低温生长，气相反应中各种活性基团的相对浓度决定表面和空间的成核。增大SiCl浓度，有利于提高表面成核数密度，而适当降低SiCl浓度，提高SiClx (x >1)浓度，有利于促进空间成核，抑制表面的成核数密度。空间各种活性基团的相对浓度由空间气相反应决定，因此可通过调节工艺参量控制空间反应过程，从而改变空间各种活性基团的相对浓度，以获得较大的晶粒和较高的晶化度。快速热退火法，晶核的存在对硅薄膜的再结晶起到了种子的作用，而退火中升温阶段的升温速率对薄膜中晶核的早期形成具有重要的作用。同等条件下，升温速率越大，晶核形成越少；反之，升温速率越小，则晶核形成越多。快速升温不利于晶核的形成。另外，在同等条件下，降温速率越小，得到的晶粒尺寸越大，降温速率越大，得到的晶粒尺寸越小。可以通过控制退火过程中升温速率和降温速率进而控制所得薄膜的晶粒尺寸大小。
