电子器件

宽禁带材料吧，比如SiC、GaN、金刚石等等。什么是宽禁带材料：众所周知，电子要想突破原子核束缚成为自由电子，是需要能量的。Si材料大约需要1.12电子伏特(eV)，而宽禁带半导体材料 需要2.3eV左右的能量。由于具有比硅宽得多的禁带宽度，宽禁带半导体材料一般都具有比硅高得多的临界雪崩击穿电场强度和载流子饱和漂移速度、较高的热导率和相差不大的载流子迁移率，因此，基于宽禁带半导体材料(如碳化硅)的电力电子器件将具有比硅器件高得多的耐受高电压的能力、低得多的通态电阻、更好的导热性能和热稳定性以及更强的耐受高温和射线辐射的能力，许多方面的性能都是成数量级地提高。但是，宽禁带半导体器件的发展一直受制于材料的提炼、制造以及随后半导体制造工艺的困难。现在常见的就是肖特基二极管吧。

不可半和全控型电力电子器件是指在电力电子系统中使用的不同类型的器件。们之间的主要区别包括控制方式、可控性和功率范等方。1. 不可控型电力电子器件：不可控型电力电器件是指无法通过外部控信号来改变其导通和阻断最常见的不可控型电力子器件是二极管极管只能现单向导，无法被控制，通常用于整流电中将交流电转换为直流电。2 半型电力电子器件：半控型电力电子器件够通过外部信号控制其导通状态的器件，但无法控制其关断状态。最常见的半控力电子器可控硅（SCR）或门极硅（GTO）。这些器件可以通过触发脉冲控制其导通状态，但只有当电降低到某个特定值时才能关断。3. 全控型电力电子器件：全控型电力子器件是指能够外部信号控制其导和断状态的器件。常的型电电子器是晶闸管（Thyor）和金氧化物半导体场应晶体FET）。这些器件可以根据控制信实现精确的导通和关断具有较高的可控性，适用于各种电力电子应用。综所述，不可控、控和全控电力电子器件主要区别在于其可控性和控制方式。不可控型器件无法被控制，半控型器件只能控制导通状态，而全控型件可以制信号实现精确的导通和关断。

应该是全控型器件，具有好的静态和动态特性，在截止状态时能承受高电压且漏电流要小；在导通状态时能流过大电流和很低的管压降；在开关转换时，具有短的开、关时间；通态损耗、断态损耗和开关损耗均要小，同时还要能承受高的di/dt和 du/dt.

1、发动机系统中电力电子技术的应用。目前的汽车中使用比较普遍的用电源除了原有的28V和14V的意外，还新增了42V系列的用电源，尤其是在混合动力汽车当中，所使用的驱动电压值已经达到了288V。2、燃油喷射装置中电力电子系统的应用。由电力电子进行控制的燃油喷射装置，其优越的工作性能使之在当前汽车行业中得到了广泛使用。由电力电子进行控制的燃油喷射装置能够最大限度的提高发动机的工作性能，保证发动机在进行功率输出时能够有效的净化空气和节约燃油。3、电子稳定控制系统。电子稳定控制系统具有功能全面的特点，同时对各种功能进行了改进。电子稳定控制系统不同于普通控制系统，它在对汽车驱动轮进行控制的同时，也能够对从动轮进行有效的控制。常用电力电子器件的优缺点如下所述。GTR优点：耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强．饱和压降低；缺点：开关速度低，是电流驱动型，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题。GTO优点：电压、电流容量大，适用于大功率场合，具有电导调制效应，其通流能力很强；缺点：开关频率低，关断时门极负脉冲电流大，驱动电路复杂，所需驱动功率大。电力MOSFET优点：开关速度快，输入阻抗高，热稳定性好，所需驱动功率小且驱动电路简单，工作频率高，不存在二次击穿问题；缺点：电流容量小，耐压低，一般只适用于功率不超过lOkW的电力电子装置。IGBT优点：开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，输入阻抗高，通态压降较低，驱动功率小；缺点：开关速度低于电力MOSFET，电压、电流、容量不及CTO。

蛮长的！蛮详细！1、 引言电力电子技术是研究电力半导体器件实现电能变换和控制的学科，它是一门电子、电力半导体器件和控制三者相互交叉而出现的新兴缘学科。它研究的内容非常广泛，主要包括电力半导体器件、磁性材料、电力电子电路、控制集成电路以及由其组成的电力变换装置。目前，电力电子学研究的主要方向是：（1） 电力半导体器件的设计、测试、模型分析、工艺及仿真等；（2） 电力开关变换器的电路拓扑、建模、仿真、控制和应用；（3） 电力逆变技术及其在电气传动、电力系统等工业领域中的应用等。电动汽车（EV）作为清洁、高效和可持续发展的交通工具，既对改善空气质量、保护环境具有重大意义，又对日益严重的石油包机提供了解决方法；同时，电动汽车作为电力电子技术的一个新的应用领域，涵盖了DC/DC和DC/AC的全部变换，是实用价值非常高的运用领域。2、 混合动力电动汽车简介当前世界汽车产业正处于技术革命和产业大调整的发展时期，安全、环保、节能和智能化成为汽车界共同关心的重大课题。为了使人类社会和汽车工业持续发展，世界各国尤其是发达国家和部分发展中国家都在研究各种新技术来改善汽车和环境的协调性。电动汽车作为21世纪汽车工业改造和发展的主要方向，目前已从实验开发试验阶段过渡到商品性试生产阶段，世界上许多知名汽车厂家都推出了具有高科技水平的安全或环保型号概念车，目的是为了引导世界汽车技术的潮流。2.1各种类型电动汽车特点及其发展

你好！搜一下：电力电子器件与普通机械开关有什么特点如果对你有帮助，望采纳。

缓冲电路（Snubber Circuit）又称为吸收电路。其作用是抑制电力电子器件的内因过电压、du/dt或者过电流和di/dt，减小器件的开关损耗。[1] 在电力电子电路中，用于改进电力电子器件开通和关断时刻所承受的电压、电流波形。通常电力电子装置中的电力电子器件都工作于开关状态，器件的开通和关断都不是瞬时完成的。器件刚刚开通时，器件的等效阻抗大，如果器件电流很快上升，就会造成很大的开通损耗；同样器件接近完全关断时，器件的电流还比较大，如果器件承受的电压迅速上升，也会造成很大的关断损耗。开关损耗会导致器件的发热甚至损坏，对于功率晶体管(GTR),还可能导致器件的二次击穿。实际电力电子电路中，还常由于二极管、晶闸管等的反向恢复电流而增加电力电子器件的开通电流，由于感性负载或导线的分布电感等原因造成器件关断时承受很高的感应电压。采用缓冲电路可以改善电力电子器件的开关工作条件。缓冲电路的基本工作原理是利用电感电流不能突变的特性抑制器件的电流上升率，利用电容电压不能突变的特性抑制器件的电压上升率。图示以GTO为例的一种简单的缓冲电路。其中L与GTO串联,以抑制GTO导通时的电流上升率dI/dt,电容C和二极管D组成关断吸收电路，抑制当GTO关断时端电压的上升率dV/dt，其中电阻R为电容C提供了放电通路。缓冲电路有多种形式，以适用于不同的器件和不同的电路。

数电应用于低压环境下，器件的额定值对电压、电流的要求低，而电力电子器件多用于相对高的电压整流和逆变中，其额定值对电压电流要求高，若用数电器件可能造成器件损坏，电路不能正常工作。

不可控型：二极管；半控型器件：晶闸管；全控型器件：GTO，GTR，MOS管，IGBT，IGCT等

电力电子器件的分类共有四大类！ 其中每类又能分出多种不同类型： 一、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类： 1、半控型器件，例如晶闸管； 2、全控型器件，例如（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效 应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）； 3、不可控器件，例如电力二极管。 二、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类： 1、电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）； 2、电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。 三、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类： 1、脉冲触发型，例如晶闸管、GTO； 2、电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。 四、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类： 1、双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR； 2、单极型器件，例如MOSFET、SIT； 3、复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）和IGBT。

主要有开通、关断、通态损耗。另外，si的二极管有反向恢复损耗，sic SBD没有二极管的反向恢复损耗。在zvs的时候没有开通损耗，zcs的时候没有关断损耗。其中一般的器件来说关断损耗最大，通态损耗其次，开通损耗最小，这个是由于关断慢时间长，开通快，IV积分损耗小，通态损耗为rds,on和电流的平方，随温度变化会增大，你看几个IGBT或MOSFET的datasheet就知道了

贴的阅读体验的一大弱点弱电弱电的弱点弱电

SCR的输出功率最大,但工作频率最低(1kHz); GTO的输出功率次之,f工大于SCR; GTR的输出功率介于GTO和P-MOSFET,其工 作频率(5kHz)高于GTO,控制容易,耐压不高

目前常见电力电子器件最大规格为200*200。电力电子器件主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率的电子器件。目前市场上常见的最大规格为200*200。电力电子器件工作时，会因功率损耗引起器件发热、升温。器件温度过高将缩短寿命，甚至烧毁，这是限制电力电子器件电流、电压容量的主要原因。

电力电子器件应用装置在各个行业的使用已经存在较长时间,例如在能源、交通、环境、激光、航母等现代化的装备中,使用范围非常的广泛,因此电力电子器件的使用和发展与我国军事科技的进步存在着必然的联系。上世纪八十年代以来,我国电子技术得到快速发展的基础上,信息电子技术和电力电子技术的进步,可以进一步提升电能的安全、高效运行,使得各个行业的使用得到更加规范化的处理,整体实现管理技术的创新与发展。可见电力电子器件技术的发展进步对技术的使用带来的影响是非常大的,可以整体的提升各个行业的科技化水平。

1、具有较大的耗散功率2、通常工作在开关状态3、需要专门的驱动电路来控制4、需要缓冲和保护电路5、需要加散热片。

电力电子器件的特征如下：1、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：半控型器件，例如晶闸管；全控型器件，例如GTO（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），Power MOSFET（电力场效应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；不可控器件，例如电力二极管。2、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：电压驱动型器件，例如IGBT、Power MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。3、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。4、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管；复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。器件发展功率器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设;网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备;消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品;工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。除了保证这些设备的正常运行以外，功率器件还能起到有效的节能作用。由于电子产品的需求以及能效要求的不断提高，中国功率器件市场一直保持较快的发展速度。

常用全控型电力电子器件：门极可关断晶闸管。电压控制型器件：电力晶体管、绝缘栅双极晶体管。电流控制型器件：电力场效应晶体管。单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。按照2倍安全裕量选取,晶闸管的额定电压应不小于：sqrt(2)*220*2=1.414*220*2=622.16V扩展资料：电力电子器件的其他分类：根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：1、脉冲触发型，例如晶闸管、GTO。2、电子控制型，例如GTR、PowerMOSFET、IGBT。按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：1、双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR。2、单极型器件，例如PowerMOSFET、SIT、肖特基势垒二极管。3、复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）、IGBT、SITH和IGCT。参考资料来源：百度百科—电力电子器件百度百科—晶闸管

　　（1）常用的电力电子器件有：SCR（普通晶闸管），双向SCR（双向晶闸管），GTR（高功率晶体管），MOSFET（功率场效应管），IGBT（绝缘栅门控双极型晶体管），GTO（可关断晶闸管）,IGCT(换流关断晶闸管）等（第一章电力电子器件一般考试都会考到，属于重点内容,特别是英文字母要记住个器件英文对应的中文意思）　　（2）MOSFET的特点：是性能理想的中小容量的高速压控型器件，广泛应用于各种中小型的电子装置中。MOSFET的控制要求简单，其工作频率可以达到100Khz至数兆赫兹。　　（3）IGBT的特点：IGBT是性能理想的中大容量的中高速压控型器件，广泛应用于各种中大型电力电子装置中。其开关频率通常可达到20Khz左右，在电流耐力方面，IGBT的额定工作电流在数十安至千安级。

一：电力电子器件的分类共有四大类！其中每类又能分出多种不同类型：一、按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度分类：1、半控型器件，例如晶闸管；2、全控型器件，例如（门极可关断晶闸管）、GTR（电力晶体管），MOSFET（电力场效 应晶体管）、IGBT（绝缘栅双极晶体管）；3、不可控器件，例如电力二极管。二、按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间信号的性质分类：1、电压驱动型器件，例如IGBT、MOSFET、SITH（静电感应晶闸管）；2、电流驱动型器件，例如晶闸管、GTO、GTR。三、根据驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的有效信号波形分类：1、脉冲触发型，例如晶闸管、GTO；2、电子控制型，例如GTR、MOSFET、IGNT。四、按照电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况分类：1、双极型器件，例如电力二极管、晶闸管、GTO、GTR；2、单极型器件，例如MOSFET、SIT；3、复合型器件，例如MCT（MOS控制晶闸管）和IGBT。二：　高频化、集成化、标准模块化和智能化是电力电子器件未来的主要发展方向。 　　(1)随着电力电子技术应用的不断发展，对电力电子器件性能指标和可靠性的要求也日益苛刻。具体而言，要求电力电子器件具有更大的电流密度、更高的工作温度、更强的散热能力、更高的工作电压、更低的通态压降、更快的开关时间，而对于航天和军事应用，还要求有更强的抗辐射能力和抗振动冲击能力。特别是航天、航空、舰船、输变电、机车、装甲车辆等使用条件恶劣的应用领域，以上要求更为迫切。 　　(2)未来几年中，尽管以硅为半导体材料的双极功率器件和场控功率器件已趋于成熟，但是各种新结构和新工艺的引入，仍可使其性能得到进一步提高和改善，Coolmos、各种改进型IGBT和IGCT均有相当的生命力和竞争力。 　　(3)电力电子器件的智能化应用也在不断研究中取得了实质成果。一些国外制造企业已经开发出了相应的IPM智能化功率模块，结构简单、功能齐全、运行可靠性高，并具有自诊断和保护的功能。 　　(4)新型高频器件碳化硅和氮化镓器件正在迅速发展，一些器件有望在不远的将来实现商品化，总部位于美国北卡罗来纳的CREE公司已经实现商用的SiC二极管和MOSFET[2] 。但由于材料和制造工艺方面的问题，还需要大量的研究投入和时间才能逐步解决，位于北卡州立大学的FREEDM中心正在对此技术进行研究。

电力电子器件主要是大功率器件，信息电子器件主要是小功率器件。电力电子器件包括不控型整流器件（二极管），半控型（晶闸管），全控型（IGBT,GTO，GTR等）。两者既有区别又有紧密的联系，区别主要是功率等级，电力电子工作在开关状态，电压和电流都很大；电力电子的驱动电路需有信息电子电路进行搭建，弱电进行强电的控制。同时，电力电子要顺利完成控制功能，需信息电路提供各种信息，如传感器采样，保护信号等，信息电路发出控制命令，完成各项逻辑。两者紧密的结合在一起，才能保证系统的稳定运行。

继电器，二极管和三极管

一、按能被控制电路信号控制的程度可以分为：半控型器件：就是通过控制信号可以控制其导通担不可控制其关断的电力电子器件。例如：晶闸管2.全控型器件：就是通过控制信号既可以控制器导通又可以控制器关断的器件3.不可控器件：就是不需要控制信号的器件。例如：电力二极管二、按电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可以分为：单极型器件：只有一种载流子参与导电2.双极型器件：有电子和空穴两种载流子参与导电3.复合型器件：由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件三、按加在电力电子器件控制端和公共端间信号的性质可以分为：电流驱动型。例如：晶闸管2.电压驱动型

【1】按能被控制电路信号控制的程度可以分为：半控型器件：就是通过控制信号可以控制其导通担不可控制其关断的电力电子器件 例如晶闸管全控型器件：就是通过控制信号既可以控制器导通又可以控制器关断的器件例如 IGBT MOSFETGTO不可控器件：就是不需要控制信号的器件例如 电力二极管【2】按加在电力电子器件控制端和公共端间信号的性质可以分为：电流驱动型 例如晶闸管电压驱动型 【3】按电力电子器件内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况可以分为：单极型器件：只有一种载流子参与导电双极型器件：有电子和空穴两种载流子参与导电复合型器件：由单极型器件和双极型器件集成混合而成的器件

1.常用全控型电力电子器件有哪几种？[1]门极可关断晶闸管（Gate Turn Off THyristor，GTO）。GTO可以通过在门极施加脉冲电流使其开通或关断，所以它是电流控制型的全控型器件。电力晶体管（Giant Transistor，GTR），GTR也是电流控制型器件。电力场效应晶体管（Field Effect Transistor，FET）。常说的MOSFET就属于这一类，即绝缘栅型场效应管（Metal Oxide Semiconductor FET，MOSFET），为了与一般MOSFET相区别，也称为电力MOSFET（Power MOSFET）。电力MOSFET属于电压控制性器件。绝缘栅双极晶体管（Insulated Gate Bipolar Transistor，IGBT）。电压控制型器件。2.单相桥式整流电路带电阻性负载，输入正弦交流电压的有效值为220V。考虑晶闸管2倍的安全裕量，应选取额定电压为多少伏的晶闸管？[2]单相桥式整流电路中，晶闸管承受的最大正向电压和反向电压分别为sqrt(2)U/2和sqrt(2)U。按照2倍安全裕量选取，晶闸管的额定电压应不小于：sqrt(2)*220*2=1.414*220*2=622.16V参考文献：[1] 王兆安，黄俊主编，电力电子技术，第四版，机械工业出版社，北京，pp. 21-33。[2] 王兆安，黄俊主编，电力电子技术，第四版，机械工业出版社，北京，pp. 47。

电子技术包括信息电子技术和电力电子技术两大分支，是两个不同的领域。电力电子技术中的电力电子器件与信息电子技术中的器件的区别：1、作用不同：信息电子技术以信息处理为主，器件针对的也是信息技术处理为主。电力电子技术器件主要用于电力设备的电能变换和控制电路方面大功率。2、应用范围不同：电力电子器件几乎用于所有的电子制造业,包括计算机领域的笔记本、PC、服务器、显示器以及各种外设；网络通信领域的手机、电话以及其它各种终端和局端设备；消费电子领域的传统黑白家电和各种数码产品；工业控制类中的工业PC、各类仪器仪表和各类控制设备等。信息电子技术器件主要应用于处理信息的制造版块中，有针对性，当然使用的范围也较小。3、产生的意义不同：电力电子器件是电力电子技术的核心和基础，其应用是电力电子技术发展的驱动力。信息电子技术主要进行电子信息控制和信息处理。扩展资料：电子技术的重要作用：电子技术研究的是电子器件及其电子器件构成的电路的应用。现代电力电子技术是开关电源技术发展的基础。随着新型电力电子器件和适于更高开关频率的电路拓扑的不断出现，现代电源技术将在实际需要的推动下快速发展。新技术的快速发展，使电子技术在不断的发展，这也导致电子技术在人们生活中更多的应用，满足人们的需求，也促进社会建设和经济发展。电子技术将成为信息产业与传统产业之间的重要环节和桥梁，也将为大幅度节省、降低材料损耗、提高生产效率、加速经济发展提供重要的技术支撑。参考资料：百度百科-电力电子器件百度百科-电子技术百度百科-电子信息工程技术

微纳电子器件在向着more moore方向发展中，有哪些新型纳电子器件微纳电子学和集成电路微纳电子学，简而言之，是微型电子学和纳米级尺度的电子学，其核心是集成电路。集成电路，是通过一系列特定的加工工艺，将晶体管、二极管等有源器件和电阻、电容等无源器件，按照一定的电路互连，“集成”在一块半导体单晶片上（如硅或砷化镓、氮化镓等晶片），封装在一个外壳内，执行特定电路或系统功能。微纳电子学的研究，涉及系统和电路的设计与设计理论、测试技术及其数学基础研究；新的制造工艺技术及其理化基础；新的材料研究；系统装配和封装技术研究；器件物理、集成电路新结构及相关的介观物理的研究等诸多方面。随着集成电路技术的广泛渗透和延拓，它将是一个更为广泛的边缘性学科。这包括：计算机系统；设计自动化软件；芯片操作系统和软件与硬件的协同设计；微机电系统中所涉及的微型机械学、力学、热学、摩擦学和光学等；与生物学结合的生物芯片等则涉及到生命科学；与各种信息处理系统相结合时涉及各种信息系统的理论和技术。