eeprom

IC:(integrated circuit)集成电路，通过特殊工艺在单一硅片上集成若干晶体管，实现需若干分立元件才能实现的功能。 EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。SDRAM：（Synchronous Dynamic Random Access Memory）,同步动态随机存取存储器,百度百科上这样描述：“同步是指Memory工作需要同步时钟，内部的命令的发送与数据的传输都以它为基准；动态是指存储阵列需要不断的刷新来保证数据不丢失；随机是指数据不是线性依次存储，而是自由指定地址进行数据读写”。DRAM：（Dynamic Random Access Memory），动态随机存储器。不知道你的模电、数电学得怎样，以及有没有实际接触过电子元器件，你问这些问题好像你对电子一无所知似的，所以我没法进一步跟你解释SDRAM和DRAM，以及他们的区别和优缺点，顺便问一句，你是做电子元器件销售的吗？

一．基本工作原理 基本工作原理 1、存储器构造 、 存储器就是用来存放数据的地方。它是利用电平的高低来存放数据的，也就是说，它存 放的实际上是电平的高、低，而不是我们所习惯认为的 1234 这样的数字，这样，我们的一 个谜团就解开了，计算机也没什么神秘的吗。 图1 图2 让我们看图 1。这是一个存储器的示意图：一个存储器就像一个个的小抽屉，一个小抽 屉里有八个小格子，每个小格子就是用来存放“电荷”的，电荷通过与它相连的电线传进来 或释放掉， 至于电荷在小格子里是怎样存的， 就不用我们操心了， 你可以把电线想象成水管， 小格子里的电荷就像是水，那就好理解了。存储器中的每个小抽屉就是一个放数据的地方， 我们称之为一个“单元” 。 有了这么一个构造，我们就可以开始存放数据了，想要放进一个数据 12，也就是 00001100， 我们只要把第二号和第三号小格子里存满电荷， 而其它小格子里的电荷给放掉就 行了（看图 2） 。可是问题出来了，看图 1，一个存储器有好多单元，线是并联的，在放入电 荷的时候， 会将电荷放入所有的单元中， 而释放电荷的时候， 会把每个单元中的电荷都放掉， 这样的话， 不管存储器有多少个单元， 都只能放同一个数， 这当然不是我们所希望的， 因此， 要在结构上稍作变化，看图 1，在每个单元上有个控制线，我想要把数据放进哪个单元，就 给一个信号这个单元的控制线，这个控制线就把开关打开，这样电荷就可以自由流动了，而 其它单元控制线上没有信号，所以开关不打开，不会受到影响，这样，只要控制不同单元的 控制线，就可以向各单元写入不同的数据了，同样，如果要某个单元中取数据，也只要打开 相应的控制开关就行了。 2、存储器译码 、 那么， 我们怎样来控制各个单元的控制线呢？这个还不简单， 把每个单元的控制线都引 到集成电路的外面不就行了吗？事情可没那么简单，一片 27512 存储器中有 65536 个单元， 把每根线都引出来， 这个集成电路就得有 6 万多个脚？不行， 怎么办？要想法减少线的数量。 我们有一种方法称这为译码，简单介绍一下：一根线可以代表 2 种状态，2 根线可以代表 4 种状态，3 根线可以代表几种，256 种状态又需要几根线代表？8 种，8 根线，所以 65536 种状态我们只需要 16 根线就可以代表了。 3、存储器的选片及总线的概念 、 至此，译码的问题解决了，让我们再来关注另外一个问题。送入每个单元的八根线是用 从什么地方来的呢？它就是从计算机上接过来的， 一般地， 这八根线除了接一个存储器之外， 还要接其它的器件 。这样问题就出来了，这八根线既然不是存储器和计算机之间专用的，如 果总是将某个单元接在这八根线上，就不好了，比如这个存储器单元中的数值是 0FFH 另一 个存储器的单元是 00H，那么这根线到底是处于高电平，还是低电平？岂非要打架看谁历害 了？所以我们要让它们分离。办法当然很简单，当外面的线接到集成电路的引脚进来后，不 直接接到各单元去，中间再加一组开关就行了。平时我们让开关打开着，如果确实是要向这 个存储器中写入数据，或要从存储器中读出数据，再让开关接通就行了。这组开关由三根引 线选择：读控制端、写控制端和片选端。要将数据写入片中，先选中该片， 然后发出写信号， 开关就合上了，并将传过来的数据（电荷）写入片中。如果要读，先选中该片，然后发出读 信号，开关合上，数据就被送出去了。读和写信号同时还接入到另一个存储器，但是由于片 选端不同， 所以虽有读或写信号，但没有片选信号， 所以另一个存储器不会“误会” 而开门， 造成冲突。 那么会不同时选中两片芯片呢？只要是设计好的系统就不会， 因为它是由计算控 制的，而不是我们人来控制的，如果真的出现同时出现选中两片的情况，那就是电路出了故 障了，这不在我们的讨论之列。 从上面的介绍中我们已经看到，用来传递数据的八根线并不是专用的，而是很多器件 大家共用的，所以我们称之为数据总线，总线英文名为 BUS，总即公交车道，谁者可以走。 而十六根地址线也是连在一起的，称之为地址总线。 二．存储器的种类及原理： 存储器的种类及原理： 及原理 1.RAM / ROM 存储器 1. ROM 和 RAM 指的都是半导体存储器，ROM 是 Read Only Memory 的缩写，RAM 是 Random Access Memory 的缩写。ROM 在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而 RAM 通常都是在 掉电之后就丢失数据，典型的 RAM 就是计算机的内存。 2. RAM 随机存取存储器（RAM）是计算机存储器中最为人熟知的一种。之所以 RAM 被称为“随机 存储”，是因为您可以直接访问任一个存储单元，只要您知道该单元所在记忆行和记忆列的 地址即可。 RAM 有两大类： 1) 静态 RAM（Static RAM / SRAM），SRAM 速度非常快，是目前读写最快的存储设 备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如 CPU 的一级缓冲，二级 缓冲。 2) 动态 RAM （Dynamic RAM / DRAM） DRAM 保留数据的时间很短， ， 速度也比 SRAM 慢，不过它还是比任何的 ROM 都要快，但从价格上来说 DRAM 相比 SRAM 要便宜很多， 计算机内存就是 DRAM 的。 类似于微处理器， 存储器芯片也是一种由数以百万计的晶体管和电容器 构成的集成电路 （IC）。计算机存储器中最为常见的一种是动态随机存取存储器（DRAM），在 DRAM 中晶体 管和电容器合在一起就构成一个存储单元，代表一个数据位元。电容器保存信息位——0 或 1（有关位的信息，请参见位和字节）。晶体管起到了开关的作用，它能让内存芯片上的控 制线路读取电容上的数据，或改变其状态。 电容器就像一个能够储存电子的小桶。要在存储单元中写入 1，小桶内就充满电子。要 写入 0，小桶就被清空。电容器桶的问题在于它会泄漏。只需大约几毫秒的时间，一个充满 电子的小桶就会漏得一干二净。因此，为了确保动态存储器能正常工作，必须由 CPU 或是由 内存控制器对所有电容不断地进行充电，使它们在电子流失殆尽之前能保持 1 值。为此，内 存控制器会先行读取存储器中的数据， 然后再把数据写回去。 这种刷新操作每秒钟要自动进 行数千次如（图 3 所示） 图 3 动态 RAM 存储单元中的电容器就像是一个漏水的小桶。 它需要定时刷新，否则电子泄漏会使它变为 0 值。 动态 RAM 正是得名于这种刷新操作。 动态 RAM 需要不间断地进行刷新， 否则就会丢失它 所保存的数据。这一刷新动作的缺点就是费时，并且会降低内存速度。 存储单元由硅晶片蚀刻而成，位于由记忆列（位线） 和记忆行（字线） 组成的阵列之中。 位线和字线相交，就形成了存储单元的地址。 图 4 将位元排列在二维栅格中，就构成了内存。 在上图中，红色的存储单元代表 1 值，而白色的存储单元代表 0 值。 在演示动画片中，先选出一个记忆列，然后对记忆行进行充电以将数据写入指定的记忆列中。 DRAM 工作时会向选定的记忆列（CAS）发送电荷，以激活该记忆列上每个位元处的晶体 管。写入数据时，记忆行线路会使电容保持应有状态。读取数据时，由灵敏放大器测定电容 器中的电量水平。如果电量水平大于 50%，就读取 1 值；否则读取 0 值。计数器会跟踪刷新 序列，即记录下哪些行被访问过，以及访问的次序。完成全部工作所需的时间极短，需要以 纳秒（十亿分之一秒）计算。存储器芯片被列为 70 纳秒级的意思是，该芯片读取单个存储 单元并完成再充电总共需要 70 纳秒。 如果没有读写信息的策略作为支持， 存储单元本身是毫无价值的。 所以存储单元拥有一 整套由其他类型的专用电路构成的底层设施。这些电路具有下列功能： 判别记忆行和记忆列的地址（行选址和列选址） 记录刷新序列（计数器） 从存储单元中读取、恢复数据（灵敏放大器） 告知存储单元是否接受电荷（写保护） 内存控制器要执行其他一些任务， 包 括识别存储器的类型、 速度和容量， 以及检错等等。 静态 RAM 使用了截然不同的技术。 静态 RAM 使用某种触发器来储存每一位内存信息 （有 关触发器的详细信息，请查见布尔逻辑的应用） 。存储单元使用的触发器是由引线将 4-6 个 晶体管连接而成， 但无须刷新。 这使得静态 RAM 要比动态 RAM 快得多。 但由于构造比较复杂， 静态 RAM 单元要比动态 RAM 占据更多的芯片空间。 所以单个静态 RAM 芯片的存储量会小一些， 这也使得静态 RAM 的价格要贵得多。静态 RAM 速度快但价格贵，动态 RAM 要便宜一些，但速 度更慢。因此，静态 RAM 常用来组成 CPU 中的高速缓存，而动态 RAM 能组成容量更大的系统 内存空间。 3. ROM ROM 也分为很多种： 1) 掩膜式 ROM 芯片生产厂家在制造芯片过程中把程序一并做在芯片内部,这就是二次光刻版图形(掩 膜)。存储阵列中的基本存储单元仅由一只 MOS 管构成，或缺省，凡有 MOS 管处表示存储 0， 反之为 1. 工厂在生产时,根据客户提供的内容,决定是否布下只 MOS 管. 用户在生产好后, 是不能改写的( 难道撬开芯片,加个 MOS 管上去?) 由于集成电路生产的特点， 要求一个批次的掩膜 ROM 必须达到一定的数量 （若十个晶圆） 才能生产，否则将极不经济。掩膜 ROM 既可用双极性工艺实现，也可以用 CMOS 工艺实现。 掩膜 ROM 的电路简单，集成度高，大批量生产时价格便宜。 2) 一次性可编程 ROM（PROM= ROM（PROM=Programmable ROM） ） 允许一次编程 存储阵列除了三极管之外，还有熔点较低的连线（熔断丝）串接在每只存储三极管的某 一电极上，例如发射极. 编程之前，存储信息全为 0，或全为 1，编程写入时，外加比工作 电压高的编程电压，根据需要使某些存储三极管通电，由于此时电流比正常工作电流大，于 是熔断丝熔断开路，一旦开路之后就无法恢复连通状态，所以只能编程一次。如果把开路的 三极管存储的信息当作 0，反之，存储的信息就为 1 3) 紫外线擦除可编程 ROM（EPROM= 紫外线擦除可编程 ROM（EPROM=Erasable PROM） ） 用紫外线擦除后编程,并可多次擦除多次编程 FAMOS 管与 MOS 管结构相似，它是在 N 型半导体基片上生长出两个高浓度的 P 型区，通 过欧姆接触分别引出漏极 D 和源极 S，在漏源之间的 SiO2 绝缘层中，包围了一多晶硅材料， 与四周无直接电气连接，称之为浮置栅极，在对其编程时，在漏源之间加上编程电压（高于 工作电压）时，会产生雪崩击穿现象，获得能量的电子会穿过 SiO2 注入到多晶硅中，编程 结束后， 在漏源之间相对感应出的正电荷导电沟道将会保持下来， 如果将漏源之间感应出正 电荷导电沟道的 MOS 管表示存 入 0，反之，浮置栅不带负电，即漏源之间无正电荷导电沟道 的 MOS 管表示存入 1 状态 在 EPROM 芯片的上方， 有一圆形石英窗， 从而允许紫外线穿过透明的圆形石英窗而照射 到半导体芯片上，将它放在紫外线光源下一般照射 10 分钟左右，EPROM 中的内容就被抹掉， 即所有浮置栅 MOS 管的漏源处于断开状态，然后，才能对它进行编程输入 出厂未编程前，每个基本存储单元都是信息 1, 编程就是将某些单元写入信息 0 EPROM 是采用浮栅技术生产的可编程存储器，它的存储单元多采用 N 沟道叠栅 MOS 管 （SIMOS） ，其结构及符号如图 12.2.1(a)所示。除控制栅外，还有一个无外引线的栅极，称 为浮栅。当浮栅上无电荷时，给控制栅（接在行选择线上）加上控制电压，MOS 管导通； 而当浮栅上带有负电荷时，则衬底表面感应的是正电荷，使得 MOS 管的开启电压变高，如 图 12.1.3(b)所示，如果给控制栅加上同样的控制电压，MOS 管仍处于截止状态。由此可见， SIMOS 管可以利用浮栅是否积累有负电荷来存储二值数据。 （a） 叠栅 MOS 管的结构及符号图 （b） 叠栅 MOS 管浮栅上积累电子与开启电压的关系 图 6 叠栅 MOS 管 在写入数据前，浮栅是不带电的，要使浮栅带负电荷，必须在 SIMOS 管的漏、栅极 加上足够高的电压（如 25V） ，使漏极及衬底之间的 PN 结反向击穿，产生大量的高能电子。 这些电子穿过很薄的氧化绝缘层堆积在浮栅上， 从而使浮栅带有负电荷。 当移去外加电压后, 浮栅上的电子没有放电回路，能够长期保存。当用紫外线或 X 射线照射时，浮栅上的电子形 成光电流而泄放， 从而恢复写入前的状态。 照射一般需要 15 至 20 分钟。 为了便于照射擦除， 芯片的封装外壳装有透明的石英盖板。EPROM 的擦除为一次全部擦除，数据写入需要通用或 专用的编程器。 ROM（ EPROM） 4) 电擦除可编程 ROM（EEPROM = Electrically EPROM） 加电擦除,也可以多次擦除, 可以按字节编程。 在 EPROM 基本存储单元电路的浮置栅 MOS 管 T1 上面再生成一个浮置栅 MOS 管 T2， T2 将 浮置栅引出一个电极，使该电极接某一电压 VG2，若 VG2 为正电压，T1 浮置栅极与漏极之间 产生一个隧道效应，使电子注入 T1 浮置栅极，于是 T1 的漏源接通，便实现了对该位的写入 编程。 用加电方法，进行在线（无需拔下，直接在电路中）擦写（擦除和编程一次完成）有字 节擦写、 块擦写和整片擦写方法， 按字节为单位进行擦除和写入， 擦除和写入是同一种操作， 即都是写入，只不过擦除是固定写“1”而已，在擦除时，输入的数据是 TTL 高电平。 EEPROM 在进行字节改写之前自动对所要写入的字节单元进行 擦除， 只需要像写普通 CPU RAM 一样写其中某一字节， 但一定要等到 5ms 之后， CPU 才能接着对 EEPROM 进行下一次写入 操作，因而，以字节为单元写入是常用的一种简便方式。 写入操作时，首先把待写入数据写入到页缓冲器中，然后，在内部定时电路的控制下把 页缓冲器中的所有数据写入到 EEPROM 中所指定的存储单元，显然，相对字节写入方式，第 二种方式的效率高，写入速度快。 EEPROM 也是采用浮栅技术生产的可编程存储器，构成存储单元的 MOS 管的结构如图 12.2.2 所示。它与叠栅 MOS 管的不同之处在于浮栅延长区与漏区之间的交叠处有一个厚度 约为 80 埃的薄绝缘层，当漏极接地，控制栅加上足够高的电压时，交叠区将产生一个很强 的电场， 在强电场的作用下， 电子通过绝缘层到达浮栅， 使浮栅带负电荷。 这一现象称为“隧 道效应”，因此，该 MOS 管也称为隧道 MOS 管。相反，当控制栅接地漏极加一正电压，则产 生与上述相反的过程，即浮栅放电。与 SIMOS 管相比，隧道 MOS 管也是利用浮栅是否积累 有负电荷来存储二值数据的， 不同的是隧道 MOS 管是利用电擦除的， 并且擦除的速度要快得 多。 EEPROM 电擦除的过程就是改写过程，它是以字为单位进行的。EEPROM 具有 ROM 的非易 失性， 又具备类似 RAM 的功能， 可以随时改写 （可重复擦写 1 万次以上） 目前， 。 大多数 EEPROM 芯片内部都备有升压电路。因此，只需提供单电源供电，便可进行读、擦除/写操作，为数 字系统的设计和在线调试提供了极大的方便。 图 7 隧道 MOS 管剖面结构示意图 图 8 快闪存储器存储单元 MOS 管剖面结构示意图 5) Flash 闪存 快速擦写,但只能按块编程 快闪存储器存储单元的 MOS 管结构与 SIMOS 管类似， 如图 12.2.3 所示。 但有两点不同， 一是快闪存储器存储单元 MOS 管的源极 N+区大于漏极 N+区， SIMOS 管的源极 N+区和漏极 而 N＋区是对称的；二是浮栅到 P 型衬底间的氧化绝缘层比 SIMOS 管的更薄。这样，可以通过 在源极上加一正电压，使浮栅放电，从而擦除写入的数据。由于快闪存储器中存储单元 MOS 管的源极是连接在一起的，所以不能象 E2PROM 那样按字擦除，而是类似 EPROM 那样整片擦 除或分块擦除。整片擦除只需要几秒钟，不像 EPROM 那样需要照射 15 到 20 分钟。快闪存储 器中数据的擦除和写入是分开进行的， 数据写入方式与 EPROM 相同， 需输入一个较高的电压， 因此要为芯片提供两组电源。一个字的写入时间约为 200 微秒，一般可以擦除/写入 100 次 以上。 新型的 FLASH，例如 320C3B 等，在常规存储区域后面还有 128Bit 的特殊加密，其中前 64Bit（8 字节）是唯一 器件码（64BitUniqueDeviceIdentifier）,每一片 Flash 在出厂时 已经带有，并且同一种 Flash 型号不会有相同的编码，哪怕这个字库是全新空白的字库。后 来 64Bit 为用户可编程 OTP 单元 （64BitUserProgrammableOTPCells） ,可以由用户自用设定， 单只能写入，不能擦除。

先说RAM吧！！由字面意思就可以理解，SDRAM SRAM DRAM都可以统称RAM，random access memory的缩写，只是前面加了几个修饰词而已。SRAM：静态随机存储器，就是它不需要刷新电路，不像动态随机存储器那样，每隔一段时间就要刷新一次数据。但是他集成度比较低，不适合做容量大的内存，一般是用在处理器的缓存里面。像S3C2440的ARM9处理器里面就有4K的SRAM用来做CPU启动时用的。SDRAM：同步动态随机存储器，像电脑的内存就是用的这种RAM叫DDR SDRAM。其集成度非常高，因为是动态的，所以必须有刷新电路，每隔一段时间必须得刷新数据。其存储单元不是按线性排列的，是分页的。一般的嵌入式产品里面的内存都是用的SDRAM。DRAM：动态随机存储器，SDRAM只是其中的一种吧，没用过，不怎么清楚。ROM：只读存储器的总称。PROM：可编程只读存储器，只能写一次，写错了就得报废，现在用得很少了，好像那些成本比较低的OPT单片机里面用的就是这种存储器吧。EPRM：没见过，不知道什么东西。网上也找不到相关的东西。是EPROM吧？EPROM：可擦除可编程存储器，这东西也比较古老了，是EEPROM的前身，在芯片的上面有个窗口，通过紫外线的照射来擦除数据。非常之麻烦。EEPROM：电可擦除可编程只读存储器，比之EPROM就先进点了，可以用电来擦除里面对数据，也是现在用得比较多的存储器，比如24CXX系列的EEPROM。NANDFLASH和NORFLASH都是现在用得比较多的非易失性闪存。NOR采用的并行接口，其特点读取的速度比之NAND快乐很多倍，其程序可以直接在NOR里面运行。但是它的擦除速度比较慢，集成度低，成本高的。现在的NOR的容量一般在2M左右，一般是用在代码量小的嵌入式产品方面。还有就是在ARM9的开发板上可以看见。而NAND呢，采用的是串行的接口，CPU从里面读取数据的速度很慢，所以一般用NAND做闪存的话就必须把NAND里面的数据先读到内存里面，然后CPU才能够执行。就跟电脑的硬盘样的。但是它的集成度很高，我的ARM9的开发板上面一块256M的NAND还没有一块2M的NOR的一半大，所以成本很低。还有就是它的擦除速度也的NOR要快。要不然的话那就真的悲剧了，假如擦除一块2M的NOR要一分钟，如果NAND的擦除速度比NOR还要慢，那擦除一块256M的NAND不是要几个小时。NAND一般是用在那些要跑大型的操作系统的嵌入式产品上面，比如LINUX啊，WINCE啊。NOR可是可以跑，可以把LINUX操作系统剪裁到2M以内，一个产品难道只去跑系统吗？用户的应用程序呢！其实很多时候，一个嵌入式产品里面，操作系统占的存储空间只是一小部分，大部分都是给用户跑应用程序的。就像电脑，硬盘都是几百G，可是WINDOWNS操作系统所占的空间也不过几G而已。我知道的都说了，忘采纳

【答案】：上述几种器件都是只读存储器，可互相代用，一般存储内容不要求经常改变，在计算机中作为监控程序存储器。但ROM是由生产厂将信息固化在其中出售，而PROM、EPROM和EEPROM则可由用户输入信息后固化，即是可编程的，存储矩阵的每个交叉点上均设置有存储元件。其中EPROM和EEPROM则还可以擦除原有信息，重新改写新的信息。

ROM：此内存的制造成本较低，常用于电脑中的开机启动如启动光盘，在系统装好的电脑上时，计算机将C盘目录下的操作系统文件读取至内存，然后通过cpu调用各种配件进行工作这时系统存放存储器为RAM。这种属于COMPACT DISC激光唱片，光盘就是这种。 PROM：可编程程序只读存储器（Programmable ROM，PROM）之内部有行列式的熔丝，是需要利用电流将其烧断，写入所需的资料，但仅能写录一次。 EPROM：可抹除可编程只读存储器（Erasable Programmable Read Only Memory，EPROM）可利用高电压将资料编程写入，抹除时将线路曝光于紫外线下，则资料可被清空，并且可重复使用。通常在封装外壳上会预留一个石英透明窗以方便曝光。 EEPROM ：是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后来数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑自上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。 我是不懂，我是帮你找出来并复制粘贴上去而已。

eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);eeprom_read(unsigned char addr);在头文件pic.h里，直接调用就行了，不用编写你要写的话可以参考此头文件里的写法

在你的C文件里引用EEPROM函数的头文件，eeprom_routines.h然后在程序中使用void eeprom_write(unsigned char addr, unsigned char value);unsigned char eeprom_read(unsigned char addr);这两个函数了。这两个函数一个读一个写。比如你想写0x10到地址为0x55的EEPROM，就写：eeprom_write(0x55,0x10);同理，如果想读取0x55地址处的值，就写：ee_value = eeprom_read(0x55);如果编译时编译器提示找不到eeprom_routines.h，可以在X:Program FilesHI-TECH SoftwarePICC9.81include 目录下找，然后复制到自己项目文件夹下。对了，我用的是MPLab IDE，编译器使用的是PICC

norflash,nandflash,EEPROM都是些非易失性存储器，它们都是基于悬浮栅晶体管结构，但具体实现工艺上有差异。EEPROM:(Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory),我把它译作电擦电写只读存储器，也有书本译作“电可擦可编程只读存储器”。特点是可掉电存储数据，缺点是存储速度较慢，且早期的EEPROM需高压操作，现在的EEPROM一般片内集成电压泵，读写速度小于250纳秒，使用很方便。FLASH：一般译为“闪存”，你可以理解为是EEPROM的一种，但存储速度较快，制作工艺优良，U盘的核心元件就是它。NandFlash一般比较大，而NorFlash都比较小，并且NorFlash比较贵，并且NorFlash写的速度比较慢，但读的速度比较快 ，而NandFlash读的速度比较慢，写的速度比较快.nandflash用于存储，而norflash除了存储数据功能外，还可以直接在上面运行程序。至于dataflash则是一个抽象概念，可以由norflash nandflash EEPROM构成。

从本人的维修经验来看无法识别，一是电脑无法识别USB设备。 二是USB设备不能被电脑识别。我们先要判断是电脑的问题还是USB设备的问题。我们可以用其他的USB设备来测试电脑有没有问题。 如果是电脑的问题。你的电脑是不是被病毒破坏。USB2.0的驱动是不是安装完好或版本不兼容。有没有软件冲突（先解决软件问题）一般情况出来一个安装驱动程序的提示。 如果是电脑硬件问题。我们先用万用表测量USB的四条线（红+5V 白DATA-数据- 绿DATA-数据- 黑 地线）万用表红表笔对地黑表笔测量（白线和渌线。的阻值不相差50欧，这两条线都是从南桥出来的，如果阻值变化过大则可以判断是南桥问题。说明USB在南桥内部的模块烧毁。 在来看看外面的USB设备现在很多都要驱动程序。即使没有驱动程序也不会出来无法识别的情况。出现无法识别的情况有几种。一USB数据线不通或接触不良一般都接触那个地方因为时间长可能里面生锈有胀东西还可能有东西在里面挡住了。二 USB线不通。红线不通什么反应也不会有，白线不通无法识别。绿线不通也是无法识别。白线和绿线不可以接反。也是无法识别。黑线不通也没有反应，这个测量的方法上面已经讲到。 注意.红线5V电压低也可导致无法识别. 三 USB机板内部问题。1晶振不良，不起振。2晶振电容不良（20P）有两个 3复位电容电阻不良。复位电压偏底偏高 4三端IC不良为IC提供电压不够5. 主IC不良 祝你好运!

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[导读] 我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储关键词：NOR flashNand flashFlaSh我们使用的智能手机除了有一个可用的空间（如苹果8G、16G等），还有一个RAM容量，很多人都不是很清楚，为什么需要二个这样的芯片做存储呢，这就是我们下面要讲到的。这二种存储设备我们都统称为“FLASH”，FLASH是一种存储芯片，全名叫Flash EEPROM Memory，通地过程序可以修改数据，即平时所说的“闪存”。Flash又分为NAND flash和NOR flash二种。U盘和MP3里用的就是这种存储器。相“flash存储器”经常可以与相“NOR存储器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处，因为大多数情况下闪存只是用来存储少量的代码，这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高数据存储密度的理想解决方案。NOR Flash 的读取和我们常见的 SDRAM 的读取是一样，用户可以直接运行装载在 NOR FLASH 里面的代码，这样可以减少 SRAM 的容量从而节约了成本。 NAND Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一块的形式来进行的， 通常是一次读取 512 个字节，采用这种技术的 Flash 比较廉价。用户 不能直接运行 NAND Flash 上的代码，因此好多使用 NAND Flash 的开发板除了使用 NAND Flah 以外，还作上了 一块小的 NOR Flash 来运行启动代码。NOR flash是intel公司1988年开发出了NOR flash技术。NOR的特点是芯片内执行（XIP, eXecute In Place），这样应用程序可以直接在flash 闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高，在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益，但是很低的写入和擦除 速度大大影响了它的性能。Nand-flash内存是flash内存的一种，1989年，东芝公司发表了NAND flash结构。其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如嵌入式产品中包括数码相机、MP3随身听记忆卡、体积小巧的U盘等。NAND flash和NOR flash原理一、存储数据的原理两种闪存都是用三端器件作为存储单元，分别为源极、漏极和栅极，与场效应管的工作原理 相同，主要是利用电场的效应来控制源极与漏极之间的通断，栅极的 电流消耗极小，不同 的是场效应管为单栅极结构，而 FLASH 为双栅极结构，在栅极与硅衬底之间增加了一个浮 置栅极。[attach]158 [/attach]浮置栅极是由氮化物夹在两层二氧化硅材料之间构成的，中间的氮化物就是可以存储电荷的 电荷势阱。上下两层氧化物的厚度大于 50 埃，以避免发生击穿。二、浮栅的重放电向数据单元内写入数据的过程就是向电荷势阱注入电荷的过程，写入数据有两种技术，热电 子注入(hot electron injection)和 F-N 隧道效应(Fowler Nordheim tunneling)，前一种是通过源 极给浮栅充电，后一种是通过硅基层给浮栅充电。NOR 型 FLASH 通过热电子注入方式给浮 栅充电，而 NAND 则通过 F-N 隧道效应给浮栅充电。在写入新数据之前，必须先将原来的数据擦除，这点跟硬盘不同，也就是将浮栅的电荷放掉， 两种 FLASH 都是通过 F-N 隧道效应放电。三、0 和 1这方面两种 FLASH 一样，向浮栅中注入电荷表示写入了"0"，没有注入电荷表示"1"，所以对 FLASH 清除数据是写 1 的，这与硬盘正好相反；对于浮栅中有电荷的单元来说，由于浮栅的感应作用，在源极和漏极之间将形成带正电的空 间电荷区，这时无论控制极上有没有施加偏置电压，晶体管都将处于 导通状态。而对于浮 栅中没有电荷的晶体管来说只有当控制极上施加有适当的偏置电压，在硅基层上感应出电 荷，源极和漏极才能导通，也就是说在没有给控制极施 加偏置电压时，晶体管是截止的。 如果晶体管的源极接地而漏极接位线，在无偏置电压的情况下，检测晶体管的导通状态就可 以获得存储单元中的数据，如果位线上的电平为低，说明晶体管处于 导通状态，读取的数 据为 0，如果位线上为高电平，则说明晶体管处于截止状态，读取的数据为 1。由于控制栅 极在读取数据的过程中施加的电压较小或根本不施加 电压，不足以改变浮置栅极中原有的 电荷量，所以读取操作不会改变 FLASH 中原有的数据。四、连接和编址方式两种 FLASH 具有相同的存储单元，工作原理也一样，为了缩短存取时间并不是对每个单元 进行单独的存取操作，而是对一定数量的存取单元进行集体操作， NAND 型 FLASH 各存 储单元之间是串联的，而 NOR 型 FLASH 各单元之间是并联的；为了对全部的存储单元有 效管理，必须对存储单元进行统一编址。NAND 的全部存储单元分为若干个块，每个块又分为若干个页，每个页是 512byte，就是 512 个 8 位数，就是说每个页有 512 条位线，每条位线下 有 8 个存储单元；那么每页存储的数 据正好跟硬盘的一个扇区存储的数据相同，这是设计时为了方便与磁盘进行数据交换而特意 安排的，那么块就类似硬盘的簇；容 量不同，块的数量不同，组成块的页的数量也不同。 在读取数据时，当字线和位线锁定某个晶体管时，该晶体管的控制极不加偏置电压，其它的 7 个都加上偏置电压 而导通，如果这个晶体管的浮栅中有电荷就会导通使位线为低电平， 读出的数就是 0，反之就是 1。NOR 的每个存储单元以并联的方式连接到位线，方便对每一位进行随机存取；具有专用的 地址线，可以实现一次性的直接寻址；缩短了 FLASH 对处理器指令的执行时间。 五、性能NAND flash和NOR flash的区别一、NAND flash和NOR flash的性能比较flash闪存是非易失存储器，可以对称为块的存储器单元块进行擦写和再编程。任何flash器件的写入操作只能在空或已擦除的单元内进行，所以大多数情况下，在进行写入操作之前必须先执行擦除。NAND器件执行擦除操作是十分简单的，而NOR则要求在进行擦除前先要将目标块内所有的位都写为0。由于擦除NOR器件时是以64～128KB的块进行的，执行一个写入/擦除操作的时间为5s，与此相反，擦除NAND器件是以8～32KB的块进行的，执行相同的操作最多只需要4ms。执行擦除时块尺寸的不同进一步拉大了NOR和NADN之间的性能差距，统计表明，对于给定的一套写入操作(尤其是更新小文件时)，更多的擦除操作必须在基于NOR的单元中进行。这样，当选择存储解决方案时，设计师必须权衡以下的各项因素。1、NOR的读速度比NAND稍快一些。2、NAND的写入速度比NOR快很多。3、NAND的4ms擦除速度远比NOR的5s快。4、大多数写入操作需要先进行擦除操作。5、NAND的擦除单元更小，相应的擦除电路更少。二、NAND flash和NOR flash的接口差别NOR flash带有SRAM接口，有足够的地址引脚来寻址，可以很容易地存取其内部的每一个字节。NAND器件使用复杂的I/O口来串行地存取数据，各个产品或厂商的方法可能各不相同。8个引脚用来传送控制、地址和数据信息。NAND读和写操作采用512字节的块，这一点有点像硬盘管理此类操作，很自然地，基于NAND的存储器就可以取代硬盘或其他块设备。三、NAND flash和NOR flash的容量和成本NAND flash的单元尺寸几乎是NOR器件的一半，由于生产过程更为简单，NAND结构可以在给定的模具尺寸内提供更高的容量，也就相应地降低了价格。NOR flash占据了容量为1～16MB闪存市场的大部分，而NAND flash只是用在8～128MB的产品当中，这也说明NOR主要应用在代码存储介质中，NAND适合于数据存储，NAND在CompactFlash、Secure Digital、PC Cards和MMC存储卡市场上所占份额最大。四、NAND flash和NOR flash的可靠性和耐用性采用flahs介质时一个需要重点考虑的问题是可靠性。对于需要扩展MTBF的系统来说，Flash是非常合适的存储方案。可以从寿命(耐用性)、位交换和坏块处理三个方面来比较NOR和NAND的可靠性。五、NAND flash和NOR flash的寿命(耐用性)在NAND闪存中每个块的最大擦写次数是一百万次，而NOR的擦写次数是十万次。NAND存储器除了具有10比1的块擦除周期优势，典型的NAND块尺寸要比NOR器件小8倍，每个NAND存储器块在给定的时间内的删除次数要少一些。六、位交换所有flash器件都受位交换现象的困扰。在某些情况下(很少见，NAND发生的次数要比NOR多)，一个比特位会发生反转或被报告反转了。一位的变化可能不很明显，但是如果发生在一个关键文件上，这个小小的故障可能导致系统停机。如果只是报告有问题，多读几次就可能解决了。当然，如果这个位真的改变了，就必须采用错误探测/错误更正(EDC/ECC)算法。位反转的问题更多见于NAND闪存，NAND的供应商建议使用NAND闪存的时候，同时使用七、EDC/ECC算法这个问题对于用NAND存储多媒体信息时倒不是致命的。当然，如果用本地存储设备来存储操作系统、配置文件或其他敏感信息时，必须使用EDC/ECC系统以确保可靠性。八、坏块处理NAND器件中的坏块是随机分布的。以前也曾有过消除坏块的努力，但发现成品率太低，代价太高，根本不划算。NAND器件需要对介质进行初始化扫描以发现坏块，并将坏块标记为不可用。在已制成的器件中，如果通过可靠的方法不能进行这项处理，将导致高故障率。九、易于使用可以非常直接地使用基于NOR的闪存，可以像其他存储器那样连接，并可以在上面直接运行代码。由于需要I/O接口，NAND要复杂得多。各种NAND器件的存取方法因厂家而异。在使用NAND器件时，必须先写入驱动程序，才能继续执行其他操作。向NAND器件写入信息需要相当的技巧，因为设计师绝不能向坏块写入，这就意味着在NAND器件上自始至终都必须进行虚拟映射。十、软件支持当讨论软件支持的时候，应该区别基本的读/写/擦操作和高一级的用于磁盘仿真和闪存管理算法的软件，包括性能优化。在NOR器件上运行代码不需要任何的软件支持，在NAND器件上进行同样操作时，通常需要驱动程序，也就是内存技术驱动程序(MTD)，NAND和NOR器件在进行写入和擦除操作时都需要MTD。使用NOR器件时所需要的MTD要相对少一些，许多厂商都提供用于NOR器件的更高级软件，这其中包括M-System的TrueFFS驱动，该驱动被Wind River System、Microsoft、QNX Software System、Symbian和Intel等厂商所采用。驱动还用于对DiskOnChip产品进行仿真和NAND闪存的管理，包括纠错、坏块处理和损耗平衡。

ISP（In-systemprogrammable）是在系统可编程：指的是不需要把单片机从目标系统板上取下来就可以直接从PC往单片机里面烧录程序。IAP（In-Applicationprogrammable）是在应用可编程：指的是可以通过单片机自身的程序修改单片机该程序区的内容；EEPROM功能是：在程序区1中的程序可以修改程序区2中的内容；通常程序区2中的内容不可以执行，只能当数据使用，功能相当于EEPROM；区别：ISP：从PC机修改单片机程序区的内容（即烧录）IAP：单片机自己修改自己程序区的内容EEPROM：单片机程序区1中的程序可以修改程序区2中的内容这么有技术含量的问题……你也好意思没给悬赏分！！！！！

门禁、考勤机控制器，IAP功能是做什么？谁能帮解释下？

你看下 这个是可以用的/********************************************************************************** * 工程名 ：内部EEPROM读写实验 * 描述 ：从EEPROM的地址0x0000起擦除一个扇区，再写512个字节，操作正确LED5闪烁， * 失败则LED6闪烁 **********************************************************************************/#include "STC15F2Kxx.h"#include "LED.H"#include "Delay.h"#include "intrins.h"#define CMD_IDLE 0x00 //空闲模式#define CMD_READ 0x01 //IAP字节读命令#define CMD_PROGRAM 0x02 //IAP字节编程命令#define CMD_ERASE 0x03 //IAP扇区擦除命令//#define ENABLE_IAP 0x80 //if SYSCLK<30MHz//#define ENABLE_IAP 0x81 //if SYSCLK<24MHz#define ENABLE_IAP 0x82 //if SYSCLK<20MHz//#define ENABLE_IAP 0x83 //if SYSCLK<12MHz//#define ENABLE_IAP 0x84 //if SYSCLK<6MHz//#define ENABLE_IAP 0x85 //if SYSCLK<3MHz//#define ENABLE_IAP 0x86 //if SYSCLK<2MHz//#define ENABLE_IAP 0x87 //if SYSCLK<1MHzunsigned char IapReadByte(unsigned int addr);void IapProgramByte(unsigned int addr, unsigned char dat);void IapEraseSector(unsigned int addr);/******************************************************************************** 函数名 : main* 描述 : 主函数，用户程序从main函数开始运行* 输入 : 无* 输出 : 无* 返回值 : 无* 说明 : 无*******************************************************************************/void main(void){ unsigned int i=0; Timer0_Init_Config();//定时器0 16位自动重载模式初始配置 while(1) { LED_ON();//点亮LED.P21 IapEraseSector(0x0000);//扇区擦除 Delay_Nms(10);//延时10ms for(i=0; i<512; i++)//检测是否擦除成功(全FF检测) { if(IapReadByte(0x0000+i) != 0xff)//如果擦除失败 { LED_OFF();//点亮LED.P21 goto ERROR; } } Delay_Nms(10);//延时10ms for(i=0; i<512; i++)//编程512字节 { IapProgramByte(0x0000+i, (unsigned char)i);//写一字节数据到ISP/IAP/EEPROM指定地址 } Delay_Nms(10);//延时10ms for (i=0; i<512; i++)//校验512字节 { if(IapReadByte(0x0000+i) != (unsigned char)i)//如果数据写入失败 { LED_OFF();//点亮LED.P21 goto ERROR; } } LED_OFF(); //点亮LED.P21 Delay_Nms(500);//延时10ms }ERROR://如果操作失败 while(1) { LED_ON(); //点亮LED.P21 Delay_Nms(250);//延时10ms LED_OFF(); //点亮LED.P21 Delay_Nms(250);//延时10ms }}/******************************************************************************** 函数名 : IapIdle* 描述 : 关闭IAP* 输入 : 无* 输出 : 无* 返回值 : 无* 说明 : STC15F2K60S2的EEPROM有1K，2个扇区，地址0x000~0x3ff*******************************************************************************/void IapIdle(){ IAP_CONTR = 0; //关闭IAP功能 IAP_CMD = 0; //清除命令寄存器 IAP_TRIG = 0; //清除触发寄存器 IAP_ADDRH = 0x80; //将地址设置到非IAP区域 IAP_ADDRL = 0;}/******************************************************************************** 函数名 : IapReadByte* 描述 : 从ISP/IAP/EEPROM指定地址读取一字节* 输入 : addr：地址，* 输出 : 无* 返回值 : dat：返回数据* 说明 : STC15F2K60S2的EEPROM有1K，2个扇区，地址0x000~0x3ff*******************************************************************************/unsigned char IapReadByte(unsigned int addr){ unsigned char dat; //数据缓冲区 IAP_CONTR = ENABLE_IAP; //使能IAP IAP_CMD = CMD_READ; //设置IAP命令 IAP_ADDRL = addr; //设置IAP低地址 IAP_ADDRH = addr >> 8; //设置IAP高地址 IAP_TRIG = 0x5a; //写触发命令(0x5a) IAP_TRIG = 0xa5; //写触发命令(0xa5) _nop_(); //等待ISP/IAP/EEPROM操作完成 dat = IAP_DATA; //读ISP/IAP/EEPROM数据 IapIdle(); //关闭IAP功能 return dat; //返回}/******************************************************************************** 函数名 : IapProgramByte* 描述 : 写一字节数据到ISP/IAP/EEPROM指定地址* 输入 : addr：地址，dat：数据* 输出 : 无* 返回值 : 无* 说明 : STC15F2K60S2的EEPROM有1K，2个扇区，地址0x000~0x3ff*******************************************************************************/void IapProgramByte(unsigned int addr, unsigned char dat){ IAP_CONTR = ENABLE_IAP; //使能IAP IAP_CMD = CMD_PROGRAM; //设置IAP命令 IAP_ADDRL = addr; //设置IAP低地址 IAP_ADDRH = addr >> 8; //设置IAP高地址 IAP_DATA = dat; //写ISP/IAP/EEPROM数据 IAP_TRIG = 0x5a; //写触发命令(0x5a) IAP_TRIG = 0xa5; //写触发命令(0xa5) _nop_(); //等待ISP/IAP/EEPROM操作完成 IapIdle();}/******************************************************************************** 函数名 : IapEraseSector* 描述 : 扇区擦除* 输入 : addr：擦除扇区起始地址* 输出 : 无* 返回值 : 无* 说明 : STC15F2K60S2的EEPROM有1K，2个扇区，地址0x000~0x3ff*******************************************************************************/void IapEraseSector(unsigned int addr){ IAP_CONTR = ENABLE_IAP; //使能IAP IAP_CMD = CMD_ERASE; //设置IAP命令 IAP_ADDRL = addr; //设置IAP低地址 IAP_ADDRH = addr >> 8; //设置IAP高地址 IAP_TRIG = 0x5a; //写触发命令(0x5a) IAP_TRIG = 0xa5; //写触发命令(0xa5) _nop_(); //等待ISP/IAP/EEPROM操作完成 IapIdle();}

大体如下ISP 是下载的方式IAP是一种芯片E2PROM 是下载的空间

是缓存器数值的比较

扩展名:EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)拓展:EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。E0故障代表控制电路读不到存储器，因此无法顺利控制及开启空调机。检查插脚或者电路板是否松脱故障。

存的都是二进制数据，信息是什么要看解答的方式，一般而言，EEPROM用来存储小程序。

可以用类似队列的方式捕捉gsm模块（或者说串口）发送到单片机的字符串信息，得到号码后做字符串的比较操作，然后操作你的继电器。“添加、删除电话号码到eeprom”这句是说在eeprom里面存储或者删除电话号码吗？就是一个eeprom的操作呀，可以出ascii也可以存十六进制数，容易实现的，参考eeprom的例程，基本读扇区，擦除扇区，编程扇区函数就可以了。

如果你想写入外围的EEPROM存储器，比如说像是24C02之类的存储器，那么你可以直接百度相应的程序，基本上是一大堆一大堆的。但要是你想写入单片机内部的EEPROM的话，这就有点难度了，好像需要用到一个IAP功能，而且不同厂家是不一样的，需要参照你的芯片手册，我这也是一点皮毛，希望对你有用吧

具体操作要看手册上的说明，具体型号可以告诉我吗？

EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。EEPROM,一般用于即插即用（Plug & Play）。常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据。也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。

很简单,后者可以电檫除 前者好象是紫外线下檫除 好象现在没有人用EPROM了吧

EEPROM（带电可擦写可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器EEPROM（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。eeprom checksum已停止工作可能EEPROM内容被损坏。也有可能是eeprom的供电电池没有电了。

你问的这个问题，擦除EEPROM是什么意思？意思是消除存储器里面存储的信息，使存储器恢复到原始状态。

e方P入木～～～这东西是一种芯片，老式的，叫可擦写存储器～

24C02是一个外部的断电存储数据的芯片，stm32单片机通过接口把数据读写入24C02中，stm32单片机自身也有Flash可以断电保存数据， 24C02 是EEPROM，两种存储擦写方式不同，Flash写入1时要先按整页擦除，而EEPROM不用擦除可以直接写入1和0，但EEPROM成本更高。

存储非易失性数据的作用。根据查询proteus的使用方法得知，EEPROM的作用是用于存储非易失性数据，即使断电或控制器复位也需要存储。Proteus是英国著名的EDA工具，该软件由英国LabCenterElectronics公司出版。

空调eeprom故障指的是空调中的电子存储器（EEPROM）出现了故障或损坏，导致空调无法正常工作或出现异常。EEPROM是一种可编程的电子存储器，用于存储空调的设置和参数等信息。如果EEPROM出现故障，可能会导致空调无法启动、无法调节温度或风速等问题。需要通过更换EEPROM或修复电路等方式来解决问题。

临时需要调用的数据，如汽车音响内的歌曲数据。汽车EEPROM可以储存临时调用数据，广泛应用于车载音响，如大众宝来车上的音响防盗芯片，就是用的EEPROM来进行存储数据的。EEPROM是电可擦可编程只读储存器的意思。存一些代码运行中要存的可以实时更新的数据，掉电不丢失，也可以Flash模拟eeprom。汽车EEPROM一种掉电后数据不丢失的存储芯片。可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息重新编程，即插即用。

当控制栅相当于漏极+21V电压时，由于电容耦合，浮栅上形成一个正电位，使隧道氧化层中的电场可达10^7V/cm以上，这样便会发生Fowler-Nordheim隧道效应，电子通过氧化层对浮栅充电。这种隧道效应是可逆的，若控制栅接地，漏极加21V电压，则电子从浮栅穿过隧道氧化层跑到漏极，使浮栅放电。

i2c总线是定义一种通信协议，也就是数据传输模式，at24c02n是一种e2prom芯片，这是一种可以掉电保存的存储设备，这个芯片使用通信协议为i2c总线。e2prom和flash的区别，大致来说。内部构造是不一样的。flash一般容量较大，几M到几G，应用场合，存储大批量数据

虽然FLASH空间很大，但它的数据掉电后会丢失；EEPROM的好处就在于，里面的数据掉电后不会丢失，这就是主要区别。有时候数据RAM不够用的情况下，也可以用来做数据RAM的扩展。（这种情况比较少！）

EEPROM是一种电可改写的储存芯片，空调在程序运行过程中需要调用的一些电控参数一般都用这种芯片存储；可以根据情况修改参数后进行验证以选定比较合适的电控参数。

向EEPROM种写入数据实际上是一个烧写的过程，对EEPROM具有一定的破坏性，因此一个EEPROM单元的擦写的次数是有限的。具体的擦写次数视不同厂家、不同系列的芯片决定。Microchip公司的PIC16F876A内部EEPROM的擦写次数为100万次（数据文档记录），对于一些不需要频繁改变的参数而言完全满足需求，但是当用在固定的4字节存放流量的积累时，是不能满足要求的。因为，在综合考虑各种因素后，如果要求流量计在运行时每10s存放1次累积量，则EEPROM能安全运行1*1000000/(360*24)=117天，不能满足要求，必须采用一定的方法延长EEPROM的寿命。 我采用的方法是在EEPROM中开辟一段空间滚动存放累积量，具体实现的方法是：将EEPROM中地址0--160的单元滚动存放累积量，每4字节为一组，共40组，每组连续存放50次（根据需要改动），然后再一组中存放。当第40组连续存放50次后，再回到第一组开始存放。由于全局变量Savetime记录在某一组连续存放的数据，EEPROM中的地址为0单元用于存放当前累积量有效值所在组的首地址，当某一组连续存放50次，滚入下一组时更新存放地址的值，实现函数如下：void ee_Cumulation_write(double data){ SaveTime++;//同一组位置连续存的次数 if(SaveTime>50) { SaveTime=0; SaveAddr+=4;//转到下一组位置 if(SaveAddr>157) SaveAddr=1; eeprom_write(0,SaveAddr);//EEPROM位置0存放当前累积量的首地址 } ee_double_write(SaveAddr,data);//存放累积量 }

用户可更改的只读存储器。eeprom直译是带电可擦可编程只读存储器，在这里表达的是用户可更改的只读存储器。EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableROM，电可擦除可编程ROM)，是一种掉电后数据不丢失的存储芯片，用作非易失的数据的存储。

EEPROM本身是单纯的存储器，一般没有加密。数据是否加密，取决于你前端的算法实现。

手机的ROM一般都用FlashEEPROMMemory，闪存。俗称flash。的确是属于EEPROM。

虽然都是掉电不丢失数据的，但是存在一些不同。FALSH的操作是页擦除，而EEPROM可以字节擦除。FLASH存储量大有的达到4GB，而EEPROM则小得多。FLASH一般用于存储数据，EEPROM存储程序。另外，Flash比EEPROM芯片便宜多了。

两者的含义和特点不同：1、EPROM的含义：EPROM是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。2、EEPROM的含义：EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。.EEPROM.可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。1、EPROM的特点：EPROM的编程需要使用编程器完成。编程器是用于产生EPROM编程所需要的高压脉冲信号的装置。编程时将EPROM的数据送到随机存储器中，然后启动编程程序，编程器便将数据逐行地写入EPROM中。一片编程后的EPROM，可以保持其数据大约10～20年，并能无限次读取。擦除窗口必须保持覆盖，以防偶然被阳光擦除。老式电脑的BIOS芯片，一般都是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS发行商名称、版本和版权声明的标签所覆盖。EPROM已经被EEPROM取代（电擦除只读寄存器）。2、EEPROM的特点：EEPROM一般用于即插即用（Plug.&.Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的“硬件锁”上面。这就是它俩的区别。

EEPROM(带电可擦写可编程只读存储器)是用户可更改的只读存储器EEPROM(ROM)，其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程(重写)。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。EEPROM,一般用于即插即用(Plug & Play)。常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据。也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。

eeprom不能使用。单片机内部eeprom不使能意思是，由于单片机内部的eeprom出现故障，导致无法正常使用。单片机（Single-ChipMicrocomputer）是一种集成电路芯片。

管脚定义如下：1脚：信号正极输入；2脚：信号负极输入；3脚：接地；4脚：电源正极输入；5脚：信号输出。参数：电压范围：单电压15~60V ,或±30V工作电压：±25V（典型值）静态电流：50mA输出功率：30W谐波失真：0.015%（当f=1kHz，RL=8Ω，P0=20W时）额定增益：26dB（当f=1kHz时）转换速率：18V/μS (9V/μS)

单就这个问题回答，是不行的，但有些地方是可以替换的。这里就要提到Flash与eeprom的区别了：1、擦写次数：eeprom比flash多很多，一般flash数据保证保存10年擦写的次数在几千次（现在有些已经到了上万次），eeprom的数据比这个大，但普通eeprom也是有限制的，若要“无限制”，可以选择FRAM，它虽然读一次和写一次都算一次操作，但操作次数可以到10的12次方级别，基本可以认为是无限。2、擦写方式：flash是不能单字节擦写的，eeprom可以，flash的最小擦写单位通常为一个sector，大小根据不同芯片不同。如果产品满足上述两条flash的要求（产品周期内的擦写次数较少、擦写时有足够的缓存），在这样的产品中完全可以用flash来替换eeprom，否则不行。另外，前面提到的FRAM（铁电），除了操作次数相当高外，操作时间也很短，基本上命令发完就完成了读写操作，不需要eeprom的写等待查询。具体型号如：FM24C04（IIC接口，4kbit）

分类: 教育/科学 >> 科学技术 >> 工程技术科学 问题描述: 请问谁知道EEPROM能运用在那些领域和具体产品上？ 谢谢！ 解析: EEPROM(Electrically Erasable Programmable Read一Only Memory)即电子擦除式只读存储器，它是一种非挥发性存储器，与擦除式只读存储器(EPROM)类似，电源消失后，储存的数据依然存在，要消除储存在其中的内容，不是用紫外线照射方式，而是以电子信号直接消除即可。 正是由于EEPROM具有以上特点，该器件可广泛应用于对数据存储安全性及可靠性要求高的应用场合，如门禁考勤系统，测量和医疗仪表，非接触式智能卡，税控收款机，预付费电度表或复费率电度表、水表、煤气表以及家电遥控器等应用场合。该类型存储器在可靠数据存储领域会获得越来越广泛的应用。但是，EEPROM有固定的使用寿命，这是指某一位由1写为O或由O写为1的次数。不同厂家的产品，相同厂家不同型号、系列的产品，它们的寿命也不尽相同，100万次为常见主流产品。

铁电存贮器（FRAM）快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗，成本，空间，同时增加了整个系统的可靠性。最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。

eeprom主要是掉电不消失比如说：你现在用单片机测量到一个参数，这个数在下次开机后可以用，你就要把它放在eeprom里

需要。eeprom数据需要检验。在写入或读出EEPROM中的数据时，为保证数据操作的正确性，则需要进行数据校验。

eeprom是存储器内存,它是外存与CPU进行沟通的桥梁。内存计算机中重要的部件之一。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。 EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数 肯定是内存储器，可以重复擦写

flash也是电可擦写可编程只读存储器，它的全称就是Flash EEPROM Memory。那就说明FLASH是EEPROM的子类，但是FLASH结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还可以快速读取数据（NVRAM的优势），使数据不会因为断电而丢失。在过去的20年里，嵌入式系统一直使用ROM（EPROM）作为它们的存储设备，然而近年来Flash全面代替了ROM（EPROM）在嵌入式系统中的地位，用作存储Bootloader以及操作系统或者程序代码，或者直接当硬盘使用

eeprom不用擦除可直接写数据，比较24c01,24c02等

EEPROM的作用的，有的还设EEPROM，但EEPROM是IC厂家用来存储BOOT在线编程用的，其它程序不可以存储在里面。黄莺鸣翠柳 紫燕剪春风 莺歌燕舞

EPROM和EEPROM有3点不同：一、两者的含义不同：1、EPROM的含义：EPROM是一组浮栅晶体管，被一个提供比电子电路中常用电压更高电压的电子器件分别编程。一旦编程完成后，EPROM只能用强紫外线照射来擦除。通过封装顶部能看见硅片的透明窗口，很容易识别EPROM，这个窗口同时用来进行紫外线擦除。可以将EPROM的玻璃窗对准阳光直射一段时间就可以擦除。2、EEPROM的含义：EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。二、两者的特点不同：1、EPROM的特点：EPROM的编程需要使用编程器完成。编程器是用于产生EPROM编程所需要的高压脉冲信号的装置。编程时将EPROM的数据送到随机存储器中，然后启动编程程序，编程器便将数据逐行地写入EPROM中。一片编程后的EPROM，可以保持其数据大约10～20年，并能无限次读取。擦除窗口必须保持覆盖，以防偶然被阳光擦除。老式电脑的BIOS芯片，一般都是EPROM，擦除窗口往往被印有BIOS发行商名称、版本和版权声明的标签所覆盖。EPROM已经被EEPROM取代（电擦除只读寄存器）。2、EEPROM的特点：EEPROM一般用于即插即用（Plug & Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的“硬件锁”上面。三、两者的基本原理不同：1、EPROM的基本原理：EEPROM的写入过程，是利用了隧道效应，即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边。量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时，电子将呈现波动性，这里就是表明物体要足够的小。EEPROM写入过程，如图3所示，根据隧道效应，包围浮栅的SiO2，必须极薄以降低势垒。源漏极接地，处于导通状态。在控制栅上施加高于阈值电压的高压，以减少电场作用，吸引电子穿越。2、EEPROM的基本原理：由于EPROM操作的不便，后来出的主板上BIOS ROM芯片大部分都采用EEPROM。EEPROM的擦除不需要借助于其它设备，它是以电子信号来修改其内容的，而且是以Byte为最小修改单位，不必将资料全部洗掉才能写入，彻底摆脱了EPROM Eraser和编程器的束缚。借助于EEPROM芯片的双电压特性，可以使BIOS具有良好的防毒功能，在升级时，把跳线开关打至“on”的位置，即给芯片加上相应的编程电压，就可以方便地升级。参考资料来源：百度百科-EPROM参考资料来源：百度百科-EEPROM

就是点可擦可编程只读储存器。作用是储存程序和数据。

　　关于EEPROM的意思，计算机专业术语名词解释 　　EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用(Plug

EEPROMEEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。EEPROM（电可擦写可编程只读存储器）是可用户更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候是可频繁地重编程的，EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM的一种特殊形式是闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。DRAM断电后存在其中的数据会丢失，而EEPROM断电后存在其中的数据不会丢失。另外，EEPROM可以清除存储数据和再编程。一般用于即插即用（Plug&Play）；常用在接口卡中，用来存放硬件设置数据；也常用在防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面。

EEPROM(ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory)，带电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般即插即用。EEPROM(带电可擦写可编程只读存储器)是用户可更改的只读存储器EEPROM(ROM)，其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程(重写)。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。EEPROM是一种特殊形式的闪存，其应用通常是个人电脑中的电压来擦写和重编程。

　　eeprom用于编程。 　　EEPROM是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 　　EEPROM可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。 　　EEPROM（带电可擦可编程只读存储器）是用户可更改的只读存储器，其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。不像EPROM芯片，EEPROM不需从计算机中取出即可修改。 　　在一个EEPROM中，当计算机在使用的时候可频繁地反复编程，因此EEPROM的寿命是一个很重要的设计考虑参数。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，带电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用（Plug & Play）接口卡中，用来存放硬件设置数据；防止软件非法拷贝的"硬件锁"上面也能找到它。 查看原帖>>

eeprom是带电可擦可编程只读存储器。EEPROM (Electrically Erasable Programmable read only memory)是指带电可擦可编程只读存储器。是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用。扩展资料：EEPROM的写入过程，是利用了隧道效应，即能量小于能量势垒的电子能够穿越势垒到达另一边。量子力学认为物理尺寸与电子自由程相当时，电子将呈现波动性,这里就是表明物体要足够的小。就pn结来看，当p和n的杂质浓度达到一定水平时，并且空间电荷极少时，电子就会因隧道效应向导带迁移。电子的能量处于某个级别允许级别的范围称为“带”，较低的能带称为价带，较高的能带称为导带。电子到达较高的导带时就可以在原子间自由的运动，这种运动就是电流。参考资料来源：百度百科——EEPROM

只读存储器。EEPROM是一种可编程、可擦除、电可擦可编程只读存储器，是Electrically Erasable Programmable Read Only Memory的缩写。EEPROM是一种常用的存储器类型，它可以通过电压来擦除和编程存储数据。EEPROM的存储单元由一个晶体管和一个电容组成，每个存储单元能够存储一个比特的数据，而且可以通过编程电压来改变存储单元的电荷状态，从而实现数据的存储和读取。

EEPROM故障指的是电可擦可编程只读存储器（EEPROM）出现了问题，无法正常读取或写入数据。这可能是由于电压不稳定、电磁干扰、过度使用等原因引起的。EEPROM故障可能会导致设备无法启动、数据丢失或损坏等问题。

eeprom是e方参数故障,就是说内机电路主板有故障不可修复只能更换. 货车计量泵EEPROM故障怎么解决! 出现这种状况多出在硬件上,你判断的还是对的,我以前遇到过这种情况,最后是检查主板,结果主板的几个电容坏掉了,换几个就好了,很便宜.诊断卡不能查出死机的原因,只能查出有问题的硬件,希望可以帮到你.

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 EEPROM 可以在电脑上或专用设备上擦除已有信息，重新编程。一般用在即插即用 EPROM（Erasable Programmable ROM，可擦除可编程ROM）芯片可重复擦除和写入，解决了PROM芯片只能写入一次的弊端。EPROM芯片有一个很明显的特征，在其正面的陶瓷封装上，开有一个玻璃窗口，透过该窗口，可以看到其内部的集成电路，紫外线透过该孔照射内部芯片就可以擦除其内的数据，完成芯片擦除的操作要用到EPROM擦除器。EPROM内资料的写入要用专用的编程器，并且往芯片中写内容时必须要加一定的编程电压（VPP=12—24V，随不同的芯片型号而定）。EPROM的型号是以27开头的，如27C020(8*256K)是一片2M Bits容量的EPROM芯片。EPROM芯片在写入资料后，还要以不透光的贴纸或胶布把窗口封住，以免受到周围的紫外线照射而使资料受损。

读次数无限制，写次数百万次以下。根据eeprom简介EEPROM读次数无限制，而写的次数却在百万次以下，所以eeprom读次数无限制，写次数百万次以下。EEPROM（带电可擦写可编程读写存储器）是用户可更改的只读存储器（ROM），其可通过高于普通电压的作用来擦除和重编程（重写）。

虽然我很聪明，但这么说真的难到我了

是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子可擦除只读存储器（EEPROM）的变种，EEPROM与闪存不同的是，它能在字节水平上进行删除和重写而不是整个芯片擦写，这样闪存就比EEPROM的更新速度快。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。另一方面，闪存不像RAM（随机存取存储器）一样以字节为单位改写数据，因此不能取代RAM。　　闪存卡（Flash Card）是利用闪存（Flash Memory）技术达到存储电子信息的存储器，一般应用在数码相机，掌上电脑，MP3等小型数码产品中作为存储介质，所以样子小巧，有如一张卡片，所以称之为闪存卡。根据不同的生产厂商和不同的应用，闪存卡大概有SmartMedia（SM卡）、Compact Flash（CF卡）、MultiMediaCard（MMC卡）、Secure Digital（SD卡）、Memory Stick（记忆棒）、XD-Picture Card（XD卡）和微硬盘（MICRODRIVE）这些闪存卡虽然外观、规格不同，但是技术原理都是相同的。 [编辑本段]【技术及特点】　　NOR型与NAND型闪存的区别很大，打个比方说，NOR型闪存更像内存，有独立的地址线和数据线，但价格比较贵，容量比较小；而NAND型更像硬盘，地址线和数据线是共用的I/O线，类似硬盘的所有信息都通过一条硬盘线传送一般，而且NAND型与NOR型闪存相比，成本要低一些，而容量大得多。因此，NOR型闪存比较适合频繁随机读写的场合，通常用于存储程序代码并直接在闪存内运行，手机就是使用NOR型闪存的大户，所以手机的“内存”容量通常不大；NAND型闪存主要用来存储资料，我们常用的闪存产品，如闪存盘、数码存储卡都是用NAND型闪存。　　这里我们还需要端正一个概念，那就是闪存的速度其实很有限，它本身操作速度、频率就比内存低得多，而且NAND型闪存类似硬盘的操作方式效率也比内存的直接访问方式慢得多。因此，不要以为闪存盘的性能瓶颈是在接口，甚至想当然地认为闪存盘采用USB2.0接口之后会获得巨大的性能提升。　　前面提到NAND型闪存的操作方式效率低，这和它的架构设计和接口设计有关，它操作起来确实挺像硬盘(其实NAND型闪存在设计之初确实考虑了与硬盘的兼容性)，它的性能特点也很像硬盘：小数据块操作速度很慢，而大数据块速度就很快，这种差异远比其他存储介质大的多。这种性能特点非常值得我们留意。　　闪存存取比较快速，无噪音，散热小。你买的话其实可以不考虑那么多，同样存储空间买闪存。如果硬盘空间大就买硬盘，也可以满足你应用的需求。 [编辑本段]【闪存的分类】　　·目前市场上常见的存储按种类可分： 　　U盘 　　CF卡 　　SM卡 　　SD/MMC卡 　　记忆棒　　·国内市场常见的品牌有： 　　金士顿、索尼、晟碟、Kingmax、鹰泰、创见、爱国者，纽曼，威刚，联想。　　[1][2][3]【NAND型闪存】内存和NOR型闪存的基本存储单元是bit，用户可以随机访问任何一个bit的信息。而NAND型闪存的基本存储单元是页（Page）（可以看到，NAND型闪存的页就类似硬盘的扇区，硬盘的一个扇区也为512字节）。每一页的有效容量是512字节的倍数。所谓的有效容量是指用于数据存储的部分，实际上还要加上16字节的校验信息，因此我们可以在闪存厂商的技术资料当中看到“（512+16）Byte”的表示方式。目前2Gb以下容量的NAND型闪存绝大多数是（512+16）字节的页面容量，2Gb以上容量的NAND型闪存则将页容量扩大到（2048+64）字节。 　　NAND型闪存以块为单位进行擦除操作。闪存的写入操作必须在空白区域进行，如果目标区域已经有数据，必须先擦除后写入，因此擦除操作是闪存的基本操作。一般每个块包含32个512字节的页，容量16KB；而大容量闪存采用2KB页时，则每个块包含64个页，容量128KB。 　　每颗NAND型闪存的I/O接口一般是8条，每条数据线每次传输（512+16）bit信息，8条就是（512+16）×8bit，也就是前面说的512字节。但较大容量的NAND型闪存也越来越多地采用16条I/O线的

EEPROM（电可擦可编程只读存储器），输入输出存储器错误，可能是输入输出存储器芯片断路、短路或者内部击穿。按照SFF8472的相关协议来看，EEPROM错误的情况多数为A0区间的值由于误操作或者I2C冲突而被改写。通常的解决办法是RMA回原生产厂家维修。由于现在的光模块普遍采用MCU功能芯片，可以要求厂家生产模块时做A0EEPROM区间的写保护（客户定制的方式）。如果出现较多数量的光模块存在该问题，则需要检查是否有程序软件做了错误的修改。另外也需要检查核实光模块是否被误用，因为不同速率的光模块，其AOEEPROM的信息是不一样的。这个也适用其他的电子类产品，只是需要参照的协议不同。

electrically erasable programmable read-only memory

STC单片机内部都具有EEPROM，但是，在读写操作上与EEPROM芯片是不同的。如I2C的EEPROM芯片，AT24Cxx系列，只要写入一个新的数据，原数据就被覆盖掉，所以是不用先擦除的。但其实，芯片内部是自动完成了先擦除后写入的过程的。所以，这类芯片写入一组数据的时间较长，速度慢。而STC单片机为了提高写入速度，不再采用自动先擦除后写入的模式，而是将EEPROM划分成扇区，512字节为一个扇区，这样，可以连续写入一个扇区，速度快。但是，需要重新写入新的数据时，就必须要执行擦除操作，并一次擦除一个扇区，擦除就是将一个扇区的512个单元全变成FFH。只有先擦除了，才可以再重新写入新的数据，否则，原来有数据了，再写入一个新的数据，那么原数据被重写，但又不是新数据，结果是写入错误。因此，擦除EEPROM，就是恢复全为1的状态，使全部单元变FFH(即0xFF)。

串行，是eeprom和连接设备的接口界面，通常有2线的和4线的。主要是可以缩小芯片封装

1、EEPROM是电可擦可编程只读存储器的意思，eeprom故障可能是输入输出存储器错误，也可能是输入输出存储器芯片断路、短路或者内部击穿。 2、按照相关协议来看，EEPROM错误的情况多数为A0区间的值由于误操作或者I2C冲突而被改写。通常的解决办法是RMA回原生产厂家维修。

EEPROM（电可擦可编程只读存储器），输入输出存储器错误，可能是输入输出存储器芯片断路、短路或者内部击穿。按照SFF8472的相关协议来看，EEPROM错误的情况多数为A0区间的值由于误操作或者I2C冲突而被改写。通常的解决办法是RMA回原生产厂家维修。由于现在的光模块普遍采用MCU功能芯片，可以要求厂家生产模块时做A0EEPROM区间的写保护（客户定制的方式）。如果出现较多数量的光模块存在该问题，则需要检查是否有程序软件做了错误的修改。另外也需要检查核实光模块是否被误用，因为不同速率的光模块，其AOEEPROM的信息是不一样的。这个也适用其他的电子类产品，只是需要参照的协议不同。

出现EEPROM参数错误时，代表着空调的芯片出现问题了，造成芯片里面的数据坏了或者是紊乱了，此时只能重新进行芯片烧录或者直接更换新的空调主板芯片，就可以解决此问题。/EEPRO的全称是ElectricallyErasableProgrammableRead-OnlyMemory，翻译过来就是“电可擦可编程只读存储器“，这是一种掉电后数据不丢失的存储芯片。EEPROM可以在空调电脑版上或着专用设备上擦除已有信息，并进行重新编程。这里再给大家普及几个在使用空调时的小技巧，让空调作用效果达到最合适的程度：1、使用空调时，不宜把温度设置的太低，夏季设置的温度推荐是25至26度。当空调每调高1度，可降低7％至10％的用电负荷。而且从健康角度来说，夏天当室内外温差为4至5度时可有效防止得“空调病”。2、在选购空调时，应根据房间的大小来选择功率匹配的空调，这样当空调一来可以完全能够满足房间的制冷需求，二来也不会给空调造成太大的运转负荷。3、使用空调时设置适宜的出风角度，会使室内空气的温度降得更快。空调制冷时出风口宜向上，而制热时出风口应该向下，这样也能达到节能节电的效果。4、使用空调时尽量少开关房屋的门，可以提前将房间的空气换好。如果一定要开窗的话，建议开窗户的缝隙不要超过两公分。如果中途想换空气，则最好提前5-10分钟先将空调关闭。

eeprom的页、块是一般根据容量划分的，比如2kbit~16kbit的是16bytes一页，2kbit一块；32kbit、64kbit的32bytes一页， 32kbit一块等。对于2kbit这种小容量的，现在也有8bytes一页的。另外更正一个概念：我们在烧录器的行只是为了便于观看做的划分，一个EEPROM的一页占多少行是根据容量来确定的。

EEPROM (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)，电可擦可编程只读存储器--一种掉电后数据不丢失的存储芯片。 主要用于单片机或嵌入型设备存储数据，例如：电话等带有简单记忆功能的设备，就像电脑的硬盘一样，不过容量很小，常用的几K到几百K吧

铁电存贮器（FRAM）快速擦写和非易失性等特点，令系统工程师可以把现有设计中的SRAM和EEPROM器件整合到一个铁电存贮器（FRAM）里，或者简单地作为SRAM扩展。在多数情况下，系统使用多种存储器类型，FRAM提供了只使用一个器件就能提供ROM,RAM和EEPROM功能的能力，节省了功耗，成本，空间，同时增加了整个系统的可靠性。最常见的例子就是在一个有外部串行EEPROM嵌入式系统中，FRAM能够代替EEPROM,同时也为处理器提供了额外的SRAM功能。典型应用：便携式设备中的一体化存储器，使用低端控制器的任何系统。