基二极管肖特基（Schottky）二极管，又称肖特基势垒二极管（简称 SBD），它属一种低功耗、超高速半导体器件。 　　 1、肖特基二极管的作用及其接法-整流 　　利用肖特基二极管单向导电性，可以把方向交替变化的交流电变换成单一方向的脉冲直流电。 　　在电路中，电流只能从肖特基二极管的正极流入，负极流出。P区的载流子是空穴,N区的载流子是电子，在P区和N区间形成一定的位垒。外加电压使P区相对N区为正的电压时，位垒降低，位垒两侧附近产生储存载流子，能通过大电流，具有低的电压降（典型值为0.7V）,称为正向导通状态。若加相反的电压,使位垒增加，可承受高的反向电压，流过很小的反向电流（称反向漏电流），称为反向阻断状态。 　　肖特基二极管主要用于各种低频半波整流电路，全波整流。整流桥就是将整流管封在一个壳内了。分全桥和半桥。全桥是将连接好的桥式整流电路的四个肖特基二极管封在一起。半桥是将四个肖特基二极管桥式整流的一半封在一起，用两个半桥可组成一个桥式整流电路，一个半桥也可以组成变压器带中心抽头的全波整流电路；在整流桥的每个工作周期内，同一时间只有两个肖特基二极管进行工作，通过肖特基二极管的单向导通功能，把交流电转换成单向的直流脉动电压。 　　 2、肖特基二极管的作用及其接法-开关 　　肖特基二极管在正向电压作用下电阻很小，处于导通状态，相当于一只接通的开关；在反向电压作用下，电阻很大，处于截止状态，如同一只断开的开关。利用肖特基二极管的开关特性，可以组成各种逻辑电路。由于肖特基二极管具有单向导电的特性，在正偏压下PN结导通，在导通状态下的"电阻很小，约为几十至几百欧；在反向偏压下，则呈截止状态，其电阻很大，一般硅肖特基二极管在10ΜΩ以上，锗管也有几十千欧至几百千欧。利用这一特性，肖特基二极管将在电路中起到控制电流接通或关断的作用，成为一个理想的电子开关。 　　最基本的开关电路如图所示，在这个电路中，肖特基二极管的两端分别通过电阻连接到Vcc和GND上，肖特基二极管处于反向偏置的状态，不会导通。通过C1点施加的交流电压就无法通过肖特基二极管，在C2后无法检测到交流成分。 　　在这张图中，肖特基二极管的接法与上图相反，处于正向导通状态的肖特基二极管可以使得施加在C1点的交流信号通过肖特基二极管，并在C2的输出出呈现出来。这就是二极管导通时的状态，我们也可称它为开关的“导通”状态。 　　这是一个最简单的电路，通过直流偏置的状态来调节肖特基二极管的导通状态。从而实现对交流信号的控制。在实用的过程中，通常是保证一边的电平不变，而调节另一方的电平高低，从而实现控制二极管的导通与否。在射频电路中，这种设计多会在提供偏置的线路上加上防止射频成分混入逻辑/供电线路的措施以减少干扰，但总的来说这种设计还是很常见的。 　　 3、肖特基二极管的作用及其接法-限幅 　　所谓限幅肖特基二极管就是将信号的幅值限制在所需要的范围之内。由于通常所需要限幅的电路多为高频脉冲电路、高频载波电路、中高频信号放大电路、高频调制电路等，故要求限幅肖特基二极管具有较陡直的U-I特性，使之具有良好的开关性能。 　　限幅肖特基二极管的特点：1、多用于中、高频与音频电路；2、导通速度快，恢复时间短；3、正偏置下二极管压降稳定；4、可串、并联实现各向、各值限幅；5、可在限幅的同时实现温度补偿。 　　肖特基二极管正向导通后，它的正向压降基本保持不变（硅管为0.7V，锗管为0.3V）。利用这一特性，在电路中作为限幅元件，可以把信号幅度限制在一定范围内。 　　 4、肖特基二极管的作用及其接法-续流 　　肖特基二极管并联在线两端,当流过线圈中的电流消失时,线圈产生的感应电动势通过二极管和线圈构成的回路做功而消耗掉.从而保护了电路中的其它原件的安全.续流二极管在电路中反向并联在继电器或电感线圈的两端,当电感线圈断电时其两端的电动势并不立即消失,此时残余电动势通过一个肖特基二极管释放,起这种作用的二极管叫续流二极管。电感线圈、继电器、可控硅电路等都会用到续流二极管防止反向击穿现象。 　　凡是电路中的继电器线圈两端和电磁阀接口两端都要接续流二极管。接法如上面的图，肖特基二极管的负极接线圈的正极，肖特基二极管的正极接线圈的负极。不过，你要清楚，续流二极管并不是利用肖特基二极管的反方向耐压特性，而是利用肖特基二极管的单方向正向导通特性。 　　 5、肖特基二极管的作用及其接法-检波 　　检波（也称解调）肖特基二极管的作用是利用其单向导电性将高频或中频无线电信号中的低频信号或音频信号取出来，广泛应用于半导体收音机、收录机、电视机及通信等设备的小信号电路中，其工作频率较高，处理信号幅度较弱。 　　检波肖特基二极管在电子电路中用来把调制在高频电磁波上的低频信号（如音频信号）检出来。一般高频检波电路选用锗点接触型检波二极管。它的结电容小，反向电流小，工作频率高。 　　 6、肖特基二极管的作用及其接法-变容 　　变容肖特基二极管(VaractorDiodes)又称"可变电抗二极管"，是利用pN结反偏时结电容大小随外加电压而变化的特性制成的。反偏电压增大时结电容减小、反之结电容增大，变容肖特基二极管的电容量一般较小，其最大值为几十皮法到几百皮法，最大区容与最小电容之比约为5:1。它主要在高频电路中用作自动调谐、调频、调相等、例如在电视接收机的调谐回路中作可变电容。 　　当外加顺向偏压时，有大量电流产生，PN（正负极）结的耗尽区变窄，电容变大，产生扩散电容效应；当外加反向偏压时，则会产生过渡电容效应。但因加顺向偏压时会有漏电流的产生，所以在应用上均供给反向偏压。

进口的质量一般都比国产的要好，不良率低且使用寿命长

Diodes中文名叫“达尔科技”，是中国台湾的品牌，拥有四十多年经验, Diodes是高品质半导体分立元件的主要生产供应商之一，主要市场是通讯、电脑、工业、民用电子电器和汽车工业。主要产品有：肖特基二极体整流器，开关二极体，齐纳二极体，瞬态电压抑制二极体，标准／快速／超快／特快复原整流器，桥式整流器，小信号电晶体和MOS场效应管，极小表面贴装高密度二极体和电晶体Array等。官网地址是：Diodes Incorporated扩展资料：IC集成电路（integrated circuit）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构；其中所有元件在结构上已组成一个整体，使电子元件向着微小型化、低功耗、智能化和高可靠性方面迈进了一大步。它在电路中用字母IC表示。集成电路发明者为杰克▪基尔比（基于锗（Ge）的集成电路）和罗伯特▪诺伊思（基于硅（Si）的集成电路）。当今半导体工业大多数应用的是基于硅的集成电路。参考资料：集成电路_百度百科

吊德斯解说： Comment by DioDes

F是Pb free 或 Pb free lead finish 的意思。也是 无铅产品 或 无铅引脚。

可以仿真 igbt电路，带 续流二极管simscape库里的electronic下面的比较好用，power system只是系统级仿真

Multisim的二极管库“Diodes”→“ZANER”子库就是稳压管二极管库，其中有多个不同额定功耗的稳压管。在“Select a Compenent 元件选择”小窗口中，选中某个元件型号，再点击该窗口右上部第4个按钮“Detail report 详情”，可查询该元件的具体参数。如，1N5233B，其稳压值、最小稳定工作电流和额定功耗分别为6V、20mA和0.5W。还有部分管子的型号中直接包含了稳压值数据，如4.7和4V7均表示稳压值为4.7V，可以在“Compenent 元件”格输入“*4V7”（数据前一定要有*号），即可列出型号中包含4V7的全部型号。注意：稳压管的稳压值多采用阻容元件的E24系列值，高于3V且低于10V的稳压值往往不是整数值，如6V就比较少而多是6.2V。

Multisim的二极管库是“Diodes”其子库“ZANER”就是稳压管库。该库中有许多个不同额定功耗的稳压管，在“Select a Compenent元件选择”的小窗口中，选中某个元件型号，然后再点击该窗口右上部第4个按钮“Detail report”，即可查询该元件的具体参数。例如，1N5233B，其稳压值、最小稳定工作电流和额定功耗分别为6V、20mA和0.5W。需要注意的是：稳压管的稳压值多采用阻容元件的E24系列值，高于3V且低于10V的稳压值往往不是整数值，如6V就比较少而多是6.2V。扩展资料：稳压二极管型号参数表：稳压管的工作原理：稳压管是利用反向击多区的稳压特性进行工作的，当把稳压二极管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。因此，稳压管在电路中要反向连接。稳压管的反向击穿电压称为稳定电压，不同类型稳压管的稳定电压也不一样，某一型号的稳压管的稳压值固定在口定范围。若电网电压升高，整流电路的输出电压Usr也随之升高，引起负载电压Usc升高。由于稳压管DW与负载Rfz并联，Usc只要有根少一点增长，就会使流过稳压管的电流急剧增加，使得I1也增大，限流电阻R1上的电压降增大，从而抵消了Usr的升高，保持负载电压Usc基本不变。反之，若电网电压降低，引起Usr下降，造成Usc也下降，则稳压管中的电流急剧减小，使得I1减小，R1上的压降也减小，从而抵消了Usr的下降，保持负载电压Usc基本不变。若Usr不变而负载电流增加，则R1上的压降增加，造成负载电压Usc下降。Usc只要下降一点点，稳压管中的电流就迅速减小，使R1上的压降再减小下来，从而保持R1上的压降基本不变，使负载电压Usc得以稳定。参考资料来源：百度文库-multisim元件库对照表

Multisim的二极管库是“Diodes”其子库“ZANER”就是稳压管库。该库中有许多个不同额定功耗的稳压管，在“Select a Compenent元件选择”的小窗口中，选中某个元件型号，然后再点击该窗口右上部第4个按钮“Detail report”，即可查询该元件的具体参数。例如，1N5233B，其稳压值、最小稳定工作电流和额定功耗分别为6V、20mA和0.5W。需要注意的是：稳压管的稳压值多采用阻容元件的E24系列值，高于3V且低于10V的稳压值往往不是整数值，如6V就比较少而多是6.2V。扩展资料：稳压二极管型号参数表：稳压管的工作原理：稳压管是利用反向击多区的稳压特性进行工作的，当把稳压二极管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。因此，稳压管在电路中要反向连接。稳压管的反向击穿电压称为稳定电压，不同类型稳压管的稳定电压也不一样，某一型号的稳压管的稳压值固定在口定范围。若电网电压升高，整流电路的输出电压Usr也随之升高，引起负载电压Usc升高。由于稳压管DW与负载Rfz并联，Usc只要有根少一点增长，就会使流过稳压管的电流急剧增加，使得I1也增大，限流电阻R1上的电压降增大，从而抵消了Usr的升高，保持负载电压Usc基本不变。反之，若电网电压降低，引起Usr下降，造成Usc也下降，则稳压管中的电流急剧减小，使得I1减小，R1上的压降也减小，从而抵消了Usr的下降，保持负载电压Usc基本不变。若Usr不变而负载电流增加，则R1上的压降增加，造成负载电压Usc下降。Usc只要下降一点点，稳压管中的电流就迅速减小，使R1上的压降再减小下来，从而保持R1上的压降基本不变，使负载电压Usc得以稳定。参考资料来源：百度文库-multisim元件库对照表

Multisim的二极管库“Diodes”→“ZANER”子库就是稳压管二极管库，其中有多个不同额定功耗的稳压管。在“Select a Compenent 元件选择”小窗口中，选中某个元件型号，再点击该窗口右上部第4个按钮“Detail report 详情”，可查询该元件的具体参数。如，1N5233B，其稳压值、最小稳定工作电流和额定功耗分别为6V、20mA和0.5W。还有部分管子的型号中直接包含了稳压值数据，如4.7和4V7均表示稳压值为4.7V，可以在“Compenent 元件”格输入“*4V7”（数据前一定要有*号），即可列出型号中包含4V7的全部型号。注意：稳压管的稳压值多采用阻容元件的E24系列值，高于3V且低于10V的稳压值往往不是整数值，如6V就比较少而多是6.2V。

你好 hxx87091、在网上查了一下这个电话，无法证实是否是光宝集团。2、如果你有在网上登记简历，即便你没有投递，用人单位也有可能通过特定的搜索查到你的简历直接联系你，只不过几率比较小3、如果不想错过机会去应聘，建议由朋友陪同，同时提防一些常见的招聘骗局，例如收费，押证，传销等。最后祝你求职顺利，平安找到满意的工作！

2008年1.High-performance polymer heterojunction solar cells of a polysilafluorene derivative Ergang Wang, Li Wang, Linfeng Lan, Chan Luo, Wenliu Zhuang, Junbiao Peng, and Yong CaoAppl. Phys. Lett.92, 033307 (2008)2.Impedance spectroscopy investigation of electron transport in solar cells based on blend film of polymer and nanocrystals Wenbo Huang, Junbiao Peng*, Li Wang, Jian Wang, and Yong CaoAppl. Phys. Lett.92, 013308 (2008)2007年3. Polymer light-emitting diodes with cathodes printed from conducting Ag paste，Zeng WJ, Wu HB, Zhang C, Huang F, Peng JB*, Yang W, Cao Y，ADVANCED MATERIALS19 (6): 810-+ MAR 19 20074. High-efficiency white-light emission from a single copolymer: Fluorescent blue, green, and red chromophores on a conjugated polymer backbone， Luo J, Li XZ, Hou Q,Peng JB*, Yang W, Cao Y，ADVANCED MATERIALS19 (8): 1113-1117 APR 20 20075. Degradation characteristics and light-induced effects of polymer thin-film transistors ，Liu YR, Peng JB*, Laic PT, Yang K, Cao Y ，THIN SOLID FILMS515 (11): 4808-4811 APR 9 20076. Influence of polymer dielectrics on C60-based field-effect transistors ，Jianlin Zhou, Fujia Zhang, Lifeng Lan, Shangsheng Wen, andJunbiao Peng*，Appl. Phys. Lett.91, 253507 (2007)7. Poly(3-hexylthiophene) thin-film transistors with dual insulator layers ，Zhou JG, Yang KX, Zhou JL , Liu YR, Peng JB*, Cao Y ，JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICSPART 1-REGULAR PAPERS BRIEF COMMUNICATIONS & REVIEW PAPERS 46 (3A): 913-916 MAR 20078. Polymer thin-film transistor based on a high dielectric constant gate insulator，Wen L, Peng JB*, Yang KX, Lan LF, Niu QL, Cao Y，CHINESE PHYSICS16 (4): 1145-1149 APR 20079. Novel chemosensory materials based on polyfluorenes with 2-(2 "-pyridyl)-benzimidazole and groups in 5-methyl-3-(pyridin-2-yl)-1,2,4-triazole the side chain，Du B, Liu RS, Zhang Y, Yang W, Sun WB, Sun ML, Peng JB*, Cao Y，POLYMER48 (5): 1245-1254 FEB 23 200710. Modelling the threshold-voltage shift of polymer thin-film transistors under constant and variable gate-bias stresses，Liu YR, Peng JB*, Lai PT， SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY22 (3): 259-262 MAR 200711. Synthesis and optoelectronic characterization of conjugated phosphorescent polyelectrolytes with a neutral Ir complex incorporated into the polymer backbone and their neutral precursors，Zhang Y, Xu YH , Niu QL , Peng JB*, Yang W, Zhu XH, Cao Y，JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY17 (10): 992-1001 200712. Polymer white-light-emitting diodes with high work function cathode based on a novel phosphorescent chelating copolymer，Xiong Y, Zhang Y, Zhou JL, Peng JB*, Huang WB, Cao Y，CHINESE PHYSICS LETTERS Volume: 24 Pages: 3547-3550 Published: 200713. Charge transport and the relationship between performance and light intensity of the solar cell based on the blend of MEH-PPV and PCBM，Yu, HZ; Peng, JB*，CHEMICAL JOURNAL OF CHINESE UNIVERSITIES-CHINESE Volume: 28 Pages: 2359-2363 Published: 200714. Principle and progress of polymer solar cells，Yu, HZ; Peng, JB*，PROGRESS IN CHEMISTRY Volume: 19 Pages: 1689-1694 Published: 200715. Title: Influence of the solvent and device structure on the performance of the MEH-PPV: PCBM solar cell，Yu, HZ; Peng, JB*，ACTA PHYSICO-CHIMICA SINICA Volume: 23 Pages: 1637-1641 Published: 200716. Efficient red phosphorescence polymer light-emitting diodes with dual function polymer，Xu YH, Liang B, Peng JB*, Nlu QL, Huang WB, Wang J，ORGANIC ELECTRONICS Volume: 8 Pages: 535-539 Published: 200717. Organic electrical bistable devices，Shi, SW; Peng, JB*，PROGRESS IN CHEMISTRY Volume: 19 Pages: 1371-1380 Published: 200718.Full color and monochrome PM PLED FPDs made with solution processes，Peng, JB*; Niu, QL; Shao, YX; Xu, W; Wang, L; Han, SH; Liu, NL; Cao, Y; Wang, J，Conference Information: Asia Display 2007 International Conference(AD"07), Date: MAR 12-16, 2007 Shanghai PEOPLES R CHINA，Source: AD"07: PROCEEDINGS OF ASIA DISPLAY 2007, VOLS 1 AND 2 Pages: 387-391 Published: 200719. Efficient polymer white-light-emitting diodeswith a single-emission layer of fluorescent polymer blend，Niu QL, Xu YH, Jiang JX,Peng JB*, Cao Y，JOURNAL OF LUMINESCENCE Volume: 126 Issue: 2 Pages: 531-535 Published: OCT 200720. Stability of polymer thin-film transistors based on poly(2-methoxy-5-(2 "-ethyl-hexyloxy)-1,4-phenylene vinylene)， Liu YR，Peng JB*, Lai PT, APPLIED SURFACE SCIENCE 253 (17): 6987-6991 JUN 30 200721. Stability study of saturated red polymer light-emitting diodes, Xu W, Peng JB*, Xu YH, Wang J, Huang Z, Niu QL, Cao Y,: CHINESE SCIENCE BULLETIN 52 (12): 1612-1615 JUN 200722. Performance improvement of polymer light-emitting diodes based on fluorene copolymer with cesium fluoride/aluminum cathode, Tian RY, Yang RQ, Peng JB*, Cao Y, : ACTA PHYSICA SINICA 56 (4): 2409-2414 APR 20072006年23.Yang YT, Geng H, Yin SW, Shuai ZG,Peng JB*First-principle band structure calculations of tris(8-hydroxyquinolinato)aluminumJOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY B 110 (7): 3180-3184 FEB 23 2006（影响因子4.033）24. Poly(3,6-silafluorene-co-2,7-fluorene)-based high-efficiency and color-pure blue light-emitting polymers with extremely narrow band-width and high spectral stability, Wang EG, Li C, Mo YQ, Zhang Y, Ma G, Shi W, Peng JB*, Yang W, Cao Y, JOURNAL OF MATERIALS CHEMISTRY 16 (42):（影响因子3.688）25.Zhen HY(Zhen, Hongyu), Xu W(Xu, Wei), King W(King, Wei), Chen QL(Chen, Qiliang), Xu YH(Xu, Yunhua), Jiang JX(Jiang, Jinxing),Peng JB*(Peng, Junbiao), Cao Y(Cao, Yong)White-light emission from a single polymer with singlet and triplet chromophores on the backboneMACROMOLECULAR RAPID COMMUNICATIONS 27 (24): 2095-2100 DEC 19 2006 （影响因子3.126）26． Polymer light-emitting diodes with novel environment-friendly alcohol-soluble conjugated copolymerHou LT(Hou, Lintao), Huang F(Huang, Fei), Peng JB*(Peng, Junbiao), Wu HB(Wu, Hongbin), Wen SS(Wen, Shangsheng), Mo YQ(Mo, Yueqi), Cao Y(Cao, Yong)Source:THIN SOLID FILMS 515 (4): 2632-2634 DEC 5 2006 （影响因子1.569）27.Efficient polymer white-light-emitting diodeswith a phosphorescent dopantXu YH (Xu, Yunhua), Zhang XJ (Zhang, Xiuju),Peng JB*(Peng, Junbiao), Niu QL (Niu, Qiaoli), Cao Y (Cao, Yong)SEMICONDUCTOR SCIENCE AND TECHNOLOGY 21 (10): 1373-1376 OCT 2006 （影响因子1.222）28. Lai GH(Lai, Guohong), Li ZL(Li, Zhenglin), Cheng L(Cheng, Lan), Peng JB* (Peng, Junbiao) Field emission characteristics of conducting polymer films conditioned by electric dischargeJOURNAL OF MATERIALS SCIENCE & TECHNOLOGY 22 (5): 677-680 SEP 2006（影响因子0.901）29. Efficient polymer light-emitting diodes with violet blue emission based on blends of PSiF6-PPP and PSiFC6C6Tian RY (Tian Renyu), Ivio YQ (Ivio Yueqi), Peng JB* (Peng Junbiao) CHINESE SCIENCE BULLETIN 51 (22): 2805-2808 NOV 2006 （影响因子0.783）30. Xu YH, Peng JB*, Cao YProgressof white organic light-emitting diodesPROGRESS IN CHEMISTRY 18 (4): 389-398 APR 2006 （影响因子0.457）31.: Wang L, Liang B(Liang, Bo), Huang F(Huang, Fei), Peng JB(Peng, Junbiao), Cao Y(Cao, Yong)Utilization of water/alcohol-soluble polyelectrolyte as an electron injection layer for fabrication of high-efficiency multilayer saturated red-phosphorescence polymer light-emitting diodes by solution processingAPPLIED PHYSICS LETTERS 89 (15): Art. No. 151115 OCT 9 2006（影响因子4.127）32. : Zhao L(Zhao, Li), Li C(Li, Chun), Zhang Y(Zhang, Yong), Zhu XH(Zhu, Xu-Hui),Peng JB(Peng, Junbiao), Cao Y(Cao, Yong)Anthracene-cored dendrimer for solution-processible blue emitter: Syntheses, characterizations, photoluminescence, and electroluminescenceMACROMOLECULAR RAPID COMMUNICATIONS 27 (12): 914-920 JUN 24 2006（影响因子3.126）33. Zhang Y, Hou QO, Mo YQ, Peng JB, Cao YHigh-efficiency saturated red bilayer light-emitting diodes: Comparative studies with devices from blend of the same light-emitting polymersCHINESE PHYSICS LETTERS 23 (4): 1015-1018 APR 2006 （影响因子1.276）2005年34．Xu YH, Peng JB*, Mo YQ, et al.Efficient polymer white-light-emitting diodesAPPLIED PHYSICS LETTERS 86 (16): Art. No. 163502 APR 18 2005（影响因子4.127）Times Cited:1435．Xu YH, Peng JB*, Jiang JX, et al.*Efficient white-light-emitting diodes based on polymer codoped with two phosphorescent dyesAPPLIED PHYSICS LETTERS 87 (19): Art. No. 193502 NOV 7 2005 （影响因子4.127）Times Cited:636．Tian RY, Yang RQ, Peng JB*, et al.Efficient photovoltaic cells from low band-gap fluorene-based copolymerCHINESE PHYSICS 14 (5): 1032-1035 MAY 2005 （影响因子1.256）37. Hou LT, Hou Q, Peng JB*, et al.Performance of polymer light-emitting diodes with saturated red-emitting poly (fluorine-co-4,7-dithien-2-yl-2, 1, 3-benzothiadiazole-carbazole or triphenylamine)ACTA PHYSICA SINICA 54 (11): 5377-5381 NOV 2005（影响因子1.051）38. Xie YQ, Guo JH, Peng JB*, et al.High-efficiency red-phosphorescent 6CPt electroluminescenceACTA PHYSICA SINICA 54 (7): 3424-3428 JUL 2005 （影响因子1.051）39. Zhang Y, Yang J, Hou Q, Mo YQ,Peng JB*, Cao YNear infrared polymer light-emitting diodesCHINESE SCIENCE BULLETIN 50 (10): 957-960 MAY 2005 （影响因子0.783）40.Luo J, Peng JB, Cao Y, et al.High-efficiency red light-emitting diodes based on polyfluorene copolymers with extremely low content of 4,7-di-2-thienyl-2,1,3-benzothiadiazole-comparative studies of intrachain and interchain interactionAPPLIED PHYSICS LETTERS 87 (26): Art. No. 261103 DEC 26 2005（影响因子4.127）41.Hou LT, Hou Q, Mo YQ, Junbiao Peng, Yong Cao,.All-organic flexible polymer microcavity light-emitting diodes using 3M reflective multilayer polymer mirrorsAPPLIED PHYSICS LETTERS 87 (24): Art. No. 243504 DEC 12 2005（影响因子4.127）42.: Hou LT, Huang F, Zeng WJ, Peng JB, Cao YHigh-efficiency inverted top-emitting polymer light-emitting diodesAPPLIED PHYSICS LETTERS 87 (15): Art. No. 153509 OCT 10 2005 （影响因子4.127）Times Cited:543. Hou Q, Zhang Y, Li FY, Peng JB, Cao YRed electrophosphorescence of conjugated organoplatinum(II) polymers prepared via direct metalation of poly(fluorene-co-tetraphenylporphyrin) copolymersORGANOMETALLICS 24 (19): 4509-4518 SEP 12 2005（影响因子3.473）Times Cited:444. Wu HB, Huang F, Peng JB, Yong Cao,High-efficiency electron injection cathode of Au for polymer light-emitting devicesORGANIC ELECTRONICS 6 (3): 118-128 JUN 2005 （影响因子2.429）Times Cited:745. Wu HB, Huang F, Peng JB, Yong Cao,Efficient electron injection from bilayer cathode with aluminum as cathodeSYNTHETIC METALS 153 (1-3): 197-200 Part 2 Sp. Iss. SI SEP 21 2005（影响因子1.32）46．Liu YR, Lai PT, Li GQ, Li B, Peng JB, Lo HBEffects of post-deposition oxygen annealing on tuning properties of Ba0.8Sr0.2TiO3 thin-film capacitors for microwave integrated circuitsMATERIALS CHEMISTRY AND PHYSICS 94 (1): 114-118 NOV 15 2005（影响因子1.136）

Multisim的二极管库“Diodes”→“ZANER”子库就是稳压管二极管库，其中有多个不同额定功耗的稳压管。在“Select a Compenent 元件选择”小窗口中，选中某个元件型号，再点击该窗口右上部第4个按钮“Detail report 详情”，可查询该元件的具体参数。如，1N5233B，其稳压值、最小稳定工作电流和额定功耗分别为6V、20mA和0.5W。还有部分管子的型号中直接包含了稳压值数据，如4.7和4V7均表示稳压值为4.7V，可以在“Compenent 元件”格输入“*4V7”（数据前一定要有*号），即可列出型号中包含4V7的全部型号。注意：稳压管的稳压值多采用阻容元件的E24系列值，高于3V且低于10V的稳压值往往不是整数值，如6V就比较少而多是6.2V。

Multisim的二极管库“Diodes”→“ZANER”子库就是稳压管二极管库，其中有多个不同额定功耗的稳压管。在“Select a Compenent 元件选择”小窗口中，选中某个元件型号，再点击该窗口右上部第4个按钮“Detail report 详情”，可查询该元件的具体参数。如，1N5233B，其稳压值、最小稳定工作电流和额定功耗分别为6V、20mA和0.5W。还有部分管子的型号中直接包含了稳压值数据，如4.7和4V7均表示稳压值为4.7V，可以在“Compenent 元件”格输入“*4V7”（数据前一定要有*号），即可列出型号中包含4V7的全部型号。注意：稳压管的稳压值多采用阻容元件的E24系列值，高于3V且低于10V的稳压值往往不是整数值，如6V就比较少而多是6.2V。

智能仪器

Multisim的二极管库“Diodes”→“ZANER”子库就是稳压管二极管库，其中有多个不同额定功耗的稳压管。在“Select a Compenent元件选择”小窗口中，选中某个元件型号，再点击该窗口右上部第4个按钮“Detail report详情”，可查询该元件的具体参数。如，1N5226B和1N5988B都是3.3V、0.5W的稳压管，但最小稳定工作电流分别为20mA和5mA。

打开元件库，1）P1是连接器，选择 Connectors（连接件），然后慢慢找吧；2）D16是桥式整流器，选择 Diodes （二极管），然后 打上 bridge，就出来了；

二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（VaricapDiode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管所具备的电流方向性我们通常称之为“整流（Rectifying）”功能。二极管最普遍的功能就是只允许电流由单一方向通过（称为顺向偏压），反向时阻断（称为逆向偏压）。因此，二极管可以想成电子版的逆止阀。Diode,adevicewithtwoelectrodesinelectroniccomponents,allowscurrenttoflowonlyinasingledirection,andmanyusesuseitsrectifierfunction. VaricapDiodeisusedasanelectronicadjustablecapacitor.Mostdiodeshavecurrentdirectionalitywhichweusuallycall"Rectifying"function.Themostcommonfunctionofadiodeistoallowonlycurrenttopassinasingledirection(calledforwardbias)andtoblockinreverse(calledreversebias).Therefore,thediodecanbethoughtofasanelectronicversionofthecheckvalve.扩展资料：工作原理晶体二极管为一个由p型半导体和n型半导体形成的pn结，在其界面处两侧形成空间电荷层，并建有自建电场。当不存在外加电压时，由于pn结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。当外界有正向电压偏置时，外界电场和自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流。当外界有反向电压偏置时，外界电场和自建电场进一步加强，形成在一定反向电压范围内与反向偏置电压值无关的反向饱和电流。参考资料来源：百度百科——二极管 

帮你查了！发光二极管！

PTPD1.Small-molecule doped polymer light-emitting diodes have been fabricated using a novel PTPD(poly-TPD)as the hole transport material and highly fluorescent Rubrene as the dopant.在新型空穴传输聚合物聚TPD(PTPD)中掺杂电子传输有机小分子荧光染料Rubrene制成薄膜器件。2.A software-only implementation of IEEE1588 named PTPd is presented at the end.介绍B类LXI仪器的一个关键技术——精准时间协议(IEEE1588),并详细分析了IEEE1588的时间同步原理和基本设计框架,最后介绍了IEEE1588的一种纯软件实现的方案—PTPd。3.Polymer/small-molecule heterostructure doped light-emitting diodes are fabricated using a novel PTPD (poly-TPD) as hole transport material and the highly fluorescent rubrene as dopant.它以新型PTPD(聚TPD)为空穴传输材料,高效荧光材料Rubrene为掺杂剂。

手机嵌入一磁敏元件。原理是在手机嵌入一磁敏元件，此元件可能是霍尔元件，主要用于手机的翻盖或者滑盖位置检测，常用的型号是，mst的mh248和diodes的AH180，属于微功耗的霍尔开关。当合盖时，磁力传感器就会向手机屏幕发出一个信号，感应开关产生动作使显示切换为预先设计好的特殊界面，例如来电、时钟、关注天气、信息、取景拍摄、控制音乐播放、记录备忘录等。

额~~~~~~无意中进来的!闪......

有美国国际整流器公司（IR）的官方消息：ProTek 通过将不同的 TVS diodes 和 Steering Dioes 组合封装于同一个单元中从而提供低电容 TVS 保护. 这个独特的设计提供高速数据线及输入/输出保护, 免受由静电释放 (ESD), 电快速瞬变脉冲群 (EFT), 雷击或其它因素导致的电压干扰等造成的影响.我们的 Steering Diode/TVS 阵列产品都有做过 25,000V 静电释放 (ESD) 的测试, 产品都已达到并超出以下国际制定标准. ESD immunity requirements IEC 61000-4-2 (Air -15kV, Contact - 8kV), EFT immunity requirement IEC 61000-4-4 (40A, 5/50ns) 和 Surge (Line to Ground and Line to Line) immunity requirement IEC 61000-4-5 (不同的产品系列适应不同的等级).产品线多线/接口保护超低电容高达 500W 的脉冲峰值功率 - 8/20µs小型化封装工作电压从 3.3V - 15V

Glass Passivated钝化的玻璃passivatedv.使钝化( passivate的过去式和过去分词 ); .-----------------------------------如有疑问欢迎追问！满意请点击右上方【选为满意回答】按钮

Generator there is nothing new in China, all of them are very similar, but an improvement on the original Foundation. Here are some patent.1 electric bicycles with wheel generator (the utility model involves a wheel generator of electric bicycles, including electric bikes, installed on the electric bicycle motor, battery, controller, characterized by: electric bikes on a wheel is a wheel-style generators. Wheel generator rotor and axles for electric bicycle with shaft, stator for electric bicycle tyre. -Wheel generator for three-phase generator. Tyre-generator of three-phase and the neutral line switch rectifier circuit and battery. Branch consists of four diodes and capacitors and rectifier circuits constituted after each diode branch as two diodes with threaded, it is of extreme battery cathode, extreme battery anode, tyre-generator of three-phase and zero each diode branch line to the connection point between two diodes. Advantage of the utility model is in motion is loss of energy during full recycling. ）21 species electric bike generator, its features is including has steel rings, fixed in steel rings slot within of wheels tire and wheels inner tubes, and is located in steel rings internal of wheels core axis, in by in of wheels core axis Shang fixed has generator stator, in by in steel rings of within wall connection has generator rotor assembly, the generator rotor assembly through bearing and by in of wheels core axis connection, the generator rotor assembly of pole and by in generator stator of winding coil phase, by in winding coil of output wire and electric bike of battery connection. Its advantages is the ability to electric bicycle ride in the process of power generation and electric transmission to the battery storage use, better meet the needs of owners, thereby promoting energy saving and environmental protection of the rapid development of the electric bike market.3 wind turbine electric bicycles (two or one kind of wind turbines and wind turbine electric bicycles. Including blades, blades of the wind turbine, the rotor and stator. Blades set at the fan base. Rotor including the rotor body, rotating shaft 10 pm block; in ontology which consists of a hollow rotor, blades seat cover located on the hinge. 10 blocks of axial rotor of permanent magnet hoop set ontology on the outside wall. Stator winding around with three-phase double-deck and line, the stator iron core coil slot number is 36. The electric bicycle includes wind generator, Rectifier circuits, control circuits, switching components, constant voltage transformers, batteries, motor controller and motor, where the wind engines, rectifier circuit, control circuit and switching components in turn connected to the control circuit based on the DC voltage of rectifier"s output and evil, controlling switch component and component connected to the battery or constant voltage transformer. -This issue of practical use of wind turbine power for the battery charger of electric bicycle, saving energy.Language is not very good, no better interpretation. I express my ideas. Electric bikes are common in China, is to better the traffic is convenient. Battery-electric vehicles the most common, and the environment. KIA launched the hybrid of last year. 21st century requires new energy, greener, more energy efficient. Pollution-free.

百度百科上有

高级发光二极管