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1、Madrid 读音：美 /mu0259dru026ad/；英/mu0259u02c8dru026ad/。 2、释义：n.马德里（西班牙首都）。 3、例句：We had a great time in Madrid.我们在马德里玩得很开心。

是西班牙。马德里（西班牙语：Madrid）是西班牙首都及最大都市，也是马德里自治区首府，其位置处于西班牙国土中部，曼萨纳雷斯河贯穿市区。市内人口约340万，都会区人口则约627.1万（2010年），均占西班牙首位。其建城于9世纪，是在摩尔人边贸站“马格立特”旧址上发展起来的城市。1561年，西班牙国王腓力二世将首都从托莱多迁入于此，由于其特殊的地位而得到迅速的发展，成为往后西班牙殖民帝国的运筹中心，现今则与巴塞罗那并列为西班牙的两大对外文化窗口。复兴时期：首都位于托莱多的卡斯蒂利亚王国与首都位于萨拉戈萨的阿拉贡王国被查理一世结合成现代的西班牙。尽管查理偏袒着马德里，但是他的儿子腓力二世（1527年－1598年在位）才是将王宫迁到马德里的第一人，他在1561年将王宫迁到马德里。虽然他没有官方正式宣布迁都，但是事实上马德里已是西班牙的首都。塞维利亚继续控制西属印度，但马德里却控制着塞维利亚。有一段短时间，1601年－1606年，当腓力三世于巴利亚多利德建立自己的王宫时，马德里的财富就真正反映了西班牙的财富多少。西班牙16世纪及17世纪“黄金世纪”时期，马德里与其它欧洲国家的首都并不相似：马德里的人口在经济上都依赖于王室自己的生意。

1、Madrid读音：美/m_dr_d/；英/m__dr_d/。2、释义：n.马德里（西班牙首都）。3、例句：WehadagreattimeinMadrid.我们在马德里玩得很开心。

歌曲名:Drift Away歌手:Dobie Gray专辑:Music From The Motion Picture WonderlandDrift AwayArtist: The KinksDrift away, just drift awaySometimes I wish I could just drift awayAlbum: PhobiaThey say there"s gonna be a river of bloodIt"s apocalypse nowSo we"re waiting for the floodThe ice is gonna melt, the water gonna riseAnd we"ll all go to hellSo they"re keeping us advisedWhile the dollar falls downThe yen gonna climbIt"s a moral declineAnd I"m losing my mindI think I"ll just drift awayTo that island of my dreamsLive in total fantasyClose my eyes and drift awayBack in the real worldThere"s tension everywhereAnd the smell of fearKeeps hanging around and polluting the airThe man on the news is going over the topNow he"ll say anything so his show don"t flopWall Street"s down, so whatAnd according to astute market analysisThe world"s gonna stopthey shout the story to the nationPass on the panic to the populationThis is the end of civilizationIt"s all over nowMeanwhile, I just drift awayTo my island in the sunImaginary paradise, perfectionSometimes I wish I could just drift awayDrift away (drift away)Drift away (drift away)Drift away (drift away)Now all the politicians are running out of hopeThey"ve burned all their bridgesNow they just can"t copeAnd who do we blame now we"re all going broke?It"s that man over thereWho"s hanging from a ropeNewsmen winding up the nationA little bad news helps circulationPass on the panic to the populationIt"s all over, it"s all overIt"s all over nowTimes like this, I just drift awayTo my tropical fantasyLiving on coconuts growing on the treesSometimes I wish I could just drift awayDrift away, drift away, drift awayIt"s apocalypse now, drift awayRivers of blood, drift awayAnd the man on the news is going over the topSometimes I just drift awayTo my island in the sunImaginary paradise, perfectionSometimes I wish I could just drift awayDrift away (drift away)Drift away (drift away)Drift away (drift away)http://music.baidu.com/song/8890496

SVD "德拉古诺夫狙击步枪".俄文是CBДСнайперская Винтовка Драгунова(Snaiperskaia Vintovka Dragunov) "狙击sniper 步枪rifle 德拉古诺夫"

那你重启下是不是你里面的东西装的装错了呢？还是路径装错了？还是怎么回事？还是名称的命名密码错了可以重启一下，不行的话就恢复出厂设置一下，实在还不行的话建议到售后去处理一下。

IO,MPU,XDR板上没什麽英文吧（是程序的元件代号？）

应该是HLA -DR吧？HLA-DR用于外周血B淋巴细胞及单核细胞的计数;鉴定淋巴瘤及白血病;活化T淋巴细胞上HLA-DR抗原的表达及外周血、淋巴组织中树突状细胞亚群的研究。HLA-DR是MHC-II类分子，含有2个分子量分别为36kD和27kD的亚基(α亚基和β亚基)。HLA-DR表达于B淋巴细胞、单核细胞、巨噬细胞、活化T淋巴细胞、活化NK淋巴细胞和人祖细胞上。它也表达于胸腺上皮细胞、脾和淋巴结的B淋巴细胞依赖区及B淋巴细胞淋巴瘤。HLA-DR与CD1a共同表达于表皮朗格汉斯细胞。

再一个呢，我看看看看博学而笃志变量关系博学而笃志，博权组织怎么翻译回去有底线，但是人这个没有具体意思，当兵他解释不一样。

干馏聚合物

歌曲名:Unfold歌手:Dropbox专辑:DropboxunfoldMarie" Digbywhat i can rememberis alot like wateri can"t quite put my finger down on the momentthat i became like ... thisyou see, i"m the bravest girl you will ever come to meetand yet i shrink down to nothingat the thought of someone really seeing mei think my heart is wrapped aroundand tangled up in winding weedsbut i don"t wanna go on livingbeing so afraid of showingsomeone else my.. imperfectionseven though my feet are tremblingand every word i say comes stumblingi will bare it all.. watch me unfold unfoldthese hands that i holdbehind my back arebound and broken by my own doingand i can"t feel i need a touch to remind meanything, anymorei need a touch to remind mei"m still real..cause i don"t wanna go on livingbeing so afraid of showingsomeone else my.. imperfectionseven though my feet are tremblingand every word i say comes stumblingi will bare it all.. watch me unfold unfoldit"s dying to be freei can"t live the rest of my lifeso guardedit"s dying to be freeit"s up to me to choose..what kind of life i lead.cause i don"t wanna go on livingbeing so afraid of showingsomeone else my.. imperfectionseven though my feet are tremblingand every word i say comes stumblingi will bare it all.. watch me unfoldunfold unfold unfoldunfold unfoldi will allow someone to love mei will allow someone to love me...by vvwaraylee403644619http://music.baidu.com/song/1474579

struts 用的是fileupload 这个组件默认的文件上传表单最大值是2M,超过了会抛出异常如果是struts的话,要配置一下文件上传的最大值在struts.xml中加入 <constant name="struts.multipart.maxSize" value="10485760"/> 10MB

那是因为你安装时DRC的模板文件丢失，可以下载或者复制一个report_drc.xsl放到Templates文件夹下即可，阁下可以搜索一下，或者也可以留下邮箱我发给你

是正品

常用的信息可以在这里保存，便于发送。

不可以。只能迁移数据到MaxCompute中经常需要先卸载到S3中，再到阿里云对象存储OSS存储中，大数据计算服务MaxCompute然后再通过外部表的方式直接读取OSS中的数据。drivers是可以删除的，但如果文件夹再C盘中，则表示文件夹是系统速冻的存放目录，该文件内存有重要系统文件，不能删除。

【答案】：D本题是对动词的考查。千百年前，丁香被用来治疗头疼。题干画线词remedy意为“医治；治疗”，选项disrupt意为“分裂；瓦解；破坏”，diagnose意为“诊断；断定”，evaporate意为“使蒸发；使脱水”，cure意为“治愈；消除；纠正”，所以答案为D。

DDR3内存相对于DDR2内存，其实只是规格上的提高，并没有真正的全面换代的新架构。DDR3同DDR2接触针脚数目相同。但是防呆的缺口位置不同。DDR3在大容量内存的支持较好，而大容量内存的分水岭是4GB这个容量，4GB是32位操作系统的执行上限（不考虑PAE等等的内存映像模式，因这些32位元元延伸模式只是过渡方式，会降低效能，不会在零售市场成为技术主流）当市场需求超过4GB的时候，64位CPU与操作系统就是唯一的解决方案，此时也就是DDR3内存的普及时期。DDR3UBDIMM2007进入市场，成为主流时间点多数厂商预计会是到2010年。1、逻辑Bank数量DDR2SDRAM中有4Bank和8Bank的设计，目的就是为了应对未来大容量芯片的需求。而DDR3很可能将从2Gb容量起步，因此起始的逻辑Bank就是8个，另外还为未来的16个逻辑Bank做好了准备。2、封装（Packages）DDR3由于新增了一些功能，所以在引脚方面会有所增加，8bit芯片采用78球FBGA封装，16bit芯片采用96球FBGA封装，而DDR2则有60/68/84球FBGA封装三种规格。并且DDR3必须是绿色封装，不能含有任何有害物质。3、突发长度（BL，BurstLength）由于DDR3的预取为8bit，所以突发传输周期（BL，BurstLength）也固定为8，而对于DDR2和早期的DDR架构的系统，BL=4也是常用的，DDR3为此增加了一个4-bitBurstChop（突发突变）模式，即由一个BL=4的读取操作加上一个BL=4的写入操作来合成一个BL=8的数据突发传输，届时可通过A12地址线来控制这一突发模式。而且需要指出的是，任何突发中断操作都将在DDR3内存中予以禁止，且不予支持，取而代之的是更灵活的突发传输控制（如4bit顺序突发）。3、寻址时序（Timing）就像DDR2从DDR转变而来后延迟周期数增加一样，DDR3的CL周期也将比DDR2有所提高。DDR2的CL范围一般在2至5之间，而DDR3则在5至11之间，且附加延迟（AL）的设计也有所变化。DDR2时AL的范围是0至4，而DDR3时AL有三种选项，分别是0、CL-1和CL-2。另外，DDR3还新增加了一个时序参数——写入延迟（CWD），这一参数将根据具体的工作频率而定。4、新增功能——重置（Reset）重置是DDR3新增的一项重要功能，并为此专门准备了一个引脚。DRAM业界已经很早以前就要求增这一功能，如今终于在DDR3身上实现。这一引脚将使DDR3的初始化处理变得简单。当Reset命令有效时，DDR3内存将停止所有的操作，并切换至最少量活动的状态，以节约电力。在Reset期间，DDR3内存将关闭内在的大部分功能，所以有数据接收与发送器都将关闭。所有内部的程序装置将复位，DLL（延迟锁相环路）与时钟电路将停止工作，而且不理睬数据总线上的任何动静。这样一来，将使DDR3达到最节省电力的目的。5、新增功能——ZQ校准ZQ也是一个新增的脚，在这个引脚上接有一个240欧姆的低公差参考电阻。这个引脚通过一个命令集，通过片上校准引擎（ODCE，On-DieCalibrationEngine）来自动校验数据输出驱动器导通电阻与ODT的终结电阻值。当系统发出这一指令之后，将用相应的时钟周期（在加电与初始化之后用512个时钟周期，在退出自刷新操作后用256时钟周期、在其他情况下用64个时钟周期）对导通电阻和ODT电阻进行重新校准。6、参考电压分成两个对于内存系统工作非常重要的参考电压信号VREF，在DDR3系统中将分为两个信号。一个是为命令与地址信号服务的VREFCA，另一个是为数据总线服务的VREFDQ，它将有效的提高系统数据总线的信噪等级。7、根据温度自动自刷新（SRT，Self-RefreshTemperature）为了保证所保存的数据不丢失，DRAM必须定时进行刷新，DDR3也不例外。不过，为了最大的节省电力，DDR3采用了一种新型的自动自刷新设计（ASR，AutomaticSelf-Refresh）。当开始ASR之后，将通过一个内置于DRAM芯片的温度传感器来控制刷新的频率，因为刷新频率高的话，消电就大，温度也随之升高。而温度传感器则在保证数据不丢失的情况下，尽量减少刷新频率，降低工作温度。不过DDR3的ASR是可选设计，并不见得市场上的DDR3内存都支持这一功能，因此还有一个附加的功能就是自刷新温度范围（SRT，Self-RefreshTemperature）。通过模式寄存器，可以选择两个温度范围，一个是普通的的温度范围（例如0℃至85℃），另一个是扩展温度范围，比如最高到95℃。对于DRAM内部设定的这两种温度范围，DRAM将以恒定的频率和电流进行刷新操作。8、局部自刷新（RASR，PartialArraySelf-Refresh）这是DDR3的一个可选项，通过这一功能，DDR3内存芯片可以只刷新部分逻辑Bank，而不是全部刷新，从而最大限度的减少因自刷新产生的电力消耗。这一点与移动型内存（MobileDRAM）的设计很相似。9、点对点连接（P2P，Point-to-Point）这是为了提高系统性能而进行了重要改动，也是与DDR2系统的一个关键区别。在DDR3系统中，一个内存控制器将只与一个内存通道打交道，而且这个内存通道只能一个插槽。因此内存控制器与DDR3内存模组之间是点对点（P2P，Point-to-Point）的关系（单物理Bank的模组），或者是点对双点（P22P，Point-to-two-Point）的关系（双物理Bank的模组），从而大大减轻了地址/命令/控制与数据总线的负载。而在内存模组方面，与DDR2的类别相类似，也有标准DIMM（台式PC）、SO-DIMM/Micro-DIMM（笔记本电脑）、FB-DIMM2（服务器）之分，其中第二代FB-DIMM将采用规格更高的AMB2（高级内存缓冲器）。不过目前有关DDR3内存模组的标准制定工作刚开始，引脚设计还没有最终确定。10.省电：DDR3Module电压从DDR2的1.8V降低到1.5V，同频率下比DDR2更省电，搭配SRT（Self-RefreshTemperature）功能，内部增加温度senser，可依温度动态控制更新率（RASR，PartialArraySelf-Refresh功能），达到省电目的。除了以上9点之外，DDR3还在功耗管理，多用途寄存器方面有新的设计，但由于仍入于讨论阶段，且并不是太重要的功能，在此就不详细介绍了

SharedPreferences使用： SharedPreferencesImpl#EditorImpl.java 中最终执行了apply()函数： 创建一个awaitCommit的Runnable任务并将其加入到QueuedWork中，该任务内部直接调用了CountDownLatch.await()方法，即直接在UI线程执行等待操作，那么我们看QueuedWork中何时执行这个任务。 QueuedWork.java： waitToFinish()方法会尝试从Runnable任务队列中取任务，如果有的话直接取出并执行，我们看看哪里调用了waitToFinish()： ActivityThread.java 可以看到在ActivityThread中handleStopActivity、handleStopService方法中都会调用waitToFinish()方法，即在Activity的onStop()中、Service的onStop()中都会先同步等待写入任务完成才会继续执行。 所以apply()虽然是异步写入磁盘，但是如果此时执行到Activity/Service的onStop()，依然可能会阻塞UI线程导致ANR。 u2003u2003 Jetpack DataStore 是一种改进的数据存储解决方案，允许您使用 协议缓冲区 存储键值对或类型化对象。 u2003u2003DataStore 使用 Kotlin 协程和 Flow 以异步、一致的事务方式存储数据。并且可以对SP数据进行迁移，旨在取代SP。如果正在使用 SharedPreferences 存储数据，请考虑迁移到 DataStore。 Jetpack DataStore 有两种实现方式： 1.添加依赖项： 2.构建Preferences DataStore： 当我们构建后，会在 /data/data/<package name>/files/ 下创建名为 preferences_dataStore 的文件如下： 1.构建Preferences DataStore 2.存储的实体类： 3.数据存储/获取： Activity中： ViewModel中： Repository类中： SP迁移至Preferences DataStore 如果想将项目的SP进行迁移，只需要在Preferences DataStore在构建时配置参数3，如下： 这样构建完成时，SP中的内容也会迁移到Preferences DataStore中了，注意迁移是一次性的，即执行迁移后，SP文件会被删除. MMKV 是基于 mmap 内存映射的 key-value 组件，底层序列化/反序列化使用 protobuf 实现，性能高，稳定性强。 1.添加依赖： 2.Application的onCreate方法中初始化 3.数据存储/获取： github地址： https://github.com/HuiZaierr/Android_Store

一般DR检查的价格多在48-60元左右，检查费用虽然是由国家发改委制定的，但是不同地区不同医院的价格有所区别，甚至相差甚大，主要原因有两个：第一，同一个检查项目会同时定三个价格：一级医院价格、二级医院价格、三级医院价格。比如三级医院比二级医院的价格标准增加10%执行,一级医院按二级医院的价格标准降低5%执行，其他医院按二级医院的价格标准降低10%执行。第二，同一个项目在不同医院实际得到的医疗服务可能是不同的，这个不同体现在：检查用的药剂、检查使用的器械(设备)、设备使用的参数等等，自然价格差就比较大

原文呢 你说的单词是 王的警卫

I see the place that we"ve been locked together, togetherLike we were something moreAnd it felt like maybe we could last forever, foreverBut you led "em to our hideoutForced their way inside, nowThey want us to surrender, us to surrenderBut I could go all night rightHere between their crossfireWe"ll send them up a messageI"ll send the messageWe"re saying;give it up,give it up;We"ve got no place to goCaught up in the rodeoOh no, please God, tell me we"re dreamingWe"ve got nowhere to runThey"ve all got loaded gunsOh no, please God, tell me we"re dreamingOo oo, ah ah, please God, tell me we"re dreamingWait for the dust to settle down around us, around usAnd stick to what we knowI think the air is finally safe to breathe again, to breathe againThe world is in your palm nowSo take a breath and calm downCause you have been selected, you"ve been selectedA few will ever find outAnd if you don"t see why, wellAt least you"ve got your nest egg, you"ve got your nest eggSo live it up, live it up!We"ve got no place to goCaught up in the rodeoOh no, please God, tell me we"re dreamingWe"ve got nowhere to runThey"ve all got loaded gunsOh no, please God, tell me we"re dreamingOo oo, ah ah, please God, tell me we"re dreamingWe"re saying "give it up, give it up"Woah-oh-oh-ohBut you led "em to our hideoutForced their way inside, nowThey want us to surrender, us to surrenderBut I could go all night rightHere between their crossfireWe"ll send them up a messageI"ll send the messageWe"re saying give it up, give it up;We"ve got no place to goCaught up in the rodeoOh no, please God, tell me we"re dreamingWe"ve got nowhere to runThey"ve all got loaded gunsOh no, please God, tell me we"re dreamingOo oo, ah ah, please God, tell me we"re dreaming

AlessandroIngargiolaAlessandroIngargiola是一名副导演，主要作品有《歌剧院》、《幻影歌剧》。外文名：AlessandroIngargiola职业：副导演/助理导演代表作品：幻影歌剧合作者：达里欧·阿基多DarioArgento

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作为一个通过在工作室撰文而形成的The New Royales来自加拿大多伦多乐队成员有DJ Khalil, Liz Rodrigues, Chin Injeti,Erik Alcock 曾与Kanye, Nas, Jay Electronica, Slaughterhouse, Pitbull, Drake,Talib Kweli有过合作（嗯...Liz也跟阿姆合作过25 to life, Almost Famous和Won"t Back Down）目前这个乐团做着制作mixtape的工作就只有这些了...

ring rang rungdrive drove drivenstop stopped stoppedwin won wonentrance entranced entranced

只有找到罗马的拉您可以对着歌先听几遍也许能看懂的G-Dragon - Butterfly It"s all about youMy butterflyEverytime I come close to you (everytime I"m feeling you)Feel like I"m going to dream everytime (I get butterfly)Check itMusimko haneureul bwa likeNe utneun moseubeul darmaYunanhi nunbusingeol babyNae harusok neorangmanRomantic han dramaNal ulgo utge hajyoNo no no noJamdeulji motaneundeNe ireumeul bulleoboneundeNan sujubeundeut gogaereul dolligo (no matter what)Ireoke johahaneundeJomcheoreom georeummal ttelsuga eobseo(You don"t know how much I love you)Everytime I come close to you (everytime I"m kissing you)Feel like I"m going to dream everytime (I get butterfly)Beautiful girlMusimko ttangeul bwa likeNeoui ireum segeuljaNeomuna seolleneungeol babyNe jageun sangcheo hanaNaega amulge haejulgeNaui sarang geudaeYo neon machi nabicheoreomKkocheul chaja naradanineun jeo aicheoreomSunsuhan nunmangureul meogeumgo (no matter what) yeahHaneulhaneul georineun momjitAreunareunhan ni nunbitNa eotteoke dwaennabwa(You are the only one girl, one love, one life, yeah)Everytime I come close to you (everytime I"m wanting you)Feel like I"m going to dream everytime (I get butterfly)Naega yaksokhalgeYaksokhangeEogeutnadeora soktageJust another dayDa ttokgataeMwo ireoke bokjaphaeNeon namjareul motmitneundeSarangdo yeongwonhal su inneundeMilgo danggineungeon waehaneundeJom deo soljik hage gul sun eomneundeNae nuneul bwaYou see my eyesSee my lipsYou listen to my heartDeullindamyeon daphaejwoNae bore kissNae chu heartYes that be all I sayNeowa nae seolleimman gadeuk hadamyeoneunUrin never ever a breakerTrust me I make love (to you)Everytime I come close to you (everytime I"m feeling you)Feel like I"m going to dream everytime (I get butterfly)YeahYou"re special to meYour turnLa la laLa la laYeah my butterfly

歌曲名:Bad Dreams歌手:Tricky专辑:Pre Millennium TensionKe$ha - Bad DreamMaxRNB - Your first R&B/Hiphop sourceI feel like I"ve been watchingThe stars and Earth collideThe past, it haunts meYeah it kills me every single timeAnd now my mind is racingMy heart pounds in my chestI know I have to let you goCause I just can"t forgetI"m so in love but I found your liesTell me I"m having just a bad dream tonightTell me love, that it"s all alrightTell me I"m having just a bad dream tonightCome wake me up (5x)I wish I never knew whatI somehow figured outLie and tell me you don"t knowWhat I"m talking aboutHow do I recoverFrom these pictures in my head?You were the love of my lifeI sure hope she was worth itI"m so in love but I found your liesTell me I"m having just a bad dream tonightTell me love, that it"s all alrightTell me I"m having just a bad dream tonightCome wake me upWake me, hurryYou"re just watching me fall to blacknessHaunting me every nightTake this bad dreamI can"t wake upI"m so in love but I found your liesTell me I"m having just a bad dream tonightTell me love, that it"s all alrightTell me I"m having just a bad dream tonightCome wake me up (2X)MaxRNB - Your first R&B/Hiphop sourcehttp://music.baidu.com/song/8009729

详细区别可以参考MagnaDrive中国公司的网站：www.magna-drive.com,或者在百度上搜索：magnadrive即可到他们的官网上查找你的需要的资料！

Android Killer一个朋友写的工具，挺方便好用，发到此处，留给新手同学们学习使用。详细信息看下文介绍。Android Killer 是一款可视化的安卓应用逆向工具，集Apk反编译、Apk打包、Apk签名，编码互转，ADB通信（应用安装-卸载-运行-设备文件管理）等特色功能于一 身，支持logcat日志输出，语法高亮，基于关键字（支持单行代码或多行代码段）项目内搜索，可自定义外部工具；吸收融汇多种工具功能与特点，打造一站 式逆向工具操作体验，大大简化了用户在安卓应用/游戏修改过程中的各类繁琐工作。主要功能：1、可视化、全自动的反编译、编译、签名；支持批量编译APK。2、以树形目录管理反编译出的Apk源码文件，浏览、打开、编辑、都可以统一在软件中实现，不同项目间可以自由切换，方便快捷。3、自动识别图像资源，并提供该类资源的快捷替换功能，方便修改这类图片资源。4、内置代码编辑器，支持包含（但不限于）.samli、.xml、.html等各类格式文件的语法高亮显示，根据 smali文件格式的自动匹配相应语法；同时支持使用系统编辑器来编辑代码文件。5、内置基于文件内容的单行或多行代码关键字搜索、可显示无穷多个搜索结果以标签的形式分门别类；可指定搜索范围（整个项目或在指定的文件或文件夹中搜索）、大小写，编码类型；从此无需再借助其他工具，即可轻松的完成搜索任务。6、内嵌Unicode、UTF8、ANSI编码互转工具，方便硬编码文字的检索以及相关汉化类修改。7、内置Log等调试工具，方便应用进程、logcat输出查看等进阶操作，监测修改apk的运行状况，以助于分析和查找错误8、内置ADB功能，包括使用ADB向设备（或模拟器）安装、卸载、运行修改后的apk，进行测试，并可管理所连接设备的存储文件（包括系统以及用户文件）9、所有操作步骤、结果都会显示在日志窗口，方便查看。10、默认支持记事本、计算器等小工具，开放设置接口可根据本人需要自定义外部工具，满足个性化需求。先放两张界面图：注意：如果软件首次运行时提示未找到JAVA SDK，说明未安装JAVA SDK或者未将JAVA SDK设置到WINDOWS系统环境变量中，请自己手动配置。另外说明：xml, smali, html, jar 等相关文件格式可以直接拖到窗口界面上打开，将装有图片的文件夹拖拽到窗口界面上，可预览图片中的相关格式。Android killer 正式版 V1.0.0.102更新本次正式版更新不得不说是给新手一次福利：本次更新总概览：1. 增加代码描述提示功能（适合新手）2. 代码自动补全功能（适合新手）3. 在项目工程中优化并显示apk图标。4. 优化类以及方法图标。5. 编译生成文件名称变化，以及快速打开编译项目所在位置。6. 增加代码模板插入功能7. 优化右键菜单，更简洁方便8. 优化logcat日志显示，查看更方便。9. 添加16进制/10进制转换功能一、 增加代码描述提示（适合新手）将鼠标光标定位在代码上，会提示当前代表所表示的含义，再也不要一次次的查表看代码了，二、 代码自动补全功能（适合新手）代码自动补全功能，在输入法在英文状态下。使用shift+空格键即使用，只需输入第一个或者前几个字母即可提示代码自动补全。三、 在项目工程中优化并显示apk图标项目中显示ap图标可以让你在众多项目中找到某个项目对于首次反编译APK未及时更新工程选项卡图标的原因，是因为正常APK在反编译后才会得到其中的资源，所以在首次反编译时，使用工具默认的安卓小图标代替，反编译成功后，可在“开始”列表中右键刷新列表，更新下工程图标缓存即可。四、 优化类以及方法图标图标采用eclispe中图标显示五、 编译生成文件名称变化，以及快速打开编译项目所在位置快速找到编译后的文件方法一：点选 "工程管理器" 中 Android 小图标按钮或点击下面路径进行查看方法二：直接点击下面的蓝色字体即可

是Alive吧。。 I breathe, I hear我呼吸着,我听着 But I don"t believe it但我不相信 My heart, it beats我的心在跳动 But inside I"m freezing但是里面都快要结冰了 My hands shake我的双手在颤抖 They"ve lost all their feeling它们已经失去了所有的感觉 Nowhere to take不知道去哪里 You say that you"re leaving你说你要离开 And there"s no turning back this time这次没有回转的余地 Gotta stay alive必须保持活力 Where do I go when I"m so alone我到哪里去当我这么孤单 Where do I turn when you are so close我该转向哪当你如此靠近 We try not to crash but we still collide我们设法不崩溃,但我们仍然会碰撞 Tears I"ve cried, I"ll survive流过泪水,我会得救 I"m still alive我活着 I"m stripped, I"m bare我被剥夺了所有,光秃秃地 I"m left here with nothing我离开这里不带任何东西 I hold the wheel我握着方向盘 And know where I"m going知道我要去哪里 Your face, I see, in every reflection我明白了你的脸给的每一个反应 No time, no space没有时间,没有空间 I"ve lost all direction我已经失去了所有的方向 And there"s no turning back this time这次不能回头 Gotta stay alive必须保持活力 Where do I go when I"m so alone我到哪里去当我这么孤单 Where do I turn when you are so close我该转向哪当你如此靠近 We try not to crash but we still collide我们设法不崩溃,但我们仍然会碰撞 Tears I"ve cried, I"ll survive哭过了,我会得救 I"m alive我活着 I"m gonna get there someway无论如何我要到达那里 Through all the tears that you bring擦掉所有你给的泪水 And any road I can take我可以走向任何道路 Just to get me some place只是为了带我到一些地方 Where all the stars on my heart在那里我的心里满是星星 And all the lies in the dark所有在黑暗中的谎话 Disappear in my head在我的脑海里消失 Lights so bright, tonight今晚,灯光是那么闪亮 Gonna drive them away想要带着它们一起走 Where do I go when I"m so alone我到哪里去当我这么孤单 Where do I turn when you are so close我该转向哪当你如此靠近 We try not to crash but we still collide我们设法不崩溃,但我们仍然会碰撞 Tears I"ve cried, I"ll survive哭过了,我会得救 I"m alive我活着 I"m alive我活着 I"m alive我活着 I"m alive我活着 I"m alive我活着 Over...

可以。MacBook很擅长ps、cdr类的视频图像处理的工作，在这类工作上Mac电脑是当仁不让的最优秀的生产力工具。CDR有很多版本，最常用的是X4版本，稳定性比较好，另外还有一些厂家也是用这个版本，因此省去了转换低版本的麻烦。

IONet- Learning to Cure the Curse of Drift in Inertial Odometry u2003u2003惯性传感器在室内定位中扮演着重要的角色，这也反过来为其在个人应用程序的普及奠定了基础。低成本的惯性传感器通常在智能手机中被使用，被偏差和噪声所困扰。其中最为突出的就是使用加速度计通过双重积分获得位移时无限增长的误差；其次，状态估计中的小问题会传播，使里程计在几秒钟内几乎无法使用。我们提出打破连续积分中的循环，使用独立窗口替代惯导数据。这个挑战变为估计每个窗口的潜在状态，例如速度和方向，不能直接从惯导数据中直接观测得到。我们将证明如何将这个问题作为一个优化问题，并且展示如何使用深度循环神经网络来产生非常精确的轨迹，优于最先进的浅层技术，在各种各样的测试中。特别是，我们证明了IONet可以概括性地估计非周期性运动的里程表，这对于现有技术来讲是一项极具挑战性的任务。 u2003u2003u2003快速准确的室内定位是基本的需求，适用于许多个人应用，包括智能零售、公共场所导航、人机交互、增强现实。最有前途的应用之一是使用惯性传感器进行航位推算，由于其出色的移动性和灵活性收到了学术界和工业界的极大关注。 u2003u2003MEMS(微机电系统)传感器的最新进展是使用惯性测量单元(IMU)，由于其体积小、价格便宜，可以部署在智能机上。但是，智能机上的低成本惯性传感器被噪声所困扰，导致无法进行有界系统漂移。根据牛顿力学，传统捷联惯性导航系统(SINS)直接整合IMU的测量值，但是由于误差的指数传播，很难通过集成精度有限的IMU传感器实现。为了解决这些问题，提出了基于行人航位推算(PDR)的方法。 u2003u2003这种方法通过逐步检测来估计轨迹，估计步长和航向并更新每一步的位置( A Reliable and Accurate Indoor Localization Method Using Phone Inertial Sensors )，代替对加速度双重积进行定位的方式，逐步检测可将误差的指数漂移降低到线性增长式漂移。然而，动态步骤估计受传感器噪声的影响，用户的步长习惯和手机附件的变化，导致整个系统出现不可避免的错误( Walk Detection and Step Counting on Unconstrained Smartphones )。在某些情况下，无法检测到任何步骤，例如，如果将智能机放在婴儿车或超市购物车上，逐步的基于PDR的周期性假设将被打破。因此，SINS和PDR的内在问题阻止了惯性定位在日常生活中的广泛使用，两种方法的体系结构如下图所示。 u2003u2003为了解决惯性系统不可避免的“诅咒”，我们打破了持续误差传播的周期，将惯性追踪转换为顺序学习问题，替代逐步检测PDR的多个开发模块。我们的模型可以使用未经处理的数据为室内用户提供连续的轨迹，模型结构如下图所示。 u2003u2003我们改进了三个方面: u2003u2003在本节中，我们简要概述了捷联惯性导航系统（SINS），行人航位推算(PDR)和前馈深度学习中的一些相关工作。 u2003u2003捷联惯性导航系统（Strapdown Inertial Navigation System，SINS）：捷联惯性导航系统（SINS）已被研究应用十来年，早先的惯性系统严重依赖于昂贵、笨重、高精度的惯性测量单元，因此其主要应用限制大型移动设备上，如汽车、轮船、飞机、潜艇和航天器。MEMS的最新技术进展使低成本MEMS IMU可以部署在机器人技术，无人机和移动设备上。但是，受大小和成本的制约，MEMS IMU的精度受到极大限制，并且必须与其他传感器集成在一起，例如视觉惯性里程表。另一个解决方案是在用户的脚部附加IMU，以利用脚跟触地来进行零速度更新以补偿系统错误漂移。这些不便之处使惯性解决方案无法在消费级设备上得到广泛采用。 u2003u2003行人航位推算（Pedestrian Dead Reckoning）：与SINS惯性传感器的开环集成不同，PDR使用惯性测量来逐步检测，通过经验公式估算步长和航向。 由于不正确的步距位移分割和步幅估计，系统错误仍会迅速累积。 另外，必须根据用户的步行习惯仔细调整大量参数。 最新的研究主要集中在将PDR与外部参考资料融合在一起，例如平面图，WiFi指纹识别或环境磁场，但仍然存在基本问题，误差的快速漂移仍未解决。 与先前的工作相比，我们放弃了基于步骤的方法，并提出了惯性里程表的新通用框架。 这使我们能够处理更一般的跟踪问题，包括手推车和轮式装置，这是基于步进的PDR无法解决的。 u2003u2003前馈深度学习（Sequential Deep Learning）：深度学习方法在处理顺序数据方面表现出卓越的性能，例如语音识别、机器翻译、视觉跟踪和视频描述。目前来看，IONet是第一个仅使用惯性数据实现惯性里程计的神经网络框架。以前基于学习的方法通过采用视觉测距发和视觉惯性测距法，其它的集中在学习物理直觉，状态空间模型及通过物理知识建立的监督神经网络。尽管其中大多数使用视觉观察，但我们的工作是利用现实世界中的传感器测量来学习高级运动轨迹。 u2003u2003惯性导航的原理基于牛顿力学,它们允许在给定初始姿势以及来自加速度计和陀螺仪的测量值的情况下，跟踪对象的位置和方向。 u2003u2003图一说明了惯性导航算法的基本机制。三轴陀螺仪测量载体坐标系相对于地理坐标系的角速度，角速度集成在状态估计方程中，如下所示： 为了表示方向，使用方向余弦矩阵 表示从载体坐标系到地理坐标系的变换，并使用旋转矩阵 更新 待续。。。。。。

Won"t someone give me a gun? 有谁给我一只枪？ oh well it"s for my brother 哦这是为了我的兄弟 well he writes the line wrote down my spine 他将我的刺痛写下 It says "Oh do you believe in love there?" 他写道“噢，你信仰爱吗？” So slow down, slow down, you"re taking me over 哦，慢点，慢点，你要把我带走 And so we drown, sir we drown, stop taking me over 我们要窒息而死，窒息而死，别把我带走 Won"t someone give me some fun? 有谁给我些开心的事？ (and as the skin flies all around us) （就象皮毛飞扬在我们周围） We kiss in his room to a popular tune 我们在他屋内伴着流行歌曲拥吻 Oh, real drowners 噢，真正的窒息者 slow down, slow down, you"re taking me over 慢点，慢点，你要把我带走 And so we drown, sir we drown, 我们要窒息而死，窒息而死stop takin" me over! 别把我带走

TV series:电视系列剧 TV show：电视节目 TV drama：电视剧 soap operal：电视泡沫剧

这两个词在日常使用时几乎没太大区别。硬要区分的话，drama比play所涵盖的面要广泛的多，drama包括了play的一切，并且延伸到音乐，服装，布景等等方面。play专指文字意义上的剧，比如剧作家叫playwriter，而不叫dramawriter，因为他负责纸面工作。而戏剧家叫dramatist，不叫playist， 因为他通晓包括剧本在内舞台上所有一切细节。至于series，可以叫系列剧，各集之间的故事可以完全没有关系，也可以说是连续剧。我们熟知的连续剧，尤其八点档狗血剧一类的，一般美国口语里叫soap opera。希望能帮到你，望采纳！

不同的数据库支持不同的SQL语句、函数、数据类型、长度等等； 首先你要确定MDB的数据类型DB是否支持，比如OLE字段； 对不能支持的数据类型用手工修改，主键、表间关系等等要重新建立。 检查MDB的数据类型，用JET SQL转换简单一点

升级显卡 显卡太旧

错误提示英文直译：安卓SDK包过期了。 解决方法：更新一下sdk，也可以直接下载最新版的SDK包，直接进行安装即可。

xenograft xenon xerox xylene xylophone yabber year yawn yardstick yesterday zoo zeal zigzag zebra zeolite

mandrine的意思是普通话，政届要员，内务官员，政府官员。tutor意思是家庭教师，私人教师，任课，指导，教。总的翻译为政府官员指导。

工业除尘设备种类有5种类型DR1. 重力除尘——利用粉尘与气体的比重不同的原理，使扬尘靠本身的重力(重力) 从气体中自然沉降下来的净化设备，通常称为沉降室或降生室。它是一种结构简单、体积大、阻力小、易维护、效率低的比较原始的净化设备，只能用于粗净化。重力降尘室的工作原理如下图所示：含尘气体从一侧以水平方向的均匀速度V进入沉降室，尘粒以沉降速度V沉下降，运行t时间后，使尘粒沉降于室底。净化后的气体，从另一侧出口排出。2惯性除尘——惯性除尘器也叫惰性除尘器。它的原理是利用粉尘与气体在运动中惯性力的不同，将粉尘从气体中分离出来。一般都是在含尘气流的前方设置某种形式的障碍物，使气流的方向急剧改变。此时粉尘由于惯性力比气体大得多，尘粒便脱离气流而被分离出来，得到净化的气体在急剧改变方向后排出。 惯性除尘器以百叶式的最常用。它适用于净化含有非粘性、非纤维性粉尘的空气，通常与其它种除尘器联合使用组成机组。3.旋风分离器 工作原理：旋风除尘器的工作原理如下图所示，含尘气体从入口导入除尘器的外壳和排气管之间，形成旋转向下的外旋流。悬浮于外旋流的粉尘在离心力的作用下移向器壁，并随外旋流转到除尘器下部，由排尘孔排出。净化后的气体形成上升的内旋流并经过排气管排出。 应用范围及特点：旋风除尘器适用于净化大于5~10微米的非粘性、非纤维的干燥粉尘。它是一种结构简单、操作方便、耐高温、设备费用和阻力较低（80~160毫米水柱）的净化设备，旋风除尘器在净化设备中应用得最为广泛。 4. 布袋除尘技术 工作原理： ⑴ 重力沉降作用——含尘气体进入布袋除尘器时，颗粒大、比重大的粉尘，在重力作用下沉降下来，这和沉降室的作用完全相同。 ⑵ 筛滤作用——当粉尘的颗粒直径较滤料的纤维间的空隙或滤料上粉尘间的间隙大时，粉尘在气流通过时即被阻留下来，此即称为筛滤作用。当滤料上积存粉尘增多时，这种作用就比较显著起来。 ⑶ 惯性力作用——气流通过滤料时，可绕纤维而过，而较大的粉尘颗粒zai惯性力的作用下，仍按原方向运动，遂与滤料相撞而被捕获。 ⑷ 热运动作用——质轻体小的粉尘(1微米以下)，随气流运动，非常接近于气流流线，能绕过纤维。但它们在受到作热运动(即布朗运动)的气体分子的碰撞之后，便改变原来的运动方向，这就增加了粉尘与纤维的接触机会，使粉尘能够被捕获。当滤料纤维直径越细，空隙率越小、其捕获率就越高，所以越有利于除尘。

意思是“双回转”计算机类作者 AOETC英语缩略词“DR”经常作为“Dual Rotary”的缩写来使用，中文表示：“双回转”。本文将详细介绍英语缩写词DR所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词DR的分类、应用领域及相关应用示例等。“DR”（“双回转）释义英文缩写词：DR英文单词：Dual Rotary0:00/ 0:01缩写词中文简要解释：双回转中文拼音：shuāng huí zhuǎn缩写词流行度：68缩写词分类：Computing缩写词领域：Hardware以上为Dual Rotary英文缩略词DR的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。英文缩略词DR的扩展资料Study on the Post Processing Algorithm for Five-axis CNC Machine with Dual Rotary(DR) Tables双转台五轴数控机床后置处理算法研究Dual rotary fretting is combined with torsional and rotational fretting. It usually occurred in many rotary components, but little research focuses on it up to now.扭转复合微动是扭动微动和转动微动的复合，常发生于回转体部件中，但相关研究较少。Dual Rotary(DR) Laminated Progressive Die for Stator And Rotor of Square Stepping Dynamotor方形步进电机定转子双回转(DR)叠片级进模The conclusions have obtained as follows : 1. The friction force vs. angular displacement amplitude curves ( Ft - θ curves ) could be used to characterize the kinetic characteristics of dual rotary fretting.获得的主要结论如下：1.摩擦力-角位移幅值（Ft-θ）曲线可以用来表征扭转复合微动的动力学特性。This paper introduces the unique dual purpose rotary type car dumper system, the NO.1 and2 car dumper system of Qinhuangdao harbor project.以秦皇岛1期1、2号翻车机卸车系统设计为例，介绍一种目前国际上独有的2用翻车机卸车系统。上述内容是“Dual Rotary”作为“DR”的缩写，解释为“双回转”时的信息，以及英语缩略词DR所代表的英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度和相关分类、应用领域及应用示例等。

随着移动互联网的发展，各种智能手机APP接踵而来，在手机APP应用市场中，数量最多的就是Android开发的手机软件了。Android开发也成为当下较热门行业。那么，浙江北大青鸟http://www.kmbdqn.cn/就告诉你，想要学习Android开发，需要学习哪些课程?Java面向对象编程1、Java基本数据类型与表达式，分支循环。2、String和StringBuffer的使用、正则表达式。3、面向对象的抽象，封装，继承，多态，类与对象，对象初始化和回收;构造函数、this关键字、方法和方法的参数传递过程、static关键字、内部类，Java的垃极回收机制，Javadoc介绍。4、对象实例化过程、方法的覆盖、final关键字、抽象类、接口、继承的优点和缺点剖析;对象的多态性：子类和父类之间的转换、抽象类和接口在多态中的应用、多态带来的好处。5、Java异常处理，异常的机制原理。6、常用的设计模式：Singleton、Template、Strategy模式。7、JavaAPI介绍：种基本数据类型包装类，System和Runtime类，Date和DateFomat类等。8、Java集合介绍：Collection、Set、List、ArrayList、Vector、LinkedList、Hashset、TreeSet、Map、HashMap、TreeMap、Iterator、Enumeration等常用集合类API。9、JavaI/O输入输出流：File和FileRandomAccess类，字节流InputStream和OutputStream，字符流Reader和Writer，以及相应实现类，IO性能分析，字节和字符的转化流，包装流的概念，以及常用包装类，计算机编码。10、Java高级特性：反射、代理和泛型。11、多线程原理：如何在程序中创建多线程(Thread、Runnable)，线程安全问题，线程的同步，线程之间的通讯、死锁。12、Socket网络编程。Javaweb开发1、Java解析XML文件DOM4J。2、MySql数据库的应用、多表连接查询的应用。3、Jsp和Servlet应用。4、Http协议解析。。5、Tomcat服务器的应用配置。6、WebService服务配置应用。androidUI编程1、Android开发环境搭建：Android介绍，Android开发环境搭建，先进个Android应用程序，Android应用程序目录结构。2、Android初级控件的使用：TextView控件的使用Button控件的使用方法EditText控件的使用方法ImageView的使用方法RadioButton的使用方法Checkbox的使用方法Menu的使用方法。3、Android高级控件的使用：Autocompletion的使用方法ListView的使用方法GridView的使用方法Adapter的使用方法Spinner的使用方法Gallary的使用方法ScrollView的使用方法。4、对话框与菜单的使用：Dialog的基本概念AlertDialog的使用方法DatePickerDialog的使用方法Menu的使用方法自定义Menu的实现方法。5、控件的布局方法：线性布局的使用方法相对布局的使用方法表格布局的使用方法。6、多Acitivity管理：AndroidManifest.xml文件的作用，Intent的使用方法，使用Intent传递数据的方法，启动Activity的方法，IntentFilter的使用方法，ActivityGroup的使用方法。7、自定义控件实现方法：自定义ListView的实现方法，可折叠ListView的使用方法，自定义Adapter的实现方法，自定义View的实现方法，动态控件布局的上实现方法。

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客户端用android编写前台页面，然后通过webservice与服务端进行交互。原理就是这个样子了，不过要学的东西很多啊

Pro Driver mixer开混响方法 右下角的小喇叭的控制音量把混响静音取消了就行了，或者在开始-控制版面-音效设置

静态随机存储器 (SRAM)SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAMDDR2/DDR II（Double Data Rate 2）SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。DDR3是一种电脑内存规格。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。百度百科一下就好了。

16MB具体计算如下行地址12位，说明行数是2的12次方列地址8位，说明列数是2的8次方数据数就有2的20次方每个数据16位，就是2字节(B)所以是2的22次方字节，就是4MB片内有4组，所以总容量16M

CPU：中央处理器，一台电脑的核心。SDRAM：同步动态随机存储器，主要就是指内存。ROM：只读内存(Read-Only Memory)，也可能是指一些模拟器游戏的文件。IP：网络之间互连的协议（IP）是Internet Protocol的外语缩写DNS:DNS（Domain Name System，域名系统）WAN：广域网（WAN，Wide Area Network）也称远程网（long haul network ）LAN：局域网（Local Area Network），一般指家庭一个路由器，几台电脑组成的小网络。RS232：个人计算机上的通讯接口之一，由电子工业协会(Electronic Industries Association，EIA) 所制定的异步传输标准接口。通常 RS-232 接口以9个引脚 (DB-9) 或是25个引脚 (DB-25) 的型态出现，一般个人计算机上会有两组 RS-232 接口，分别称为 COM1 和 COM2。IDE：并口硬盘，老式的排线硬盘，已淘汰。SATA：串口硬盘，提供了比IDE更高的数据带宽。

以前当然还是用在电脑上面。现在应该主要是工控机在用了

DDR3的特点是容量高 前段总频率一般为1333和1666

1、SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。x0dx0a x0dx0a与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。x0dx0a2、x0dx0aPSRAM具有一个单晶体管的DRAM储存格，与传统具有六个晶体管的SRAM储存格或是四个晶体管与two-load resistor SRAM 储存格大不相同，但它具有类似SRAM的稳定接口，内部的DRAM架构给予PSRAM一些比low-power 6T SRAM优异的长处，例如体积更为轻巧，售价更具竞争力。目前在整体SRAM市场中，有90%的制造商都在生产PSRAM组件。在过去两年，市场上重要的SRAM/PSRAM供货商有Samsung、Cypress、Renesas、Micron与Toshiba等。 x0dx0a x0dx0a编辑本段PSRAM与SRAM的比较：基本原理　　PSRAM就是伪SRAM，内部的内存颗粒跟SDRAM的颗粒相似，但外部的接口跟SRAM相似，不需要SDRAM那样复杂的控制器和刷新机制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一样的。 x0dx0a容量　　PSRAM容量有4Mb,8Mbit,16Mbit,32Mbit等等，容量没有SDRAM那样密度高，但肯定是比SRAM的容量要高很多的，速度支持突发模式，并不是很慢，Hynix，Fidelix,Coremagic, WINBOND .MICRON. CY 等厂家都有供应，价格只比相同容量的SDRAM稍贵一点点，比SRAM便宜很多。 x0dx0a x0dx0a编辑本段主要应用　　PSRAM主要应用于手机，电子词典，掌上电脑，PDA,PMP.MP3/4,GPS接收器等消费电子产品与SRAM(采用6T的技术)相比,PSRAM采用的是1T+1C的技术,所以在体积上更小,同时,PSRAM的I/O接口与SRAM相同.在容量上,目前有4MB,8MB,16MB,32MB,64MB和128MB。目前智能手机基本采用256MB以上的PSRAM，很多采用512MB。比较于SDRAM,PSRAM的功耗要低很多。所以对于要求有一定缓存容量的很多便携式产品是一个理想的选择。 x0dx0a x0dx0a编辑本段目前发展现状：　　东芝(Toshiba)、NEC Electronics和富士通(Fujitsu)三家公司日前共同提出PSRAM (Pseudo Static Random Access Memory)第四版的标准接口规范，也称之为CSOMORAM Rev. 4 (COmmon Specifications for MObile RAM)是用于移动RAM的通用规范。三家公司将各自生产与销售自家产品，产品最快可在2007年3月推出。上述三家公司在1998年9月首次提出通用规范，将堆栈多芯片封装(MCP)通用接口规范共享给包括闪存和SRAM在内的移动设备。随后，他们在2002、2003和2004年分别对其进行了修订，增加了页面模式和突发模式等规格。COSMORAM Rev. 4为Pseudo SRAM增加了双速率突发(DDR突发)模式。x0dx0a3、SRAM不需要刷新电路即能保存它内部存储的数据。而DRAM（Dynamic Random Access Memory)每隔一段时间，要刷新充电一次，否则内部的数据即会消失，因此SRAM具有较高的性能，但是SRAM也有它的缺点，即它的集成度较低，相同容量的DRAM内存可以设计为较小的体积，但是SRAM却需要很大的体积，且功耗较大。所以在主板上SRAM存储器要占用一部分面积。x0dx0a4、x0dx0aPRAM是韩国三星公司推出的一款存储器，相比普通的DRAM和闪存，PRAM具有高速低功耗的特点。如果发展顺利的话，预计PRAM将从2007年起逐步取代闪存，成为下一代存储器产品中的主导力量。 x0dx0a x0dx0aPRAM内存可在芯片供电中断时保存数据，与普通闪存的工作原理相同。但PRAM写入数据的速度要比闪存块30倍，其寿命周期也将至少提高十倍。 x0dx0a x0dx0a　　ITRI可能不是第一家销售PRAM内存产品的商家。全球最大芯片制造商三星公司在去年发布了512MB新内存原型，并有望在明年早些时候上市销售。但ITRI其他公司有可能以更大的内存容量和不同功能来击败三星。 x0dx0a x0dx0a　　其他芯片制造商也在积极开发相变内存，其中有英特尔公司、IBM公司、Qimonda公司、意法半导体公司、Hynix半导体公司和Ovonyx。 x0dx0a x0dx0a　　台积电和ITRI也在开发磁性随机储存内存技术（MRAM)，双方已经获得了与此有关的40多项专利。台积电有可能在明年底或2009年早期向客户销售MRAM。 x0dx0a x0dx0a　　新芯片运用了 "垂直电极" 及 "3D 晶体管结构" 两项技术，让芯片的尺寸缩小，同时在写入新数据时，也不必先将旧资料复写。着眼于 Samsung 日前发表的 32GB NAND 内存还是属于 40 奈米制程，就长期来看，PRAM 也将比 NAND 更省成本。 x0dx0a x0dx0a　　IBM 和几家内存模块大厂合作，包括 Qimonda AG、台湾的旺宏电子（Macronix International），在固态内存（non-volatile memory）上头，有了相当大的进展。 x0dx0a x0dx0a　　PRAM（Phase-Change RAM），这个在将来的将来可能取代闪存（将来用来取代传统硬盘）的男人，不仅仅是在 Samsung 的大本营默默的蛰伏，以 IBM 为首的研究团队，更是在速度上硬是压下了 Samsung 先前发表的 30x 读写速度，一举推到了 500x ~ 1000x，并且电力也只需要ㄧ半，寿命（重复写入的次数）也大大的延长（以上皆是相较于一般闪存）,IBM还是强大啊,硬盘到PRAM一路都是IBM在唱主角.

SDRAM：SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。 与系统总线速度同步，也就是与系统时钟同步，这样就避免了不必要的等待周期，减少数据存储时间。同步还使存储控制器知道在哪一个时钟脉冲期由数据请求使用，因此数据可在脉冲上升期便开始传输。SDRAM采用3.3伏工作电压，168Pin的DIMM接口，带宽为64位。SDRAM不仅应用在内存上，在显存上也较为常见。 DDR SDRAM：严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，部分初学者也常看到DDR SDRAM，就认为是SDRAM。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。 SDRAM在一个时钟周期内只传输一次数据，它是在时钟的上升期进行数据传输；而DDR内存则是一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，因此称为双倍速率同步动态随机存储器。DDR内存可以在与SDRAM相同的总线频率下达到更高的数据传输率。 与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDL本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRA的两倍。 从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。 RDRAM：RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

在quartus ii的mega function里找一下看有没有，如果你的FPGA芯片没有的话，那片外有没有？你不理解它的工作原理还是不理解如何使用还是什么？

D这是绝对可能的。7NS的话频率才 285MHZ，对SD来说，还不是技术上太大的难题，要知道 DDR突破过1000MHZ,DDR确实有1000MHZ，用在服务器上，2003年DDR刚风行的时候就有几家推出过DDR 1066，不过售价很高。还有当年的5950 U用的就是DDR 1000MHZ还有9800PRO限量版 用的也是DDR 1000MHZ

同样频率下ddr是sdram速度的两倍,ddr好,ddr2比ddr在同频率下,性能差,但是频率上限可以做的更高.

DDR2 SDRAM简称DDR2是第二代双倍数据率同步动态随机存取存储器（Double-Data-Rate Two Synchronous Dynamic Random Access Memory），是一种电脑存储器规格。它属于SDRAM家族的存储器产品，提供了相较于DDR SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR SDRAM（双倍数据率同步动态随机存取存储器）的后继者，也是现时流行的存储器产品。由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发。

DIMM是内存模组的一种。so-dimm指的是内存条中的小板。比一般的短，针脚也更少。一般用于上网本，SDRAM是内存的一种，就是 我们一般所认为的内存条。注意前一个内存比后一个内存包含的范围大SDRAM的最小容量是512Mb，可以看出内存条里面的颗粒容量比官网上的颗粒容量还要小。容量越小，采用的颗粒就越多。如果采用2块DDR2 SDRAM，数据线、地址线以及命令总线的数目都要翻倍，在Xilinx的IP核里面使用的控制器数目也要翻倍，而SODIMM是将数据线翻好几倍，一般是64，这无疑增大了吞吐量，而且地址线和命令总线只是做了相应的调整，相对于翻倍来说，调整的幅度就太小了。但是在硬件方面，SODIMM需要插槽，如果电路板经常工作在震动的环境下，插槽的稳定性就很难保证了，而DDR2 SDRAM是焊接上的，稳定性肯定比SODIMM要好很多。

耗电不小。sram读写速度快,但由于集成度低的原因,所以它的成本要高，sdram读写速度要次于sram,但它的集成度高,所以成本相对要低很多。同步动态随机存取内存（synchronous dynamic random-access memory，简称SDRAM）是有一个同步接口的动态随机存取内存（DRAM）。通常DRAM是有一个异步接口的，这样它可以随时响应控制输入的变化。而SDRAM有一个同步接口，在响应控制输入前会等待一个时钟信号，这样就能和计算机的系统总线同步。

电流标称 工作的条件/参数IDD0 操作电流，Active到Precharge，一个Bank工作，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化一次，地址和控制信号每两个时钟改变一次。IDD1 操作电流，Active-Read-Precharge，一个Bank工作，突发长度为2，Active指令最小持续周期TRC = TRC (min)，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD2P 静态电流，预充电状态中，节电模式，CKE为低电平，所有Bank空闲。IDD2F 静态电流，预充电状态中，Standby模式，CKE高电平有效，片选信号未选中，所有 Bank空闲。IDD3P 静态电流，激活状态中，节电模式，CKE为低电平，一个Bank激活，其它Bank空闲IDD3N 静态电流，激活状态中，Standby模式，Active到Precharge，CKE为高电平，一个Bank工作，Active指令最大持续周期TRC = TRAS (max)，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD4R 操作电流，读操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次。IDD4W 操作电流，写操作，突发长度为2，连续突发，一个Bank工作，地址和控制信号每个时钟改变一次，DQ,DM,DQS每个时钟内状态变化两次。IDD5IDD6 最大自动刷新电流，TRC = TRC (min)。 正常自动刷新电流，TRC = 7.8125us，8K/64ms刷新率(有的Datasheet上只有IDD5)IDD7 内部自刷新电流，分为标准芯片和低功耗芯片两种情况。IDD8 操作电流，所有Bank交错读操作，突发长度为4，TRC = TRC (min)，地址和控制信号只在执行Read和Write指令时才改变状态。了解了这些电流的含义之后，我们就可以进行具体的功耗计算了。详细的分析可参见Micron公司的技术资料Calculating Memory System Power For DDR,TN-46-03。后台电源消耗（Background Power）：l CKE低电平节能状态的预充电模式：P (Pre_PND)= IDD2P*VDDl CKE有效Standby状态的预充电模式：P (Pre_STBY)= IDD2F*VDDl CKE低电平节能状态的激活模式：P (ACT_PND)= IDD3P*VDDl CKE有效Standby状态的预充电模式：P (ACT_STBY)= IDD3N*VDDl 自动刷新电流：P (REF)= (IDD5/6- IDD2P)*VDD。激活时操作电流（Activate Power）：l Active到Precharge操作过程中的消耗：P (ACT)= (IDD0- IDD3N)*VDD*[TRC(spec)/TACT(actual)]。读写操作电流（Read/Write Power）：l 写操作的功耗：P (WR)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*WR%l 读操作的功耗：P (RD)=(IDD4W- IDD3N)*VDD*RD%l 读操作时I/O功耗：P (DQ)=(Vout* I out)*N*RD%其中WR%和RD%指写/读操作在ACT周期中占的比重，Vout和I out指DQ管脚的输出电压和电流，N指芯片上DQ和DQS的数目。需要注意的是，芯片厂商的Datasheet上提供的数据通常都是在比较苛刻的条件下测量的结果，比如VDD是工作在额定最大电压下（对DDR来说一般为2.7V）。遇到这种情况我们就要采取一些处理措施，办法就是根据实际电压和频率的变化，对计算的结果通过乘上变化因子进行调整，功率和频率及电压的平方成正比： 2P2=(V2/V1)(f2/f1)P1经过调整之后，得到的就是在实际工作电压和频率下的功耗。当然，这时候计算出来的仅仅是各部分工作状态下相对独立的电源消耗情况，如果综合起来计算整个芯片的功耗，则不是简单地把各项相加就行，还要合理考虑各种状态所占的比例等实际问题，比如：所有Bank预充电占的时间比例BNK_PRE%，处于预充电状态中CKE低电平占的比例CKE_LO_PRE%，处于激活状态中CKE处于低电平的比例CKE_LO_ACT%等等。这时，相应的公式要调整为：l P (Pre_PND)= IDD2P*VDD* BNK_PRE%* CKE_LO_PRE%l P (Pre_STBY)= IDD2F*VDD* BNK_PRE%* （1-CKE_LO_PRE%）l P (ACT_PND)= IDD3P*VDD*（1- BNK_PRE%）* CKE_LO_ACT%l P (ACT_STBY)= IDD3N*VDD*（1- BNK_PRE%）* （1-CKE_LO_ACT%）单个芯片电源消耗的计算方法学会之后，我们还可以类推到整个内存模块的功耗计算。下面我们就举例来分析一下4根1G的DIMM正常工作时的电源消耗，芯片采用Samsung K4H560838D DDR333 64MX4的芯片。

dqs？？？没有这个词吧！

你原来有条威刚的533 1G内存, 我可能判定你买的内存是DDR2代的，，

简单来讲，SDR两个缺口，DDR一个缺口。DDR比SDR速度快一倍，现在入门配置都是DDR，SDR将渐渐退出舞台。

动态随机存取内存 DRAM：DRAM 是Dynamic Random Access Memory 的缩写，通常是计算机内的主存储器，它是而用电容来做储存动作，但因电容本身有漏电问题，所以内存内的资料须持续地存取不然资料会不见随机存取内存RAM：随机存取内存RAM ( Random Access Memory)：RAM是可被读取和写入的内存，我们在写资料到RAM内存时也同时可从RAM读取资料，这和ROM内存有所不同。但是RAM必须由稳定流畅的电力来保持它本身的稳定性，所以一旦把电源关闭则原先在RAM里头的资料将随之消失。内存双通道：双通道内存技术其实是一种内存控制和管理技术，它依赖于芯片组的内存控制器发生作用，在理论上能够使两条同等规格内存所提供的带宽增长一倍。它并不是什么新技术，早就被应用于服务器和工作站系统中了，只是为了解决台式机日益窘迫的内存带宽瓶颈问题它才走到了台式机主板技术的前台。在几年前，英特尔公司曾经推出了支持双通道内存传输技术的i820芯片组，它与RDRAM内存构成了一对黄金搭档，所发挥出来的卓绝性能使其一时成为市场的最大亮点，但生产成本过高的缺陷却造成了叫好不叫座的情况，最后被市场所淘汰。由于英特尔已经放弃了对RDRAM的支持，所以目前主流芯片组的双通道内存技术均是指双通道DDR内存技术，主流双通道内存平台英特尔方面是英特尔 865、875系列，而AMD方面则是NVIDIA Nforce2系列。 双通道内存技术是解决CPU总线带宽与内存带宽的矛盾的低价、高性能的方案。现在CPU的FSB（前端总线频率）越来越高，英特尔 Pentium 4比AMD Athlon XP对内存带宽具有高得多的需求。英特尔 Pentium 4处理器与北桥芯片的数据传输采用QDR（Quad Data Rate，四次数据传输）技术，其FSB是外频的4倍。英特尔 Pentium 4的FSB分别是400、533、800MHz，总线带宽分别是3.2GB/sec，4.2GB/sec和6.4GB/sec，而DDR 266/DDR 333/DDR 400所能提供的内存带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec。在单通道内存模式下，DDR内存无法提供CPU所需要的数据带宽从而成为系统的性能瓶颈。而在双通道内存模式下，双通道DDR 266、DDR 333、DDR 400所能提供的内存带宽分别是4.2GB/sec，5.4GB/sec和6.4GB/sec，在这里可以看到，双通道DDR 400内存刚好可以满足800MHz FSB Pentium 4处理器的带宽需求。而对AMD Athlon XP平台而言，其处理器与北桥芯片的数据传输技术采用DDR（Double Data Rate，双倍数据传输）技术，FSB是外频的2倍，其对内存带宽的需求远远低于英特尔 Pentium 4平台，其FSB分别为266、333、400MHz，总线带宽分别是2.1GB/sec，2.7GB/sec和3.2GB/sec，使用单通道的DDR 266、DDR 333、DDR 400就能满足其带宽需求，所以在AMD K7平台上使用双通道DDR内存技术，可说是收效不多，性能提高并不如英特尔平台那样明显，对性能影响最明显的还是采用集成显示芯片的整合型主板。 NVIDIA推出的nForce芯片组是第一个把DDR内存接口扩展为128-bit的芯片组，随后英特尔在它的E7500服务器主板芯片组上也使用了这种双通道DDR内存技术，SiS和VIA也纷纷响应，积极研发这项可使DDR内存带宽成倍增长的技术。但是，由于种种原因，要实现这种双通道DDR（128 bit的并行内存接口）传输对于众多芯片组厂商来说绝非易事。DDR SDRAM内存和RDRAM内存完全不同，后者有着高延时的特性并且为串行传输方式，这些特性决定了设计一款支持双通道RDRAM内存芯片组的难度和成本都不算太高。但DDR SDRAM内存却有着自身局限性，它本身是低延时特性的，采用的是并行传输模式，还有最重要的一点：当DDR SDRAM工作频率高于400MHz时，其信号波形往往会出现失真问题，这些都为设计一款支持双通道DDR内存系统的芯片组带来不小的难度，芯片组的制造成本也会相应地提高，这些因素都制约着这项内存控制技术的发展。 普通的单通道内存系统具有一个64位的内存控制器，而双通道内存系统则有2个64位的内存控制器，在双通道模式下具有128bit的内存位宽，从而在理论上把内存带宽提高一倍。虽然双64位内存体系所提供的带宽等同于一个128位内存体系所提供的带宽，但是二者所达到效果却是不同的。双通道体系包含了两个独立的、具备互补性的智能内存控制器，理论上来说，两个内存控制器都能够在彼此间零延迟的情况下同时运作。比如说两个内存控制器，一个为A、另一个为B。当控制器B准备进行下一次存取内存的时候，控制器A就在读/写主内存，反之亦然。两个内存控制器的这种互补“天性”可以让等待时间缩减50%。双通道DDR的两个内存控制器在功能上是完全一样的，并且两个控制器的时序参数都是可以单独编程设定的。这样的灵活性可以让用户使用二条不同构造、容量、速度的DIMM内存条，此时双通道DDR简单地调整到最低的内存标准来实现128bit带宽，允许不同密度/等待时间特性的DIMM内存条可以可靠地共同运作。 支持双通道DDR内存技术的台式机芯片组，英特尔平台方面有英特尔的865P、865G、865GV、865PE、875P以及之后的915、925系列；VIA的PT880，ATI的Radeon 9100 IGP系列，SIS的SIIS 655，SIS 655FX和SIS 655TX；AMD平台方面则有VIA的KT880，NVIDIA的nForce2 Ultra 400，nForce2 IGP，nForce2 SPP及其以后的芯片。 AMD的64位CPU，由于集成了内存控制器，因此是否支持内存双通道看CPU就可以。目前AMD的台式机CPU，只有939接口的才支持内存双通道，754接口的不支持内存双通道。除了AMD的64位CPU，其他计算机是否可以支持内存双通道主要取决于主板芯片组，支持双通道的芯片组上边有描述，也可以查看主板芯片组资料。此外有些芯片组在理论上支持不同容量的内存条实现双通道，不过实际还是建议尽量使用参数一致的两条内存条。 内存双通道一般要求按主板上内存插槽的颜色成对使用，此外有些主板还要在BIOS做一下设置，一般主板说明书会有说明。当系统已经实现双通道后，有些主板在开机自检时会有提示，可以仔细看看。由于自检速度比较快，所以可能看不到。因此可以用一些软件查看，很多软件都可以检查，比如cpu-z，比较小巧。在“memory”这一项中有“channels”项目，如果这里显示“Dual”这样的字，就表示已经实现了双通道。两条256M的内存构成双通道效果会比一条512M的内存效果好，因为一条内存无法构成双通道。

能通用，一个是插槽类型一个是内存技术。SDRAM和DIMM不是一个级别的概念。SDRAM是指内存的性能方面的技术，而DIMM是指内存的结构外观或指内存插槽。SDRAM都是采用了DIMM的形式。后面的udimm则是更细化的dimm的类型了，还有rdimm，具体百度吧。

SDRAM，即Synchronous DRAM（同步动态随机存储器），曾经是PC电脑上最为广泛应用的一种内存类型，即便在今天SDRAM仍旧还在市场占有一席之地。既然是“同步动态随机存储器”，那就代表着它的工作速度是与系统总线速度同步的。SDRAM内存又分为PC66、PC100、PC133等不同规格，而规格后面的数字就代表着该内存最大所能正常工作系统总线速度，比如PC100，那就说明此内存可以在系统总线为100MHz的电脑中同步工作。 人们习惯称DDR SDRAM为DDR。DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR SGRAM是从SGRAM发展而来，同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，它能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据。可以在不增加频率的情况下把数据传输率提高一倍。DDR SGRAM在性能上要强于DDR SDRAM，但其仍旧在成本上要高于DDR SDRAM，只在较少的产品上得到应用。而且其超频能力较弱，因其结构问题超频容易损坏。

DDR2与DDR的区别与DDR相比，DDR2最主要的改进是在内存模块速度相同的情况下，可以提供相当于DDR内存两倍的带宽。这主要是通过在每个设备上高效率使用两个DRAM核心来实现的。作为对比，在每个设备上DDR内存只能够使用一个DRAM核心。技术上讲，DDR2内存上仍然只有一个DRAM核心，但是它可以并行存取，在每次存取中处理4个数据而不是两个数据。与双倍速运行的数据缓冲相结合，DDR2内存实现了在每个时钟周期处理多达4bit的数据，比传统DDR内存可以处理的2bit数据高了一倍。DDR2内存另一个改进之处在于，它采用FBGA封装方式替代了传统的TSOP方式。然而，尽管DDR2内存采用的DRAM核心速度和DDR的一样，但是我们仍然要使用新主板才能搭配DDR2内存，因为DDR2的物理规格和DDR是不兼容的。首先是接口不一样，DDR2的针脚数量为240针，而DDR内存为184针；其次，DDR2内存的VDIMM电压为1.8V，也和DDR内存的2.5V不同。DDR2（Double Data Rate 2） SDRAM是由JEDEC（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代DDR内存技术标准最大的不同就是，虽然同是采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但DDR2内存却拥有两倍于上一代DDR内存预读取能力（即4bit数据预读取）。换句话说，DDR2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于DDR2标准规定所有DDR2内存均采用FBGA封装形式，而不同于目前广泛应用的TSOP/TSOP-II封装形式，FBGA封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为DDR2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起DDR的发展历程，从第一代应用到个人电脑的DDR200经过DDR266、DDR333到今天的双通道DDR400技术，第一代DDR的发展也走到了技术的极限，已经很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着Intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的DDR2内存将是大势所趋。

SDRAM里面的信息只能保留几十毫秒，所以需要不断刷新状态。这里面的同步指的是刷新和读写时钟和系统时钟公用，也就是同步。异步指的是刷新和读写时钟和系统时钟不同。系统时钟指的是总线时钟，比如PCI总线，CPU外部时钟等等。

一、指代不同1、DIMM：双列直插式存储模块，是指奔腾CPU推出后出现的新型内存条，提供了64位的数据通道。2、SO-DIMM：小外形双双列直插式内存模块，是一种采用集成电路的计算机存储器。二、结构不同1、DIMM：金手指两端不像SIMM那样是互通的，各自独立传输信号，因此可以满足更多数据信号的传送需要。2、SO-DIMM：在功率和电压额定值上或多或少等同DIMM，并且尽管存储器模块的尺寸较小，SO-DIMM技术并不会比较大的DIMM得到更低的性能。三、特点不同1、DIMM：采用184Pin DIMM结构，金手指每面有92Pin，金手指上只有一个卡口。2、SO-DIMM：经常用于空间有限的系统，例如笔记本电脑、基于Mini-ITX主板的小体积个人计算机，高端可升级办公打印机，以及诸如路由器、NAS设备等网络硬件。参考资料来源：百度百科-SO-DIMM参考资料来源：百度百科-DIMM

传统的SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。内存从形态上区分，主要有simm内存条和dimm内存条两种。“simm”即单列直插存储模块，它有30线和70线之分，不过目前30线的simm内存条已经十分少见了，它主要使用在早期的486上，现在较多一些的是72线的simm内存条，这种simm在高档486和早期的586上比较常用。“dimm”即双列直插存储模块，它的引脚有168个，所以也叫做168线内存。这两种内存的识别方法十分简单，dimm内存采用了直接插入的边缘连接方式，而且dimm内存比较长，simm内存在尺寸上比dimm短许多，安装时必须倾斜插入内存插槽中，再用力扶正，simm两端有两个孔，当simm安装到位时，插槽两端的簧片会嵌入孔中，以固定内存。

1楼正解

1.SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器，同步是指 Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写。SDRAM从发展到现在已经经历了四代，分别是：第一代SDR SDRAM，第二代DDR SDRAM，第三代DDR2 SDRAM，第四代DDR3 SDRAMDDR3内存。它属于SDRAM家族的内存产品，提供了相较于DDR2 SDRAM更高的运行效能与更低的电压，是DDR2 SDRAM（四倍资料率同步动态随机存取内存）的后继者（增加至八倍），也是现时流行的内存产品。 　　DDR3 SDRAM为了更省电、传输效率更快，使用了SSTL 15的I/O接口，运作I/O电压是1.5V，采用CSP、FBGA封装方式包装，除了延续DDR2 SDRAM的ODT、OCD、Posted CAS、AL控制方式外，另外新增了更为精进进的CWD、Reset、ZQ、SRT、PASR功能。 　　CWD是作为写入延迟之用，Reset提供了超省电功能的命令，可以让DDR3 SDRAM内存颗粒电路停止运作、进入超省电待命模式，ZQ则是一个新增的终端电阻校准功能，新增这个线路脚位提供了ODCE（On Die Calibration Engline）用来校准ODT（On Die Termination）内部中断电阻，新增了SRT（Self-Reflash Temperature）可编程化温度控制内存时脉功能，SRT的加入让内存颗粒在温度、时脉和电源管理上进行优化，可以说在内存内，就做了电源管理的功能，同时让内存颗粒的稳定度也大为提升，确保内存颗粒不致于工作时脉过高导致烧毁的状况，同时DDR3 SDRAM还加入PASR（Partial Array Self-Refresh）局部Bank刷新的功能，可以说针对整个内存Bank做更有效的资料读写以达到省电功效。2.DDR=Double Data Rate双倍速率同步动态随机存储器。严格的说DDR应该叫DDR SDRAM，人们习惯称为DDR，其中，SDRAM 是Synchronous Dynamic Random Access Memory的缩写，即同步动态随机存取存储器。而DDR SDRAM是Double Data Rate SDRAM的缩写，是双倍速率同步动态随机存储器的意思。DDR内存是在SDRAM内存基础上发展而来的，仍然沿用SDRAM生产体系，因此对于内存厂商而言，只需对制造普通SDRAM的设备稍加改进，即可实现DDR内存的生产，可有效的降低成本。与SDRAM相比：DDR运用了更先进的同步电路，使指定地址、数据的输送和输出主要步骤既独立执行，又保持与CPU完全同步；DDR使用了DLL(Delay Locked Loop，延时锁定回路提供一个数据滤波信号)技术，当数据有效时，存储控制器可使用这个数据滤波信号来精确定位数据，每16次输出一次，并重新同步来自不同存储器模块的数据。DDR本质上不需要提高时钟频率就能加倍提高SDRAM的速度，它允许在时钟脉冲的上升沿和下降沿读出数据，因而其速度是标准SDRAM的两倍。 　　从外形体积上DDR与SDRAM相比差别并不大，他们具有同样的尺寸和同样的针脚距离。但DDR为184针脚，比SDRAM多出了16个针脚，主要包含了新的控制、时钟、电源和接地等信号。DDR内存采用的是支持2.5V电压的SSTL2标准，而不是SDRAM使用的3.3V电压的LVTTL标准。这个也缩写为DDR，不过似乎与你问的没啥关系。拨号路由选择dial-on demand routing (ddr)是用公共电话网提供了网络连接。通常的，广域网大多数使用专线连接的，路由器连接到类似MODEM OR ISDNTAS 的数据终端DCE设备上，他们支持同步V.25BITS协议，你可以用SCRIPTS AND DIALER命令设定拨号串。3.RDRAM（Rambus DRAM）是美国的RAMBUS公司开发的一种内存。与DDR和SDRAM不同，它采用了串行的数据传输模式。在推出时，因为其彻底改变了内存的传输模式，无法保证与原有的制造工艺相兼容，而且内存厂商要生产RDRAM还必须要加纳一定专利费用，再加上其本身制造成本，就导致了RDRAM从一问世就高昂的价格让普通用户无法接收。而同时期的DDR则能以较低的价格，不错的性能，逐渐成为主流，虽然RDRAM曾受到英特尔公司的大力支持，但始终没有成为主流。 　　RDRAM的数据存储位宽是16位，远低于DDR和SDRAM的64位。但在频率方面则远远高于二者，可以达到400MHz乃至更高。同样也是在一个时钟周期内传输两次次数据，能够在时钟的上升期和下降期各传输一次数据，内存带宽能达到1.6Gbyte/s。 　　普通的DRAM行缓冲器的信息在写回存储器后便不再保留，而RDRAM则具有继续保持这一信息的特性，于是在进行存储器访问时，如行缓冲器中已经有目标数据，则可利用，因而实现了高速访问。另外其可把数据集中起来以分组的形式传送，所以只要最初用24个时钟，以后便可每1时钟读出1个字节。一次访问所能读出的数据长度可以达到256字节。

DIMM是内存模组的一种。so-dimm指的是内存条中的小板。比一般的短，针脚也更少。一般用于上网本SDRAM是内存的一种，就是 我们一般所认为的内存条。注意前一个内存比后一个内存包含的范围大SDRAM:Synchronous Dynamic Random Access Memory，同步动态随机存储器

张诚改编自原著同名篇章。

分类: 电脑/网络 >> 硬件 问题描述: DDR和SDR有什么区别？ 解析: DDR是Double Data Rate的缩写（双倍数据速率），DDR SDRAM内存技术是从几年前主流的PC66，PC100，PC133 SDRAM技术发展而来。它在工作的时候通过时钟频率的上行和下行都可以传输数据（SDRAM只能通过下行传输），因此在频率相等的情况下拥有双倍于SDRAM的带宽。另外DDR内存的DIMM是184pins，而SDRAM则是168pins。因此，DDR内存不向后兼容SDRAM。 传统的SDR SDRAM只能在信号的上升沿进行数据传输，而DDR SDRAM却可以在信号的上升沿和下降沿都进行数据传输，所以DDR内存在每个时钟周期都可以完成两倍于SDRAM的数据传输量，这也是DDR的意义——Double Data Rate，双倍数据速率。举例来说，DDR266标准的DDR SDRAM能提供2.1GB/s的内存带宽，而传统的PC133 SDRAM却只能提供1.06GB/s的内存带宽。 一般的内存条会注明CL值，此数值越低表明内存的数据读取周期越短，性能也就越好，DDR SDRAM的CL常见值一般为2和2.5两种。DDR DDR是双倍数据速率(Double Data Rate)。DDR与普通同步动态随机存储器（DRAM）非常相象。普通同步DRAM（现在被称为SDR）与标准DRAM有所不同。 标准的DRAM接收的地址命令由二个地址字组成。为接省输入管脚，采用了多路传输的方案。第一地址字由原始地址选通（RAS）锁存在DRAM芯片。紧随RAS命令之后，列地址选通（CAS）锁存第二地址字。经过RAS和CAS，存储的数据可以被读取。 同步动态随机存储器（SDR DRAM)由一个标准DRAM和时钟组成，RAS、CAS、数据有效均在时钟脉冲的上升边沿被启动。根据时钟指示，可以预测数据和剩余指令的位置。因而，数据锁存选通可以精确定位。由于数据有效窗口的可预计性，所以可将存储器划分成4个区进行内部单元的预充电和预获取。通过脉冲串模式，可进行连续地址获取而不必重复RAS选通。连续CAS选通可对来自相同源的数据进行再现。 DDR存储器与SDR存储器工作原理基本相同，只不过DDR在时钟脉冲的上升和下降沿均读取数据。新一代DDR存储器的工作频率和数据速率分别为200MHz和266MHz，与此对应的时钟频率为100MHz和133MHz。 SDR DRAM是动态存储器(Dynamic RAM)的缩写SDRAM是英文SynchronousDRAM的缩写，译成中文就是同步动态存储器的意思。从技术角度上讲，同步动态存储器(SDRAM)是在现有的标准动态存储器中加入同步控制逻辑(一个状态机)，利用一个单一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提高系统表现，还能简化设计、提供高速的数据传输。在功能上，它类似常规的DRAM，且也需时钟进行刷新。可以说，SDRAM是一种改善了结构的增强型DRAM。目前的SDRAM有10ns和8ns。

两种是不同规格的内存，SDR最多支持到133DDR是从266开始的。830PM是什么板子不知道哦！！~~

sdram的管教什么线是168线。台式机使用的SDRAM为168线的管脚接口，具有64bit的带宽，工作电压为3.3伏，目前最快的内存模块为5.5纳秒。

1、SDRAM要不停的刷新，按容量的不同,在64ms秒内，要auto refresh 2048/4096/8192行。刷新一行需要n个clock，时钟周期为T.2、如果时钟频率太低，则64ms不能完成所有行的刷新，导致数据丢失。3、最低频率：2048/4096/8192 x nT < 64ms。

IC:(integrated circuit)集成电路，通过特殊工艺在单一硅片上集成若干晶体管，实现需若干分立元件才能实现的功能。 EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory）,同步动态随机存取存储器,百度百科上这样描述：“同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写”。DRAM：（Dynamic Random Access Memory），动态随机存储器。不知道你的模电、数电学得怎样，以及有没有实际接触过电子元器件，你问这些问题好像你对电子一无所知似的，所以我没法进一步跟你解释SDRAM和DRAM，以及他们的区别和优缺点，顺便问一句，你是做电子元器件销售的吗？