mosfet和bjt有什么区别我只知道bjt能放大电流β+1,mosfet到底能放大几倍啊

楼上说的很对 一个电流控制 一个电压控制

bjt是什么意思介绍如下：BJT是双极型晶体管（三极管）。它引出的三个管脚，分别叫做基极（b）、发射（e）、集电极（c）。b和e之间有单向导通的特征，加反向电压时，不能导通；加正向电压到达一定值时，这两极之间的电阻会突然变小而导通。死区电压，就是指这两极加上正向电压，电压由0v伏逐渐升高，直到这两极出现导通时刻的电压（比如是硅管，这一电压值是0.6伏），即0伏到导通电压最低值的这一个电压范围，就是死区电压（比如硅管，死区电压就是0伏到0.6伏的这一电压值范围）。三极管的使用：选用晶体管一要符合设备及电路的要求，二要符合节约的原则。根据用途的不同，一般应考虑以下几个因素：工作频率、集电极电流、耗散功率、电流放大系数、反向击穿电压、稳定性及饱和压降等。这些因素又具有相互制约的关系，在选管时应抓住主要矛盾，兼顾次要因素。低频管的特征频率fT一般在2.5MHz以下，而高频管的fT都从几十兆赫到几百兆赫甚至更高。选管时应使fT为工作频率的3～10倍。原则上讲，高频管可以代换低频管，但是高频管的功率一般都比较小，动态范围窄，在代换时应注意功率条件。一般希望β选大一些，但也不是越大越好。β太高了容易引起自激振荡，何况一般β高的管子工作多不稳定，受温度影响大。通常β多选40～100之间，但低噪声高β值的管子(如1815、9011~9015等)，β值达数百时温度稳定性仍较好。另外，对整个电路来说还应该从各级的配合来选择β。例如前级用β高的，后级就可以用β较低的管子；反之，前级用β较低的，后级就可以用β较高的管子。集电极-发射极反向击穿电压UCEO应选得大于电源电压。穿透电流越小，对温度的稳定性越好。普通硅管的稳定性比锗管好得多，但普通硅管的饱和压降较锗管为大，在某些电路中会影响电路的性能，应根据电路的具体情况选用，选用晶体管的耗散功率时应根据不同电路的要求留有一定的余量。

bjt指的就是双极型二极管，它是一个“两结三端”电流控制器件。BJT指的就是双极型二极管，它是一个“两结三端”电流控制器件。从所用半导体材料上看，有硅（Si）和锗（Ge管之分）；双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

BJT是BJG的升级版本，功率比BJG大，环保标准比BJG高， 而且BJT采用了新技术。采用塑料进气管而不是之前在AHPATK BJG上采用的铸铝进气管，塑料进气管隔热远强于铸铝进气管电喷。捷达的发动机虽然不像化油器发动机是同侧进排气，而是对置进排气但进气管的膨胀腔或者叫集气箱为了布置需要还是在排气歧管。上方发动机长时间内最热的部分就是排气门，其次是排气歧管这个地方只有一个铝皮或者铁皮做的隔热板，大量热量还是会加热膨胀，腔铝的导热性又很好。这样整个进气管温度都会比较高，导致空气被加热密度下降发动机的动力也会下降，而塑料进气管隔热好就可以相对降低进气温度增加进气密度。

BJT为双极型晶体管（因为是两种载流子：电子和空穴共同参与导电）；FET是单极型晶体管（因为是一种载流子参与导电，要么是电子（N沟道），要么是空穴（P沟道））；BJT是电流控制型器件（基极电流控制集电极电流），FET是电压控制型器件（栅源电压控制漏极电流）。目前FET在市场上占主导地位

关于BJT的结构特点说法错误的是（C）。A. 基区很薄且掺杂浓度很低B. 发射区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度C. 基区的掺杂浓度远大于集电区掺杂浓度D. 集电区面积大于发射区面积根据结构不同，bjt一般可分成两种类型：npn型和pnp型。npn型bjt结构示意图、管芯剖面图及表示符号如图3所示。半导体的三个区域分别称为发射区、基区和集电区；三个区域引出的三个电极分别叫做发射极e、基极b和集电极c；发射区与基区间的pn结称为发射结，基区与集电区间的pn结称为集电结。bjt的结构特点有超高频性能，大电流驱动能力，有两种极性载流子，自由电子和空穴。电流驱动型器件。发射极（e） 对应的杂质半导体区域为发射区 ，该区域掺杂浓度较高。基极（b） 对应的杂质半导体区域为基区 ，该区域宽度很薄，掺杂浓度很低。集电极（c） 对应的杂质半导体区域为集电区 ，该区域面积大，掺杂浓度很低。发射结 ：发射区和基区的PN结。集电结 ：基区和集电区的PN结。

BJT（BipolarJunctionTransistor）是一种电子器件，由两个p-n结和一个p-type或n-type半导体层构成。当BJT处于放大状态时，它的工作原理是通过控制小的电流（控制电流）改变大的电流（工作电流）流过BJT。BJT可以分为两种类型：npn和pnp。npnBJT由n-type半导体材料构成的两个p-n结和一层p-type半导体材料构成，而pnpBJT则是由p-type半导体材料构成的两个p-n结和一层n-type半导体材料构成。在npnBJT中，控制电流流过基极（B）和集电极（C）之间的p-n结，而工作电流则流过发射极（E）和集电极（C）之间的p-n结。当控制电流通过基极和集电极之间的p-n结时，会在这个p-n结处产生一个电场，这个电场会把基极和发射极之间的p-type半导体材料的电子推向发_极。这些电子流经发射极和集电极之间的p-n结，并通过外部电路流回发射极。这样，就会形成一个小的电流控制一个大的电流的效应。在pnpBJT中，工作原理基本相同，只是控制电流流过放大状态下的BJT通常被用作电路的放大器，其工作原理是通过控制小的电流来改变大的电流。BJT放大器的输入电流通常很小，输出电流则可能非常大。这种电流放大效应是通过BJT内部的电子流动来实现的。当BJT处于放大状态时，它的放大倍数取决于它的放大系数。放大系数是指输出电流与输入电流之比。BJT放大器的工作原理也可以用电路图来表示。在一个常见的放大电路中，BJT的基极（B）和发射极（E）之间有一个电阻R1，而BJT的发射极（E）和集电极（C）之间有另一个电阻R2。输入电流流过R1，并通过BJT的基极（B）和发射极（E）到达BJT的控制端。当BJT处于放大状态时，它的控制端会把输入电流放大，并通过R2和外部电路流出。这样，就形成了一个放大器。希望这些信息能帮到你！

三极管和MOS管的区别：1、工作性质不同三极管是使用电流控制的，MOS管是属于使用电压控制的。2、成本问题不同三极管非常的便宜，MOS管比较昂贵。3、功耗问题不同三极管的损耗非常大，MOS管功效较小。4、驱动能力不同三极管常用独立开关，使用小电流开关电路，MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

商务日语能力考试 看这里http://baike.baidu.com/view/535575.html?wtp=tt难道是“北京台”？

JLPT日本语能力测试日能1级、2级证书，是日语学习者的必备证书，从事与日语相关工作的敲门砖。在日本，从政府部门到企业、院校都把“日语能力考”（JLPT）作为掌握日本语言的测试标准。在中国，日企或者日语相关行业、职位在招聘人才时也会以日语能力考证书为标准，这一证书甚至成为日语方面人才就业的必备证书。优点：综合测试日语水平，认知度高，就业、升级、升职等认可度广。全国大部分省市都有考点，报考名额相对较多。集中应试学习，拿证可能性大。缺点：不考口语，语言应用能力考察不全面。考试时间长，试题较死板，听力难度较大时间长。取得该证书的人数多，部分外企或合资企业转而选择实用性更强的J·TEST。BJT商务日语能力考试优点：该考试的成绩在日企中认可度比较高，同时也可作为留学、就学的审查资料灵活运用。国内考点较多。BJT考试侧重于商务词汇、知识，以信息处理能力和商务能力作为主要测试对象，备考对就业和提高工作能力有助益。缺点：与日能备考内容不同，应单独备考。据称在日能考试中获得高分的人，在BJT考试中并不一定就能获得高分。

1是

BIT是三极管，用在放大电路和在开关电路中；COMS是场效应管，和bit的功能基本上是一样的，但其工作原理是不一样的，cmos管是电压控 制的，BIT是电流控制的，由于其生产工艺的不同和工作原理的不同决定了他们不同的用途。我自己感觉cmos的用途比BIT 的更加广泛，而且cmos更加的可靠。TTL是一个总称，是由bjt等组成的门电路，其中不含有mos管。TTL下的系列很多，功能也各有不同，这就要具体分析了，具体是去百度问吧。呵呵。

BJT是双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）的缩写，又常称为双载子晶体管。它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。 FET:场效应管 根据三极管的原理开发出的新一代放大元件，有3个极性，栅极，漏极，源极，它的特点是栅极的内阻极高，采用二氧化硅材料的可以达到几百兆欧，属于电压控制型器件 -------------------------------------------------------------- 1.概念: 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管.由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管.它属于电压控制型半导体器件. 特点: 具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者. 作用: 场效应管可应用于放大.由于场效应管放大器的输入阻抗很高,因此耦合电容可以容量较小,不必使用电解电容器. 场效应管可以用作电子开关. 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换.常用于多级放大器的输入级作阻抗变换.场效应管可以用作可变电阻.场效应管可以方便地用作恒流源. 2.场效应管的分类: 场效应管分结型、绝缘栅型(MOS)两大类 按沟道材料:结型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种. 按导电方式:耗尽型与增强型,结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管,而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类.见下图 : 3.场效应管的主要参数 : Idss — 饱和漏源电流.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压UGS=0时的漏源电流. Up — 夹断电压.是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压. Ut — 开启电压.是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压. gM — 跨导.是表示栅源电压UGS — 对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值.gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数. BVDS — 漏源击穿电压.是指栅源电压UGS一定时,场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压.这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BVDS. PDSM — 最大耗散功率,也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量. IDSM — 最大漏源电流.是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流.场效应管的工作电流不应超过IDSM 4.结型场效应管的管脚识别: 判定栅极G:将万用表拨至R×1k档,用万用表的负极任意接一电极,另一只表笔依次去接触其余的两个极,测其电阻.若两次测得的电阻值近似相等,则负表笔所接触的为栅极,另外两电极为漏极和源极.漏极和源极互换,若两次测出的电阻都很大,则为N沟道;若两次测得的阻值都很小,则为P沟道. 判定源极S、漏极D: 在源-漏之间有一个PN结,因此根据PN结正、反向电阻存在差异,可识别S极与D极.用交换表笔法测两次电阻,其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻,此时黑表笔的是S极,红表笔接D极. 5.常效应管与晶体三极管的比较 场效应管是电压控制元件,而晶体管是电流控制元件.在只允许从信号源取较少电流的情况下,应选用场效应管;而在信号电压较低,又允许从信号源取较多电流的条件下,应选用晶体管. 场效应管是利用多数载流子导电,所以称之为单极型器件,而晶体管是即有多数载流子,也利用少数载流子导电,被称之为双极型器件. 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用,栅压也可正可负,灵活性比晶体管好. 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作,而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上,因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用

电力晶体管（Giant Transistor,GTR）按英文直译为巨型晶体管，是一种耐高压，大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor,BJT），所以英文有时也被称为Power BJT，在电力电子技术的范围内，GTR与BJT这两个名称是等效的

BJT是双极型晶体管（三极管）。它引出的三个管脚，分别叫做基极（b）、发射（e）、集电极（c）。b和e之间有单向导通的特征，加反向电压时，不能导通；加正向电压到达一定值时，这两极之间的电阻会突然变小而导通。死区电压，就是指这两极加上正向电压，电压由0v伏逐渐升高，直到这两极出现导通时刻的电压（比如是硅管，这一电压值是0.6伏），即0伏到导通电压最低值的这一个电压范围，就是死区电压（比如硅管，死区电压就是0伏到0.6伏的这一电压值范围）。

因为BJT是电流驱动的器件,则其饱和状态就是指电流较大、而电压饱和(基本恒定不变)的一种工作模式.BJT在饱和状态工作时,发射结和集电结都处于正偏,则导电很好、电流较大,这时输出的集电极电流Ic只决定于外电路的参量(Ic=Vcc/RL,式中的Vcc是电源电压,RL是负载电阻),而与输入电流无关(即这时已离开了放大状态);该状态是输出电流大、输出电压低的工作模式,相应于开关的开态.在BJT的发射极正偏、集电结0偏时，晶体管仍然处于放大状态（输出电流正比于输入电流），但是输出电流已经达到了最大；这时只要集电结电压稍微增大一点而正偏的话，那么晶体管就进入到饱和状态（输出电流与输入电流无关，而由外电路参量决定）。所以把这种发射极正偏、集电结0偏的状态特称为临界饱和状态。在BJT的输出伏安特性曲线上,饱和状态即是处在紧靠纵轴(电流轴)的一个小范围内.BJT在饱和状态工作时,总是希望该饱和范围越小越好,即要求输出电压——饱和压降越低越好.因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻,故为了降低饱和压降,就需要提高集电区掺杂浓度;但为了提高提高击穿电压,又需要减小集电区掺杂浓度,这是一个矛盾.为解决此矛盾,就发展出了外延片的技术,即是在低阻衬底上生长一层薄的较高电阻率的外延层,然后在外延层上制作BJT;对于集成电路中的BJT来说,因为所有的电极都需要从芯片表面引出,因此在外延的基础上,还需要通过在器件有源区下面加设低阻埋层来减小集电极串联电阻.总之,在集成电路芯片中采用外延层和埋层的目的,都是为了在保持较高击穿电压的条件下来减小集电极串联电阻、以降低饱和压降.

JTS的话，考试题目涵盖了从三级到一级的语法，单词，相比较BJT（日本能力考试）要容易些，证比较好拿，而且一年有三次吧，能力考试，一年只有两次，而且现在刚改革，题目比以往的都要难，但是能力证在广东方面要好找工作些，大部分的学生都考能力证，JTS在上海好用，如果考出高分的话，你的简历可以直接入上海人才库，找工作会相对简单些，看你自已的选择咯！我建议是考JTS，因为好考。500就可以拿证了，能力三科每科必须是19分平均分，总分要90。这是底线分。

MOSFET是电压型控制器件，它的栅极电压决定着它的电流，不同的mosfet特性也不同，增强型、耗尽型的控制电压不同。这样一来，mos的偏置需要一个准确的栅极电压，而偏置电流却很低，偏置电阻可以取到很大，这样MOS的输入阻抗也会很高。D、S极与三极管略同。

考生须知： 　　报名基本步骤包括：用户注册→选择考点（预定座位）→上传照片→网上付费→在线打印准考证。 　　考生预定座位后，需在3日内完成网上付费，否则系统将自动取消考生已预定的座位；考生在上述期限内也可随时自行取消预定的座位； 　　系统不定时的统一投放被考生放弃或被取消的名额，系统不立即释放被考生放弃或被取消的名额。 　　一、网上报名的时间和考试时间 　　BJT商务日语能力考试网址为：www.etest.edu.cn（教育网）或www.etest.net.cn（公网）。请关注网站开网通知。 　　二、上网报名的准备工作 　　证件要求：BJT商务日语能力考试在报名、考试时规定考生可以使用的有效的证件仅限于居民身份证、护照、台湾居民往来大陆通行证、港澳居民身份证/往来内地通行证和军人证件。未到法定领取身份证年龄的考生须在报名时填写身份证号码（户口本里有号码），并在考试时携带户口本和学生证或户口本和公安局开具带有相片的证明。请考生首先决定使用证件的种类，并保证在报名和考试时均使用同一证件原件。在考生首次上网报名进行用户注册时，要求考生提交证件种类和号码，一旦确认提交后，将不允许改变。在考生完成报名后，证件号码将打印在准考证上。考试时，如考生所持证件号码与准考证上所打印证件号码不符，考点将拒绝考生进入考场。 　　银行卡：BJT商务日语能力考试网上报名系统收取考费的方式仅限于网上支付。考生可任选中国工商银行、中国招商银行或中国银行的网上银行支付系统交纳考费。这将使您能够通过互联网一次完成整个报名程序，并支付较低的手续费。如果您没有上述两家银行的可以进行网上支付的银行卡，请到中国工商银行、中国招商银行或中国银行营业部去办理。中国工商银行http://www.icbc.com.cn、中国招商银行http://www.cmbchina.com 和中国银行http://www.boc.cn 在其网站和营业部均备有相关服务的详细资料。 　　电脑系统：BJT商务日语能力考试网上报名要求您的电脑应与互联网相连接并且装有网络浏览器（是IE浏览器）。推荐显示分辨率为1024X768。中国考生须提供本人的简体中文姓名和地址，因此，中国考生须使用简体中文操作系统来输入汉字。在汉字输入状态下，注意必须采取半角方式输入数字。 　　三、报名步骤 　　步骤1、阅读报名须知 　　请考生仔细阅读本报名须知，了解报名流程和有关规定。 　　步骤2、用户注册 　　如果考生首次来到BJT商务日语能力考试报名网站报名，还没有进行用户注册，请在页面上点击“现在注册”。用户注册时，要求考生填写本人的姓名、性别、生日、证件类型和证件号，以及通信地址、电话号码、手机号码和电子邮件信箱地址等联络信息，还要求考生填写自定义的密码。考生填写个人信息后，还须在“验证码”栏目处填入右边图形显示的大写字母。 　　已经进行用户注册的考生可直接填写证件号、密码登录。 　　请注意： 　　证件号和密码将作为考生再次登录报名系统（进行查询或修改部分信息）的密码，请考生牢记并慎重保管。 　　中国考生的汉语拼音姓名和出生日期将打印在考试资料和证书上，请注意您的中文姓名应严格按照《新华字典》的规范正确拼写。 　　使用护照报名的考生，请严格按照护照上的英文姓名填写。 　　步骤3、选择考试考点 　　在考生进行用户注册后，或仍然没有预定任何座位时，将被导入此页面。 　　选择考点：选择考点页面将显示所有考点名称、状态和对应的“预定座位”按钮。考生首先在“验证码”栏目处填入右边图形显示的大写字母，然后点击“预定座位”按钮选定考点。在报名期间如“预定座位”按钮将显示为“座位暂满”，并不意味着该考点在报名截止前肯定不再有名额，系统对于已经预定座位的考生在过期未交费、取消预定和换考点的情况下将释放其预定的座位，供其他考生预定。 　　步骤4、上传照片 　　预定座位后请提交照片，上传的照片要求为： 　　考生本人六个月内的“标准证件照片” 　　照片规格为长4CM×宽3CM 　　白色或浅色背景 　　黑白或彩色照片均可 　　步骤5、交纳考费 　　考费数额：BJT商务日语能力考试的考试费为人民币630元。 　　交费方式：通过中国工商银行或中国招商银行的网上支付系统交纳考费。 　　交费期限：从预定座位开始，考生必须在三天内完成网上支付。报名截止日前5天考生的预约保留24小时。逾期未支付考费的，报名系统将自动取消考生预定的座位。 　　网上支付操作方法：考生点击“交费”按钮后，系统将显示相应的中国工商银行或中国招商银行网上付费按钮，点击其中之一便可以开始进行网上付费。选择银行后，您将重新被引导到中国工商银行或中国招商银行的安页。请按照银行的要求完成付费程序。当付费完成后，请记录银行所提供的交易号码，以便日后核对及查询你的付款。通常教育部考试中心报名系统会立即收到你的付款确认。银行网上支付系统如发生延迟向考试中心报名系统确认考生付款的情况，请考生在24小时后登录教育部考试中心报名网站核实您的付费和报名状态。如仍未看到对您付费的确认，请拨打考试中心服务热线010-62799922寻求帮助。 　　请您在未确认是否交费成功时，不要轻易重复进行网上支付。 　　银行手续费：银行将向考生收取网上支付手续费用6元。 　　交费规定：BJT商务日语能力考试网上报名系统确认考生交纳的考费后，（1）考生因故不参加考试，不返还考费；（2）报名截止日前，其他考点如有座位，在交纳转考费人民币100元的前提下可更改一次所选的考点；(3) 考生不得更改证件类型和号码、姓名及出生日期；（4）因报名时提交个人信息错误导致不能参加考试的，不返还考费。 　　步骤6、打印准考证 　　请考生在考前两周左右登录报名网站，在确保计算机与打印机正确连接前提下，点击“打印”按钮打印准考证。 　　至此，您已经完成了BJT商务日语能力考试的所有报名步骤，请妥善保管好您的准考证和身份证件。 　　四、考试 　　考生应在BJT商务日语能力考试当天12:00前携带准考证和个人有效证件（证件要求同上）抵达考场，考试开始前及考试期间将对个人证件进行验证。考场桌面上禁止摆放HB铅笔、橡皮、准考证、证件之外的任何物品（如食品饮料等），携带移动电话及其他通讯工具进入考场的，以作弊处理。 　　五、领取成绩认定书 　　请考生在考后2至3个月后关注本报名网站的通知，并及时与考点（见考点信息）联系咨询成绩到达情况以领取成绩认定书。 　　六、其他服务： 　　当考生成功注册BJT商务日语能力考试后，系统将为考生提供下列相关的服务： 　　更改考点：系统允许已经报名成功的考生在报名截止日前，在交纳转考费人民币100元的前提下更改一次所选的考点（在另选考点有空位的前提下） 　　取消报名：报名成功的考生可以在报名截止日期前取消报名并得到50％考费的退款。款项系统自动退回到考生个人帐户。 　　查询成绩：请考生于考试结束2至3个月后关注本网站有关查询成绩的通知。 　　退款：本次报名结束一个月后完成考生帐户余额退款，请考生通过原支付卡中查收。

7月31日23点。北京时间8月1日7点，世界协调时是7月31日23点。UTC是世界协调时，BJT是北京时间，UTC时间相当于BJT减去8。现在，你的程序要读入一个整数，表示BJT的时和分。整数的个位和十位表示分，百位和千位表示小时。如果小时小于10，则没有千位部分。如果小时是0，则没有百位部分。如果分小于10分，需要保留十位上的0。如1124表示11点24分，而905表示9点5分，36表示0点36分，7表示0点7分。

三极管和场效应管的应用：1、场效应管的源极s、栅极g、漏极d分别对应于三极管的发射极e、基极b、集电极c,它们的作用相似。2、场效应管是电压控制电流器件，由vGS控制iD,其放大系数gm一般较小，因此场效应管的放大能力较差；三极管是电流控制电流器件，由iB（或iE）控制iC。3、场效应管栅极几乎不取电流，而三极管工作时基极总要吸取一定的电流。因此场效应管的栅极输入电阻比三极管的输入电阻高。4、场效应管是由多子参与导电；三极管有多子和少子两种载流子参与导电，而少子浓度受温度、辐射等因素影响较大，因而场效应管比晶体管的温度稳定性好、抗辐射能力强。在环境条件（温度等）变化很大的情况下应选用场效应管。5、场效应管在源极金属与衬底连在一起时，源极和漏极可以互换使用，且特性变化不大；而三极管的集电极与发射极互换使用时，其特性差异很大，β值将减小很多。6、场效应管的噪声系数很小，在低噪声放大电路的输入级及要求信噪比较高的电路中要选用场效应管。　　7、场效应管和三极管均可组成各种放大电路和开关电路，但由于前者制造工艺简单，且具有耗电少，热稳定性好，工作电源电压范围宽等优点，因而被广泛用于大规模和超大规模集成电路中。8、三极管导通电阻大，场效应管导通电阻小，只有几百毫欧姆，在现用电器件上，一般都用场效应管做开关来用，他的效率是比较高的。

晶体三极管或MOS管在关态时的漏电流

电导调制需效应是Webster效应，是在大注入时基区电导增大的现象；而基区宽度调制效应就是Early效应，是集电结电压变化而致使基区宽度变化、并造成伏安输出特性倾斜、使输出电阻减小的现象；另外，基区宽度展宽效应就是Kirk效应，是在大电流下基区宽度增大的现象。这三种重要的效应是BJT的一种基本特性，要注意区分开来！

白敬亭小号疑似曝光，所有网友都纷纷关注了这个名叫“别叫他不举铁”的微博。目前，这个账号只关注了白敬亭一人，发了一个视频，重点是白敬亭大号点赞了，所以不少人都发现了这个账号，表示这就是他的小号，因为bjt音译过来就是不举铁呀！下面，我们来看看到底是不是白敬亭小号吧！ 白敬亭微博小号叫什么 白敬亭又双叒叕出来了，还带着他的小号 这个账号头像有白敬亭的缩写BJT，别叫他缩写BJT，不举铁缩写BJT，不加糖缩写BJT，而且这个号只关注了白敬亭一个人 白敬亭的大号还给小号视频点了赞 粉丝之前喊话说让白敬亭不要举铁，我们刚小白这就用小号出来喊话粉丝别叫他不举铁，真的是很可爱的操作，现在还被粉丝威胁说开小号不经常更新的话可能会被挨揍，小白又会怎样回应呢 看了这些，有没有更喜欢小白了呢？ 别叫他不举铁真的是白敬亭小号吗 有网友表示，这个别叫他不举铁其实是个松鼠宠物博主，感觉这么光明正大不可能是小号，你们觉得呢？ 白敬亭的应援色是什么颜色 淡蓝色。 白敬亭的应援口号有很多，如下： 1、初心久伴亭 2、小白温暖如初，白鸽团结如故。 3、一声白哥 一生白鸽 4、相看两不厌，只有敬亭山 白哥勇敢飞，白鸽永相随

就是三极管放大器。BJT是双极型晶体管的英文字头：Bipolar Junction Tansistor

电子三极管 Triode （俗称电子管的一种） 双极型晶体管 BJT （Bipolar Junction Transistor） J型场效应管 Junction gate FET（Field Effect Transistor） 金属氧化物半导体场效应晶体管 MOS FET ( Metal Oxide Semi-Conductor Field Effect Transistor)英文全称 V型槽场效应管 VMOS （Vertical Metal Oxide Semiconductor ）《电力电子技术》书中有介绍！

温度变化时会引起BJT的禁带宽度和少数载流子浓度这两个参数变化。正向压降随着温度升高而降低,反向电流随着温度升高而很快增大,势垒电容随着温度升高而增大等。因为BJT是半导体制造的,而半导体在此有两个参数是与温度有关的：一个是禁带宽度（一般随着温度的升高而减小）；二是少数载流子浓度（随着温度的升高而指数式增大）。扩展资料：BJT的分型：1、NPN型：NPN型晶体管是两种类型双极性晶体管的其中一种，由两层N型掺杂区域和介于二者之间的一层P型掺杂半导体（基极）组成。输入到基极的微小电流将被放大，产生较大的集电极-发射极电流。当NPN型晶体管基极电压高于发射极电压，并且集电极电压高于基极电压。则晶体管处于正向放大状态。在这一状态中，晶体管集电极和发射极之间存在电流。被放大的电流，是发射极注入到基极区域的电子（在基极区域为少数载流子），在电场的推动下漂移到集电极的结果。由于电子迁移率比空穴迁移率更高，因此现在使用的大多数双极性晶体管为NPN型。2、PNP型：双极性晶体管的另一种类型为PNP型，由两层P型掺杂区域和介于二者之间的一层N型掺杂半导体组成。流经基极的微小电流可以在发射极端得到放大。也就是说，当PNP型晶体管的基极电压低于发射极时，集电极电压低于基极，晶体管处于正向放大区。在双极性晶体管电学符号中，基极和发射极之间的箭头指向电流的方向，这里的电流为电子流动的反方向。与NPN型相反，PNP型晶体管的箭头从发射极指向基极 。3、异质结双极性晶体管：是一种改良的双极性晶体管，它具有高速工作的能力。研究发现，这种晶体管可以处理频率高达几百GHz的超高频信号，因此它适用于射频功率放大、激光驱动等对工作速度要求苛刻的应用。异质结是PN结的一种，这种结的两端由不同的半导体材料制成。在这种双极性晶体管中，发射结通常采用异质结结构，即发射极区域采用宽禁带材料，基极区域采用窄禁带材料。常见的异质结用砷化镓（GaAs）制造基极区域，用铝-镓-砷固溶体（AlxGa1-xAs）制造发射极区域。采用这样的异质结，双极性晶体管的注入效率可以得到提升，电流增益也可以提高几个数量级。参考资料来源：百度百科-双极性晶体管

良好的数学学习习惯包括：听讲、阅读、探究、作业．听讲：应抓住听课中的主要矛盾和问题，在听讲时尽可能与老师的讲解同步思考，必要时做好笔记．每堂课结束以后应深思一下进行归纳，做到一课一得．阅读：阅读时应仔细推敲，弄懂弄通每一个概念、定理和法则，对于例题应与同类参考书联系起来一同学习

因为BJT有三个电极，所以存在相应的三个不同的击穿电压值：BVcbo，BVceo和BVebo；这三个击穿电压实际上也就是对应于BJT的三个反向截止电流（Icbo，Iceo和Iebo）分别急剧增大时的电压。

网页链接楼下说的太深了，人家问的明明不是这么深奥的东西

上图表示一基本反相器电路及其逻辑符号。下图则是其传输特性，图中标出了BJT的三个工作区域。对于饱和型反相器来说 ，输入信号必须满足下列条件：逻辑0：Vi<V1　逻辑1：Vi>V2由传输特性可见：当输入为逻辑0时，BJT将截止，输出电压将接近于VCC，即逻辑1。当输入为逻辑1时，BJT将饱和导通，输出电压约为0.2～0.3V，即为逻辑0。可见反相器的输出与输入量之间的逻辑关系是非逻辑关系。虽然利用以上基本的与、或、非门，可以实现与、或、非三种逻辑运算。但是由于它们的输出电阻比较大，带负载的能力差，开关性能也不理想，因此基本的与、或、非门不具有实用性。解决的办法之一是采用二极管与三极管门的组合，组成与非门、或非门，也就是所谓的复合门电路。与非门和或非门在负载能力 、工作速度和可靠性方面都大为提高，是逻辑电路中最常用的基本单元。下图给出了复合门电路的一个例子及其逻辑符号和逻辑表达式。

BIT是三极管，用在放大电路和在开关电路中；COMS是场效应管，和bit的功能基本上是一样的，但其工作原理是不一样的，cmos管是电压控制的，BIT是电流控制的，由于其生产工艺的不同和工作原理的不同决定了他们不同的用途。我自己感觉cmos的用途比BIT的更加广泛，而且cmos更加的可靠。TTL是一个总称，是由bjt等组成的门电路，其中不含有mos管。TTL下的系列很多，功能也各有不同，这就要具体分析了，具体是去百度问吧。呵呵。

先把要装订的纸用打孔器打孔，然后使用装订夹夹起来。装订夹条是办公中常用的装订配件，主要用途是用来制作标书、简历等。 配合以装订机、装订胶片、皮纹纸、复印纸等使用，可以制作出精美的标书或者简历等。BJT是由2块Ⅳ型半导体中间夹着一块Р型半导体所组成，发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极 b和集电极。

品牌型号：华为MateBook D15 系统：Windows 11 bjt指的就是双极型二极管，它是一个“两结三端”电流控制器件。 双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。 晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

BJT是双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）的缩写，又常称为双载子晶体管。它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。 晶体管分两类：一类是双极性晶体管，BJT；一类是场效应晶体管，FET.

因为BJT是通过控制基极电流来控制其他电流和电压的

您好！BJT是双极结型晶体管（BipolarJunctionTransistor—BJT）的缩写，又常称为晶体管。它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构。它与三极管的区别就在于BJT是晶体管...

例如 09：00AM BJT

三极管和MOS管的区别：1、工作性质不同三极管是使用电流控制的，MOS管是属于使用电压控制的。2、成本问题不同三极管非常的便宜，MOS管比较昂贵。3、功耗问题不同三极管的损耗非常大，MOS管功效较小。4、驱动能力不同三极管常用独立开关，使用小电流开关电路，MOS管常用来电源开关，以及大电流地方开关电路。

MOSFET是电压型控制器件，它的栅极电压决定着它的电流，不同的mosfet特性也不同，增强型、耗尽型的控制电压不同。x0dx0a这样一来，mos的偏置需要一个准确的栅极电压，而偏置电流却很低，偏置电阻可以取到很大，这样MOS的输入阻抗也会很高。x0dx0aD、S极与三极管略同。x0dx0a相比于IGBT和BJT耐冲击性好,故障率低.由于电导率负温度系数,MOSFET可扩展性很好.大功率应用时,如成本不敏感,如军用、工业、高端消费产品,MOSFET是最优选择.低压大电流领域是MOSFET的强项.x0dx0aIGBT是和功率MOSFET同步发展起来的一类开关器件,IGBT的优点在于做大功率时成本低,堪称“穷人的法拉利”,耐压比MOSFET容易做高.相比于BJT,更少被二次击穿而失效.常用于高压（600V)应用领域.以及低端大功率（2000W)设备,如电磁炉、逆变器等.x0dx0aBJT是最老的开关器件,目前由于国内仍有一批尚未淘汰的BJT生产线没有停产,仍然活跃于低端市场.低压BJT开关频率可以较高,但由于饱和CE压降高达0.4V以上而远逊于MOSFET,只被用在最低端领域.高压BJT驱动麻烦,需使用低压大电流的电流源驱动,一般使用变压器驱动.在驱动不当或电压应力过大时容易发生二次击穿而失效.适合中功率(50~1000W),对成本极度敏感的市场.x0dx0aBJT有两种驱动方式,一种是基极开关,一种是射极开关.射极开关的效率和开关速度都优于基极开关,是BJT应用的潮流.x0dx0a答：MOSFET是稳定性最好的器件,不容易损坏.MOSFET常见的失效模式有：x0dx0a栅极击穿.即栅极和源极之间的绝缘层破坏.此时的MOSFET（此处均指增强型MOSFET）无法开启.x0dx0a封装破裂.这是由瞬间高热引起的.在瞬间产热过大,散热不良的情形下,树脂封装材料部分分解气化并膨胀,把封装撑裂.x0dx0a漏源极之间击穿.这是MOSFET最严重的一种失效模式,通常不易发生.发生后会导致短路而非断路.会导致强电源灌进弱电部分,如输入电压直接进入控制芯片而烧毁很多控制电路.通常是持续温度太高引起的（管芯温度大面积超过200度持续工作时才可能发生)IGBT稳定性比MOSFET稍差,但仍强过BJT.除了MOSFET的失效模式外,还有二次击穿的失效模式.x0dx0a当IGBT持续超过安全工作区工作时,会出现还未大面积发热就出现CE极击穿的现象,这种击穿称为二次击穿.IGBT出现二次击穿的可能性比BJT小很多,但仍有可能出现.x0dx0aBJT常见的失效模式有：x0dx0a二次击穿：最常见的失效模式,表现为芯片并未大面积发热,但CE之间持续低阻.此时BJT已经损坏.如果是用在电源上没有保护,则会进一步发展为整管熔毁.CB间绝缘破坏：比较少见,通常发生在整管熔毁时,或CB间承受的电压高于VCBO时击穿.x0dx0a热击穿：在高温下管子热失效.通常不易发生,因二次击穿发生更加容易,先发生二次击穿.x0dx0aMOSFET开关极快,而且是多子导电器件,没有拖尾电流,损耗主要是开通时的输出电容放电损耗.计算公式为:x0dx0aPloss=f*0.5*Coss*V^2,x0dx0aV是MOSFET开通前一瞬间承受的电压.x0dx0aIGBT开关速度较快,没有存储时间,但存在拖尾电流.拖尾电流,就是在VCE已经升高的情况下,CE之间仍然有一股小电流流通一段时间,拖尾电流导致的电流--电压交叉损耗构成了IGBT的主要损耗.x0dx0aBJT开关速度慢,而且是少子器件,存在存储时间.存储时间就是基极电流已经切断甚至反向,而集极和射极仍然保持完全导通的时间.在存储时间后进入下降时间.下降时间是电压、电流交叉的时间,交叉损耗发生在下降时间.低压BJT由于β值高,下降时间比较短,存储时间也可以通过肖特基箝位电路大幅减小,因此主要损耗在于导通损耗,开关损耗不太大.高压BJT的存储时间不容易通过箝位控制,下降时间也较长,主要损耗包括电流--电压交叉损耗.x0dx0a但必须注意,采用射极开关的BJT没有存储时间,下降时间也很短,开关损耗可以达到MOSFET的水准.x0dx0a答：从损耗分析上来看,x0dx0aMOSFET的主要损耗是输出电容放电损耗,因此需要实现零电压开通,即开通前一瞬间DS电压为0.x0dx0a电路形式有LLC半桥以及准方波谐振的变换器,如移相全桥ZVS,准谐振反激.x0dx0aIGBT的主要损耗来自拖尾电流,因此需要实现零电流关断,消除拖尾电流,即关断前一瞬间CE电流为0.x0dx0a电路形式有ZCS半桥、ZCS全桥.x0dx0aBJT的主要损耗和IGBT相仿,主要在关断时有电流--电压交叉损耗,因此也应实行零电流关断.

饱和状态在电子科学技术中，饱和状态是指晶体管的一种低电压、大电流工作状态（即开态）.晶体管的工作状态（或工作模式）包括有放大状态、截止状态、饱和状态和反向放大状态四种。

GTO（Gate-Turn-Off Thyristor）门极可关断晶闸管BJT（Bipolar Junction Transistor ）双极结型三极管Power-MOSFET （Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor）金属氧化物半导体场效应管IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管IGCT(Intergrated Gate Commutated Thyristors)集成门极换流晶闸管MCT看参考资料，有很多解释百度百科里都有

共e接法，c和b反相；共b接法，c和e同相；共c接法，e和b同相。NPN管和PNP管只是直流偏置电压不一样，交流一样。

3.测得BJT各极对地电压为VB =1.8V，VE =0V，VC=12V，则该管工作在（ 饱和导通 ）状态。a.截止 b.饱和 c.放大 d.已损坏4.测得BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，—0.2V，—3V，则1、2、3脚对应的三个极是（ EBC ）。 a、ebc b、ecb c、cbe d、bec第3题，如何判定其处于已损坏状态，即反向电压多少大时三极管会损坏？第四题为什么选择A而不选择C？ 短路：C极电位0V,断路C极电位=电源电位，E、B极为0V.因为4题是说的锗晶体管。

仔细看bjt的输出特性曲线，这是描述bjt工作状态的图像，在放大区；可以看到输出电流和输入电流是β倍的关系，即通过控制ib的变化来控制输出，所以它是电流控制器件

白举纲bjg。。。阮经天rjt

在BJT的输出伏安特性曲线上，饱和状态即是处在紧靠纵轴(电流轴)的一个小范围内。BJT在饱和状态工作时，总是希望该饱和范围越小越好，即要求输出电压——饱和压降越低越好。因为饱和压降直接关系到集电极串联电阻，故为了降低饱和压降，就需要提高集电区掺杂浓度。但为了提高提高击穿电压，又需要减小集电区掺杂浓度，这是一个矛盾。为解决此矛盾，就发展出了外延片的技术，即是在低阻衬底上生长一层薄的较高电阻率的外延层，然后在外延层上制作BJT。总之，在集成电路芯片中采用外延层和埋层的目的，都是为了在保持较高击穿电压的条件下来减小集电极串联电阻、以降低饱和压降。扩展资料GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。IGBT的开关速度低于MOSFET，但明显高于GTR。IGBT在关断时不需要负栅压来减少关断时间，但关断时间随栅极和发射极并联电阻的增加而增加。IGBT的开启电压约3～4V，和MOSFET相当。IGBT导通时的饱和压降比MOSFET低而和GTR接近，饱和压降随栅极电压的增加而降低。参考资料来源：百度百科-饱和状态

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，可以用于检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制和许多其它功能。晶体管作为一种可变开关，基于输入的电压，控制流出的电流，因此晶体管可做为电流的开关，和一般机械开关（如Relay、switch）不同处在于晶体管是利用电讯号来控制，而且开关速度可以非常之快，在实验室中的切换速度可达100GHz以上。 半导体三极管，是内部含有两个PN结，外部通常为三个引出电极的半导体器件。它对电信号有放大和开关等作用，应用十分广泛。输入级和输出级都采用晶体管的逻辑电路，叫做晶体管－晶体管逻辑电路，书刊和实用中都简称为TTL电路，它属于半导体集成电路的一种，其中用得最普遍的是TTL与非门。TTL与非门是将若干个晶体管和电阻元件组成的电路系统集中制造在一块很小的硅片上，封装成一个独立的元件。半导体三极管应用最广泛的器件之一，在电路中用“V”或“VT”（旧文字符号为“Q”、“GB”等）表示。 半导体三极管主要分为两大类：双极性晶体管（BJT）和场效应晶体管（FET）。晶体管有三个极；双极性晶体管的三个极，分别由N型跟P型组成发射极（Emitter）、基极 (Base) 和集电极（Collector）；场效应晶体管的三个极，分别是源极 （Source）、栅极（Gate）和漏极（Drain）。晶体管因为有三种极性，所以也有三种的使用方式，分别是发射极接地（又称共射放大、CE组态）、基极接地（又称共基放大、CB组态）和集电极接地（又称共集放大、CC组态、发射极随隅器）。 在双极性晶体管中，发射极到基极的很小的电流，会使得发射极到集电极之间，产生大电流；在场效应晶体管中，在栅极施加小电压，来控制源极和漏极之间的电流。在模拟电路中，晶体管用于放大器、音频放大器、射频放大器、稳压电路； 在计算机电源中，主要用于开关电源。晶体管也应用于数字电路，主要功能是当成电子开关。数字电路包括逻辑门、随机存取内存（RAM）和微处理器。晶体管在使用上有许多要注意的最大额定值，像是最大电压、最大电流、最大功率……，在超额的状态下使用，晶体管内部的结构会被破坏。每种型号的晶体管还有特有的特性，像是直流放大率hfe、NF噪讯比等，可以藉由晶体管规格表或是Data Sheet得知。 晶体管在电路最常用的用途应该是属于讯号放大这一方面，其次是阻抗匹配、讯号转换……等，晶体管在电路中是个很重要的组件，许多精密的组件主要都是由晶体管制成的。按半导体材料和极性分类 按晶体管使用的半导体材料可分为硅材料晶体管和锗材料晶体管。按晶体管的极性可分为锗NPN型晶体管、锗PNP晶体管、硅NPN型晶体管和硅PNP型晶体管。 按结构及制造工艺分类 晶体管按其结构及制造工艺可分为扩散型晶体管、合金型晶体管和平面型晶体管。 按电流容量分类 晶体管按电流容量可分为小功率晶体管、中功率晶体管和大功率晶体管。 按工作频率分类 晶体管按工作频率可分为低频晶体管、高频晶体管和超高频晶体管等。 按封装结构分类 晶体管按封装结构可分为金属封装（简称金封）晶体管、塑料封装（简称塑封）晶体管、玻璃壳封装（简称玻封）晶体管、表面封装（片状）晶体管和陶瓷封装晶体管等。其封装外形多种多样。 按功能和用途分类 晶体管按功能和用途可分为低噪声放大晶体管、中高频放大晶体管、低频放大晶体管、开关晶体管、达林顿晶体管、高反压晶体管、带阻晶体管、带阻尼晶体管、微波晶体管、光敏晶体管和磁敏晶体管等多种类型。 ※ 电力晶体管 电力晶体管按英文Giant Transistor直译为巨型晶体管，是一种耐高电压、大电流的双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有时也称为Power BJT；其特性有：耐压高，电流大，开关特性好，但驱动电路复杂，驱动功率大；GTR和普通双极结型晶体管的工作原理是一样的。 ※ 光晶体管 光晶体管（phototransistor）由双极型晶体管或场效应晶体管等三端器件构成的光电器件。光在这类器件的有源区内被吸收，产生光生载流子，通过内部电放大机构，产生光电流增益。光晶体管三端工作，故容易实现电控或电同步。光晶体管所用材料通常是砷化镓（CaAs），主要分为双极型光晶体管、场效应光晶体管及其相关器件。双极型光晶体管通常增益很高，但速度不太快，对于GaAs-GaAlAs，放大系数可大于1000，响应时间大于纳秒，常用于光探测器，也可用于光放大。场效应光晶体管响应速度快（约为50皮秒），但缺点是光敏面积小，增益小（放大系数可大于10），常用作极高速光探测器。与此相关还有许多其他平面型光电器件，其特点均是速度快（响应时间几十皮秒）、适于集成。这类器件可望在光电集成中得到应用。 ※ 双极晶体管 双极晶体管（bipolar transistor）指在音频电路中使用得非常普遍的一种晶体管。双极则源于电流系在两种半导体材料中流过的关系。双极晶体管根据工作电压的极性而可分为NPN型或PNP型。 ※ 双极结型晶体管 双极结型晶体管（Bipolar Junction Transistor—BJT）又称为半导体三极管，它是通过一定的工艺将两个PN结结合在一起的器件，有PNP和NPN两种组合结构；外部引出三个极：集电极，发射极和基极，集电极从集电区引出，发射极从发射区引出，基极从基区引出（基区在中间）；BJT有放大作用，重要依靠它的发射极电流能够通过基区传输到达集电区而实现的，为了保证这一传输过程，一方面要满足内部条件，即要求发射区杂质浓度要远大于基区杂质浓度，同时基区厚度要很小，另一方面要满足外部条件，即发射结要正向偏置（加正向电压）、集电结要反偏置；BJT种类很多，按照频率分，有高频管，低频管，按照功率分，有小、中、大功率管，按照半导体材料分，有硅管和锗管等；其构成的放大电路形式有：共发射极、共基极和共集电极放大电路。 ※ 场效应晶体管 场效应晶体管（field effect transistor）利用场效应原理工作的晶体管。英文简称FET。场效应就是改变外加垂直于半导体表面上电场的方向或大小，以控制半导体导电层（沟道）中多数载流子的密度或类型。它是由电压调制沟道中的电流，其工作电流是由半导体中的多数载流子输运。这类只有一种极性载流子参加导电的晶体管又称单极型晶体管。与双极型晶体管相比，场效应晶体管具有输入阻抗高、噪声小、极限频率高、功耗小，制造工艺简单、温度特性好等特点，广泛应用于各种放大电路、数字电路和微波电路等。以硅材料为基础的金属?氧化物?半导体场效应管（MOSFET)和以砷化镓材料为基础的肖特基势垒栅场效应管（MESFET）是两种最重要的场效应晶体管，分别为MOS大规模集成电路和MES超高速集成电路的基础器件。 ※ 静电感应晶体管 静电感应晶体管SIT(Static Induction Transistor)诞生于1970年，实际上是一种结型场效应晶体管。将用于信息处理的小功率SIT器件的横向导电结构改为垂直导电结构，即可制成大功率的SIT器件。SIT是一种多子导电的器件，其工作频率与电力MOSFET相当，甚至超过电力MOSFET，而功率容量也比电力MOSFET大，因而适用于高频大功率场合，目前已在雷达通信设备、超声波功率放大、脉冲功率放大和高频感应加热等某些专业领域获得了较多的应用。 但是SIT在栅极不加任何信号时是导通的，栅极加负偏压时关断，这被称为正常导通型器件，使用不太方便。此外，SIT通态电阻较大，使得通态损耗也大，因而SIT还未在大多数电力电子设备中得到广泛应用。 ※ 单电子晶体管 用一个或者少量电子就能记录信号的晶体管。随着半导体刻蚀技术和工艺的发展，大规模集成电路的集成度越来越高。以动态随机存储器(DRAM)为例，它的集成度差不多以每两年增加四倍的速度发展，预计单电子晶体管将是最终的目标。目前一般的存储器每个存储元包含了20万个电子，而单电子晶体管每个存储元只包含了一个或少量电子，因此它将大大降低功耗，提高集成电路的集成度。1989年斯各特(J.H. F.Scott-Thomas)等人在实验上发现了库仑阻塞现象。在调制掺杂异质结界面形成的二维电子气上面，制作一个面积很小的金属电极，使得在二维电子气中形成一个量子点，它只能容纳少量的电子，也就是它的电容很小，小于一个？F (10~15法拉)。当外加电压时，如果电压变化引起量子点中电荷变化量不到一个电子的电荷，则将没有电流通过。直到电压增大到能引起一个电子电荷的变化时，才有电流通过。因此电流-电压关系不是通常的直线关系，而是台阶形的。这个实验在历史上第一次实现了用人工控制一个电子的运动，为制造单电子晶体管提供了实验依据。为了提高单电子晶体管的工作温度，必须使量子点的尺寸小于10纳米，目前世界各实验室都在想各种办法解决这个问题。有些实验室宣称已制出室温下工作的单电子晶体管，观察到由电子输运形成的台阶型电流——电压曲线，但离实用还有相当的距离。 ※ 绝缘栅双极晶体管 绝缘栅双极晶体管（Insulate-Gate Bipolar Transistor—IGBT）综合了电力晶体管（Giant Transistor—GTR）和电力场效应晶体管（Power MOSFET）的优点，具有良好的特性，应用领域很广泛；IGBT也是三端器件：栅极，集电极和发射极。晶体管的主要参数有电流放大系数、耗散功率、频率特性、集电极最大电流、最大反向电压、反向电流等。 ※ 电流放大系数 电流放大系数也称电流放大倍数，用来表示晶体管放大能力。 根据晶体管工作状态的不同，电流放大系数又分为直流电流放大系数和交流电流放大系数。 1．直流电流放大系数 直流电流放大系数也称静态电流放大系数或直流放大倍数，是指在静态无变化信号输入时，晶体管集电极电流IC与基极电流IB的比值，一般用hFE或β表示。 2．交流电流放大系数 交流电流放大系数也称动态电流放大系数或交流放大倍数，是指在交流状态下，晶体管集电极电流变化量△IC与基极电流变化量△IB的比值，一般用hfe或β表示。 hFE或β既有区别又关系密切，两个参数值在低频时较接近，在高频时有一些差异。 ※ 耗散功率 耗散功率也称集电极最大允许耗散功率PCM，是指晶体管参数变化不超过规定允许值时的最大集电极耗散功率。 耗散功率与晶体管的最高允许结温和集电极最大电流有密切关系。晶体管在使用时，其实际功耗不允许超过PCM值，否则会造成晶体管因过载而损坏。 通常将耗散功率PCM小于1W的晶体管称为小功率晶体管，PCM等于或大于1W、小于5W的晶体管被称为中功率晶体管，将PCM等于或大于5W的晶体管称为大功率晶体管。 ※ 频率特性 晶体管的电流放大系数与工作频率有关。若晶体管超过了其工作频率范围，则会出现放大能力减弱甚至失去放大作用。 晶体管的频率特性参数主要包括特征频率fT和最高振荡频率fM等。 1．特征频率fT 晶体管的工作频率超过截止频率fβ或fα时，其电流放大系数β值将随着频率的升高而下降。特征频率是指β值降为1时晶体管的工作频率。 通常将特征频率fT小于或等于3MHZ的晶体管称为低频管，将fT大于或等于30MHZ的晶体管称为高频管，将fT大于3MHZ、小于30MHZ的晶体管称为中频管。 2．最高振荡频率fM 最高振荡频率是指晶体管的功率增益降为1时所对应的频率。 通常，高频晶体管的最高振荡频率低于共基极截止频率fα，而特征频率fT则高于共基极截止频率fα、低于共集电极截止频率fβ。 集电极最大电流ICM 集电极最大电流是指晶体管集电极所允许通过的最大电流。当晶体管的集电极电流IC超过ICM时，晶体管的β值等参数将发生明显变化，影响其正常工作，甚至还会损坏。 最大反向电压 最大反向电压是指晶体管在工作时所允许施加的最高工作电压。它包括集电极—发射极反向击穿电压、集电极—基极反向击穿电压和发射极—基极反向击穿电压。 1．集电极——发射极反向击穿电压 该电压是指当晶体管基极开路时，其集电极与发射极之间的最大允许反向电压，一般用VCEO或BVCEO表示。 2．集电极——基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管发射极开路时，其集电极与基极之间的最大允许反向电压，用VCBO或BVCBO表示。 3．发射极——基极反向击穿电压 该电压是指当晶体管的集电极开路时，其发射极与基极与之间的最大允许反向电压，用VEBO或BVEBO表示。 ※ 反向电流 晶体管的反向电流包括其集电极—基极之间的反向电流ICBO和集电极—发射极之间的反向击穿电流ICEO。 1．集电极——基极之间的反向电流ICBO ICBO也称集电结反向漏电电流，是指当晶体管的发射极开路时，集电极与基极之间的反向电流。ICBO对温度较敏感，该值越小，说明晶体管的温度特性越好。 2．集电极——发射极之间的反向击穿电流ICEO ICEO是指当晶体管的基极开路时，其集电极与发射极之间的反向漏电电流，也称穿透电流。此电流值越小，说明晶体管的性能越好。

2017BJT商务日语能力考试考前须知 　　BJT考试通过录音、文字和图画来展示考试的内容;并且，全部采用四选一的客观题方式作答。下面是我为大家带来的BJT商务日语能力考试考前须知，欢迎阅读。 　　1. 问：BJT商务日语考试分级别吗? 　　答：全球所有参加商务日语考试的考生使用同一张试卷，考试不分级别，会根据您获取的成绩进行成绩级别评定。 　　2. 问：考试当天几点入场?考试中间有没有休息? 　　答：考试当日12:00-12:50入场，12:50后禁止入场;考试中间没有休息; 　　提示：您所携带的东西需要放置在考点设立的暂存处，建议考试当日考生除HB铅笔、准考证及证件外尽量不要携带贵重物品。 　　3. 问：考试采用什么样的形式呢? 　　答：BJT考试通过录音、文字和图画来展示考试的内容;并且，全部采用四选一的客观题方式作答。 　　4. 问：考试分为几个部分?满分是多少分?考试时间有多长? 　　答：考试分为三个部分：听力、听力阅读、阅读，共计100道题目，满分为800分。考试时长为120分钟 　　5. 问：考试侧重点及试题结构 　　6. 问：成绩结果有何查询方式?成绩认定证书何时可以领取，到哪里领取? 　　答：为了有效保护考生的隐私权，不能以电话、传真、电子邮件方式查询考试结果;考试结果可于考试结束2个月后上报名网站查询考试结果或到您所报考点领取您的成绩评定。 　　7. 问：成绩认定证书是什么样的? 　　答：成绩认定书中包括：考试的结果，印制照片和签名，考试的.得分及水平，而且对考生在听力、听力阅读、阅读等三个部分所达到的水平，分别以”redar chart”方式来表示。 　　8. 考试分几个部分?总共多少分?考试时长?评分标准? 　　答：评分标准由低至高依次： 　　J5——0分基本上不具备通过用日语进行交流的能力 　　J4——200分在有限的商务场合，只具备通过用日语进行最基本交流的能力。 　　J3——320分在有限的商务场合，只具备通过用日语进行一定程度交流的能力。 　　J2——420分在有限的商务场合，只具备通过用合适的日语进行交流的能力。 　　J1——530分在多种商务场合，具备通过合适的日语进行交流的能力。 　　J1+——600分无论是在任何商务场合，都具备通过用足够的日语进行交流的能力。 　　9. 问：BJT成绩的有效期限是多久? 　　答：目前，未设定成绩的有效期限，因此，该成绩始终有效。 　　10.问：如何识别证书的真伪呢? 　　答：如果复印时，将会在复印件上显示出“COPY”的字样，以示该证书不能被复制。 ;

双极型晶体管(BJT)的噪声来源 晶体管本身产生的噪声,与p-n结二极管的噪声类似(因为它们都是少数载流子工作的器件),也主要有三种,即热噪声(Johnson噪声)、散粒噪声和闪变噪声(1/f噪声)。